CN101009360A - 有机发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种有机发光器件及其制造方法，该有机发光器件包括：第一电极；第二电极；有机层，其至少具有发射层，并插在第一和第二电极之间，其中该发射层为由中性发射材料构成的单层，并且发射层的no－ne参数大于单涂布层的no－ne参数。该有机发光器件具有较长的寿命和高的效率。

Description

有机发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光器件及其制造方法，更具体地，涉及一种包括发射层的有机发光器件及其制造方法，其中该发射层的no-ne参数大于单涂布发射层的no-ne参数，其中no为寻常折射率，和ne为非常折射率。
背景技术
有机发光器件(OLED)为自发射器件，当向有机层施加电场时，其通过在荧光性或磷光性有机层中的电子和空穴的结合而发光，OLED重量轻，具有简单结构，产生具有宽视角的高质量的彩色图像，并且易于制造。此外，在低的操作电压和使用低能耗下，OLED能产生具有高色纯度的活动图像。由于这些特征，OLED适用于便携式电子器件。
根据发射层形成材料的分子量，可将OLED分为小分子OLED(SMOLED)和聚合物OLED(PLED)。
在SMOLED中，为使空穴和电子有效地流动，至少包括发射层的有机层通过进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层，而具有多层结构。这些层可通过真空热沉积、有机蒸汽喷射沉积，有机汽相沉积等制造。然而，在这种情况下，形成这些层的材料的使用是低效率的，并因此增加了制造成本。此外，还未开发出制备大型屏幕的适当沉积设备。
在另一方面，插在PLED的第一和第二电极之间的有机层，具有比SMLED的有机层更高的机械强度和更好的热稳定性。此外，PLED在低电压下运行，并可根据发光聚合物的结构发射各种发射颜色。PLED的有机层能通过旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷或喷雾印刷溶于有机溶剂的发光聚合物来形成。因此，对于PLED及其制备方法的研究正积极地进行着。
美国专利号5,247,190描述了一种包含基于聚(对亚苯基亚乙烯)(PPV)的聚合物膜。在这种情况下，基于PPV膜的亚苯基环含有至少一个取代基，其中该取代基选自烷基(优选甲基)、烷氧基(优选甲氧基或乙氧基)、卤素(优选Cl或Br)和硝基。在该专利中，该基于PPV的聚合物膜通过重复单元过程而形成，该单元过程包括：预定的基底上，旋涂溶于如甲醇的有机溶剂中的含离子基团的PPV前体；和热处理该所得物，以形成不溶薄膜。结果形成了包括该不溶薄膜的多层膜。
通过自组装旋涂形成层的方法公开在Cho等Adv.Mater.(2001)，第13卷，第1076页中。然而，该方法仅用于包含离子基团的聚合物，并且由该方法获得的单涂布层的厚度为1nm-2nm。因此，当使用此方法形成PLED有机层时，制造时间长而且制造成本高。
如上所述，如果使用常规方法形成该插在第一和第二电极之间的有机层，特别是发射层时，该有机层的特性不符合要求标准。
发明内容
本发明提供一种包括发射层的有机发光器件及其制造方法，其中该发射层的no-ne参数大于单涂布发射层的no-ne参数，其中no为寻常折射率，和ne为非常折射率。
根据本发明的一个方面，提供一种有机发光器件，其包括：第一电极；第二电极；有机层，其中该有机层至少包括发射层并且插在第一和第二电极之间，其中该发射层为由中性发射材料所组成的单层，并且该发射层的no-ne参数大于单涂布层的no-ne参数，其中no寻常折射率，和ne为非常折射率。
根据本发明的另一方面，提供一种制造有机发光器件的方法，其中该方法包括在基底上涂覆溶于有机溶剂中的中性(即非离子的)发射材料的溶液至少两次，其中有机发光器件的发射层将形成在该基底上。
仍根据本发明的另一方面，提供一种制造有机发光器件的方法，该方法包括：(a)在基底上涂布在第一有机溶剂中的第一中性发射材料的第一溶液，其中有机发光器件的发射层将形成在该基底上；(b)热处理上述所得物；和(c)在该热处理过的所得物上涂布在第二有机溶剂中的第二中性发射材料的第二溶液，其中重复操作(b)和操作(c)。
还根据本发明的另一方面，提供一种使用上述方法制造的有机发光器件。
有机发光器件包括发射层，其中该发射层的no-ne参数大于单涂布发射层的no-ne参数，因此可获得长的寿命和高的效率。该有机发光器件可使用根据本发明制造有机发光器件的方法来制造。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式，本发明的上述及其它特点和优点将变得更加明显，其中：
图1为阐明折射率ne和no方向的图；
图2A和2B为阐明单涂布发射层的中性发射材料的取向和密度的图；
图3A和3B为阐明根据本发明实施方式的发射层的中性发射材料的取向和密度的视图；
图4-6为阐明根据本发明实施方式的有机发光器件(OLED)的制造方法的示意图；
图7为常规发射层和根据本发明实施方式的发射层的折射率(no)的图；
图8为常规发射层和根据本发明实施方式的发射层的no-ne参数的图；
图9为常规OLED和根据本发明实施方式的OLED的光致发光(PL)强度的图；
图10为常规OLED和根据本发明实施方式的OLED的亮度和效率的图；
图11A为当形成根据本发明实施方式的OLED的发射层时，通过单涂布法形成的单涂布层的原子力显微镜(AFM)图像；
图11B为根据本发明的实施方式的双涂布层的AFM图像，其中该双涂布层通过第一热处理单涂布层，及随后第二次涂布该热处理过的单涂布层而形成；
图11C为根据本发明的实施方式的三涂布层的AFM图像，其中该三涂布层通过第二热处理该双涂布层，及随后第三次涂布该热处理过的双涂布层而形成；
图12为图11A-11C所述的单涂布层、双涂布层和三涂布层的厚度图；和
图13为根据本发明的实施方式的OLED的EL强度的图。
具体实施方式
根据本发明的实施方式的有机发光器件(OLED)包括第一电极、第二电极和至少包括发射层的有机层。发射层为由中性发射材料所组成的单层，并且该发射层的no-ne参数大于单涂布发射层的no-ne参数。
发射层基本上没有缺陷，诸如由涂布形成薄层时可形成的针孔(pinhole)。而且，该发射层的中性发射材料具有优异的取向和高的密度。
在本说明书中，术语‘单涂布发射层’用于定义该发射层的no-ne参数。术语‘单涂布发射层’表示通过在基底上涂布溶于有机溶剂中的中性发射材料的溶液而形成的层，其中发射层将形成在所述基底上。根据本发明实施方式的单涂布发射层和OLED的发射层，都是通过使用相同中性发射材料、相同有机溶剂、和相同基底形成的，以使得单涂布发射层和发射层具有相同或相似的厚度。换句话说，术语‘单涂布发射层’表示通过一次涂布所形成的发射层。单涂布发射层用于与发射层比较它的no-ne参数，该单涂布发射层由与发射层相同的中性材料所构成，并具有与发射层相同或相似的厚度。相应地，‘单涂布发射层’的定义可根据用于发射层的中性发射材料而改变。
虽然，发射层和单涂布发射层是由相同中性发射材料构成，并具有相同或相似的厚度，但这些中性发射材料具有不同的取向和密度。本发明的发明者使用no-ne(折射率各向异性)作为表示这些中性发射材料的分子偶极取向和密度在平面内与平面外的区别的参数，其中no为发射层或单涂布发射层的寻常折射率，和ne为发射层或单涂布发射层的非常折射率。
no-ne参数可使用光谱椭圆偏光法测定。椭圆偏光法是使用偏振光的光学技术，其中该偏振光由样品透射或反射，因为该偏振光的变化取决于介质的折射率。特别地，光谱椭圆偏光法是用于测量宽波长范围的光学常数光谱的技术。
当使用发射层和单涂布发射层进行光谱椭圆偏光法时，可以获得两个或三个角度的δ(Δ)和π(ψ)。由这些结果，可以获得复数电介质函数(或复数折射率)的实部和虚部。由该复数电介质函数，可以获得各种光学常数，诸如折射率n，其可用于发现材料中电子能级间的过渡结构。折射率可使用Maxwell’s方程、Snell’s规则或Fresnel折射率测定，所有这些都是本领域普通技术人员所熟知的。
发射层和单涂布发射层的折射率n可使用no和ne来获得，其中o表示‘寻常平面’以及e表示‘非常平面’。no和ne的方向阐明于图1中。参照图1，ne为在垂直于层15上表面的方向上的折射率，和no为在平行于层15上表面的方向上的折射率。
发射层的no-ne参数大于单涂布发射层的no-ne参数，因为用于形成发射层和单涂布发射层的中性发射材料具有不同的取向和密度。参照图2A、2B、3A和3B，将对此详细描述。
参照图2A，涂层25是通过在预定的基底21上涂布中性发射材料25a和有机溶剂25b的混合溶液而形成的。涂层25的中性发射材料25a的分子是缠结(tangled)的。此外，中性发射材料25a的分子是以相对大的间隙彼此分离的，使得中性发射材料的密度相对低。
对单涂布发射层25热处理，以形成热处理过的单涂布发射层25’(参见图2B)。参照图2B，有机溶剂25b没有示出，因为几乎全部有机溶剂25b已通过热处理除去。该热处理过的单涂布发射层25’具有缠结分子的取向和具有低密度。
图3A阐明了通过在预定的基底31上涂布中性发射材料35a和有机溶剂35b的混合溶液而形成的涂层35。涂层35的中性发射材料35a是不缠结的。此外，中性发射材料35a的分子相互非常靠近，使得中性发射材料35a具有高的密度。
对涂层35热处理以形成热处理过的发射层35’(参见图3B)。参照图3B，有机溶剂35b没有示出，因为几乎全部有机溶剂35b已通过热处理除去。该热处理过的发射层35’具有优异的取向和具有高的密度。
发射层和单涂布发射层的取向和密度可以用no、ne参数和no-ne参数表示。no增大表示中性发射材料的水平部分的密度增大，因为no为寻常折射率。ne增大表示中性发射材料的垂直部分的密度增大，因为ne为非常折射率。no-ne参数增大表示中性发射材料在水平方向上的取向改善了。当中性发射材料的分子缠结时，聚合物链在垂直方向上的密度增加了，并因此ne增大。
发射层的no-ne参数比单涂布发射层的no-ne参数大0.001-0.2，优选大0.005-0.05。当发射层的no-ne参数大出单涂布发射层的no-ne参数不足0.001时，OLED的寿命和效率可能不会令人满意。同时，当在发射层和单涂布发射层中使用相同材料时，发射层的no-ne参数与单涂布发射层的no-ne参数之间相差不可超过0.2。
根据本发明实施方式的OLED的发射层是单层。也就是说，即使使用多重涂布过程、或涂布和热处理的重复过程形成发射层，或该发射层由至少两种不同的中性发射材料组成时，该发射层看起来仍是单层而不是多层。
发射层可由中性发射材料组成。该中性(neutral)发射材料在电学上是中性的，因为它不含引起电正态或电负态的部分。该部分可为离子基团。具有这种性能的常规发射材料可用于本发明的实施方式中。
中性发射材料可为，但不限于：基于聚亚苯基亚乙烯(PPV)的聚合物及其衍生物、基于聚(对亚苯基)(PPP)的聚合物及其衍生物、基于聚噻吩(PT)的聚合物及其衍生物、基于聚芴(PF)的聚合物及其衍生物、基于聚螺芴(PSF)的聚合物及其衍生物等等，优选为基于PF的聚合物及其衍生物。具体地，形成发射层的中性发射材料可为，但不限于：聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯)(MEH-PPV)、包含具有强的电子亲合性的-CN的CN-PPV、具有均匀共轭长度的PPV的共轭-非共轭多嵌段共聚物(CNMBC)、聚(3-烷基噻吩)(PAT)、基于9-烷基芴的聚合物、基于9，9-二烷基芴的聚合物、或基于螺芴的聚合物等。
发射层可由一种中性发射材料，或至少两种不同的发射材料组成。
中性发射材料可包含具有2.41eV-2.80eV能带间隙的发蓝光材料、具有2.21eV-2.40eV能带间隙的发绿光材料、或具有1.90eV-2.20eV能带间隙的发红光材料。发蓝光材料可为，但不限于：聚-(2，7(9，9’-二正辛基芴)-(1，4-亚苯基-((4-仲丁基苯基)亚氨基)-1，4-亚苯基))(TFB)。发绿光材料可为，但不限于：聚-(2，7(9，9’-二正辛基芴)-3，6-苯并噻二唑(F8BT)。发红光材料可为，但不限于MEH-PPV。
发射层可包含单一中性发射材料，或至少两种具有不同能带间隙的不同中性发射材料。由至少两种不同中性发射材料组成的发射层通过能带间隙的调制可产生具有高色纯度的光。当发射层包含至少两种不同的中性发射材料时，具有较低能带间隙的中性发射材料可更靠近第一电极放置。可选择地，具有较高能带间隙的中性发射材料可更靠近第一电极放置。同时，当使用发绿光材料、发蓝光材料和发红光材料时，可获得发白光的器件。
发射层的厚度可为30nm-200nm，优选地为50nm-100nm，更优选地为60nm-80nm。当发射层具有小于30nm的厚度时，漏电流会增加且器件的效率和寿命会下降。当发射层具有大于200nm的厚度时，驱动电压会增加。
根据本发明实施方式的OLED，除了发射层之外，还进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的至少一层。空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可由通常使用的材料组成。此外，这些层的厚度通常是已知的。韩国专利号0424090，和韩国未审专利号2004-0081528和2004-0070561可在此引入作为参考。
空穴传输层可为能传输空穴的包含咔唑基团和/或芳胺基团的化合物。然而空穴传输形成材料不限于此。具体地，空穴传输层可为由选自1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-双咔唑基联苯、聚乙烯咔唑、间双咔唑基苯基、4，4’-双咔唑基-2，2’-二甲基联苯、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N’-二苯基-N，N’-双(1-萘基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(NPB)、IDE320(Idemitz Inc.)、聚（9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-共-双(4-丁基苯基-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺))(PFB)的至少一种化合物组成。然而空穴传输形成材料不限于此。
现将描述根据本发明另一实施方式的OLED的制造方法。该方法包括将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液涂覆到基底上至少两次，其中发射层将形成在该基底上。使用该方法形成的发射层没有缺陷，诸如当通过涂布形成薄层时可易于形成针孔。在本实施方式中，在涂布过程之间没有使用热处理。也就是说，仅进行数次涂布，使得在较高的层和较低的层之间出现了混合。由于该混合，较低的层具有较少的针孔。
可进行例如两次、三次或四次的涂布过程。涂布的数量取决于生产成本和时间。
已经详细地描述了该中性发射材料。
有机溶剂可包括选自多种有机溶剂的至少一种有机溶剂，其中该多种有机溶剂具有16-24的Hansen溶解参数，且优选18-21。当有机溶剂的Hansen溶解参数小于16时，中性发射材料溶解不充分。当有机溶剂的Hansen溶解参数大于24时，当重复涂布时，预涂的层会过多溶解，以致难以形成具有预定厚度的发射层。此外，有机溶剂可包含选自具有上述范围的Hansen溶解参数的有机溶剂的至少两种有机溶剂。
有机溶剂的Hansen溶解参数的氢键合组分常数可为1-10，优选1-5，因为该有机溶剂可通过氢键结合到含烃的聚合物上。当氢键合组分常数小于1时，中性发射材料溶解不充分。当氢键合组分常数大于10时，当重复涂布时，预涂的层会过多溶解，以致难以形成具有预定厚度的发射层。可用于本发明的有机溶剂、有机溶剂的Hansen溶解参数和Hansen溶解参数的氢键合组分常数显示于表1中。
表1
 有机溶剂 Hansen溶解参数 Hansen溶解参数的氢键合组分常数
    苯     18.6              2.0
    氯苯     19.4              8.4
    甲苯     18.2              2.0
    二甲苯     18.1              2.0
    邻二甲苯     18.0              3.1
    1，2-二氯乙烷     20.0              4.1
    1，1-二氯乙烷     18.4              0.4
    1，1-二氯乙烯     18.8              4.5
    三氯乙烷     23.2     5.3
    氯仿     18.7     6.3
该有机溶剂可包括甲苯、二甲苯或这两者。
当使用至少两种具有不同Hansen溶解参数的有机溶剂制造OLED时，这些有机溶剂的涂布顺序可以改变。例如，在至少两种有机溶剂中，具有最小Hansen溶解参数的有机溶剂可首先涂布。例如，当其上将形成发射层的基底为诸如空穴注入层或空穴传输层的有机层时，由于该有机溶剂，能使空穴注入层或空穴传输层的损失最小化，因为可与空穴注入层或空穴传输层接触的有机溶剂具有最小Hansen溶解参数。
在中性发射材料和有机溶剂的混合溶液中，中性发射材料的浓度可为0.3重量％-5.0重量％，以及优选地为0.5重量％-2.0重量％。当中性发射材料的浓度小于0.3重量％时，膜的厚度薄，以致于使得包括这种薄膜的器件的性能变差。当中性发射材料的浓度大于5.0重量％时，驱动电压增加。
制造OLED的方法可进一步包括有机溶剂的涂布，其中该涂布是在除最后涂布之外的各个涂布之后进行的。用于有机溶剂涂布的有机溶剂可以与形成预涂布层的有机溶剂相同或不同。任选的，有机溶剂的涂布可使得针孔更少。
可以使用选自旋涂、浸渍涂布、喷涂和辊涂的至少一种方法来涂布中性发射材料和有机溶剂的混合溶液。然而，涂布的方法并不限于这些方法。
包括多重涂布的OLED方法的实施方式将会详细描述。
参照图4，在基底41上，三重涂布中性发射材料和有机溶剂的混合溶液。
在图4(a)中，发射层形成在基底41上，其中该基底41可根据OLED的结构而变化。例如当OLED包括第一电极、发射层和第二电极时，基底41可为第一电极。当OLED包括第一电极、空穴传输层、发射层和第二电极时，基底41可为空穴传输层。本领域普通技术人员可容易地理解这样的改变。
将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液涂布在基底41上，以形成单涂布层45。已经描述了在中性发射材料和有机溶剂的混合溶液中的中性发射材料的浓度。单涂布层的厚度可根据发射层的厚度和涂布数量来调节。单涂布层可具有30nm-150nm的厚度，和优选地为80nm。
然后，将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液涂布在单涂布层45上，以形成双涂布层45’。这时，用以形成双涂布层45’的有机溶剂部分地溶解了单涂布层45。结果，双涂布层45’比单涂布层45具有更少的缺陷，诸如针孔。
用于第二涂布的中性发射材料和/或有机溶剂可与用于第一涂布的中性发射材料和/或有机溶剂相同或不同。具体地，可考虑到发射层的能带间隙或色彩调制，来选择用于第二涂布的中性发射材料。例如，用于第二涂布的中性发射材料比用于第一涂布的中性发射材料具有更低的能带间隙。同时，当用于第一涂布的中性发射材料为发蓝光材料时，用于第二涂布的中性发射材料可为发绿光材料。
如上所述，OLED的制造方法包括多重涂布，使得可以控制发射层的能带间隙，而无需使用例如共聚合对发射层的形成材料改性。
可根据单涂布层45的厚度损失来确定双涂布层45’的厚度。参照图4(b)，当用于第二涂布的中性发射材料和有机溶剂的混合溶液涂布到厚80nm时，由第一涂布形成的单涂布层部分溶解。单涂布层45的剩余物为双涂布层45’虚线下的部分。单涂布层45的剩余物的厚度为约5nm，并且双涂布层45’的厚度为85nm，因为由第一次和第二涂布而出现混合的部分具有80nm的厚度。在本实施方式中可出现混合物，因为诸如烘烤的热处理未在涂布过程之间进行的。
参照图4(c)，将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液涂布在双涂布层45’上，以形成三涂布层45”。在这种情况下，用于第三涂布的有机溶剂部分地溶解了双涂布层45’。结果，三涂布层45”比双涂布层45’具有更少的缺陷，诸如针孔。
用于第三涂布的中性发射材料和/或有机溶剂可与用于第二涂布的中性发射材料和/或有机溶剂相同或不同。具体地，可考虑到发射层的能带间隙或色彩调制，来选择用于第三涂布的中性发射材料。可考虑到双涂布层45’的厚度损失来确定三涂布层45”的厚度。参照图4(c)，当在双涂布层45’上涂布厚达80nm的中性发射材料和有机溶剂的混合溶液时，剩余10nm厚的双涂布层45’部分(见上部虚线下的部分)，并因此，三涂布层45”的厚度变成了90nm。
然后，热处理三涂布层45”，以形成发射层。热处理温度的改变取决于用于第三涂布的中性发射材料和有机溶剂，并可容易地由本领域普通技术人员确定。
参照图5，将详细地描述包括多重涂布的OLED制造方法的另一个实施方式。在本实施方式中，三次涂覆中性发射材料和有机溶剂的混合溶液到预定的基底51上。该方法进一步包括，在第一和第二涂布后，涂布有机溶剂。
参照图5(a)，基底51可根据OLED的结构而改变，其中发射层将形成在该基底上。将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液涂布在基底51上，和然后进行第一有机溶剂旋涂，从而形成如图5(b)中所示的单涂布层55。
用于第一有机溶剂旋涂的有机溶剂可与用于第一涂布的有机溶剂相同或不同。具体地，当用于第一有机溶剂旋涂的有机溶剂可溶解用于第一涂布的中性发射材料时，单涂布层55可具有更少的针孔。此外，通过第一次有机溶剂旋涂，可以除去在由第一涂布所获得的层表面上的杂质。
参照图5(c)，将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液第二次涂覆到单涂布层55上，和然后进行第二有机溶剂旋涂法，如此形成如图5(d)中所示的双涂布层55’。在这种情况下，用于第二涂布的有机溶剂部分地溶解了单涂布层55。用于第二有机溶剂旋涂的有机溶剂可与用于第二涂布的有机溶剂相同或不同。结果，双涂布层55’比单涂布层55具有更少的缺陷，诸如针孔。
随后，将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液第三次涂覆到双涂布层55’上，以形成如图5(e)中所示的三涂布层55”。用于第三涂布的有机溶剂部分地溶解了双涂布层55’。结果，三涂布层55”比双涂布层55’具有更少的缺陷，诸如针孔。
热处理三涂布层55”以形成发射层。热处理温度可由形成三涂布层55”的中性发射材料和有机溶剂来确定，以及可容易地由本领域普通技术人员选择。为了提高本发明的效果，在中性发射材料的玻璃化转变温度或以上，热处理该中性发射材料。
根据本发明另一个实施方式的OLED的制造方法包括：在一个区域上涂布第一中性发射材料和第一有机溶剂的第一混合溶液，其中发射层将形成在该区域上(操作1)；和热处理该涂布层(操作2)；在该热处理过的层上涂布第二中性发射材料和第二有机溶剂的第二混合溶液(操作3)；和重复操作2和操作3至少一次。在涂布过程之间热处理的使用可防止出现于涂布的上层溶解下层时的混合。
根据当前实施方式的方法，包括至少两个涂布过程来形成发射层，使得该发射层比起常规涂布方法具有更少的针孔，其在常规涂布过程中容易出现。因此，根据本发明实施方式形成的发射层和包括该发射层的OLED具有长的寿命。此外，通过使用当前实施方式的方法，发射层的中性发射材料具有由图3B所示的改进的取向和高的密度，并因此能够提高发射层的效率。
操作2和3可以进行例如一次、两次或三次。可以根据生产成本和时间来控制操作2和3的循环。
在前面的实施方式中已经提到了中性发射材料和有机溶剂的详细描述(浓度除外)。
因此，例如第一中性发射材料可具有比第二中性发射材料更低或更高的能带间隙。此外，第一有机溶剂可具有比第二有机溶剂更小的Hansen溶解参数。例如，当基底为诸如空穴传输层或空穴注入层的有机层时，其中发射层将形成在该基底上，由于使用具有较小Hansen溶解参数的第一有机溶剂，可以使空穴传输层和空穴注入层的损失最小化。
在中性发射材料和有机溶剂的混合溶液中，中性发射材料的浓度为0.1重量％-1.5重量％，优选地为0.2重量％-0.7重量％。当中性发射材料的浓度小于0.1重量％时，下层会大部分溶解，使得即使在沉积数个层时，仍不能获得足够的厚度。当中性发射材料的浓度大于1.5重量％时，使用热处理沉积的数个层会太厚。
操作2中的热处理可有助于发射层厚度增加。热处理可在中性发射材料的玻璃化转变温度或更高下进行(热处理A)，或者可在低于中性发射材料的玻璃化转变温度下进行(热处理B)。选择使用热处理A还是热处理B，取决于中性发射材料和发射层的厚度。在一些情况下，可以结合使用热处理A和B。
根据热处理A，热处理(操作2)可在中性发射材料的玻璃化转变温度或更高下进行。在这种情况下，在热处理后，中性发射材料的链形态可改变，以致链间的相互作用增大。结果，中性发射材料的折射率和有效共轭长度增加，并因此能降低聚合物薄膜中的自由体积。因此，可以达到中性发射材料更好的取向和高的密度。
详细地，用于热处理A的温度为中性发射材料的玻璃化转变温度、中性发射材料的热分解温度、或在玻璃化转变温度和热分解温度之间的温度。当热处理在高于中性发射材料的热分解温度的温度下进行时，中性发射材料会分解，并且不能用作发射材料。
热处理A可进行10分钟-2小时，和优选30分钟-1小时。当进行热处理A少于10分钟时，热处理不足以使更多的涂布层与下层混合。当进行热处理超过2小时时，膜的表面会氧化。
根据热处理B，热处理(操作2)可在比中性发射材料的玻璃化转变温度低的温度下进行。在这种情况下，发射层的厚度能够增加，而不改变链形态。
详细地，热处理B可在室温(20℃)下或在室温(20℃)与中性发射材料的玻璃化转变温度之间的温度下进行。当在低于20℃的温度下进行热处理时，难以使溶剂蒸发。
热处理B可进行10分钟-24小时，和优选30分钟-2小时。当进行热处理B少于30分钟时，溶剂不会蒸发，在另一方面，当进行热处理B超过24小时时，制造时间会太长，并因此该制造方法不能胜任商业应用。
中性发射材料和有机溶剂的混合溶液可使用常规方法涂布，例如选自旋涂、浸渍涂布、喷涂和辊涂的至少一种方法。然而，涂布方法并不限于此。
现将描述本发明的各种实施方式。
参照图6来描述本发明的实施方式。在本实施方式中，将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液三次涂布在预定的基底61上，并且在涂布过程之间进行两次热处理。
在图6(a)中，基底61可根据OLED的结构而变化，其中发射层将形成在该基底上。例如，当OLED包括第一电极、发射层和第二电极时，基底61可为第一电极。当OLED包括第一电极、空穴注入层、发射层和第二电极时，基底61可作为空穴注入层。本领域普通技术人员能容易地理解这些变化。
参照图6，将中性发射材料和有机溶剂的混合溶液第一次涂覆到基底61上，以形成单涂布层。然后，在形成单涂布层的中性发射材料的玻璃化转变温度与热分解温度之间的温度下，或在室温与形成单涂布层的中性发射材料的玻璃化转变温度之间的温度下，对该单涂布层进行第一热处理，以形成第一热处理层65。
已描述了在中性发射材料和有机溶剂的混合溶液该中性发射材料的浓度。第一热处理层65的厚度可根据发射层的厚度和涂布次数来调节。例如，第一热处理层65的厚度可为30nm-150nm，和优选地如图6(a)中所示的80nm。
随后，在该第一热处理层65上，第二涂布中性发射材料和有机溶剂的混合溶液，以形成双涂布层。在形成双涂布层的中性发射材料的玻璃化转变温度与热分解温度之间的温度下，或在室温与形成双涂布层的中性发射材料的玻璃化转变温度之间的温度下，对该双涂布层进行第二次热处理，由此形成第二热处理层65’。当第二次将混合溶液涂布至80nm的厚度时，可以获得95nm厚的第二热处理层65’，因为在进行第二涂布时，由于第一热处理，第一热处理层65较少溶解。
虽然，用于第二涂布的有机溶剂部分溶解了第一热处理层65，但是损失的量比不使用热处理时更少。也就是说，与先前的实施方式相比，第一热处理层65由用作第二涂布的有机溶剂更少地溶解。结果第二热处理层65’的中性发射材料具有改进的取向和高的密度，以及比第一热处理层65具有更少的针孔。
用于第二涂布的中性发射材料和/或有机溶剂可与用于第一涂布的中性发射材料和/或有机溶剂相同或不同。具体地，该用于第二涂布的中性发射材料可考虑到发射层的能带间隙或色彩调制来选择。例如，用于第二涂布的中性发射材料可具有比用于第一涂布的中性发射材料更低的能带间隙。同时，当用于第一涂布的中性发射材料为发蓝光材料时，用于第二涂布的中性发射材料可为发绿光材料。
如上所述，制造OLED的方法包括多重涂布，以致可以控制发射层的能带间隙，而无需对发射层形成材料进行化学改性，诸如共聚合。
然后，在第二热处理层65’上，第三涂布中性发射材料和有机溶剂的混合溶液，以形成如图6(c)中所示的三涂布层65”。在这种情况下，第二热处理层65’由用于第三涂布的有机溶剂部分地溶解。结果，三涂布层65”具有比第二热处理层65’更少的针孔，并且三涂布层65”的中性发射材料具有改进的取向和高的密度。
三涂布层的厚度可考虑到双涂布层65’的溶解来确定。参照图6(c)，当第三次将混合溶液涂布到80nm厚时，三涂布层65”可具有111nm的厚度。
用于第三涂布的中性发射材料和/或有机溶剂可与用于第二涂布的中性发射材料和/或有机溶剂相同或不同。具体地，用于第三涂布的中性发射材料可考虑到发射层的能带间隙或色彩调制来选择。三涂布层65”的厚度可考虑到双涂布层的溶解来确定。参照图3B，之前已经描述了三涂布层65”的中性发射材料的取向和密度。
热处理三涂布层65”，以形成根据本发明当前实施方式的发射层。用于热处理的温度可根据三涂布层65”的中性发射材料和有机溶剂来控制，并且可由本领域普通技术人员容易地确定。
根据本实施方式的方法可进一步包括用在先前实施方式中的有机溶剂的旋涂。
现提供使用根据本发明另一实施方式的OLED的制造方法制造的OLED。首先，制备基底。如上所述，根据OLED的结构，基底可为第一电极、形成在第一电极上的空穴注入层或空穴传输层，其中发射层将形成在该基底上。然后，使用中性发射材料和根据先前实施方式的方法，形成发射层。发射层的中性发射材料具有优异的取向和高的密度。随后，任选地形成空穴阻挡层、电子传输层和/或电子注入层，和然后在其上形成第二电极，如此完成OLED。除了发射层之外的其它层可以使用常规方法制造。
参考下述实施例，将更加详细地描述本发明。这些实施例仅用于说明的目的，而不是为了限制本发明的范围。
实施例
实施例1：使用多重涂布法的聚合物膜的制造(用于椭圆偏光法的样品)
将仅由约2.0nm厚的天然氧化物构成的硅片切成30mm×30mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，和然后在烘箱中干燥。
分别地，将0.4重量％的具有150万分子量的基于螺芴的聚合物溶解在二甲苯中，其中该聚合物为基于聚芴的发蓝光材料。使用微量移液管将一些混合物涂覆到硅片上并在它上面旋涂至80nm的厚度，以形成单涂布层。在220℃下热处理该单涂布层30分钟，以形成第一热处理层。然后，使用微量移液管将一些混合物涂覆到第一热处理层上并旋涂在第一热处理层上，以形成双涂布层。在220℃下热处理该双涂布层20分钟。再进行三次相似于用于双涂布层的旋涂和热处理过程，以形成五重涂层。结果，形成具有98nm厚度的发射层。将所得发射层称为样品1。
对比例A
将仅由约2.0nm厚的天然氧化物构成的硅片切成30mm×30mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，和然后在烘箱中干燥。
分别地，将1.1重量％具有150万分子量的作为基于聚芴发蓝光材料的基于螺聚芴的聚合物和二甲苯(基于螺聚芴的发蓝光材料和二甲苯的总重量)一次旋涂在硅片上，和然后在50℃下热处理1小时，以形成111nm厚的发射层。将所得发射层称为样品A。
对比例B
将仅由约2.0nm厚的天然氧化物构成的硅片切成30mm×30mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，和然后在烘箱中干燥。
分别地，将1.1重量％具有150万分子量的作为基于聚芴发蓝光材料的基于螺聚芴的聚合物和二甲苯的混合物(基于螺聚芴的发蓝光材料和二甲苯的总重量)一次旋涂在硅片上，和然后在220℃下热处理1小时，以形成111nm厚的发射层。将所得发射层称为样品B。
测试实施例1样品1、A和B的no和no-ne
样品1、A和B的no和no-ne参数分别显示在图7和8中。使用椭圆偏光仪测量(可变角度的光谱椭圆偏光仪(VASE)VD-250，得自J.A.Woollam Co.)样品1、A和B的no和no-ne参数。结果用WVASE 32版本3.45(得自J.A.Woollam Co.Inc.)分析。通常，用于椭圆偏光法的椭圆偏光仪包括作为白光源的灯、使光偏振的起偏器件、从白光源中分离出短波长的光的单色仪、和解码信号的检测器。
图7阐明了通过光谱椭圆偏光法在2.58eV下获得的no。参照图7，样品A的no为约1.680，样品B的no为约1.698，和样品1的no为约1.7025。也就是说，样品1的no比样品A和B的no大出约0.005。结果，可以确定根据实施例1的样品1比根据对比例的样品A和B具有更高的密度。
图8为关于样品1、A和B光子能量的no-ne参数的图表。参照图8，光子能量为1.0eV-2.5eV。在这个范围中，样品1的no-ne比样品A的no-ne大出约0.02，并且比样品B的no-ne大出约0.01。由这个结果，可以确定样品1具有比样品A和B更大的no-ne。
测试实施例2光致发光(PL)强度
图9说明了样品1和B的PL强度。参照图9，样品1具有比样品B大出约10％的PL强度，虽然样品1比样品B薄约10％。
实施例2
将15Ω/cm2(1200)ITO玻璃基底(得自Corning Co.)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，以及使用紫外(UV)光和臭氧洗涤30分钟。在2,000rpm下，将PEDOT/PSS(Baytron P AI4083，得自Bayer Co.)涂布到基底上至50nm的厚度，和然后在200℃下热处理10分钟以形成空穴注入层。
将PFB(得自Dow Chemical Co.的空穴传输材料)旋涂在空穴注入层上以形成10nm厚的空穴传输层，和然后在220℃下热处理1小时。
使用微量移液管将一些溶于二甲苯的1.4重量％的具有30万分子量的基于螺芴的发蓝光材料的混合物涂覆到该空穴传输层上，并在它上面旋涂至85nm的厚度以形成单涂布层。将一些该混合物旋涂在该单涂布层上以形成双涂布层。将双涂布层在220℃下热处理30分钟，以形成80nm厚的发射层。然后，将2.7nm厚的Ca层和250nm厚的Al层顺序地形成在该发蓝光的层上以形成第二电极，如此完成OLED。所得OLED称为样品2。
对比例C
以与实施例2中相同的方法制造OLED，除了将1.1重量％的基于聚芴发蓝光材料和二甲苯的混合物(基于聚芴的发蓝光材料和二甲苯的总重量)旋涂一次，和然后在220℃下热处理1小时以形成80nm厚的发射层以外。所得OLED称为样品C。
测试实施例3样品2和C的寿命和效率
图10为样品2和C的寿命和效率的图。使用光电二极管测量寿命和效率。通过测量基于时间的亮度来测试寿命，并且用初始亮度降低50％时的时间来表示寿命。
参照图10，样品2损失它初始亮度(800cd/m2)的50％需要约200小时，以及样品C损失它初始亮度(800cd/m2)的50％仅需要约155小时。也就是说，根据实施例2的样品2具有比根据对比例C的样品C长约25％的寿命。
测试实施例4
将15Ω/cm2(1200)ITO玻璃基底(得自Corning Co.)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，以及使用紫外(UV)光和臭氧洗涤30分钟。在2,000rpm下，将PEDOT/PSS(Baytron P AI4083，得自Bayer Co.)涂布到基底上至50nm的厚度，和然后在200℃下热处理10分钟以形成空穴注入层。
将PFB(得自Dow Chemical Co.的空穴传输材料)旋涂在空穴注入层上和在氮气气氛中和220℃下热处理1小时，以形成10nm厚的空穴传输层。
使用微量移液管将一些溶于二甲苯的0.4重量％的具有150万分子量的基于螺芴的发蓝光材料的混合物涂覆到空穴传输层上，并在其上旋涂至28nm的厚度以形成单涂布层。将该单涂布层在220℃下热处理30分钟，和用原子力显微镜(AFM)观察经热处理的单层表面。使用微量移液管将一些混合物涂覆到该热处理过的单涂布层上，以形成双涂布层。将双涂布层在220℃下热处理30分钟，和用AFM观察该热处理过的双涂布层的表面。使用微量移液管将一些混合物涂覆到该热处理过的双涂布层上，以形成三涂布层。将三涂布层在220℃下热处理30分钟，如此完成70nm厚的发射层。使用AFM测量该发射层的表面。
图11A-11C为每个层的AFM图象。参照图11A，热处理过的单涂布层的粗糙度为均方值(rms)0.751nm。参照图11B，热处理过的双涂布层的粗糙度为0.708nm。参照图11C，发射层的热处理过的三涂布层的粗糙度为rms0.755nm。由这个结果，可以确定涂布过程的重复与单涂布层、双涂布层和三涂布层的表面粗糙度无关。
图12为单涂布层、双涂布层和三涂布层的厚度图。参照图12，当涂布次数增加时，层的厚度增加，虽然将涂布过程重复三次。
实施例3
将15Ω/cm2(1200)ITO玻璃基底(得自Corning Co.)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，以及使用紫外(UV)光和臭氧洗涤30分钟。在2,000rpm下，将PEDOT/PSS(Baytron P AI4083，得自Bayer Co.)涂布到基底上至50nm的厚度，和然后在200℃下热处理10分钟以形成空穴注入层。
将PFB(得自Dow Chemical Co.的空穴传输材料)旋涂在空穴注入层上和在氮气气氛中和220℃下热处理1小时，以形成10nm厚的空穴传输层。
使用微量移液管将一些溶于二甲苯的0.4重量％的具有150万分子量的基于螺芴的发蓝光材料的混合物涂覆到空穴传输层上，并在它上面旋涂以形成单涂布层。将该单涂布层在220℃下热处理30分钟，以使该单涂布层的厚度为约28nm。在它上面旋涂一些混合物以形成双涂布层。将该双涂布层在220℃下热处理30分钟，以使该双涂布层的厚度为约45nm。在它上面旋涂一些混合物以形成三涂布层。将该三涂布层在220℃下热处理30分钟，以使该三涂布层的厚度为约70nm，从而形成70nm厚的发射层。然后，将3.1nm厚的BaF2层、2.2nm厚的Ca层和250nm厚的Al层顺序地将形成在该发蓝光的层上，以形成第二电极，如此完成OLED。所得OLED称为样品3。
实施例4-8
以与实施例3中相同的方法制造OLED，除了使用表2所示的材料形成空穴传输层和第二电极至表2所示的厚度之外。这些OLED分别称为样品4-8。
对比例D
以与实施例3中相同的方法制造OLED，除了将1.1重量％的基于螺聚芴的发蓝光材料和二甲苯的混合物(基于螺聚芴的发蓝光材料和二甲苯的总重量)旋涂一次，和然后在220℃下热处理1小时以形成70nm厚的发射层以外。所得OLED称为样品D。
对比例E-I
以与对比例D中相同的方法制造OLED，除了空穴传输层和第二电极由表2所示的材料构成，和具有表2所示的各种厚度之外。这些OLED分别称为样品E-I。
表2
  实施例号/对比例号 样品号 空穴传输材料    第二电极形成材料及其厚度
    3/D     3/D     PFB*     BaF2(3.1nm)/Ca(2.2nm)
    4/E     4/E     PFB*     BaF2(4.0nm)/Ca(2.7nm)
    5/F     5/F     PFB*     BaF2(8nm)/Ca(5nm)
    6/G     6/G     BFE*     BaF2(3.1nm)/Ca(2.2nm)
    7/H     7/H     BFE*     BaF2(4.0nm)/Ca(2.7nm)
    8/I     8/I     BFE*     BaF2(8nm)/Ca(5nm)
*PFB，BFE：得自DOW Chemical Co.的空穴传输材料(MichaelRedecker等Adv.Mater.第11卷，第241页，1999)
测试实施例5样品3-8和样品D-I的寿命
使用光电二极管测量样品3-8和D-I的寿命，以及结果示于表3中。
表3
样品号     初始亮度损失至一半所用的时间(初始亮度：100cd/m20％)     初始亮度损失至一半所用的时间(初始亮度：800cd/m20％)
样品3     32000小时     500小时
样品4     25600小时     400小时
样品5     22400小时     350小时
样品6     30720小时     480小时
样品7     25600小时     400小时
样品8     32000小时     500小时
样品D     17920小时     280小时
样品E     19200小时     280小时
样品F     17280小时     270小时
样品G     9600小时     150小时
样品H     15360小时     240小时
样品I     19200小时     300小时
参照表3，根据实施例3-8的OLED具有比根据对比例D-I长1.7-3.4倍的寿命。
实施例9
将15Ω/cm2(1200)ITO玻璃基底(得自Corning Co.)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，在纯水中使用超声波洗涤5分钟，在异丙醇中使用超声波洗涤5分钟，以及使用紫外(UV)光和臭氧洗涤30分钟。在2,000rpm下，将PEDOT/PSS(Baytron P AI4083，得自Bayer Co.)涂布到基底上至50nm的厚度，和然后在200℃下热处理10分钟以形成空穴注入层。
将PFB(得自Dow Chemical Co.的空穴传输材料)旋涂在空穴注入层上和在氮气气氛中和220℃下热处理1小时，以形成10nm厚的空穴传输层。
使用微量移液管将溶于二甲苯的1.4重量％的基于螺芴的发蓝光材料的溶液涂覆到空穴传输层上，并在它上面旋涂以形成80nm厚的单涂布层。然后，将溶于二甲苯的1.4重量％的聚芴基发绿光材(Dow Green K2，得自Dow CorningCo.)涂布在该单涂布层上，以形成双涂布层。将所得物在180℃下热处理1小时，以完全地形成发射层。将Ca和Al沉积在发蓝光层上分别达5nm和250nm的厚度，以形成第二电极，如此完全地形成OLED。该OLED称为样品9。
实施例10
以与实施例9中相同的方法制造OLED，除了通过顺序沉积BaF2、Ca和Al至1nm、5nm和250nm的厚度，以形成第二电极之外。该OLED分别称为样品10。
实施例11
以与实施例9中相同的方法制造OLED，除了通过分别顺序沉积BaF2、Ca和Al至6nm、5nm和250nm的厚度，以形成第二电极之外。该OLED分别称为样品11。
实施例12
以与实施例9中相同的方法制造OLED，除了通过分别顺序沉积BaF2、Ca和Al至10nm、5nm和250nm的厚度，以形成第二电极之外。该OLED分别称为样品12。
测试实施例6样品9-12的彩色调谐
使用亮度测试设备的SpectrScanPR650测量样品9-12的彩色调谐。结果示于图13中。参照图13，样品9-12的彩色移至蓝光区而不论第二电极。结果，根据本发明的方法可以实现彩色调谐，并因此，无需对形成发射层的有机材料改性。
根据本发明的OLED的发射层，具有比常规发射层更大的no-ne参数。因此，根据本发明的OLED具有长寿命和高效率。可以使用包括多重涂布的制造根据本发明的OLED的方法，制造这样的OLED。
虽然，参照本发明示例性的实施方式已经具体地显示了和描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，本发明在形式和细节上可以进行各种改变，而不背离如下述权利要求所限定的本发明的精神和范围。

Claims (33)

1、一种有机发光器件，其包括：
第一电极；
第二电极；
有机层，其至少包含发射层，并插在第一电极和第二电极之间，其中该发射层为由中性发射材料构成的单层，并且发射层的n0-ne参数大于单涂布层的n0-ne参数，其中n0为寻常折射率和ne为非常折射率。
2、权利要求1的有机发光器件，其中该发射层的n0-ne参数和单涂布层的n0-ne参数之差为0.001-0.2。
3、权利要求1的有机发光器件，其中该中性发射材料包含选自基于聚亚苯基亚乙烯(PPV)的聚合物及其衍生物、基于聚(对亚苯基)(PPP)的聚合物及其衍生物、基于聚噻吩(PT)的聚合物及其衍生物、基于聚芴(PF)的聚合物及其衍生物和基于聚螺芴(PSF)的聚合物及其衍生物的至少一种化合物。
4、权利要求1的有机发光器件，其中该中性发射材料包含选自具有2.41eV-2.80eV能带间隙的发蓝光材料、具有2.21eV-2.40eV能带间隙的发绿光材料和具有1.90eV-2.20eV能带间隙的发红光材料的至少一种材料。
5、权利要求4的有机发光器件，其中当该中性发射材料包含至少两种具有不同能带间隙的中性发射材料时，使具有较窄能带间隙的中性发射材料更靠近第一电极沉积。
6、权利要求4的有机发光器件，其中当该中性发射材料包含至少两种具有不同能带间隙的中性发射材料时，使具有较高能带间隙的中性发射材料更靠近第一电极沉积。
7、权利要求1的有机发光器件，其中该有机层进一步包含选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的至少一层。
8、一种制造有机发光器件的方法，该方法包括将中性发射材料和有机溶剂的混合物涂覆到基底上至少两次，其中在该基底上将形成该有机发光器件的发射层。
9、权利要求8的方法，其中，该中性发射材料包含选自基于聚亚苯基亚乙烯(PPV)的聚合物及其衍生物、基于聚(对亚苯基)(PPP)的聚合物及其衍生物、基于聚噻吩(PT)的聚合物及其衍生物、基于聚芴(PF)的聚合物及其衍生物和基于聚螺芴(PSF)的聚合物及其衍生物的至少一种化合物。
10、权利要求8的方法，其中该中性发射材料包含选自具有2.41eV-2.80eV能带间隙的发蓝光材料、具有2.21eV-2.40eV能带间隙的发绿光材料和具有1.90eV-2.20eV能带间隙的发红光材料的至少一种材料。
11、权利要求10的方法，其中当该中性发射材料包含至少两种具有不同能带间隙的中性发射材料时，使具有较低能带间隙的中性发射材料更靠近基底沉积。
12、权利要求10的方法，其中当该中性发射材料包含至少两种具有不同能带间隙的中性发射材料时，使具有较高能带间隙的中性发射材料更靠近基底沉积。
13、权利要求8的方法，其中该有机溶剂包含选自多种具有16-24的Hansen溶解参数的有机溶剂的至少一种有机溶剂。
14、权利要求13的方法，其中该Hansen溶解参数的氢键合组分常数为1-10。
15、权利要求8的方法，其中该有机溶剂为下述之一：甲苯、二甲苯、氯苯和它们中的至少两种。
16、权利要求13的方法，其中当使用至少两种具有不同Hansen溶解参数的有机溶剂时，首先涂布具有最小Hansen溶解参数的有机溶剂。
17、权利要求8的方法，其中基于中性发射材料和有机溶剂的混合物，该中性发射材料的浓度为0.3重量％-5.0重量％。
18、权利要求8的方法，其进一步包括无发射材料的有机溶剂的旋涂操作，其中，除了最后涂布之外，在各个涂布之后进行所述操作。
19、一种制造有机发光器件的方法，该方法包括：
(a)在基底上涂布在第一有机溶剂中的第一中性发射材料的第一溶液，其中，该有机发光器件的发射层将形成在该基底上；
(b)热处理上述所得物；和
(c)在该热处理过的所得物上涂布在第二有机溶剂中的第二中性发射材料的第二溶液，其中重复操作(b)和操作(c)。
20、权利要求19的方法，其中该中性发射材料包含选自基于聚亚苯基亚乙烯(PPV)的聚合物及其衍生物、基于聚(对亚苯基)(PPP)的聚合物及其衍生物、基于聚噻吩(PT)的聚合物及其衍生物、基于聚芴(PF)的聚合物及其衍生物和基于聚螺芴(PSF)的聚合物及其衍生物的至少一种化合物。
21、权利要求19的方法，其中该中性发射材料包含选自具有2.41eV-2.80eV能带间隙的发蓝光材料、具有2.21eV-2.40eV能带间隙的发绿光材料和具有1.90eV-2.20eV能带间隙的发红光材料的至少一种材料。
22、权利要求19的方法，其中该第一中性发射材料具有比第二中性发射材料更小的能带间隙。
23、权利要求19的方法，其中该第一中性发射材料具有比第二中性发射材料更高的能带间隙。
24、权利要求19的方法，其中该第一中性发射材料与第二中性发射材料相同。
25、权利要求19的方法，其中该有机溶剂包含选自多种具有16-24的Hansen溶解参数的有机溶剂的至少一种有机溶剂。
26、权利要求25的方法，其中该Hansen溶解参数的氢键合组分常数为1-10。
27、权利要求19的方法，其中，该有机溶剂为下述之一：甲苯、二甲苯、氯苯和它们中的至少两种。
28、权利要求19的方法，其中，该第一有机溶剂具有比第二有机溶剂更小的Hansen溶解参数。
29、权利要求19的方法，其中，基于中性发射材料和有机溶剂的混合物，该中性发射材料的浓度为0.1重量％-1.5重量％。
30、权利要求19的方法，其中，在该涂布的中性发射材料的玻璃化转变温度、涂布的中性发射材料的热分解温度或在它们之间的温度下，进行操作(b)。
31、权利要求19的方法，其中，在20℃或更高的温度下，或在低于该中性发射材料的玻璃化转变温度的温度下，进行操作(b)。
32、权利要求8或31的方法，其中，使用选自旋涂、浸渍涂布、喷墨印刷、喷嘴印刷、喷涂和辊涂的至少一种方法，涂布该中性发射材料和有机溶剂的混合物。
33、一种有机发光器件，其使用根据权利要求8-31中任一项的方法制造。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010027539A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5411765B2 (ja) * 2010-03-24 2014-02-12 富士フイルム株式会社 薄膜の作製方法
KR101942471B1 (ko) 2012-06-15 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
EP2696383A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-12 Solvay Sa Multilayered organic electronic devices
US9298324B1 (en) * 2013-03-11 2016-03-29 Amazon Technologies, Inc. Capacitive touch with tactile feedback
US9385348B2 (en) * 2013-08-29 2016-07-05 The Regents Of The University Of Michigan Organic electronic devices with multiple solution-processed layers
KR102448359B1 (ko) * 2014-10-06 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR101625752B1 (ko) * 2014-10-20 2016-06-14 인천대학교 산학협력단 연속 용매코팅을 이용한 폴리사이오펜 박막의 구조적, 전기적 특성 향상 방법
CN114512617A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
GB9215929D0 (en) 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
KR0146491B1 (ko) 1994-09-16 1998-10-01 양승택 적층구조로 구성된 유기고분자 전계발광소자
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW572990B (en) 2000-03-16 2004-01-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance, polymeric fluorescent substance solution and polymer light-emitting device using the same substance
JP2001357974A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、および有機ｅｌ素子
CN1222195C (zh) * 2000-07-24 2005-10-05 Tdk株式会社 发光元件
CA2363643A1 (en) 2000-12-18 2002-06-18 Shellie K. Northrop Preparation of encapsulated electroluminescent phosphor
JP3986829B2 (ja) * 2001-01-17 2007-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその製造方法
TW518909B (en) 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
US7432116B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
JP4724944B2 (ja) * 2001-04-10 2011-07-13 住友化学株式会社 高分子発光素子の製造方法および高分子発光素子
JP2002359073A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Ricoh Co Ltd 有機電界発光素子の製造方法
JP4036018B2 (ja) * 2001-06-20 2008-01-23 昭和電工株式会社 有機発光素子および発光材料
DE60232415D1 (de) * 2001-06-20 2009-07-02 Showa Denko Kk Licht emittierendes material und organische leuchtdiode
KR100424090B1 (ko) 2001-06-25 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 정공 수송층, 그 정공 수송층을사용한유기 전계 발광 소자 및 그 소자의 제조 방법
JP4290905B2 (ja) * 2001-07-10 2009-07-08 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 有機膜の平坦化方法
JP4988107B2 (ja) * 2001-09-10 2012-08-01 ブラザー工業株式会社 表示用組成物形成用塗布液、有機ｅｌ素子、表示装置、及び表示装置の製造方法
RU2001131068A (ru) 2001-11-19 2003-08-20 ООО "Оптива-Технологи " Управляемое электрооптическое устройство, способ его изготовления и электрооптический анизотропный пленочный кристалл
JP2004200141A (ja) * 2002-10-24 2004-07-15 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ素子
KR100522687B1 (ko) 2003-02-04 2005-10-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100501702B1 (ko) 2003-03-13 2005-07-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치
JP2004303491A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及びその製造方法、並びに有機ｅｌディスプレイ
JP2005005149A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子及びその製造方法
KR100631832B1 (ko) * 2003-06-24 2006-10-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자 및 그 제조방법
US20050276910A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Post processing of films to improve film quality

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