CN100481340C - 衬底抛光装置和抛光方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。

Description

衬底抛光装置和抛光方法
背景技术
本发明涉及一种衬底抛光装置，用于抛光衬底，例如抛光一种半导体晶圆，以使其平坦化。
近年来，随着半导体器件日益小型化，其器件结构更加复杂，而且逻辑系统中多层布线层数目增加，半导体器件趋向于包含更大的粗糙度和越来越大的台阶。这是因为半导体器件的生产涉及步骤的多次重复，这些步骤包括形成薄膜、薄膜的微机械加工，以形成布线图案并形成通孔，以及形成下一个薄膜。
半导体装置表面粗糙度的增大易于在制造合格产品时引起故障，并且由于在薄膜形成步骤中薄膜的厚度变小，引起产出率降低，由于线路未接通而引起断路，以及由于布线层之间绝缘不良而导致短路。另外，即使这些产品在初期的阶段中正常运行，它们也将在长期使用中出现可靠性的问题。更进一步，由于在光刻步骤的曝光中，被照射的表面上的粗糙度能使曝光系统中的透镜部分散焦，使得当半导体器件表面的粗糙度增大时，导致自身微小图案的形成更加困难。
因此，在半导体器件制造工艺中，用于平坦化半导体器件表面的平坦化技术愈加重要。在平坦化技术中，化学机械抛光(CMP)被认为是最重要的技术。化学机械抛光采用一种抛光装置来抛光衬底，例如半导体晶圆，使其与抛光垫或类似物的抛光表面滑动接触，同时在该抛光表面上提供包含由硅石(SiO2)或类似物构成的研磨颗粒的抛光液。
这种类型的抛光装置包含有抛光台，抛光台的抛光面上有抛光垫；以及衬底支架，被称为“顶圈”，“支座顶点”或类似物，用于支撑半导体晶圆。使用这种抛光装置抛光半导体晶圆时，半导体晶圆由该衬底支架支撑住，同时用预定压力将该半导体晶圆压在该抛光台上。在这种情况下，抛光台和衬底支架彼此相对移动而使得半导体晶圆与抛光表面滑动接触，由此将半导体晶圆的表面抛光成平整、如镜面般的表面。
上述抛光装置中，当抛光速度恒定时，抛光量与抛光时间(加工时间)成比例。因而，通常采用下列方法来确定抛光时间。具体地，在抛光前先测量半导体衬底的厚度。然后，由抛光装置在预先确定的恒定时间内抛光该半导体衬底，并测量已抛光的衬底厚度。由厚度和所需抛光时间的关系计算出抛光速度，从而根据抛光速度和目标厚度的关系来确定适当的抛光时间。于是，随后的半导体衬底在计算出的抛光时间内进行抛光(例如参见，日本专利No.3311864，和特开平日本专利申请No.10-106984)。
然而，当这样计算出的抛光速度，被简单的作为计算下一个将要被抛光的衬底的抛光速度的基础时，抛光速度有所变化。如果抛光速度被限制在只有一个衬底时，随后将要被加工的衬底的厚度将在很大程度上偏离于目标值。为解决该问题，已提出一个节省已经过抛光的半导体衬底的抛光量和抛光时间的建议，从这些数据中计算出一个平均抛光速度，并根据该平均抛光速度来抛光下一个衬底(例如参见，日本专利申请No.7-100297)。这种根据先前的数据计算出平均抛光速度的方法，提供了这样一个优点，即，减少了从一批到另外一批来测量抛光速度的工作量，并减少了测量中的偏差。
然而，当采用增强了削弱粗糙度能力的一种抛光方法(例如参见特开平日本专利申请No.8-22970)，以适应半导体器件的进一步小型化时，先前抛光工艺中所采用的抛光速度与后面抛光工艺中采用的速度大大地不同，导致由上述方法计算出的通常抛光速度的意义减少了一半。具体地，当抛光结果显示抛光过度或抛光不充分时，应当考虑在抛光末期的抛光时间来修正加工时间，但使用平均抛光速度使其难以计算最佳抛光时间。
当抛光结果显示抛光不充分时，涉及附加抛光(即，再加工)，导致制造成本增加。此外，附加抛光的抛光时间根据操作员的经验而设定。另一方面，当抛光结果显示抛光过度时，布线凹槽内的铜层连同绝缘薄膜一起将被擦去而引起电路电阻的增大，这种情况下，整个半导体衬底肯定报废，导致低产出率和巨大的损失。
在一些常规的衬底抛光装置中，进行STI(浅槽隔离)CMP，通过浅槽隔离来形成器件隔离。在所述STI CMP中，在彻底去除沉积在衬底最上层上的SiO2薄膜后，下面的SiN层在抛光结束前被抛光掉预定的厚度。此过程中，本领域所知的检测覆盖的SiO2层已被移除的方法，，包括测量用于驱动顶圈或转台的电动机的电流，并利用由于从SiO2到SiN的材料转换所产生的转矩变化时的电流变化。然而，该方法包含了一个问题，即必须依赖于操作员的经验，在检测暴露的SiN层之后确定抛光预定量SiN的过抛光时间。
发明内容
本发明的提出考虑到上述情况，且本发明的一个目的是提供一种衬底抛光装置，即使当使用高性能的抛光液时，该装置通过防止由于过度抛光和抛光不充分时的附加抛光导致的制造产出率的降低，可以节省生产成本；即使需要附加抛光时，还可以通过在该衬底抛光装置中的自动加工，定量地设定附加抛光时间来减少半导体制造工艺中的工作量，而这通常以经验为基础来确定。
为了达到上述目的，本发明提供一种衬底抛光装置，该装置包含机械装置，能够对待抛光衬底进行常规和附加抛光；现场测量装置，用于在对该衬底抛光期间测量该衬底上沉积的薄膜厚度；嵌入测量装置，用于在对该衬底抛光之前或之后测量该衬底上沉积的薄膜厚度；控制器，用于当所述嵌入测量装置检测到该衬底上未完成的抛光部分时指示所述机械装置执行附加的抛光；存储区，用于保存先前的抛光结果；以及处理单元，用于计算抛光时间和抛光速度，其中，在所述存储区中建立一个附加抛光数据库，用来存储从所述附加抛光的结果获得的数据。
根据本发明优选实施例的衬底抛光装置，其特征在于该处理单元可以根据存储在该附加抛光数据库中的数据，在收到配置于该机械装置中的抛光工艺监视器的信号之后，优化实施抛光的时间，从而实施下一步或随后的抛光。
根据本发明优选实施例的衬底抛光装置，其特征在于该处理单元可以根据该附加抛光数据库中存储的数据，为下一步或随后的抛光计算最佳抛光时间。
根据本发明优选实施例的衬底抛光装置，其特征在于除了该附加抛光数据库以外，在该存储区中还提供一个常规抛光数据库，用于存储从常规抛光结果中获得的数据，其中该处理单元根据该附加抛光数据库和该常规抛光数据库中存储的数据，为下一步抛光计算最佳抛光时间。
根据本发明优选实施例的衬底抛光装置，其特征在于该处理单元从该附加抛光数据库或该常规抛光数据库中存储的两点或多点处的抛光结果，发现抛光量和抛光时间之间的关系方程式，并根据该关系方程式计算最佳抛光时间。
根据本发明优选实施例的衬底抛光装置，其特征在于该衬底包括其上层叠的多层薄膜，且该处理单元为所述层叠薄膜中的至少一层薄膜计算抛光速度，或相邻两层薄膜之间抛光速度的比率，并在该存储区中存储计算出的抛光速度或抛光速度的比率，以建立一个数据库。
附图简述
图1为局部剖视图，示出了根据本发明的衬底抛光装置主要部件的结构；
图2-1为方框图，概括表示图1中的衬底抛光装置中各个部件之间的相互连接关系；
图2-2为方框图，概括表示图1中的衬底抛光装置中各个部件之间的相互布局关系；
图3为描述根据本发明的衬底抛光装置第一种工作模式的流程图；
图4为描述根据本发明的衬底抛光装置第二种工作模式的流程图；
图5为描述根据本发明的衬底抛光装置第三种工作模式的流程图；
图6为描述根据本发明的衬底抛光装置第四种工作模式的流程图；
图7(A)和7(B)为描述根据本发明的衬底抛光装置第五种工作模式的曲线图；
图8为描述当根据本发明的衬底抛光装置应用于另一种衬底时的工作模式的图。
发明详述
下面将参照附图，介绍根据本发明的衬底抛光装置的一个实施例。
图1概括性图解组成根据本发明的衬底抛光装置PA的主要部件的布局和结构。该衬底抛光装置PA包括带有抛光面的抛光台100；衬底支架200，用于支撑待抛光的衬底W，并将该衬底W压到抛光台100的抛光面上；以及一个衬底测量部分300，用于测量该衬底W上形成的膜厚以及该衬底支架200和/或抛光台100的转矩和振动。
图1中，组成该衬底抛光装置PA一部分的衬底测量部分300，包括一个嵌入(in-line)薄膜厚度测量装置300a，用于测量被抛光之前和/或被抛光后经过洗涤和干燥处理的衬底，例如半导体晶圆的厚度；和一个现场(in-situ)工艺监视器300b，用来测量正在被抛光的衬底，例如半导体晶圆的厚度，以及该衬底支架200和/或抛光台100的转矩和振动。该嵌入薄膜厚度测量装置300a从传感线圈产生的涡流信号、由光学装置产生的到该抛光面的入射光信号和从该抛光面反射的光信号、指示抛光面上的温度的信号、微波反射信号、和类似的信号，这些信号中的单个信号或它们适当的组合，在搬运机器人(未示出)将已抛光的衬底W存储在盒(未示出)中之前或搬运机器人已从盒中抽出未抛光的衬底W，测量衬底W的绝缘薄膜，例如导电铜薄膜、阻挡金属层、氧化物薄膜，和类似薄膜的厚度。该嵌入薄膜厚度测量装置300a从上述的传感器信号和测量值中，还检测在抛光后已被洗涤并干燥的衬底W的绝缘层或导电层的厚度和布线的情况和类似信息，同时该衬底W保持固定，或衬底W被置于X—Y台(stage)上，使得可以在预定位置检测到该衬底W的任意位置例如布线位置。该现场工艺监视器300b从上述的传感器信号、测量值、或指示操作中的抛光台和衬底支架的感应运行转矩，噪音，振动等的信号，来依次检测除布线等必要部位以外的导电薄膜被去除，或在衬底抛光过程中绝缘薄膜被去除，来确定CMP工艺的终点，这样可以重复适当的抛光。
该衬底测量部分300产生的测量结果输入控制器400，用于该抛光装置的运行数据(指令)的修正等。抛光步骤中的每个抛光工艺的条件，例如，抛光台和顶圈的旋转速度、压力，和类似值，与传感器输出中单独的值或组合值相关，可用来测量将在每个抛光步骤中用来抛光的金属膜、非金属厚膜如氧化物膜、和薄膜的厚度，并可检测抛光工艺中多种条件设置，例如，抛光终点的检测中用到的相对增加/减少的变化。当根据该衬底测量部分300对各区域测量的厚度信息来调整该衬底支架200向衬底W的各区域施加的压力时，该衬底测量部分300可以测量限定于衬底W径向上的各区域的厚度。
如上所述，该衬底支架200是用于支撑待抛光的衬底W，并把该衬底W压在该抛光台100的抛光面上来抛光衬底W的装置。如图1所示，具有一个附着于其顶面的抛光垫(抛光布)101的抛光台100安装在该衬底支架200的顶圈1的下面，而在该抛光台100的上方布置一个抛光液供给喷嘴102，从而该抛光液供给喷嘴102向该抛光台100上的抛光垫101上供给抛光液Q。
顶圈1通过万向节10与顶圈传动轴11相连接，并且该顶圈传动轴11与固定在顶圈头(top ring head)110上的顶圈气缸111相连接。该顶圈传动轴11通过顶圈气缸111来上下移动，从而提升整个顶圈1，并把固定在该顶圈1下端的固定环2压到抛光台100上。该顶圈气缸111通过调节器RE1与压缩空气源120相连接，从而使该调节器RE1能够调节流体压力，如输送到该顶圈气缸111的加压气体的气压。以这种方式，可以调节由该固定环2施加来挤压该抛光垫101的压力。
该顶圈传动轴11与一个旋转气缸112相连接。该旋转气缸112在其外围装有同步滑轮(timing pulley)113。顶圈电动机114固定在顶圈头110上，该同步滑轮113通过一个同步皮带115与为该顶圈电动机114设置的同步滑轮116连接。因此，当该顶圈电动机114被驱动而转动时，该旋转气缸112和顶圈传动轴11通过该同步滑轮116、同步皮带115和同步滑轮113来整体旋转而上下移动，最终带动顶圈1旋转。该顶圈头110由顶圈头轴(top ring head shaft)117支撑，而该顶圈头轴117则由机架(未示出)稳固支撑。
为了抛光衬底W，该衬底W被固定在该顶圈1的底面上，并且与该顶圈传动轴11相连接的顶圈汽缸111被驱动来用预定压力把固定在该顶圈1下端的固定环2压到该抛光台100的抛光面上。在这种情况下，预定压力下的加压气体通过调节器RE2-RE8，从该压缩空气源120输送到该固定环2，来将该衬底W压在该抛光台100的抛光垫101上。同时，从该抛光液供给喷嘴102供给抛光液Q，以保持该抛光垫101中的抛光液Q，从而用置于衬底W的抛光面和该抛光垫101之间的抛光液Q来抛光该衬底W。
在该衬底W上，在SiO2膜中形成的槽中沉积一层铜板膜，以形成特定的布线，而且沉积一个阻挡层来作为其下层材料。当在该衬底W的顶层上沉积一层绝缘膜如SiO2膜时，由嵌入薄膜厚度测量装置，例如一个光学传感器、微波传感器或类似装置来检测该绝缘膜的厚度，以去除该绝缘膜。这里所采用的用于光学传感器的光源可以是卤素灯、氙气闪光灯、LED、激光光源、和类似光源。另一方面，导电膜，例如铜膜、钨膜和类似膜要被抛光时，除了上述光学传感器之外还可以采用一个涡流传感器。并且，从当待抛光的材料改变时，该抛光台和顶圈的转矩和振动发生变化的事实来看，例如，当导电薄膜被基本去除从而暴露出阻挡层时，可以通过检测该抛光台和顶圈的转矩和振动来确定抛光终点。
在该衬底抛光装置PA中，该控制器400控制衬底W表面上的抛光处理，而该衬底测量部分300测量待抛光薄膜的厚度。
图2-1图解了该衬底抛光装置PA中各个部件之间的相互连接关系。图2-2图解了该衬底抛光装置PA中各个部件之间的相互布局关系。这两幅图中，该衬底抛光装置PA包含抛光部分501，该抛光部分501包括用于抛光待抛光衬底W的抛光台100，还包括衬底支架200；用于修整(dressing)该抛光台100的抛光面的修整部分502；用于清洗并干燥已抛光衬底W的清洗部分503；用于从盒中加载未抛光衬底W和向盒中卸载已抛光衬底的抽拉容器504；载体505；衬底测量部分300；和控制器400。
从抽拉容器504的盒中取出的衬底W通过载体505被输送到该抛光部分501。在抛光过程中，该衬底测量部分300将抛光之前、抛光过程中和抛光结束之后关于该衬底W厚度的数据传送给该控制器400，以存储在存储区400a中。该控制器400还包含一个用于计算抛光时间的处理单元400b。该处理单元400b由抛光结束后被抛光薄膜的量和抛光时间，例如，通过采用加权平均法来计算出抛光速度，并在存储区400a中存储计算出的抛光速度。因此，每次在抛光装置PA中抛光衬底W后，例如去除的薄膜量和抛光时间等数据被保存在存储区400a中，并且由该处理单元400b计算出抛光速度并再次保存在该存储区400a中。此外，在操作员和控制器400之间通过界面506输入和输出多种数据。举例来说，操作员可通过界面506在该控制器400的存储区400a中存储抛光后的目标厚度。
假设该现场工艺监视器300b采用了光学薄膜厚度测量装置，当由所述光学薄膜厚度测量装置利用抛光面的入射光和反射光，来测量出待抛光衬底W上的薄膜厚度时，将抛光面接收的和反射的反射光转换为特征值，且检测出特征值中暂时变化的最大值和最小值来了解抛光的进展。同样的，当该现场工艺监视器300b测量顶圈1或抛光台100的额定转速时的转矩时，或者当使用涡流传感器、振动传感器、或声传感器时，检测出预定最大值、最小值或阈值来了解抛光的进展。在这种情况下，如果在检测到最大值或最小值时停止抛光，并且预先测量厚度来作为参考，则抛光的进展可能与被抛光薄膜的厚度有关。在检测抛光停止点或结束点，例如抛光转变点的过程中，检测到仅在预期厚度之前的一个极值(特征点之一)，并且在检测到该极值后，将薄膜抛光一段时间，这段时间对应于与该极值相关的厚度和所述预期厚度之间的差。在下面的描述中，检测到该极值后的抛光时间被称为“过抛光”。
下一步，将结合作为示例的STICMP，描述根据本发明的衬底抛光装置PA的特征工作模式。
图3为描述了根据本发明的衬底抛光装置PA第一种工作模式过程的流程图，其中当需要附加抛光时，在存储区400a中记录附加抛光的结果，来建立一个附加抛光数据库(下文中称为“附加抛光DB”)。图3中，由衬底支架200支撑的衬底W在其顶部形成有SiO2膜，下面有SiN层，并在步骤S1中用常规方法来抛光。在抛光过程中，通过该现场工艺监视器300b顺序测量抛光面上的厚度。当该现场工艺监视器300b在步骤S2中，在预定或期望的厚度前检测到极值时，衬底W在抛光结束前已经被过抛光。随后，如果在步骤S3中，通过该嵌入薄膜厚度测量装置300a发现SiO2膜中存在未完成的抛光部分，控制器400指示衬底抛光装置PA再次工作，也就是，在步骤S4中对该SiO2膜附加抛光。在附加抛光结束时，再次指示该现场工艺监视器300b在步骤S5中测量厚度。在此过程中，可以获得诸如附加抛光的薄膜厚度、附加抛光所需的时间、附加抛光速度和类似数据，并传送给控制器400，以存储在该存储区400a中。以这种方式，在存储区400a中建立附加抛光数据库。
图4为描述根据本发明的衬底抛光装置PA第二种工作模式过程的流程图，该过程的目的是根据所述附加抛光数据库优化过抛光时间。图4中，由衬底支架200支撑的衬底W在步骤S11中用常用作法抛光，且在步骤S12中，通过来自该现场工艺监视器300b的信号，一旦检测到衬底W的预定厚度之前的一个极值，在步骤S13中，控制器400使衬底抛光装置PA按一段预定时间(过抛光时间)继续抛光，以进行过抛光。抛光结束后，控制器400指示该嵌入薄膜厚度测量装置300a来测量抛光台100的抛光面上的厚度。接着，控制器400在步骤S14中确定抛光量是否适当，并在抛光量适当时结束抛光，这种情况下，不修正存储在所述附加抛光数据库中的抛光条件。
另一方面，当步骤S14中确定的抛光量不合适时，控制器400在步骤S15中确定抛光是否过度。当在步骤S15中确定抛光没有过度时，应当延长过抛光时间，这样控制器400使衬底抛光装置PA在步骤S16中实施附加抛光，并在控制器400通过来自该衬底测量部分300的信号获知附加抛光结束时，指示该现场工艺监视器300b再次测量厚度。该过程中，在步骤S13-S16中获得的诸如被抛光薄膜的厚度、抛光所需的时间、附加抛光速度和类似数据等，在步骤S17中被传送给所述控制器400。控制器400根据向其传送的数据来更新存储区400a中的附加抛光数据库。根据如此更新的附加抛光数据库中存储的数据，控制器400的处理单元400b在步骤S18中进行优化来延长过抛光时间，并在所述附加抛光数据库中记录优化过的过抛光时间。这种优化过的过抛光时间被用于进行下一次抛光。
当在步骤S15中确定抛光过度时，应当缩短步骤S13的过抛光时间，这样控制器400在步骤S18中根据所述附加抛光数据库中存储的数据来进行优化，缩短过抛光时间，并在所述附加抛光数据库中记录缩短的过抛光时间，来用于下一次抛光。
图5为描述根据本发明的衬底抛光装置PA第三种工作模式过程的流程图，其中根据所述附加数据库计算出最佳抛光时间来用于下一次抛光(包括附加抛光)。图5中，在步骤S21中用常规作法抛光由衬底支架200支撑的衬底W，并且在步骤S22中一旦检测到一段预定时间的流逝，控制器400指示该衬底测量部分300来测量衬底W的抛光面上的厚度。然后，控制器400在步骤S23中确定抛光量是否合适，并在抛光量合适时结束抛光，并且不修改所述附加抛光数据库中存储的抛光条件。
另一方面，当步骤S23中确定的抛光量不合适时，所述控制器在步骤S24中确定抛光是否过度。当步骤S23中确定抛光没有过度时，应当延长过抛光时间，这样控制器400使衬底抛光装置PA在步骤S24中进行附加抛光，并在控制器400通过来自该现场工艺监视器300b的信号获知附加抛光结束时，指示该嵌入薄膜厚度测量装置300a再次测量厚度。在此过程中，在步骤S22-S25中获得的诸如被抛光薄膜的厚度、抛光所需时间、附加抛光速度和类似数据等，被传送给控制器400。然后，控制器400的处理单元400b在步骤S26中计算接下来可能发生的附加抛光的最佳抛光时间，并在步骤27中用计算出的最佳抛光时间来更新所述附加抛光数据库。从而，在接下来的抛光中，控制器400的处理单元400b在步骤S28中根据更新过的附加抛光数据库中存储的数据来进行处理，以优化抛光时间，这样在步骤S22中用优化过的抛光时间来进行接下来的抛光。
当在步骤S24中确定抛光过度时，应当缩短步骤S22的抛光时间，这样控制器400的处理单元400b根据所述附加抛光数据库中存储的数据进行优化来缩短抛光时间，并在所述附加抛光数据库中记录缩短的抛光时间，以用于接下来的抛光。
图6为描述根据本发明的衬底抛光装置PA第四种工作模式过程的流程图。除了结合图3来描述的附加抛光数据库之外，在存储区400a中建立用于存储与常规抛光相关数据的常规抛光数据库(下文称为“常规抛光数据库”)，从而可以用这些数据库计算出接下来抛光(包括附加抛光)的最佳抛光时间。图6中，衬底W由衬底支架200支撑，并且在步骤31中用常规作法来抛光。在抛光过程中，通过该现场工艺监视器300b，顺序测量该抛光台100的抛光面上的厚度，并当该现场工艺监视器300b在步骤S32中在期望厚度之前检测到一个极值时，衬底抛光装置PA在抛光结束前进行过抛光。
作为步骤S32中厚度测量的结果，如果该嵌入薄膜厚度测量装置300a在步骤S33中发现SiO2薄膜中有未完成的抛光部分，则该控制器400指示衬底抛光装置PA在步骤S34中进行附加抛光，并使该嵌入薄膜测量装置300a在步骤S35中再次测量厚度。此过程中，在步骤S36中，可以获得诸如附加抛光薄膜厚度、附加抛光所需时间、附加抛光速度和类似数据等，而且可以将这些数据传送给控制器400，以存储在存储区400a中。以这种方式，在存储区400a中建立了附加抛光数据库。此外，在步骤S37中，通过在步骤S31、S32中进行的常规抛光获得的诸如抛光薄膜厚度、抛光所需时间、抛光速度和类似数据，也被传送给控制器400，以存储在存储区400a中。以这种方式，在存储区400a中建立了常规抛光数据库。根据在存储区400a中如此建立的常规抛光数据库和附加抛光数据库，处理单元400b为接下来要抛光的衬底计算最佳常规抛光时间和最佳附加抛光时间。
根据第五实施例的衬底抛光装置PA的第五种工作模式，利用结合图6描述的常规抛光数据库和附加抛光数据库来计算最佳抛光时间。例如，假定在抛光量和抛光时间之间的关系由图7(A)中的近似方程式Y＝AX+B表示的基础上来进行抛光，但是当描绘出出常规抛光数据库或附加抛光数据库中存储的实际抛光量和抛光时间时，发现它们是在图7(B)中由虚线表示的线性关系。因此，控制器400的处理单元400b修正缺省近似方程Y＝AX+B中的系数A、B，将抛光量和抛光时间之间新的关系设置为Y＝A’X+B’，并用该方程计算出最佳抛光时间。
根据本发明的衬底抛光装置PA的第六种工作模式，当抛光其上叠置有多个不同类型的薄层的衬底时，计算至少一层的抛光速度或每一个叠层的抛光速度，从而用计算出的速度建立一个数据库。在本发明的第六种工作模式中，完全去除作为衬底最顶层沉积的SiO2薄膜后，将下面的SiN层抛光预定厚度，随即结束抛光。
在这种情况下，当抛光其上叠置有多个不同类型的薄膜的衬底的过程中，控制器400的处理单元400b计算出所述叠层中的每层抛光薄膜的厚度，至少一层薄膜的抛光速度，和上覆层的抛光速度与下层的抛光速度的比率，并在存储区400a中存储所述计算结果来建立一个数据库。采用数据库中如此形成的这些数据，例如，当常规抛光后发现SiO2层中有未完成的抛光部分时，去除残存SiO2膜的抛光终止时间能如下计算：
[方程1]
SiO2的抛光速度＝[(IniThk_1-PostThk_1)+(IniThk_2-PostThk_2)×RR_1/RR_2]/T
其中：
T为附加抛光时间；
IniThk_1为附加抛光前SiO2膜的厚度；
PostThk_1为附加抛光后SiO2膜的厚度；
IniThk_2为附加抛光前SiN层的厚度；
PostThk_2为附加抛光后SiN层的厚度；
RR_1为SiO2膜的平均抛光速度；且
RR_2为SiN膜的平均抛光速度。
在抛光多种类型薄膜的抛光过程中，根据经验可发现虽然从一层薄膜到另一层的绝对抛光速度是不同的，它取决于该顶圈的转动速度、抛光台100的抛光面上的磨损程度，和类似情况，但是从一个不同的薄膜到另一个的抛光速度的比率，即，上述方程中的平均抛光速度比(RR_1/RR_2)通常为常数。
当结合作为示例的STI CMP进行了上述描述时，根据本发明的衬底抛光装置同样也可以应用于铜CMP。例如，当依据本发明的衬底抛光装置用于抛光一个衬底上的阻挡金属层605和第二绝缘膜604时，该衬底上的第一绝缘膜602、low-k膜603、第二绝缘膜604和阻挡金属层605按照该顺序层叠在铜膜601上，该衬底可以按照参考图6先前描述的类似程序进行抛光。具体地，首先在步骤S41，在进行了一段预定时间的常规抛光之后，或者通过涡流传感器或类似装置感应到该阻挡金属层605被去除之后，抛光结束前进行一段预定时间的过抛光。抛光结束时，在步骤S42中用所述嵌入薄膜厚度测量装置300a测量抛光之后的厚度。当结果显示抛光量合适时，在步骤S43中用与当前抛光相关的数据来更新所述常规抛光数据库，以优化接下来的常规抛光时间。另一方面，当步骤S42中抛光过度时，在步骤S43中更新所述常规抛光数据库。当在步骤S42中检测到抛光不充分时，在步骤S44中进行附加抛光，并在附加抛光结束后，在步骤S45中更新所述附加抛光数据库，以优化接下来的附加抛光时间。
虽然上文已描述了根据本发明的衬底抛光装置的一个实施例和它的几种工作模式，但是应当理解本发明不限于前述具体实施方式，在本发明的技术概念之内，可以用各种不同的方式来实施。同样，所述衬底抛光装置和它的示例性结构也不局限于前述说明性的实施例，而且在不脱离本发明精神和范围的情况下当然可以作出多种修改。
例如，虽然已经介绍的衬底抛光装置包含嵌入薄膜厚度测量装置和现场工艺监视器两者，但是即使只包含该嵌入薄膜厚度测量装置也可以实施本发明。具体地，当根据时间来控制该抛光工艺时，且该嵌入薄膜厚度测量装置测量抛光了固定时间后的衬底时，该嵌入薄膜厚度测量装置感应抛光不充分或抛光过度，并且如果感应到抛光不充分，就进行附加抛光。或者，当通过感应驱动衬底支架或抛光台的电动机电流来检测抛光状况时，还可通过使用该嵌入薄膜厚度测量装置建立所述附加抛光数据库来调整感应的电动机电流的阈值。
根据本发明的衬底抛光装置也能应用于QC(质量控制)晶圆。QC晶圆指的是用来定期检查抛光速度和衬底面内均匀性的晶圆，如每周一次，每天一次，或每100个晶圆，和类似情况。基本上，QC晶圆具有待抛光的预定材料，例如在衬底表面上均匀地形成的铜膜、绝缘膜或类似物。假定QC晶圆的抛光类似于附加抛光，抛光结果可反映在所述附加抛光数据库中。通常，当已经消除了形成在衬底上正处于抛光中的表面的台阶，从而使所述衬底表面变得基本均匀时，进行附加抛光。换句话说，附加抛光与QC晶圆抛光的共同之处在于抛光中的均匀表面是已经被抛光过的，这样QC晶圆抛光的结果可反映在附加抛光数据库中。以这种方式，在还没有进行附加抛光的抛光装置中，例如初始运行的抛光装置，可以用附加抛光来替代QC晶圆抛光的结果，以提高为实际附加抛光设置的条件的精度。
从上述描述中可以理解，本发明提供的特别的优点包括：
防止由于抛光过度造成低制造产出率的能力；
通过防止抛光不充分产生的附加抛光需求而降低了制造成本；
通过定量设置附加抛光时间而减少了半导体制造工艺中的工作量。

Claims (15)

1、一种衬底抛光装置，包括：
机械装置，能够对待抛光衬底进行常规和附加抛光；
现场测量装置，用于在对该衬底抛光期间测量该衬底上沉积的薄膜厚度；
嵌入测量装置，用于在对该衬底抛光之前或之后测量该衬底上沉积的薄膜厚度；
控制器，用于当所述嵌入测量装置检测到该衬底上未完成的抛光部分时指示所述机械装置执行附加的抛光；
存储区，用于保存先前的抛光结果；以及
处理单元，用于计算抛光时间和抛光速度，
其中，在所述存储区中建立一个附加抛光数据库，用来存储从所述附加抛光的结果获得的数据。
2、根据权利要求1所述的衬底抛光装置，其中，在收到布置在所述机械装置中的抛光工艺监视器的信号之后，所述处理单元根据存储在所述附加抛光数据库中的数据，优化进行抛光的时间，以进行接下来的抛光。
3、根据权利要求1所述的衬底抛光装置，其中所述处理单元可根据所述附加抛光数据库中存储的数据，来为接下来的抛光计算最佳抛光时间。
4、根据权利要求1所述的衬底抛光装置，除了所述附加抛光数据库以外，所述存储区中进一步包含一个常规抛光数据库，用来存储从所述常规抛光结果中获得的数据，其中所述处理单元根据存储在所述附加抛光数据库和所述常规抛光数据库中的数据，来为接下来的抛光计算最佳抛光时间。
5、根据权利要求4所述的衬底抛光装置，其中所述处理单元从所述附加抛光数据库或所述常规抛光数据库中存储的在两点或更多点处抛光的结果，能够发现抛光量和抛光时间之间的关系方程式，并根据该关系方程式计算最佳抛光时间。
6、根据权利要求2所述的衬底抛光装置，除了所述附加抛光数据库以外，所述存储区中进一步包含一个常规抛光数据库，用来存储从所述常规抛光结果中获得的数据，其中所述处理单元根据存储在所述附加抛光数据库和所述常规抛光数据库中的数据，来为接下来的抛光计算最佳抛光时间。
7、根据权利要求3所述的衬底抛光装置，除了所述附加抛光数据库以外，所述存储区中进一步包含一个常规抛光数据库，用来存储从所述常规抛光结果中获得的数据，其中所述处理单元根据存储在所述附加抛光数据库和所述常规抛光数据库中的数据，来为接下来的抛光计算最佳抛光时间。
8、根据权利要求1所述的衬底抛光装置，其中所述衬底包括其上层叠的多层薄膜；并且其中所述处理单元计算层叠薄膜中至少一层的抛光速度，或相邻两个薄膜之间抛光速度的比率，并在所述存储区中存储计算出的抛光速度或抛光速度的比率，从而建立一个数据库。
9、一种抛光方法，包括：
以常规抛光工艺抛光其表面上有一个沉积层的衬底，其中所述常规抛光工艺包括在由现场测量装置检测到该衬底预定层厚时的过抛光工艺；
通过嵌入测量装置，在所述常规抛光工艺后，测量该衬底的层厚作为第一厚度；
在附加抛光工艺中抛光该衬底，来去除该层中未完成的抛光部分；
通过所述嵌入测量装置，在所述附加抛光工艺后，测量已被抛光的衬底的层厚作为第二厚度；
从所述第一和第二厚度值以及抛光时间计算出在所述附加抛光工艺中的抛光速度；
在数据库中存储第一数据，所述第一数据至少为所述附加抛光工艺的所述层厚、所述抛光时间和所述抛光速度当中的一个。
10、根据权利要求9所述的抛光方法，进一步包括：
根据所述第一数据来优化过抛光时间，从而作为用于抛光随后的衬底的过抛光时间。
11、根据权利要求9所述的抛光方法，进一步包含：
根据所述第一数据来优化所述常规抛光工艺中的抛光时间，作为随后衬底的抛光时间。
12、根据权利要求9所述的抛光方法，进一步包含：
在所述数据库中存储第二数据，所述第二数据至少为所述常规抛光工艺中的层厚、抛光时间和抛光速度当中的一个。
13、根据权利要求12所述的抛光方法，进一步包含：
根据所述第一和第二数据优化所述常规抛光工艺中的所述抛光时间，作为随后衬底的抛光时间。
14、根据权利要求13所述的抛光方法，进一步包含：
从所述数据库中存储的两点或更多点，计算抛光量和抛光时间之间的关系方程式。
15、根据权利要求9所述的抛光方法，
其中所述层包括多层薄膜；并且
计算相邻两层薄膜之间抛光速度的比率。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111098226A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 台湾积体电路制造股份有限公司 用于化学机械研磨系统的研磨头及化学机械研磨方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011977A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Ebara Corp 基板研磨装置および基板研磨方法
JP2005203729A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Ebara Corp 基板研磨装置
EP1758711B1 (en) * 2004-06-21 2013-08-07 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
EP1853406A1 (en) * 2005-01-21 2007-11-14 Ebara Corporation Substrate polishing method and apparatus
JP4808453B2 (ja) * 2005-08-26 2011-11-02 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置
JP4757580B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-24 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム
US7432205B2 (en) 2005-12-15 2008-10-07 United Microelectronics Corp. Method for controlling polishing process
JP4790475B2 (ja) * 2006-04-05 2011-10-12 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、および基板の膜厚測定プログラム
US20080099435A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US8158526B2 (en) 2006-10-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US20080099436A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US7998358B2 (en) 2006-10-31 2011-08-16 Applied Materials, Inc. Peak-based endpointing for chemical mechanical polishing
WO2008072300A1 (ja) * 2006-12-11 2008-06-19 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法、およびウェハの研磨方法
CN101450449B (zh) * 2007-11-30 2010-09-29 上海华虹Nec电子有限公司 Cmp工艺条件调整控制方法
JP5305729B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム
US7960188B2 (en) * 2008-05-15 2011-06-14 Ebara Corporation Polishing method
JP5160954B2 (ja) * 2008-05-15 2013-03-13 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP5515253B2 (ja) * 2008-08-07 2014-06-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体ウェーハの製造方法
CN101927453B (zh) * 2009-06-20 2015-05-06 无锡华润上华半导体有限公司 浅沟槽隔离结构的研磨装置
WO2011040243A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 新東工業株式会社 鋼材製品のショットピーニング処理法
WO2011056485A2 (en) 2009-11-03 2011-05-12 Applied Materials, Inc. Endpoint method using peak location of spectra contour plots versus time
US8616935B2 (en) * 2010-06-02 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Control of overpolishing of multiple substrates on the same platen in chemical mechanical polishing
CN102812157B (zh) * 2010-11-30 2014-08-20 深圳市华星光电技术有限公司 金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置
US20120276817A1 (en) * 2011-04-27 2012-11-01 Iravani Hassan G Eddy current monitoring of metal residue or metal pillars
JP2013219248A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP6046933B2 (ja) 2012-07-10 2016-12-21 株式会社荏原製作所 研磨方法
US20140030956A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Jimin Zhang Control of polishing of multiple substrates on the same platen in chemical mechanical polishing
CN103722486B (zh) * 2012-10-11 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种化学机械研磨方法及装置
JP6393489B2 (ja) 2014-02-21 2018-09-19 株式会社ディスコ 研磨装置
JP6232311B2 (ja) * 2014-02-24 2017-11-15 株式会社ディスコ 研磨装置
US9425109B2 (en) 2014-05-30 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planarization method, method for polishing wafer, and CMP system
JP2016058724A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社荏原製作所 処理モジュール、処理装置、及び、処理方法
US20160074988A1 (en) * 2014-09-11 2016-03-17 Ebara Corporation Processing module, processing apparatus, and processing method
JP6399873B2 (ja) * 2014-09-17 2018-10-03 株式会社荏原製作所 膜厚信号処理装置、研磨装置、膜厚信号処理方法、及び、研磨方法
US9669514B2 (en) * 2015-05-29 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd System and method for polishing substrate
JP6222171B2 (ja) * 2015-06-22 2017-11-01 信越半導体株式会社 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法
JP6418174B2 (ja) * 2016-02-03 2018-11-07 株式会社Sumco シリコンウェーハの片面研磨方法
JP2017185589A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6842851B2 (ja) * 2016-07-13 2021-03-17 株式会社荏原製作所 膜厚測定装置、研磨装置、膜厚測定方法、及び、研磨方法
CN206105604U (zh) * 2016-09-14 2017-04-19 天津华海清科机电科技有限公司 化学机械抛光系统
JP6357260B2 (ja) * 2016-09-30 2018-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
CN106737122A (zh) * 2016-12-28 2017-05-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种研磨控制方法以及晶圆研磨系统
CN111263682A (zh) * 2018-03-13 2020-06-09 应用材料公司 化学机械抛光期间的振动的监测
JP2020087969A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の形状測定方法
KR20230012775A (ko) 2021-07-16 2023-01-26 삼성전자주식회사 챔버 커버를 갖는 기판 처리 장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5240552A (en) * 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
JPH07100297A (ja) 1993-10-05 1995-04-18 Sekisui Chem Co Ltd 衣類乾燥機
US5695601A (en) * 1995-12-27 1997-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method
WO1998005066A2 (en) 1996-07-26 1998-02-05 Speedfam Corporation Methods and apparatus for the in-process detection and measurement of thin film layers
JP3558794B2 (ja) 1996-09-27 2004-08-25 株式会社荏原製作所 半導体ウエハーの研磨方法及び研磨装置
TW374050B (en) * 1997-10-31 1999-11-11 Applied Materials Inc Method and apparatus for modeling substrate reflectivity during chemical mechanical polishing
US6361646B1 (en) * 1998-06-08 2002-03-26 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
JP3082850B2 (ja) * 1998-10-16 2000-08-28 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置
JP3334796B2 (ja) * 1999-04-20 2002-10-15 日本電気株式会社 半導体装置の研磨シミュレーション方法
US6264533B1 (en) * 1999-05-28 2001-07-24 3M Innovative Properties Company Abrasive processing apparatus and method employing encoded abrasive product
JP3853106B2 (ja) * 1999-05-28 2006-12-06 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
JP2002075927A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP2002075939A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Jsr Corp 化学機械研磨における終点の検出方法およびそれに用いる化学機械研磨用水系分散体
US7160739B2 (en) * 2001-06-19 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
US6534328B1 (en) * 2001-07-19 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of modeling and controlling the endpoint of chemical mechanical polishing operations performed on a process layer, and system for accomplishing same
JP5021872B2 (ja) * 2001-08-02 2012-09-12 日本電気株式会社 半導体製造装置のプロセス時間補正方法
US6939198B1 (en) * 2001-12-28 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Polishing system with in-line and in-situ metrology
JP3645226B2 (ja) * 2002-03-11 2005-05-11 株式会社半導体先端テクノロジーズ 研磨方法および研磨残りの検出方法
US7024268B1 (en) * 2002-03-22 2006-04-04 Applied Materials Inc. Feedback controlled polishing processes
JP4542324B2 (ja) * 2002-10-17 2010-09-15 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置及びポリッシング装置
JP2005203729A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Ebara Corp 基板研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111098226A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 台湾积体电路制造股份有限公司 用于化学机械研磨系统的研磨头及化学机械研磨方法
CN111098226B (zh) * 2018-10-29 2021-05-14 台湾积体电路制造股份有限公司 用于化学机械研磨系统的研磨头及化学机械研磨方法

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Publication number Publication date
EP1543921A1 (en) 2005-06-22
US20100151770A1 (en) 2010-06-17
JP2005203729A (ja) 2005-07-28
CN1670924A (zh) 2005-09-21
US8388409B2 (en) 2013-03-05
US20050142991A1 (en) 2005-06-30

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