CN100477029C - 高q值螺旋线圈芯片及其生产方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是提供具有一种结构的线圈芯片和生产这种线圈芯片的方法，利用所述结构能够实现线圈芯片的小尺寸，并能够获得高电感和高Q值。为此目的，本发明提供了一种线圈结构，它包括由低介电损耗特性材料制成的芯部件，通过金属镀覆并在芯部件外围缠绕形成一线圈，以及作为金属镀覆种晶装设在芯部件与线圈之间的层。

Description

高Q值螺旋线圈芯片及其生产方法

技术领域

本发明涉及高频使用的线圈芯片，用于蜂窝式电话或个人数字助理(PDA)等尺寸小且重量轻的电子装置。更具体地说，本发明涉及具有高Q特性的螺旋线圈芯片，其紧凑、短小且重量轻，足以装配在蜂窝式电话各种模块中。本发明还涉及生产这种螺旋线圈芯片的方法。

背景技术

近年来，诸如蜂窝式电话的移动通信装置在缩小尺寸和降低重量方面已经取得了很大进展。因而，也需要尺寸小、长度短和重量轻的高频线圈芯片以装配在那些装置中使用的芯片和各种模块里。至今，线圈芯片的尺寸已减小到芯片长度为1mm或更小，及线圈直径(或宽度)为0.5mm或更小。

如同在生产较大线圈的情形那样，这种线圈芯片通常通过直接在线轴上缠绕导线生产，例如在日本专利申请公开文本2000-252127中所公开的。然而，在现在情形下，以这种生产工艺进一步缩小尺寸是不可能的，因而，需要新的生产技术。现在，已考虑利用非缠绕工艺的技术进一步缩小线圈芯片的技术，并已用于实际应用。这种技术，例如：包括在日本专利申请公开文本H11-204362中所公开的激光切割工艺，或在日本专利申请公开文本H11-283834中所公开的薄膜形成技术。

在激光切割工艺中，要形成为缠绕的导线的材料作为覆盖芯部件的敷层膜涂敷，然后，利用激光束把敷层膜处理为细导线。然而，这一工艺涉及这样的缺陷，即从激光辐射效果看，芯部件的材料可能受到限制。此外，被处理的表面在由激光束切割后受到表面粗糙的损害，因而，如果进一步降低导线间距，则由于表面粗糙，导线间距可能变得不规则。就以上而言，当未来要生产更紧凑的线圈芯片时，该工艺有许多问题有待解决。

在使用被认为是最实用的技术的薄膜形成技术的生产方法中，几层线圈图形通过在绝缘层上形成的通孔连接。然而在该方法中，当线圈芯片制成为更紧凑及其上形成的导线更薄时，塞住对应于导线有相当长度及很小直径的通孔是困难的。此外，由于实际上该方法不能把缠绕的导线排布在最外面的表面，该方法在结构上不适宜在生产具有高Q特性的线圈中使用。

一般来说，当要生产具有不同截面积及相同电感的线圈芯片时，线圈截面积越大，线圈的匝数应当越小。因而，如果线圈在芯片最外表面形成，则即使芯片的尺寸和匝数相同，也能获得较大的电感。当使线圈的截面积小时，则必须增加线圈的匝数以保持电感。然而，线圈匝数的增加引起线圈直流电阻的增加，及缠绕导线之间漏电流的增加，这导致Q值的降低。

此外，线圈匝数的增加放大了由用于线圈芯部件的介电材料引起的介电损耗的影响。介电损耗随施加于线圈芯片信号频率的增加而增加。如上所述，上述薄膜形成工艺难以生产具有在其最外表面形成的缠绕导线的线圈芯片，因而，该工艺被认为不适于生产应用于较高频率的线圈芯片。

此外，当使线圈芯片紧凑时，例如：在考虑超高频应用时，端子电极之间的电容就不再是可忽略的。在这种情况下，为了获得高Q值，必须使相对电极远离以降低电极之间的电容，并使与线圈电感及电极之间的电容相关的谐振频率高于使用的信号频率。电感越大且所使用的频率越高，则电极之间电容的影响被放大得越大。在端子电极彼此相反的常规芯片中难以降低电容。

发明内容

本发明是鉴于上述的情形做出的。本发明的一个目的是提供一种生产线圈芯片的方法，该方法能够生产未来缩小尺寸的线圈芯片，并能够用于生产具有高电感和高Q值的线圈芯片。本发明的另一目的是提供一种能够由该方法生产的线圈芯片。

在根据本发明的、能达到以上目的的螺旋线圈芯片中，使用具有低介电损耗特性的材料作为线圈的芯部件，并通过使用由半导体生产技术代表的薄膜形成技术的一次成形工艺，卷绕的导体缠绕在芯部件的最外周围。此外，在形成的表面上形成端子电极线圈，使得电极排布的方式不是彼此相对的。

根据本发明，提供了一种生产螺旋线圈芯片的方法，该方法包括以下步骤：通过薄膜形成处理装置在基片上表面和下表面形成以预定间隔并列的多个导线，在不同于导线延伸方向的一个方向把基片切割为多个切割基片，以及通过薄膜形成处理装置在切割基片上形成附加导线，以便同时对所有切割基片分别连接并列在基片的上表面和下表面多个导线。

在根据本发明的生产螺旋线圈芯片的方法中，最好在基片切割之后，切割的基片被组合而形成集合的基片，其中切割基片的切割面构成集合基片的上和下表面，并在集合的基片上和下表面形成附加导线。此外，在根据本发明的生产螺旋线圈芯片的该方法中，基片最好由具有低介电损耗特性的材料制成，且端子电极在切割基片两表面之一上形成，其上在附加导线形成之后形成导线或附加导线。

此外，为了达到上述目的，根据本发明的螺旋线圈芯片包括通过连接多个导线形成的螺旋线圈，这些导线是在带有多个附加导线的基片上表面和下表面上并列形成的，这些附加导线是在切割面上形成的，切割面是通过在不同于导线延伸方向的一个方向，把基片切割为多个切割基片而获得的。在这一螺旋线圈芯片中，基片最好由具有低介电损耗特性的材料制成，且端子电极装设在其上形成有导线或附加导线的基片两表面之一。

为了达到上述目的，根据本发明生产螺旋线圈芯片的方法包括以下步骤：在一基片上表面和下表面形成以预定间隔彼此平行延伸的多个导线，其中基片上和下表面上的导线的排布以相同方向延伸，在不同于导线延伸方向的一个方向把基片切割为多个切割基片，其方式是使导线被切割为预定长度，借助于粘合剂及多个附属的部件把切割的基片重构为一集合基片，其中切割基片的切割面在集合基片中面向上和下排布，以及在集合基片的上表面和下表面形成多个导线，这些导线的长度等于基片的厚度加在基片上表面和下表面形成的导线的厚度，并以上述预定间隔彼此平行地延伸，其中多个导线的每一个连接在基片上表面和下表面上形成的导线的端部，这些导线穿过集合基片厚度。

在根据本发明生产螺旋线圈芯片的这一方法中，在基片上表面和下表面上形成导线的步骤及在集合基片的上表面和下表面上形成导线的步骤的每一步骤，最好包括在导线上形成防护膜的步骤。此外，在生产螺旋线圈芯片的方法中，在集合基片上表面和下表面上形成多个导线的步骤，最好包括在集合基片的上表面和下表面之一上形成螺旋线圈芯片端子电极的步骤。

此外，借助于粘合剂和多个辅助部件重构切割基片为集合基片的步骤最好包括以下步骤：以有规则间隔并列多个辅助部件，每一间隔大于基片厚度加上在基片的上表面和下表面按预定量形成的导线的厚度，将每一切割基片与每一间隔配合，使得切割基片的切割面指向垂直于辅助部件并列的方向，借助于粘合剂将切割基片与多个辅助部件组合，以及研磨切割基片及多个辅助部件这种两个表面，这些辅助部件在垂直于辅助部件并列的方向已被组合。

此外，在根据本发明生产螺旋线圈芯片的上述方法中，借助于粘合剂及多个辅助部件重构切割基片为集合的基片的步骤最好包括以下步骤：使基片的切割面指向预定的方向，并在垂直于上述预定方向的方向交替排布切割基片和多个辅助部件，借助于粘合剂将切割基片和多个辅助部件组合，以及研磨已被组合指向上述预定方向的切割基片及多个辅助部件表面，使得在基片的上表面和下表面形成的导线的端部暴露。

为了达到上述目的，根据本发明，用作为螺旋线圈芯片基底材料的集合基片最好在生产螺旋线圈芯片中制备。集合基片最好包括彼此基本平行排布的芯部件，它们之间有基本规则的间隔，它们的上表面和下表面暴露在集合基片的上和下表面，其芯部件在预定的方向延伸并具有低介电损耗特性，与芯部件紧密接触的多个导线，多个导线在不同于芯部件延伸方向的一个方向穿过集合基片，使得导线的端部暴露在集合基片的上表面和下表面，以及填充多个导线与芯部件之间的空间的基底部分(base)。

为了达到上述目的，根据本发明的螺旋线圈芯片包括由具有低介电损耗特性材料制成的芯部件，由金属电镀并围绕芯部件缠绕形成的线圈，以及起到金属电镀种晶作用、装设在芯部件与线圈之间的层。在根据本发明的这种螺旋线圈芯片中，线圈最好包含Cu作为主要材料，种晶最好包含CrCu或TiCu作为主要材料。

本发明提供了一种线圈芯片，其中采用由半导体生产技术等代表的薄膜形成技术及适于形成厚膜的金属电镀工艺，具有大截面积的线圈缠绕在芯部件的外周边。因而，根据本发明的线圈芯片包括便于金属电镀、设置在芯部件与线圈导线之间的所谓种晶材料。利用这一特性，易于降低直流电阻成分并能够提供具有高Q值的线圈。

附图说明

图1示意示性地示出了根据本发明的螺旋线圈芯片的结构；

图2A示出了生产图1所示螺旋线圈芯片的过程；

图2B示出了生产图1所示螺旋线圈芯片的过程；

图2C示出了生产图1所示螺旋线圈芯片的过程；

图2D示出了生产图1所示螺旋线圈芯片的过程；

图2E示出了生产图1所示螺旋线圈芯片的过程；

图3A示出了形成集合基片的过程；

图3B示出了形成集合基片的过程；

图3C示出了形成集合基片的过程；

图3D示出了形成集合基片的过程；

图3E示出了形成集合基片的过程；

图3F示出了形成集合基片的过程；

图3G示出了形成集合基片的过程；

图3H示出了形成集合基片的过程；

图3I示出了形成集合基片的过程；

图3J示出了形成集合基片的过程；

图3K示出了集合基片表面的放大视图。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据本发明的螺旋线圈芯片部件(即螺旋线圈芯片1)的结构。为了降低介电损耗，利用Teflon和主要包括具有低介电常数的乙烯苄基型材料作为芯部件3的材料。缠绕导线5按以下方式形成。首先，在芯部件3上在真空状态下形成CrCu种晶层，借助于照相工艺形成图案，然后，通过金属电镀在种晶上形成导线。这样，导线形成为多层结构(本实施例中，是两层结构)。

在热电极7上的两端，设置有Ni(镍)层或Ni合金层，以改进热电极与安装芯片部件时可能使用的焊料的可沾性。实际上，由低介电损耗材料诸如有机绝缘膜(例如，主要包括乙烯苄基型材料)制成的层形成为在芯片部件最外表面的防护膜。然而，在图1所示的芯片部件中省略了该防护膜的表示，以便于对芯片部件结构的理解。

以下将参照图2A到2E说明生产螺旋线圈的工艺。首先，通过喷镀以基本上平板的形式在基片13的两侧上形成构成缠绕导线种晶的CrCu膜。基片13由具有低介电损耗特性的材料，诸如Teflon和乙烯苄基制成。然后，将一干膜附着到各CrCu薄膜的外表面。干膜受到诸如曝光和显象的处理，以便形成构成缠绕导线一部分的导线图案。

此后，通过金属镀覆在CrCu薄膜上生长厚Cu膜。然后，去除干膜并通过研磨或湿浸等去除底层膜(CrCu膜)。使用上述工艺形成线圈导线部分(以下将简称为导线)。如果需要，可通过重复上述曝光、显象和Cu膜的生长工艺增加导线的厚度。

在导线形成之后，在导线的顶部和导线之间作为覆盖层19形成由环氧树脂、Teflon或主要包括乙烯苄基等材料制成的防护膜。利用上述工艺，获得了图2A中所示工艺基底材料。然后，沿垂直于导线延伸方向的方向切割工艺基底材料，使得切割块在导线延伸的方向如图2C所示有预定的尺寸。然后，如图2C所示，将切割后的杆状工艺基底材料14旋转90度。

然后，通过稍后将具体说明的工艺，将杆状工艺基底材料14组合为单个的集合基片。集合基片上的杆状工艺基底材料14以这样的方式被保持，使得它们的位置关系固定在如图2C所示的状态。

然后，通过喷镀在集合基片顶部和底部两表面形成作为导线种晶层的CrCu薄膜。此后，将干膜附着到CrCu薄膜上，并再进行包括导线图案曝光、显象、在不必要位置去除薄膜等工艺。通过这些工艺，形成连接导线15末端的导线种晶层。关于这一点，只有导线15的末端暴露在构成芯部件3的低介电损耗材料(诸如Teflon或主要包括乙烯苄基型材料)的两侧。这样形成的导线在使用干膜形成图案之后，通过金属镀覆形成厚度。然后通过研磨或湿浸等去除干膜和底层。这样，形成构成线圈其余部分的导线16。

图2D示出了在导线厚度已增加之后杆状工艺基底材料的位置关系。如图2E所示，由环氧树脂、Teflon或乙烯苄基型等制成的防护膜在导线的顶部和导线之间作为覆盖层20形成。之后，在线圈的端部形成包含Ni和焊料分层结构的端电极7，且各工艺基底材料被切割并分开为线圈芯片1。

以下将说明如何制成集合基片。如图3A所示，首先，向玻璃板30附加通过施加紫外线辐射能被释放的胶带31，并在胶带31上附着由诸如环氧树脂、Teflon或乙烯苄基等防护膜材料制成的板部件32。然后，如图3B所示，在板部件32及胶带31上形成接收槽33。通过这样形成的接收槽，板部件32被分为多个辅助部件32a。

如稍后所描述的，接收槽33接收已被切割为杆的工艺基底材料14，其方式使得工艺基底材料14的切割表面(即其上没有形成导线的表面)14a指向板部件32a(或多个辅助部件)的向上和向下的方向(即指向垂直于辅助部件并列的平面的方向)。因而，各接收槽33的宽度被设计为，比其上已形成导线15和覆盖层19的杆状工艺基底材料14的覆盖层19的外表面之间的距离大预定长度。具体来说，本实施例中上述预定长度设置为20im。

除了图3B所示的玻璃基片之外，制备具有多个平行槽41的厚板40，如图3C所示，这些平行槽穿过该板，以在其上下表面之间开通。如图3C所示，热发泡胶带42被附着到厚板的上表面，覆盖除平行槽41的其余部分。热发泡胶带42是能够通过加热易于被释放的胶带。如图3B所示的其上已形成槽的玻璃基片30被粘合到厚板40的上表面，使板件32面向厚板40的上表面，且接收槽33相对于厚板40的槽形成大约90°的角度(图3D)。粘合之后，玻璃板30受到紫外光的辐射，使胶带31释放。这样，获得如图3E所示的产品，其中多个辅助部件32a形式的板件粘合在厚板40上热发泡胶带42上，辅助部件之间有受控的间隔。

随后，将已切割为杆状的工艺基底材料14插入板件32a之间的空间，如图3F所示。杆状工艺基底材料14也粘合在热成形胶带42上。在粘合时，每一工艺基底材料14的配置使得其没有形成膜(即切割面14a)的两表面指向厚板40的厚度方向(即在图3F中面向上和下)。已切割为杆形的工艺基底材料14可能有切割时施加的应力所生成的挠曲等。然而，由于接收槽33的宽度设计为比杆状工艺基底材料14宽度大5到20im，工艺基底材料14a能容易地被接收槽33接收。

此外，为了组合多个板件32a和工艺基底材料14，向板部件32a与工艺基底材料14不存在热发泡胶带42的区域施涂粘合剂43。换言之，粘合剂43施涂到对应于厚板的平行槽41部分的板部件32a与工艺基底材料14的部分。在施涂粘合剂43之后，如图3G所示，对其上施涂粘合剂敷层的部分通过夹具加压，以便组合板件和工艺基底材料，同时保持它们的位置关系。加压夹具包括一槽插入夹具45和涂敷部分加压夹具50。

槽插入夹具45能够插入到厚板40的平行槽41，并具有多个凸起部分46。槽插入夹具45的凸起46的长度足够长以与所有工艺基底材料14接触。此外，凸起部分46的上端面共面。由于如稍后所述顶面要与粘合剂接触，凸起部分46特别是其顶端面最好涂敷具有高粘合释放性质的释放剂(诸如碳氟树脂等)。涂敷部分加压夹具50有多个凸起部分51，用于在其和槽插入夹具45的凸起部分46的顶面之间保持并固定工艺基底材料14及板部件32a。凸起部分51的长度与凸起部分46的长度相同，且凸起部分51的端面共同面。这些凸起部分51最好也涂敷释放剂，因为如同上述凸起部分46的情形，它们也与粘合剂接触。

工艺基底材料14和板部件32a在它们由夹具45和50保持固定的状态下被加热，使得粘合剂凝固。通过这一加热过程，热发泡胶带42失去粘合性，使得工艺基底材料14和板部件32a凝固易于从厚板40分离。然后，如同3I所示，由粘合剂43局部结合的工艺基底材料14和板部件32a被浸渍到粘合剂中。此后，它们借助于上述的夹具45和50被夹持，并再次被加热使得粘合剂凝固。经过如上处理之后，多个板部件32a和多个工艺基底材料14整体集成为集合基片10。

在四角进行成形处理之后，集合基片10被插入到具有在基准外框53上提供的特定尺寸的凹陷55中。借助于外框53，集合基片10被紧固到研磨设备上，使得集合基片的两面被研磨。研磨完成后在集合基片10的表面观察的导线状态图示于图3K，该图以放大方式示出了表面的一部分。在集合基片表面，观察到板部件32a，作为夹在板部件32a与排布在每一基片3两侧的导线15端部之间的芯部件的基片3。此外，也能观察到充满板部件与基片之间、导线之间及板部件之间的空间的粘合剂层。与此相关，由粘合剂与覆盖层等组成的部分构成集合基片10中除了导线15和芯部件3的基底部分。

是上述状态下的集合部件经受上述工艺过程，诸如CrCu膜形成和构图等，使得暴露在集合部件表面的基片3两侧上的导线15通过新形成的导线16连接。通过在集合基片两侧进行的这些处理，获得了具有缠绕在乙烯苄基型基片外围的CrCu和Cu两层结构的导线5。这样，生产出超小型螺旋线圈，其具有由Teflon或主要包含乙烯苄基等材料制成的芯部件3。

实际上，在图3J所示的集合部件表面观察到的基片和导线的端部，它们的形状在垂直于它们纵向的方向上是弯曲的，因而不能对它们施加普通的一次性曝光。因而，在本实施例中，采用了所谓逐次着色的曝光。在逐次着色曝光中，分析对应于每一线圈或几个线圈导线端部的图象，以便对后续要进行的的曝光过程确定曝光位置。

虽然本实施例中用于形成导线的集合部件的曝光是作为逐次着色曝光进行的，但由Ni和焊料等制成的端电极是通过普通的曝光工艺形成的。这是因为与导线端部相比，端电极的尺寸比较大，而所需的位置精度与导线端部比较要低。在形成端电极时使用普通的曝光工艺能提高线圈的生产率。

利用上述生产工艺，生产出图1所示的螺旋线圈。利用该工艺，易于生产更加紧凑的线圈芯片。此外，由于能够把线圈配置在芯部件最外面，因而能够生产出具有高电感和高Q值的线圈芯片。此外，利用上述工艺，能容易地在线圈芯片的一面上形成端电极。利用端电极的这种排布，能生产出一种高Q值螺旋线圈，其中以降低的成本降低了由电极生成的电容。

虽然参照由Teflon和主要包含乙烯苄基等材料制成的芯部件说明了本实施例，但本发明不限于这一特性。还可使用各种低介电损耗材料，例如：碳氟树脂，如四氟乙烯树脂或含玻璃纤维的树脂材料等。此外，虽然利用CrCu作为导线的底层膜或种晶，但可使用诸如TiCu等各种材料。同样，端子材料也不限于两层的Ni和焊料。虽然在本实施例中，种晶和端子的材料是通过喷镀涂敷的，但本发明不限于这一特性。也可使用诸如汽象沉积、CVD等各种工艺涂敷这些材料。

在本实施例中，除导线之外所有部件最好由相同材料构成(例如：主要包含乙烯苄基型材料)，以便研磨工艺中的研磨速率不依赖于研磨的位置而有很大变化。然而，本发明不限于这种情形，而可以使用各种具有低介电损耗的材料和粘合剂，只要能够实现几乎相同的的研磨速率即可。此外，可以使用Teflon和主要包含乙烯苄基的材料之外的各种材料，只要它们具有所需的特性(如低介电损耗等)即可。

虽然对于防护膜最好使用与芯部件相同的材料，但由于在芯部件以外的情形下，介电损耗已没有影响，因而可使用由环氧树脂等制成的普通粘合剂。从喷镀CrCu到构图案的上述工艺不限于上述的顺序，顺序最好按环境的要求而变化。例如，CrCu膜等可在完成显象之后形成，然后可进行蚀刻。

在根据本发明生用于产螺旋线圈芯片的工艺中，每一工艺，诸如膜形成工艺在整个表面上进行，其上要通过单一(或一次)膜形成工艺形成线圈。因而，能够以低成本生产高Q螺旋线圈。

根据本发明，能在其上形成线圈的表面上形成端电极，使得电极之间的电容能大大降低。因而，能够生产在高频下保持高Q的线圈芯片。此外，根据本发明，能够在线圈形成的同时或以简单的附加工艺，形成端电极。因而，能够降低线圈芯片的生产成本。

根据本发明，能够在芯材料最外面形成线圈。因而，与能够生产与其它相同尺寸的线圈芯片相比，具有较小介电损耗和较高Q值的紧凑的线圈芯片。

根据本发明，当首先在基片上表面和下表面形成的导线在基片被切割之后被连接时，通过组合切割基片制备要在形成连接导线工艺中使用的集合基片。使用集合基片，在形成这些连接导线时，也能够在其上通过单一膜形成工艺在线圈形成的整个表面形成一层膜。因而，能够进一步降低生产线圈芯片的成本。

根据本发明，在制造集合基片时使用辅助部件，以便能够以规则间隔排布已切割而具有对应于线圈宽度的预定宽度的基片。使用辅助部件，能够容易地生产集合基片。

根据本发明，在制造集合基片中，在切割基片被组合为一个基片后，对上和下表面进行研磨。因而能够使用单个(即一次)薄膜形成工艺，并能够有效地进行膜形成。

Claims (11)

1.一种生产螺旋线圈芯片的方法，包括以下步骤：

利用薄膜形成处理装置在基片上表面和下表面形成以预定间隔并列的多个导线；

沿不同于所述导线延伸方向的方向将所述基片切割为多个切割基片；

通过利用薄膜处理装置形成金属膜并且处理所形成的金属膜，在所述切割基片的相对的切割面上形成附加导线，以便对所有所述切割基片分别同时连接并列在基片的上和下表面的多个导线，以及

将其上形成了附加导线的切割基片切割成多个螺旋线圈芯片的形式，

其中在所述基片被切割为多个切割基片之后，将所述切割的基片粘合而形成集合基片，其中所述切割基片的切割面构成所述集合基片的上表面和下表面，在所述集合基片的上表面和下表面形成所述附加导线，并且所述基片由树脂材料制成。

2.根据权利要求1的生产的螺旋线圈芯片的方法，其中所述基片由具有低介电损耗特性的树脂材料制成，且在形成所述多个附加导线之后，端子电极在所述切割基片的一个表面上形成，该表面与在其上形成所述导线或所述附加导线的另一表面相对。

3.一种螺旋线圈芯片，包括通过连接多个导线形成的螺旋线圈，所述导线是在带有多个附加导线的基片的上表面和下表面上并列形成的，所述附加导线是通过利用薄膜处理装置形成金属膜并且处理所形成的金属膜而在相对的切割面上形成的，所述相对的切割面是通过在不同于导线延伸方向的方向切割所述基片获得的，一切割基片，该切割基片包括多个在沿切割基片延伸的方向上对准的未加工的螺旋线圈芯片，并且该切割基片在形成附加导线后被切割或分割成各个未加工的螺旋线圈芯片，

其中所述基片由具有低介电损耗特性的树脂材料制成，且端子电极被设置于其上形成有所述多个导线的所述基片的表面和其上形成有所述多个附加导线的所述切割基片的切割面的其中之一。

4.一种生产螺旋线圈芯片的方法，包括以下步骤：

在一基片的上表面和下表面上形成以预定间隔彼此平行延伸的多个导线，其中所述基片的上表面和下表面上的所述多个导线的排布以相同方向延伸；

在不同于所述多个导线延伸方向的方向把基片切割为多个切割基片，其方式是使所述多个导线被切割为预定长度，所述多个切割基片的其中之一包括多个在沿切割基片延伸的方向上对准的未加工的螺旋线圈芯片；

借助于粘合剂及多个附属部件将所述切割的基片重构为一集合基片，其中所述切割基片的相对的切割面在所述集合基片中面向上和下排布；以及

通过利用薄膜处理装置形成金属膜并且处理所形成的金属膜而在所述集合基片的上表面和下表面形成多个附加导线，所述多个附加导线的长度等于所述基片厚度加所述基片的上表面和下表面上形成的所述多个导线的每一个的厚度，并以所述预定间隔彼此平行地延伸，

其中所述多个附加导线的每一个连接在所述基片的上表面和下表面上形成的所述多个导线的每一个的端部，所述附加导线穿过所述集合基片的厚度；以及

所述基片由树脂材料制成。

5.根据权利要求4的生产螺旋线圈芯片的方法，其中在所述基片的上表面和下表面上形成所述多个导线的步骤，及在所述集合基片的上表面和下表面上形成所述多个附加导线的步骤中的每个步骤包括：

在所述导线上形成防护膜的步骤。

6.根据权利要求4的生产螺旋线圈芯片的方法，其中在所述集合基片的上表面和下表面上形成多个导线的所述步骤包括在所述集合基片的上表面和下表面任何之一上形成所述螺旋线圈芯片端子电极的步骤。

7.根据权利要求4的生产螺旋线圈芯片的方法，其中借助于粘合剂和多个辅助部件重构切割基片为集合基片的步骤包括以下步骤：

将其间具有规则间隔的所述多个辅助部件并列排列，各所述间隔大于基片厚度加所述基片的上表面和下表面按预定量形成的所述导线的厚度；

将每一所述切割基片与每一间隔空间配合，使得切割基片的切割面指向垂直于所述辅助部件并列的方向；

借助于所述粘合剂组合所述切割基片与所述多个辅助部件，以便形成一个完整的元件；以及

与所述辅助部件并列的方向垂直地研磨所述完整的部件的上表面和上表面。

8.根据权利要求4的生产螺旋线圈芯片的方法，其中借助于粘合剂及多个辅助部件重构切割基片为集合基片的步骤包括以下步骤：

使所述切割基片的切割面指向预定的方向，并在垂直于所述预定方向的方向交替排布所述切割基片和所述多个辅助部件；

借助于所述粘合剂组合所述切割基片和所述多个辅助部件，以便形成一个完整的元件；以及

在所述预定方向上研磨所述完整的部件的上表面和下表面，使得在所述基片的上表面和下表面形成的所述导线的端部暴露。

9.一种用于生产作为螺旋线圈芯片基底材料的螺旋线圈芯片的集合基片，它包括：

彼此平行排布的芯部件，其间有规则的间隔，所述芯部件的上表面和下表面在所述集合基片的上和下表面处暴露，所述芯部件在预定的方向延伸并具有低介电损耗特性；

与所述芯部件紧密接触的多个导线，所述多个导线在不同于所述芯部件延伸方向的方向穿过所述集合基片，使得导线的端部暴露在所述集合基片的上表面和下表面；以及

填充所述多个导线与所述芯部件之间的空间的基底部分，

其中所述芯部件通过切割具有低介电损耗特性的基片而获得，所述多个导线在切割所述基片前被形成在所述基片的上和下表面上，并且所述集合基片的上和下表面通过抛光而制成平面。

10.一种螺旋线圈芯片，包括由具有低介电损耗特性树脂材料制成的芯部件，由金属镀覆并围绕所述芯部件缠绕形成的线圈，起到金属镀覆种晶作用、设置在所述芯部件与线圈之间的层，以及所述芯部件的一对表面，在该对表面上种晶被形成，该对表面相向设置并且通过抛光而被制成平面的。

11.根据权利要求10的螺旋线圈芯片，其中所述线圈包含Cu作为主要材料，种晶包含CrCu或TiCu作为主要材料。

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