CN100429174C - 一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法 - Google Patents

一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100429174C
CN100429174C CNB2006100807266A CN200610080726A CN100429174C CN 100429174 C CN100429174 C CN 100429174C CN B2006100807266 A CNB2006100807266 A CN B2006100807266A CN 200610080726 A CN200610080726 A CN 200610080726A CN 100429174 C CN100429174 C CN 100429174C
Authority
CN
China
Prior art keywords
materials
titanium series
preparation
ceramic material
pure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2006100807266A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1844046A (zh
Inventor
林慧兴
罗澜
陈玮
管恩祥
杨爱民
王建刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Sunflex Light Retroreflective Material Co., Ltd.
Original Assignee
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Ceramics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority to CNB2006100807266A priority Critical patent/CN100429174C/zh
Publication of CN1844046A publication Critical patent/CN1844046A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100429174C publication Critical patent/CN100429174C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域。本发明按摩尔比BaCO3∶TiO2=1∶(4.4~4.6)配比原料;外加添加剂五氧化二钒(V2O5),其添加量为原料重量的0.2~5.0wt%,外加添加剂二氧化锡(SnO2),其添加量为原料重量的0~3.0wt%,外加添加剂三氧化二铝(Al2O3),其添加量为原料重量的0~3.0wt%配成混合料;在混合料中分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合,在140~200℃下烘干,装入刚玉莫来石匣钵中,高温煅烧得到所需材料。本发明制造的Ba2Ti9O20陶瓷粉体可以广泛应用于各类高性能微波陶瓷材料的制备,在多层带通滤波器、高通滤波器,低通滤波器,双工器,天线、巴伦等多层微波频率器件的设计和生产中具有广阔应用前景。

Description

一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域。
背景技术
随着移动通信事业的迅猛发展,微波介质滤波器、微波介质谐振器及微波介质振荡器等越来越受到人们的广泛重视。这些微波器件主要应用于商用无线通信系统,诸如发展很快的蜂窝式移动通信系统(450~900MHz),目前正在使用的第二代和即将开发的第三代移动通信系统(约2GHz),无绳电话(2.3GHz),电视接收系统(TVRO,2~5GHz),直接广播系统(DBS,11~13GHz)和卫星通信系统(20~30GHz)等。随着技术发展,无线电报、高清晰度电视、电视对话以及多种形式的私人通信将进入人们的生活中,对微波器件性能的要求会越来越高。微波介质陶瓷是制造这些器件的关键材料。自20世纪80年代以来,一系列高性能微波介质陶瓷的出现,导致了小型化的微波介质谐振器、滤波器和振荡器的开发,加速了移动机的高性能和小型化进程。用于微波器件的微波介质陶瓷必须具备以下性能:①高介电常数εr,因谐振器的尺寸大小与介电常数的平方根成反比;②低介电损耗tg δ(或高品质因数Q)以保证优良的选频性;③谐振频率温度系数(τf)尽可能地接近于0ppm/℃以保证稳定性。
单相Ba2Ti9O20的相对介电常数为εr=39.8,在4GHz时,介电损耗低其品质因数Q值>8000,而且其谐振频率的温度系数为τf=2ppm/℃,是目前用于高频微波元件制造的重要微波介质材料之一,特别适于制作微波介质谐振器和卫星用滤波器等高介高频元器件。
单相Ba2Ti9O20的合成非常困难。尽管Ba2Ti9O20相早在1958年就由Jonker和Kwestro发现,但直至目前,一种简单、经济、工艺稳定和适合批量生产的单相Ba2Ti9O20的合成方法,仍然是许多国家研究开发工作的热点。O`Bryan等人研究了Ba2Ti9O20附近的相图,发现Ba2Ti9O20相在1200℃以上向富钡区弯曲,呈一定的曲线形状,这可能是单相Ba2Ti9O20陶瓷不易形成的主要原因。O`Bryan的实验表明:单相的Ba2Ti9O20只存在于Ba∶Ti=2∶9附近很窄的一个组成区域里。
近来化学法制造Ba2Ti9O20粉体引起多方面的注意。Ritter等通过醇盐水解法,在1100℃下长时间处理(543h)获得单相的Ba2Ti9O20。Javadpour等以钛酸丁酯和BaCO3为原料,利用液相混合法,在1200℃/110h的条件下获得单相的Ba2Ti9O20粉体。Pfaff以BaCl2和TiCl4为原料,利用共沉淀法在900℃下得到单相的Ba2Ti9O20粉体。Xu等以EDTA为络合剂,采用液相混合法,在1200℃/2~6h条件下,获得单相的Ba2Ti9O20粉体。化学法制造Ba2Ti9O20粉体的方法虽然很多,但不少方法都存在一些缺点,如产量较低、工艺复杂成本高、需要低温或高温下操作、或需要气氛保护、需要长时间煅烧(100h以上)、不利于扩大生产。
发明内容
本发明的目的是提供一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法。在BaCO3与TiO2的混合料中添加少量的添加剂V2O5、SnO2及Al2O3,可以达到降低Ba2Ti9O20相形成温度,缩短Ba2Ti9O20的合成时间,同时可以保持合成的Ba2Ti9O20优异微波介电性能,并具有高的烧结活性。此方法简单、方便,适合于大量合成Ba2Ti9O20粉体。
本发明提供的制备方法,具体描述如下:
1、按下列配比进行配料:
(1)BaCO3∶TiO2=1∶(4.4~4.6)(摩尔比)
(2)外加添加剂五氧化二钒(V2O5),其添加量为(BaCO3+TiO2)重量的0.2~5.0wt%
(3)外加添加剂二氧化锡(SnO2),其添加量为(BaCO3+TiO2)重量的0~3.0wt%
(4)外加添加剂三氧化二铝(Al2O3),其添加量为(BaCO3+TiO2)重量的0~3.0wt%
2、按上述BaCO3、TiO2、V2O5、SnO2和Al2O3的配比称量,按混合料与去离子水、氧化锆球的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合16~24h,在140~200℃下烘干,装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉温度为1100~1280℃的恒温区煅烧2~8h,就可以得到高活性的单相Ba2Ti9O20陶瓷粉体。
该制造方法具有以下效果:
(1)缩短Ba2Ti9O20合成时间,大大降低了能耗并可以提高合成Ba2Ti9O20相具有高的活性;
(2)可获得高纯度单相的Ba2Ti9O20粉体;
(3)工艺稳定,重现性好,适合批量生产;
(4)成本低,效率高。
本发明制造的Ba2Ti9O20陶瓷粉体可以广泛应用于各类高性能微波陶瓷材料的制备,在多层带通滤波器、高通滤波器,低通滤波器,双工器,天线、巴伦等多层微波频率器件的设计和生产中具有广阔应用前景。
附图说明
图1为用本发明制备的单相Ba2Ti9O20粉体的SEM显微结构。
图2为用本发明六个配方所制备出来的Ba2Ti9O20陶瓷粉体的XRD。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本发明的实质性特点和显著进步。应该指出,本发明并非局限于下述各例实施例。
表1是本发明的六个比例配方。
表1
实施例1
按上述比例配方,称量BaCO3、TiO2,再加入0.2wt%的V2O5,3.0wt%SnO2及3.0wt%Al2O3,按混合料与去离子水、氧化锆球(Φ5mm)的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合24h,在160℃下烘干,烘干后装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉恒温区煅烧4h,电炉恒温区温度为1280℃,就可以得到易破碎高活性的Ba2Ti9O20陶瓷粉体。
实施例2
按上述比例配方,称量BaCO3、TiO2,再加入1.5wt%的V2O5,2.0wt%SnO2及2.0wt%Al2O3,按混合料与去离子水、氧化锆球(Φ5mm)的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合24h,在160℃下烘干,烘干后装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉的恒温区煅烧4h,电炉恒温区温度为1180℃,就可以得到易破碎高活性的Ba2Ti9O20陶瓷粉体。
实施例3
按上述比例配方,称量BaCO3、TiO2,再加入3.0wt%的V2O5,1.0wt%SnO2及1.0wt%Al2O3,按混合料与去离子水、氧化锆球(Φ5mm)的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合24h,在160℃下烘干,烘干后装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉恒温区煅烧4h,电炉恒温区温度为1150℃,就可以得到易破碎高活性的Ba2Ti9O20陶瓷粉体。
实施例4
按上述比例配方,称量BaCO3、TiO2,再加入5.0wt%的V2O5,0.5wt%SnO2及0.5wt%Al2O3,按混合料与去离子水、氧化锆球(Φ5mm)的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合24h,在160℃下烘干,烘干后装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉恒温区煅烧4h,电炉恒温区温度为1100℃,就可以得到易破碎高活性的Ba2Ti9O20陶瓷粉体。
实施例5
按上述比例配方,称量BaCO3、TiO2,再加入0.5wt%的V2O5,1.5wt%SnO2及1.5wt%Al2O3,按混合料与去离子水、氧化锆球(Φ5mm)的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合24h,在160℃下烘干,烘干后装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉恒温区煅烧5h,电炉恒温区温度为1150℃,就可以得到易破碎高活性的Ba2Ti9O20陶瓷粉体。
实施例6
按上述比例配方,称量BaCO3、TiO2,再加入0.5wt%的V2O5,2.5wt%SnO2及2.5wt%Al2O3,按混合料与去离子水、氧化锆球(Φ5mm)的重量比为1∶2∶2,分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合24h,在160℃下烘干,烘干后装入刚玉莫来石匣钵中,在电炉恒温区煅烧5h,电炉恒温区温度为1150℃,就可以得到易破碎高活性的Ba2Ti9O20陶瓷粉体。

Claims (4)

1、一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:
(1)按摩尔比BaCO3∶TiO2=1∶(4.4~4.6)配比原料;
(2)外加添加剂五氧化二钒,其添加量为原料重量百分含量0.2~5.0,外加添加剂二氧化锡,其添加量为原料重量百分含量0~3.0,外加添加剂三氧化二铝,其添加量为原料重量百分含量0~3.0,配成混合料;
(3)混合料中分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合,在140~200℃下烘干,装入刚玉莫来石匣钵中,高温煅烧得到所需材料。
2、按权利要求1所述的一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述的煅烧条件为1100~1280℃的恒温区煅烧2~8h。
3、按权利要求1所述的一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,其特征在于混合料与去离子水、氧化锆球的重量比为1∶2∶2。
4、按权利要求1所述的一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,其特征在于球磨混合的时间为16~24h。
CNB2006100807266A 2006-05-15 2006-05-15 一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法 Expired - Fee Related CN100429174C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100807266A CN100429174C (zh) 2006-05-15 2006-05-15 一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100807266A CN100429174C (zh) 2006-05-15 2006-05-15 一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1844046A CN1844046A (zh) 2006-10-11
CN100429174C true CN100429174C (zh) 2008-10-29

Family

ID=37063017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100807266A Expired - Fee Related CN100429174C (zh) 2006-05-15 2006-05-15 一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100429174C (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103360057B (zh) * 2012-03-31 2016-08-03 深圳光启创新技术有限公司 一种介质陶瓷
CN108484160A (zh) * 2018-06-25 2018-09-04 苏州博恩希普新材料科技有限公司 一种九钛酸钡基微波介质陶瓷材料及制备方法
CN113429200B (zh) * 2021-07-20 2022-09-30 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种中介低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN116477938B (zh) * 2023-04-21 2024-05-14 广东奥迪威传感科技股份有限公司 钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1149567A (zh) * 1996-09-13 1997-05-14 浙江大学 介电陶瓷及其制造方法
JP2004182534A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Ngk Spark Plug Co Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物及び誘電体共振器
CN1519216A (zh) * 2003-09-02 2004-08-11 华中科技大学 一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1149567A (zh) * 1996-09-13 1997-05-14 浙江大学 介电陶瓷及其制造方法
JP2004182534A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Ngk Spark Plug Co Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物及び誘電体共振器
CN1519216A (zh) * 2003-09-02 2004-08-11 华中科技大学 一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CuO、V2O5掺杂(1-x)BiNbO4-xZnTaO6的介电性能. 袁力,丁士华,姚熹.电子元件与材料,第24卷第3期. 2005 *
低温烧结微波介质陶瓷. 赵梅瑜,王依琳.电子元件与材料,第21卷第2期. 2002 *
微波介质陶瓷材料发展综述. 尹雪帆,喻佑华,周川钧,艾凡荣,丁银忠.中国陶瓷,第42卷第4期. 2006 *
掺杂Al2O3对Ba2Ti9O20相形成的影响. 喻家庆,王家生,赵航炜,于宝海,王盛宇.材料研究学报,第6卷第6期. 1992 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1844046A (zh) 2006-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103145420B (zh) 可低温烧结钒酸盐微波介电陶瓷LiMVO4及其制备方法
CN103232235B (zh) 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN104003722A (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法
CN103011810A (zh) 可低温烧结含锂石榴石结构微波介电陶瓷Li2Ca2BiV3O12及其制备方法
CN100551872C (zh) 一种制备复合型高介电常数微波介质陶瓷的方法
CN102249670A (zh) 低温烧结的微波介电陶瓷Li2Ba1-xSrxTi4O16及其制备方法
CN103113103B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法
CN101913858B (zh) Li2O-ZnO-TiO2微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN102603292B (zh) 一种用于可低温烧结微波介电陶瓷的复合氧化物
CN100429174C (zh) 一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法
CN101786876B (zh) 钛酸钡基y5v纳米粉体及其陶瓷材料的制备方法
CN101811869A (zh) 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103467095A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷SrCuV2O7及其制备方法
CN103467084B (zh) 一种高介电常数锂铌钛系低温烧结陶瓷及其制备方法
CN106007707B (zh) Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法
CN103864423A (zh) 一种微波介质陶瓷材料的制备方法
CN104710175A (zh) 一种低介电常数锆酸镁锂微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103342383A (zh) 一种微波介质陶瓷材料的制备方法
CN104003721A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li2W2Zn3O10及其制备方法
CN102531568A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiBa4Bi3O11及其制备方法
CN103342557A (zh) 一种微波介质陶瓷材料的制备方法
CN103864424B (zh) 一种微波介质陶瓷材料的制备方法
CN103467091B (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Ba4Nb2V2O14及其制备方法
CN104671782A (zh) 一种低损耗超低介电常数微波介电陶瓷Bi2WO6
CN104003719A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷LiTi2V3O12及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JIANGXI SHENGFULAI DIRECTIONAL LIGHT REFLECTION MA

Free format text: FORMER OWNER: SHANGHAI SILICATE INST., CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

Effective date: 20091023

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20091023

Address after: Jiangxi province Yichun city Yuanzhou district (Yichun economic and Technological Development Zone) Jiangxi Sunflex light retroreflective material Co. Ltd.

Patentee after: Jiangxi Sunflex Light Retroreflective Material Co., Ltd.

Address before: No. 1295 Dingxi Road, Shanghai

Patentee before: Shanghai Silicates Institute, the Chinese Academy of Sciences

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081029

Termination date: 20120515