CN101043766A - 加热装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的加热装置具有加热基体(11)以及与该加热基体(11)接合的中空部件(13)，有效地防止在加热基体(11)和中空部件棒材(13)的接合界面产生裂纹。加热装置具备板状的加热基体(11)和一端面接合在该加热基体(11)的一个面上的中空部件(13)，加热基体11具有在与中空部件(13)的接合部附近、与该中空部件(13)的外周面(13b)成同一面的侧面部(11e)；以及与该侧面部(11e)连接的凹曲面部(11d)，加热基体(11)和中空部件(13)的接合界面的端部位于该加热基体(11)的侧面部(11e)和中空部件(13)的外周部(13b)之间。

Description

加热装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及加热装置，更详细地说涉及在半导体器件的制造工序中用于对作为基板使用的晶片或其他板状的被加热材料进行加热的加热装置及其制造方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，为了使用半导体制造装置向晶片上形成氧化膜等而实施加热处理。在该半导体制造装置的用于加热晶片的加热装置中，有在具有加热面的圆盘状的陶瓷基体中埋设了线状电阻发热体的陶瓷加热器。该陶瓷加热器不仅用于半导体制造过程的成膜装置，还适合用于对板状的被加热材料的表面进行干蚀刻的表面处理装置等。
陶瓷加热器具备陶瓷基体和为了支撑该陶瓷基体而接合的中空棒部件。该中空棒部件为中空圆筒形状，一个端面通过固相接合或液相接合粘合在与陶瓷基体的加热面相反一侧的面(接合面)上。
关于这种陶瓷基体和中空棒部件的安装构造，有在陶瓷基体的接合面和中空棒部件的外周面之间设置月牙部(ア一ル)的陶瓷加热器(例如，专利文献1：特开2004-247745号公报)。
原来的陶瓷加热器其陶瓷基体的接合面和中空棒部件的外周面通过形成于两者接合部上的圆弧部的曲面而圆滑地连接。在这种陶瓷加热器中，该陶瓷基体和中空棒部件的接合界面在与该圆弧部的曲面的面内相接的情况下，该加热装置在长期使用后，该接合界面从与该圆弧部相接的部分发生裂纹，该裂纹沿接合界面传播，会引起陶瓷基体和中空棒部件的接合剥离。
发明内容
在此，本发明的目的在于提供有效地防止在陶瓷基体和中空棒部件的接合界面上发生裂纹，由此可进一步提高可靠性的加热装置及其有利的制造方法。
为了实现上述目的，本发明的加热装置的特征在于，具备：板状的加热基体；以及一端面接合在该加热基体的一个面上的中空棒部件，上述加热基体在与上述中空棒部件的接合部附近具有：与该中空棒部件的外周面成同一面的侧面部；以及与该侧面部连接的凹曲面部，该加热基体和上述中棒部件的接合界面的端部位于该加热基体的侧面部和中空棒部件的外周面之间。
该凹曲面部的曲率半径R最好是1-10mm。而且，通过上述凹曲面部在含有中空棒部件的中心轴线的截面成为椭圆弧形状，可进一步提高可靠性。凹曲面部最好是Ra可在0.8μm以下。
另外，本发明的加热装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：将中空棒部件的一端面接合在加热基体的一个面上的工序；以及，对在该加热基体和中空棒部件的接合部附近的加热基体侧形成的凹曲面部进行研磨加工的工序，上述研磨加工在研磨砥石的粒度为325号以上、进给速度为0.2mm/min以下的条件下进行。
根据本发明的加热装置，可抑制以加热基体和中空棒部件的接合界面为起点产生裂纹，从而可提高加热装置的可靠性。
附图说明
图1是本发明的加热装置的一个实施例的模式纵剖面图。
图2是本发明的加热装置的一个实施例的模式纵剖面图。
图3是比较例的加热装置的模式纵剖面图。
图4是比较例的加热装置的模式纵剖面图。
图中：
11-陶瓷基体(加热基体)，11d-凹曲面部，11e-侧面部，12-电阻发热体，13-轴(中空棒部件)。
具体实施方式
下面使用附图对本发明的加热装置的实施例进行说明。
图1是本发明的加热装置的一个实施例的模式纵剖面图。该图所示的加热装置，作为加热基体，具备圆盘状的陶瓷基体11。在该陶瓷基体11的内部埋设有电阻发热体12。通过向该电阻发热体12供给电力，电阻发热体12发热，陶瓷基体11被加热。通过该陶瓷基体11的加热，放置在该陶瓷基体11上的被加热材料(例如半导体晶片)将被加热。该圆盘状的陶瓷基体11的一个面装载被加热材料，成为用于加热的加热面11a，与加热面11a相反一侧的面成为接合作为支撑陶瓷基体11的中空棒部件的的轴13的接合面11b。该接合面11b的中央部附近的板厚比周边部附近更厚，轴13被接合在该中央部表面11c。
轴13为中空的大致圆筒形状，在该轴13的内部空间配设有引线或供电棒，以用于向陶瓷基体11的电阻发热体12供给电力。另外，在陶瓷基体11具有静电吸盘和高频电极时，与埋设在陶瓷基体11内的电极连接的引线配设在该轴13的内部空间。
轴13在与陶瓷基体11接合的一侧端部形成凸缘部13a，该凸缘部13a的外周面13b在图示的纵剖面上成直线状。在使凸缘部13a的端面13c与陶瓷基体11的中央部表面11c对接的状态下，通过固相接合或液相接合，轴13被接合在陶瓷基体11上。
并且，在与轴13的接合部附近，陶瓷基体11具有与接合面11b的平面圆滑连接的凹曲面部11d。另外，陶瓷基体11具有侧面部11e，该侧面部11e与被接合的轴13凸缘部13a的外周面13b成同一面，且与该外周面13b以及上述凹曲面部11d没有阶梯差地直线状连接。因此，陶瓷基体11与轴13的接合界面的外周侧端部位于该陶瓷基体11的侧面部11e和轴13的凸缘部13a的外周面13b之间。即不会像原来陶瓷基体那样，接合界面的端面与凹曲面部(月牙部)的内面相接。
在原来的加热装置中，关于陶瓷基体和轴的接合界面的端部与凹曲面部(月牙部)的内面相接的加热装置，从该接合界面的端部发生裂纹的原因，认为是使用加热器时的热应力所致。详细地说，虽然利用电阻发热体的发热而在陶瓷基体的加热面侧均匀地加热，但是与轴连接的部分，因向轴的传热而比其他部分温度低。因此，在陶瓷基体上，因该温度梯度在半径方向产生热应力，由于该热应力在接合界面的外周侧端部集中，所以产生裂纹。接合界面的强度一般低于其他体积部分，所以一旦产生裂纹，裂纹沿该接合界面传播，最终陶瓷基体和轴的接合产生剥落。另外，由于接合界面容易受使用时环境气体引起的腐蚀或氧化的影响，强度逐渐降低，这一点也导致接合的剥落。由于轴的内侧空间配设通电棒或导线，为了保护该通电棒或导线使其免受腐蚀性气体影响，要求抑制接合的剥落，提高可靠性。
在原来的陶瓷基体上形成凹曲面部(月牙部)虽然是为了缓和该应力集中，但是在月牙部的面内形成接合界面的场合仍然存在产生裂纹的情况。
对此，在图1所示的实施例的加热装置中，凹曲面部11d仅形成于陶瓷基体侧。并且，陶瓷基体11不仅具有该凹曲面部11d，而且还具有与轴13的凸缘部13a的外周面13b成同一平面的侧面部11e。因此，接合界面的端部位于相互圆滑地连接的陶瓷基体11的侧面部11e和轴13的外周面13b之间。并且，接合界面与陶瓷基体11的侧面部11e和轴13的外周面13b垂直相交。因此，接合界面的端部对接合热应力的耐力增大，有效地抑制了应力集中，从而抑制了裂纹的产生。因此，能够提高可靠性。
凹曲面部11d的曲率半径最好在1-10mm的范围。在曲率半径小到0.5mm左右的极端的情况下，设置凹曲面部11d的效果变小，集中于该端部的应力值变高，存在发生裂纹的危险。另外，虽然凹曲面部11d的曲率半径越大，越可减小施加在接合界面的外周侧端部的应力值，但是为了确保大的曲率半径，需要加大陶瓷基体11的加工前的初期厚度。加大陶瓷基体11的厚度，有可能导致陶瓷基体11本身的强度降低。这是由于陶瓷结构体其体积越大、含有内部缺陷的概率就越高。因此，从减少内部缺陷的观点出发，加大厚度是有限的。而且，由于只加大中心附近的热容量，在升温时中心温度上升缓慢，易于在中心附近产生拉伸应力而破损。另外，由于凹曲面部11d的形成通过利用研磨加工去除陶瓷基体11的中央部附近以外的部分来进行，所以曲率半径大，由此陶瓷基体11研磨加工前的初期厚度越大，加工费就越大，从而导致成本上升。因此，凹曲面部11d的曲率半径最好在10mm以下。更好的范围是1-4mm。
陶瓷基体11的中央部附近的厚度，理想的是2-50mm的范围，更好是5-30mm的范围。上面所述的凹曲面部11d的曲率半径为比该陶瓷基体11的厚度小的值，可根据该陶瓷基体11的厚度确定最佳值。
凹曲面部11d的表面粗糙度，最好是中心线平均粗糙度Ra为0.8μm以下。根据发明者们的研究已清楚，即使在同一曲率半径的情况下，凹曲面部11d的表面粗糙度越大，越容易产生裂纹。这是认为表面粗糙度越大，表面的凹凸越容易成为破坏起点。通过使凹曲面部11d的表面粗糙度在中心线平均粗糙度Ra为0.8μm以下，能有效地抑制裂纹的产生，进一步提高可靠性。这种中心线平均粗糙度Ra的调整，通过按以下条件进行可顺利实现，即，在制作陶瓷基体11的过程中对凹曲面部进行研磨加工时，使研磨砥石的粒度为325号以上、进给速度为0.2mm/min。
使陶瓷基体11的凹曲面部11d从接合界面离开的侧面部11e的直线的长度最好是0.5-2.0mm的范围。要想使侧面部11e更长就需要加大陶瓷基体加工前的厚度，加工费增大。另外，如果侧面部11e太短，则接合界面与凹曲面部11d接近，不能充分得到本发明的效果。
其次，使用图2说明本发明加热装置的别的实施例。
图2(a)是本发明的加热装置的别的实施例的模式纵剖视图。同图(b)是同图(a)的A区域的放大图。另外，在图2中，对于与图1中同一部件给与同一符号，以下省略重复叙述。
图2所示的实施例的加热装置具备陶瓷基体21和轴13。该陶瓷基体21具有加热面21a和接合面21b，在该接合面21b的中央附近的板厚比周边部附近要厚，轴13接合在该中央部表面21c。
并且，在与轴13的接合部附近，陶瓷基体21在具有与接合面21b的平面圆滑地连接的凹曲面部21d的同时，具有与该凹曲面部21d及轴23的凸缘部13a的外周面13b无阶梯差地直线连接的侧面部21e。
在含有轴13的中心轴线的剖面中，该凹曲面部21d具有椭圆弧形状，而且，该椭圆的长轴与陶瓷基体21的接合面21b平行，短轴与陶瓷基体21的接合面21b垂直。在具有这种椭圆弧状的截面形状这方面，图2所示的实施例与图1所示的实施例不同。
在图2所示的实施例中，凹曲面部21d通过在含有轴13的中心轴线的截面中具有椭圆弧形状，与图1所示的实施例相比较，不加大陶瓷基体的厚度(同图(b)所示的t0)，也能有效地得到与增大曲率半径同样的效果。另外，由于凹曲面部21d与侧面部21e连续的区域的曲率为特别平缓的曲率圆弧，所以，与图1所示的实施例相比，可以进一步缓和热应力。
最好是凹曲面部21d的圆弧的短轴半径A为1-10mm、长轴半径B以对短轴半径A之比B/A为1.2-10的范围。更好是短轴半径A为1-4mm、长轴半径B以对短轴半径A之比B/A为1.5-5的范围。
如果短轴半径A不满1mm，则形成凹曲面部21d的效果不足。另外，短轴半径A超过10mm时，需要加大陶瓷基体21的厚度t0，陶瓷基体11的体积增加，其强度有可能下降。另外，由于凹曲面部21d的形成通过利用研磨加工去除陶瓷基体21的中央部附近以外的部分来进行，所以短轴半径大，由此陶瓷基体21研磨加工前的初期厚度越大，加工费就越大，从而导致成本上升。因此，短轴半径最好在10mm以下。更好的范围是1-4mm。
如果长轴半径B对短轴半径A之比B/A小于1.5，则凹曲面部21d的截面形状接近于圆，对该实施例的特征效果不足。另外，如果长轴半径B对短轴半径A之比B/A超过10，则陶瓷基体21的中心部附近热容量过大，存在热均匀性恶化或升温时间长的可能。
即使在图2所示的实施例中，陶瓷基体21的中心附近的厚度(图2(b)所示的t0)希望在2-50mm的范围，5-30mm的范围更好。并且，通过凹曲面部21d的曲率半径为小于该陶瓷基体21的厚度的值，可根据该陶瓷基体21的厚度来确定最佳值。
凹曲面部21d的表面粗糙度最好是中心线平均粗糙度Ra为0.8μm以下。凹曲面部21d的表面粗糙度通过使中心线平均粗糙度Ra为0.8μm以下，可有效地抑制裂纹地发生，并进一步提高可靠性。这种中心线平均粗糙度Ra的调整，通过按以下条件进行可顺利实现，即，在制造陶瓷基体21的过程中对凹曲面部进行研磨加工时，使研磨砥石的粒度为325号以上、进给速度为0.2mm/min以下。
使凹曲面部21d从接合界面离开的侧面部21e的直线的长度与图1所示的实施例同样，最好是0.5-2.0mm的范围。要想使侧面部21e更长就需要加大陶瓷基体加工前的厚度，加工费增大。另外，如果侧面部11e太短，则接合界面与凹曲面部21d接近，不能充分得到本发明的效果。
其次，使用图3以及图4来叙述比较例的加热装置。
图3是比较例的加热装置的模式纵剖面图。该图的加热装置具备：陶瓷基体31；以及与该陶瓷基体31的加热面31a相反侧的接合面31b接合的轴23。另外，在该比较例中，在陶瓷基体31和轴23的接合部附近，在轴23的凸缘部23a上具有：外周面23b；以及与该外周面23b圆滑地连接的凹曲面部23d。这样，由于陶瓷基体31和轴23的接合界面不与凹曲面部23d的内面相接，所以能抑制从该接合界面的外周侧端部产生裂纹。然而，制作成为图3所示的形状的陶瓷基体的轴23，用已知的制造方法是困难的，认为图1或图2所示的实施例有利于实际制造。
图4是别的比较例的加热装置的模式纵剖面图。该图的加热装置具备：陶瓷基体101；埋设在该陶瓷基体101中的电阻发热体102；以及，与该陶瓷基体101的加热面101a相反侧的接合面101b接合的轴103。该陶瓷基体101的接合面101b，其中央附近的厚度较厚，在该中央部表面101c上接合了轴103。在轴103的一个端部形成凸缘部103a，该凸缘部103a具有外周面103b和端面103c。
并且，在该陶瓷基体101和轴103的接合部附近形成有凹曲面部101d，在该凹曲面部101d的面内接合了陶瓷基体101和轴103的接合界面。这一点与图1以及图2所示的实施例不同。在图4所示的比较例中，存在从接合在该凹曲面部101d的面内的接合界面的端部产生裂纹的危险。
以上使用附图对本发明的加热装置的实施例进行了说明，但本发明的加热装置中，陶瓷基体11和陶瓷基体21的构成并不限定于图示的例子。另外，作为陶瓷基体2的材料，可优选氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮化硼、莫来石、塞隆等氮化物陶瓷、氧化铝-碳化硅复合材料等，但并不限定于这些，也可以是公知的陶瓷材料。为了对使用加热装置时环境气体中所含的卤系气体等的腐蚀性气体给与较高的耐腐蚀性，氮化铝或氧化铝特别好。另外，并不限定于陶瓷基体，即使在基体上使用耐热金属(耐热不锈钢或镍铬铁耐热耐蚀合金等的Ni基合金)的加热装置中也能够应用本发明的结构。
根据尽可能地缓和热应力的观点，轴40最好是与陶瓷基体相同的材料。
本发明的加热装置，经由以下各工序而制造，即：陶瓷基体的制作工序；轴的制造工序；以及陶瓷基体和轴的接合工序。对于这些工序，可按照常规方法进行。
本发明的加热装置中有特征的陶瓷基体的凹曲面部的形成，在制作陶瓷基体时以及/或者接合陶瓷基体和轴的工序之后，能够通过实施研磨加工来进行。在该研磨加工的精加工时，最好是按研磨砥石的粒度为325号以上、进给速度为0.2mm/min以下的条件进行。通过按该条件实施研磨加工，能够更有效地抑制裂纹的发生。
详细地说，在通常的研磨方法中，即使改变研磨砥石的粒度或进给速度，凹曲面部的表面粗糙度也限定于中心线平均粗糙度Ra为0.8μm左右，关于中心线平均粗糙度R，要成为小于0.8μm程度的值是困难的。然而，根据本发明的研究，通过使研磨砥石的粒度减小并使进给速度减小，即使凹曲面部的表面粗糙度的没有体现出变化，也判断接合强度进一步提高。认为这是由于通过使加工时的研磨砥石的粒度减小并使进给速度减小，凹曲面部的加工损伤即微裂减少。因此，在进行该研磨加工的精加工时，最好是按研磨砥石的粒度为325号以上、进给速度为0.2mm/min以下的条件进行。
下面说明实施例。
实施例1
制造了将陶瓷基体和轴的接合部附近的凹曲面部的位置以及形状进行各种变更的多个加热装置。以AIN粉末为原料、利用挤压成形—烧结分别制作了陶瓷基体以及轴之后，通过固相接合将两者接合从而制造出该加热装置。
陶瓷基体的外径设定为348mm、外周部的厚度(图2(b)的t1)设定为25mm，准备了将凹曲面部的曲率半径以及陶瓷基体的中央部的厚度(图2(b)的t0)进行了各种变更的加热装置。这些加热装置的轴为：凸缘部的外径为75mm、内径为52mm、凸缘部的厚度(外周部的轴线方向长度)为5mm。另外，在进行凹曲面部的加工时，设定砥石的番号为#200、砥石的转数为6000(rpm)、砥石的进给速度为0.2mm/min，凹曲面部的表面粗糙度Ra为0.9μm。将这些加热装置的每一个设置在NF3气体、400Torr的环境气体腔室内，并以700℃进行加热，进行24小时的连续加热后，暂时将温度降低到200℃，再将温度升高到700℃。在规定的期间进行了这种热实验之后，调查有无裂纹的发生。
将结果表示为表1。
表1
区分 凹曲面部的位置 凹曲面部的曲率半径(mm)   陶瓷基体中央部附近的厚度(mm) 经过时间
  一天后   半年后   一年后   二年后
  比较例1   轴接合部   0.1mm   25   产生裂纹
  比较例2   轴接合部   0.5mm   25.2   产生裂纹
  比较例3   轴接合部   1.0mm   25.5   产生裂纹
  比较例4   轴接合部   2.0mm   26   产生裂纹
  比较例5   轴接合部   3.0mm   27.5   没有异常   产生裂纹
  比较例6   陶瓷基体   0.5mm   26.5   没有异常   产生裂纹
  实施例1   陶瓷基体   1.0mm   27   没有异常   没有异常   没有异常   产生裂纹
  实施例2   陶瓷基体   2.0mm   28   没有异常   没有异常   没有异常   产生裂纹
  实施例3   陶瓷基体   4.0mm   30   没有异常   没有异常   没有异常   产生裂纹
  实施例4   陶瓷基体   5.0mm   31   没有异常   没有异常   产生裂纹
  实施例5   陶瓷基体   10.0mm   36   没有异常   没有异常   产生裂纹
  比较例7   陶瓷基体   12.0mm   38   产生裂纹
  实施例6   陶瓷基体   椭圆A＝0.5，B＝1.0   26.2   没有异常   没有异常   没有异常   产生裂纹
  实施例7   陶瓷基体   椭圆A＝1.0，B＝3.0   27   没有异常   没有异常   没有异常   没有异常
从表1可知，比较例1-5，接合部附近的凹曲面部由于连接并位于陶瓷基体和轴的接合界面，所以经过一天之后就发生了裂纹。另外，即使在比较例1-5中曲率半径较大的比较例5中，直到半年后也没有发现异常，通过将曲率半径加大到3mm程度，可有效地抑制裂纹。
另外，实施例1-5是根据本发明的使凹曲面部位于陶瓷基体侧、而且与该凹曲面部连接的侧面部以0.5～2mm的长度形成的例子。根据实施例1-5，在凹曲面部的曲率半径在1-10mm的范围的情况下，直到半年后也没有发现异常，显示出了优良的可靠性。其中优以凹曲面部的曲率半径为1-4mm的范围的情况下，经过一年后也没有发现异常，显示出了特别优良的可靠性。另外，在比较例6中，凹曲面部的曲率半径小至0.5mm时，本发明的效果便丧失。另外，比较例7中，由于凹曲面部大到12mm，所以中心部的热容量过大，在升温中破损。
另外，实施例6以及实施例7是根据本发明的使凹曲面部位于陶瓷基体侧、该凹曲面部具有椭圆截面形状，而且与该凹曲面部连接的侧面部以1-2mm的长度形成的例子。根据实施例6以及实施例7，在具有椭圆截面形状的场合，经过一年后也没有发现异常，显示出了特别优良的可靠性。通过将该实施例6与具有与该实施例6的短轴半径相同的曲率半径的比较例6相对比、且将该实施例7与具有与该实施例7的短轴半径相同的曲率半径的比较例7相对比可知，通过使凹曲面部为椭圆截面形状，即使陶瓷基体的中央部厚度相同也能够提高可靠性。
实施例2
调查了陶瓷基体的凹曲面部的表面粗糙度和接合强度的关系。所使用的加热装置是具有与实施例1所使用的加热装置相同的材料、规格的加热装置。
使用了凹曲面部的截面为圆弧形状、曲率半径为2mm、陶瓷基体的中央部附近的厚度为28mm、外周部附近的厚度为25mm的加热装置。
对凹曲面部的精研磨加工时研磨砥石的粒度大小、砥石的旋转速度、砥石的进给速度进行各种变更，将进行加工的结果与接合界面的强度和接合界面的表面粗糙度一起表示为表2。另外，接合界面的强度通过切取实验片、悬臂弯曲实验来求出。
表2
  砥石番号   砥石的转数(rpm)   砥石的进给速度(mm/min)  强度(Mpa)   表面粗糙度(Ra)(μm)
  #125   6000   1   130   1.4
  #125   6000   0.5   150   1.2
  #125   6000   0.2   180   1
#125 6000 0.1 200 0.9
  #200   6000   1   160   1.2
  #200   6000   0.5   0.17   1.1
  #200   6000   0.2   200   0.9
  #200   6000   0.1   210   0.8
  #325   6000   1   250   1
  #325   6000   0.5   280   0.9
  #325   6000   0.2   330   0.8
  #325   6000   0.1   350   0.8
  #400   6000   1   250   0.9
  #400   6000   0.5   260   0.8
  #400   6000   0.2   330   0.8
  #400   6000   0.1   340   0.8
根据表2可知，通过使砥石的大小(砥石番号)为325以上，进给速度为0.2mm/min以下，可显著地提高强度。
在对凹曲面部进行加工时，使砥石的番号为#325、砥石的转数为6000(rpm)、进给速度为0.2mm/min，制作与表1的实施例4相同形状的加热装置，并以与实施例1所示的相同条件进行加热腐蚀实验。结果，即使在二两后也没有产生裂纹。由此可知，通过使砥石的大小(砥石番号)为325以上，进给速度为0.2mm/min以下，可进一步提高加热装置的可靠性。

Claims (5)

1.一种加热装置，其特征在于，
具备：板状的加热基体，以及一端面接合在该加热基体的一个面上的中空棒部件，
上述加热基体在与上述中空棒部件的接合部附近具有：与该中空棒部件的外周面成同一面的侧面部，以及与该侧面部连接的凹曲面部，该加热基体和上述中棒部件的接合界面的端部位于该加热基体的侧面部和中空棒部件的外周面之间。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
上述凹曲面部的曲率半径为1-10mm。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
上述凹曲面部在含有中空棒部件的中心轴线的截面中为椭圆弧形状。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
上述凹曲面部具有0.8μm以下的中心线平均粗糙度Ra。
5.一种加热装置的制造方法，具有以下工序：将中空棒部件的一端面接合在加热基体的一个面上的工序；以及，对在该加热基体和中空棒部件的接合部附近的加热基体侧形成的凹曲面部进行研磨加工的工序，其特征在于，
上述研磨加工按以下条件进行：研磨砥石的粒度为325号以上、进给速度为0.2mm/min以下。
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