CN101040067A - 蚀刻导电层的装置以及蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
用于对透明基板(1)上具有导电性的层(2)进行化学蚀刻的装置,所述装置包括用于支撑所述基板(1)的支撑装置(4)以及用于喷射溶液的喷射装置(5),其特征在于,所述喷射装置(5)由多个喷嘴(50)构成,所述喷嘴设置在所述基板上方并且用于将至少两种溶液(7,8)喷射到所述待蚀刻层上,所述溶液或者是彼此独立地喷射,或者是在喷嘴处混合后喷射。
Description
技术领域
本发明涉及用于对沉积在玻璃基板类透明基板上的层进行蚀刻的装置,更具体的是蚀刻至少稍微导电的层以获得传导元件例如电极。本发明还涉及蚀刻这种导电层的方法。
本发明尤其适于基于掺杂金属氧化物或者基于金属的层,通过它们的固有特性及其厚度,这些层优选地是透明的。然而,本发明并不排除不透明层。
背景技术
很多基于玻璃基板的产品实际上需要传导件,尤其是具有良好的甚至非常高的分辨率的图案。例如用于平屏幕类场致发射显示器的玻璃面板的电极,用于光生伏打电池的电极,或者用于加热玻璃或天线玻璃的传导元件的阵列。
专利申请EP 1322145公开了一种化学蚀刻导电金属氧化物层的技术。掩膜沉积在待蚀刻层上,该层在没有被掩膜覆盖的区域被蚀刻,使这些区域与酸pH或在碱pH下的溶液接触并且在顶部喷射粉末锌或铝;该层然后通过用水基溶液和/或有机溶剂基溶液的清洗来洁净,并且最后将掩膜移除。
然而,当这个过程应用于需要高蚀刻分辨率的场合的时候,结果不是最佳的。发现了蚀刻的不均匀性,尤其是有过蚀刻现象发生,也就是该层甚至在掩膜下方被蚀刻,这导致电极之间的间距不是恒定的,使得基板不能用。
而且,当该层是基于掺锡氧化铟(ITO)的时候,出现了像ITO颗粒那样的蚀刻残渣,并且简单的用水的清洗不足以将它们移除。需要用特殊的清洁剂来清洗,这增加了终端产品的制造成本。
发明内容
因此,本发明的一个目的是克服这些缺陷,这是通过一种新颖的且更加有效的工艺和一种装置来实现的,该工艺用于化学蚀刻具有导电特性的层且需要至少两种蚀刻溶液,该装置容易使用以获得所讨论的应用中的预期蚀刻质量且允许工业范围生产。
在本发明中,词语“具有导电特性的层”理解为具有至多4×10-2Ω.cm电阻的层,尤其是至少从大约4×10-3到4×10-4Ω.cm。更特别的是对于厚度通常在50到1000nm的层来讲,具有至多1000Ω/carré的电阻,优选最大500Ω/carré。
这种层被蚀刻以获得多种应用的电极阵列。然而,不用说,本发明的蚀刻技术也可应用于具有很少或者根本没有传导性的层,例如非传导性的或者非掺杂金属氧化物的层,如果蚀刻它们是有利的话,尤其是用于装饰目的。
根据本发明,用于化学蚀刻在透明基板上具有导电性的层的装置包括用于支撑基板的支撑装置以及用于喷射溶液的喷射装置,并且其特征在于,所述喷射装置由多个喷嘴构成,所述喷嘴设置在所述基板上方并且用于将至少两种溶液喷射到所述待蚀刻层上,所述溶液或者是彼此独立地喷射,或者是作为混合物喷射,该混合物在喷嘴处混合或在喷射之前不超过30秒的时间内在喷嘴上游混合。
有优势地,所述喷嘴由至少一个细长轨道支撑。因此,所述喷射装置可以包括至少一个沿着所述基板的最长尺寸延伸并且长度上大致相当于这个尺寸的轨道。举个例子,它们包括沿着所述基板的最长尺寸延伸并且间隔开大致相当于所述基板的最短尺寸的距离的至少两个轨道。所述喷射装置还可以包括沿着所述基板的最短尺寸延伸并且长度上大致相当于这个尺寸的至少一个轨道。作为选择,所述喷射装置包括在所述基板的最长尺寸上延伸并且间隔开大致相当于所述基板的最短尺寸的距离的至少两个轨道,以及横向于所述两个其他轨道延伸的至少一个额外的轨道。
在另一个实施例中,所述喷嘴被分布成覆盖与所述基板面积相等的面积。
根据一个特征,所述喷嘴连续地或者交替地喷射至少一种溶液。
根据另一个特征,所述溶液可以不在一次射击中而是在输送周期中喷射到任何一个基板上。因此,所述两种溶液可以在相应于一个输送周期的时间段内喷射,该输送周期即为例如用于喷射单一溶液、所述两种溶液的任意一种或者其他溶液例如清洗溶液的两个周期之间的时间。
所述喷嘴可以以多种方式被供给。每个轨道包括用于供给单独溶液的管线,任意一个轨道的喷嘴输送同样溶液。作为一个变化,至少一个轨道具有至少两个用于分别供给两种单独溶液的管线,所述管线分别独立地或共同地输送到多个喷嘴。也可以构想,沿着所述基板的最长尺寸延伸的两个轨道被供给一种且同样的溶液,而所述横向的额外轨道被供应其他单独的溶液。
用于支撑所述基板的装置能够在固定的喷嘴下方运行,并且/或者所述喷嘴能够在处于固定位置处的或者运行的所述基板上方运行。举个例子,所述基板是固定的,而输送第一溶液的某些喷嘴是固定喷嘴,输送第二溶液的其他喷嘴是移动喷嘴。因此,有可能设计具有输送第一溶液的喷嘴的固定轨道,同时至少一个轨道在所述基板上方移动,能够实现前后移动且通过其喷嘴输送第二溶液。
根据另外的特征,所述喷嘴设置在基板上方从一到几十厘米之间的高度上。
优选地,所述装置包括在所述溶液被喷射时罩住所述喷嘴和所述基板的一个盒体。
本发明的所述装置尤其用于包括待蚀刻的锡氧化物基的基板,并且所述喷嘴同时输送盐酸溶液和锌基溶液。
所述锌基溶液是锌颗粒扩散到水中的溶液,随着其被供应到所述喷嘴中,所述溶液通过旋转机械系统连续混合。
而且,所述喷射装置设计用于输送清洗溶液,用于清洗的喷射装置是固定的或者在所述基板上方移动。
根据本发明的所述蚀刻装置因此能够蚀刻范围非常宽的层,尤其是由掺杂金属氧化物制成的层,例如掺氟氧化锡SnO2:F,掺砷氧化锡SnO2:As,或者掺锑氧化锡SnO2:Sb,或者掺杂来自元素周期表的VA列的其他掺杂金属的掺杂物。也可以蚀刻基于掺锌氧化铟ITO的层,或者可选的金属层,例如银层。这些层可以相对较厚,例如厚度范围从几nm到几百nm。因此,所述层可以具有20到1000nm厚度,尤其是至少40nm,例如200到380nm。
特别的,所述装置可以用于具有待蚀刻的锡氧化物基层的基板,并且所述喷嘴同时输送盐酸溶液和锌基溶液。
本发明的另一目的是提出对透明玻璃基板上具有导电特性的掺杂金属氧化物层进行化学蚀刻的方法,所述方法包括将掩膜沉积到所述待蚀刻层上的至少一个步骤,以及在没有被所述掩膜覆盖的区域蚀刻所述层的步骤,这个步骤在于将所述层的所述区域与酸pH或碱pH的第一溶液接触以及喷射锌或铝第二溶液,其特征在于,所述第一溶液和第二溶液同时喷射到没有被所述掩膜覆盖的区域上。
有优势地,所述两种溶液同时喷射,或者独立喷射或者作为混合物同时喷射,所述混合物在喷射时混合或者在喷射之前不超过30秒的时间内混合。这是因为,如果所述两种溶液被混合,它们必须不能在喷射之前太早混合,发明人已经证明蚀刻最佳发生在将两种溶液彼此接触的时候。
使用上面描述的本发明的装置来实现本发明的方法,可使两种单独溶液同时喷射,从而在它们被沉积到基板上时可有效地混合,以保证均匀蚀刻。
优选地,所述两种溶液以小液滴的形式被喷射。可以比作例如薄雾或者更显著的雨的液滴的精细度尤其取决于待蚀刻层的类型、厚度、所述喷嘴与所述基板分离的距离以及所述基板相对于所述喷嘴运行的速度。
根据一个特征,所述方法蚀刻基于掺杂金属氧化物的层,尤其是基于掺杂氟、砷或者锑的锡氧化物层或者基于掺锡氧化铟(ITO)的层。
所述层的特性及其厚度将被考虑,以调整腐蚀性蚀刻溶液的浓度和蚀刻时间(这通常是最多几分钟的时间)。已经证实,根据本发明的方法对于蚀刻基于SnO2特别是SnO2:F的层来讲尤其有效,相反,这些层迄今所知是非常“硬”的且具有化学抗力,因此难以蚀刻。因此这打开了对于这种层的很宽的应用领域,最显著的是用于制造电极的电子产品中,而不是通常的ITO电极,通常的ITO电极是有效的但需要退火处理以获得所需的导电水平。
根据一个特征,所述溶液的锌或铝悬浮在可选地具有至少流变调节添加剂的一种或多种有机溶剂和/或水基溶剂中。
所述酸pH溶液可以包括至少一种水基溶剂或酒精类有机溶剂,并且可以优选地是基于水/乙醇或水/异丙醇类的水-酒精混合物。这是因为已经发现给含有酸的水中添加酒精使得能够更好地控制与锌接触所产生的氢泡的尺寸,尤其是减少这些泡的尺寸以更加“轻柔地”蚀刻所述层(并且因此避免掩膜通过H2泡的机械运动而上升的危险)。作为酒精的补充或替代,这个效果也可以通过添加适当的阴离子、阳离子或非离子表面活性剂类添加剂来获得。如果所述溶液是碱pH的,其包括至少一种水基溶剂、酒精溶剂或水-酒精溶剂,一种NaOH类强碱以及可选的表面活性剂类添加剂。
当然,在蚀刻步骤以后,所述方法包括清洁处理,用以将具有所述层的基板清洁,并且将所述掩膜移除。
举个例子,所述清洁过程在于清洗所述层,通过将所述基板用基于水和/或有机溶剂的溶液来喷射或者浸没在其中来实现。
所述掩膜可以以多种方式移除。没有限制,可以首先选择化学方法,其中所述掩膜被溶解在适当溶剂中,尤其是实质的有机溶剂。这可以是甲苯、松节油、氯仿或者醋酸丁酯。
如果期望不必再加工有机废物流,也可优选其他的移除方法。移除可以通过超声处理,然而这对于适当尺寸的基板而言保留物将更多。移除也可以通过热处理,例如通过使所述基板通过热气刀-所述刀使得所述掩膜软化,变成液体,并且由气流带走。其他方法包括使所述基板通过烤炉,例如再至少250℃优选大约400℃到450℃的温度下,以将所述掩膜燃烧且毁坏。在高温下的这种处理的优点在于,这实际上可独立于蚀刻过程而与所述基板或者所述基板具有的一种或多种涂层在任何情况下必须承受的其他热处理相伴随进行。尤其是在电子件中通常使用的玻璃基板的情况下,例如在场致发射显示器的结构中使用的那些基板,其中所述玻璃面板必须承受至少一种高温处理以使其尺寸稳定。
另外的技术在于通过在适当温度下的热处理来软化所述掩膜,用以使其容易移除,并且然后通过拖拉而将所述掩膜剥离。
本发明的再一个目的是使用所述装置或者所述方法的应用,以在不同工业中制造导电电极/元件。一个工业是玻璃工业,例如用于制造抗热打光件(glazing unit)或者结合天线的打光件的导电阵列。另一个是光生伏打电池业,最后是电子工业,用于制造平屏幕类场致发射显示器的前面和后面,例如等离子显示器或者触摸屏,更通常的是能够接收、传递或发射放射线尤其是可视光的任意类型的屏幕/打光件。
附图说明
下面将借助后面附图所阐释的非限制性例子来更详细描述本发明:
图1是蚀刻前基板的截面图;
图2示出了蚀刻以后的图1的基板;以及
图3到图6分别示出了本发明装置的四个非限制性实施例。
具体实施方式
在整个详细描述的其余部分,应该承认,通过例子考虑的基板是大约2.8mm厚的浮法玻璃基板,用于形成等离子显示类场致发射显示器的前面和后面。
图1示出了玻璃透明基板1,其包括具有导电特性的一个层2以及沉积在层2上将被蚀刻的图案掩膜3,掩膜将待蚀刻的未覆盖区域20暴露。
目标是将实现所述层的高分辨率蚀刻,以在这种情况下形成平行带形式的电极21(图2),例如100cm的长度和500μm的宽度。这些带例如间隔开500μm。
对于等离子显示器的应用而言,待成形的电极可以是宽度为300μm、间隔开100μm的平行线,或者具有在像素尺度上的复杂特征的平行线,这帮助改善等离子体放电,并因此影响显示器的亮度,或者电极可以具有复杂的几何形状,例如包括蜂窝型形状的几何形状。
沉积层例如是掺杂金属氧化物,根据应用类型而具有100到1000nm之间的厚度,这个层或者直接由CVD(化学汽相沉积)技术以连续方式沉积在伏法玻璃带上,或者随后沉积在已经从其切割的玻璃基板上。
以下给出本发明的蚀刻工艺步骤。
这个过程由玻璃基板1切割和适当成形,并且由层2进行涂覆开始。
直接沉积在整个层上的是光致抗蚀剂树脂基掩膜3,其厚度尤其可以是从3到60μm变化。掩膜沉积过程是本领域技术人员熟知的-例如一个实施例是美国专利US3837944公开的。在这种情况下掩膜3具有例如由平行带形成的图案。
层2在不被掩膜覆盖的暴露区20被蚀刻,以其整体构成平行带。
因此,使用将在下面描述的装置,两种溶液以小液滴喷射的形式被喷射到基板上,以在无掩膜区域20毁坏层2。当需要两种分离的溶液来实现蚀刻的时候,例如用于蚀刻由掺氟氧化锡(SnO2:F)制成的层,本发明的装置允许这两种溶液同时喷射。
接着,基板被淋浴清洗,淋浴液由例如水和可能的酒精混合物构成,酒精例如是乙醇。在作为选择的清洗过程中,清洗液可以从基板上方喷射,例如使用与喷嘴50类似的喷嘴,喷嘴可以是固定的和/或能够在基板上方移动,例如布置在执行前后移动的移动轨道上。
最后,掩膜3被移除,例如通过将基板1浸没在氯仿浴中,或者在适当的烤炉中以450℃执行热处理30分钟,以便于获得蚀刻有形状21的层。
图3、4、5和6示意性示出了根据本发明的用于实现将蚀刻操作所需的溶液进行喷射的步骤的四个分别的实施例。这些实施例不是限制性的,也可以想到根据本发明的至少同时喷射两种溶液的装置的其他实施例。
一个或多个未蚀刻基板1设置在支撑装置4上,支撑装置能够运行并能够停止,例如传送带,以允许基板运行或者在用于同时喷射至少两种溶液的喷射装置5下方暂时定位。喷射装置5设置在保护盒6内,保护盒在其端部开口,以使得基板能从所述盒入口向前移动到其出口。
也能想到使基板保持固定,同时喷射装置在基板上方移动,或者基板像喷射装置一样以适当速度移动以实现蚀刻操作。
喷射装置5由多个喷嘴50构成,在待蚀刻平行线的例子中喷嘴在这种情况下是由一个或多个细长轨道排列且支撑的。然而,喷嘴可以以其他方式支撑,并且根据待蚀刻特征以不同方式相对于基板表面设置。
在一个优选实施例中,基板保持在喷射装置5下方的一个固定位置,喷嘴在与基板面积相等的区域上分布。
根据喷射的射流类型,例如圆锥射流或者平射流,喷嘴的出口可以具有不同的几何形状,并且根据小液滴的预期精细度而具有不同的尺寸。
有优势地,喷嘴可以旋转以在任一个或者在每个轨道上彼此区分方向,射流在这些方向上喷射到基板上。
根据喷嘴在基板上方的位置,喷嘴可以交替或连续启动。然而,全部布置中的多个喷嘴中的至少一个同时分配至少两种溶液。
一个喷嘴或者只用于一种溶液,或者能够传送两种溶液的混合,其混合发生在喷嘴处,使得两种溶液的相互作用刚好在混合物被喷射到基板上之前发生,或者在喷嘴上游,但是在混合物被传送通过之前不超过30秒的时间内发生。
本领域技术人员可改变根据待蚀刻层的类型以及层的厚度而在处理中涉及的不同的参数,也就是基板和/或喷嘴的运行速度、基板上方喷嘴的高度、喷嘴的方向、喷嘴口的尺寸和几何形状、喷射溶液的流速等等。
在图3所示的实施例中,喷射装置5包括至少两个平行的细长轨道51和52,轨道在其运行方向上沿着基板的最长尺寸延伸,并且分开一段距离,这个距离大致等于基板的宽度。
在需要两种不同溶液共同喷射的蚀刻情况下,可以为第一轨道的喷嘴供应第一溶液,而为平行轨道的喷嘴供应第二溶液。
也能够想到,通过两个进给线给每个轨道供应两种溶液,每种溶液分别到达全部轨道的喷嘴。
图4示出了另一个实施例,其包括多个细长轨道53,轨道具有喷嘴50,并且横向于基板运行方向布置,并因此在基板的最短尺寸方向上。
根据横向轨道53的间距,一个或多个轨道被启动以将溶液喷射到运行的基板的充足面积上。
为了共同喷射两种溶液,优选地是通过两个分离的进给线给每个轨道提供两种溶液,将溶液分别传送到轨道的喷嘴。
图5所示的第三实施例包括至少图3的两个纵向轨道51和52,多个额外的横向轨道53添加到这两个纵向轨道上。
为了共同喷射两种溶液,第一溶液7例如通过纵向轨道51和52的喷嘴喷射,而第二溶液8通过横向轨道53的喷嘴喷射。也可以构想在任一个轨道上的多个喷嘴上分开供应两种溶液(未示出)。
SnO2:F层例如是需要两种单独待喷射溶液的层,一种是酸溶液,另一种是锌溶液。图5所示的实施例优选地可以使两种溶液分别提供到各自的纵向轨道和横向轨道内。
盐酸(Hcl)溶液8由水和Hcl构成,优选地具有1到2摩尔/公升的Hcl体积浓度,例如用于蚀刻200nm厚度。
锌溶液7由分布在水中的锌粉末(具有3到40μm尺寸之间的颗粒)形成。这个混合物可以由适当的旋转机械系统9连续搅拌,以传送到轨道以进给喷嘴。
作为一个变化,锌混合物包含有机的或无机的添加剂,例如像铁粉末或粉末硅那样的金属添加剂,其允许粉末保持分散。因此能够提供给喷嘴以均质的混合物。
也有可能构想一种实施例,其中某些喷嘴是固定的,而其他喷嘴能够在基板上方移动,在喷射时刻基板优选地停止在一个固定的位置(图6)。传输例如第一溶液的固定喷嘴可以例如被沿着基板最短尺寸延伸的至少一个轨道53支撑。传输第二溶液的移动喷嘴可以例如被也沿着基板最短尺寸延伸的一个轨道54支撑,并且该轨道54能够通过适当的引导装置在基板上方前后移动,其高度大致在固定喷嘴高度下方。
Claims (30)
1.一种用于对透明基板(1)上具有导电特性的层(2)进行化学蚀刻的装置,所述装置包括用于支撑所述基板(1)的支撑装置(4)以及用于喷射溶液的喷射装置(5),其特征在于,所述喷射装置(5)由多个喷嘴(50)构成,所述喷嘴设置在所述基板上方并且用于同时将至少两种溶液(7,8)喷射到所述待蚀刻层上,所述溶液或者是彼此独立地喷射,或者是作为混合物喷射,所述混合物在喷嘴处混合或在喷射之前不超过30秒的时间内在喷嘴上游混合。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述喷嘴(50)由至少一个细长轨道(51,52,53)支撑。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述喷射装置(5)包括沿着所述基板的最长尺寸延伸并且长度上大致相当于这个尺寸的至少一个轨道(51)。
4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述喷射装置(5)包括沿着所述基板的最长尺寸延伸并且间隔开大致相当于所述基板的最短尺寸的距离的至少两个轨道(51,52)。
5.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述喷射装置(5)包括沿着所述基板的最短尺寸延伸并且并且长度上大致相当于这个尺寸的至少一个轨道(53)。
6.根据权利要求2到5中任一项所述的装置,其特征在于,所述喷射装置(5)包括在所述基板的最长尺寸上延伸并且间隔开大致相当于所述基板的最短尺寸的距离的至少两个轨道(51,52),以及横向于所述两个其他轨道(51,52)延伸的至少一个额外的轨道(53)。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的装置,其特征在于,所述喷嘴(50)被分布成覆盖与所述基板面积相等的面积。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的装置,其特征在于,所述喷嘴(50)连续地或者交替地喷射至少一种溶液。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的装置,其特征在于,所述溶液在输送周期中喷射到任意一个基板。
10.根据权利要求2到6中任一项所述的装置,其特征在于,每个轨道包括用于供给单独溶液的管线,任意一个轨道的喷嘴(50)输送同样溶液。
11.根据权利要求2到6中任一项所述的装置,其特征在于,至少一个轨道具有至少两个用于分别供给两种单独溶液的管线,所述管线分别独立地或共同地输送到多个喷嘴。
12.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,沿着所述基板的最长尺寸延伸的所述两个轨道(51,52)提供有一种且同样的溶液,而所述横向的额外轨道(53)供应有其他单独的溶液。
13.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,用于支撑所述基板的所述装置(4)能够在固定的喷嘴(50)下方运行,并且/或者所述喷嘴(50)能够在处于固定位置的或者运行的所述基板上方运行。
14.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述基板是固定的,而输送第一溶液的某些喷嘴是固定喷嘴,输送第二溶液的其他喷嘴是移动喷嘴。
15.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述喷嘴(50)设置在所述基板上方从一到几十厘米之间的高度上。
16.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置包括在所述溶液被喷射时罩住所述喷嘴和所述基板的一个盒体(6)。
17.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,其用于包括待蚀刻的锡氧化物基层的基板,并且所述喷嘴(50)同时输送盐酸溶液和锌基溶液。
18.根据权利要求17所述的装置,其特征在于,所述锌基溶液是锌颗粒扩散到水中的溶液,随着其被供应到所述喷嘴(50)中,所述溶液通过一旋转机械系统(9)连续混合。
19.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述喷射装置(5)被设计成用于输送清洗溶液,用于清洗的喷射装置是固定的或者在所述基板上方移动。
20.一种在透明玻璃基板(1)上化学蚀刻具有导电特性的掺杂金属氧化物层(2)的方法,所述方法包括将一掩膜(3)沉积到所述待蚀刻层上的至少一个步骤,以及在没有被所述掩膜覆盖的区域(2’)蚀刻所述层(2)的步骤,这个步骤在于将所述层的所述区域(2’)与酸pH或碱pH的第一溶液(7)接触,以及在于喷射锌或铝的第二溶液(8)来构成,其特征在于,所述第一溶液(7)和第二溶液(8)同时喷射到没有被所述掩膜覆盖的区域(2’)上。
21.根据权利要求20所述的方法,其特征在于,所述两种溶液同时喷射,或者独立喷射或者作为混合物同时喷射,所述混合物在喷射时混合或者在喷射之前不超过30秒的时间内混合。
22.根据权利要求20或21所述的方法,其特征在于,所述两种溶液以小液滴的形式被喷射。
23.根据权利要求20到22中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法蚀刻基于掺杂金属氧化物的层,尤其是基于掺杂氟、砷或者锑的锡氧化物的层或者基于掺锡氧化铟(ITO)的层。
24.根据权利要求20到23中任一项所述的方法,其特征在于,所述溶液的锌或铝悬浮在可选地具有至少流变调节添加剂的一种或多种有机和/或水基溶剂中。
25.根据权利要求20到24中任一项所述的方法,其特征在于,处于酸pH或者碱pH的所述第一溶液分别包括至少一种水基、酒精或水-酒精溶剂,Hcl类强酸或者NaOH类强碱以及可选的表面活性剂式添加剂。
26.根据权利要求20到25中任一项所述的方法,其特征在于,在蚀刻步骤以后,所述方法包括清洁处理,用以将具有所述层(2)的基板(1)清洁,并且将所述掩膜(3)移除。
27.根据权利要求20到26中任一项所述的方法,其特征在于,所述清洁阶段在于清洗所述层(2),通过将所述基板(1)用基于水和/或有机溶剂的溶液来喷射或者浸没在其中来实现。
28.根据权利要求26或27所述的方法,其特征在于,所述掩膜(3)通过溶解在适当的溶剂尤其是实质的有机溶剂中,或者通过超声处理,或者通过将所述掩膜软化然后通过拖拉而使其剥离,或者通过热处理而被移除。
29.根据权利要求1到19中任一项所述装置的用途,用于在玻璃工业中制造导电电极/元件,尤其用于加热玻璃和天线玻璃,用于电子工业中,尤其用于平屏幕类场致发射显示器,例如等离子显示器或者触摸屏,以及用于光生伏打电池工业。
30.根据权利要求20到29中任一项所述方法的用途,用于在玻璃工业中制造导电电极/元件,尤其用于加热玻璃和天线玻璃,用于电子工业中,尤其用于平屏幕类场致发射显示器,例如等离子显示器或者触摸屏,以及用于光生伏打电池工业。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103314432A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-09-18 | 国立大学法人山梨大学 | 太阳能电池用薄膜形成装置及薄膜形成方法 |
CN103484860A (zh) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 欣兴电子股份有限公司 | 湿式蚀刻设备及其供应装置 |
CN103849923A (zh) * | 2014-03-07 | 2014-06-11 | 王夔 | 一种铝合金型材表面图案处理方法 |
CN104152961A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 欣兴电子股份有限公司 | 电镀蚀刻系统及电镀蚀刻方法 |
CN105283927A (zh) * | 2013-02-20 | 2016-01-27 | 国立大学法人东京工业大学 | 导电性纳米线网络及使用该网络的导电性基板和透明电极及其制备方法 |
WO2017097206A1 (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 金英花 | 一种涌动式电极制作系统 |
CN109466092A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-03-15 | 北京大象和他的朋友们科技有限公司 | 一种避孕套润滑剂快速渗透的装置及方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7694416B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-04-13 | Nitto Denko Corporation | Producing method of wired circuit board |
CA2760840C (en) | 2009-08-24 | 2014-12-02 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Pretreated densified biomass products and methods of making and using same |
WO2011075416A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | First Solar, Inc. | Film removal |
DE102010013909A1 (de) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Lp Vermarktungs Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zum Besprühen einer Oberfläche eines Substrates |
CA2870758C (en) | 2012-04-27 | 2018-01-16 | The Michigan Biotechnology Institute D/B/A Mbi | Methods of hydrolyzing pretreated densified biomass particulates and systems related thereto |
US10518295B2 (en) * | 2012-05-31 | 2019-12-31 | Technical Devices Company | Method for containing a fluid volume in an inline conveyorized cleaner for cleaning low standoff components |
KR102048786B1 (ko) * | 2019-07-26 | 2019-11-27 | (주)세우인코퍼레이션 | 유기물 증착 효율을 높일 수 있는 엠보싱 텐션 마스크 제조방법 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2541675A1 (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zum aetzen von zinn- oder indium-dioxyd |
US20010008227A1 (en) * | 1997-08-08 | 2001-07-19 | Mitsuru Sadamoto | Dry etching method of metal oxide/photoresist film laminate |
US5976396A (en) * | 1998-02-10 | 1999-11-02 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
FR2775280B1 (fr) * | 1998-02-23 | 2000-04-14 | Saint Gobain Vitrage | Procede de gravure d'une couche conductrice |
JP2000077381A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | エッチング方法、エッチング装置、及び分析方法 |
JP2000195840A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2001024048A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Sony Corp | エッチング装置 |
JP2001053053A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP2002134471A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Sony Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
US6699356B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
JP2003158113A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびエッチング装置 |
JP3639812B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP2003234324A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびエッチング装置 |
-
2004
- 2004-10-19 FR FR0452369A patent/FR2876863B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-30 DE DE602005012851T patent/DE602005012851D1/de not_active Expired - Fee Related
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- 2005-09-30 US US11/577,357 patent/US20080000873A1/en not_active Abandoned
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103314432A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-09-18 | 国立大学法人山梨大学 | 太阳能电池用薄膜形成装置及薄膜形成方法 |
CN103484860A (zh) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 欣兴电子股份有限公司 | 湿式蚀刻设备及其供应装置 |
CN105283927A (zh) * | 2013-02-20 | 2016-01-27 | 国立大学法人东京工业大学 | 导电性纳米线网络及使用该网络的导电性基板和透明电极及其制备方法 |
US9717144B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-07-25 | Tokyo Institute Of Technology | Electroconductive nanowire network, and electroconductive substrate and transparent electrode using same, and method for manufacturing electroconductive nanowire network, electroconductive substrate, and transparent electrode |
CN104152961A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 欣兴电子股份有限公司 | 电镀蚀刻系统及电镀蚀刻方法 |
CN104152961B (zh) * | 2013-05-14 | 2016-08-31 | 欣兴电子股份有限公司 | 电镀蚀刻系统及电镀蚀刻方法 |
CN103849923A (zh) * | 2014-03-07 | 2014-06-11 | 王夔 | 一种铝合金型材表面图案处理方法 |
WO2017097206A1 (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 金英花 | 一种涌动式电极制作系统 |
CN109466092A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-03-15 | 北京大象和他的朋友们科技有限公司 | 一种避孕套润滑剂快速渗透的装置及方法 |
CN109466092B (zh) * | 2018-12-20 | 2024-06-04 | 北京大象和他的朋友们科技有限公司 | 一种避孕套润滑剂快速渗透的装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE423227T1 (de) | 2009-03-15 |
JP2008517453A (ja) | 2008-05-22 |
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US20080000873A1 (en) | 2008-01-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |