CN100530927C - 逆变器装置 - Google Patents
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Abstract
一种逆变器装置，其防止高耐压IC的损坏和误动作(闩锁效应)。该逆变器装置具备：逆变器电路(3)，其具备电桥电路(6)，该电桥电路(6)是将由相互反向并联连接的上支路开关元件(T1)和二极管(D1)构成的上支路部(4)、和由相互反向并联连接的下支路开关元件(T2)和二极管(D2)构成的下支路部(5)串联连接，并与直流电源(7)的正负极间连接而成；逆变器驱动部(2)，其具备分别驱动上支路开关元件和所述下支路开关元件的高耐压IC(10)；以及钳位单元(D10)，其对高耐压IC的下支路的驱动用基准电源端和该高耐压IC的上支路的驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位。
Description
技术领域
本发明涉及一种逆变器装置，特别是涉及一种具备防止高耐压IC的耐压破坏和误动作的电路的逆变器装置，该高耐压IC进行逆变器电路的驱动控制，该逆变器电路具备用于驱动负载的开关元件。
背景技术
作为现有的逆变器装置，公开了如下的技术，即，在进行负载驱动的开关元件的开关时，作为由电流的每单位时间的变化量(di/dt)和配线的电感所产生的不良浪涌的对策，在驱动控制该开关元件的耐高压IC的低压侧基准端子和高压侧基准端子之间，连接钳位二极管(参照专利文献1)。
在该专利文献1中，利用钳位二极管，对成为高耐压IC的破坏原因的、由芯片图案或导线等的少许电感而产生的负电压进行钳位，由此防止高耐压IC的损坏。
此外，在专利文献1所示的钳位二极管的基础上，还公开了一种具备与该钳位二极管串联连接的分压电路(电阻元件)的逆变器装置的构成例(参照专利文献2)。
在该专利文献2中，利用钳位二极管和分压电路的电阻元件，对仅利用钳位二极管不能抑制的负电压进行分压，由此使施加于高耐压IC的负电压降低。
专利文献1：特开平10-42575号公报
专利文献2：专利第3577478号说明书
发明内容
但是，在上述专利文献1所示的现有技术中，由于钳位二极管和与下支路开关元件反向并联的二极管(用于流过环流电流的二极管)并联连接，因此存在钳位二极管自身也流过环流电流的可能性，需要选择额定电流较大的二极管(与反向并联连接的二极管相同程度规格的二极管)，存在直接导致成本增加和体积增大的缺点。
此外，在上述专利文献2所示的现有技术中，存在钳位二极管和分压电路这二者都流过环流电流的可能性，与专利文献1所示的现有技术相同地，必须分别选择额定电流较大的二极管和电阻元件，不能避免前述的直接导致成本增加和体积增大这一缺点。
另一方面，一般的高耐压IC，例如包含输入缓冲器、MOS晶体管、电阻、驱动电路等而构成，因此在发生上述的负电压的情况下，存在有时会产生被称为闩锁效应的现象的问题点，该闩锁效应是经由MOS晶体管的寄生电容而产生的贯通电流流入高耐压IC的内部，由该贯通电流引起高耐压IC的驱动电路输出错误信号。此外，在上述专利文献1和2所示的这两个现有技术中，对该闩锁效应问题的解决不充分。
本发明正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种逆变器装置，其能够防止用于控制逆变器电路的高耐压IC的破损和误动作(闩锁效应)，同时提供一种电路技术，其能够抑制电路规模的增大和成本的增加。
为了解决上述问题、实现上述目的，本发明所涉及的逆变器装置的特征为，具备：逆变器电路，其具备电桥电路，该电桥电路是将由彼此反向并联连接的上支路开关元件和二极管构成的上支路部、和由彼此反向并联连接的下支路开关元件和二极管构成的下支路部串联连接，并连接在直流电源的正负极间而成的；逆变器驱动部，其具备分别驱动所述上支路开关元件和所述下支路开关元件的高耐压IC；以及钳位单元，其对所述高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和该高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位。
根据本发明，利用对上述高耐压IC的下支路的驱动用基准电源端和该高耐压IC的上支路的驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位的钳位二极管，对因导线电感或环流电流等引起的高耐压IC的耐压损坏的负电压进行钳位，同时使要流入高耐压IC内部的贯通电流降低。
发明的效果
根据本发明所涉及的逆变器装置，由于对上述高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和该高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位处理的钳位二极管，可以对引起高耐压IC的耐压损坏的负电压进行钳位，同时阻止流入高耐压IC内部的贯通电流的大部分，因此可以得到防止高耐压IC的损坏和误动作(闩锁效应)，抑制电路规模的增大或成本的增加的效果。
附图说明
图1是表示用于说明本发明的实施方式1所涉及的逆变器装置(单相逆变器结构)的概略结构的图。
图2是表示用于说明未连接钳位二极管的逆变器装置中的高耐压IC的误动作的图。
图3是表示在实施方式1所涉及的逆变器装置中，将流入高耐压IC的贯通电流引入钳位二极管侧的状态的图。
图4是表示用于说明本发明的实施方式2所涉及的逆变器装置(3相逆变器结构：独立电源)的概略结构的图。
图5是表示用于说明本发明的实施方式3所涉及的逆变器装置(3相逆变器结构：共用电源)的概略结构的图。
具体实施方式
下面，基于附图，详细地说明本发明所涉及的逆变器装置的实施方式。此外，本发明并不限于本实施方式。
实施方式1
图1是表示用于说明本发明的实施方式1所涉及的逆变器装置的概略结构的图。在该图所示的逆变器装置中，表示了一般的单相逆变器装置的结构，其构成方式为，利用具备高耐压IC 10的逆变器驱动部2，驱动逆变器电路3的上下的开关元件T1、T2。下面，使用图1，说明本实施方式所涉及的逆变器装置的结构。
在图1所示的逆变器电路3中，构成了上支路部4和下支路部5串联连接而成的电桥电路6，该上支路部4由彼此反向并联连接的上支路的开关元件(上支路开关元件)T1和二极管(上支路二极管)D1构成，该下支路部5由彼此反向并联连接的下支路的开关元件(下支路开关元件)T2和二极管(下支路二极管)D2构成。在电桥电路6的上支路开关元件T1的集电极上连接直流电源7的正极，在下支路开关元件T2的发射极上连接直流电源7的负极。这样，图1所示的逆变器电路3构成单相逆变器电路。
另一方面，图1所示的逆变器驱动部2的高耐压IC 10，是分别驱动逆变器电路3的上支路开关元件T1和下支路开关元件T2的IC。该高耐压IC 10，具有如下所示的各输入输出端。即，其具备如下各端子：VDD，其是自身的控制用高压侧电源端COM，其同样是自身的控制用基准电源端；上支路控制信号输入端HIN，其输入用于控制上支路部4的控制信号；下支路控制信号输入端LIN，其输入用于控制下支路部5的控制信号；上支路驱动用高压侧电源端VB，其与驱动上支路部4的驱动电源的高压侧连接；上支路驱动用基准电源端VS，其是驱动上支路部4的驱动电源的基准端；上支路开关元件驱动信号输出端HO，其输出用于驱动上支路部4的驱动信号；下支路驱动用高压侧电源端VCC，其与驱动下支路部5的驱动电源的高压侧连接；下支路驱动用基准电源端COM，其是驱动下支路部5的驱动电源的基准端；以及下支路开关元件驱动信号输出端LO，其输出用于驱动下支路部5的驱动信号。
此外，在上支路驱动用高压侧电源端VB和上支路驱动用基准电源端VS之间连接去耦电容C1，在下支路驱动用高压侧电源端VCC和下支路驱动用基准电源端COM之间连接去耦电容C2。
另外，逆变器电路3和高耐压IC 10之间，上支路开关元件驱动信号输出端HO和上支路开关元件T1的栅极之间经由用于控制栅极电流的栅极电阻R1连接，上支路驱动用基准电源端VS和上支路开关元件T1的发射极之间直接连接。同样地，下支路开关元件驱动信号输出端LO和下支路开关元件T2的栅极之间经由栅极电阻R2连接，下支路驱动用基准电源端COM和下支路开关元件T2的发射极之间直接连接。
在图1所示的逆变器装置中，例如，采取由多根电线(电线束)连接上支路开关元件T1和下支路开关元件T2之间，或者在连接这些开关元件和输出端时不使用电线而直接连接在焊盘等上，或者使各开关元件的集电极和发射极分别分离而设置在基板的表面和里面等措施，以使配线电感尽可能地变小。此外，示于逆变器电路3的下支路开关元件T2的发射极和高耐压IC 10的下支路驱动用基准电源端COM之间的合成电感L11，表示了包含流过环流电流的下支路二极管D2的回路部的合成电感，通过这些措施，能够抑制为nH～几十nH的程度的值。
另一方面，由于流过环流电流的期间是短期间，每单位时间的电流变化量(di/dt)大，因此即使如上所述减小流过环流电流的回路部的电感，也会产生几V左右的自感电压。由于该自感电压的极性为，如果以下支路驱动用基准电源端COM的电位为基准，则上支路驱动用基准电源端VS的电位成为负值的这种负电压，因此高耐压IC 10会产生耐压损坏。此外，该负电压会引起高耐压IC 10的驱动电路输出错误信号的闩锁效应。
因此，在图1所示的实施方式1所涉及的逆变器装置中，作为将下支路驱动用基准电源端COM和上支路驱动用高压侧电源端VB之间的电位差钳位为规定电压的钳位单元，具备自身的阳极连接在下支路驱动用基准电源端COM上，同时自身的阴极连接在上支路驱动用高压侧电源端VB上的钳位二极管D10。此外，本发明中的钳位二极管D10的连接部位，不同于上述专利文献1、2所示的钳位二极管的连接部位，其理由如后所述。
下面，使用图2和图3，对图1中将钳位二极管D10连接在下支路驱动用基准电源端COM和上支路驱动用高压侧电源端VB之间的理由进行说明。此外，图2是用于说明未连接钳位二极管的逆变器装置中的高耐压IC的误动作的图，图3是表示实施方式1所涉及的逆变器装置中，将要流入高耐压IC的贯通电流引入钳位二极管侧的状态的图。
图2中，对图1所示的高耐压IC1的内部更加详细地进行说明。该图中，高耐压IC具备输入缓冲器14、NMOS晶体管16、寄生二极管17、电阻20和驱动电路12。输入缓冲器14的输入端与上支路控制信号输入端HIN连接，输出端与NMOS晶体管16的栅极连接。在NMOS晶体管16上并联连接寄生二极管17。此外，NMOS晶体管16的集电极与驱动电路12的输入端连接，同时，经由一端与驱动电路12的输入端连接的电阻20，与上支路驱动用高压侧电源端VB连接。
下面，说明引起高耐压IC 10误动作的机理。在图2中，首先，如果上支路开关元件T1导通，则该图的以虚线表示的主回路电流I1流入作为具有电感成分而表示出的负载8。然后，如果上支路开关元件T1断开，则流过负载8的电流，成为具有陡的斜率的环流电流I2，经由下支路二极管D2流入负载8。如上所述，驱动电路3的各部件之间利用图案或电线等连接，这些部件之间存在不少电感成分。如该图所示，由L11表示这些电感器成分中环流电流I2流过的部位的电感成分。现在，如果使流过环流电流I2时在电感成分L11中发生的自感电压为VL，则该自感电压VL可以以下式表示。
VL＝L11×(di/dt)…(1)
此外，由于负载8的电感越低，流过的电流就越具有陡的斜率(即式(1)的“di/dt”变大)，因此自感电压VL变大。
此外，因流过环流电流I2而在下支路二极管D2中产生导通电压VF。因而，在上支路开关元件T1的发射极和下支路开关元件T2的发射极之间，产生以下式表示的电位差。
ΔV＝VL+VF …(2)
由于上支路开关元件T1的发射极和下支路开关元件T2的发射极，分别与高耐压IC 10的上支路驱动用基准电源端VS和下支路驱动用基准电源端COM连接，因此，这些端子间会施加式(2)所示的ΔV。
由于高耐压IC 10如上所述具备输入缓冲器14、NMOS晶体管16、寄生二极管17、电阻20、驱动电路12，因此如果施加该ΔV，则从寄生二极管17开始，经过电阻20流过贯通电流I3。此外，该贯通电流I3成为引起驱动电路12输出错误信号的被称为闩锁效应的现象的主要原因。
另一方面，在本实施方式所涉及的逆变器装置中，由于下支路基准电源端COM和上支路驱动用高压侧电源端VB之间具备钳位二极管D10，因此，能够利用图2所示的电路结构，将要流经高耐压IC 10内部的贯通电流I3如图3所示，引入钳位二极管D10侧。此外，贯通电流的一部分存在流过高耐压IC 10的内部的可能性，但由于与贯通电流I3流过的寄生二极管17和电阻20的串联电路的电感相比，连接同一端子间的钳位二极管D10的电感较小，因此能够将贯通电流I3的大部分引入钳位二极管D10侧。因而，能够使流入高耐压IC内部的贯通电流I3减少，可以防止由上述的闩锁效应引起的误动作的发生。
此外，在上述专利文献1、2所示的逆变器装置中，由于钳位二极管的一端(阴极)与上支路驱动用基准电源端VS连接，因此引入贯通电流的效果比本实施方式的钳位二极管D10小。
此外，在本实施方式所涉及的逆变器装置中，由于钳位二极管D10的阴极与高耐压IC 10的上支路驱动用高压侧电源端VB(例如+15V端)连接，因此可以使流过钳位二极管D10的电流小于例如流过专利文献1、2所示的钳位二极管的电流。因而，可以选择额定电流小于专利文献1、2所示的钳位二极管的二极管。
如上述说明所示，根据本实施方式的逆变器装置，由于连接在高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端之间的钳位二极管，对下支路驱动用基准电源端和上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位，因此能够防止高耐压IC的损坏和高耐压IC的误动作，同时能够抑制电路规模的增大和成本的增加。
此外，在本实施方式中，使钳位二极管外置于高耐压IC的外部，但也可以在高耐压IC的内部具备该部件。但是，安装在高耐压IC的外部，能够有效地利用如下的优点，即，不需要高耐压IC的设计变更，以及在使用了现有的高耐压IC的逆变器装置中也可以使用本发明。
此外，在本实施方式中，使用二极管作为对下支路驱动用基准电源端和上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位的钳位单元，但并不限于二极管。例如，可以使用齐纳二极管、双极型晶体管的PN结这种，可以在大于或等于特定电压时成为导通状态输出大致恒定的电压的任意元件。
实施方式2
图4是表示用于说明本发明实施方式2所涉及的逆变器装置的概略结构的图。实施方式1的逆变器装置具备单相逆变器电路，与之相对，本实施方式的逆变器装置以具备3相逆变器电路的方式构成。即，该图所示的逆变器装置中表示了3相逆变器装置的结构，其构成为，利用具备高耐压IC 10a的逆变器驱动部2a，驱动逆变器电路3a的上支路开关元件T1、T3、T5和下支路开关元件T2、T4、T6各元件。下面，使用图4，说明本实施方式所涉及的逆变器装置的结构。此外，对与实施方式1相同或相当的部分标注相同的标号，并省略或者简化其说明。
在图4所示的逆变器电路3a中构成有：上支路部4a，其由彼此反向并联的上支路开关元件T1和上支路二极管D1构成；上支路部4b，其由上支路开关元件T3和上支路二极管D3构成；上支路部4c，其由上支路开关元件T5和上支路二极管D5构成；下支路部5a，其由彼此反向并联的下支路开关元件T2和下支路二极管D2构成；下支路部5b，其由下支路开关元件T4和下支路二极管D4构成；以及下支路部5c，其由下支路开关元件T6和下支路二极管D6构成，构成由上支路部4a、4b、4c的反向并联电路分别与下支路部5a、5b、5c的反向并联电路串联连接而成的电桥电路6a。此外，电桥电路6a的上支路开关元件T1、T3、T5的各集电极与直流电源7的正极连接，下支路开关元件T2、T4、T6的各发射极与直流电源7的负极连接。这样，图4所示的逆变器电路3a构成3相逆变器电路。
另一方面，图4所示的逆变器驱动部2a的高耐压IC 10a，是分别驱动逆变器电路3a的上支路开关元件T1、T3、T5和下支路开关元件T2、T4、T6的IC。该高耐压IC 10a具有如下所示的各输入输出端。即，具备如下各端子：控制用高压侧电源端VDD、控制用基准电源端COM、上支路控制信号输入端HIN、下支路控制信号输入端LIN、上支路控制用高压侧电源端VB1、VB3、VB5、上支路驱动用基准电源端VS1、VS3、VS5、上支路开关元件驱动信号输出端HO1、HO3、HO5、下支路驱动用高压侧电源端VCC、下支路驱动用基准电源端COM、下支路开关元件驱动信号输出端LO2、LO4、LO6。
此外，在上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB3、VB5的各端子和上支路驱动用基准电源端VS1、VS3、VS5的各端子之间，分别连接去耦电容C1、C3、C5，在下支路驱动用高压侧电源端VCC和下支路驱动用基准电源端COM之间连接去耦电容C2。
此外，逆变器电路3a和高耐压IC 10a之间，上支路开关元件驱动信号输出端HO1、HO3、HO5的各端子和上支路开关元件T1、T3、T5的各栅极之间分别经由栅极电阻R1、R3、R5连接，上支路驱动用基准电源端VS1、VS3、VS5的各端子和上支路开关元件T1、T2、T3的各发射极之间直接连接。同样地，下支路开关元件驱动信号输出端LO2、LO4、LO6的各端子和支路开关元件T2、T4、T6的各栅极之间分别经由栅极电阻R2、R4、R6连接，下支路驱动用基准电源端COM和下支路开关元件T2、T4、T6的各发射极之间直接连接。
在如上所述构成的实施方式2所涉及的逆变器装置中，作为用于将下支路驱动用基准电源端COM和上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB3、VB5的端子之间的各电位差钳位成规定电压的钳位单元，分别具备钳位二极管D11、D12、D13，他们自身的阳极与下支路驱动用基准电源端COM连接，自身的阴极分别与上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB3、VB5的各端子连接。
因而，在该实施方式所涉及的逆变器装置中，由于与实施方式1同样地，将要流入高耐压IC 10a的内部的贯通电流的大部分引入钳位二极管D11、D12、D13侧，因此能够使要流入高耐压IC 10a的内部的贯通电流减少，可以防止由闩锁效应引起的误动作。
此外，在本实施方式所涉及的逆变器装置中，由于钳位二极管D11、D12、D13的各阴极与上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB3、VB5的各端子连接，因此能够使分别流入钳位二极管D11、D12、D13的电流，小于例如流入专利文献1、2所示的钳位二极管的电流。因而，能够选择额定电流小于专利文献1、2所示的钳位二极管的二极管。
如上述说明所示，根据本实施方式的逆变器装置，由于在高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端的各端子之间连接的各钳位二极管，分别对下支路驱动用基准电源端和上支路驱动用高压侧电源端的各端子之间的各电位差进行钳位，因此能够防止高耐压IC的损坏和高耐压IC的误动作，同时能够抑制电路规模的增大和成本的增加。
此外，在本实施方式中，使各个钳位二极管外置于高耐压IC的外部，但也可以在高耐压IC的内部具备该部件。但是，安装在高耐压IC的外部，能够有效地利用如下的优点，即，不需要高耐压IC的设计变更，以及在使用了现有的高耐压IC的逆变器装置中也可以使用本发明。
此外，在本实施方式中，使用二极管作为分别对下支路驱动用基准电源端和上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位的钳位单元，但并不限于二极管。例如，可以使用齐纳二极管、双极型晶体管的PN结这种，可以在大于或等于特定电压时成为导通状态输出大致恒定的电压的任意元件。
实施方式3
图5是表示用于说明本发明的实施方式3的逆变器装置的概略结构的图。实施方式2的逆变器装置，分别单独使用用于驱动上支路部的各开关元件的电源作为独立电源，同时用于驱动下支路的各开关元件的电源使用共用电源，与之相对，本实施方式的逆变器装置的特征在于，使用于驱动上下支路的各开关元件的电源为共用电源。因此，钳位二极管的连接结构与实施方式2不同。此外，关于其它结构，与实施方式2相同或相当，对这些部分标注相同标号，并省略其说明。
在以图5的方式构成的实施方式3所涉及的逆变器装置中，作为用于将下支路驱动用基准电源端COM和上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB2、VB3的端子之间的各电位差钳位成规定电压的钳位单元，分别具备：第1钳位二极管D10，其阳极与下支路驱动用基准电源端COM连接，同时阴极与下支路驱动用高压侧电源端VCC连接；以及第2钳位二极管D21、D22、D23，它们阳极与下支路驱动用高压侧电源端VCC连接，同时阴极与上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB3、VB5连接。
因而，在本实施方式所涉及的逆变器装置中，与实施方式1、2相同地，由于能够将要流入高耐压IC 10a的内部的贯通电流的大部分，引入第1钳位二极管D10和第2钳位二极管D21、D22、D23侧，所以能够使要流入高耐压IC 10a内部的贯通电流减少，可以防止由闩锁效应引起的误动作的发生。
此外，在本实施方式所涉及的逆变器装置中，由于第2钳位二极管D21、D22、D23的各阴极，与上支路驱动用高压侧电源端VB1、VB3、VB5的各端子连接，因此分别流入第2钳位二极管D21、D22、D23的电流，能够小于例如流入专利文献1、2所示的钳位二极管的电流。因而，能够选择额定电流小于专利文献1、2所示的钳位二极管的二极管。
如上说明所示，根据本实施方式的逆变器，由于在高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和高耐压IC的下支路驱动用高压侧电源端之间连接的第1钳位二极管、和分别在高耐压IC的下支路驱动用高压侧电源端和高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端的各端子之间连接的各个第2钳位二极管，分别对下支路驱动用基准电源端和上支路驱动用高压侧电源端的各端子之间的各电位差进行钳位，因此能够防止高耐压IC的损坏和高耐压IC的误动作，同时能够抑制电路规模的增大和成本的增加。
此外，在本实施方式中，使各个钳位二极管外置于高耐压IC的外部，但也可以在高耐压IC的内部具备该部件。但是，安装在高耐压IC的外部，能够有效地利用如下的优点，即，不需要高耐压IC的设计变更，以及在使用了现有的高耐压IC的逆变器装置中也可以使用本发明。
此外，在本实施方式中，使用二极管作为分别对下支路驱动用基准电源端和上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位的钳位单元，但并不限于二极管。例如，可以使用齐纳二极管、双极型晶体管的PN结这种，可以在大于或等于特定电压时成为导通状态输出大致恒定的电压的任意元件。
工业实用性
如上所述，本发明所涉及的逆变器装置，能够广泛地应用于具备例如单相逆变器电路或3相逆变器电路的逆变器装置中，特别适用于重视防止高耐压IC的误动作或耐压损坏的逆变器装置中。
Claims (9)
1.一种逆变器装置，其特征在于，具备：
逆变器电路，其具备电桥电路，该电桥电路是将由彼此反向并联连接的上支路开关元件和二极管构成的上支路部、和由彼此反向并联连接的下支路开关元件和二极管构成的下支路部串联连接，并连接在直流电源的正负极间而成的；
逆变器驱动部，其具备分别驱动所述上支路开关元件和所述下支路开关元件的高耐压IC；以及
钳位单元，其对所述高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和该高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端之间的电位差进行钳位，
所述钳位单元与所述上支路驱动用高压侧电源端和所述下支路驱动用基准电源端直接连接。
2.如权利要求1所述的逆变器装置，其特征在于，
所述逆变器电路是单相逆变器电路。
3.如权利要求2所述的逆变器装置，其特征在于，
所述钳位单元是钳位二极管。
4.如权利要求3所述的逆变器装置，其特征在于，
所述钳位二极管所需的额定电流，小于与下支路开关元件反向并联连接的二极管所需的额定电流。
5.如权利要求3所述的逆变器装置，其特征在于，
所述钳位二极管设置于所述高耐压IC的外部。
6.如权利要求1所述的逆变器装置，其特征在于，
所述逆变器电路是3相逆变器电路。
7.如权利要求6所述的逆变器装置，其特征在于，
所述钳位单元是分别在3相逆变器的各相上设置的钳位二极管。
8.如权利要求7所述的逆变器装置，其特征在于，
所述钳位二极管，分别连接在所述高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和该高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端之间。
9.如权利要求7所述的逆变器装置，其特征在于，
所述钳位二极管具备：
第1钳位二极管，其连接在所述高耐压IC的下支路驱动用基准电源端和该高耐压IC的下支路驱动用高压侧电源端之间；以及
第2钳位二极管，其分别连接在所述高耐压IC的下支路驱动用高压侧电源端和该高耐压IC的上支路驱动用高压侧电源端之间。
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