CN101019315B - 平衡型声表面波滤波器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种平衡型声表面波滤波器(1)，连接于不平衡信号端子(31上的第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部(11)，连接于第1、第2平衡信号端子(32、33)上的第2纵耦合共振子型声表面波滤波器(21)两段级联连接，在将第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部(11)的中央的第2IDT(13)的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N1，将第2纵耦合共振子型声表面波滤波器(21)的中央的第5IDT(23)的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N2时，使得N1>N2。从而使通过带域内的插入损失和VSWR特性优良，且能够在不引起大型化的情况下容易地将不平衡信号端子侧的阻抗和平衡信号端子侧的阻抗之比设为1∶2。

Description

平衡型声表面波滤波器
技术领域
本发明涉及第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部两段级联(縰続)连接的声表面波滤波器，更详细地说，涉及具有平衡一不平衡变换功能的平衡型声表面波滤波器。 
背景技术
随着便携式电话机的小型化，要求包含带域滤波器的RF段的小型化。因此，近年来，作为上述带域滤波器，能够与高频对应，而使用具有平衡—不平衡变换功能的平衡型声表面波滤波器。 
具有上述平衡—不平衡变换功能的平衡型声表面波滤波器的输出端，连接于具有平衡输入输出或差动输入输出的混频器(mixer)IC即平衡型混频器IC。在使用平衡型混频器IC的情况下，能够降低噪声的影响，并能够寻求输出的稳定化。因此，为了提高便携式电话机的特性，而广泛使用平衡型混频器IC。 
然而，用于RF段的声表面波滤波器的阻抗通常是50Ω。与此相对，迄今为止的平衡型混频器IC的输入阻抗主要是150～200Ω。因此，在具有平衡—不平衡变换功能的声表面波滤波器中平衡信号端子和不平衡信号端子的阻抗比较多为大约1∶3～1∶4的范围。 
在下述的专利文献1中记载了上述那样的具有平衡—不平衡转换功能的声表面波滤波器的一例。图15是表示专利文献1中所记载的平衡型声表面波滤波器的电极构造的示意性平面图。 
在声表面波501中，在不平衡信号端子502中连接有第1纵耦合共振子型声表面滤波器511。第1纵耦合共振子型声表面滤波器511，具有沿表面波传播方向而配置的IDT512～514。中央的IDT513，与不平衡信号端子502相连接。另外，在设置有IDT512～514的区域的表面波传输方向两 侧，配置有反射器515、516。 
另一方面，在第1纵耦合共振子型声表面波滤波器511上连接由第2纵耦合共振子型声表面波滤波器521。纵耦合共振子型声表面波滤波器521，具有配置于表面波传播方向的IDT522～524，以及反射器525、526。这里，两侧的IDT522、524，通过信号线505、506，分别与IDT512、514电连接。另外，中央的IDT523，具有在表面波传播方向上分割的第1IDT部523a以及第2IDT部523b。IDT部523a、523b，分别与第1、第2平衡信号端子503、504电连接。 
在声表面波501中，如上述那样，第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部511以及第2纵耦合型共振子型声表面波滤波器部521级联连接着，这里，记载了平衡信号端子503、504侧的阻抗是200Ω。也就是说，公开了所述阻抗比是1∶4的平衡型声表面滤波器501。 
另一方面，在下述的专利文献2中，公开了不具备平衡—不平衡变换功能的声表面波滤波器。如图16所示那样，在专利文献2所记载的声表面波滤波器601中，第1纵耦合共振子型声表面波滤波器602和第2纵耦合共振子型声表面波滤波器603级联连接。并在输入端子604上连接有第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部602，在第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部603上连接有输出端子605。 
在专利文献2中，通过使第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部602中的电极指交叉宽度与第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部603的电极指交叉宽度不同，而使输入阻抗为50Ω，输出阻抗为150Ω。也就是说，能够构成前述阻抗比是1∶3的双元件级联连接型的声表面波滤波器。 
专利文献1：特开平11-97966号公报 
专利文献2：特开平9-321574号公报 
近年来，作为连接于上述声表面波滤波器的后段的平衡型混频器IC，阻抗是100Ω的平衡型混频器IC正在增加。因此，即使在用于RF段的声表面波滤波器中需要对输出阻抗进行降低。也就是说，要求输入侧阻抗和输出侧阻抗的比为1∶2的平衡—非平衡变换功能的声表面波滤波器。 
在前述的专利文献2所记载的结构中，在没有平衡—非平衡变换功能的双元件级联连接型的声表面波滤波器601中，将第1纵耦合型共振子型声表面波滤波器部602中的电极指交叉宽度加宽，将第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部603中的电极指交叉宽度减窄，由此使输入输出比为1∶3。然而，在这种结构中，存在如下问题：即在级联连接部中产生阻抗不匹配，通过带域内的插入损失较大。 
另外，在前述的专利文献1所记载的平衡型声表面波滤波器501中，第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部521中的中央的IDT即第5IDT523被分隔为IDT部523a、523b，IDT部523a、523b串联连接。因此，平衡信号端子503、504的阻抗难免变高。因此，如上述那样，使阻抗比为1∶4。在这种结构中，可以考虑，如专利文献2中所记载的那样，通过变换电极指交叉宽度而调整阻抗比。然而，为了采用变化电极指交叉宽度的方法而使输入输出阻抗比为1∶2，而使连接于平衡信号端子503、504的IDT523中的电极指交叉宽度，比连接于不平衡信号端子502的IDT513中的电极指交叉宽度的大约两倍还要大。为此，电极构造难免变大，进而，声表面薄滤波器501整体的尺寸也难免变大。 
发明内容
本发明的目的为，针对于上述以往技术的现状，提供一种平衡型声表面波滤波器，其在不引起通过带域内的插入损失恶化的情况下，并在不引起的元件尺寸增大的情况下，使不平衡型信号端子的阻抗和平衡型信号端子的阻抗之比为大约1∶2。 
本发明的平衡型声表面波滤波器是具有不平衡信号端子和第1、第2平衡信号端子，并具有平衡-不平衡变换功能的平衡型声表面波滤波器，其特征在于，备有：压电基板；第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部，其具有在所述压电基板上沿表面波传播方向配置的第1IDT、第2IDT、第3IDT，并且第2IDT连接在所述不平衡信号端子上；第2纵耦合共振子型声表面波滤波器，其具有在所述压电基板上沿表面波传输方向而配置的第4IDT、第5IDT、第6IDT，并且级联连接在所述第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部，第5IDT连接在所述第1、第2平衡信号端子上；所述第1IDT、第2IDT、第3IDT和第4IDT、第5IDT、第6IDT，在IDT彼此相邻的部分分别具有狭窄间距电极指部N，该狭窄间距电极指部N是指电极指间距比狭窄间距电极指部N以外的电极指的电极指间距更小的电极指 部。在将所述第2IDT的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N1，将所述第5IDT的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N2时，使得N1＞N2。 
在本发明所涉及的纵耦合共振子型声声表面波滤波器的某一特定方面，将所述第2IDT的狭窄间距电极指部的电极指间距设为P1，将所述第5IDT的狭窄间距电极指部的电极指间距设为P2时，使得P1＞P2。 
在本发明所涉及的纵耦合共振子型声表面波滤波器的另一特定方面，具有：连接所述第1IDT和所述第4IDT的第1信号线；以及连接所述第3IDT和所述第6IDT的第2信号线，按照在所述第1信号线中传导的电信号的相位，与在所述第2信号线中传导的电信号的相位180°相异的方式，构成所述第1IDT、第2IDT、第3IDT、第4IDT、第5IDT、第6IDT。 
在本发明所涉及的平衡型声表面波滤波器中，在压电基板上，连接第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部和第2纵耦合型声表面波滤波器部，第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部连接于不平衡信号端子，第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部连接于第1、第2平衡信号端子。因此，构成了具有平衡-不平衡变换功能的声表面波滤波器。并且，由于在将所述第2IDT的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N1，将所述第5IDT的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N2时，使得N1＞N2，因此，如后述的实验例所明了的那样，能够在不引起插入损失和VSWR的降低的情况下，较大地变化连接于不平衡信号端子的第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部的阻抗，能够大幅度地变更作为不平衡信号端子侧的阻抗和第1、第2平衡信号端子侧的阻抗之比的阻抗比，并能够容易地提供阻抗比为1∶2的平衡型声表面波滤波器。 
因此，按照本发明，能够将输出阻抗为100Ω的平衡型混频器(mixer)IC连接于后段，具有良好的滤波特性，并能够提供具有平衡-不平衡变换功能的声表面波滤波器。因此，通过利用本发明，能够促进例如便携式电话机的RF段的小型化。 
对于将所述第2IDT的狭窄间距电极指部的电极指间距设为P1，将所述第5IDT的狭窄间距电极指部的电极指间距设为P2时，使得P1＞P2的情况，能够进一步降低通过带域内的插入损失和VSWR，并能够进一步改善滤波特性。 
对于具有：连接第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部的第1IDT和第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部的第4IDT的第1信号线，以及连接所述第3IDT和所述第6IDT的第2信号线，并按照在所述第1信号线中传导的电信号的相位，与在所述第2信号线中传导的电信号的相位180°相异的方式，构成所述第1～第6IDT的情况，能够提高相位平衡度和振幅平衡度。 
另外，所谓振幅平衡度和相位平衡度，可以将所述具有平衡—不平衡信号变换功能的声表面波滤装置考虑为3端口的装置，例如将不平衡信号端子作为端口1，将各平衡信号端子的每个作为端口2、端口3时，可以定义为： 
振幅平衡度＝|A|、A＝|20log(S21)|-|20log(S31)|……式(1) 
相位平衡度＝|A|、B＝|∠S21-∠S31| 
                                                ……式(2) 
另外，S21表示从端口1到端口2的传递系数，S31表示从端口1到端口3的传递系数。该平衡度，理想的为，声表面波装置的滤波特性中的通过带域内的振幅平衡度是0dB，相位平衡度是180度。 
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的平衡型声表面滤波器的电极构造的示意性俯视图。 
图2是表示第1实施方式的声表面波滤波器的插入损失—频率特性的图。 
图3是表示第1实施方式的声表面波滤波器的VSWR特性的图。 
图4(a)和图4(b)是表示第1实施方式的声表面波滤波器部的不平衡信号端子侧和平衡信号端子侧的各反射特性的史密斯图(スミスチャ—ト)。 
图5是表示第1的声表面波滤波器的插入损失—频率特性的图。 
图6是表示第1比较例的声表面波滤波器的VSWR特性的图。 
图7(a)和(b)是表示第1比较例的声表面波滤波器部的不平衡信号端子侧和平衡信号端子侧的各反射特性的史密斯图。 
图8是表示第2比较例的声表面波滤波器的插入损失—频率特性的 图。 
图9是表示第2比较例的声表面波滤波器的VSWR特性的图。 
图10(a)和图10(b)是表示第2比较例的声表面波滤波器部的不平横信号端子侧和平衡信号端子侧的各反射特性。 
图11(a)和图11(b)是表示第1参考例的声表面波滤波器部的不平衡信号端子侧和平衡信号端子侧的各反射特性的史密斯图。关于图11的史密斯图的标准化阻抗，均将非平衡信号端子侧和平衡信号端子设为50Ω。 
图12(a)和图12(b)是表示第1参考例的声表面波滤波器部的不平衡信号端子侧和平衡信号端子侧的各反射特性的史密斯图。 
图13(a)和图13(b)，是表示第2参考例的声表面滤波器部的不平衡信号端子侧和平衡信号端子侧的各反射特性的史密斯图。 
图14(a)和图14(b)是表示第3参考例的声表面波滤波器部的不平衡信号端侧侧和平衡信号端子侧的各反射特性的史密斯图。 
图15是表示以往的声表面波滤波器的电极构造的一例的示意性俯视图。 
图16是表示以往的声表面滤波器的电极构造的其他例子的俯视图。 
图中：1—声表面波滤波器，2—压电基板，11—第1纵耦合共振子型声表面滤波器部，12～14—第1～第3IDT，15、16—反射器，21—第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部，22～24—第4～第6IDT，25、26—反射器，31—不平衡信号端子，32、33—第1、第2平衡信号端子，34、35—第1、第2信号线，N—窄间距电极指部。 
实施方式 
以下参照附图说明本发明的具体实施方式，而使本发明明了。 
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的平衡型声表面波滤波器的电极构造的模式性俯视图。 
平衡型声表面波滤波器1具有在由40±5°Y切X传输的LiTaO3基板构成的压电基板2上形成图示的电极的构造。也就是说，在压电基板2中，构成第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部11、21。
第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部11，具有沿表面波传播方向而配置的第1～第3的IDT12～14。中央的第2IDT13的一端连接于不平衡信号端子31。另一方面，在IDT12～14的表面波传播方向两侧配置反射器15、16。 
第1～第3IDT12～14，在IDT彼此相邻的部分具有狭窄间距电极指部N。所谓狭窄间距电极指部N，是指电极指间距比狭窄间距电极指部N以外的电极指部的电极指间距更小的电极指部。例如，若以IDT12为例，则从ID12的与IDT13相邻的一侧的端部，向该IDT12的中央的一部分的电极指的间距比其余的电极指的间距更窄。该电极指间距较窄的多条电极指构成的部分是狭窄间距电极指部N。 
另外，通过设置狭窄间距电极指部N，能够缓和IDT彼此相邻的部分的不连续型。 
另外，中央的IDT13，具有设于与IDT12相邻的一侧的端部的狭窄间距电极指部，以及设于与IDT14相邻的一侧的端部的狭窄间距电极指部N。也就是说，在IDT13中，从IDT12、14侧的各端部面向着IDT13的中央侧的多条电极指的电极指间距比相对地位于IDT13的中央的电极指部的电极指间距更窄，并形成上述狭窄间距电极指部N，N。即使在IDT14中，也与IDT12同样形成狭窄间距电极指部N。 
第2纵耦合共振子型声表面部滤波器21，具有沿表面部传播方向而配置的第4～第6IDT22～24。在设有IDT22～24的区域的表面波传播方向两侧设有反射器25、26。 
中央的第5IDT23的一端与第1平衡信号端子32电连接，另一端与第2平衡信号端子33电连接。 
IDT22～24，与IDT12～14同样，具有狭窄间距电极指部。也就是说，在IDT22的IDT23侧的端部、IDT23的IDT22侧的端部和IDT24侧的端部、以及IDT24的IDT23侧的端部，分别设有狭窄间距电极指部N。 
第1IDT12的一端，通过第1信号线34而与第4IDT22电连接，第3IDT14的一端，通过第2信号线35而连接在第6IDT24。 
在本实施方式中，第2IDT13的电极指的根数是偶数根。另外，第1IDT12和第3IDT14，相对于通过IDT13的中心且与表面波传播方向垂直的假想线，而线对称地配置。因此，流过第1信号线34的电信号相位和流过第2信号线35的电线的相位反转180°。 
另外，包含第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部11、21的电极构造，由Al、Al合金等适当的金属所构成。 
本实施方式的声表面波滤波器1的特征为，第2IDT13的一个狭窄间距电极指部N的电极指根数N1，比第5IDT23的一个的狭窄间距电极指部N的电极根数N2大。由此，能够容易地调整作为不平衡信号端子31侧的阻抗与平衡信号端子32、33侧的阻抗之比的阻抗比，例如能够设定为1∶2。基于具体的试验对此进行说明。 
在以下的试验中，作为压电基板2，使用40±5°Y切X传播的LiTaO3基板，并制作GSM850接收用声表面波滤波器。该声表面波滤波器的通过带域是869～894MHz。于是，如以下那样形成各电极，并使不平衡信号端子31侧的阻抗为50Ω，使平衡信号端子32、33侧的阻抗为100Ω。 
并将由IDT12～14、IDT22～24中的狭窄间距电极指部以外的电极指部的电极指间距所确定的波长，设为λI。 
电极指交叉宽度：24.2λI。 
声表面波滤波器波11中的IDT电极指的根数：IDT12/IDT13/IDT14＝28(4)/(8)38(8)/(4)28。 
这里，28(4)表示，第1IDT12的狭窄间距电极指部以外的电极指的根数为28，狭窄间距电极指部N的电极指根数是4。因此，(8)38(8)表示，在第2IDT13中，一方的狭窄间距电极指部N的电极指的根数N1是8根，中央的狭窄间距电极指部以外的电极指的根数是38，另一侧的狭窄间距电极指部N的根数N1是8根。 
声表面波滤波器部21的IDT的电极指的根数：IDT22/IDT33/IDT24＝28(4)/(4)38(4)/(4)28。因此，N2＝4。 
反射器15、16、25、26的电极指的根数＝30根。 
IDT和反射器中的金属化率＝0.70。 
电极膜厚＝0.079λI。 
第2IDT13中的狭窄间距电极指部的电极指间距P1＝0.946λI，第5IDT13中的狭窄间距电极指部的电极指间距P2＝0.914λI
图2示出了以上述那样而制作的本实施方式的声表面波滤波器1的插入损失—频率特性。另外，在图3中示出了上述声表面波滤波器的VSWR特性。另外，图3中的S11，表示将不平衡信号端子31的VSWR特性，S22表示平衡信号端子侧32、33侧的VSWR特性。以下，在本说明书中，S11表示不平衡信号端子侧的特性，S22表示平衡信号端子侧的特性。 
图4(a)和(b)，是本实施方式的声表面波滤波器1的不平衡信号端子侧以及平衡信号端子侧中的反射特性的史密斯图。 
在本说明书中，图示的史密斯图的标准化阻抗，使不平衡信号端子侧的标准化阻抗为50Ω，使平衡信号端子侧的标准化阻抗为100Ω。 
为了比较，通过使电极指交叉宽度在第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部不同而调整阻抗比，并按照如下的要领制作第1比较例。 
第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部的电极指交叉宽度44.0λI，第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部中的电极指交叉部中的电极指交叉宽度：30.8λI。 
IDT电极指的根数：第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部的任何一个中，3个IDT电极指的根数均是28(4)/(4)38(44)/(4)28。 
反射器的电极指的根数：30根。 
金属化率＝0.70。 
但是，第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部的中央的IDT中，金属化率为0.60。 
电极膜厚＝0.079λI。 
关于其他的构成，与上述实施方式同样，得到第1比较例的声表面波滤波器。图5示出了如此而得到的第1声表面波滤波器插入损失—频率特性。图6表示VSWR特性。另外，图7(a)和(b)，分别表示第1比较例的声表面波滤波器的不平衡信号端子侧的反射特性和平衡信号端子侧的反射特性的史密斯图。 
此外，为了调整不平衡信号端子侧的阻抗和平衡信号端子侧的信号阻抗，利用以下的要领制作图15所示的声表面波滤波器501，而得到第2比较例的声表面波滤波器。 
也就是说，在图15所示的构成中，第1纵耦合共振子型声表面波滤 波器部511的IDT512～514的电极指的根数：IDT512/IDT513/IDT514＝26(5)/(3)44(3)/(5)26。 
第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部521的IDT522～524的电极指的根数＝IDT522/IDT523/IDT524＝26(5)/(7)34(7)/(5)26。 
反射器的电极指的根数：30根。 
金属化率＝0.70。其中，IDT513的金属化率是0.60。 
电极膜厚＝0.079λI。 
另外，为了调整阻抗，在第1、第2平衡信号端子503、504间插入47nH的电感。 
图8表示第2比较例的声表面波滤波器的插入损失一频率特性，图9表示VSWR特性。另外，图10(a)和(b)，分别是表示第2比较例的声表面波滤波器的不平衡信号端子侧的反射特性和平衡信号端子侧的反射特性的史密斯图。 
将图2～图4与图5～图7比较，则可以明了，在作为通过带域的869～894MHz带中，在第1比较例的声表面波滤波器中，最大插入损失为1.82dB，VSWR的最大值为1.84。与此相对，在上述实施方式的声表面波滤波器中插入损失的最大值是1.60dB，VSWR的最大值是1.53。 
因此，与第1比较例相比，按照实施方式可知，能够将通过带域内的最大插入损失减小大约0.2dB，VSWR降低约0.3。这是因为，在本实施方式中，与第1比较例不同，级联连接的IDT彼此的交叉宽度相同，因此不产生阻抗的不匹配。更具体地，IDT12的交叉宽度和IDT22的交叉宽度相等，IDT14的交叉宽度和IDT24的交叉宽度相等，因此不产生阻抗不匹配。 
另一方面，诸如将图2～4和图2～10相比较所明了的那样，在第2比较例中，通过带域内的最大插入损失是1.85dB，VSWR的最大值是1.40。因此，关于VSWR的最大值，第2比较例，比上述实施方式更优。这是由于如下缘故：即为了寻求阻抗的匹配，在第1比较例中，第1、第2平衡信号端子503、504间插入上述电感。而在没有插入该电感的情况下，第2比较例中的通过带域内的VSWR的最大值比上述实施方式更劣，约为2.00。 
另外可知，按照上述实施方式，通过带域内的最大损失比第2比较例 的声表面波滤波器改善约0.25dB。这是因为如下缘故：与第2比较例相比，在上述实施方式中，由于交叉宽度较小，因此欧姆阻抗较小。 
此外，第2比较例中的电极交叉宽度，相对于上述实施方式的声表面波滤波器1中的交叉宽度，约为2.4倍。也就是说，在第2比较例中，由于需要增大交叉宽度，因此必须增大压电基板的面积，并且声表面波滤波器元件整体的尺寸难免增大。因此，在上述实施方式中，与第2比较例相比，能够寻求元件尺寸的小型化，并且也能够较多地得到由1枚的晶片制作所得的声表面波滤波器元件的数目。因此，生产性也提高了。 
如上述那样，与第1、第2比较例的声表面波元件相比，按照本实施方式的声表面波滤波器1，能够改善通过带域内的插入损失以及VSWR。并且，如前述那样，通过使狭窄间距电极指部N1、N2为N1>N2，能够容易地使不平衡信号端子31和平衡信号端子32、33的阻抗比为1∶2。 
在如声表面波滤波器1那样的声表面波滤波器中，通常，输入阻抗设计为50Ω。因此，通过调整上述N1、N2的数值，能够在不使通过带域内的VSWR和最大插入损失恶化的情况下，容易地使平衡信号端子32、33的阻抗为100Ω。 
在本实施方式中，虽然对如下现象的缘由并不清楚：即在不损失通过带域内的特性的情况下，以主要包含平衡信号端子32、33侧的阻抗的方式容易地变化不平衡信号端子31侧的阻抗和平衡信号端子32、33侧的阻抗，但是参照图11～图14而实验地进行说明。 
首先，图11(a)和图11(b)示出了，在声表面波滤波器1中，作为不平衡信号端子31、平衡信号端子32、33的阻抗均设计为50Ω的第1参考例的反射特性。图11的史密斯图的标准化阻抗是将不平衡信号端子侧和平衡信号端子侧均设为50Ω。此时的设计参数如下。 
交叉宽度：第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部11、21中均为44.0λI。 
IDT的电极指的根数：在第1、第2的纵耦合共振子型声表面波滤波器部11、21的任何一个中，28(4)/(4)38(4)/(4)28。 
反射器的电极指的根数：30根。 
金属化率：0.70。
电极膜厚：0.079λI。 
在图12(a)和12(b)中示出了，将如上述那样而设计的第1参考例的声表面波滤波器的不平衡信号端子侧的阻抗设为50Ω，将平衡信号端子侧的阻抗设为100Ω而观察到的反射特性。当然，S22侧、即平衡信号端子侧的阻抗，从作为匹配点的100Ω有较大的偏离。 
接下来，为了将S22侧的阻抗变化为100Ω，而以将第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部11、21的交叉宽度均从44.0变换为24.2的方式，将第1参考例的声表面波滤波器进行变形，从而得到第2参考例的声表面波滤波器。图13(a)和13(b)示出了此时的反射特性。如从图13(a)和图13(b)所明了的那样，可知，S22侧的阻抗约为100Ω，而S11侧的阻抗也约为100Ω，不平衡信号端子侧的阻抗从作为匹配点的50Ω有很大的偏离。 
因此，在上述第2参考例中，为了将S11侧的阻抗设为50Ω，而将图1的纵耦合型共振子型声表面波滤波器部11的中央的第2IDT13的狭窄间距电极指部N的电极指的根数从4根变更变为8根，而得到第3参考例的声表面波滤波器。图14(a)和图14(b)示出了该第3参考例的反射特性。如从图14(a)和图14(b)所明了的那样，可知使S22侧的阻抗成为作为匹配点的100Ω，将另一侧S11侧中的阻抗接近于作为匹配点的50Ω。于是，最终能够通过调整上述狭窄间距电极指部N的电极指间距和IDT彼此相邻的部分的间隔等设计参数，而实现了前述的图4(a)和图4(b)所示的反射特性。 
如上所述，可知在第1、第2纵耦合共振子型声表面波滤波器部11、21双段级联连接的具有平衡—不平衡变换功能的平衡型声表面波滤波器1中，通过使连接在不平衡信号端子31的IDT13的狭窄间距电极指部N的电极指的根数N2，比连接在平衡信号端子32、33上的IDT23的狭窄间距电极指部N的电极指的根数N2大，则能够提供一种声表面波滤波器，其能够改善通过带域内的插入损失以及VSWR，并能够降低平衡信号端子侧的阻抗，并使不平衡信号端子和平衡信号端子32、33的阻抗比为1∶2。 
另外，在上述实施方式中，为了调整上述阻抗，而使狭窄间距电极指部的电极指的根数N1、N2以及狭窄间距电极指部的电极指间距P1、P2 不同，但是也可以使N1>N2，并不非一定需要使P1>P2。总之，通过并用P1>P2，能够如前述那样，将通过带域内的VSWR以及最大插入损失更进一步改善。 
此外，通过使每个IDT中的占空(duty)比不同，能够进一步并用使电极指交叉宽度不同的方法等其他的阻抗调整方法。 
另外，在上述的实施方式中，以使在第1信号线34中传导的电信号的相位和在第2信号线35中传导的电信号的相位180度相异的方式，构成IDT12～14、22～24，但是也可以按照在第1、第2信号线中传导的电信号的相位相等的方式，构成第1～第6IDT。可是，优选为，以在第1、第2信号线34、35中传导的电信号的相位约180°相异的方式构成第1、第2信号线，在这种情况下，能够如上述实施方式那样提高振幅平衡度和相位平衡度。 
另外，在本实施方式中，作为压电基板2使用40±5°Y切X传输的LiTaO3基板，但是作为压电基板可以使用64°～72°Y切X传输的LiNbO3基板和41°Y切X传输的LiNO3基板等各种的切角和压电单结晶的压电基板。 
另外，在图1中，以IDT12的一端和IDT22的一端连接于接地电位的方式进行了图示。该IDT12的连接于接地电位一侧的端部和IDT22的连接于接地电位的一侧的端部，也可以在压电基板中通过布线而连接。同样，也可以按照，在压电基板2上通过布线将IDT14、24的连接于接地电位的端部彼此连接的方式，而构成。 
另外，在上述实施方式中，根据需要，也可以将单端口(1port)声表面波共振子插入不平衡信号端子31和第2IDT13的一端之间。另外，也可以在第1平衡信号端子32和第5IDT23之间，在第2平衡信号端子33和第5IDT23之间，分别插入单端口声表面波共振子。 
另外，也可以在第1纵耦合声表面波滤波器部11和第2纵耦合声表面波滤波器部21之间插入两个单端口声表面波共振子。也就是说，在第1IDT12和第4IDT22之间插入第一单端口声表面波共振子，在第3IDT14和第6IDT24之间插入第二单端口声表面波共振子。 
此外，也可以在第1纵耦合声表面波滤波器部11和第2纵耦合声表 面波滤波器部21之间插入双端口声表面波共振子。也就是说，在第1IDT12和第4IDT22之间连接双端口声表面波共振子的第1端口，在第3IDT14和第6IDT24之间连接声表面共振子的第2端口。

Claims (3)

1.一种平衡型声表面波滤波器，具有不平衡信号端子和第1、第2平衡信号端子，并具有平衡-不平衡变换功能，其特征在于，
备有：
压电基板；
第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部，其具有在所述压电基板上沿表面波传播方向而配置的第1IDT、第2IDT、第3IDT，并且第2IDT连接在所述不平衡信号端子上；
第2纵耦合共振子型声表面波滤波器，其具有在所述压电基板上沿表面波传输方向而配置的第4IDT、第5IDT、第6IDT，并且级联连接在所述第1纵耦合共振子型声表面波滤波器部，第5IDT连接在所述第1、第2平衡信号端子上，
所述第1IDT、第2IDT、第3IDT和第4IDT、第5IDT、第6IDT，在IDT彼此相邻的部分分别具有狭窄间距电极指部N，该狭窄间距电极指部N是指电极指间距比狭窄间距电极指部N以外的电极指的电极指间距更小的电极指部，
在将所述第2IDT的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N1，将所述第5IDT的狭窄间距电极指部的电极指的根数设为N2时，使得N1＞N2。
2.根据权利要求1所述的平衡型声表面波滤波器，其特征在于，
将所述第2IDT的狭窄间距电极指部的电极指间距设为P1，将所述第5IDT的狭窄间距电极指部的电极指间距设为P2时，使得P1＞P2。
3.根据权利要求1或2所述的平衡型声表面波滤波器，其特征在于，
具有：
连接所述第1IDT和所述第4IDT的第1信号线；以及连接所述第3IDT和所述第6IDT的第2信号线，按照在所述第1信号线中传导的电信号的相位，与在所述第2信号线中传导的电信号的相位180°相异的方式，构成所述第1IDT、第2IDT、第3IDT、第4IDT、第5IDT、第6IDT。
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