CN100511757C - 电光学装置、其制造方法及电子仪器 - Google Patents

电光学装置、其制造方法及电子仪器 Download PDF

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Abstract

本发明提供使用可简易地制造的白色发光元件的电光学装置。该电光学装置AA具有：形成用白色发光的OLED元件的第3层(30)；位于其下部、形成具备微分相膜的反射型滤色片的第2层(20)；位于第3层(30)的上部、具备透射型滤色片的第4层(40)和形成用于驱动OLED元件的晶体管的第1层(10)。由于微分相膜可以由喷墨法形成，所以可以简易地制造。

Description

电光学装置、其制造方法及电子仪器
技术领域
本发明涉及可彩色显示的电光学装置、其制造方法及电子仪器。
背景技术
作为代替液晶显示装置的图像显示装置，其具备有机发光二极管元件(以下称为OLED元件)的装置倍受关注。OLED(Organic Light EmittingDiode)元件与改变光的透射量的液晶元件不同，是其自体发光的电流驱动型的自发光元件。
近年，趋向于大画面化，这一点即使是用OLED元件的图像显示装置也是一样的。用掩模真空蒸镀法制造该装置的情况下，存在起因于掩模翘曲等而不能制作正确的配线图案的问题。非专利文献1公开了通过将白色的OLED元件和微空腔组合起来并使用滤色片来代替掩模蒸镀从而实现彩色显示的技术。
【非专利文献1】Mitsuhiro Kashiwabara以外13名，“用微空腔的基于白色发光的AM—OLED显示装置(AdobancedAM-OLED Display Basedon Emitter with Microcavity Structure)”，SID论丛摘要·技术论文(SIDSymposium Digest of Technical Papers)，(美国)，信息显示学会(Society for Information Display)，2004年5月，第35卷，第2号，p.1017—1019(参照Figure 1)
但是，由于微空腔的波长特性由其光程长度等来决定，为了得到与RGB各色对应的特性，需要精密地控制像素电极的膜厚，所以存在制造工序复杂的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明拟解决的课题在于，提供使用了可简易地制造的白色发光元件的电光学装置、其制造方法及电子仪器。
为了解决上述课题，本发明的电光学装置具备：形成白色发光元件的发光层，和位于上述发光层的一侧、并形成了反射型滤色片的反射滤色层，上述反射滤色层具备微分相膜。根据本发明，由于由发光层发光的光由反射型滤色片反射，所以可以显示彩色。此时，由于不必精密控制微空腔那样的膜厚，所以可以简易地构成。
优选上述电光学装置位于上述发光层的另一侧、并具备形成了透射型滤色片的透射滤色层。根据本发明，由于将发光层夹在反射滤色层和透过滤色层之间，所以可以进一步提高色的纯度，同时可以提高效率。
这里，优选上述反射滤色层备有微分相膜。另外，优选上述反射滤色层具备隔开区域的贮格围堰(bank)部、和在由上述贮格围堰部隔开的各区域中形成的微分相膜。更具体地说，优选上述微分相膜，由互不相溶性的折射率不同的2种以上的聚合物的相构成，上述反射滤色层的由上述贮格围堰部隔开的区域，被区分为入射白色光时反射R色光的R反射区域、入射白色光时反射G色光的G反射区域、以及入射白色光时反射B色光的B反射区域，在上述R反射区域、上述G反射区域和上述B反射区域中，由上述微分相膜的各相构成的晶格间隔互相不同。
微分相膜中的反射光的波长特性，由构成其的各相的晶格间隔来决定，在本发明中，由于R反射区域、G反射区域、B反射区域的晶格间隔不同，所以可以得到希望的反射特性。换句话说，只要以与R色、G色、B色分别对应的方式设定微分相膜的晶格间隔即可。
另外，优选上述电光学装置具备：从上述反射滤色层看、在与位于上述发光层的面相反侧的面上形成、并形成了用于驱动上述发光元件的晶体管的元件层，上述反射滤色层具有绝缘性，而且形成用于连接上述晶体管和上述发光元件的接触孔。此时，由于可以在反射层的下部配置晶体管，所以可以有效地利用空间，可提高开口率。
这里，上述接触孔也可以在上述贮格围堰部上形成，或者也可以在上述微分相膜上形成。由于微分相膜反射光，所以工艺过程复杂，但如果在贮格围堰部上形成接触孔，可以使工艺过程简单。
另外，优选上述发光元件具备透明的阳极、透明的阴极及由空穴和电子的结合而发光的功能层。例如，可以包括有机发光二极管及无机发光二极管。
接着，本发明的电子仪器以具备上述电光学装置作为特征，包括移动电话机、个人计算机、携带信息终端或电子摄像机。
以下，本发明的电光学装置的制造方法，其特征在于，具备：在基板上形成含有晶体管的元件层的第1工序；在上述元件层的上方形成贮格围堰部的第2工序；将由互不相溶性的折射率不同的2种以上的聚合物构成的液体材料喷到由上述贮格围堰部隔开的各区域内、形成微分相膜的第3工序；和在由上述第2工序及上述第3工序形成的反射滤色层的上方形成含有发光元件的发光层的第4工序。根据该发明，由于可以由喷出法形成微分相膜，所以装置构成显著简易，装置价格也特别便宜。由于由喷出法使用液状材料的装置可以在大气压的气氛下制造膜，所以与在减压气氛下进行成膜的CVD装置等的成膜装置相比较，因生产率高、维修简单而可以提高装置的机动性。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的电光学装置的构成的方框图。
图2是表示该装置中的像素电路的构成的电路图。
图3是模式地表示该装置中使用的电光学面板的结构的剖面图。
图4是模式地表示微分相膜的结构的立体图。
图5是表示该面板的详细的结构的剖面图。
图6是表示该面板的制造工序的工序图。
图7是表示该面板的制造工序的工序图。
图8是表示该面板的制造工序的工序图。
图9是表示该面板的另一构成例的剖面图。
图10是表示该面板的另一构成例的剖面图。
图11是表示使用该电光学装置的个人计算机的构成的立体图。
图12是表示使用该电光学装置的移动电话机的构成的立体图。
图13是表示使用该电光学装置的便携式信息终端的构成的立体图。图中：1—电光学装置，AA—电光学面板，K—基板，10—第1层(元件层)，20—第2层(反射滤色层)，21—贮格围堰部，20r—R反射区域，20g—G反射区域，20b—B反射区域，30—第3层(发光层)，40—第4层(透射滤色层)，40r—R透射区域，40g—G透射区域，40b—B透射区域，101—扫描线，103—数据线，P—像素电路。
具体实施方式
(1.电光学装置)
图1是表示本发明的电光学装置的概略构成的方框图。电光学装置1具备电光学面板AA和外部电路。在电光学面板AA中形成像素区域A、扫描线驱动电路100及数据线驱动电路200。其中，在像素区域A中与X方向平行地形成m根扫描线101。另外，与正交于X方向的Y方向平行地形成3n根数据线103。而且，与扫描线101和数据线103的各交叉相对应分别设有像素电路P。
像素电路P含有OLED元件。本例的OLED元件的发光色是白色。但是，从像素中取出的色是R色、B色及G色。图中所示的“R”、“G”及“B”的符号表示各像素的发光色。该例中，沿数据线103排列着各色的像素电路P。由于OLED元件以白色发光，所以不必以一个一个的电源供给RGB各色的像素电路P。因此，借助于共同的电源线L将电源电压Vdd供给各像素电路P。
扫描线驱动电路100生成用于顺次选择多根扫描线101的扫描信号Y1、Y2、Y3、…，分别供给各像素电路P。扫描信号Y1是从1个垂直扫描期间(1F)的最初的定时起与1个水平扫描期间(1H)相当的宽度的脉冲，被供给第1行扫描线101。以后，顺次移动该脉冲，作为扫描信号Y2、Y3、…、Ym分别供给第2、3、…m行的扫描线101。通常，供给第i(i是满足1≤i≤m的整数)行的扫描线101的扫描信号Yi成为H电平时，表示选择该扫描线101。
数据线驱动电路200相对于各个位于被选择的扫描线101的像素电路P供给灰度信号Xr1、Xg1、Xb1、Xr2、Xg2、Xb2、…、Xrn、Xgn、Xbn。在该例中，灰度信号Xr1～Xbn作为指示灰度亮度的电压信号而被赋予。另外，在以下的说明中，分别表示下标“r”与R色相对应、“g”与G色相对应、“b”与B色相对应。
控制电路300生成各种控制信号并将其输出到扫描线驱动电路100及数据线驱动电路200中。Y传送开始脉冲DY是表示垂直方向的扫描开始的脉冲，扫描线驱动电路100顺次传送Y传送开始脉冲DY而生成扫描信号Y1、Y2、Y3、…、Ym。Y时钟信号YCLK是成为垂直扫描的时间基准的信号。另一方面，X传送开始脉冲DX是表示水平方向扫描开始的脉冲，数据线驱动电路100顺次传送X传送开始脉冲DX，生成将灰度信号Xr1、Xg1、Xb1、Xr2、Xg2、Xb2、…、Xrn、Xgn、Xbn输出到数据线103中的指定定时的定时信号，用其而将灰度信号输出到数据线103中。X时钟信号XCLK是成为水平扫描的时间基准的信号。另外，控制电路300对输入图像数据Din实施灰度系数补正等的处理，生成输出图像数据Dout，输出到数据线驱动电路200中。
以下，说明像素电路P。在图2中表示像素电路P的电路图。该图所示的像素电路P与第i行对应，被供给电源电压Vdd。像素电路P具备2个薄膜晶体管(Thin Film Transistor、以下省略为“TFT”)110及120、电容元件130和OLED元件35。其中，p沟道型的TFT110的源电极与电源线L连接的一方，其漏电极与OLED元件35的阳极连接。另外，在TFT110的源电极和栅电极之间设有电容元件130。TFT120的栅电极与扫描线101连接，其源电极与数据线103连接，其漏电极与TFT110的栅电极连接。
在这样的构成中，扫描信号Yi成为H电平时，由于n沟道型TFT120成为接通状态，所以连接点Z的电压与电压Vdata相等。此时，在电容元件130中积蓄与Vdd-Vdata相当的电荷。然后，扫描信号Yi成为L电平时，TFT120成为断开状态。由于TFT110的栅电极中的输入阻抗极高，所以电容元件130中的电荷的积蓄状态不变。TFT110的栅·源之间的电压保持为施加电压Vdata时的电压(Vddr-Vdata)。由于OLED元件35中流过的电流Ioled由TFT110的栅源之间的电压决定，所以流过与电压Vdata对应的电流Ioled。
以下，说明电光学面板AA的结构。图3模式地表示电光学面板AA的剖面。电光学面板AA具备基板K、第1层10、第2层20、第3层30及第4层40。在第1层10上形成上述的TFT110、TFT120及电容元件130等。在第2层20上构成反射型滤色片。该反射型滤色片具备反射R色的R反射区域20r、反射G色的G反射区域20g、反射B色的B反射区域20b。这些反射区域20r、20g、20b由微分相膜构成。微分相膜由互不相溶性的折射率不同的2种以上的聚合物的相构成，同时具有反射规定波长的光的功能和绝缘功能。
图4模式地表示微分相膜的结构。微分相膜由物质相M1和物质相M2构成。各物质相M1、M2由具有互不相溶性的物质构成，分别适宜使用高分子结构体(聚合物)。例如，通过混合含有第1重复单元(第1块)和第2重复单元(第2块)的上述嵌段共聚物的由该第1或者该第2重复单元的任一方的重复单元构成的共聚物(高分子结构体)可以得到该分相结构，通过适宜选择嵌段共聚物的种类和共聚物的量等，可以设定分相结构的各相的大小或者间隔。换句话说，只要与希望的显色相对应选择嵌段共聚物的种类和共聚物的量等即可。
作为适宜的嵌段共聚物，例如有由聚苯乙烯和聚异戊二烯构成的嵌段共聚物或、由聚(2—乙烯基吡啶)和聚异戊二烯构成的嵌段共聚物等。另外，可以举出由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚异戊二烯或者聚丁二烯构成的嵌段共聚物等。其中，优选相对于使用的溶剂具备高的溶解性的嵌段共聚物及共聚物。
另外，在作为嵌段共聚物或者接枝共聚物的具体例中，作为含有芳香环的聚合物链，例如有乙烯基萘、苯乙烯或者从它们的衍生物中选择的至少1种单体聚合的聚合物链；作为丙烯酸系聚合物链，例如可以使用聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚叔丁基丙烯酸甲酯等、丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸或者从它们的衍生物中选择的至少1种单体聚合的聚合物链。作为聚醚链，可以是聚氧化乙烯、聚氧化丙烯等的聚环氧烷链。作为聚硅烷链，可以是聚二丁基硅烷等的二烷基聚硅烷衍生物等。
另外，作为上述嵌段共聚物或者上述接枝共聚物中的块链的组合的具体例可以举出下示的例。例如是，聚苯乙烯链+聚甲基丙烯酸甲酯链、聚苯乙烯链+聚丙烯酸链、聚苯乙烯链+聚氧化乙烯链、聚苯乙烯链+聚氧化丙烯链、聚苯乙烯链+聚苯甲基硅烷链、聚苯乙烯链+聚二丁基硅烷链、聚乙烯基萘链+聚甲基丙烯酸甲酯链、聚乙烯基萘链+聚丙烯酸链、聚乙烯基萘链+聚氧化乙烯链、聚乙烯基萘链+聚氧化丙烯链、聚乙烯基萘链+聚苯甲基硅烷链、聚乙烯基萘链+聚二丁基硅烷链等。
具备具有分相结构的膜3的元件基板，例如用下述的方法形成。首先，在嵌段共聚物中混合与构成该嵌段共聚物的各块链(聚合物链)的一方具有相溶性的共聚物。通过将混合生成的液状材料L1加热至嵌段共聚物的体系的“有序—无序的转变温度(TODT)”以上的温度而熔化、或者溶解于共同的溶剂中，形成完全混合的无序混合状态的液状材料L2。
通过将加热后的液状材料L2的温度降至TODT或其以下或者蒸发溶剂，形成秩序整齐的结构，形成晶格间隔在100nm以上的由各聚合物相(块链相)构成的微分相结构。根据上述的方法，通过调整混入的共聚物的量可以控制晶格间隔，使用相同的嵌段共聚物可以改变分相结构体主要反射的光的波长区域。此外，通过增加嵌段共聚物的分子量也可以使分相结构体反射的波长区域的控制宽度扩展。即，微分相膜的反射波长依存于构成它的各相的晶格间隔。使用R反射区域20r、G反射区域20g及B反射区域20b的微分相膜，以晶格间隔及波长区域可以分别反射R色、G色及B色那样的方式进行调整。
返回图3进行说明。在第3层30上形成以白色发光的OLED元件35，在第4层40上形成透射型滤色片。透射型滤色片具备透射R色的R透射区域40r、透射G色的G透射区域40g、透射B色的B透射区域40b。
在以上的构成中，例如，位于夹在G反射区域20g和G透射区域40g之间的第3层30上的OLED元件35以白色发光时，向下方向的光被G反射区域20g反射，成为G色的反射光而从G透射区域40g射出。另外，向上方向的光通过G透射区域40g，作为G色的光射出。这一点对于R色及B色也是一样的。
图5是表示电光学面板AA的详细的结构的剖面图。TFT110借助于以SiO2作为主体的基底保护层11设在基板K的表面上。另外，在第1层10上除了TFT110以外形成TFT120和电容元件130等。在基底保护层11的上层形成硅层111。因此，TFT110成为N沟道型的晶体管。以覆盖硅层111那样在基底保护层11的上层设栅绝缘层12。在栅绝缘层12的上面中与硅层111对向的部分上设栅电极113。借助于该栅电极113向硅层111中掺杂V族元素，形成漏区域111a及源区域111c。这里，不掺杂V族元素的区域成为沟道区域111b。第1层间绝缘层13，以覆盖栅电极113那样在栅绝缘层12的上层形成。另外，漏电极112借助于涉及栅绝缘层12及第1层间绝缘层13和第2层20开孔的接触孔与漏区域111a连接。另一方面，源电极114以夹住栅电极113的方式设在与漏电极112对向的位置上，借助于涉及栅绝缘层12及第1层间绝缘层13开孔的接触孔与源区域111c连接。
第2层20具有用贮格围堰部21隔开的R反射区域20r、G反射区域20g及B反射区域20b。各反射区域由上述的微分相膜构成。在该例中，在贮格围堰部21的下部形成TFT110。这是由于可以防止反射光以外的色的光漏掉而射入TFT110中以使TFT110误动作。另外，只要用遮光膜覆盖TFT110或者入射光的光量不存在问题，也可以在各反射区域20r、20g、20b的下部形成TFT110。
在该例中，在贮格围堰部21中形成接触孔而形成TFT110的漏电极112。为了在第1层10和第3层30之间实现电导通，需要在第2层20中形成接触孔。但是，由于微分相膜具有反射光的性质，所以在各反射区域20r、20g及20b中不容易形成接触孔。因此，在贮格围堰部21中形成接触孔而形成漏电极112。另外，只要允许制造工序复杂，也可以在各反射区域20r、20g及20b中形成接触孔。
然后，在第3层30上形成OLED元件35。OLED元件35具备阳极351、功能层352及阴极353。在第2层20的上部形成与漏电极112连接的阴极351和以跨上阴极351那样形成的无机物贮格围堰层31。再在无机物贮格围堰层31的上方，层叠有机物贮格围堰层32。成为使阴极351的周围和无机物贮格围堰层31平面地重叠的方式平面地配置的结构。另外，有机物贮格围堰层32也是同样，以与阴极351的一部分平面地重叠方式配置。另外，无机物贮格围堰层31在比有机物贮格围堰层32更接近阴极351的中央侧而形成。作为无机物贮格围堰层31适宜使用例如SiO2、TiO2等的无机材料。
优选该无机物贮格围堰层31的膜厚在50～200nm的范围内，150nm更佳。膜厚低于50nm时，无机物贮格围堰层31比后述的空穴注入/输送层352a薄，不能确保空穴注入/输送层352a的平坦性而不佳。另外，膜厚超过200nm时，由下部开口部造成的阶差变大，不能确保在空穴注入/输送层352a上层叠的后述的发光层352b的平坦性而不佳。
作为有机物贮格围堰层32适宜使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的具有耐热性和耐溶性的材料。优选该有机物贮格围堰层32的厚度在0.1～3.5μm的范围内，在2μm左右更佳。厚度低于0.1μm时，有机物贮格围堰层32比后述的空穴注入/输送层及发光层的总计的厚度薄，由于担心发光层会从上部开口部溢出而不佳。另外，厚度超过3.5μm时，由上部开口部造成的阶差增大，由于不能确保在有机物贮格围堰层32上形成的阴极353的层有效区域而不佳。
功能层352由层叠在阴极351上的空穴注入/输送层352a和与空穴注入/输送层352a的上方邻接而形成的发光层352b构成。另外，根据必要，也可以与发光层352b邻接再形成具有电子注入输送层等的功能的其它功能层。空穴注入/输送层352a具有将空穴注入发光层352b的功能，同时具有在空穴注入/输送层352a内部输送空穴的功能。通过将这样的空穴注入/输送层352a设在阴极351和发光层352b之间，可以提高发光层352b的发光效率、寿命等的元件特性。另外，在发光层352b中，从空穴注入/输送层352a注入的空穴和从阴极353注入的电子在发光层352b中再结合，产生发光。该例的发光层352b以白色的光发光。
阴极353在功能层352的全面上形成，与对向而设的阳极351形成1对，担当使电流流过功能层352的作用。作为该阴极353可以使用透明的导电材料。例如，作为构成阴极353的材料可以举出ITO、Pt、Ir、Ni、Mg、Ag或者Pd。其中，优选可用喷墨法形成的ITO。另外，在阴极353上设由密封基板37构成的密封部。以防止氧化或者防御由外力产生的破坏作为目的在阴极353的全面上形成密封部。
第4层40由黑底41隔开成晶格状，在被隔开的区域内分别形成R透射区域40r、G透射区域40g、B透射区域40b。
接着说明电光学面板AA的制造方法。
图6～图8表示电光学面板AA的制造工序。首先，如图6(A)所示，在基板K的上部形成具有绝缘性的基底保护层11。作为基板K可以使用玻璃基板、玻璃陶瓷基板、石英基板、硅基板、陶瓷基板、金属基板或者塑料基板。然后，在基底保护层11的上部形成硅层111。然后层叠栅绝缘层12。优选栅绝缘膜12的厚度例如是100nm～150nm。而且，从栅绝缘层12的上面实施掺杂处理，在硅层111上形成漏区域111a及源区域111c。再在栅绝缘层12的上部形成栅电极。
其后，如该图(B)所示，层叠第1层间绝缘层13。形成涉及栅绝缘层12及第1层间绝缘层13开孔的接触孔，以与源区域111c连接的方式形成源电极114。然后，形成贮格围堰部21，在由贮格围堰部21隔开的区域内形成由微分相膜构成的各反射区域20r、20g及20b。
如该例所示，在由贮格围堰部21隔开的区域内形成微分相膜时，优选所谓材料喷出方式的称为喷墨式的液体涂布法。在该涂布法中，将基板K真空吸引而固定在台上，用可动式的喷墨头从基板K的上部将液体材料喷到由贮格围堰部21隔开的区域内。该喷墨头具有与喷墨打印机的喷墨头同样的结构，由压电元件驱动。通过向R反射区域20r、G反射区域20g、B反射区域20b的各自分配液体材料，可以形成反射各色的微分相膜。将液体材料喷到各区域后，经过干燥工序形成微分相膜。与历来使用的利用真空过程的CVD装置等成膜装置的膜的制造法相比较，喷墨方式的装置构成显著简单，装置的价格也特别便宜。由于由液状材料L2的涂布法所使用的装置可以在大气压的气氛中制造膜，所以与在减压气氛下进行成膜的CVD装置等的成膜装置相比较，因生产率高、维修简单而可以提高装置的机动性。
然后，如图7(A)所示，对于贮格围堰部21、第1层间绝缘层13及栅绝缘层12形成接触孔，一体地形成漏电极112和OLED元件35的阳极351。然后，形成无机贮格围堰层31和有机贮格围堰层32。然后，如该图(B)所示，形成空穴注入/输送层352a，接着形成发光层352b。通过旋转涂布法和真空蒸镀法形成它们。再以覆盖全面的方式形成阴极353。对于阴极353，例如使用ITO。
然后，如图8(A)所示，在阴极353的上部粘贴密封基板37。再如该图(B)所示，使黑底41制作配线图案。对于黑底41使用碳和金属等具有遮光性的材料。而且，由喷墨法喷出使由黑底41隔开呈晶格状的R透射区域40r、G透射区域40g、B透射区域40b的各自着色的液体材料，形成滤色片。
图9表示电光学面板AA的另一种构成例。该电光学面板AA，除了在第3层30中不设有机贮格围堰层32这点外，与图4所示的电光学面板AA同样构成。由于没有有机贮格围堰层32，所以在由旋转涂布法或者真空蒸镀法形成发光层352b时难以生成凹凸。
图10表示电光学面板AA的另一种构成例。该电光学面板AA的不同点在于，在第3层30中的有机贮格围堰层32的上部设阴极351、在阴极351和密封基板37之间设密封树脂36。此时，优选功能层352用上述的喷墨法制造。
另外，形成反射型滤色片的第2层20只要在从形成OLED元件35的第3层30看与形成透射型的滤色片的第4层40相反侧形成即可。因此，也可以在基板K的下部设第2层20而在第1层10的上部设第3层30。
(2.电子仪器)
以下说明适用上述的电光学装置1的电子仪器。图11表示适用电光学装置1的可动型个人计算机的构成。个人计算机2000具备作为显示单元的电光学装置1和主体部2010。在主体部2010中设电源开关2001及键盘2002。由于该电光学装置1使用OLED元件35，所以可以显示视场角宽、稳定的画面。
图12表示适用了电光学装置1的移动电话机的构成。移动电话机3000具备多个操作按钮3001及滚动按钮3002以及作为显示单元的电光学装置1。通过操作滚动(scroll)按钮3002，可以滚动电光学装置1显示的画面。
图13表示适用了电光学装置1的信息携带终端(PDA：Personal DigitalAssistants)的构成。信息携带终端4000具备多个操作按钮4001及电源开关4002以及作为显示单元的电光学装置1。操作电源开关4002时，所谓通讯录和清单的各种信息可以显示在电光学装置1上。
另外，作为适用于电光学装置1的电子仪器除了图11～图13所示的以外，还可以举出具备数码照相机、液晶电视、探测型和监控直视型视频信号磁带记录器、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理机、工作站、可视电话、POS终端、触摸面板的机器等。而且，作为这些各种电子仪器的显示部，可适用上述电光学装置1。

Claims (9)

1.一种电光学装置，其特征在于，具备：
形成白色发光元件的发光层，和
位于上述发光层的一侧、并形成了反射型滤色片的反射滤色层，
上述反射滤色层具备微分相膜。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，还具备：
形成了透射型滤色片的透射滤色层，
上述发光层配置在上述透射滤色层和上述反射滤色层之间。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，
上述微分相膜的晶格间隔为100nm以上。
4.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，
上述反射滤色层具备：
隔开区域的贮格围堰部，和
在由上述贮格围堰部隔开的各区域中形成的微分相膜。
5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于，
上述微分相膜，由互不相溶性的折射率不同的2种以上的聚合物的相构成，
上述反射滤色层的由上述贮格围堰部隔开的区域，被区分为入射白色光时反射R色光的R反射区域、入射白色光时反射G色光的G反射区域、以及入射白色光时反射B色光的B反射区域，
在上述R反射区域、上述G反射区域、和上述B反射区域中，由上述微分相膜的各相构成的晶格间隔互相不同。
6.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于，
具备从上述反射滤色层看，在与位于上述发光层的面相反侧的面上形成、并形成了用于驱动上述发光元件的晶体管的元件层，
上述反射滤色层具有绝缘性，而且形成用于连接上述晶体管和上述发光元件的接触孔。
7.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，上述接触孔在上述贮格围堰部上形成。
8.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，上述接触孔在上述微分相膜上形成。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的电光学装置，其特征在于，上述发光元件具备透明的阳极、透明的阴极、及由空穴和电子的结合而发光的功能层。
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