CN101038446B - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

设置一活动元件，其使基底台的顶表面在平面图中延伸超过碰撞期间保护基底台的缓冲器。该活动元件可以缩回至缩回位置，在缩回位置，活动元件不再延伸超过缓冲器。这样，可以一起移动两个基底台，并且允许可缩回元件经过该液体供给系统下面，而不用关掉液体供给系统，所述液体供给系统正常情况下向投影系统与基底之间供给液体。

Description

光刻装置和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是将所需的图案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的设备。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle)，可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个管芯(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言，单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器，在步进器中，对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上来进行的；在扫描器中，对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底。还可以通过将图案压印到基底上而把图案从构图部件转移到基底上。

已经提出，将光刻投影装置中的基底浸入具有较高折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最末元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有较短的波长，因此这能够成像较小的特征部。(还认为该液体的作用可以增加该系统的有效NA以及增加聚焦深度。)也提出了其它浸液，包括带有悬浮于其中的固体颗粒(例如石英)的水。

但是，将基底或基底和基底台浸在液体浴槽中(例如参见US4509852，在此将其整个内容引入作为参考)意味着，扫描曝光期间，有较大量的液体必须被加速。这就需要附加的或更有力的马达，液体中的湍流会导致不期望的和不可预知的效应。

所提出的一种解决方案是，液体供给系统只在基底的局部区域上提供液体，并使用液体限制系统将液体限制在投影系统的该最末元件与基底之间(该基底通常具有比投影系统的最末元件更大的表面面积)。所提出这样布置的一种方式公开在WO99/49504中，在此将该文献整体引入作为参考。如图2和3所示，通过至少一个入口IN将液体供给到基底上，优选沿基底相对于该最末元件的移动方向进行供给，在液体已经流过该投影系统下面之后，通过至少一个出口OUT将该液体排出。也就是说，当基底在该元件的下方沿-X方向被扫描时，在该元件的+X侧供给液体，并在-X侧吸走液体。图2示意性显示了该配置，其中，液体经由入口IN供给，并在该元件的另一侧由连接至低压源的出口OUT吸取。在图2的图示中，是沿基底相对于最末元件的移动方向来供给液体，不过不一定必须这样。位于该最末元件周围的各种定向和数量的入口和出口都是可以的，在图3中示出了一个例子，其中，在该最末元件周围以规则的图案在每一侧上都设置了四组入口和出口。

所提出的另一种解决方案是，为液体供给系统提供密封元件，该密封元件沿着投影系统的最末元件与基底台之间的空间的至少一部分边界延伸。在图4中示出了这种解决方案。该密封元件相对于投影系统在XY平面中基本不动，不过在Z方向上(在光轴方向上)可以存在一些相对移动。在该密封元件与基底表面之间形成一种密封。优选地，该密封是无接触式密封，例如气体密封。这样一种带有气体密封的系统公开在图5和EP-A-1420298中，该文献在此整体引入作为参考。

在EP-A-1420300中(该文献在此整体引入作为参考)公开了双平台浸液式光刻装置的构想。这种装置具有用于支撑基底的两个平台。用第一位置处的平台在没有浸液的的情况下进行水准测量(levelingmeasurement)，用第二位置处的平台在存在浸液的情况下进行曝光。或者，该装置仅具有一个平台。

在设置有两个基底台或平台并且每个基底台或平台均携带一个基底的装置中，可能难以用投影系统下方的一个基底台交换该投影系统下方的另一个基底台。这是因为，如果在交换这些台之前移除来自该液体供给系统的液体，则在投影系统的最末元件上可能出现干斑(drying stain)。所提出的一种解决方案是提供一种基底模型(dummysubstrate)，其在交换基底台期间可位于该投影系统下面。这样，液体供给系统在交换期间继续供给，不会形成干斑。但是，该基底模型的定位和安装是耗费时间的工序，从而导致产量降低。而且还存在污染的危险。

发明内容

所希望的是提供一种装置，其中，多个基底台可以在浸液装置的投影系统下方交换位置，不需要排走该液体供给系统的液体。

依照本发明的一个实施例，提供了一种光刻装置，包括：用于支撑基底的基底台，其中，所述基底台包括活动伸出部，在使用位置，所述活动伸出部暴露出顶表面，该顶表面基本上与基底台和基底的顶表面处于同一平面内，该活动伸出部在平面图中(in plan)呈现为该基底台的外边缘，在使用时，该活动伸出部可相对于基底台移动至不形成该基底台外边缘的位置。

依照本发明的一个实施例，提供了一种光刻装置，包括：包括屏障元件的液体限制系统，所述屏障元件至少部分地限定了一空间的侧壁，以便将液体限制在该空间内，该空间的底表面由基底台和/或支撑在基底台上的基底和/或支撑在基底台上的另一物体的顶表面限定；第一基底台和第二基底台，其中，所述基底台中的至少一个包括活动桥，在基底台和/或支撑在基底台上的基底和/或支撑在基底台上的另一物体的该顶表面所在的平面中，所述活动桥构造成可形成该空间的该底表面的至少一部分；并且，第一基底台和第二基底台可相互定位成使得所述活动桥基本上在基底台之间延伸并可以限定该底表面的至少一部分。

依照本发明的一个实施例，提供了一种光刻装置，其包括：第一台和第二台，每个台均定位在投影系统下面；液体供给系统，用于向投影系统与其中一个台和/或所述其中一个台上的物体之间提供液体，其中，第一台和第二台中的至少一个台具有可缩回桥，在使用位置，所述可缩回桥的顶表面基本上与第一台和第二台的顶表面处于同一平面内，并且所述可缩回桥在平面图中至少伸出至该台的任何其它部分那么远，使得第一台和第二台可以在表面足够靠近的情况下在投影系统下面一起移动，以便基本上防止来自液体供给系统的液体在这些台之间泄漏。

依照本发明的另一个实施例，提供了一种光刻装置，其包括：用于支撑基底的基底台；保护系统，所述保护系统在基底台周围限定了一保护区，至少一个其它物体不能进入该保护区内；其中，所述基底台包括活动伸出部，所述活动伸出部在使用位置暴露出顶表面，该顶表面基本上与基底台和基底的顶表面处于同一平面内，并且所述活动伸出部在平面图中呈现为伸出到所述保护区之外的外边缘，在使用时，该活动伸出部可相对于基底台移动至不从保护区伸出的位置。

依照本发明的另一个实施例，提供了一种器件制造方法，其包括：向一空间提供液体，图案化束经过所述空间，第一基底台和/或由第一基底台支撑的物体形成该空间的边界的一部分；将该液体密封在该空间中，该密封件作用在该基底和/或该物体与另一物体之间；提供第二基底台，第一基底台和第二基底台中的至少一个具有部署在使用位置中的活动桥部分，并且移动第一基底台和/或第二基底台，使得该桥部分在这些基底台之间延伸；在该空间下面一起移动第一基底台和第二基底台，使得首先由该桥部分形成该空间的边界的一部分，然后由第二基底台和/或由第二基底台支撑的物体形成该边界的一部分；以及，将该图案化辐射束穿过该液体而投影到由第二基底台支撑的基底上。

在一个实施例中，提供了一种光刻装置，其包括：用于调节辐射束的辐射系统；用于支撑构图部件的构图部件支撑件，所述构图部件用于对该辐射束进行构图；用于支撑基底的基底台；用于将图案化辐射束投影到该基底上的投影系统；其中，该基底台包括支撑基底的支撑表面和活动边缘部分，该活动边缘部分布置在该基底台的外边缘上，并可在第一位置与第二位置之间移动，在第一位置中，该活动边缘部分的顶表面基本上与基底台的支撑表面处于同一平面内，在第二位置中，该活动边缘部分的顶表面基本上垂直于该支撑表面。

在一个实施例中，提供了一种光刻装置，其包括用于支撑基底的基底台，该基底台包括主体部分和活动边缘部分，其中，当所述边缘部分位于第一位置时，该边缘部分的顶表面基本上与主体部分的顶表面处于同一平面内，并且该边缘部分在平面图中呈现为该基底台的外边缘，其中，该活动边缘部分可相对于基底台主体部分移动至第二位置，该活动边缘部分在该第二位置处不形成该基底台的外边缘。

附图说明

现在参考所附示意图通过举例对本发明各实施例加以说明，附图中相同的参考符号表示相同的部件，其中：

图1表示依照本发明一个实施例的光刻装置；

图2和3表示用于依照本发明一个实施例的光刻投影装置中的常规液体供给系统；

图4表示用于依照本发明一个实施例的光刻投影装置中的常规液体供给系统；

图5表示依照本发明一个实施例的液体供给系统的横截面图；

图6表示依照本发明一个实施例的两个基底台的横截面图；

图7a表示图6基底台的平面图；

图7b表示依照本发明一个实施例的两个基底台的平面图，其带有不同于图7a的保护系统；

图8示出了依照本发明一个实施例的两个基底台的横截面图；

图9表示图8基底台的平面图；

图10表示依照本发明一个实施例的一个基底台的横截面图；和

图11表示可用于任何实施例的基底台结构的横截面图。

具体实施方式

图1示意性地示出了依照本发明一个实施例的光刻装置。该装置包括：照明系统(照明器)IL，其构造成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA并与第一定位器PM连接，所述第一定位器PM构造成依照某些参数精确定位该构图部件；基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与第二定位器PW连接，所述第二定位器PW构造成依照某些参数精确定位该基底；和投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其构造成将由构图部件MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。该装置还包括参照框架RF。

该照明系统可以包括各种类型的光学部件来引导、成形或者控制辐射，这些光学部件诸如是：折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合。

该支撑结构支撑该构图部件，即承载该构图部件的重量。该支撑结构保持该构图部件，其对该构图部件的保持方式取决于该构图部件的方位、光刻装置的设计以及其它条件，例如该构图部件是否保持在真空环境中。该支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持该构图部件。该支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述支撑结构可根据需要而是固定的或者是活动的。该支撑结构可以确保构图部件例如相对于该投影系统位于所需位置。在这里，术语“中间掩模”或者“掩模”的任何使用均可认为与更上位的术语“构图部件”同义。

这里所使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够向辐射束的截面中赋以图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给该辐射束的图案可以并不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般而言，赋予给该辐射束的图案对应于在靶部中形成的器件(如集成电路)内的特定功能层。

该构图部件可以是透射型的或者反射型的。构图部件的例子包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其类型诸如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰减相移型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小型反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向对入射辐射束进行反射。这些倾斜的反射镜可以在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋以图案。

这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，以适合于所用的曝光辐射，或者适合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在这里，术语“投影透镜”的任何使用均可被认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所指出的，该装置为透射型(例如采用透射掩模)。做为选择，该装置也可以为反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

该光刻装置可以具有两个(双平台)或者更多个基底台(和/或两个或更多个掩模台)。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加的台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。

参照图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是分立的机构，例如当该辐射源是准分子激光器时。在这样的情况下，不把辐射源看成是构成了该光刻装置的一部分，辐射束借助于束输送系统BD从辐射源SO传输到照明器IL，所述束输送系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，该辐射源可以是该光刻装置的组成部分，例如当该辐射源是汞灯时。该辐射源SO和照明器IL(如果需要可以连同该束输送系统BD一起)可以被称作辐射系统。

照明器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节装置AD。一般而言，至少可以调节照明器光瞳平面内强度分布的外径向范围和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，照明器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。该照明器可以用于调节辐射束，从而使该辐射束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。

该辐射束B入射到保持在该支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上，并由构图部件进行构图。穿过构图部件MA后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统将该辐射束聚焦在基底W的靶部C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)，可以精确地移动该基底台WT，从而例如将不同的靶部C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库中机械取出构图部件MA后或在扫描期间，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)来相对于辐射束B的路径精确定位该构图部件MA。一般而言，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)，可以实现该支撑结构MT的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第一定位器PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第二定位器PM的一部分。在步进器的情况下(这与使用扫描装置的情况相反)，掩模台MT可以只与短行程致动器连接或者可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2来将该掩模MA与基底W对准。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部之间的空间中(这些空间被称为划片线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在有多于一个的管芯设在掩模MA上的情况下，可以将该掩模对准标记设在这些管芯之间。

可以按照下列模式中的至少一种使用所示的装置：

1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT保持基本不动，而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动该基底台WT，以便可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。

2.在扫描模式中，掩模台MT和基底台WT被同步扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上(即单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。

3.在另一模式中，掩模台MT保持基本不动，并且保持一可编程构图部件，而基底台WT被移动或扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上。在这种模式中，一般采用脉冲辐射源，并且，在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间，根据需要更新该可编程构图部件。这种工作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列类型。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者也可以采用完全不同的使用模式。

本发明尤其适用于如图2-5示出的局部区域型液体供给系统。也可以适用于其它的液体供给系统。但是，只向基底台和/或基底和/或由基底台支撑的其它物体的顶表面的局部区域提供液体的那些类型最适合于本发明。在某一时刻用液体覆盖该基底的整个顶表面的类型也有关。

浸液光刻法所具有的特有困难是交换投影系统PS下方的基底。进行交换的一种方法是：移除来自液体供给系统的液体；然后，在重新激活该液体供给系统之前，在投影系统PS下面重新放置一新基底(和基底台或者是使用之前基底台的新基底)。但是，在移除来自液体供给系统的所有液体期间，在投影系统的最末元件上会出现干斑。

为了解决该问题，已提出在基底交换期间在投影系统PS下面放置基底模型，以便该液体供给系统可以在基底交换期间继续充满液体。在这种方法中，基底模型可以由基底台支撑，在已经对该基底台的基底进行成像之后，移动该基底台，使得该基底模型位于投影系统PS下面，然后，该基底模型以某种方式附着于该投影系统PS。然后可以挪开该基底台，装载的新基底或带有新基底的另一基底台可以移动至投影系统PS下面的位置。然后，该基底模型下降至该基底台上，接着移动该基底台，使得该基底位于投影系统PS下面。这样，在基底交换期间不需要排空该液体供给系统。但是，该系统需要一定的时间才能完成基底交换。

本发明的一个优选实施例使用了这样的系统，其中，基底交换是通过将第二基底台紧挨着当前被使用的基底台设置并且确保两个基底台的顶表面基本上在同一平面内而实现的。这样，该液体供给系统可以有效地将液体保持在所需空间内，而不会有泄漏。如果这两个基底台的两个顶表面足够靠近，就可以在投影系统PS下面一起移动这些基底台，而不会有液体通过任何可能存在于基底台的两个顶表面之间的间隙而从该空间泄漏出来。可以在基底台之间设置一抽空系统或排放装置，这样，可以收集在基底台的顶表面之间的间隙当中所泄漏的所有水。这样，因为这种基底交换方法比上述其它两种方法都快，所以可以增加产量。

在光刻装置中，希望在控制系统失控或电力故障时保护系统免受任何损坏。为此，基底台WT设置有保护装置(例如缓冲器)，所述保护装置提供了环绕基底台的保护区，所述保护区的尺寸和形状布置成能够在碰撞的情况下通过不允许其它物体进入该保护区来保护该基底台(例如，通过提供一表面来实现，该表面在基底台与另一物体(例如另一基底台)碰撞期间吸收任何冲击)。一个示例是例如图6、7a、8-10所示的缓冲器10，但是其它布置也同样适用，例如图7b所示的布置。如果该保护装置或系统是缓冲器的形式(例如该保护区是一种将其它物体排除在外的区域)，则该保护区可以被认为是基底台的覆盖区域。

本发明的一个实施例涉及一种基底台，该基底台由缓冲器保护，该基底台具有一顶表面，所述顶表面可以延伸超过该缓冲器，这样，通过在投影系统下面同时移动这两个基底台从而进行基底在投影系统PS下方的交换，而不需要关掉液体供给系统，也不需要使用基底模型。所有这些都可以实现，同时仍然可以保持完全起作用的缓冲器的安全性能。

本发明的一个实施例显示在图6中。图6示出了第一基底台WT1和第二基底台WT2的横截面。在投影系统PS下面用一个基底台WT2交换另一基底台WT1之前，已经将基底台WT1、WT2放在一起。这样，已经完成对由第一基底台WT1所支撑的基底的成像，然后希望将由第二基底台WT2支撑的新基底移动到该投影系统下面。对于该第二基底台WT2来说，首先是使其与第一基底台WT1并靠放置。这可以涉及移动第一基底台和第二基底台两者，或者只移动其中一个基底台。各基底台由缓冲器10保护，该缓冲器10在平面图中是环绕着该基底台，该缓冲器10的尺寸和形状设计成可确保是由缓冲器10来接收基底台与其它任何物体的任何碰撞的首要冲击。

在本发明的一个实施例中设置有元件20，其在平面图中延伸超过缓冲器10和基底台的任何其它部分，并延展了基底台WT1、WT2的顶表面，使得各基底台的顶表面可以足够靠近到一起，这样，当基底台WT1、WT2同时在投影系统PS下面一起移动时，在没有关掉液体供给系统的情况下，在基底台WT1、WT2的顶表面之间且位于元件20之间的间隙25当中基本上不会泄漏任何液体。

该局部区域型液体供给系统一般依赖于基底台和/或基底和/或由基底台支撑的其它物体的顶表面，以提供液体供给至的空间的边界。例如，在图5的液体供给系统中，在基底(和基底台或其它物体)和屏障元件12之间设置一密封件16。因而，在屏障元件12表面与基底W顶表面之间限定了空间11，液体容纳在该空间11内。因而，在本发明的实施例中，在投影系统PS下面用一个基底台WT1交换另一基底台WT2期间，该空间11的至少一部分边界由该元件20的顶表面提供。如果这两个元件20之间的间隙25足够小，并且基底台WT1、WT2移动得足够快，在两个元件20之间的间隙25当中基本上不会泄漏任何液体。为了使这两个元件20之间的该间隙足够小，元件20在如下所述的使用位置上在平面图中延伸超过该缓冲器10，这样，在平面图中，如图7a所示，这些元件20形成各自基底台WT的整个外轮廓的外边缘。

为了保持基底台WT1、WT2碰撞期间的安全性，该元件20设计成活动的，使得元件20在导致对基底台WT形成冲击(或可能冲击)的碰撞情形下主动地或被动地移开，以便该缓冲器可以实现其吸收冲击能量的作用。该元件20可以以任何方式活动，给出了三个例子，但是本发明不局限于这些例子。

现在将更加详细地描述图6实施例的元件20。这些特征同样地适用于其它实施例。该元件20可以看作是伸出部或桥元件或边缘部。在图6的实施例中，这些元件20沿着基底台WT1主体部分的顶表面纵向边缘铰接30。在图6中，基底台WT1的主体部分适于支撑基底。在使用位置或第一位置，该元件20伸出，使得该元件20的顶表面基本上与基底台WT1和/或由该基底台支撑的基底W的顶表面处于同一平面内。在该位置，该元件伸出到该基底台的其余部分之外，以限定基底台WT1在平面图中的外轮廓的边缘。

在图6中用虚线示出的缩回位置中，该元件20不形成该基底台WT1在平面图中的轮廓的外边缘。在该位置，因为基底台WT1可以由缓冲器10保护，其中，该缓冲器10在平面图中形成该基底台WT1的外边缘，所以对基底台WT1与另一物体碰撞来说是安全的。

可设置一致动器(例如主动型致动器)来在该使用位置与该缩回位置之间移动该元件20，不过不一定必须这样。如果设置了致动器，还可以设置一传感系统，其利用一检测器来检测另一个物体的接近以及发生碰撞的可能性。如果该传感系统计算出有可能发生碰撞，可以使该元件20移动至该缩回位置(或维持在该缩回位置)。在使用期间，该元件20通常保持在该使用位置，不过不一定必须这样。该致动器可以偏向成这样，即，当有电力故障时，该元件20自动移动至该缩回位置。或者作为选择，也可以使用这样的配置，其中，该元件20在有电力供给至基底台WT1期间被保持在使用位置，但是中断该电力供给时，它返回至缩回位置。例如，这可以布置成使用电磁线圈。在这个实施例中，还可以设置传感器来在检测到可能的碰撞情形时切断向该电磁线圈提供的电力。该控制器的检测器可以采取任何形式，例如，该检测器可以是超声检测器、光学检测器，或者甚至可以耦合至该基底台WT1的位置检测器和/或控制器。该致动器可能是电磁致动器或弹簧致动器。

所示出的粘结件50设置在该元件20的最内边缘与基底台WT1的最外边缘之间。该粘结件的一侧有粘性，并制造得比较薄。该粘结件跨过该元件20的内边缘与基底台WT1的外边缘之间的该间隙15，从而防止在基底交换期间液体从该空间泄漏至该间隙15。该粘结件粘着成这样，即，使得该元件20可以根据需要而进行移动或从使用位置移动至缩回位置，而不会受到该粘结件的阻碍。如果使用粘结件，在每次该元件20移动至缩回位置之后，希望重新粘着该粘结件或者提供新的粘结件。该元件20还可以具有向内延伸的伸出部(即朝着该基底台(该基底台中心)延伸)，以取代该粘结件，所述伸出部不会粘着到基底台WT1的顶表面上，但是，其可以实现桥接该基底台WT1顶表面的外边缘与该元件20顶表面的内边缘之间的间隙15的类似功能。

所示出的该元件20沿基底台一侧的整个长度延伸。不过并不一定必须这样，该元件20可以仅仅沿着该基底台的一部分延伸，例如，在平面图中，该元件20可以仅仅与该空间11一样宽。诚然，在图6中，在基底台的相反两侧中的每一侧上都示出了一个活动元件20。不一定必须这样，各基底台可以在基底台WT1的一个或多个边缘上具有一个或多个活动元件20。诚然，一对基底台WT1、WT2可以仅仅具有设在它们之间的一个活动元件20。在这种情况下，希望活动元件20在使用位置延伸得更远，并且独自形成基底台WT1顶表面与第二基底台WT2顶表面之间的桥。

该缓冲器10描述为完全环绕该基底台WT1的物理上的伸出部。显然，该缓冲器也可以以不同的方式形成，其并不一定必须围绕该基底台连续地延伸，其可以是不连续的。但是，在这种变形中，本发明该实施例的原理仍然相同，术语“缓冲器”和该缓冲器的边缘应当解释成意味着由冲击吸收器所设置的有效保护区(即该缓冲器有效地将不附着于基底台的其它物体所排除在外的该区域的外边缘)，而不论其用于保护基底台WT1的形式是什么。

正如技术人员所领会的那样，该缓冲器10可以采取其它形式。当在本申请中描述该缓冲器10的时候，其意思应当扩展至缓冲器的其它实施例，这些其它实施例的缓冲器可以并不完全围绕该基底台连续地延伸，而是只要其形成了保护该基底台的有效区域。例如，非连续制成的缓冲器10可以包括一系列具有小间隔的细的向外伸出部，每个伸出部延伸至图7a所示的边界10的外边缘。在这样的实施例中，由细伸出部所提供的有效保护将扩展至如图7a所示的缓冲器10的外边缘。这样的实施例要被包括在本发明实施例的描述中，并且假设其还延伸至图7a所示的屏障10的周边，延伸程度对应于该保护区域的大小。

除了基底台不具有屏障10而是设置有一不同的保护系统之外，图7b与图7a相同，该不同的保护系统设置了一保护区10′，该保护区10′的覆盖区域类似于图7a所示实施例的屏障10的覆盖区域。该保护区10′布置成使得其它物体(尤其是另一基底台WT)不能进入该保护区10′。

在图7b所示的实施例中，基底台WT分别通过独立的致动器定位在xy平面内。基底台WT附着于在y方向延伸的元件70。基底台WT能够上下移动该元件70，从而在y方向上将它们自己定位。该元件70附着于至少一个x定位装置80，该x定位装置80可以在x方向上移动该元件70。两个基底台都设置有这样的定位装置70、80。

该保护系统安装于该x定位装置80，不过也可以不是这样，该保护系统可以安装至该基底台元件70和x定位装置80两者的组合。该保护系统包括一系列缓冲器或弹簧100、110。该缓冲器或弹簧定位成和/或其尺寸设计成这样，即，使得该保护系统的缓冲器或弹簧100、110在基底台进入其它基底台的保护区10′之前相互作用，或者该屏障110在基底台就要与该元件70端部处的物体发生碰撞之前与基底台本身相互作用。

除了用保护区10′替代缓冲器10之外，图6和7a中所描述的有关元件20的原理同样适用于图7b所示的实施例。下列实施例也适用于图7b的实施例，就像适用于图6和7a的实施例一样。

应当领会，本发明的实施例同样适用于仅有一个基底台设置有元件20或保护系统的情形。

该元件20相对于各自的基底台是活动的。在图6的实施例中为旋转，在图8的实施例中为平移，在图10的实施例中可以为旋转和/或平移，实际上，该元件可以从基底台上完全分离。换句话说，该元件20在图10的实施例中具有牺牲性(sacrificial)。

图8和9示出了本发明的一个实施例，除下面所述的以外，该实施例与图6的实施例相同。在图8的实施例中，该元件20是可平移的，这样，在使用位置中，它们在平面图中延伸成使得它们形成该基底台的边界的外边缘，而在完全缩回或仅部分缩回至基底台的其余部分的缩回位置，它们不形成该基底台的外边界的一部分。

对图8实施例中的活动元件的致动同样或类似于图6实施例。也可以在活动元件20与基底台WT的顶表面之间的间隙当中使用粘结件50。此外，下面描述了有关图8实施例的方法，通过该方法，可以容纳在两个基底台之间的间隙25当中所泄漏的任何液体。这些同样地适用于所有的其它实施例。

一种方法是在位于使用位置的一个或两个活动元件20的最外边缘处设置液体排出装置，例如低压源，以吸走流入间隙25的任何液体。所示出的一个备选实施例设置了排放装置60，其安装于其中一个活动元件20上，并且位于该活动元件20下方，以捕获流过活动元件20之间的间隙25的任何液体。如图所示，该排放装置60可以是J形形式，并且在两个活动元件20之间的间隙下方延伸，以捕获从该间隙滴下的所有液滴，并容纳该液体和/或将其输送走。该排放装置60中的所有液体可以通过常规装置排出，例如低压源。该排放装置60也可以安装于其它部件，而非安装于该活动元件20。例如，该排放装置60可以安装于长行程致动器或基底台的一部分上。

如图9所示，该活动元件没有沿基底台一个边缘的整个长度延伸，在两个基底台一起移动期间，这些基底台的相对位置不必保持恒定。在图8的实施例中，最好提供凹室70，以便当活动元件移动至其缩回位置时移入。这两个元件分开大约500μ到0μm或大约500到5μm。优选是大约100μm，但是这两个元件也可以相互接触。

在一个实施例中，其中一个元件20实际上可以是固定的，不过在这个实施例中，该元件20没有延伸超过缓冲器10，并且不形成该基底台在平面图中的轮廓外边缘的一部分。

除了下面所描述的之外，图10所示的实施例与图6实施例和/或图8实施例相同。在图10的实施例中，活动元件20是具有牺牲性的活动元件。在该实施例中，活动元件通过薄弱部80安装于基底台，该薄弱部80例如是薄的少量材料或不像元件20和/或基底台顶表面那样坚固的材料。做为选择，该薄弱部实际上可以是一种物理上的分离部，该活动元件通过压配合保持到该基底台WT上，其中，该活动元件或基底台的公突出部分保持在活动元件和基底台中另一个的母接收器特征部内。该压配合将两个元件保持在一起，但也可以用小的作用力来破坏。因而，在碰撞期间，虽然该牺牲性元件20伸出到了缓冲器10的有效区之外，并且可能在缓冲器10之前接受冲击，但是这不会导致大规模地损坏该基底台WT或该元件20所碰撞到的物体，这是因为该元件20在小的作用力下就会在薄弱部80处断开，或者偏转成使得大部分冲击能量仍然被缓冲器10吸收。该薄弱部80可以例如是弱耦合，例如磁性弱耦合，该磁性弱耦合或者利用永久磁体或者利用电磁体，该薄弱部80可以是弱粘着剂，或者可以是该元件20的薄厚度部分(该元件通过该薄厚度部分附着于该基底台)。因而，在冲击时，该元件20会在该薄区域处断开。

可以提供一保持器，用于在该牺牲性活动元件断开后对其进行持该，以防止其落入可能造成损坏的位置。该保持器可以构造和布置成将该断开部分引导至安全区域(例如远离该投影系统)或者保持该断开部分仍然附着于基底台。该保持器可以是例如机械保持器，例如弹簧，柔性带等等，或者可以是磁性的(如果该活动元件是磁性的)，以便在活动元件断开之后吸引该活动元件。

图11显示了可以用于上述任意实施例的不同类型的基底台WT。该基底台WT包括长行程模块150和短行程模块170。长行程模块150用于粗略定位，短行程模块170(其由长行程模块150支撑，并相对于长行程模块150移动)用于精细定位。基底保持在该短行程模块170上。在图11所示的实施例中，该活动元件20附着于长行程模块150。突起部160(该突起部160也可以是一种活动元件)设置在该长行程模块150上，以确保在基底交换期间，可以在短行程模块170与长行程模块150之间实现狭窄的间隙。也可以是其它配置，包括将该活动元件20设置在短行程模块170上。

对如上所述的可缩回元件20的使用来说，有一些替换方案。例如，可以使该缓冲器本身回缩，使得基底台的顶表面彼此移动得足够近，而不需要该可缩回元件20。作为选择，该缓冲器可以布置成在处于某些位置时可使这两个基底台移动成使得它们得顶表面足够靠近到一起。一个简单的实施例是槽-键结构，其中，一个缓冲器设置有槽，而另一个缓冲器设置有装配到该槽内的键。这允许在某一相对位置中，一个缓冲器的键可以插入另一个缓冲器的槽中，这样使得该基底台WT的顶表面彼此靠近。也可以是更精制型式的槽-键实施例，例如包括穿过迷宫式槽而行进的销，这样，为了使这两个基底台的顶表面足够靠近，必须进行多于一次的特定平移或相对移动。例如，槽可以是具有两个90°弯头的通道，这样，该通道由三部分构成，一个部分通向基底台主体，下一个部分平行于该基底台的边缘，再下一个部分又朝向基底台主体延伸。这样，利用该简单的槽-键机构，可以显著地降低偶然发生基底台的所需相对移动并从而导致碰撞的可能性。该迷宫式解决方案还可能需要使该一个或两个缓冲器10在z方向上(即，与光轴相同的方向上)移动。另一个可行的解决方案是将这些缓冲器布置成包括与基底台边缘平行的槽/键。这意味着，当基底台之间发生直接碰撞的相对移动时，这两个缓冲器将相互作用，以防止该基底台的精致部分发生碰撞。但是，也可以通过移动基底台而使基底台的两个顶表面靠近在一起，使得其中一个屏障元件的槽接纳另一个基底台的缓冲器上的键(突起部)，然后该突起部滑入该槽中，从而使这两个基底台顶表面靠在一起。该系统可以通过在该槽上提供盖而进一步改进。当两个基底台以低速彼此靠近时，该盖只能由一致动器移除。因而，该失效保护位置是该盖位于该槽上的位置，以便确保任何高能量的碰撞都发生在缓冲器之间(例如，该突起部撞击该盖)，并且该盖可以被偏置至关闭位置。在基底交换期间，可以移除该盖，使得该突起部可以插入到该槽中。最后一个可行方案是，保持该缓冲器10相对于基底台的基座固定不动(见图6)，但相对于缓冲器10和基底台的基座移动该基底台的顶部分，使得这些基底台的顶表面会合。但是，上述任何机构都有不能完全地进行失效保护的缺陷。

尽管在本申请中可以具体参考该光刻装置在IC制造中的使用，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以与更上位的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如匀胶显影机(track，通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其它基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，248，193，157或者126nm的波长)。

在本申请允许的地方，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任意一种或组合，包括折射光学部件和反射光学部件。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解，可以以不同于所描述的其它方式来实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含描述了上面所公开方法的一个或多个序列的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

本发明可以应用于任何浸液光刻装置，特别是但不局限于上面所提到的那些类型。

上面的描述是为了说明性的而非限制性的。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面罗列的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的发明进行各种修改。

Claims (38)

1.一种光刻装置，包括：

用于支撑基底的基底台，所述基底台包括主体部分和活动边缘部分，其中，当所述边缘部分位于伸出位置时，所述边缘部分的顶表面与所述主体部分的顶表面处于同一平面内，并且所述边缘部分在平面图中呈现为所述基底台的外边缘，

其中，所述活动边缘部分可相对于该基底台主体部分移动至缩回位置，所述活动边缘部分处于该缩回位置时，至少部分地围绕所述基底台的缓冲器在平面图中形成该基底台的外边缘。

2.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分可绕铰链从所述伸出位置旋转到所述缩回位置。

3.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分可滑动地安装于所述基底台，并可从所述伸出位置平移至所述缩回位置。

4.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分经由牺牲性薄弱部而附着于所述基底台，所述牺牲性薄弱部受到冲击时断开。

5.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分是被动的，并且可通过施加外部作用力而移动。

6.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述基底台还包括致动器，所述致动器用于将所述活动边缘部分从所述伸出位置移动至所述缩回位置。

7.如权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，所述致动器是电磁致动器或弹簧致动器。

8.如权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，还包括检测器，所述检测器构造成：

(a)检测所述活动边缘部分与物体即将发生的碰撞；和

(b)发送控制信号至所述致动器，以将所述边缘部分移动至所述缩回位置。

9.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，在所述活动边缘部分的所述顶表面与所述基底台的所述顶表面之间的间隙上设有防液体粘结件。

10.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，在所述基底台上设置液体去除器，以去除从所述边缘部分远离所述基底台的端部滴下的任何液体。

11.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，在所述活动边缘部分远离所述基底台的端部处设置液体去除器。

12.如权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，所述液体去除器包括位于所述活动边缘部分的顶表面的外边缘下方的排放装置。

13.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，还包括用于支撑基底的附加基底台，所述附加基底台包括主体部分和活动边缘部分，其中，当所述附加基底台的边缘部分位于伸出位置时，所述附加基底台的所述边缘部分的顶表面与所述附加基底台主体部分的顶表面处于在同一平面内，并且所述附加基底台的所述边缘部分在平面图中呈现为所述附加基底台的外边缘，所述附加基底台的活动边缘部分可相对于该附加基底台移动至缩回位置，所述活动边缘部分处于该缩回位置时，至少部分地围绕所述附加基底台的缓冲器在平面图中形成该附加基底台的外边缘。

14.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述缓冲器构造成吸收碰撞时的至少一部分冲击能量。

15.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述基底台包括短行程模块和长行程模块，并且，所述活动边缘部分安装于所述长行程模块。

16.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述边缘部分连接至所述主体部分。

17.一种光刻装置，包括：

液体限制系统，所述液体限制系统包括屏障元件，所述屏障元件至少部分地限定了一空间的侧壁，以便将液体限制在该空间内，所述空间的底表面由第一或第二基底台和/或由支撑在所述第一或第二基底台上的基底和/或支撑在所述第一或第二基底台上的另一物体的顶表面来限定，

其中，所述第一和第二基底台中的至少一个基底台包括活动桥，在第一或第二基底台和/或支撑在所述第一或第二基底台上的基底和/或支撑在所述第一或第二基底台上的另一物体的顶表面所在的平面中，所述活动桥构造成可形成所述空间的所述底表面的至少一部分；

其中，所述第一和第二基底台可相互定位成使得所述活动桥在所述第一和第二基底台之间延伸，并可以限定所述底表面的至少一部分。

18.一种光刻装置，包括：

第一和第二台，所述第一和第二台均定位在投影系统下面；

液体供给系统，用于向所述投影系统与所述第一和第二台中的一个台和/或所述第一和第二台中的所述一个台上的物体之间提供液体，

其中，所述第一和第二台中的至少一个具有可缩回桥，在使用位置，所述可缩回桥的顶表面与所述第一和第二台的顶表面处于同一平面内，并且所述可缩回桥在平面图中至少伸出至所述第一和第二台中的所述至少一个台的除可缩回桥以外的其它部分那么远，使得所述第一和第二台在表面靠近到一起的情况下在所述投影系统下面一起移动，以便防止来自所述液体供给系统的液体在所述第一和第二台之间泄漏。

19.如权利要求18所述的光刻装置，其特征在于，在缩回状态下，当所述第一和第二台中的所述一个台的所述可缩回桥仍然附着于所述第一和第二台中的所述一个台时，所述可缩回桥在平面图中不延伸至所述第一和第二台中的所述另一个台所移动至的任何区域内。

20.一种光刻装置，包括：

用于支撑基底的基底台；

包括一系列缓冲器或弹簧的保护系统，所述保护系统在所述基底台周围限定了一保护区，至少一个其它物体不能进入该保护区内；

其中，所述基底台包括主体部分和活动边缘部分，其中，当所述边缘部分位于伸出位置时，所述活动边缘部分的顶表面与所述基底台主体部分的顶表面处于同一平面内，并且所述活动边缘部分在平面图中呈现为伸出到所述保护区之外的外边缘，所述活动边缘部分可相对于该基底台主体部分移动至缩回位置，所述活动边缘部分在缩回位置处处于所述保护区内。

21.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述至少一其它物体为附加基底台。

22.如权利要求29所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分可绕铰链从所述伸出位置旋转到所述缩回位置。

23.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分可滑动地安装于所述基底台，并可从所述伸出位置平移至所述缩回位置。

24.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分经由牺牲性薄弱部而附着于所述基底台，所述牺牲性薄弱部受到冲击时断开。

25.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述活动边缘部分是被动的，并且可通过施加外部作用力而移动。

26.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述基底台还包括致动器，所述致动器用于将所述活动边缘部分从所述伸出位置移动至所述缩回位置。

27.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述致动器是电磁致动器或弹簧致动器。

28.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，还包括检测器，所述检测器构造成：

(a)检测所述活动边缘部分与物体即将发生的碰撞；和

(b)发送控制信号至所述致动器，以将所述边缘部分移动至所述缩回位置。

29.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，在所述活动边缘部分的所述顶表面与所述基底台主体部分的所述顶表面之间的间隙上设有防液体粘结件。

30.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，在所述基底台上设置液体去除器，以去除从所述边缘部分远离所述基底台的端部滴下的任何液体。

31.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，在所述活动边缘部分远离所述基底台的端部处设置液体去除器。

32.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述液体去除器包括位于所述边缘部分的顶表面的外边缘下方的排放装置。

33.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，还包括用于支撑基底的附加基底台，其中，所述附加基底台包括主体部分和活动边缘部分，其中，当所述附加基底台的活动边缘部分位于伸出位置时，所述活动边缘部分暴露出一顶表面，所述顶表面与所述附加基底台主体部分的顶表面处于同一平面内，并且所述附加基底台的所述边缘部分在平面图中呈现为所述附加基底台的外边缘，所述附加基底台的所述活动边缘部分可相对于该附加基底台移动。

34.如权利要求20所述的光刻装置，其特征在于，所述基底台由定位装置进行定位，所述保护系统至少部分地是由固定到所述定位装置的机械缓冲器构成。

35.一种使用光刻设备制造器件的方法，包括：

向一空间供给液体，图案化束穿过所述空间进行投影，第一基底台和/或由所述第一基底台支撑的物体形成所述空间的边界的一部分；

用一密封件将该液体密封在该空间中，所述密封件作用在该基底和/或所述物体与屏障元件之间。

提供第二基底台，所述第一基底台和第二基底台中的至少一个具有部署在使用位置中的活动桥部分；移动所述第一基底台和/或第二基底台，使得所述桥部分在所述第一和第二基底台之间延伸；

在所述空间下面一起移动所述第一基底台和第二基底台，使得首先由所述桥部分形成所述空间的边界的一部分，然后由所述第二基底台和/或由所述第二基底台所支撑的物体形成该边界的一部分；和

将该图案化束穿过该液体而投影到由所述第二基底台支撑的物体上。

36.如权利要求35所述的方法，其特征在于，该第一基底台和第二基底台具有活动桥部分，并且，在所述移动期间，先是所述第一基底台的桥部分且随后是所述第二基底台的桥部分形成所述空间的该边界的一部分。

37.一种光刻装置，包括：

用于调节辐射束的辐射系统；

用于支撑构图部件的构图部件支撑件，所述构图部件用于对该辐射束进行构图；

用于支撑基底的基底台；和

用于将图案化辐射束投影到该基底上的投影系统；

其中，所述基底台包括支撑所述基底的支撑表面和活动边缘部分，所述活动边缘部分布置在所述基底台的外边缘上，并可在第一位置与第二位置之间移动，在第一位置中，所述活动边缘部分的顶表面与所述基底台的支撑表面处于同一平面内，在第二位置，所述活动边缘部分的该顶表面基本上垂直于所述支撑表面。

38.如权利要求37所述的装置，其特征在于，在所述第一位置中，所述活动边缘部分的所述顶表面限定了所述支撑表面的延展部。

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