CN110690692A - 高压集成芯片、智能功率模块及空调器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种高压集成芯片、智能功率模块及空调器，该芯片包括：控制信号输入端；功率驱动电路；前端开关电路，其输入端与控制信号输入端连接；控制信号输入电路，与控制信号输入端连接；静电泄放电路，其输入端分别与前端开关电路和控制信号输入电路连接，其输出端与功率驱动电路连接；其中，前端开关电路在高压集成芯片未工作时闭合，并在控制信号输入端接入有静电电压时，将静电电压输出至静电泄放电路进行泄放；以及，在高压集成芯片工作时断开，以使控制信号输入电路将接入的控制信号输出至功率驱动电路。本发明解决了由于控制信号输入端的前端电路的体积与耐高压能力成正比，无法满足现有高压集成芯片对静电防护和芯片的面积的要求。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种高压集成芯片、智能功率模块及空调器。
背景技术
智能功率模块通常工作在比较“恶劣”的环境下(如高电压、大电流、强电磁干扰、频繁插拔及高低温工作环境等)，使它们的静电防护设计需要考虑更多因素。静电可以从高压集成芯片的供电端和接地端进入，也可以通过高压集成芯片的信号脚进入芯片内部。然而，信号脚的前端电路在芯片所占的面积与耐高压能力成正比，无法满足现有高压集成芯片对静电防护和芯片的面积的要求。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种高压集成芯片、智能功率模块及空调器，旨在控制信号输入端的前端电路的体积与耐高压能力成正比，导致芯片面积较大的问题。
为实现上述目的，本发明提出一种高压集成芯片，所述高压集成芯片包括：
控制信号输入端；
功率驱动电路；
前端开关电路，其输入端与所述控制信号输入端连接；
控制信号输入电路，其输入端与所述控制信号输入端连接；
静电泄放电路，其输入端分别与所述前端开关电路和控制信号输入电路的输出端连接，所述静电泄放电路的输出端与所述功率驱动电路连接；其中，
所述前端开关电路在高压集成芯片未工作时闭合，并在所述控制信号输入端接入有静电电压时，将所述静电电压输出至所述静电泄放电路进行泄放；以及，所述前端开关电路在高压集成芯片工作时断开，以使所述控制信号输入电路将接入的控制信号输出至所述功率驱动电路。
可选地，所述前端开关电路包括控制开关，所述控制开关串联设置于所述控制信号输入端与所述静电泄放电路的输入端之间。
可选地，所述前端开关电路还包括静电输出电阻，所述静电输出电阻的一端与所述控制开关连接，所述静电输出电阻的另一端与所述静电泄放电路的输入端连接。
可选地，所述控制信号输入电路包括前端输入电阻，所述前端输入电阻串联设置于所述控制信号输入端与所述静电泄放电路的输入端之间，所述控制开关与所述前端输入电阻并联设置。
可选地，所述前端输入电阻为poly电阻；
所述静电输出电阻为base电阻；
所述poly电阻与所述base电阻的阻值比为1:3至1:8。
可选地，所述高压集成芯片还包括衬底；
所述poly电阻设置于所述衬底的一表面；
所述base电阻，埋设于所述衬底内，所述base电阻的位置与所述poly电阻的位置对应。
可选地，所述静电泄放电路包括第一二极管、第二二极管及第一电阻，所述第一二极管的阳极与所述前端开关电路及所述第一电阻的一端互连，所述第一二极管的阴极与所述电源端VCC连接，所述第一电阻的另一端与所述功率驱动电路连接；
所述第二二极管的阴极与所述第一电阻及所述功率驱动电路的公共端连接，所述第二二极管的阳极接地。
可选地，所述控制信号输入端的数量为多个；
每一所述控制信号输入端对应设置有一所述前端开关电路和一所述静电泄放电路。
本发明还提出一种智能功率模块，所述智能功率模块包括逆变功率电路及如上所述的高压集成芯片；
所述高压集成芯片中的功率驱动电路与所述逆变功率电路连接。
本发明还提出一种空调器，包括如上所述的高压集成芯片；
和/或，包括如上所述的智能功率模块。
本发明高压集成芯片通过将前端开关电路和控制信号输入电路并联设置，使得前端开关电路在闭合时，将控制信号输入电路给分流，使得在控制信号输入端接入有静电电压时，前端开关电路可以将静电电压输出至所述静电泄放电路进行泄放；以及，前端开关电路在高压集成芯片工作时断开，控制信号输入电路正常工作，以使控制信号输入电路接入控制信号，控制信号经控制信号输入电路和静电泄放电路输出至功率驱动电路，以驱动相应的功率器件工作。本发明通过设置前端开关电路来给静电提供流通通道，可以将控制信号输入电路给分流或者旁路，本发明解决了由于控制信号输入端的前端电路的体积与耐高压能力成正比，无法满足现有高压集成芯片对静电防护和芯片的面积的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明高压集成芯片一实施例的功能模块示意图；
图2为本发明高压集成芯片一实施例的电路结构示意图；
图3为本发明高压集成芯片未工作时一实施例的电路结构示意图；
图4为本发明高压集成芯片工作时一实施例的电路结构示意图；
图5为本发明高压集成芯片工作时另一实施例的电路结构示意图；
图6为本发明高压集成芯片应用于智能功率模块一实施例的电路结构示意图。
附图标号说明：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提出一种高压集成芯片。
高压集成芯片是一种带有欠压保护、逻辑控制等功能的功率驱动电路，它将电力电子与半导体技术结合，逐渐取代传统的分立元件，越来越多地被应用在IGBT、大功率MOSFET的驱动领域。静电放电(ESD)现象是引起集成电路产品失效的最主要的可靠性问题之一。在集成电路芯片的制造、封装、测试、运输等过程中，都会出现不同程度的静电放电事件。在集成电路放电时会产生数百甚至数千伏的等效高压，这会击穿集成电路中输入级的栅氧化层，使集成电路受到损伤。特别是随着集成电路中晶体管尺寸的按比例缩小，输入级的栅氧化层厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，更加容易受到外部静电电荷的影响而损坏。因此，改善集成电路对静电放电防护的可靠性，是在高压集成芯片设计时需要考虑的重要环节。
由于许多功率集成电路常工作在比较“恶劣”的环境下(如高电压、大电流、强电磁干扰、频繁插拔及高低温工作环境等)，使它们的静电防护设计需要考虑更多因素。静电可以从高压集成芯片的供电端和接地端GND进入，也可以通过高压集成芯片的信号脚进入芯片内部。然而，控制信号输入端的前端电路在芯片所占的面积与耐高压能力成正比，无法满足现有高压集成芯片对静电防护和芯片的面积的要求。
为了解决上述问题，参照图1，在本发明一实施例中，该高压集成芯片包括：
控制信号输入端Vin；
功率驱动电路10；
前端开关电路20，其输入端与所述控制信号输入端Vin连接；
控制信号输入电路30，其输入端与所述控制信号输入端Vin连接；
静电泄放电路40，其输入端分别与所述前端开关电路20和控制信号输入电路30的输出端连接，所述静电泄放电路40的输出端与所述功率驱动电路10连接；其中，
所述前端开关电路20在高压集成芯片未工作时闭合，并在所述控制信号输入端Vin接入有静电电压时，将所述静电电压输出至所述静电泄放电路40进行泄放；以及，所述前端开关电路20在高压集成芯片工作时断开，以使所述控制信号输入电路30将接入的控制信号输出至所述功率驱动电路10。
本实施例中，功率驱动电路10可以集成四路、六路或者功率器件的驱动电路，具体可以根据驱动器件的数量进行集成设置。功率驱动电路10包括高压侧驱动电路和低压侧驱动电路，在实际应用时，可以将高压侧驱动电路的三相高压侧驱动单元集成在高压集成芯片HVIC中。或者，将高压侧驱动电路的三相高压侧驱动单元和低压侧驱动电路的三相低压侧驱动电路均集成在低压集成芯片高压集成芯片HVIC。或者，三相高压侧驱动单元中的每一相高压侧驱动单元对应与三相低压侧驱动单元中的一相高压侧驱动单元集成在一HVIC中，例如U相高压侧驱动单元与U相高压侧驱动单元集成在一HVIC，具体设置方式可根据智能功率模块的内部结构方式不同而不同，此处不做限制。
前端开关电路20可以基于功率驱动电路10的控制，或者基于外部主控芯片的控制，前端开关电路20也可以是自适应开关，通过检测电源电压或者输入端的信号自动闭合/关断。前端开关电路20与控制信号输入电路30相当于并联设置，前端开关电路20在闭合时，将控制信号输入电路30给旁路，使得在有静电输入时，静电电流经前端开关电路20输出至静电泄放电路40而被泄放。前端开关电路20在断开时，控制信号输入电路30正常工作，控制信号经控制信号输入电路30和静电泄放电路40输出至功率驱动电路10，以驱动相应的功率器件工作。
高压集成芯片还包括电源端VCC及接地端GND；静电泄放电路40具有两个静电泄放端，其中一个静电泄放端与所述电源端VCC连接，另一静电泄放端与接地端GND。静电泄放电路40设置有两个泄放流路，静电泄放电路40的两个泄放端连接于电源端VCC和接地端GND之间，以在检测到静电电压时，为静电电流提供泄放通道。也即在所述控制信号输入端Vin接入有静电电压时，该静电泄放电路40经前端开关电路20输出至静电泄放电路40后，可以输出至电源或者输出到地，从而实现静电的泄放。在高压集成芯片正常工作时，检测到为控制信号输入时，此时静电泄放电路40将该控制信号输出到功率驱动电路10。
前端开关电路20和静电泄放电路40可以组成静电防护电路，以保护HVIC(HighVoltage Integrated Circuit，高压集成芯片)中的主电路模块，HVIC中的主电路模块即待防护电路单元通常包括具有欠压保护、逻辑控制等功能的功率驱动电路10。当该待防护电路单元遭受高电压、大电流、强电磁干扰、频繁插拔及高低温工作环境时，容易产生静电。此时，通过在功率驱动电路10的输入端VIN增加前端开关电路20和静电泄放电路40，可以有效抗击静电对待防护电路所产生的浪涌冲击。
具体地，参照图3，在高压集成芯片未工作时，例如制造、封装、待机或者测试等过程中，前端开关电路20处于闭合状态，此时若高压集成芯片的输出端接入有静电电压，由于控制信号输入端Vin被前端开关电路20给分流，使得静电电流不会或者减少流经控制信号输入电路30，静电电流经前端开关电路20和静电泄放电路40后，被电源端VCC的电源线或者接地端GND的接地线给吸收，不会流入至功率驱动电路10。参照图4，在高压集成芯片在正常工作时，前端开关电路20处于断开状态，在控制信号输入端Vin接入有控制信号时，该控制信号经控制信号输入电路30和静电泄放电路40输出至功率驱动电路10。
本发明高压集成芯片通过将前端开关电路20和控制信号输入电路30并联设置，使得前端开关电路20在闭合时，将控制信号输入电路30给分流，使得在控制信号输入端Vin接入有静电电压时，前端开关电路20可以将静电电压输出至所述静电泄放电路40进行泄放；以及，前端开关电路20在高压集成芯片工作时断开，控制信号输入电路30正常工作，以使控制信号输入电路30接入控制信号，控制信号经控制信号输入电路30和静电泄放电路40输出至功率驱动电路10，以驱动相应的功率器件工作。本发明通过设置前端开关电路20来给静电提供流通通道，可以将控制信号输入电路30给分流或者旁路，从而解决了由于控制信号输入端Vin的前端电路的体积与耐高压能力成正比，无法满足现有高压集成芯片对静电防护和芯片的面积的要求。
参照图2至图5，在一实施例中，所述前端开关电路20包括控制开关S1，所述控制开关S1串联设置于所述控制信号输入端Vin与所述静电泄放电路40的输入端之间。
本实施例中，控制开关S1可以采用TFT、COMS管、三极管等开关来实现，TFT开关可以形成于高压集成芯片的衬底上，控制开关S1可以基于高压集成芯片控制信号输入端Vin输入的信号控制，也可以基于高压集成芯片电源端VCC的电源控制，以实现在高压集成芯片未工作时导通，以将控制信号输入电路30旁路，电流经过电阻较小的控制开关S1，而不流经控制信号输入电路30。而在工作时则关断，使控制信号输入电路30正常工作。由于控制信号的电压较小，控制信号输入电路30可以适应该电流而不会造成损坏和冲击。
参照图5，在一实施例中，所述前端开关电路20还包括静电输出电阻R21，所述静电输出电阻R21的一端与所述控制开关S1连接，所述静电输出电阻R21的另一端与所述静电泄放电路40的输入端连接。
所述控制信号输入电路30包括前端输入电阻R31，所述前端输入电阻R31串联设置于所述控制信号输入端Vin与所述静电泄放电路40的输入端之间，所述控制开关S1与所述前端输入电阻R31并联设置。
所述前端输入电阻R31为poly电阻；
所述静电输出电阻R21为base电阻。
本实施例中，前端输入电阻R31可选为poly电阻，静电输出电阻R21可选采用base电阻来实现，其中poly电阻可用于稳压滤波。根据电阻特性可知，为了满足ESD发生时通过大电流的需要，poly电阻需要有足够的宽度(长度)，这势必会使得在高压集成芯片的版图上占据较大的面积。在HVIC每一路控制信号输入端Vin均设置静电防护电路时，使得HVIC中有存在多个静电防护电路，这些poly电阻加起来使得版图较大，从而不利于高压集成芯片朝轻薄化和微小化发展，并且版图做大，也容易增加高压集成芯片的生产成本。为此，本实施例在前端开关电路20中还设置有静电输出电阻R21，静电输出电阻R21在控制开关S1闭合时，与前端输入电阻R31并联设置，并且所述poly电阻与所述base电阻的阻值比设置为1:3至1:8，可以使得大部分的静电电流从base电阻输出，而仅有小部分的静电电流从poly电阻输出，从而使得无需poly电阻因抗高压而增大面积，即可确保静电防护能力，同时使HVIC版图面积缩小，使智能功率模块的功率密度提高。其中，poly电阻与所述base电阻的阻值比可选为1:5，两者的比值设置的过大，则使得poly电阻上需要承担较大的静电电流，而两者的比值设置得过小，则可能会降低芯片系统的稳定性，本实施例将两者的比值设置1:3至1:8。在有静电电流时，大部分从base电阻流出，在高压集成芯片未工作时，若发生静电放电，电流经过base电阻。而在芯片上电时，控制开关S1断开，此时所有电流从poly电阻流过，由于poly电阻具有更好的稳定性，可以保证模块工作时更稳定，避免干扰的产生。此外，在控制开关S1的回路上串联base电阻，还可以减少静电电流对控制开关S1的冲击力，从而可以选择功率较小的控制开关S1来实现。
参照图5，在一实施例中，所述高压集成芯片还包括衬底(图未示出)；
所述poly电阻设置于所述衬底的一表面；
所述base电阻，埋设于所述衬底内，所述base电阻的位置与所述poly电阻的位置对应。
本实施例中，在高压集成芯片的制程中，poly电阻可以设置在高压集成芯片衬底的一表面，而base电阻则可以埋设于衬底内。在版图设计上，base电阻做在衬底层上，位于poly电阻的下方，两者并联，因此poly电阻可以大幅缩小面积。如此设置，无需增加poly电阻的面积，并且base电阻也不会占用衬底的表面积，从而可以缩小因增大poly电阻面积而增大的衬底面积。
参照图2至图5，在一实施例中，所述静电泄放电路40包括第一二极管D1、第二二极管D2及第一电阻R1，所述第一二极管D1的阳极与所述前端开关电路20及所述第一电阻R1的一端互连，所述第一二极管D1的阴极与所述电源端VCC连接，所述第一电阻R1的另一端与所述功率驱动电路10连接；
所述第二二极管D2的阴极与所述第一电阻及所述功率驱动电路10的公共端连接，所述第二二极管D2的阳极接地。
本实施例中，第一二极管D1和第二二极管D2形成两条静电泄放通路，其中第二二极管D2可选采用稳压二极管来实现，第二二极管D2可以对输入的静电电压进行钳位，从而防止静电电流流入至功率驱动电路10。当没有静电冲击时，第一二极管D1的阴极电压高于阳极电压，而第二二极管D2小于其反向击穿电压，因此第一二极管D1和第二二极管D2均处于截止状态，当静电由控制信号输入端Vin进入所述控制信号输入电路30时，正向的静电电流经过第一二极管D1进行泄放，反向的静电电流经过第二二极管D2进行泄放；从而避免静电电流进入到待防护电路中。第二二极管D2能够更好地实现对信号输入端INPUT的钳位，从而提高对待保护电路的静电防护性能；降低待防护电路发生LATCH-UP(闩锁效应)现象的可能性，提高了整体电路的静电防护能力。
当然在其他实施例中，第一二极管D1和第二二极管D2还可以采用三极管、MOS管或者是可控硅等泄放管来替代实现，当控制信号输入端Vin发生静电时，突然增大的电压/电流使得的其中之一导通，从而形成对地的泄放通路。本领域技术人员可以理解的是，当泄放管为上述不同的器件时，电路连接方式有所不同。
参照图6，在一实施例中，所述控制信号输入端Vin的数量为多个；
每一所述控制信号输入端Vin对应设置有一所述前端开关电路20和一所述静电泄放电路40。
可以理解的是，在高压集成芯片中，具有多个控制信号输入端Vin，对于每一路控制信号输入端Vin，可以对应设置一个前端开关电路20和一所述静电泄放电路40，本实施例中，以设置有六个控制信号输入端为例进行说明，对应地，六个前端开关电路20和六个所述静电泄放电路40构成了流路静电防护电路(ESD1～ESD6)，以在任意一路控制信号输入端Vin接入有静电时，前端开关电路20给静电提供流通通道，可以将控制信号输入电路30给分流或者旁路，从而解决了由于控制信号输入端Vin的前端电路的体积与耐高压能力成正比，无法满足现有高压集成芯片对静电防护和芯片的面积的要求。
在另一实施例中，前端开关电路20和静电泄放电路40形成的带静电防护功能的电路可以是依次级联，也可以是所述带静电防护功能的电路与其他功能的集成电路串联或并联。由于本方案中的带静电防护功能的电路的各个控制信号输入端Vin均具有静电防护的功能，因此当该带静电防护功能的电路发生不可逆的静电破坏时，会对下一级电路形成静电防护。
本发明还提出一种智能功率模块该智能功率模块包括所述的带静电防护功能的高压集成芯片，该带静电防护功能的高压集成芯片的具体结构参照上述实施例，由于所述智能功率模块采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。所述高压集成芯片的电源端VCC和接地端GND对应为所述智能功率模块的电源端VCC和接地端GND。因此本发明带静电防护功能的高压集成芯片能够有效地对来自智能功率模块供电端和接地线端的静电进行防护，从而为所述智能功率模块提供静电防护。
其中，参照图6，智能功率模块包括HVIC管101和三相逆变电路，三相逆变桥电路10包括三相上桥臂功率管和三相下桥臂功率管。三相上桥臂功率管和三相下桥臂功率管可选采用MOS管、IGBT管等开关管来实现。
HVIC管101的VCC端作为所述智能功率模块100的低压区供电电源正端VDD，VDD一般为15V；所述HVIC管101的HIN1端作为所述智能功率模块100的U相上桥臂输入端UHIN；所述HVIC管101的HIN2端作为所述智能功率模块100的V相上桥臂输入端VHIN；所述HVIC管101的HIN3端作为所述智能功率模块100的W相上桥臂输入端WHIN；所述HVIC管101的LIN1端作为所述智能功率模块100的U相下桥臂输入端ULIN；所述HVIC管101的LIN2端作为所述智能功率模块100的V相下桥臂输入端VLIN；所述HVIC管101的LIN3端作为所述智能功率模块100的W相下桥臂输入端WLIN；在此，所述智能功率模块100的U、V、W三相的六路输入接收0～5V的输入信号；所述HVIC管101的GND端作为所述智能功率模块100的低压区供电电源负端COM；所述HVIC管101的VB1端作为所述智能功率模块100的U相高压区供电电源正端UVB；所述HVIC管101的HO1端与U相上桥臂IGBT管121的栅极相连；所述HVIC管101的VS1端与所述IGBT管121的射极、FRD管111的阳极、U相下桥臂IGBT管124的集电极、FRD管114的阴极相连，并作为所述智能功率模块100的U相高压区供电电源负端UVS；所述HVIC管101的VB2端作为所述智能功率模块100的U相高压区供电电源正端VVB；所述HVIC管101的HO3端与V相上桥臂IGBT管123的栅极相连；所述HVIC管101的VS2端与所述IGBT管122的射极、FRD管112的阳极、V相下桥臂IGBT管125的集电极、FRD管115的阴极相连，并作为所述智能功率模块100的W相高压区供电电源负端VVS；所述HVIC管101的VB3端作为所述智能功率模块100的W相高压区供电电源正端WVB；所述HVIC管101的HO3端与W相上桥臂IGBT管123的栅极相连；
所述HVIC管101的VS3端与所述IGBT管123的射极、FRD管113的阳极、W相下桥臂IGBT管126的集电极、FRD管116的阴极相连，并作为所述智能功率模块100的W相高压区供电电源负端WVS；
所述HVIC管101的LO1端与所述IGBT管124的栅极相连；
所述HVIC管101的LO2端与所述IGBT管125的栅极相连；
所述HVIC管101的LO3端与所述IGBT管126的栅极相连；
所述IGBT管124的射极与所述FRD管114的阳极相连，并作为所述智能功率模块100的U相低电压参考端UN；
所述IGBT管125的射极与所述FRD管115的阳极相连，并作为所述智能功率模块100的V相低电压参考端VN；
所述IGBT管126的射极与所述FRD管116的阳极相连，并作为所述智能功率模块100的W相低电压参考端WN；
所述IGBT管121的集电极、所述FRD管111的阴极、所述IGBT管122的集电极、所述FRD管112的阴极、所述IGBT管123的集电极、所述FRD管113的阴极相连，并作为所述智能功率模块100的高电压输入端P，P一般接300V。
所述HVIC管101的作用是：
将输入端HIN1、HIN2、HIN3和LIN1、LIN2、LIN3的0～5V的逻辑信号分别传到输出端HO1、HO2、HO3和LO1、LO2、LO3，其中HO1、HO2、HO3是VS～VS+15V的逻辑信号，LO1、LO2、LO3是0～15V的逻辑信号。
本发明还提出一种空调器，该空调器包括所述的带静电防护功能的高压集成芯片，和/或所述的智能功率模块。该带静电防护功能的高压集成芯片和智能功率模块的具体结构参照上述实施例，由于所述空调器采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。所述的带静电防护功能的高压集成芯片，和/或所述的智能功率模块可以用于所述空调器的主控板、显示板以及其他功能电路板，在此不做具体限定；所述空调器可以是空调挂机、空调柜机等。由于所述带静电防护功能的高压集成芯片，和/或所述的智能功率模块能够提高电路板的静电防护能力，因而能够提高所述空调器运行的安全性。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种高压集成芯片，其特征在于，所述高压集成芯片包括：
控制信号输入端；
功率驱动电路；
前端开关电路，其输入端与所述控制信号输入端连接；
控制信号输入电路，其输入端与所述控制信号输入端连接；
静电泄放电路，其输入端分别与所述前端开关电路和控制信号输入电路的输出端连接，所述静电泄放电路的输出端与所述功率驱动电路连接；其中，
所述前端开关电路在高压集成芯片未工作时闭合，并在所述控制信号输入端接入有静电电压时，将所述静电电压输出至所述静电泄放电路进行泄放；以及，所述前端开关电路在高压集成芯片工作时断开，以使所述控制信号输入电路将接入的控制信号输出至所述功率驱动电路。
2.如权利要求1所述的高压集成芯片，其特征在于，所述前端开关电路包括控制开关，所述控制开关串联设置于所述控制信号输入端与所述静电泄放电路的输入端之间。
3.如权利要求2所述的高压集成芯片，其特征在于，所述前端开关电路还包括静电输出电阻，所述静电输出电阻的一端与所述控制开关连接，所述静电输出电阻的另一端与所述静电泄放电路的输入端连接。
4.如权利要求3所述的高压集成芯片，其特征在于，所述控制信号输入电路包括前端输入电阻，所述前端输入电阻串联设置于所述控制信号输入端与所述静电泄放电路的输入端之间，所述控制开关与所述前端输入电阻并联设置。
5.如权利要求4所述的高压集成芯片，其特征在于，所述前端输入电阻为poly电阻；
所述静电输出电阻为base电阻；
所述poly电阻与所述base电阻的阻值比为1:3至1:8。
6.如权利要求4所述的高压集成芯片，其特征在于，所述高压集成芯片还包括衬底；
所述poly电阻设置于所述衬底的一表面；
所述base电阻，埋设于所述衬底内，所述base电阻的位置与所述poly电阻的位置对应。
7.如权利要求1所述的高压集成芯片，其特征在于，所述静电泄放电路包括第一二极管、第二二极管及第一电阻，所述第一二极管的阳极与所述前端开关电路及所述第一电阻的一端互连，所述第一二极管的阴极与所述电源端连接，所述第一电阻的另一端与所述功率驱动电路连接；
所述第二二极管的阴极与所述第一电阻及所述功率驱动电路的公共端连接，所述第二二极管的阳极接地。
8.如权利要求1至7任意一项所述的高压集成芯片，其特征在于，所述控制信号输入端的数量为多个；
每一所述控制信号输入端对应设置有一所述前端开关电路和一所述静电泄放电路。
9.一种智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括逆变功率电路及如权利要求1至8任意一项所述的高压集成芯片；
所述高压集成芯片中的功率驱动电路与所述逆变功率电路连接。
10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的高压集成芯片；
和/或，包括如权利要求9所述的智能功率模块。
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