CN100474758C - 电感电容振荡器 - Google Patents

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Abstract

一种采用形成于基片上的电感元件的LC振荡器，其特征在于：所述电感元件，包括相互绝缘地重叠而形成于基片上的两个导体，一个导体的端部与另一个导体的相反侧的端部，通过连接线连接，与所述基片相离的所述一个导体作为电感器导体，将所述连接线设置在穿过靠近所述基片的所述另一个导体与所述基片之间的位置上。

Description

电感电容振荡器
本申请是申请号为00810134.3、申请日为2000年7月24日的原案申请的分案申请，该原案的在先申请号为JP99-210167、优先权日为1999年7月26日。
技术领域
本发明涉及在半导体基片等各种基片上形成的电感电容振荡器(LC振荡器)。
背景技术
已知有利用薄膜成形技术在半导体基片上形成螺旋形电极、利用该电极作为电感元件的半导体电路。当在这种半导体基片上形成的电感元件流经电流时，螺旋形电极的垂直方向产生磁通量，由于根据该磁通量，半导体基片表面会产生涡流以抵消有效磁通量，从而有不能实现作为电感元件的有效功能。特别是，电感元件流经的信号的频率越高，这种倾向越显著，难于在半导体基片上形成包含有电感元件作为共振元件的LC振荡器。
发明内容
本发明针对该问题点，其目的在于提供即使是形成在基片上的情况下，也能够进行振荡动作的LC振荡器。
本发明的LC振荡器包含的电感元件，该电感元件包括相互绝缘的状态重叠而形成在基片上的两个导体，其中，一个导体的端部与另一个导体的相反侧的端部，通过连接线连接，与基片相离的一个导体作为电感器导体，将连接线设置在穿过靠近基片的另一导体与基片之间的位置上，用作电感器导体的上述一个导体的另一端，通过连接线来引出。实验证明，这种结构的电感元件具有规定的电感，即使形成在基片上，其电感成分也不会由于涡流等消失。该电感元件用作LC振荡器的一个部件，从而LC振荡器即使是形成在基片上的情况下，也能够进行振荡。特别是，由于该电感元件包含的电感器导体的引出线通过另一导体与基片之间而引出，可将对电感器导体产生的有效磁通的遮蔽抑制到最小的程度，从而可获得特性良好的电感元件。
并且，上述的电感元件，在基片上形成三层以上的金属层的情况下，最好利用相互隔开一层以上的不同层的金属层分别形成上述的两个导体和引出线。通过给LC振荡器包含的电感元件设置这样的结构，由于电感器导体与引出线之间至少可相隔两层以上，因而可进一步减小流经引出线的电流的影响。
并且，上述电感元件包含的两个导体各一端之间的相互连接最好利用从电感器导体的一端延伸的引出线的一部分来实现。从而可以减少电感器导体和交叉导线(引出线及连接线)的根数，并可以进一步减少电感器导体产生的有效磁通的遮蔽。并且，在用曝光装置等制造各导体和引出线时，由于可以简化掩膜的形状，可降低LC振荡器的整体制造成本并减少制造过程所需的工序。
并且，本发明的LC振荡器包含的电感元件，以相互绝缘的状态重叠形成在基片上，具有分别有一端彼此连接在一起的两个导体，与基片相离的一个导体用作电感器导体，同时位于另一导体的不与电感器导体连接侧的端头用规定的阻抗元件端接。电感元件内的电感器导体产生的有效磁通量使得另一个导体中也有电流流过，用阻抗元件端接另一导体的自由端侧的端头，可以防止在该部分产生不需要的反射，改善电感元件的特性，从而可以在包含这样的电感元件的LC振荡器中进行可靠的振荡。并且，通过用电阻、电容或电感或它们的任意组合构成上述阻抗元件，可以调整另一导体的频率特性等。从而，通过将阻抗元件的元件常数调整到适当的值，以微调振荡特性。
并且，最好使构成上述阻抗元件的电阻、电容、电感的至少一个元件常数可以改变，通过改变该元件常数来调整终端条件。通过外部的某种手段，例如通过改变施加的控制电压，可以调整取决于整个阻抗元件的元件常数即终端条件变更的电感元件的特性，并随之进行振荡频率的微调整。
特别是，上述基片为半导体基片的情况下，最好由可变电容的二极管形成元件常数可变的电容。通过使用利用半导体基片形成的可变电容的二极管，在可使部件小型化的同时，与后续安装外装件、进行配线的场合相比，可以简化制造工序，从而降低LC振荡器的制造成本。同样，上述基片为半导体基片的情况下，最好由用作电阻的FET形成沟道。通过使用利用半导体基片形成的可变电阻的FET，在小型化部件的同时，与后续安装外装件又进行配线的场合相比，可以简化制造工序，从而降低LC振荡器的制造成本。
并且，构成阻抗元件的电感，最好由基片上以规定形状形成的导体层来形成。由于用以对导体的一端进行端接的电感并不要求高的Q值，因而可以通过基片上的导体图案实现，而且可以利用进行各种配线等的金属层在相同的工序中形成该导体图案，从而，可以小型化LC振荡器、简化制造工序以及降低制造成本。
并且，最好使用半导体基片作为上述基片、在该基片上形成LC振荡器的各构成部件。如果能够在半导体基片上形成具有有效功能的电感元件，则可以在半导体基片上形成包含电感元件的LC振荡器的各构成部件，从而可以不使用外装件、在半导体基片上一体化地形成整个LC振荡器。
并且，最好上述两个导体以相同形状或长条状形成。通过形成同一形状，上层导体与基片表面不会直接面对，可以降低直接面对时基片上产生的涡流。并且，通过以长条状形成两个导体，可以使上层导体保持规定的电感。特别是，导体以一周以上的螺旋状或S形弯曲状形成的情况下，可以保持很大的电感，因而适合使用较低频率的LC振荡器的场合。并且，导体以不满一周的环圈形状或大致直线形状形成时，与螺旋状等形成的情况相比，可以使电感变小，因而适合使用较高频率的LC振荡器的场合。
并且，两个导体以螺旋状形成的情况下，最好是一个导体的内圈端头与另一个导体的外圈端头连接。实验确认，通过这样的连接，在基片上形成电感器导体的状态下，可进一步确保更大的电感，可以在基片上实现有效的电感元件。特别是，环圈数一周以上的螺旋状的场合，必须从该螺旋状电感器导体的内圈端头延伸引出线，该引出线在靠近基片的导体与基片之间通过而引出，从而将对电感器导体产生的有效磁通的遮蔽抑制到最小限度。
并且，上述电感元件适合用作同时具有电感成分和电容成分的复合元件。该电感元件具有相互叠合的两个导体，其特性中也含有电容成分，从而，作为一个组合电感和电容使用的LC振荡器的部件，可使该电感元件的特性得到有效利用。
附图说明
图1是表示第一实施例的LC振荡器结构的电路图。
图2是图1所示LC振荡器包含的电感元件的平面结构的示图。
图3是图2所示电感元件包含的上层导体的示图。
图4是图2所示电感元件包含的下层导体形状的示图。
图5是电感元件所包含的两个导体连接状态的示图。
图6是沿图2的VI-VI线剖切放大截面图。
图7表示LC振荡器的输出特性的测定结果。
图8表示LC振荡器的输出特性的测量结果。
图9表示LC振荡器的输出特性的测定结果。
图10表示LC振荡器的输出特性的测定结果。
图11是第二实施例的电感元件的结构的示图。
图12是表示在下层导体的内圈端头连接可变电容二极管时结构的示图。
图13是表示图12所示可变电容二极管形成于基片上的情况下的截面结构的图。
图14是表示下层导体的内圈端头连接可变电阻时结构的示图。
图15表示LC振荡器的输出特性的测定结果。
图16表示LC振荡器的输出特性的测定结果。
图17是表示电感元件包含的导体的改型例的示图。
图18是省略了两个导体端头间连接线的电感元件的改型例的示图。
具体实施方式
以下，参照附图具体说明适用于本发明的实施例的LC振荡器。
[第一实施例]
图1是表示第一实施例的LC振荡器结构的电路图。图1所示的LC振荡器10包括：晶体管20、该晶体管20的基极和发射极之间连接的电容22，发射极和集电极之间连接的电容24，基极和集电极之间串联连接的电容26，以及电感元件30。
LC振荡器10中，将2个电容22、24的电容量设成晶体管20极间电容量的数十倍，电感元件30经由电容26接入。
具有上述结构的本实施例的LC振荡器10是改良科耳皮兹电路而成的克拉普电路。LC振荡器10中，由于使决定振荡频率的共振电路的电容与电容22、24、26的串联连接等价，从而与没有与电容26相当的电容的科耳皮兹电路比较，可以使电容22和24的电容量变大。从而，即使在晶体管20的极间电容变化的情况下，对共振电路的共振频率不会有大的影响，可以提高振荡频率的稳定度。
图2是表示本实施例的LC振荡器10包含的电感元件30的平面结构的示图。并且，图3是表示图2所示电感元件30所包含的上层导体的示图。图4是表示图2所示电感元件30所包含的下层导体形状的示图。
本实施例的电感元件30具有在半导体基片110的表面形成的螺旋形的两个导体120、122。这两个导体120、122具有大致相同的形状，从半导体基片110的表面一侧观察时，上层的一个导体120与下层的另一个导体122大致重叠配置。导体120与122由诸如金属薄膜(金属层)或多晶硅等半导体材料形成。
图5是表示上述两个导体连接状态的示图。如图5所示，引出线130、132分别连接于上层导体120的外圈端头(外周端子)与内圈端头(中心端子)，上层导体120的内圈端头和下层导体122的外圈端头通过连接线134连接。
上层导体120起电感器导体的功能，经由与其两端连接的引出线130、132，与半导体基片110上形成的LC振荡器10的其他部件连接。
图6是沿图2的VI-VI线剖切的截面的放大图。如图5和图6所示，半导体基片110的表面上至少形成三层的金属层160、162与164，利用离半导体基片110最远的最上层金属层160形成作为电感器导体的一个导体120，利用中层金属层162形成另一个导体122。
并且，最上层导体120的内圈端头引出的引出线132用离半导体基片110最近的最下层金属层164形成。例如，如图6所示，导体120的内圈端头与引出线132的一端经由通孔150连接，最下层金属层164形成的引出线132以与螺旋形的电感器导体的各环圈部分垂直相交地向外圈侧引出。并且，在3个金属层160、162与164形成的导体120、122、引出线132和半导体基片110之间，分别形成绝缘层140、142与144，以相互绝缘。
本实施例的LC振荡器10包含的电感元件30具有上述结构，上层导体120的两端分别连接的两个引出线130、132之间出现规定的电感，该上层导体120可以用作电感器导体。并且，该上层导体120的下侧，形成与该导体120形状大致相同的导体122，它们各自的一端通过连接线134互相连接，从而当上层导体120作为电感器导体使用时，可以抑制半导体基片110表面产生涡流，使上层导体120可有效发挥作为电感器导体的功能。
并且，本实施例的LC振荡器10包含的电感元件30中，作为电感器导体的上层导体120的内圈端头引出的引出线132由最下层金属层164形成，配置在将另一导体122夹于中间的、且离电感器导体最远的位置。从而，使得对电感器导体产生的有效磁通的遮蔽抑制到最小限度，从而可获得良好的特性。这样，本实施例的LC振荡器10包含的电感元件30可以由半导体基片110的表面上至少三层的金属层160、162与164形成，从而，可以与半导体基片110上的其他部件集成为一体。
关于采用这种将上述两个导体120、122重叠配置于基片上并将其各自的一端相互连接而形成电感元件的LC振荡器的有效性，本申请人做了各种实验来加以验证，并基于该实验结果进行了申请(特願平10-140541号)。本实施例的LC振荡器10对其进行了改良，通过利用具有两层结构的两个导体120、122、设法确定引出线132的引出位置，实现LC振荡器10中使用的电感元件30的特性的改善。例如，如考虑半导体基片和其他基片上仅仅形成螺旋形的电感器导体的场合，即使利用与形成该电感器导体的金属层邻接的上层或下层的金属层形成引出线，并没有改变电感层与引出线接近配置的情况，使得电感器导体产生的有效磁通量被遮蔽。但是，本实施例的LC振荡器10包含的电感元件30中，由于在作为电感器导体的导体120和引出线132之间配置另一个导体122，可以降低引出线132与电感器导体120交叉地被引出这种情况造成的有效磁通紊乱。
以下，引用上述申请(特願平10-140541号)的实验结果来说明本实施例的LC振荡器的有效性。
图7是表示，利用具有与电感元件30包含的导体120同一形状的一层电极的电感元件构成LC振荡器的情况下的输出特性的测定结果的示图。该输出特性的测定所用的电感元件，采用在厚度0.13mm、介电常数3.17的绝缘材料的表面上形成图案宽度1mm、环圈图案的邻接间隔0.2mm，环圈数为5的电极。并且，图7(后述的图9、图10也相同)的纵轴给出以对数表示的输出振幅、横轴给出以对数表示的输出信号的频率。图7所示的是，让这样以一层电极形成的电感元件在与其他导体基片和半导体基片充分隔离的状态下使LC振荡器动作时，观察到119MHz的振荡频率。
图8表示，采用图7所示输出特性测定时用的电感元件，让作为导体基片的铜片渐渐靠近该电感元件时LC振荡器输出特性的测定结果。图8的纵轴为以对数表示的输出振幅、横轴为输出信号的频率。如图8所示，在用一层电极形成的电感元件产生振荡的状态下，当铜片渐渐靠近该电感元件时，观察到振荡频率从119MHz升高到139MHz、168MHz、198MHz，当电极隔着厚度3.17mm的绝缘材料与铜片贴近时，振荡停止。
如此，只用一层电极在铜片上形成螺旋形电感器导体的情况下，LC振荡器会停止振荡。这是因为一层电极形成的电感元件30具有的电感量随着铜片的接近而变小。铜片靠近时电感量变小的原因是，向电极输入信号时产生的磁通在铜片表面产生涡流，抵消了该磁通。
图9是表示，用设有其形状与配置与图2所示电感元件30的两个导体120、122相同的两层电极的电感元件构成的LC振荡器的输出特性的测定结果。并且，图10是表示，当设有其形状与配置与电感元件30的两个导体120、122相同的两层电极的电感元件跟铜片贴近时，LC振荡器的输出特性的测定结果。
这些测定所用的电感元件，与图7及图8中给出测定结果的电感元件比较，其结构上增加了与图2所示导体122对应的电极。并且，该电感元件与铜片贴近的情况下，将足够薄的绝缘材料设置在下层的电极和铜片之间。
从图9所示测定结果可知，在所述电感元件与其他导电部件充分隔开的状态下，利用螺旋状的两层电极相对配置的电感元件的LC振荡器具有70MHz左右的振荡频率。该振荡频率比使用图7所示一层电极形成的电感元件的情况下的振荡频率(119MHz)低，这是因为两层电极形成的电感元件起着具有电感成分和电容成分的复合元件的作用，该电容成分降低了包含电感元件的共振电路的共振频率。
并且，具有上述两层电极的电感元件与铜片贴近的状态下，如图10所示，虽然振荡频率(127MHz)移动了，但是经确认仍有相同的振荡现象。这表明，通过使用具有上述电极的二重结构的电感元件，即使与铜片贴近，该电感成分也不会消失，作为电感器导体的功能可以得以维持。
这样，两层电极以螺旋形状形成的电感元件，其一个面(作为电感器导体使用的电极的反对面)即使与铜片紧密接触，该电感成分也不会消失，可以起作为电感器导体的功能，维持使用该电感元件的LC振荡器的振荡动作。从而，通过使用具有基本上相同结构的本实施例的电感元件30，即使该电感元件30与其他的LC振荡器10的各个构成部件形成在半导体基片110上的场合，也可让LC振荡器10中进行振荡。
[第二实施例]
图11是第二实施例的LC振荡器所用的电感元件30A的结构的示图。并且，本实施例的LC振荡器的整体结构与图1所示第一实施例的LC振荡器基本相同，因而省略其说明。本实施例的LC振荡器包含的电感元件30A相对于图5所示第一实施例的电感元件30的不同点在于增加了规定的阻抗元件200。就是说，上述第一实施例的电感元件30中，与作为电感器导体的导体120大致重叠配置的另一导体122，仅一端(图2示例中的外圈端头)与连接线134连接，其内圈端头为自由端(开路状态)。本实施例中，由于导体122的内圈端头经由阻抗元件200端接，可改善或调整电感元件30A的整体特性。
例如，电感元件30A的导体120中流经电流时，在另一导体122中会有感应电流或通过阻抗元件200直接流入的电流，但是通过以阻抗元件200端接另一导体122的内圈端头，可以防止该内圈端头处的无用反射。并且，通过调整或变更阻抗元件200的元件常数，可以容易地改善包含电感元件30A的电路频率特性。例如，当希望降低频率时，可以将电感作为阻抗元件200使用。反之，希望升高频率时，可以将电容作为阻抗元件200使用。或者，也可让阻抗元件200由电感、电容或电阻任意组合来形成。
并且，最简单地，上述的阻抗元件200可以采用电感、电容或电阻的芯片部件。并且，如图6所示的截面结构，考虑到在半导体基片110上形成构成电感元件30A的两个导体120、122等，最好也采用半导体制造技术在半导体基片110上形成阻抗元件200。例如，可以考虑用高电阻材料形成电阻，使具有规定面积的两个金属层对置而形成电容，并以规定形状的导体形成电感。并且，由于阻抗元件200仅仅用于终接，即使通过电感实现，也不需要那么高的Q值。因而，以规定形状(例如螺旋状)的导体在半导体基片110上形成的电感可以作为阻抗元件200使用。
并且，可以采用其元件常数可通过外部控制手段改变的阻抗元件200。图12表示导体122的内圈端头连接有可变电容二极管210时的结构。可变电容二极管210，在反偏置状态下用作具有规定容量的电容，可通过改变反偏置电压的大小来改变其电容量。该可变电容二极管210经由用以去除直流成分的电容212跟导体122的内圈端头连接。
图13是表示图12所示可变电容二极管210形成于半导体基片110上时的结构的截面图。如图13所示，在由n型硅基片(n-Si)形成的半导体基片110的表面附近形成的p+区220，并在其一部分上形成n+区222，再由这些p+区220和n+区222形成pn结合层。并且，p+区220的表面上形成接地用的电极230，n-区222的表面形成用以施加作为控制电压Vc的可变反偏压的电极232。通过在电极232施加正的控制电压Vc，可以形成其电容量相对应控制电压Vc的大小而变化的可变电容二极管210。
图14表示导体122的内圈端头连接有由FET 240形成的可变电阻时结构的示图。如图14所示，通过将FET 240的沟道作为电阻使用，可以容易地实现可变电阻。并且，通过改变栅电极上施加的控制电压Vc，可以改变形成于源极与漏极间的沟道的电阻。并且，在半导体基片110的表面附近形成源区和漏区的同时，通过在这些区域和其间形成沟道的区域附近形成规定形状的电极，可以容易地在半导体基片110上形成FET 240。
这样，通过用其元件常数对应外部施加控制电压Vc变化的阻抗元件端接导体122的一端，可以变更终端条件，因而即使在电感元件30A输入输出信号的频率等发生变化时，也可以通过对应这种变化调整终端条件来改善LC振荡器的特性。
并且，本发明不局限于上述实施例，在本发明的范围内可以有种种改型实施例。例如，图2所示电感元件30，其上层导体120的内圈端头和下层导体122的外圈端头通过连接线134相互连接，但是相反地也可以让上层导体120的外圈端头和下层导体122的内圈端头相互连接。并且，在允许电感元件的电感量以某种程度减小的场合，也可在导体120、122各自的外圈端头或内圈端头之间相互连接。
图15示出的输出特性测定结果的测量对象是，用设有其形状与配置与图2所示电感元件30包含的两个导体120、122相同的两层电极、且它们各自的外圈端头相互连接的电感元件构成的LC振荡器。并且，图16示出了当图15所示特性测定中所用的电感元件与铜片贴近时的LC振荡器的输出特性的测定结果。并且，这些测定结果是直接引自上述申请(特願平10-140541号)的实验结果的原始数据。如这些附图所示，在采用两个电极的外圈端头相互连接的电感元件的LC振荡器中，虽然由于与铜片贴近时，其振荡频率从117MHz变化到171MHz，但振荡动作却继续维持而不会停止。
并且，上述实施例中，由于电感元件30、30A包含的两个导体120、122形成螺旋状，可以实现具有大电感量的电感元件30、30A，但是两个导体120、122也可以S形弯曲形成(图17(A))。并且，在该电感元件30、30A作为高频率电路的部件使用时，小电感量已经足够，因而可以减少导体120、122的圈数，形成不满1圈的形状(图17(B))，也可采用大致成直线的形状(图17(C))。
并且，上述实施例中，两个导体120、122设定成大致相同的形状，但是也可以设定成不同的形状。例如，下层导体122的圈数可以设定成比上层导体120的圈数多。这样，上层导体120的下侧跟下层导体122的全部或一部分相对配置时，上层的导体120与半导体基片110不直接相对，可以有效防止因上层导体产生的涡流。
并且，上述实施例中，通过在半导体基片110上形成两个导体120、122而形成电感元件30、30A，也可以通过在金属等的导体基片上形成两个导体120、122而形成电感元件。图10等所示实验结果确认，即使在这种场合，也可以作为电感元件有效地起作用，并可使LC振荡器进行振荡。如果能够与导体基片贴近而形成电感元件30、30A，则也可能在金属制的密封盒等的表面配置电感元件30、30A，从而容易使电感元件的设置空间得到保证。
并且，上述各实施例的电感元件30、30A，两个导体120、122各自的一端彼此连接，用别的连接线134和引出线130、132连接；但是也可以如图18所示，用其中一个导体的引出线132的一部分进行两个导体120、122各自一端之间的相互连接。这种情况下，由于不需要连接线134，可以简化结构，同时连接线134不会发生不需要的磁通，也不会因此使电感器导体发生的有效磁通紊乱，从而可以使特性得到改善。
并且，上述实施例中，说明了用克拉普电路作为LC振荡器的情况，但是也可采用以电感和电容的共振来振荡的其他LC振荡器，例如采用科耳皮兹电路的振荡器。即使在这种场合，通过使用具有图2等所示结构的电感元件作为LC振荡器的电感元件，也可以实现在半导体基片或导体基片上进行振荡的LC振荡器。
工业上的应用可能性
如上所述，根据本发明，将其一端相互连接的两个导体中与基片相离的那个导体用作电感器导体，同时该电感器导体的引出线在靠近基片的另一导体与基片之间通过，使得对电感器导体产生的有效磁通的遮蔽被抑制到最小限度，从而以该电感元件用作LC振荡器的部件而构成的具有良好特性的LC振荡器可基片上形成，并可使之进行振荡。
并且，根据本发明，电感器导体产生的有效磁通量引起另一导体上也有电流流过，通过在另一导体的自由端端接阻抗元件，可防止该端产生的无用反射，改善电感元件的特性。从而可以在基片上形成更具优良特性的LC振荡器。

Claims (12)

1.一种采用形成于基片上的电感元件的电感电容振荡器，其特征在于：
所述电感元件，包括相互绝缘地重叠而形成于基片上的两个导体，一个导体的端部与另一个导体的相反侧的端部，通过连接线连接，与所述基片相离的所述一个导体作为电感器导体，将所述连接线设置在穿过靠近所述基片的所述另一个导体与所述基片之间的位置上，用作电感器导体的所述一个导体的另一端，通过连接线来引出。
2.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述电感元件，在形成于所述基片上的三层以上的金属层中，利用相互隔开一层以上的不同层的所述金属层分别形成所述两个导体和所述连接线。
3.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述电感元件，使用由所述电感器导体的引出线的一部分形成的所述连接线，进行在所述两个导体的一端之间的连接。
4.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述基片为半导体基片，其构成部件形成于有所述电感元件形成的所述基片上。
5.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述两个导体具有大致相同的形状。
6.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述两个导体为长条状，它们在长度方向上有一端互相连接。
7.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述两个导体具有不满一周的环圈状，它们有一端互相连接。
8.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述两个导体具有一周以上环圈数的螺旋状，它们有一端互相连接。
9.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述两个导体形成大致为直线的形状，它们有一端互相连接。
10.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述两个导体以S形弯曲状形成，它们有一端互相连接。
11.如权利要求8所述的电感电容振荡器，其特征在于：一所述导体的内圈端头与另一所述导体的外圈端头相连接。
12.如权利要求1所述的电感电容振荡器，其特征在于：所述电感元件具有上层的所述导体的电感成分和所述两个导体之间的电容成分。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11317621A (ja) * 1998-05-07 1999-11-16 Tif:Kk Ｌｃ発振器
JP2001052928A (ja) * 1999-08-17 2001-02-23 Tif:Kk インダクタ素子
US7268637B2 (en) * 2001-02-15 2007-09-11 Integral Technologies, Inc. Low cost RF oscillator devices manufactured from conductive loaded resin-based materials
US7164388B2 (en) * 2001-02-15 2007-01-16 Integral Technologies, Inc. Low cost adjustable RF resonator devices manufactured from conductive loaded resin-based materials
JP4458754B2 (ja) * 2003-03-04 2010-04-28 株式会社ルネサステクノロジ Ｌ負荷差動回路
TWI338448B (en) 2006-06-28 2011-03-01 Richwave Technology Corp Lc resonant circuit
CN101123421B (zh) * 2006-08-10 2014-04-16 立积电子股份有限公司 电感电容谐振电路
CN101145691B (zh) * 2007-06-15 2010-08-25 沈阳鼎盛中贝机电设备有限公司 频敏滤波器
WO2010104569A1 (en) 2009-03-09 2010-09-16 Neurds Inc. System and method for wireless power transfer in implantable medical devices
US9208942B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 Nucurrent, Inc. Multi-layer-multi-turn structure for high efficiency wireless communication
US9306358B2 (en) 2009-03-09 2016-04-05 Nucurrent, Inc. Method for manufacture of multi-layer wire structure for high efficiency wireless communication
US9232893B2 (en) 2009-03-09 2016-01-12 Nucurrent, Inc. Method of operation of a multi-layer-multi-turn structure for high efficiency wireless communication
US9300046B2 (en) 2009-03-09 2016-03-29 Nucurrent, Inc. Method for manufacture of multi-layer-multi-turn high efficiency inductors
US9439287B2 (en) 2009-03-09 2016-09-06 Nucurrent, Inc. Multi-layer wire structure for high efficiency wireless communication
US9444213B2 (en) 2009-03-09 2016-09-13 Nucurrent, Inc. Method for manufacture of multi-layer wire structure for high efficiency wireless communication
US11476566B2 (en) 2009-03-09 2022-10-18 Nucurrent, Inc. Multi-layer-multi-turn structure for high efficiency wireless communication
KR101018266B1 (ko) 2009-03-26 2011-03-04 서울대학교산학협력단 자기소용돌이 구조가 형성되어 있는 오실레이터 및 이를 이용한 교류신호 생성방법
US20130068499A1 (en) * 2011-09-15 2013-03-21 Nucurrent Inc. Method for Operation of Multi-Layer Wire Structure for High Efficiency Wireless Communication
US9941729B2 (en) 2015-08-07 2018-04-10 Nucurrent, Inc. Single layer multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling
US10636563B2 (en) 2015-08-07 2020-04-28 Nucurrent, Inc. Method of fabricating a single structure multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling
US9941590B2 (en) 2015-08-07 2018-04-10 Nucurrent, Inc. Single structure multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling having magnetic shielding
US11205848B2 (en) 2015-08-07 2021-12-21 Nucurrent, Inc. Method of providing a single structure multi mode antenna having a unitary body construction for wireless power transmission using magnetic field coupling
US9941743B2 (en) 2015-08-07 2018-04-10 Nucurrent, Inc. Single structure multi mode antenna having a unitary body construction for wireless power transmission using magnetic field coupling
US10063100B2 (en) 2015-08-07 2018-08-28 Nucurrent, Inc. Electrical system incorporating a single structure multimode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling
US10658847B2 (en) 2015-08-07 2020-05-19 Nucurrent, Inc. Method of providing a single structure multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling
US9960629B2 (en) 2015-08-07 2018-05-01 Nucurrent, Inc. Method of operating a single structure multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling
US9948129B2 (en) 2015-08-07 2018-04-17 Nucurrent, Inc. Single structure multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling having an internal switch circuit
US9960628B2 (en) 2015-08-07 2018-05-01 Nucurrent, Inc. Single structure multi mode antenna having a single layer structure with coils on opposing sides for wireless power transmission using magnetic field coupling
US10985465B2 (en) 2015-08-19 2021-04-20 Nucurrent, Inc. Multi-mode wireless antenna configurations
US11011915B2 (en) 2016-08-26 2021-05-18 Nucurrent, Inc. Method of making a wireless connector transmitter module
US10424969B2 (en) 2016-12-09 2019-09-24 Nucurrent, Inc. Substrate configured to facilitate through-metal energy transfer via near field magnetic coupling
US11177695B2 (en) 2017-02-13 2021-11-16 Nucurrent, Inc. Transmitting base with magnetic shielding and flexible transmitting antenna
US11277028B2 (en) 2017-05-26 2022-03-15 Nucurrent, Inc. Wireless electrical energy transmission system for flexible device orientation
JP7106943B2 (ja) * 2018-03-30 2022-07-27 Tdk株式会社 コイルユニット、ワイヤレス送電装置、ワイヤレス受電装置、ワイヤレス電力伝送システム
US11227712B2 (en) 2019-07-19 2022-01-18 Nucurrent, Inc. Preemptive thermal mitigation for wireless power systems
US11271430B2 (en) 2019-07-19 2022-03-08 Nucurrent, Inc. Wireless power transfer system with extended wireless charging range
US11609128B2 (en) * 2019-12-10 2023-03-21 Wiliot, LTD. Single layer LC oscillator
US11056922B1 (en) 2020-01-03 2021-07-06 Nucurrent, Inc. Wireless power transfer system for simultaneous transfer to multiple devices
US11283303B2 (en) 2020-07-24 2022-03-22 Nucurrent, Inc. Area-apportioned wireless power antenna for maximized charging volume
US11876386B2 (en) 2020-12-22 2024-01-16 Nucurrent, Inc. Detection of foreign objects in large charging volume applications
US11881716B2 (en) 2020-12-22 2024-01-23 Nucurrent, Inc. Ruggedized communication for wireless power systems in multi-device environments
US11695302B2 (en) 2021-02-01 2023-07-04 Nucurrent, Inc. Segmented shielding for wide area wireless power transmitter
US12003116B2 (en) 2022-03-01 2024-06-04 Nucurrent, Inc. Wireless power transfer system for simultaneous transfer to multiple devices with cross talk and interference mitigation
US11831174B2 (en) 2022-03-01 2023-11-28 Nucurrent, Inc. Cross talk and interference mitigation in dual wireless power transmitter

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4844755A (zh) 1971-10-07 1973-06-27
US4513257A (en) 1981-12-03 1985-04-23 Omron Tateisi Electronics Co. Proximity switch with oppositely polarized coils
DE3213436A1 (de) * 1982-04-10 1983-10-20 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Bandfilter
JPH0377360A (ja) * 1989-08-18 1991-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2793856B2 (ja) 1989-09-29 1998-09-03 日本電信電話株式会社 電圧制御発振器
JPH04179158A (ja) 1990-11-09 1992-06-25 Hitachi Ltd 半導体信号発生回路
JPH0684645A (ja) 1992-08-28 1994-03-25 Alps Electric Co Ltd 電子部品
JPH06181417A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Fujitsu Ltd 終端装置
JPH06268468A (ja) 1993-03-17 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp 自動終端回路とその収納方法
FR2710166A1 (fr) 1993-09-13 1995-03-24 Trt Telecom Radio Electr Dispositif de décision pour modulations codées et modem comportant un tel dispositif.
JPH0897373A (ja) 1994-09-27 1996-04-12 T I F:Kk Ｌｃ素子，半導体装置及びｌｃ素子の製造方法
TW267260B (zh) 1993-12-29 1996-01-01 Tif Kk
JP3482004B2 (ja) 1994-06-03 2003-12-22 新潟精密株式会社 正弦波発振回路
JP3512472B2 (ja) 1994-06-06 2004-03-29 新潟精密株式会社 正弦波発振回路
JP3601619B2 (ja) 1995-01-23 2004-12-15 株式会社村田製作所 コモンモードチョークコイル
JP3808557B2 (ja) 1996-08-30 2006-08-16 新潟精密株式会社 インダクタ素子
JPH11317621A (ja) 1998-05-07 1999-11-16 Tif:Kk Ｌｃ発振器

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DE60026846T2 (de) 2006-09-07
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CN1364334A (zh) 2002-08-14

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