CN100505536C - 声波滤波器和声波双工器 - Google Patents

声波滤波器和声波双工器 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种声波滤波器和声波双工器。该声波滤波器包括：梯型滤波器，具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器；电感器，设置在地与所述梯型滤波器的并联支路谐振器中的至少一个之间；以及谐振电路，与电感器并联设置，并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间。在该声波滤波器中，谐振电路的谐振频率表示为：2f0-150MHz＜fr＜2f0+150MHz或3f0-150MHz＜fr＜3f0+150MHz，其中，fr表示谐振频率，而f0表示梯型滤波器的通带频率。由此构成的声波滤波器能够限制通带附近的衰减的减小，并且可以增大高频下的衰减。

Description

声波滤波器和声波双工器
技术领域
本发明总体上涉及声波滤波器和声波双工器，更具体地，涉及包括具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器的梯型滤波器的声波滤波器，和使用该声波滤波器的声波双工器。
背景技术
随着移动通信系统的发展，近来，便携式电话装置和移动信息终端已经迅速普及。对于便携式电话装置，使用了诸如800MHz到1.0GHz频带和1.5GHz到2.0GHz频带的高频带。在这些移动通信系统中采用了高频滤波器和使用高频滤波器的天线双工器。
高频滤波器的例子包括梯型滤波器，该梯型滤波器具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器，并充任具有预定通带的带通滤波器。在梯型滤波器中可以使用的声波谐振器，可以是具有优异形状因数(shapefactor)的量少且质轻的表面声波(SAW)谐振器，或者是在高频下表现出优异特性并且可以在尺寸上做得很小的膜体声学谐振器(FBAR)。
期望作为带通滤波器的梯型滤波器实现大的阻带衰减。日本特开No.2004-7250公开了一种通过将电感器串联连接到并联支路谐振器来增加阻带衰减的技术(现有技术1)。日本特开平No.10-163808公开了一种通过相互连接并联支路谐振器并将衰减极点串联连接到并联支路谐振器来增大阻带衰减的技术(现有技术2)。
然而，在现有技术中，难于同时获得通带附近的希望阻带衰减和高频下的希望衰减。例如，在天线双工器的发送滤波器中，通带附近的衰减对于衰减接收信号是必要的。而且，高频下的衰减对于衰减发送频率的二次谐波和三次谐波是必要的。
对现有技术1的声波滤波器的衰减特性进行了计算。图1A和1B示出了用于计算的声波滤波器的电路结构。图1A例示了现有技术1，而图1B例示了对比示例。如图1A所示，在现有技术1中，在输入端子Tin与输出端子Tout之间，串联连接了串联支路谐振器S1、S2、S3以及S4，并且并联连接了并联支路谐振器P1和P2。利用这种结构形成了梯型滤波器。电感器L01和L02分别串联连接到并联支路谐振器P1和P2。电感器L01和L02在封装中接地。电感器L01和L02的电感分别是1.0nH和0.3nH，而梯型滤波器的通带频率(f0)是824MHz到849MHz。
如图1B所示，梯型滤波器的与图1A中所示相同的并联支路谐振器P1和P2在芯片上相互连接，并串联连接到公共电感器L01。电感器L01的电感是1.0nH，而通带频率(f0)是824MHz到849MHz。
图2A和2B示出了现有技术1和对比示例的滤波器的相对于频率的衰减。图2A示出了通带附近的衰减，而图2B示出了0GHz到3GHz下的衰减。在图2A和2B所示的每一个曲线图中，现有技术1由实线表示，而对比示例由虚线表示。如图2B所示，现有技术1在大约1.2GHz和更高的频率下与对比示例相比表现出更大的衰减。然而，如图2A所示，现有技术1在870MHz到960MHz的通带附近与对比示例相比表现出更小的衰减。
接下来，对现有技术2的声波滤波器的衰减特性进行了计算。图3例示了用于计算的声波滤波器的电路结构。如图3所示，梯型滤波器的与图1A所示现有技术1中相同的并联支路谐振器P1和P2相互连接。由电感器L01、电容器C3以及电感器L3形成的并联谐振电路连接到并联支路谐振器P1和P2，并且该并联谐振电路接地。电感器L01和L3的电感和电容器C3的电容分别是1nH、2nH和5pF。通带频率(f0)是824MHz到849MHz。
图4A和图4B示出了现有技术2和对比示例的滤波器的相对于频率的衰减。图4A示出了通带附近的衰减，而图4B示出了0GHz到3GHz下的衰减。在图4A和4B所示的每一个曲线图中，现有技术2由实线表示，而对比示例由虚线表示。如图4A所示，现有技术2在865MHz到870MHz下与对比示例相比表现出更大的衰减，并且如图4B所示，现有技术2在2.1GHz和更高的频率下与对比示例相比表现出更大的衰减。然而，如图4A所示，现有技术2在870MHz到960MHz的通带附近与对比示例相比表现出更小的衰减。
如上所述，在现有技术1和现有技术2中，不能同时获得通带附近的希望阻带衰减和高频下的希望衰减。如果高频下的衰减增加，则通带附近的衰减将减小。
发明内容
因此，本发明的目的是，提供一种其中消除了上述缺点的声波滤波器和声波双工器。
本发明的更具体的目的是，提供这样的声波滤波器和声波双工器，即，其可以限制通带附近的衰减的减小，并且可以增大高频下的衰减。
根据本发明的一个方面，提供了一种声波滤波器，其包括：梯型滤波器，具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器；电感器，设置在地与所述梯型滤波器的并联支路谐振器中的至少一个之间；以及谐振电路，与电感器并联设置，并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间，该谐振电路的谐振频率表示为：2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz或3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz，其中，fr表示谐振频率，而f0表示梯型滤波器的通带频率。该谐振电路在等于通带频率的二次谐波或三次谐波的高频下可以具有衰减极点，并且串联连接在并联支路谐振器与地之间。由此构成的声波滤波器能够限制通带附近的衰减的减小，并且可以增大等于通带频率的二次谐波或三次谐波的高频下的衰减。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，将更加清楚本发明的其他目的、特征以及优点，其中：
图1A例示了现有技术1的声波滤波器的电路结构；
图1B例示了对比示例的声波滤波器的电路结构；
图2A和2B示出了现有技术1和对比示例的声波滤波器的相对于频率的衰减：图2A示出了通带附近的衰减；而图2B示出了0GHz到3GHz下的衰减；
图3例示了现有技术2的声波滤波器的电路结构；
图4A和4B示出了现有技术2和对比示例的声波滤波器的相对于频率的衰减：图4A示出了通带附近的衰减；而图4B示出了0GHz到3GHz下的衰减；
图5例示了根据本发明第一实施例的声波滤波器的电路结构；
图6示出了根据第一实施例的声波滤波器的谐振电路；
图7是根据第一实施例的声波滤波器的示意图；
图8A和8B示出了第一实施例和对比示例的声波滤波器的相对于频率的衰减：图8A示出了通带附近的衰减；而图8B示出了0GHz到3GHz下的衰减；
图9是根据本发明第二实施例的声波滤波器的示意图；
图10A是根据第二实施例的已封装声波滤波器的立体图(未示出封帽)；
图10B是已封装声波滤波器的地延伸部的横截面视图；
图10C是已封装声波滤波器的顶视图；
图11是根据本发明第三实施例的声波滤波器的示意图；
图12是根据第三实施例的安装在封装中的声波滤波器的顶视图(未示出封帽)；
图13是根据本发明第四实施例的声波滤波器的示意图；
图14A是根据第四实施例的安装在封装中的声波滤波器的立体图(未示出封帽)；
图14B是已封装声波滤波器的地延伸部的横截面视图；
图14C是已封装声波滤波器的顶视图；
图15是根据本发明第五实施例的声波双工器的示意图；
图16是根据第五实施例的安装在封装中的声波双工器的顶视图(未示出封帽)；以及
图17是根据第五实施例的变型例的安装在封装中的声波双工器的顶视图(未示出封帽)。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施例进行说明。
[第一实施例]
图5示出了根据第一实施例的声波滤波器的电路结构。串联支路谐振器S1、S2以及S3串联连接在输入端子Tin与输出端子Tout之间。并联支路谐振器P1并联连接在串联支路谐振器S1和S2之间，而并联支路谐振器P2并联连接在串联支路谐振器S2和S3之间。利用该结构，由谐振器S1、S2、S3、P1以及P2形成了梯型滤波器21。谐振器S1、S2、S3、P1以及P2都是表面声波谐振器。
并联支路谐振器P1经由地布线(或者引线)的电感器L01接地。并联支路谐振器P2经由地布线(或者引线)的电感器L02、由电感器L1和电容器C1形成的串联谐振电路LC1、以及由电感器L2和电容器C2形成的串联谐振电路LC2接地。电感器L02、串联谐振电路LC1、以及串联谐振电路LC2并联设置。电感器L02设置在并联支路谐振器P2与地之间。谐振电路LC1和LC2被与电感器L02并联设置，并且设置在并联支路谐振器P2与地之间。
梯型滤波器具有824MHz到849MHz的通带频率(f0)。在谐振电路LC1中，电感器L1和电容器C1分别是4nH和2.5pF。在谐振电路LC2中，电感器L2和电容器C2分别是1.95nH和2pF。在串联谐振电路中，衰减极点形成在
Figure C200610082658D00081
处。因此，衰减极点在谐振电路LC1中形成在1693MHz处，而在谐振电路LC2中形成在2451MHz处。1693MHz和2451MHz的频率位于通带频率的二次谐波和三次谐波附近。
图6例示了谐振电路的结构。尽管在第一实施例中形成了两个谐振电路LC1和LC2，但是在图6中仅示出了一个谐振电路。在芯片10上，在信号焊盘16与地焊盘18之间串联形成有电感器12(为螺旋线圈)和MIM电容器14。至少电容器C1和C2或者电感器L1和L2被设计为形成在芯片上的集总常数型(lumped constant type)的，使得可以按高精度实现高电感和电容。例如，芯片10可以是石英基板、玻璃基板或者硅基板。例如，焊盘16和18以及电感器12的电极和电容器14的电极可以由铝制成。
图7是根据第一实施例的滤波器的示意图。其上形成有梯型滤波器21的芯片20和其上形成有谐振电路的芯片10，都安装到封装30上。梯型滤波器21包括表面声波谐振器，并且具有与图5中所示结构相同的结构。在芯片10上形成有由电感器L1和电容器C1形成的谐振电路LC1以及由电感器L2和电容器C2形成的谐振电路LC2。谐振电路LC1的电感器L1和谐振电路LC2的电感器L2连接到梯型滤波器21的并联支路谐振器P2。地焊盘18a和18b分别连接到谐振电路LC1的电容器C1和谐振电路LC2的电容器C2，以将电容器C1和C2接地。
图8A和8B示出了相对于第一实施例的声波滤波器的频率和图1B中所示对比示例的声波滤波器的频率的衰减。图8A示出了通带附近的衰减，而图8B示出了0GHz到3GHz下的衰减。如图8A所示，第一实施例和对比示例在870MHz到960MHz下表现出大体上相同的衰减。该频率范围与在把每个滤波器都用作天线双工器的发送滤波器的情况下的接收信号的频率范围相匹配。而且，在通带中插入损耗不会增大。另一方面，图8B示出了1693MHz和2451MHz处的大衰减，这些对应于通带频率的二次谐波和三次谐波。
如上所述，在把第一实施例的滤波器用作天线双工器的发送滤波器的情况下，可以防止与接收信号相对应的通带附近的衰减减小。而且，每个谐振电路的衰减极点都设置在通带频率的两倍或三倍处，使得可以增大与发送信号的二次谐波和三次谐波相对应的高频处的衰减。
在谐振电路LC1的谐振频率被设置为fr而通带频率是f0的情况下，通过满足关系：2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz，可以使通带频率的二次谐波附近的衰减大于对比示例的衰减。这里，f0是通带频率的范围。因此，在最小通带频率是f0min而最大通带频率是f0max的情况下，满足以下关系：2f0min-150MHz<fr<2f0max+150MHz。
类似地，在谐振电路LC2的谐振频率被设置为fr而通带频率是f0的情况下，通过满足关系：3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz，可以使三次谐波附近的衰减大于对比示例的衰减。因此，在最小通带频率是f0min而最大通带频率是f0max的情况下，满足以下关系：3f0min-150MHz<fr<3f0max+150MHz。
为了增大二次谐波和三次谐波附近的衰减，优选的是，满足关系：2f0-100MHz<fr<2f0+100MHz和3f0-100MHz<fr<3f0+100MHz。为了进一步增大二次谐波和三次谐波附近的衰减，更优选的是，满足关系：2f0-50MHz<fr<2f0+50MHz和3f0-50MHz<fr<3f0+50MHz。
而且，由于在第一实施例中，将谐振电路LC1和LC2形成在同一芯片10上，所以可以减小安装面积。
[第二实施例]
本发明的第二实施例是其中串联谐振电路连接到并联支路谐振器P1和P2中的每一个的结构。图9是根据第二实施例的声波滤波器的示意图。第二实施例不同于第一实施例之处在于，谐振电路LC1和LC2分别连接到并联支路谐振器P1和P2，而且电感器L1和电容器C1的位置颠倒了。在该结构中，电容器C1连接到并联支路谐振器P1，而电感器L1连接到地焊盘18a。电感器L2和电容器C2按与电感器L1和电容器C1相同的方式设置。该结构的其他方面与第一实施例中的相同，因此，在此省略了对它们的说明。电感器L1和L2的电感、电容器C1和C2的电容也与第一实施例中的相同。
图10A到10C例示了安装到封装30上的第二实施例的声波滤波器(未示出封帽)。图10A是声波滤波器的立体图(未示出芯片10)，图10B是地延伸部的横截面视图，而图10C是声波滤波器的顶视图。如图10A所示，芯片20安装到封装30上，并且芯片20和封装30由引线38连接。如图10B所示，封装30由陶瓷部32形成，并且引线38引线接合(wire-bonded)到引线接合部35。芯片20贴装(die-bonded)到贴装部34，并且通过经由地布线36连接到外部而接地。
如图10C所示，谐振器S1、S2、S3、P1以及P2构成梯型滤波器21。其上形成有梯型滤波器21的芯片20和其上形成有谐振电路LC1和LC2的芯片10，贴装到封装30的贴装部34上。串联支路谐振器S1由引线38连接到引线焊盘部35a，并且连接到输入端子。串联支路谐振器S3由引线38连接到引线焊盘部35b，并且连接到输出端子。并联支路谐振器P1和P2分别由引线38a和38b连接到引线接合部35c和35d，并由此接地。引线38a和38b等同于图9中所示的电感器L01和L02。并联支路谐振器P1和P2还由引线38c和38d连接到谐振电路LC1和LC2的电容器C1和C2。谐振电路LC1和LC2的电感器L1和L2由引线38连接到引线接合部35c和35d，并由此接地。
和第二实施例相同，与二次谐波相对应的谐振电路LC1和与三次谐波相对应的谐振电路LC2分别可以连接到并联支路谐振器P1和P2。同样，和第二实施例相同，电感器L1和电容器C1的位置可以与第一实施例中的相颠倒。在上述任何一种情况中，都可以实现与第一实施例中相同的效果。
对于期望使通带频率的二次谐波或三次谐波衰减的情况，可以设置频率与通带频率的二次谐波或者三次谐波相对应的仅一个谐振电路。在这种情况下，仅在与二次谐波或三次谐波相对应的频率附近实现衰减。然而，可以使安装面积变小。
对于具有三个或更多个并联支路的梯型滤波器的情况，通过在地与至少一个并联支路谐振器之间设置与二次谐波和三次谐波相对应的谐振电路中的至少一个，可以实现与上述相同的效果。
[第三实施例]
本发明的第三实施例是其中谐振电路的电容器是声波谐振器的结构。图11例示了根据第三实施例的声波滤波器的结构。第三实施例不同于第二实施例之处在于，采用声波谐振器22a和22b代替了谐振电路LC1和LC2的电容器C1和C2。而且，在第三实施例中，谐振电路LC1和LC2连接到并联支路谐振器P1。该结构的其他方面与第二实施例中的相同，因此，在此省略了对它们的说明。声波谐振器22a和22b的电容与第一实施例的电容器C1和C2的电容相同。而且，电感器L1和L2的电感与第一实施例中的相同。
图12是安装在封装中的第三实施例的声波滤波器的顶视图(未示出封帽)。连接到并联支路谐振器P1的声波谐振器22a和22b，形成在其上形成有梯型滤波器21的芯片20上。电感器L1和L2形成在芯片10上。串联支路谐振器S1由引线38连接到引线接合部35a，并由此连接到输入端子。串联支路谐振器S3由引线38连接到引线接合部35b，并由此连接到输出端子。并联支路谐振器P1和P2由引线38a和38b连接到引线接合部35d和35e，并由此接地。引线38a和38b等同于图11中所示的L01和L02。并联支路谐振器P1和P2还由引线38c和38d连接到谐振电路的电感器L1和L2。谐振电路的电感器L1和L2连接到引线接合部35c和35d，并由此接地。
对于如在第三实施例中，把形成在其上形成有梯型滤波器21的芯片20上的声波谐振器22a和22b用作谐振电路LC1和LC2的电容器的情况，可以实现与第一和第二实施例相同的效果。
[第四实施例]
本发明的第四实施例是其中将地布线图案用作谐振电路的电感器的结构。图13例示了根据第四实施例的声波滤波器的结构。第四实施例不同于第一实施例之处在于，使用形成在芯片20上的地布线图案24a和24b代替了谐振电路的电感器L1和L2。而且，芯片20被利用凸点(bump)39面向下安装到封装30上。该结构的其他方面与第一实施例的相同，因此，在此省略了对它们的说明。地布线图案24a和24b的电感与第一实施例的电感器L1和L2的电感相同。电容器C1和C2的电容也与第一实施例中的相同。
图14A到14C例示了安装在封装中的第四实施例的声波滤波器(未示出封帽)。图14A是声波滤波器的立体图，图14B是地延伸部的横截面视图，而图14C是声波滤波器的顶视图。如图14A和14B所示，芯片10和芯片20被利用凸点39面向下安装到封装30上。梯型滤波器21和包括电感器24a和24b的电感器单元24设置在芯片20上。包括电容器C1和C2的电容器单元14设置在芯片10上。因为这些单元形成在芯片10和20的贴装部34侧，所以在图14C中用虚线表示它们。
芯片表面上的端子经由凸点39连接到形成在贴装部34上的布线40。每条布线40都经由贴装部34上的通孔42连接到输入/输出端子或地。
对于如第四实施例中把形成在其上形成有梯型滤波器的声波谐振器的芯片20上的地布线图案24a和24b用作谐振电路的电感器的情况，可以实现与第一、第二以及第三实施例相同的效果。
如上所述，对于如第四实施例中利用凸点39把芯片安装(面向下安装)到封装30上的情况，可以实现与在如第一到第三实施例中通过引线接合法把芯片安装(面向上安装)到封装上的情况下所实现的相同的效果。
[第五实施例]
本发明的第五实施例是声波双工器的示例，该声波双工器是使用第一实施例的声波滤波器作为发送滤波器的天线双工器。图15例示了根据第五实施例的声波双工器的结构。梯型滤波器21a连接到发送端子Ta和天线端子TANT。由电感器L1和电容器C1形成的谐振电路LC1和由电感器L2和电容器C2形成的谐振电路LC2，设置在梯型滤波器21a的并联支路谐振器与地焊盘18a和18b之间。这样，第一实施例的声波滤波器作为发送滤波器23连接在发送端子Ta与天线端子TANT之间。接收滤波器21b(其是梯型滤波器)连接在天线端子TANT与接收端子Tb之间。使用由电感器44和地焊盘45形成的电抗电路的匹配电路46，设置在天线端子TANT与接收滤波器21b之间。
梯型滤波器21a和21b分别形成在芯片20a和20b上。尽管在图15中芯片20a和20b是分立的芯片，但是如图16所示，实际上使用了单个芯片20。然而，也可以使用如图15所示的分立的芯片。匹配电路46形成在其上形成有谐振电路LC1和LC2的芯片10上。
图16是安装在封装中的第五实施例的声波双工器的顶视图(未示出封帽)。芯片20和芯片10被利用凸点39面向下安装在封装30中。梯型滤波器21a和21b形成在芯片20上。芯片10上形成有由谐振电路LC1和LC2形成的谐振电路13，以及所述匹配电路46。因为这些组件形成在芯片20的贴装部34侧，所以在图16中用虚线表示它们。芯片表面上的端子由凸点连接到形成在贴装部34上的布线40。布线40由形成在贴装部34上的通孔连接到发送端子Ta、接收端子Tb、天线端子TANT以及地。
在根据第五实施例的声波双工器中，采用第一实施例的声波滤波器作为发送滤波器23。因此，在接收信号的频带中不会减小衰减，而对于发送信号的二次谐波和三次谐波可以增大衰减。
在第五实施例中，使用电抗电路的匹配电路46形成在其上形成有发送滤波器23的谐振电路LC1和LC2的芯片上。这样，可以减小安装面积。而且，匹配电路46还形成在其上至少形成有谐振电路LC1和LC2的电感器L1和L2或者电容器C1和C2的芯片上。因此，可以使安装面积变小。
图17是根据第五实施例的变型例的安装在封装中的声波滤波器的顶视图(未示出封帽)。在该变型例中，通过将单独的电感器54a和54b和单独的电容器52a和52b安装在贴装部34上来形成谐振电路13。该结构的其他方面与第五实施例的相同。
在第一到第四实施例中的任何一个中，至少谐振电路LC1和LC2的电容器52a和52b或者电感器54a和54b可以是如第五实施例的变型例中的单独组件。在这种情况下，可以实现与第一到第四实施例中相同的效果。
在第五实施例及其变型例中，匹配电路46设置在天线端子TANT与接收滤波器21b之间。然而，可以将匹配电路46设置在天线端子TANT与发送滤波器23之间，或者设置在天线端子TANT与发送滤波器23和接收滤波器21b两者之间。
尽管采用根据本发明的声波滤波器作为发送滤波器23，但是接收滤波器21b也可以是根据本发明的声波滤波器。然而，在发送侧尤其需要对二次谐波或三次谐波进行衰减。因此，优选的是，与第五实施例及其变型例相同，仅针对发送滤波器23采用本发明的声波滤波器，以减小安装面积。
尽管第一到第五实施例涉及使用表面声波谐振器的声波滤波器，但是对于使用膜体声学谐振器的声波滤波器，也可以实现与上述相同的效果。
最后，对上述的本发明的各个方面概括如下。
根据本发明一个方面，提供了一种声波滤波器，其包括：梯型滤波器，具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器；电感器，设置在地与梯型滤波器中的至少一个并联支路谐振器之间；以及谐振电路，与电感器并联设置，并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间，该谐振电路的谐振频率表示为：2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz或3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz，其中，fr表示谐振频率，而f0表示梯型滤波器的通带频率。该谐振电路在等于通带频率的二次谐波或三次谐波的高频处可以具有衰减极点，并且串联连接在并联支路谐振器与地之间。由此构成的声波滤波器能够限制通带附近的衰减的减小，并且可以增大等于通带频率的二次谐波或三次谐波的高频处的衰减。
所述声波滤波器可以具有两个谐振电路，其中，所述两个谐振电路中的一个的谐振频率fr表示为：2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz，而所述两个谐振电路中的另一个的谐振频率fr表示为：3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz。由此可以提供这样一种声波滤波器，即，其可以增大等于通带频率的二次谐波和三次谐波的高频处的衰减。
所述谐振电路包括电容器和电感器，并且可以由电容器和电感器容易地形成。
所述谐振电路的电容器和电感器中的至少一个可以是集总常数型的，并可形成在芯片上。因而，可以按高精度形成高电感和电容，并且可以使安装面积变小。
所述谐振电路的电容器和电感器中的至少一个可以是单独的组件。所述谐振电路的电容器可由形成在梯型滤波器形成于其上的芯片上的声波滤波器形成。所述谐振电路的电感器可以是形成在梯型滤波器形成于其上的芯片上的地布线图案。形成梯型滤波器的声波谐振器可以是表面声波滤波器或膜体声学谐振器。
根据本发明的另一方面，提供了一种声波双工器，其包括：发送滤波器，由声波滤波器形成，并且连接到天线端子和发送端子；接收滤波器，连接到天线端子和接收端子；以及匹配电路，设置在天线端子与发送滤波器之间、天线端子与接收滤波器之间，或者天线端子与发送滤波器和接收滤波器两者之间，其中，所述声波滤波器如上所述地构成。由此，可以提供这样一种声波双工器，即，其可以限制接收信号的频带中的衰减的减小，并且可以增大等于发送信号的二次谐波或三次谐波的高频处的衰减。
所述谐振电路和匹配电路可以形成在同一芯片上，以减小安装面积。
如上所述，本发明可以提供这样的声波滤波器和声波双工器，即，其可以限制通带附近的衰减的减小，并且可以增大高频处的衰减。
尽管已经示出并说明了本发明的几个优选实施例，但是本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对这些实施例进行改变，而本发明的范围限定于权利要求书及其等同物中。

Claims (10)

1、一种声波滤波器，包括：
梯型滤波器，具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器；
电感器，设置在地与所述梯型滤波器的并联支路谐振器中的至少一个之间；以及
谐振电路，与电感器并联设置，并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间，
谐振电路的谐振频率表示为：
2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz，
或，
3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz，
其中，fr表示谐振频率，而f0表示梯型滤波器的通带频率。
2、根据权利要求1所述的声波滤波器，包括两个谐振电路，
其中，所述两个谐振电路中的一个的谐振频率fr表示为：
2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz，
而所述两个谐振电路中的另一个的谐振频率fr表示为：
3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz。
3、根据权利要求1所述的声波滤波器，其中，所述谐振电路包括电容器和电感器。
4、根据权利要求3所述的声波滤波器，其中，所述谐振电路的电容器和电感器中的至少一个是集总常数型的，并形成在芯片上。
5、根据权利要求3所述的声波滤波器，其中，所述谐振电路的电容器和电感器中的至少一个是单独组件。
6、根据权利要求3所述的声波滤波器，其中，所述谐振电路的电容器由形成在芯片上的声波谐振器形成，该芯片上形成有所述梯型滤波器。
7、根据权利要求3所述的声波滤波器，其中，所述谐振电路的电感器是形成在芯片上的地布线图案，该芯片上形成有所述梯型滤波器。
8、根据权利要求1所述的声波滤波器，其中，形成所述梯型滤波器的所述声波谐振器是表面声波滤波器或膜体声学谐振器。
9、一种声波双工器，包括：
发送滤波器，由声波滤波器形成，并且连接到天线端子和发送端子；
接收滤波器，连接到天线端子和接收端子；以及
匹配电路，设置在天线端子与发送滤波器之间、天线端子与接收滤波器之间，或者天线端子与发送滤波器和接收滤波器两者之间，
所述声波滤波器包括：
梯型滤波器，具有按串联支路和并联支路连接的声波谐振器；
电感器，设置在地与所述梯型滤波器的并联支路谐振器中的至少一个之间；以及
谐振电路，与电感器并联设置，并且位于地与梯型滤波器中的并联支路谐振器之间，
谐振电路的谐振频率表示为：
2f0-150MHz<fr<2f0+150MHz，
或，
3f0-150MHz<fr<3f0+150MHz，
其中，fr表示谐振频率，而f0表示梯型滤波器的通带频率。
10、根据权利要求9所述的声波双工器，其中，所述匹配电路形成在芯片上，该芯片上形成有设置在发送滤波器中的谐振电路的电感器和电容器中的至少一个。
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