CN101013707B - 显示器件 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种显示器件，该显示器件将在有源矩阵衬底上形成引导布线而导致的衬底上的边框部分的扩大抑制为最低限度，来实现窄边框化。在本发明之一的显示器件中，在相对配置的一对衬底中至少具有像素部分的有源矩阵衬底的端部处形成倒角部分，并且通过形成在倒角部分中的公共布线电连接有源矩阵衬底上的布线(源极线、栅极线、存储电容线、引出线等)。

Description

显示器件

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵型的显示器件，该有源矩阵型的显示器件具有在衬底上形成薄膜晶体管(以下称为TFT)而形成的有源矩阵方式的显示部分。

背景技术

现在，作为使用TFT等有源元件的有源矩阵型显示器件，以液晶显示器件和发光器件为典型的显示器件已经是众所周知的。由于这些有源矩阵型的显示器件可以提高像素密度，并且其体积小重量轻且耗电低，因而作为代替CRT显示器的平面显示器中的一种，正在对计算机监视器、电视机、以及汽车导航系统的监视器等产品进行开发。

此外，这些有源矩阵型的显示器件都包括有源矩阵衬底而构成，例如在液晶显示器件中，将除了形成有多个TFT和布线以外还形成有包括第一电极(像素电极)的像素部分等的衬底(有源矩阵衬底)与形成有第二电极(相对电极)、遮光膜(黑矩阵)、以及着色膜(滤色片)等的衬底(相对衬底)贴合在一起，将液晶材料封入在它们之间，并利用施加到像素电极和相对电极之间的电场使液晶分子取向，以控制来自光源的光量来进行显示。

注意，在有源矩阵衬底中，形成在像素部分的布线(源极线、栅极线、以及存储电容线等)与形成在像素部分周围的引导布线(也称作公共线、地线或接地线)电连接，以便确保其功能及最合适的布局。在现有技术中，上述引导布线因为可以用与形成在像素部分的构造物相同的导电材料且在相同的工艺中制造，所以具有一个优点，即可以使制造工艺简化。

然而，这些引导布线的布线长度很长，所以即使使用低电阻的金属，布线电阻也会增大，因此需要使该布线的宽度大于像素部分的布线的宽度。然而，这样存在有一个问题，即若增加布线宽度，边框(衬底上的除像素部分外的周围区域)部分的面积就扩大。

在谋求显示器件的小型化时，为了形成显示区域大的面板而谋求窄边框化是很重要的，从而正在尽各种各样的努力(例如，参见专利文献1)。

[专利文献1]日本专利申请公开2000-187237号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示器件，该显示器件将在有源矩阵衬底上形成引导布线而导致的衬底上的边框部分的扩大抑制为最低限度，来实现窄边框化。

在本发明的显示器件中，在相对配置的一对衬底之中至少具有像素部分的有源矩阵衬底的端部处形成倒角部分，通过形成在倒角部分中的公共布线电连接有源矩阵衬底上的布线(源极线、栅极线、存储电容线、引出线等)。

本发明的显示器件的具体结构至少具有：相对配置的一对衬底、一直形成到所述一对衬底的一方的相对面的端部处的布线、在形成有所述布线的衬底的端部处形成的倒角部分、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布线，其中所述布线在所述倒角部分或其附近与所述公共布线电连接。

此外，本发明的显示器件的另一结构至少具有：相对配置且具有不同面积的一对衬底、形成在所述一对衬底之中面积大的衬底的相对面的端部处且与面积小的衬底没有重叠的位置中的倒角部分、一直形成到所述倒角部分附近的布线、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布线，其中所述布线在所述倒角部分或其附近与所述公共布线电连接。

此外，本发明的显示器件的另一结构至少具有：相对配置的一对衬底、形成在所述一对衬底的一方的相对面上的多个薄膜晶体管、与所述多个薄膜晶体管中的至少一个电连接的布线、在形成有多个薄膜晶体管及所述布线的衬底的端部处形成的倒角部分、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布线，其中所述布线在所述倒角部分或其附近与所述公共布线电连接。

此外，本发明的显示器件的另一个结构至少具有：相对配置的一对衬底、形成在所述一对衬底的一方的相对面上的多个薄膜晶体管、与所述多个薄膜晶体管中的至少一个电连接的源极线、与外部电路电连接的引出线、在形成有所述多个薄膜晶体管、所述源极线、以及所述引出线的衬底的端部处形成的倒角部分、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布线，其中所述源极线及所述引出线在所述倒角部分或其附近与所述公共布线电连接。

注意，在上述各个结构中，所述公共布线包含如下材料而形成，即至少含有Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的某一种的导电材料，或者作为透明导电膜的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。

在本发明中，显示器件是指使用液晶元件或发光元件的器件，即图像显示器件。另外，显示器件也包括如下模块：将例如柔性印刷布线(FPC)、TAB(载带自动缝合)带或者TCP(带载封装)的连接器安装到显示面板(液晶显示面板、发光面板)上的模块；在TAB带或TCP的端部配备有印刷布线板的模块；或通过COG(玻璃基芯片)方式在显示面板上直接安装了IC(集成电路)或CPU(中央运算处理装置)的模块。

通过实施本发明，将代替有源矩阵衬底上的引导布线的公共布线形成在衬底端部，而可以将衬底上的边框部分的扩大抑制为最低限度，从而可以实现显示面板的窄边框化。此外，由于在制造上可以以较厚的膜厚来形成本发明的公共布线，所以可以降低布线电阻。

附图说明

图1说明本发明的结构；

图2A至2F说明本发明的显示面板的制造方法；

图3A和3B说明本发明的显示面板的结构；

图4说明本发明的结构；

图5A至5E说明本发明的显示面板的制造方法；

图6A和6B说明本发明的显示面板的制造方法；

图7A至7E说明本发明的有源矩阵衬底的制造方法；

图8A至8D说明本发明的有源矩阵衬底的制造方法；

图9A和9B说明本发明的显示面板；

图10说明本发明的模块；

图11A至11E说明电子设备图。

具体实施方式

下面，将参照附图详细说明本发明的优选实施方式。但是，本发明可以通过多种不同的方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在本实施方式所记载的内容中。

实施方式1

在本实施方式中，作为用于显示器件的显示面板的一例，将说明用于液晶显示器件的液晶面板。具体而言，将说明如下结构的情况，即，在通过液晶滴入法(ODF法：One Drop Filling)将液晶材料夹在有源矩阵衬底和相对衬底之间，并且进行贴合之后，对有源矩阵衬底的元件形成面一侧的端部进行倒角，在倒角部分等形成公共布线，通过公共布线将形成在有源矩阵衬底上的布线(源极线、栅极线、存储电容线、引出线等)彼此电连接。注意，引出线就是将源极线、栅极线、存储电容线等引出到像素部分外侧并且连接外部电路和像素部分的部分。

图1示出液晶面板的端部截面，该液晶面板在有源矩阵衬底101和相对衬底102之间夹着液晶材料103，并且将该两个衬底使用密封材料104贴合来形成。注意，这里虽然未图示，然而，在有源矩阵衬底101的配置有相对衬底102一侧的表面(相对面)上除了形成有构成像素部分的多个像素电极、多个薄膜晶体管(TFT)等的元件、以及多个布线(源极线、栅极线、存储电容线等)之外，还形成有用于与外部驱动电路等连接的布线(引出线)等，并且这些多个TFT等的元件与像素电极或布线(源极线、栅极线、存储电容线等)电连接。

由此，图1所示的布线105示出电连接到构成像素部分的TFT等的元件的布线(源极线、栅极线、存储电容线等)或用于与外部驱动电路等进行连接的布线(引出线)，该布线105一直形成到有源矩阵衬底101的端部。

在实施方式1的情况下，由于相对衬底102的衬底面积比有源矩阵衬底101的衬底面积小，当贴合有源矩阵衬底和相对衬底时，在有源矩阵衬底101上具有与相对衬底102没有重叠的部分，从而如图1所示那样可以对有源矩阵衬底101的端部进行倒角。注意，为了容易形成之后形成的辅助电极，还可以相同地对相对衬底102的与配置有有源矩阵衬底101的表面相反一侧的表面的端部进行倒角。

此外，在被倒角的部分(以下称作倒角部分106)形成有由导电材料构成的公共布线107。注意，公共布线107形成为在连接部分108中与有源矩阵衬底101上的布线105电连接。

如上那样通过在倒角部分106中形成公共布线107，从而可以将形成在有源矩阵衬底上的布线图形形成为最低限度的形状。因而可以将衬底上的除像素部分外的周围部分的面积形成得比现有技术更小(实现所谓的窄边框化)。

这里，将参照图2A至2F、图3A以及3B说明图1所示的液晶面板的具体制造方法。注意，在图2A至2F、图3A以及3B中使用共同的符号。

首先，如图2A所示，在第一衬底201上形成有多个有源矩阵衬底203，并且涂敷密封材料205以包围各个有源矩阵衬底的像素部分204。然后，当在由密封材料205包围的区域中滴入液晶材料206之后，对第一衬底201贴合形成有多个相对衬底207的第二衬底202(图2B)。

注意，作为这里所使用的液晶材料206，可以使用已知的液晶材料。

接着，将贴合后的衬底按照图2B中的虚线分割，以得到图2C所示的液晶面板。注意，图2C所示的液晶面板具有有源矩阵衬底203和相对衬底207由密封材料205贴合的结构。

接着，只将分割后的液晶面板的相对衬底207按照图2C的虚线分割，以得到图2D所示的结构。由此获得的相对衬底208的面积比有源矩阵衬底203的面积小。在图2D所示的液晶面板中形成倒角部分，以便在以符号209表示的两边形成与驱动电路之间的连接部分，并且在以符号210表示的另外两边形成公共布线。注意，也可以将倒角部分形成在形成有与驱动电路之间的连接部分的一边上。

具体而言，有源矩阵衬底和相对衬底优选以图3A所示的大小来形成。亦即，在图3A中，在包括形成有与驱动电路之间的连接部分的两边的区域a(209)中从相对衬底208到有源矩阵衬底203的端部设置距离(a)，而在包括没有形成与驱动电路之间的连接部分的另外两边的区域b(210)中从相对衬底208到有源矩阵衬底203的端部设置距离(b)。注意，在此情况下，距离(a)和距离(b)之间的关系为距离(a)＞距离(b)。

此外，将在图3A所示的液晶面板的区域b(210)中形成了倒角部分212的情况示出于图3B，而将沿图3B中的线A-A’的截面图示出于图2E。注意，作为倒角部分212的形成方法，可以使用已知的方法，例如使用金刚石等的磨石来抛光的方法或使用激光的倒角方法。此外，本发明中的倒角部分212的形状如下：如图2E所示，以衬底平面和形成倒角部分212的平面相交的角度(θ)为倒角角度，该倒角角度(θ)为0°＜θ＜90°或具有曲面(R面)的形状即可。

此外，当形成倒角部分212时，已经形成到有源矩阵衬底203端部的布线211的一部分与有源矩阵衬底203的端部一起被倒角。然而，需要在倒角部分212和相对衬底208的端部之间残留布线211的一部分，以便使在下一个工序中形成的公共布线和布线211电连接。

然后，通过在图3B的区域c(213)所示的部分中形成公共布线214，可以电连接形成在有源矩阵衬底203上的所有布线211。

注意，作为公共布线214的制造方法，可以使用溅射法、蒸镀法、液滴喷射法、PVD法、CVD法或涂敷法等。作为用于形成公共布线214的导电材料，例如，可以使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba、Nd等的金属元素；以上述金属元素为主要成分的合金材料；包含上述金属元素的金属氮化物等的化合物材料；或使用多个上述材料的导电材料。通过使用这些导电材料，可以降低布线电阻。

此外，还可以使用用作透明导电膜的铟锡氧化物(ITO)、使用含有氧化硅的氧化铟中再混合了2至20wt％的氧化锌(ZnO)的靶来形成的铟锌氧化物(IZO)等。在使用这些材料的情况下，因为可以形成具有透光性的布线，所以当要提高像素部分的开口率时很有效。

此外，根据液晶面板的结构或导电材料的性质，可以将在本发明中形成公共布线214的导电材料形成在相对衬底208的一部分上或所有部分上。尤其在采用IPS(平面内切换)模式的液晶面板的情况下，优选覆盖相对衬底208的所有上表面而形成公共布线214。

注意，图2F示出沿图3B中线A-A’的形成公共布线214之后的截面图。如图2F所示，在连接部分215中，布线211和公共布线214电连接。

如上所述，通过在有源矩阵衬底的端部形成倒角部分，并且将电连接形成在像素部分等中的布线的公共布线形成在倒角部分，而可以减小在现有技术中引导在像素部分周围的布线所占有的面积，因此，可以实现液晶面板的窄边框化。

实施方式2

在本实施方式中，作为用于显示器件的显示面板的一例，将说明用于液晶显示器件的液晶面板。具体而言，将说明如下结构：贴合有源矩阵衬底和相对衬底，对所述有源矩阵衬底的元件形成面一侧端部预先进行了倒角，然后在两个衬底之间夹着液晶材料，在倒角部分等形成公共布线，并且使形成在有源矩阵衬底上的布线(源极布线、栅极布线、存储电容线、引出线等)通过公共布线彼此电连接。

图4示出液晶面板的端部截面，该液晶面板在使用密封材料404将预先进行了倒角的有源矩阵衬底401和相对衬底402贴合在一起之后，注入液晶材料403而构成。注意，这里虽然未图示，在有源矩阵衬底401的配置有相对衬底402的一侧的表面(相对面)上除了形成有构成像素部分的多个像素电极、多个薄膜晶体管(TFT)等的元件、以及多个布线(源极线、栅极线、以及存储电容线等)之外，还形成有用于与外部驱动电路等进行连接的布线(引出线)等。这些多个TFT等的元件电连接到像素电极或布线(源极线、栅极线、存储电容线等)。

因此，图4中所示的布线405表示与构成像素部分的TFT等的元件电连接的布线(源极线、栅极线、以及存储电容线等)或用于与外部驱动电路等进行连接的布线(引出线)。该布线405一直形成到有源矩阵衬底401的端部。

在实施方式2的情况下，示出了在有源矩阵衬底401和相对衬底402彼此相对的面的端部分别形成有倒角部分的情况，然而，并不是必须在两个衬底的端部形成倒角部分，而至少在有源矩阵衬底401的端部形成有倒角部分即可。

此外，在被倒角的部分(以下称作倒角部分406)形成有由导电材料构成的公共布线407。注意，公共布线407形成为在连接部分408中与有源矩阵衬底401上的布线405电连接。

如上所述，通过在倒角部分406中形成公共布线407，可以使形成在有源矩阵衬底上的布线的图形为最低限度的形状，因此，可以将衬底上的除像素部分外的周围部分的面积形成得比现有技术更小(实现所谓的窄边框化)。

这里将参照图5A至5E、图6A以及6B说明图4所示的液晶面板的具体制造方法。注意，在图5A至5E、图6A以及6B中使用共同的符号。

首先，如图5A所示，在第一衬底501上形成有多个有源矩阵衬底，并且将它们分离而得到多个有源矩阵衬底503。注意，将第一衬底501的详细结构示出于图6A。此外，按照图6A所示的虚线分离第一衬底501，以得到多个图6B所示的有源矩阵衬底503。

此外，在第二衬底502上形成有多个相对衬底，并且将它们分离而得到多个相对衬底504。注意，相对衬底504被分离为其面积比有源矩阵衬底的面积小。然后，对有源矩阵衬底503和相对衬底504的端部分别进行倒角，以得到具有倒角部分505的有源矩阵衬底503a、具有倒角部分506的相对衬底504a。注意，作为倒角部分(505、506)的形成方法，可以使用已知的方法，例如使用金刚石等的磨石来抛光的方法或使用激光的倒角方法。注意，与实施方式1所说明的相同，本实施方式的倒角部分(505、506)的形状为如下即可：衬底平面和形成倒角部分(505、506)的平面相交的角度(θ)为倒角角度，该倒角角度(θ)为0°＜θ＜90°或具有曲面(R面)的形状。

此外，当形成倒角部分505时，已经一直形成到有源矩阵衬底503端部的布线511的一部分与有源矩阵衬底503的端部一起被倒角。

在实施方式2中，在有源矩阵衬底503的两边形成与驱动电路之间的连接部分，所以在有源矩阵衬底503上的另外两边和与该两边对应的相对衬底的两边分别形成倒角部分。

接着，使用密封材料507将有源矩阵衬底503a和相对衬底504a彼此贴合(图5B)。注意，密封材料507设置为包围有源矩阵衬底503a的像素部分并且形成注入口，而两个衬底设置得各个倒角部分(505、506)位于内侧。

此外，在实施方式2中，与实施方式1的情况相同，在包括形成有与驱动电路之间的连接部分的两边的区域c(508)中从相对衬底504a到有源矩阵衬底503a的端部设置有距离(a)＞0。注意，包括形成有倒角部分的另外两边的区域d(509)中从相对衬底504a到有源矩阵衬底503a的端部未设置有距离。

接着，如图5C所示那样通过在贴合的两个衬底(有源矩阵衬底503a及相对衬底504a)之间注入液晶材料510，密封注入口而得到液晶面板。注意，作为这里所使用的液晶材料510，可以使用已知的液晶材料。

此外，图5D示出在液晶注入之后的液晶面板的区域d(509)的截面图。在倒角部分505中，已经形成在有源矩阵衬底503a上的布线511的一部分与有源矩阵衬底503a的端部一起被倒角。通过采用这种结构，可以容易实现在之后工序中形成的公共布线512和布线511之间的电连接。

之后，通过图5E所示那样形成公共布线512，可以将形成在有源矩阵衬底503a上的布线511电连接。注意，作为在实施方式2的情况下制造公共布线512的方法，优选使用涂敷法，因为当考虑到形成倒角部分的位置等时其可加工性良好。此外，作为用于形成公共布线512的材料，优选使用例如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba或Nd等的金属元素；或以上述金属元素为主要成分的合金材料等的导电膏材料。

在实施方式2中虽然说明了贴合有源矩阵衬底和相对衬底，在所述有源矩阵衬底中预先对有源矩阵衬底的元件形成面一侧的端部进行了倒角，然后使用液晶注入法在两个衬底之间夹着液晶材料，并且将公共布线形成在倒角部分等中的情况，然而，还可以使用如下方法：通过在预先对有源矩阵衬底的元件形成面一侧的端部进行削角的有源矩阵衬底和相对衬底之间夹着液晶材料来贴合两个衬底(ODF法)。

如上所述，通过在有源矩阵衬底的端部形成倒角部分，并且将电连接形成在像素部分等的布线的公共布线形成在倒角部分中，可以减小在现有技术中引导在像素部分周围的布线所占的面积，从而可以实现液晶面板的窄边框化。

实施方式3

在本实施方式中，作为可以用于实施方式1或2的有源矩阵衬底的制造方法，将参照图7A至7E、图8A至8D尤其说明形成在有源矩阵衬底上的像素部分(图3B中的204、图6A和6B中的513)的非晶硅薄膜晶体管(TFT)及像素电极的制造方法。注意，在图7A至7E、图8A至8D中使用共同的符号来说明。

如图7A所示，在衬底701上形成第一导电膜702。第一导电膜702可以通过溅射法、PVD法、CVD法、液滴喷射法、印刷法、电镀法等成膜方法来形成。作为用于形成第一导电膜702的材料，例如，可以使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba或Nd等的金属元素；以上述金属元素为主要成分的合金材料；包含上述金属元素的金属氮化物等的化合物材料；或使用上述材料中的多个的材料。由于这些材料为低电阻的导电材料，从而可以使布线电阻低电阻化。

此外，作为用于形成第一导电膜702的材料，还可以使用用作透明导电膜的铟锡氧化物(ITO)、使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到包含氧化硅的氧化铟中的靶来形成的铟锌氧化物(IZO)等。在使用这些材料的情况下，可以形成具有透光性的布线，从而当要提高像素部分的开口率时很有效。

作为衬底701，可以使用玻璃衬底、石英衬底、由诸如氧化铝的陶瓷等绝缘物质形成的衬底、塑料衬底、硅片或金属板等。

这里虽然未图示，然而，可以在衬底701上还形成有氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、或它们的叠层膜等作为阻挡膜，以便防止杂质从衬底701混入到半导体膜等中。

接着，通过对第一导电膜702进行构图，形成栅电极703及栅极线704(图7B)。在使用溅射法和CVD法等成膜方法来形成第一导电膜702的情况下，通过液滴喷射法、光刻工艺、以及使用激光束直接描画装置对感光材料进行曝光及显影的方法等在导电膜上形成掩模，并且使用该掩模对导电膜进行构图以使它具有所要求的形状。

此外，在使用液滴喷射法的情况下，由于可以直接形成图形，所以从排放口(下文中示为喷嘴)喷射并加热在有机树脂中溶解或分散有上述金属颗粒的液状物质，以形成栅电极703及栅极线704。有机树脂可以使用选自用作金属颗粒的粘合剂(binder)、溶剂、分散剂、以及涂料的有机树脂中的一种或多种。典型地，可以举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂、蜜胺树脂、酚树脂(phenol resin)、环氧树脂、硅树脂、呋喃树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂等、或已知的有机树脂。

注意，液状物质的粘度优选为5至20mPa·s。这是因为为了防止干燥并且可从排放口平滑喷射金属颗粒的缘故。此外，液状物质的表面张力优选为40mN/m或更小。注意，可以根据使用的溶剂或用途适当地控制液状物质的粘度等。

此外，包含在液状物质中的金属颗粒的直径可以为几nm至10μm，然而为了防止喷嘴的阻塞并且制造高清晰的图形，其直径优选尽量小。更优选的是，使用粒径为0.1μm或更小的金属颗粒。

接着，形成绝缘膜705。绝缘膜705通过CVD法或溅射法等成膜方法由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及其他含硅的绝缘膜等的单层或叠层结构形成。注意，绝缘膜705的膜厚度优选为300至500nm，更优选为350至480nm。

接着，形成第一半导体膜706。第一半导体膜706可以通过CVD法或溅射法等成膜方法来形成，并且可以使用以硅、硅-锗(SiGe)等为主要成分且其结晶状态彼此不同的非晶半导体膜、在其一部分包括结晶状态的非晶半导体膜、以及结晶半导体膜中的任何一个。此外，在第一半导体膜706中除了包含上述主要成分之外还可以包含磷、砷、硼等的受主元素或施主元素。第一半导体膜706的膜厚度优选为40至250nm，更优选为50至220nm。

接着，在第一半导体膜706上形成呈现一种导电类型的第二半导体膜707。第二半导体膜707通过CVD法或溅射法等的成膜方法来形成。此外，在这里形成的以硅、硅-锗(SiGe)等为主要成分且其结晶状态彼此不同的非晶半导体膜、在其一部分包括结晶状态的非晶半导体膜、以及结晶半导体膜等膜中，除了包含上述主要成分之外，还包含有磷、砷、硼等的受主元素或施主元素(图7C)。

如图7D所示，在第二半导体膜707上的所希望的位置形成第一掩模708，使用该掩模分别蚀刻第一半导体膜706及第二半导体膜707的一部分，以分别得到被构图的第一半导体膜709及第二半导体膜710(图7D)。注意，第一半导体膜709用作之后工序中形成的TFT 714的沟道形成区域。

在去除第一掩模708之后，在第二半导体膜710及绝缘膜705上形成第二导电膜711。注意，第二导电膜711的膜厚度优选为100nm或更厚，更优选为200至700nm。此外，作为用于第二导电膜711的导电材料，可以举出由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr或Ba等的金属元素构成的膜；由以上述元素为主要成分的合金材料构成的膜；或由金属氮化物等的化合物材料构成的膜等。

在第二导电膜711上形成第二掩模(712a、712b)，并且蚀刻第二导电膜711的一部分以使它形成为所希望的形状。这里被构图的第二导电膜(713a、713b)用作TFT的源电极或漏电极(图8A和8B)。注意，为了将第二导电膜711形成为所希望的形状，可以采用以下方法，即通过液滴喷射法、光刻工艺、以及使用激光束直接描画装置曝光并且显影感光材料的方法等在第二导电膜711上形成掩模，并且使用该掩模将第二导电膜711蚀刻成所希望的形状。

在去除第二掩模(712a、712b)之后，通过以被构图的第二导电膜(713a、713b)作为掩模蚀刻第二半导体膜710的一部分，而形成TFT 714的源区域715a及漏区域715b(图8C)。

注意，这里，第二导电膜(713a、713b)中的重叠于源区域715a的部分(713a)成为源电极716a，而重叠于漏区域715b的部分(713b)成为漏电极716b。

由此，形成包括栅电极703、绝缘膜705、第一半导体膜(沟道形成区域)709、源区域715a、漏区域715b、源电极716a、以及漏电极716b的TFT 714(图8C)。

接着，形成保护膜717。注意，保护膜717通过等离子体CVD法或溅射法等的成膜方法由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及氧氮化硅膜等绝缘膜的单层或叠层结构形成。保护膜717的膜厚度优选为100至500nm，更优选为200至300nm。

接着，在保护膜717的一部分且重叠于漏电极716b的位置中形成开口部分，并且在该开口部分中形成与漏电极716b电连接的像素电极718(图8D)。

注意，像素电极718可以通过溅射法、蒸镀法、CVD法、涂敷法等的成膜方法来形成。作为用于形成像素电极718的材料，可以使用铟锡氧化物(ITO)、使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到包含氧化硅的氧化铟中的靶来形成的铟锌氧化物(IZO)、以及作为其组成物具有氧化硅的ITSO等。通过对由上述材料构成的透明导电膜进行构图而形成像素电极718。注意，像素电极718的膜厚度优选为10至150nm，更优选为40至120nm。

此外，在将氧化铝、硅片、金属板等的具有遮光性的衬底用作衬底701的情况下，作为用于形成像素电极718的材料，可以使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba或Nd等的金属元素；以上述金属元素为主要成分的合金材料；包含上述金属元素的金属氮化物等的化合物材料；或使用上述材料中的多个的材料。

通过上述工序，可以形成用于本发明的有源矩阵衬底。此外，通过在这种有源矩阵衬底的端部形成实施方式1或2中说明的倒角部分，在该倒角部分形成公共布线以代替形成在像素部分周围的布线，而可以与现有技术相比进一步实现显示面板的窄边框化。注意，对于显示面板的结构，在实施方式4中详细地说明。

实施方式4

在本实施方式中，将参照图9A和9B以液晶显示面板为例子说明本发明的显示面板的结构。图9A为将液晶材料夹在有源矩阵衬底901和相对衬底902之间而成的液晶显示面板的俯视图，而图9B相当于沿图9A中的线A-A’的截面图。

在图9A中，由虚线表示的905为像素部分。在本实施方式中，像素部分905形成在由密封材料903包围的区域中，而驱动电路部分通过FPC(柔性印刷电路)923安装在液晶显示面板的外部。

此外，用于密封有源矩阵衬底901和相对衬底902的密封材料903含有用于保持密封空间的间隔的间隙材料(gap material)，并且在由它们形成的空间中填充有液晶材料。

接着，将使用图9B说明截面结构。在形成有源矩阵衬底901的第一衬底907上形成有像素部分905，该像素部分905包括以TFT为典型的多个半导体元件。此外，在本实施方式中，安装在外部的驱动电路部分包括源极线驱动电路以及栅极线驱动电路。

在像素部分905中形成有多个像素，并且作为像素电极的第一电极911通过布线与驱动TFT 913电连接。此外，在第一电极911、驱动TFT 913、以及栅极线914上形成有取向膜915。

另一方面，在形成相对衬底902的第二衬底908上形成有遮光膜916、着色层(滤色)917、以及作为相对电极的第二电极919。此外，在第二电极919上形成有取向膜920。

注意，在本实施方式所示的液晶显示面板中，由形成在有源矩阵衬底901上的第一电极911和形成在相对衬底902上的第二电极919之间夹着液晶材料912而构成的部分为液晶元件910。

符号921表示柱状间隔物，该间隔物是为了控制有源矩阵衬底901和相对衬底902之间的距离(单元间隙)而提供的。将绝缘膜蚀刻成所希望的形状来形成间隔物921。注意，还可以使用球状间隔物。

供给给像素部分905的各种信号及电位通过连接布线922从FPC923供给。连接布线922和FPC 923通过各向异性导电膜或各向异性导电树脂924彼此电连接。注意，可以使用焊料或银膏等的导电膏而代替各向异性导电膜或各向异性导电树脂。

此外，在像素部分905中以矩阵形状形成的各个像素通过布线925以纵方向或横方向彼此连接。注意，在本发明中，由于在有源矩阵衬底901上的布线925彼此分离地形成有多个，所以通过与布线925接触地形成公共布线926，可以电连接布线925。

此外，虽然未图示，然而在有源矩阵衬底901及相对衬底902的一侧或两侧的表面上由粘接剂固定有偏振片。注意，除了偏振片之外还可以提供相位差板。

如上所说明的显示面板通过使用有源矩阵衬底来形成，该有源矩阵衬底在实施方式1和2所说明的倒角部分中形成有公共布线以代替形成在像素部分周围的布线，从而可以与现有技术相比进一步实现显示面板的窄边框化。

实施方式5

在本实施方式中，将参照图10的截面图说明使用白色灯来进行彩色显示的模块，该模块是以液晶显示面板作为通过实施实施方式1至4来形成的本发明的显示面板的例子，将电源电路、控制器等的外部电路连接到所述液晶显示面板而形成的模块(这里为液晶模块)。

如图10所示，有源矩阵衬底1001和相对衬底1002由密封材料1003固定，并且在它们之间提供有液晶材料1005以形成液晶显示面板。

注意，在有源矩阵衬底1001上通过对其端部进行倒角而形成有倒角部分。在该倒角部分形成公共布线1021使其与布线1020接触，所述布线1020使形成在有源矩阵衬底1001的像素部分中的多个像素电连接。

另外，形成在有源矩阵衬底1001上的着色膜1006是当进行彩色显示时所必需的。在采用RGB方式的情况下，对每个像素提供对应于红、绿和蓝每种颜色的着色膜。在有源矩阵衬底1001和相对衬底1002的内侧形成有取向膜1018和1019。而在有源矩阵衬底1001和相对衬底1002的外侧设置有偏振片1007和1008。另外，在偏振片1007的表面上形成有保护膜1009，以减轻来自外部的冲撞。

布线衬底1012通过FPC 1011连接到提供在有源矩阵衬底1001上的连接端子1010。在布线衬底1012中装有像素驱动电路(IC芯片、驱动IC等)、控制电路或电源电路等的外部电路1013。

冷阴极管1014、反射板1015、光学薄膜1016、以及反相器(未图示)为背照光单元，通过使用它们作为光源，将光投射到液晶显示面板上。由框架(bezel)1017保持及保护液晶显示面板、光源、布线衬底1012、以及FPC 1011等。

在上述模块中，包括使用有源矩阵衬底的显示面板，所述有源矩阵衬底是实施方式4中的说明那样通过在倒角部分形成代替形成在像素部分周围的布线的公共布线而实现窄边框化的。因此，在形成模块的情况下，也可以与现有技术相比进一步实现小型化(窄边框化)。

实施方式6

作为具备本发明的显示器件的电子设备，可以举出电视装置(也简单地称之为电视或电视接收机)、影像拍摄装置如数码相机或数码摄像机等、电话装置(也简单地称之为电话机或电话)、PDA等信息终端、游戏机、用于计算机的监视器、计算机、汽车音响或MP3唱机等声音再现装置、以及家用游戏机等具有记录介质的图像再现装置等。将参照图11A至11E说明其优选的应用方式。

图11A中所示的电视装置包括主体8001、显示部分8002等。对于显示部分8002可以应用本发明的显示器件。注意，由于本发明的显示器件使用包括有源矩阵衬底的显示面板，所以可以提供与现有技术相比更加小型化(窄边框化)且降低了布线电阻的电视装置，所述有源矩阵衬底通过在衬底的端部形成倒角部分且将代替在现有技术中形成在像素部分周围的布线的公共布线形成在所述倒角部分，而谋求窄边框化并且降低布线电阻。

图11B中所示的信息终端设备包括主体8101、显示部分8102等。对于显示部分8102可以应用本发明的显示器件。注意，由于本发明的显示器件使用包括有源矩阵衬底的显示面板，所以可以提供与现有技术相比更加小型化(窄边框化)的信息终端设备，所述有源矩阵衬底通过在衬底的端部形成倒角部分且将代替在现有技术中形成在像素部分周围的布线的公共布线形成在所述倒角部分，而谋求窄边框化。

图11C中所示的数码摄像机包括主体8201、显示部分8202等。对于显示部分8202可以应用本发明的显示器件。注意，由于本发明的显示器件使用包括有源矩阵衬底的显示面板，所以可以提供与现有技术相比更加小型化(窄边框化)的数码摄像机，所述有源矩阵衬底通过在衬底的端部形成倒角部分且将代替在现有技术中形成在像素部分周围的布线的公共布线形成在所述倒角部分，而谋求窄边框化。

图11D中所示的电话机包括主体8301、显示部分8302等。对于显示部分8302可以应用本发明的显示器件。注意，由于本发明的显示器件使用包括有源矩阵衬底的显示面板，所以可以提供与现有技术相比更加小型化(窄边框化)的电话机，所述有源矩阵衬底通过在衬底的端部形成倒角部分且将代替在现有技术中形成在像素部分周围的布线的公共布线形成在所述倒角部分，而谋求窄边框化。

图11E中所示的液晶监视器包括主体8401、显示部分8402等。对于显示部分8402可以应用本发明的显示器件。注意，由于本发明的显示器件使用包括有源矩阵衬底的显示面板，所以可以提供与现有技术相比更加小型化(窄边框化)且降低了布线电阻的液晶监视器，所述有源矩阵衬底通过在衬底的端部形成倒角部分且将代替在现有技术中形成在像素部分周围的布线的公共布线形成在所述倒角部分，而谋求窄边框化并且降低布线电阻。

如上所述，可以通过将包括有源矩阵衬底的显示器件用于其显示部分，而提供与现有技术相比更加小型化(窄边框化)的电子设备，所述有源矩阵衬底通过在形成在衬底端部处的倒角部分形成代替形成在像素部分周围的布线的公共布线来实现窄边框化。

Claims (12)

1.一种显示器件，包括：

具有上表面、下表面和四边的第一衬底；

第二衬底；

形成在所述第一衬底上的布线；

在所述第一衬底的端部的、在由上述上表面和上述四边中的相邻两边限定的两个边缘处形成的倒角部分；

形成在上述四边中的其余两边上的、与驱动电路连接的连接部分；以及

形成在所述倒角部分中的公共布线，该公共布线在上述两个边缘中的一个边缘完全地覆盖所述倒角部分，

其中，所述第二衬底形成在所述第一衬底上，并且

所述布线与所述公共布线电连接。

2.根据权利要求1的显示器件，其中所述公共布线使用包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的至少一种的导电材料来形成。

3.根据权利要求1的显示器件，其中所述公共布线使用铟锡氧化物或铟锌氧化物来形成。

4.一种显示器件，包括：

具有上表面、下表面和四边的第一衬底；

第二衬底；

在所述第一衬底的端部的、在由上述上表面和上述四边中的相邻两边限定的两个边缘处形成、并且在与上述第二衬底没有重叠的位置中形成的倒角部分；

形成在上述四边中的其余两边上的、与驱动电路连接的连接部分；

形成在所述第一衬底上的布线；以及

形成在所述倒角部分中的公共布线，该公共布线在上述两个边缘中的一个边缘完全地覆盖所述倒角部分，

其中，所述第二衬底形成在所述第一衬底上，

所述第一衬底大于所述第二衬底，并且

所述布线与所述公共布线电连接。

5.根据权利要求4的显示器件，其中所述公共布线使用包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的至少一种的导电材料来形成。

6.根据权利要求4的显示器件，其中所述公共布线使用铟锡氧化物或铟锌氧化物来形成。

7.一种显示器件，包括：

具有上表面、下表面和四边的第一衬底；

第二衬底；

形成在所述第一衬底上的多个薄膜晶体管；

与所述多个薄膜晶体管中的至少一个电连接的布线；

在所述第一衬底的端部的、在由上述上表面和上述四边中的相邻两边限定的两个边缘处形成的倒角部分；

形成在上述四边中的其余两边上的、与驱动电路连接的连接部分；以及

形成在所述倒角部分中的公共布线，该公共布线在上述两个边缘中的一个边缘完全地覆盖所述倒角部分，

其中，所述第二衬底形成在所述第一衬底上，并且

所述布线与所述公共布线电连接。

8.根据权利要求7的显示器件，其中所述公共布线使用包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的至少一种的导电材料来形成。

9.根据权利要求7的显示器件，其中所述公共布线使用铟锡氧化物或铟锌氧化物来形成。

10.一种显示器件，包括：

具有上表面、下表面和四边的第一衬底；

第二衬底；

形成在所述第一衬底上的多个薄膜晶体管；

形成在所述第一衬底上且与所述多个薄膜晶体管中的至少一个电连接的源极线；

形成在所述第一衬底上且与外部电路电连接的引出线；

在所述第一衬底的端部的、在由上述上表面和上述四边中的相邻两边限定的两个边缘处形成的倒角部分；

形成在上述四边中的其余两边上的、与驱动电路连接的连接部分；以及

形成在所述倒角部分中的公共布线，该公共布线在上述两个边缘中的一个边缘完全地覆盖所述倒角部分，

其中，所述第二衬底形成在所述第一衬底上，并且

所述源极线以及所述引出线与所述公共布线电连接。

11.根据权利要求10的显示器件，其中所述公共布线使用包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的至少一种的导电材料来形成。

12.根据权利要求10的显示器件，其中所述公共布线使用铟锡氧化物或铟锌氧化物来形成。

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