CN100587870C - 固体电解电容及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种固体电解电容，就由铌基体与氧化铌层构成的阳极而言，在氮化铌层的表面形成由氧化铌构成的电介质层。在该固体电解电容中，氮相对铌基体、氮化铌层和电介质层的总量的含有量优选为0.001重量%以上、0.2重量%以下。另外，另一固体电解电容通过烧结在氮气环境中热处理后的铌粉末，形成阳极。在该阳极的表面形成由氧化铌构成的电介质层。在该固体电解电容中，铌粉末(NbNX)的组成比X优选为0.05以上、1.0以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种固体电解电容及其制造方法。
背景技术
因为铌的介电常数是作为现有固体电解电容材料的钽的约1.8倍，所以作为下一代高容量固体电解电容的材料而引人注目。
但是，固体电解电容在回流工序中曝露于高热的情况下，由氧化铌构成的电介质层中的部分氧扩散到阳极，电介质层的厚度减少。结果，电介质层中易产生泄泄漏电流。
为了抑制固体电解电容安装时的回流工序中因氧扩散引起的静电容量的变化，提议在作为电介质的铌氧化物层中形成铌氮化物区域的固体电解电容(参照特开平11-329902号公报)。
但是，即使是上述那样形成氮化物的现有固体电解电容也不能充分降低泄漏电流。
发明内容
本发明的目的在于提供一种降低泄漏电流的固体电解电容及其制造方法。
根据本发明一个方面的固体电解电容配备：形成于基体表面的氮化铌层；和由形成于氮化铌层表面中的氧化铌构成的电介质层。
就该固体电解电容而言，在由铌构成的基体与由氧化铌构成的电介质层之间存在氮化铌层。因为氮化铌层化学稳定且耐热性好，所以即使在安装工序中被加热的情况下，也可阻止电介质层的部分氧扩散到基体中。由此，防止因氧扩散而引起的电介质层的厚度的减少。结果，降低泄漏电流。
阳极可由基体和氮化铌层构成。电介质层优选不含有氮。此时，电介质层的氧化物的区域与氮化铌层的氮化物的区域明确分离。从而，可致密均匀地形成氮化铌层，由氮化铌层来确实阻止电介质层的部分氧扩散到基体中。因此，确实防止因氧扩散而引起的电介质层的厚度的减少，进一步降低泄漏电流。
氮化铌层优选实质上由Nb2N构成。此时，由氮化铌层中的Nb2N来确实阻止电介质层的部分氧扩散到基体中。因此，认为确实防止因氧扩散而引起的电介质层的厚度的减少，充分降低泄漏电流。
氮相对基体、氮化铌层和电介质层的总量的含有量优选为0.001重量％以上、0.2重量％以下。此时，因为在氮化铌层中致密且均匀地形成Nb2N，所以充分降低泄漏电流。
其中，氮相对基体、氮化铌层和电介质层的总量的含有量优选为0.001重量％以上、0.08重量％以下。此时，因为在氮化铌层中更致密且均匀地形成Nb2N，所以进一步充分降低泄漏电流。
根据本发明另一方面的固体电解电容配备：由氮化铌构成的阳极；和由形成于阳极表面的氧化铌构成的电介质层。
就该固体电解电容而言，阳极由氮化铌构成。因为氮化铌化学稳定且耐热性好，所以即使在安装工序中被加热的情况下，也可阻止电介质层的部分氧扩散到阳极中。由此，防止因氧扩散而引起的电介质层的厚度的减少。结果，降低泄漏电流。
氮化铌优选由NbNX构成，X为0.05以上、1以下。当X不到0.05的情况下，由于氮化铌的组成接近金属铌的组成，所以在安装工序中被加热的情况下，不能阻止电介质层的部分氧扩散到阳极中。另一方面，没有X超过1的铌的氮化物。因此，通过使X为0.05以上，即使在安装工序中被加热的情况下，也可阻止电介质层的部分氧扩散到阳极中。
氮化铌优选由NbNX构成，X为0.05以上、0.75以下。此时，可确实阻止电介质层的部分氧扩散到阳极中。由此，可进一步抑制泄漏电流。另外，X值可按照处理时间来变化。
阳极优选由氮的组成比不同的多种氮化铌的混合物构成。此时，也可确实阻止电介质层的部分氧扩散到阳极中。
根据本发明再一方面的固体电解电容的制造方法具备：通过氧化由铌构成的基体表面来形成由氧化铌构成的电介质层的步骤；通过在氮气氛气中热处理形成电介质层的基体来在基体与电介质层之间形成氮化铌层的步骤；和进行阳极氧化的步骤。
根据该固体电解电容的制造方法，在由铌构成的基体与由氧化铌构成的电介质层之间形成氮化铌层。因为氮化铌层化学稳定且耐热性好，所以即使在安装工序中被加热的情况下，也可阻止电介质层的部分氧扩散到基体中。由此，防止因氧扩散而引起的电介质层的厚度的减少。结果，降低泄漏电流。
热处理的温度优选在300度以上、920度以下。此时，因为在氮化铌层中致密且均匀地形成Nb2N，所以充分降低泄漏电流。
其中，热处理的温度更优选是在300度以上、800度以下。此时，因为在氮化铌层中更致密且均匀地形成Nb2N，所以进一步降低泄漏电流。
根据本发明又一方面的固体电解电容的制造方法，具备通过氧化由氮化铌构成的阳极表面来在阳极表面形成由氧化铌构成的电介质层的步骤。
根据该固体电解电容的制造方法，通过氧化由氮化铌构成的阳极表面来在阳极表面形成电介质层。
因为氮化铌层化学稳定且耐热性好，所以可阻止电介质层的部分氧扩散到阳极中。由此，防止因氧扩散而引起的电介质层的厚度的减少。结果，降低泄漏电流。
发明效果
根据本发明，可阻止电介质层的部分氧扩散，可防止电介质层的厚度减少，所以可降低固体电解电容的泄漏电流。
附图说明
图1是根据本发明实施方式1的固体电解电容的结构图。
图2是根据实施方式2的固体电解电容的结构图。
图3是实施例1的电容的阳极和电介质的截面图。
图4是表示对实施例1的电容的ESCA的测定结果的图。
图5是表示对比较例1的电容的ESCA的测定结果的图。
图6是表示对比较例2的电容的ESCA的测定结果的图。
图7是表示实施例1的电容泄漏电流的测定方法的模式图。
具体实施方式
下面，根据实施方式来详细说明本发明，但本发明不限于下述实施方式，在不变更其要旨的范围下，可适当变更后实施。
(实施方式1)
图1是根据本发明实施方式1的固体电解电容的结构图。
如图1所示，在固体电解电容100中，在阳极1的表面依次形成电介质层2、导电性高分子层3、碳层4和银涂料层5。阳极1通过铌构成的基体(下面称为铌基体)1a和由Nb2N构成的氮化物层1b形成。
阴极端子8经导电性粘接剂6连接于银涂料层5，阳极端子7连接于铌基体1a。形成模制外装树脂9，将阳极端子7和阴极端子8的端部引出到外部。
铌基体1a由铌粒子的多孔质烧结体构成。因为铌粒子的多孔质烧结体具有大的表面积，所以可大容量化。电介质层2由绝缘性高的氧化铌(Nb2O5)构成。
导电性高分子层3由聚吡咯、聚噻吩等导电性高分子构成。另外，在本实施方式中，使用导电性高分子层3作为电解质，但不限于此，也可使用二氧化锰等其它材料来作为电解质。碳层4由碳胶构成，银涂料层5由混合银粒子、保护胶体和有机溶媒所形成的银胶构成。
下面，说明根据本发明实施方式的固体电解电容100的制造方法。
首先，通过烧结铌粒子的粉体来形成由多孔质烧结体构成的铌基体1a。此时，铌粒子间熔接。
接着，通过在磷酸水溶液中氧化铌基体1a，在铌基体1a的表面形成由氧化铌(Nb2O5)构成的电介质层2。
之后，在氮气氛气中加热形成有电介质层2的铌基体1a。由此，还原电介质层2，使氮扩散到铌基体1a中。结果，在铌基体1a的表面中形成氮化铌层1b。之后，在磷酸水溶液中再次氧化形成有氮化铌层1b的铌基体1a。
接着，通过电解聚合，通过由聚吡咯、聚噻吩等导电性高分子构成的导电性高分子层3来覆盖电介质层2的表面。此时，在电介质层2的表面形成导电性高分子层3，以填埋多孔质烧结体的表面的电介质层2的间隙。
之后，通过在导电性高分子层3上涂布碳胶，在导电性高分子层3上形成碳层4。并且，在碳层4上涂布银胶，并在规定温度下干燥，由此在碳层4上形成银涂料层5。阴极端子8经导电性粘接剂6连接于银涂料层5。另外，阳极端子7连接于铌基体1a。
之后，形成模制外装树脂9，将阳极端子7和阴极端子8的端部引出到外部。通过该方法，制作固体电解电容100。
在实施方式1的固体电解电容100中，在铌基体1a与电介质层2之间形成氮化铌层1b。氮化铌层1b化学上稳定且耐热性好，所以即使在回流工序等热处理中，也可阻止电介质层2的部分氧扩散到铌基体1a中。因此，不使电介质层2的厚度减少，降低泄漏电流。
另外，在本实施方式中，使用铌的多孔质烧结体来作为固体电解电容的铌基体1a，但不限于此，例如也可使用铌箔。
(实施方式2)
图2是根据实施方式2的固体电解电容的结构图。
图2中示出的固体电解电容100a与图1所示的固体电解电容100的不同之处如下。阳极1由氮化铌构成。在阳极1的表面上形成由氧化铌(Nb2O5)构成的电介质层2。
下面，说明根据本发明实施方式2的固体电解电容100a的制造方法。
首先，在氮气氛气中加热铌粒子的粉体。通过烧结该加热后的铌粒子的粉体来形成由多孔质烧结体构成的阳极1。此时，铌粒子间熔接。
接着，通过在磷酸水溶液中氧化阳极1，在阳极1的表面形成由氧化铌(Nb2O5)构成的电介质层2。
之后，通过电解聚合，通过由聚吡咯、聚噻吩等导电性高分子构成的导电性高分子层3来覆盖电介质层2的表面。此时，在电介质层2的表面形成导电性高分子层3，以填埋多孔质烧结体的表面的电介质层2的间隙。
之后，通过在导电性高分子层3上涂布碳胶，在导电性高分子层3上形成碳层4。并且，在碳层4上涂布银胶，并在规定温度下干燥，由此在碳层4上形成银涂料层5。阴极端子8经导电性粘接剂6连接于银涂料层5。另外，阳极端子7连接于阳极1上。
之后，形成模制外装树脂9，将阳极端子7和阴极端子8的端部引出到外部。通过以上方法，制作固体电解电容100a。
在实施方式2的固体电解电容100a中，阳极1由氮化铌构成。因为氮化铌化学上稳定且耐热性好，所以即使在回流工序等热处理中，也可阻止电介质层2的部分氧扩散到阳极1中。因此，不使电介质层2的厚度减少，降低泄漏电流。
(实施例)
在以下的实施例1-15中，根据上述实施方式1来制作固体电解电容，并进行评价，在实施例16-26中，根据上述实施方式2来制作固体电解电容，并进行评价。
(实施例1)
在实施例1中，用以下的方法制作图3所示的固体电解电容。
(氧化步骤1)
首先，使用厚度为0.1mm的铌箔来作为铌基体1a。在保持在60度的0.5重量％的磷酸水溶液中、以45V的恒定电压将该铌基体1a氧化30分钟，在铌基体1a的表面形成由氧化铌构成的电介质层2。
(氮化步骤)
接着，在0.1大气压的氮气环境下，将形成有电介质层2的铌基体1a放置在保持在600度的电炉中5分钟。由此，在铌基体1a与电介质层2之间形成氮化铌层1b。
(氧化步骤2)
之后，在保持在60度的0.5重量％的磷酸水溶液中使铌基体1a再次氧化。由此制作实施例1的电容。
(比较例1)
在比较例1中，使用由与实施例1中使用的铌基体1a厚度同为0.1mm的铌箔构成的铌基体，仅进行实施例1的氧化步骤1。由此制作比较例1的电容。即，比较例1的电容没有氮化铌层。
(比较例2)
在比较例2中，用以下方法来制作电容。
(氮化步骤)
在氮气环境中，将由与实施例1中使用的铌基体1a厚度同为0.1mm的铌箔构成的铌基体在600度的温度下热处理5分钟，在铌基体的表面形成氮化铌层。
(氧化步骤)
之后，在保持在60度的0.5重量％的磷酸水溶液中、以45V的恒定电压氧化该铌基体30分钟，在铌基体的表面形成由氧化铌构成的电介质层。由此制作比较例2的电容。
根据该方法，在由氧化铌构成的电介质层中形成氮化铌(参照特开平11-329902号公报)。
(评价)
首先，通过热传导度法(JIS G 1201)来定量分析实施例1的电容的氮浓度。结果，在实施例1的电容中含有0.02重量％的氮。
接着，使用粉末X射线衍射来进行实施例1的鉴定的结果，识别铌和Nb2N的衍射图案。另外，同时进行比较例2的电容的鉴定的结果，识别铌和Nb2N的衍射图案。
之后，通过ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，对实施例1和比较例1、2的电容确认铌、氧和氮的分布状态，测定泄漏电流。
图4、图5和图6分别是表示对实施例1、比较例1和比较例2的电容的ESCA的测定结果的图。图4、图5和图6中，纵轴表示电容中的元素含量，横轴表示溅射时间，溅射时间对应于电容的厚度方向位置。
如图4所示，实施例1的电容的电介质层2含有氧和铌，不含氮。另一方面，氮化铌层1b含有铌和氮，不含氧。这样，在实施例1的电容中，明确分离由氧化铌构成的电介质层2和氮化铌层1b。
如图5所示，比较例1的电容的电介质层含有氧和铌，不存在氮化铌层。即，在铌基体的表面上直接形成电介质层。
如图6所示，比较例2的电容的电介质层含有氧、氮和铌。从表面向内侧氧的含量减少，氮的含量增加。即，在比较例2的电容中，存在氧与氮共存的区域，氧化铌与氮化铌混合存在。
之后，测定实施例1和比较例1、2的电容的热处理后的泄漏电流。图7是表示实施例1的电容泄漏电流的测定方法的模式图。
首先，在300度下对实施例1的电容实施30分钟热处理。
接着，如图7所示，在容器42中存放保持在60度的0.5重量％的磷酸水溶液40，将实施了热处理后的实施例1的电容浸渍在该磷酸水溶液40中。在该状态下施加10V恒定电压，测定20秒后的泄漏电流。
比较例1、2的电容也通过同样的方法来测定热处理后的泄漏电流。其测定结果如表1所示。另外，表1中，将实施例1的测定结果标准化为100，表示标准化实施例1和比较例1、2的电容的泄漏电流的测定结果后的泄漏电流值。
表1
| 泄漏电流 | |
| 实施例1 | 100 |
| 比较例1 | 1000 |
| 比较例2 | 600 |
如表1所示，比较例1的电容产生实施例1的电容的10倍泄漏电流。另外，比较例2的电容产生实施例1的电容的6倍泄漏电流。由此可知，在实施例1的电容中，由形成于铌基体1a与电介质层2之间的氮化铌层1b来降低泄漏电流。
(实施例2-15)
下面，对实施例2-15进行氮的含量与泄漏电流的相关性验证。
这里，在实施例2-15中，使实施例1的电容制作工序中的氮化步骤的处理温度变化到120-1000度，制作电容。实施例2-15中氮化步骤的处理温度分别为120度、200度、250度、300度、600度、700度、800度、850度、870度、900度、920度、940度、970度和1000度。其它制作条件与实施例1一样。另外，实施例6的电容与实施例1中制作的电容相同。
(评价)
通过氮含量、泄漏电流和粉末X射线衍射来对实施例2-15的电容进行鉴定的化合物如表2所示。
另外，表2中，与表1一样，将实施例1的电容泄漏电流的测定结果标准化为100，表示标准化实施例2-15的电容的泄漏电流的测定结果后的泄漏电流值。
表2
| 泄漏电流 | 处理温度 | 氮含量(重量％) | 鉴定的化合物 | |
| 实施例2 | 450 | 120 | 0.0005 | Nb |
| 实施例3 | 350 | 200 | 0.00075 | Nb |
| 实施例4 | 300 | 250 | 0.00085 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例5 | 120 | 300 | 0.001 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例6 | 100 | 600 | 0.02 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例7 | 105 | 700 | 0.05 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例8 | 110 | 800 | 0.08 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例9 | 170 | 850 | 0.09 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例10 | 180 | 870 | 0.12 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例11 | 195 | 900 | 0.17 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例12 | 200 | 920 | 0.20 | Nb、Nb<sub>2</sub>N |
| 实施例13 | 400 | 940 | 0.22 | Nb、Nb<sub>2</sub>N、NbN |
| 实施例14 | 450 | 970 | 0.25 | Nb、Nb<sub>2</sub>N、NbN |
| 实施例15 | 550 | 1000 | 0.45 | Nb、Nb<sub>2</sub>NNbN、 |
如表2所示，随着处理温度的上升，氮含量增加。因此，可通过调整处理温度来控制氮含量。
在氮含量从0.001重量％到0.20重量％的范围内，泄漏电流充分减少。另外，在氮含量从0.001重量％到0.08重量％的范围内，泄漏电流显著减少。
因此，氮含量优选为0.001重量％以上、0.20重量％以下，氮含量更优选是0.001重量％以上、0.08重量％以下。另外，处理温度优选是300度以上、920度以下，处理温度更优选是300度以上、800度以下。
另外，在氮含量从0.00085重量％到0.20重量％的范围内，检测Nb和Nb2N。另一方面，在氮含量为0.22重量％以上的情况下，检测Nb、Nb2N和NbN。
因此，在氮化铌层1b由Nb2N构成的情况下，泄漏电流降低，在氮化铌层1b包含NbN的情况下，泄漏电流的降低效果小。这是因为由于Nb2N的耐热性比NbN好，所以推测为可充分阻止电介质层2中的氧扩散到铌基体1a中。
(实施例16)
下面，在实施例16中，用以下方法来制作图2所示的固体电解电容。
(铌粉末的制作步骤)
首先，在0.1大气压的氮气环境下，在1000度下热处理平均粒径为1微米的铌粉末1小时。
(氮化铌的制作步骤)
之后，通过烧结热处理后的铌粉末，形成由氮化铌构成的阳极1。
(氧化步骤)
接着，在保持在60度的0.5重量％的磷酸水溶液中、以10V的恒定电压将阳极1氧化10个小时，在阳极1的表面形成由氧化铌构成的电介质层2。
(固体电解电容的制作步骤)
之后，通过电解聚合或气相聚合等方法，在电介质层2的表面覆盖由聚吡咯构成的导电性高分子层3。此时，在电介质层2的表面形成导电性高分子层3，以填埋多孔质烧结体的表面的电介质层2的间隙。之后，通过在导电性高分子层3上涂布碳胶，在导电性高分子层3上形成碳层4。并且，在碳层4上涂布银胶，并使之干燥，从而形成银涂料层5。阴极端子8经导电性粘接剂6连接于银涂料层5。另外，阳极端子7连接于阳极1。通过以上方法，制作图2的固体电解电容100a。
(比较例3)
在比较例3中，通过如下方法来制作固体电解电容。
在比较例3中，通过不进行氮气环境中的热处理来烧结平均粒径为1微米的铌粉末，形成阳极。之后，与实施例16一样，进行氧化步骤和固体电解电容的制作步骤，制作固体电解电容。
(比较例4)
在比较例4中，通过如下方法来制作固体电解电容。
在比较例4中，通过不进行氮气氛气中的热处理来烧结平均粒径为1微米的铌粉末，形成阳极。之后，在300度下、在氮压力300Torr的环境下保持阳极5分钟，与实施例16一样，进行氧化步骤和固体电解电容的制作步骤，制作固体电解电容。
(评价)
首先，首先，根据实施例16中热处理后的铌粉末在热处理前后的重量变化来算出生成物的组成比。氮含量相当于热处理前后的铌粉末的重量变化量。另外，生成物的组成比用由铌的原子量除以热处理前的铌粉末的重量值与由氮的原子量除以氮含量的值之比来表示。
氮含量＝热处理后的铌粉末的重量-热处理前的铌粉末的重量...(1)
生成物的组成比＝(热处理前的铌粉末的重量÷铌的原子量)∶(氮含量÷氮的原子量)...(2)
由上式(1)和(2)，实施例16中热处理后的铌粉末(NbNX)的组成比X为X＝0.2。
另外，通过电子能量损失能谱(EELS法)分析铌粉末的粒子截面的结果，确认氮均匀分布在粒子内部。
另外，通过电子能量损失能谱(EELS法)分析比较例4中铌粉末的粒子截面的结果，确认氮仅分布在粒子表面中。
接着，对实施例16、比较例3和比较例4的固体电解电容测定热处理后的泄漏电流。其测定结果如表3所示。另外，作为泄漏电流，在250度下热处理实施例16、比较例3和比较例4的固体电解电容10分钟后，施加5V的电压，测定20秒后的泄漏电流。另外，将比较例3的泄漏电流的测定结果标准化为100，表示标准化后的泄漏电流值。
表3
| 泄漏电流 | |
| 实施例16 | 50 |
| 比较例3 | 100 |
| 比较例4 | 90 |
如表3所示，在比较例3的固体电解电容中，产生实施例16的固体电解电容的2倍泄漏电流。另外，在比较例4的固体电解电容中，产生实施例16的固体电解电容的1.8倍泄漏电流。
由此可知，在将氮化铌用作阳极1的实施例16的固体电解电容中，可阻止电介质层2的部分氧扩散到阳极1中，可防止氧的扩散引起电介质层2的厚度减少。
(实施例17-25)
下面，在实施例17-25中，使实施例16的铌粉末的制作步骤中的热处理时间变化为5分钟-4小时，分别制作固体电解电容。实施例17-25中的热处理时间分别为5分钟、30分钟、45分钟、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时和4小时。其它制作条件与实施例16一样。
(实施例26)
在实施例26中，使用以1∶1混合实施例16中热处理的铌粉末与实施例20中热处理的铌粉末(X＝0.5)的混合物。其它与实施例16一样，制作固体电解电容。
(评价)
实施例17-25中热处理后的铌粉末(NbNX)的组成比X分别为0.025、0.05、0.1、0.2、0.50、0.65、0.75、0.9和1。
另外，通过电子能量损失能谱(EELS)法分析实施例17-26中热处理后的铌粉末(NbNX)的粒子截面的结果，确认氮均匀分布在粒子内部。
下面，对实施例17-26的固体电解电容测定热处理后的泄漏电流。其测定结果如表4所示。另外，将实施例1的泄漏电流的测定结果标准化为100，表示标准化后的泄漏电流。
表4
| 组成比(X)值 | 泄漏电流 | |
| 实施例17 | 0.025 | 170 |
| 实施例18 | 0.05 | 110 |
| 实施例19 | 0.1 | 105 |
| 实施例20 | 0.2 | 100 |
| 实施例21 | 0.5 | 96 |
| 实施例22 | 0.65 | 110 |
| 实施例23 | 0.75 | 115 |
| 实施例24 | 0.90 | 150 |
| 实施例25 | 1.0 | 160 |
| 实施例26 | 以1∶1混合实施例20和实施例21 | 98 |
如表4所示，通过使用铌粉末(NbNX)的组成比X为0.05-1.0的铌粉末，可抑制泄漏电流。另外，通过使用铌粉末(NbNX)的组成比X为0.05-0.75的铌粉末，可进一步抑制泄漏电流。
另外，即使在使用铌粉末(NbNX)的组成比X为0.05-1.0内的不同多种混合物作为阳极1的情况下也可得到一样的效果。
Claims (8)
1.一种固体电解电容，其特征在于，配备：
由铌构成的基体；
形成于所述基体表面的氮化铌层，所述氮化铌层由Nb2N构成；和
由形成于所述氮化铌层表面中的氧化铌构成的电介质层。
2.根据权利要求1所述的固体电解电容，其特征在于：
阳极由所述基体和所述氮化铌层构成。
3.根据权利要求1所述的固体电解电容，其特征在于：
所述电介质层不含有氮。
4.根据权利要求1所述的固体电解电容，其特征在于：
氮相对所述基体、所述氮化铌层和所述电介质层的总量的含有量为0.001重量％以上、0.2重量％以下。
5、根据权利要求1所述的固体电解电容，其特征在于：
氮相对所述基体、所述氮化铌层和所述电介质层的总量的含有量为0.001重量％以上、0.08重量％以下。
6.一种固体电解电容的制造方法，其特征在于，具备：
通过氧化由铌构成的基体表面来形成由氧化铌构成的电介质层的步骤；
通过在氮气环境中热处理形成所述电介质层的所述基体来在所述基体与所述电介质层之间形成氮化铌层的步骤；和
进行阳极氧化的步骤。
7.根据权利要求6所述的固体电解电容的制造方法，其特征在于
所述热处理的温度在300度以上、920度以下。
8.根据权利要求6所述的固体电解电容的制造方法，其特征在于
所述热处理的温度在300度以上、800度以下。
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