CN100419133C - 生长高性能管状蓝宝石封底的方法 - Google Patents

生长高性能管状蓝宝石封底的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100419133C
CN100419133C CNB2006100138021A CN200610013802A CN100419133C CN 100419133 C CN100419133 C CN 100419133C CN B2006100138021 A CNB2006100138021 A CN B2006100138021A CN 200610013802 A CN200610013802 A CN 200610013802A CN 100419133 C CN100419133 C CN 100419133C
Authority
CN
China
Prior art keywords
sapphire
back cover
tubulose
mould
growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2006100138021A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1884635A (zh
Inventor
滑芬
张莲花
王晶
秦承安
张贵芹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TIANJIN SILICAT INST
Original Assignee
TIANJIN SILICAT INST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TIANJIN SILICAT INST filed Critical TIANJIN SILICAT INST
Priority to CNB2006100138021A priority Critical patent/CN100419133C/zh
Publication of CN1884635A publication Critical patent/CN1884635A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100419133C publication Critical patent/CN100419133C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法,首先确定封底的管状蓝宝石的规格尺寸,根据上述规格尺寸制作相匹配的封底模具,然后,选用高纯度焰熔法蓝宝石碎料作为原料,将高性能管状蓝宝石作为籽晶,使用封底模具,进行封底的生长,晶体生长的温场条件要合理,横向温差在2℃以内,纵向温度梯度在距模具端面10mm内为3-4℃,生长速率8-10mm/h,在管状蓝宝石的底部,生长出圆柱状蓝宝石,使管状蓝宝石的一端被封闭。本封底具有外观规整,表面光滑,晶体完整性好和封底严密的特点,蓝宝石晶体本身又具有高熔点、高硬度、耐腐蚀、良好的红外透过率等优良性能,带有封底的管状蓝宝石可应用于半导体、化工、航空、航天、国防等行业的高科技领域。

Description

生长高性能管状蓝宝石封底的方法
技术领域
本发明是关于宝石的生长方法,特别涉及一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法。
背景技术
带有封底的高性能管状蓝宝石,具有外观规整,表面光滑,透明度较好,晶体完整性好和封底严密的特点,又由于蓝宝石晶体本身所具有的高熔点、高硬度、耐腐蚀、良好的红外透过率等一系列优良性能,此类产品可应用于半导体、化工、航空、航天、国防等多行业的高科技领域。关于直接从熔体中生长宝石的方法是根据美国H.E.LaBelle,Jr.的方法进行的,称为润湿导模法,即EFG法。美国专利3591348公开了生长白宝石的方法,中国专利85103282.6公开了生长杆状红宝石的方法及装置,中国专利90109706.3公开了生长星光宝石的方法。采用上述公开的方法在加工时,工序复杂,难度极大,几乎难以实现。
发明内容
本发明的目的是为了克服以上技术存在的问题,提供一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法,利用一次成型的导模法技术,直接从熔体中拉制所需内、外径尺寸和长度的管状蓝宝石的封底,达到工序简单,成品率高,外观规整,表面光滑,晶体完整性好和封底严密的目的。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法,采用一次成型的润湿导模法技术,直接从熔体中拉制所需规格尺寸的管状蓝宝石的封底,其特征是,首先确定管状蓝宝石封底的规格尺寸,根据上述规格尺寸制作相匹配的封底模具,然后,选用高纯度焰熔法蓝宝石碎料作为原料,将采用一次成型的润湿导模法技术,生长好的高性能管状蓝宝石作为籽晶,使用封底模具,进行管状蓝宝石封底的生长,晶体生长的温场条件要合理,横向温场要均匀,横向温差在2℃以内,纵向温度梯度在距模具端面10mm内为3-4℃,生长速率8-10mm/h,在管状蓝宝石的底部,生长出一段所需规格尺寸的圆柱状蓝宝石,完成了管状蓝宝石封底的生长,使封底部分的圆柱状蓝宝石与管状蓝宝石成为一个完整的带有封底的管状蓝宝石单晶体。
上述模具选用高质量的锻压铝材,设计加工成为与所需晶体外观形状和尺寸相匹配,带有毛细缝的圆柱状的封底模具。
上述规格尺寸的需要封底的管状蓝宝石的外径φ4mm-φ30mm,壁厚1.5mm-3mm,最大长度为250mm,封底部分的圆柱状蓝宝石,其直径与需要封底的管状蓝宝石的外径相同,直径φ4mm-φ30mm,长度为3mm。
本发明的有益效果:在于直接从熔体中拉制出高性能管状蓝宝石封底,保证其表面光滑,外观规整,晶体完整性好和封底严密的特点,并且其利用一次成型的导模法技术,直接从熔体中拉制所需内、外径尺寸和长度的管状蓝宝石的封底,免除了由于蓝宝石具有高熔点、高硬度、耐腐蚀等性能,而难于由棒状晶体再经后期机械加工而成的困难及浪费。因此,本方法是生长此类异型蓝宝石封底的理想方法,并且达到工艺简单,加工方便,提高产品成品率和产品质量的目的。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明:一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法,采用一次成型的润湿导模法技术,直接从熔体中拉制所需规格尺寸的管状蓝宝石的封底,首先确定需要封底的管状蓝宝石的规格尺寸,根据上述规格尺寸制作相匹配的封底模具,然后,选用高纯度焰熔法蓝宝石碎料作为原料,将采用一次成型的润湿导模法技术,已经生长好的高性能管状蓝宝石作为籽晶,使用封底模具,进行管状蓝宝石封底的生长,晶体生长的温场条件要合理,横向温场要均匀,横向温差在2℃以内,纵向温度梯度在距模具端面10mm内为3-4℃,生长速率8-10mm/h,在管状蓝宝石的底部,生长出一段所需规格尺寸的圆柱状蓝宝石,使管状蓝宝石的一端被封闭,完成了管状蓝宝石封底的生长,封底部分的圆柱状蓝宝石与管状蓝宝石成为一个完整的带有封底的管状蓝宝石单晶体
上述模具选用高质量的锻压钼材,设计加工成为与所需晶体外观形状和尺寸相匹配,带有毛细缝的圆柱状的封底模具。
上述规格尺寸的需要封底的管状蓝宝石的外径φ4mm-φ30mm,壁厚1.5mm 3mm,最大长度为250mm,封底部分的圆柱状蓝宝石,其直径与需要封底的管状蓝宝石的外径相同,直径φ4mm-φ30mm,长度为3mm。
下面结合实例对本发明作进一步说明:采用中国专利85103282生长杆状红宝石的装置,采用圆筒状钼感应发热体,钼坩埚和钼模具,根据所需要封底的管状蓝宝石的外观规格,如外径φ30mm,壁厚3mm和长度250mm,确定所需要的封底模具的外观尺寸,根据上述规格尺寸制作相匹配的封底模具,模具安装在坩埚中,坩埚中装入适量高纯度焰熔法蓝宝石碎料,将采用一次成型的润湿导模法技术,已经生长好的高性能管状蓝宝石作为籽晶,安装在特制的钼制夹具上,调整坩埚的位置,保证模具顶端和籽晶端部对正,然后将单晶炉工作室进行抽真空,充入纯氩气。上述操作完成后,开始通电,逐渐调节功率进行升温,模具顶部的温度应控制在约2070℃,使坩埚中的蓝宝石碎料熔化,在所需封底的管状蓝宝石相匹配的加热保温装置系统中,建立合理的晶体生长温场条件,达到均匀的横向温度场,横向温差在2℃以内,纵向温度梯度在距模具端面10mm内保证3-4℃,选择生长速率8mm/h,晶体生长过程连续不断地进行,直至在管状蓝宝石的底部,生长出直径φ30mm,长度为3mm的一段所需规格尺寸的圆柱状蓝宝石,使管状蓝宝石的一端被封闭,完成了管状蓝宝石封底的生长,封底部分的圆柱状蓝宝石与管状蓝宝石成为一个完整的带有封底的管状蓝宝石单晶体。将已生长好的管状蓝宝石封底,经过简单的研磨,使封底部分外形和尺寸与管状蓝宝石端口外观规整,表面光滑,就获得了带有封底的高性能管状蓝宝石制品。
按本发明生长的高性能管状蓝宝石封底,具有外观规整,表面光滑,晶体完整性好和封底严密的特点,封底部分的圆柱状蓝宝石与管状蓝宝石成为一个完整的带有封底的高性能管状蓝宝石单晶体,又由于蓝宝石晶体本身所具有的高熔点、高硬度、耐腐蚀、良好的红外透过率等一系列优良性能,带有封底的高性能管状蓝宝石可应用于半导体、化工、航空、航天、国防等多行业的高科技领域。

Claims (3)

1. 一种生长高性能管状蓝宝石封底的方法,采用一次成型的润湿导模法技术,直接从熔体中拉制所需规格尺寸的管状蓝宝石的封底,其特征是,首先确定封底的管状蓝宝石的规格尺寸,根据上述规格尺寸制作相匹配的封底模具,然后,选用高纯度焰熔法蓝宝石碎料作为原料,将采用一次成型的润湿导模法技术,生长好的高性能管状蓝宝石作为籽晶,使用封底模具,进行管状蓝宝石封底的生长,晶体生长的温场条件要合理,横向温场要均匀,横向温差在2℃以内,纵向温度梯度在距模具端面10mm内为3-4℃,生长速率8-10mm/h,在管状蓝宝石的底部,生长出一段所确定规格尺寸的圆柱状蓝宝石,使管状蓝宝石的一端被封闭,完成了管状蓝宝石封底的生长,封底部分的圆柱状蓝宝石与管状蓝宝石成为一个完整的带有封底的管状蓝宝石单晶体。
2. 根据权利要求1所述的生长高性能管状蓝宝石封底的方法,其特征是,上述模具选用高质量的锻压钼材,设计加工成为与所需晶体外观形状和尺寸相匹配,带有毛细缝的圆柱状的封底模具。
3. 根据权利要求1所述的生长高性能管状蓝宝石封底的方法,其特征是,上述规格尺寸的需要封底的管状蓝宝石的外径φ4mm-φ30mm,壁厚1.5mm-3mm,最大长度为250mm,封底部分的圆柱状蓝宝石,其直径与需要封底的管状蓝宝石的外径相同,直径φ4mm-φ30mm,长度为3mm。
CNB2006100138021A 2006-05-22 2006-05-22 生长高性能管状蓝宝石封底的方法 Expired - Fee Related CN100419133C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100138021A CN100419133C (zh) 2006-05-22 2006-05-22 生长高性能管状蓝宝石封底的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100138021A CN100419133C (zh) 2006-05-22 2006-05-22 生长高性能管状蓝宝石封底的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1884635A CN1884635A (zh) 2006-12-27
CN100419133C true CN100419133C (zh) 2008-09-17

Family

ID=37582938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100138021A Expired - Fee Related CN100419133C (zh) 2006-05-22 2006-05-22 生长高性能管状蓝宝石封底的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100419133C (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100575566C (zh) * 2007-12-28 2009-12-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 导模法生长掺碳蓝宝石晶体的方法
CN103255477B (zh) * 2012-02-17 2016-10-19 江苏中电振华晶体技术有限公司 一种成型蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN104532341B (zh) * 2014-12-15 2017-04-05 江苏苏博瑞光电设备科技有限公司 用于蓝宝石试管生长的坩埚结构及蓝宝石试管的生长方法
CN110453283A (zh) * 2019-09-11 2019-11-15 同济大学 一种封盖式引晶的导模法生长封口蓝宝石管的模具和方法
CN110468451A (zh) * 2019-09-11 2019-11-19 同济大学 一种用于导模法生长末端封口蓝宝石管的模具和方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3591348A (en) * 1968-01-24 1971-07-06 Tyco Laboratories Inc Method of growing crystalline materials
CN1015651B (zh) * 1990-12-08 1992-02-26 天津市硅酸盐研究所 一种制备星光宝石的方法
CN1061812A (zh) * 1990-11-27 1992-06-10 俞鹤庆 厚大成型蓝宝石的生长工艺

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3591348A (en) * 1968-01-24 1971-07-06 Tyco Laboratories Inc Method of growing crystalline materials
CN1061812A (zh) * 1990-11-27 1992-06-10 俞鹤庆 厚大成型蓝宝石的生长工艺
CN1015651B (zh) * 1990-12-08 1992-02-26 天津市硅酸盐研究所 一种制备星光宝石的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
导模法生长76mm片状蓝宝石晶体315. 郭洪石等.人工晶体学报,第3-4期. 1997
导模法生长76mm片状蓝宝石晶体315. 郭洪石等.人工晶体学报,第3-4期. 1997 *
润湿导模技术. 施仲坚.自然杂志,第4卷第4期. 1981
润湿导模技术. 施仲坚.自然杂志,第4卷第4期. 1981 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1884635A (zh) 2006-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100398703C (zh) 生长高性能管状蓝宝石的方法
CN100419133C (zh) 生长高性能管状蓝宝石封底的方法
CN104088011B (zh) 一种蓝宝石微毛细管的制备方法及其使用的模具
CN101736396A (zh) 导模法生长3″×9″片状氧化铝单晶体
CN104651935B (zh) 一种坩埚上升法制备高品质蓝宝石晶体的方法
EP1774068B1 (en) Method of growing single crystals from melt
CN202989351U (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构
CN110195164A (zh) 以粗钪为原料制备高纯钪的装置及方法
CN114481289A (zh) 一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置
WO2011072278A3 (en) Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (mpd) as well as systems and methods for manufacturing same
CN209052803U (zh) 应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备
CN201952524U (zh) 导模提拉法用结晶装置
AU2003229290A1 (en) Device for the production of crystal rods having a defined cross-section and column-shaped polycrystalline structure by means of floating-zone continuous crystallization
WO2007064247A3 (fr) Procede de croissance de cd1-xznxte, ou 0$m(f)x$m(f)1
CN110453283A (zh) 一种封盖式引晶的导模法生长封口蓝宝石管的模具和方法
CN205907390U (zh) 一种多坩埚液相外延SiC晶体的承载装置
CN105369361B (zh) 一种温场移动制备蓝宝石单晶体的方法及装置
CN1993503B (zh) 从熔化物生长单晶的方法
CN103361717A (zh) 导模法生长钇钕石榴石单晶体的生产工艺
JP2704032B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
CN105970286B (zh) 一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法
CN205974739U (zh) 一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜
CN106978624B (zh) 一种生长多晶硅靶材的方法
CN105803521A (zh) 泡生法用单晶炉及其籽晶保护结构以及晶体生长控制方法
CN104088012A (zh) 一种直接生长蓝宝石整流罩的设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080917