CN100389456C - 磁头及磁记录再生装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供实现高输出且高频带两者都成立的TMR磁头。在电极层(103)上不同的位置上形成两个绝缘层/强磁性层的层压膜，从其第2强磁性层(109)向电极层(103)通电，使极化旋转电子扩散到另一个绝缘层(104)/强磁性层(105)的层压膜的正下方的电极部分，使用FET等输入阻抗很大的电路来检测由第2强磁性层(105)的磁化方向的变化引起的电阻变化。

Description

磁头及磁记录再生装置
技术领域
本发明涉及一种针对磁记录介质进行信息的记录以及再生的磁记录再生装置，和在磁记录再生装置上装载的磁头。
背景技术
随着磁盘装置的记录高密度化，记录比特的磁道尺寸日趋微小化，伴随这些就要求再生磁头更加的高灵敏度化。特别是近年来如《日经电子学》第774号(2000年7月17日)第177-184页(非专利文献1)所记载的，用隧道磁阻效应(TMR)膜作为下代超高灵敏度磁传感器的再生磁头引人注目。在该非专利文献1中公示了具有：在下部磁遮护板上由电极、软磁性自由层、非磁性绝缘层、强磁性固定层、固定强磁性固定层的磁化方向的反强磁性层、电极依次层压形成层压膜以后，进行制作布线图案，用于在层压膜的两端使非磁性自由层的磁化方向稳定的硬质磁性层以及用于使上部磁遮护板、下部磁遮护板绝缘的绝缘膜的磁头构造。
而且最近作为用TMR效应的传感器，例如Nature，Vol.416，pp.713-715，2002(非专利文献2)所记载的新型TMR传感器被提议，该新型TMR传感器在A1金属电极层上的不同位置上形成有两个绝缘层/强磁性层的层压膜，从其第1强磁性层向A1电极层通电，使极化旋转电子(spin)扩散到另一绝缘层/强磁性层的层压膜的正下方的A1电极部分，检测由第2强磁性层的磁化方向的变化引起的电阻变化。
非专利文献1：《日经电子学》第774号、第177-184页
非专利文献2：Nature，Vol.416，pp.713-715，2002
但是在以上的现有例中有以下的问题。首先，在非专利文献1中公示了在室温下低阻抗且高MR比的传感器膜。将来的超高密度再生磁头用的TMR磁头为了提高再生分辨率，必须要尽量减小上下磁遮护板间的距离，因此，下部电极直接形成在下遮护板上，在其上形成有反强磁性层、下部强磁性层、阻挡层、上部强磁性层、上部电极的构造。并且，上部电极直接连接在上部遮护板。检测电流通过上下遮护板来供给。在这样构造的情况下，检测信号的频带与TMR磁头电极间的电阻R和上下遮护板间的电容C之积的倒数成比例。由此，为了将来的高速传送化的实现，必须尽量减小RC积。然而，由于伴随高密度化磁记录介质的磁道宽减少，与传感器面积成比例的R值伴随高密度化会增加。为了避免该原理的问题，在将来的超高记录密度的磁记录再生装置上使适合的隧道磁阻型磁头实用化，必须要尽量减小磁头的电阻，但为此作为非磁性绝缘层的A1氧化物的膜厚不得不尽量变薄。这些如果考虑工业加工是极其困难的。
此外，非专利文献2所记载的TMR传感器由于没有必要向用于信号检测的第2强磁性层/绝缘层通电，所以没有必要在面积大的上下遮护板间通电。因此能够大幅降低配线间的电容C，有能够避免上述那样的频带问题的可能性。但是，在该传感器中由于检测的信号作为电压变化而被取出，因此不能使用将现有的通电电流作为前提的再生磁头的检测电路，必需要使用本磁传感器特有的信号检测电路。
发明内容
本发明的目的是提供与新型TMR传感器相对应的高性能信号检测电路，并实现可以使高输出且高频带两者都成立的TMR磁头，该新型TMR传感器在电极层上的不同位置上形成两个绝缘层/强磁性层的层压膜、从其第1强磁性层向电极层通电、使极化旋转电子(spin)扩散到另一绝缘层/强磁性层的层压膜的正下方的电极部分、检测由第2强磁性层的磁化方向的变化引起的电阻变化。
本发明的磁头具有：第1电极层；通过第1绝缘层在介质对面侧的第1电极层上层压的第1强磁性层(自由层)；通过第2绝缘层在离开介质对面的位置的第1电极层上层压的第2强磁性层(引线层)；用于通过第2绝缘层从第1电极层向第2强磁性层流通隧道电流的电极；检测由于从介质向第1强磁性层施加的磁场引起第1强磁性层的磁化方向变化导致的、，在第1强磁性层和第1电极层间发生的电压变化的信号检测电路，其特征在于，信号检测电路对交流输入的输入阻抗比第1绝缘层和第1强磁性层(自由层)的层压体的阻抗大。信号检测电路相对于交流输入的输入阻抗比第1绝缘层和第1强磁性层(自由层)的层压体的阻抗至少大10倍以上，理想的是大100倍以上。
作为一例，信号检测电路具有场效应晶体管，向场效应晶体管的栅极端子输入来自第1强磁性层的输出电压，从场效应晶体管的源极端子取出检测信号。另一例的信号检测电路具有双极晶体管，向双极晶体管的基极端子输入来自第1强磁性层的输出电压，从双极晶体管的发射极端子取出检测信号。再一例的信号检测电路具有运算放大器，向运算放大器一端的输入端子输入来自第1强磁性层的输出电压。
本发明的磁头还包含：具有源极区域、栅极区域和漏极区域的半导体层；在介质对面侧被层压在第1强磁性层(自由层)上的第1绝缘层；在离开介质对面的位置被层压在第2强磁性层(引线层)上的第2绝缘层；在第1绝缘层和第2绝缘层上延伸而形成的公共电极层；用于通过第2绝缘层从公共电极层向第2强磁性层流通隧道电流的电极，其特征在于，第1强磁性层(自由层)和半导体层的栅极区域电连接。第1强磁性层(自由层)和半导体层的栅极区域间的电连接可以是在半导体层的栅极区域上直接形成第1强磁性层(自由层)，也可以是在半导体层的栅极区域上形成栅电极、在该栅电极上形成第1强磁性层(自由层)。
本发明的磁头，如装载具有在在上述的再生磁头上增加下部磁芯；通过磁间隙膜在离开介质对面的位置与下部磁芯以磁耦合、并通过在离开介质对面的位置由磁性体形成的后接点部直接与下部磁芯耦合的上部磁芯；与磁耦合通过上部磁芯、后接点部、下部磁芯构成的磁回路的薄膜线圈的感应型薄膜记录磁头会更理想。
本发明能够提供以高频带且超高灵敏度进行高速度传送的磁记录再生磁头和超高密度磁记录再生装置。
附图说明
图1表示本发明的再生磁头的第1实施例，(a)是局部剖立体图，(b)是其A-A’剖面图。
图2表示本发明的再生磁头的动作原理，(a)是表示旋转(spin)极化电子大的空间分布图，(b)是磁头的剖面图。
图3表示本发明的再生磁头用检测电路的第1实施例，(a)是使用场效应晶体管的检测电路的例子，(b)是用(a)表示的电路的等价电路，(c)是使用双极晶体管的检测电路的例子。
图4表示本发明的再生磁头用检测电路的第2实施例。
图5表示本发明的再生磁头的第2实施例的立体图。
图6是表示由本发明的隧道效应型再生磁头和面内记录用记录磁头构成的记录再生磁头例的剖面图。
图7是表示由本发明的隧道效应型再生磁头和垂直记录用单磁极记录磁头构成的记录再生磁头例的剖面图。
图8是表示本发明的磁记录再生装置的示意图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的实施形态进行说明。
图1表示本发明的再生磁头的一个实施例。图1(a)是本发明的再生磁头的立体图，图1(b)是图1(a)的A-A’剖面图。
图1中在下部磁遮护板101上形成绝缘层102，在绝缘层102上形成第1电极层103。在上述第1电极层103上的介质对面侧形成第1绝缘层104和强磁性层(自由层)105，在远离介质对面的位置上将第2绝缘层108、第2强磁性层(引线层)109、将第2强磁性层109的磁化方向在与介质对面大致垂直方向上固定的反强磁性层110、以及第2电极层112按该顺序层压，第2电极层112与上部遮护板113以电连接。第1电极层103通过在离开介质对面的位置上设置的第3电极层111与下部遮护板101以电连接。在第1强磁性层(自由层)105的两侧，使自由层的磁区构造均一化，并且通过绝缘层106形成用于使该磁化方向朝向与介质对面大致平行方向的永久磁铁膜107。还设有与第1强磁性层105接触，并用于检测根据TMR效应产生的电压变化的电极114。电流通过第2电极层112、反强磁性层110、第2强磁性层109、第2绝缘层108、第1电极层103、第3电极层111流向下部遮护板101。观测TMR效应的检测电压，作为与第1强磁性层接触设置的电极114和第1电极层103之间的电压变化。
其次，用图2对该再生磁头的动作进行说明。图2(a)表示在如图2(b)所示的第1电极层103内设定的坐标x的位置上向上旋转的密度(μ↑)和向下旋转的密度(μ↓)。x＝0是图2(b)所示的第2强磁性层109的中心。在此如上述那样，当从上部遮护板113向下部遮护板101通电时，由于第2强磁性层109是强磁性体，因此数量不同的向上旋转(spin)电子和向下旋转(spin)电子从强磁性层109注入到电极层103。在此由于将在负向分极的材料想作强磁性体材料，因此如图2(a)所示，向下旋转电子的数量比向上旋转电子的数量更多的被注入电极层103。电极层103，在例如A1那样的旋转电子扩散长度即使在室温下也大的物质的情况下，这些旋转电子向电流不流通的第1强磁性层(自由层)105的方向扩散。在用虚线表示的第1强磁性层105的中心正下方，尽管该数量有所减少，但还是保持向下旋转的电子数量比向上旋转的电子数量多的状况。这些是有效地展示了电极层103旋转分极的状况，通过在上部的强磁性层105的磁化方向MR比发生变化，能观测到所谓的隧道磁阻效应。在本发明的构造中，电流从上部遮护板113通过作为非检测部TMR部的强磁性层109/绝缘层108，流向下部遮护板101。在作为信号检测部的强磁性层105/绝缘层104上具有较大面积的上下遮护板并不连接，此外由于绝缘层104的面积很小，所以能够尽量减小其间的电容。
图3(a)是与上述第1实施例的TMR磁头相适的信号检测电路的第1例，图3(b)是其等价电路。在图3(a)中Vi是来自第1实施例的TMR磁头的输出电压，RT是第1绝缘层104的隧道电阻，RL是连接场效应晶体管(FET)的输出电阻，Vdd是FET的电源电压。在该检测电路中，由于来自上述TMR磁头的输出电压被施加在FET的栅极，从TMR磁头看到的输出阻抗值变得很大，因此在TMR磁头的第1绝缘层104/第1强磁性层(自由层)105上电流不流通。另一方面，输出如图3(b)的等价电路所示，能用具有gVi的电流源和输出阻抗(rd*RL)/(rd+RL+g*Vi*RL)的电路来表示。例如对典型的FET的相互传导率gm＝5(mS)、rd＝30kW，如果输出电阻RL和FET的电阻rd相等，则输出阻抗成为197W，比迄今的GMR磁头的输出电阻高，TMR磁头比该值要小，而且并不取决于阻挡层的面积。因此，解决了伴随高密度化阻抗将上升、频带降低这样的TMR磁头的根本问题。还由于该检测电路的电压增益大致是1，所以检测电路的输出电压是V0-Vi。因此，通过还在该检测电路的后段原样连接使用至今的GMR磁头的检测电路，能够保持原样的检测来自图1的TMR磁头的输出。通过这样对于图1的TMR磁头，不需要开发新的大规模的检测用LSI，具有缩减成本的优点。
此外在上述实施例中，展示了在检测电路用FET的例子，如图3(c)所示也能用双极晶体管代替FET。在该情况下，将FET的栅极输入端连接双极晶体管的基极端子，将漏极输入端连接集电极端子，将源极输出端连接发射极端子。这种情况下也能取得与用FET的情况同样的效果。
图4表示适合于上述第1实施例的TMR磁头的信号检测电路的第2例。来自TMR磁头的输出电压与运算放大器A的+侧端子连接。由于运算放大器的输入阻抗非常大，所以在第1绝缘层104/第1强磁性层(自由层)105上电流不流通。来自该电路的输出电压为V0＝(Ri+Rf)/Ri*Vi，输出阻抗非常小。因此适当的设定电阻Rf、Ri，用该检测电路放大来自TMR磁头的输出Vi，还通过将来自该电路的输出与使用至今的GMR磁头的检测电路保持原样的连接，能够检测来自图1的TMR磁头的输出。本例的情况也和第1例的情况相同，能够解决伴随高密度化输出阻抗会上升、频带会降低的TMR磁头的根本问题。
图5表示本发明的TMR磁头的第2实施例。图5中，在下部磁遮护板501上形成半导体层502，在半导体层502的介质对面测的内部形成源极电极503和漏极电极505。在源极、漏极之间形成栅极区域。还在半导体层502上形成连接栅极区域的栅极电极504、第1强磁性层(自由层)506、第1绝缘层507。在远离介质对面的位置上，层压第2绝缘层516、第2强磁性层(引线层)515、和第2电极层514，第2电极层514与下部遮护板501电连接。此外，在第1、第2绝缘层上设有连接这些的公共电极层508，公共电极层508通过电极层513与上部遮护板517电连接。在第1强磁性层(自由层)506的两侧，使磁区构造均一化，并且通过绝缘层512形成用于使其磁化方向与介质对面大致平行的永久磁铁膜511。电极层509、510分别连接源极部503、漏极部505。
检测用电流从下部遮护板，通过第2电极层514、第2磁性层515、第2绝缘层516、公共电极层508、电极层513，流向上部遮护板517。TMR效应的检测电压变化成为与第1强磁性层(自由层)506相接触并设置的栅极电极504的电压变化，由此向流过源极、漏极间的电流给予变化，最终通过检测该电流变化来进行检测。本实施例可以说是上述第1实施例所述的TMR磁头和FET被集成化的结构，由此不需要图3、图4那样的特别的检测电路。
图6表示在至此任意一个实施例的再生磁头上形成感应型记录磁头的记录再生磁头的例子。在图6中，表示以应用图1的第1实施例的再生磁头的例子为例，但是在其它实施例的情况下，只替换再生磁头部分，也能够构成同样的记录再生磁头。
在图6中，在基板上形成如图1所示的再生磁头后，形成非磁性的绝缘层，在其上通过下部磁芯604和后接点602，形成连接下部磁芯604的上部磁芯601。在后接点602的周围包围绝缘层605，形成用于在磁芯上感应磁通的线圈603。接近在面内方向被磁化的面内磁记录介质606设置以上的记录再生磁头，进行信息的记录再生。
图7表示在至此任意一个实施例的再生磁头上形成单磁极型的垂直磁记录磁头的记录再生磁头的例子。在图7中以应用图1的再生磁头的例子为例，在其它实施例的情况下，只替换隧道磁阻抗型再生磁头的部分，也能够构成同样的记录再生磁头。
在图7中，在基板上形成如图1所示的再生磁头后，形成非磁性的绝缘层，在其上通过下部磁芯704和后接点702，形成连接下部磁芯704的单磁极型的上部磁芯701。在后接点702的周围包围绝缘层705，形成用于在磁芯上感应磁通的线圈703。接近垂直磁记录介质设置以上的记录再生磁头，进行信息的记录再生，该垂直磁记录介质具备在介质面垂直的被磁化的垂直磁记录层707和软磁性衬里层706。
图8表示具备滑动触头801和记录圆板802的磁记录再生装置的示意图，该磁记录再生装置装载了用从图1到图7的实施例进行说明的再生磁头和记录磁头。记录圆板802被安装在与被固定在基板803上的主轴电动机(图中未示出)连接的轴804上。记录圆板802通过主轴的旋转做旋转运动，相对于滑动触头801做相对运动。滑动触头801固定在吊架805上，吊架805被安装在吊臂806上。吊臂806通过可动机构807绕轴804旋转，使滑动触头801向记录圆板802的半径方向移动，进行向信息轨道的访问以及对规定的信息轨道的跟踪(tracking)动作。连接部(connect)809连接在基板803上安装的接口(interface)808，通过连接连接部(connect)809的导线，进行用于驱动本装置的电源供给、对装置的记录再生命令、记录信息的输入、再生信息的输出等。

Claims (6)

1.一种磁头，其特征在于，具备：第1电极层；在介质对面侧，通过第1绝缘层在所述第1电极层上层压的为自由层的第1强磁性层；在离开介质对面的位置，通过第2绝缘层在所述第1电极层上层压的为引线层的第2强磁性层；用于通过所述第2绝缘层从所述第1电极层向所述第2强磁性层流通隧道电流的电极；检测由于从介质向所述第1强磁性层施加的磁场引起的所述第1强磁性层的磁化方向变化导致在所述第1强磁性层和所述第1电极层间发生的电压变化的信号检测电路，
所述信号检测电路对交流输入的输入阻抗比所述第1绝缘层和所述为自由层的第1强磁性层的层压体的阻抗大。
2.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：所述信号检测电路具有场效应型晶体管，来自所述第1强磁性层的输出电压输入到所述场效应型晶体管的栅极端子，从所述场效应型晶体管的源极端子取出检测信号。
3.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：所述信号检测电路具有双极晶体管，来自所述第1强磁性层的输出电压输入到所述双极晶体管的基极端子，从所述双极晶体管的发射极端子取出检测信号。
4.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：所述信号检测电路具有运算放大器，来自所述第1强磁性层的输出电压输入到该运算放大器的一个输入端子。
5.一种磁头，其特征为：具备再生磁头和感应型薄膜记录磁头，其中，
再生磁头具备：第1电极层；在介质对面侧，通过第1绝缘层在所述第1电极层上层压的为自由层的第1强磁性层；在离开介质对面的位置，通过第2绝缘层在所述第1电极层上层压的为引线层的第2强磁性层；用于通过所述第2绝缘层从所述第1电极层向所述第2强磁性层流通隧道电流的电极；和检测由于从介质向所述第1强磁性层施加的磁场引起的所述第1强磁性层的磁化方向变化导致在所述第1强磁性层和所述第1电极层间发生的电压变化的信号检测电路，所述信号检测电路对交流输入的输入阻抗比所述第1绝缘层和所述为自由层的第1强磁性层的层压体的阻抗大；
感应型薄膜记录磁头具备：下部磁芯；通过磁间隙膜在介质对面与所述下部磁芯磁耦合，并通过在离开介质对面的位置由磁性体形成的后接点部直接与下部磁芯耦合的上部磁芯；与通过所述上部磁芯、所述后接点部、所述下部磁芯构成的磁回路磁耦合的薄膜线圈。
6.一种磁记录再生装置，包含：磁记录介质；旋转驱动所述磁记录介质的电动机；装载再生磁头和记录磁头的磁头；使所述磁头相对于所述磁记录介质驱动的磁头驱动部；对所述磁头输入输出信号的接口，
其特征在于，所述再生磁头具备：第1电极层；在介质对面侧，通过第1绝缘层在所述第1电极层上层压的为自由层的第1强磁性层；在离开介质对面的位置，通过第2绝缘层在所述第1电极层上层压的为引线层的第2强磁性层；用于通过所述第2绝缘层从所述第1电极层向所述第2强磁性层流通隧道电流的电极；和检测由于从介质向所述第1强磁性层施加的磁场引起的所述第1强磁性层的磁化方向变化导致在所述第1强磁性层和所述第1电极层间发生的电压变化的信号检测电路，所述信号检测电路对交流输入的输入阻抗比所述第1绝缘层和所述为自由层的第1强磁性层的层压体的阻抗大，
所述记录磁头，具备：下部磁芯；通过磁间隙膜在介质对面与所述下部磁芯磁耦合，并通过在离开介质对面的位置由磁性体形成的后接点部直接与下部磁芯耦合的上部磁芯；与通过所述上部磁芯、所述后接点部、所述下部磁芯构成的磁回路磁耦合的薄膜线圈。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261453A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
JP4731393B2 (ja) * 2006-04-28 2011-07-20 株式会社日立製作所 磁気再生ヘッド
KR100773556B1 (ko) * 2006-08-02 2007-11-07 삼성전자주식회사 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록헤드를 포함한 정보 재생/기록 장치
JP2009037702A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Hitachi Ltd 磁気再生ヘッド及び磁気記録装置
JP5251281B2 (ja) 2008-06-11 2013-07-31 Ｔｄｋ株式会社 磁気センサー
JP5157676B2 (ja) 2008-06-25 2013-03-06 Ｔｄｋ株式会社 磁気センサー
JP2010020826A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Tdk Corp 磁気センサー
US20100113917A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 General Electric Company System and method for tracking object
US20100113918A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 General Electric Company System and method for tracking object
JP5257007B2 (ja) * 2008-11-10 2013-08-07 Ｔｄｋ株式会社 磁気センサー
CN101971259B (zh) * 2009-01-13 2014-06-18 松下电器产业株式会社 信息记录装置、信息再生装置以及信息记录介质
US8941379B2 (en) * 2009-05-14 2015-01-27 University Of Delaware Electromagnetic wave detection systems and methods
DE102011120972A1 (de) * 2011-12-13 2013-06-13 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung von Wertdokumenten
US9631962B2 (en) * 2014-03-18 2017-04-25 Rosemount Inc. Magnetic core configuration for magnetic flowmeters having a plurality of layers of magnetically permeable material
JP6033270B2 (ja) * 2014-10-30 2016-11-30 三菱電機株式会社 磁気式位置検出装置
US11282538B1 (en) 2021-01-11 2022-03-22 Seagate Technology Llc Non-local spin valve sensor for high linear density

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000010024A1 (en) * 1998-08-14 2000-02-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device comprising a first and a second ferromagnetic layer separated by a non-magnetic spacer layer
US6330136B1 (en) * 1998-10-14 2001-12-11 Read-Rite Corporation Magnetic read sensor with SDT tri-layer and method for making same
US20020067581A1 (en) * 2000-05-10 2002-06-06 Masayoshi Hiramoto Magnetoresistive device and/or multi-magnetoresistive device
US20030117835A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 Hynix Semiconductor Inc. Magnetic random access memory

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5390061A (en) * 1990-06-08 1995-02-14 Hitachi, Ltd. Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head
DE19744095A1 (de) * 1997-10-06 1999-04-15 Siemens Ag Speicherzellenanordnung
JP3679593B2 (ja) * 1998-01-28 2005-08-03 キヤノン株式会社 磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
US6330137B1 (en) * 1999-06-11 2001-12-11 Read-Rite Corporation Magnetoresistive read sensor including a carbon barrier layer and method for making same
JP3468419B2 (ja) * 2000-03-17 2003-11-17 Ｔｄｋ株式会社 トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
JP2001307307A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Tdk Corp トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
US6767655B2 (en) * 2000-08-21 2004-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magneto-resistive element
FR2817999B1 (fr) * 2000-12-07 2003-01-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif magnetique a polarisation de spin et a empilement(s) tri-couche(s) et memoire utilisant ce dispositif
KR100390978B1 (ko) * 2000-12-28 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 마그네틱 램
US7522392B2 (en) * 2005-05-17 2009-04-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor based on spin accumulation effect with terminal connection at back end of sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000010024A1 (en) * 1998-08-14 2000-02-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device comprising a first and a second ferromagnetic layer separated by a non-magnetic spacer layer
US6330136B1 (en) * 1998-10-14 2001-12-11 Read-Rite Corporation Magnetic read sensor with SDT tri-layer and method for making same
US20020067581A1 (en) * 2000-05-10 2002-06-06 Masayoshi Hiramoto Magnetoresistive device and/or multi-magnetoresistive device
US20030117835A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 Hynix Semiconductor Inc. Magnetic random access memory

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
B.J. van Wees.NATURE,Vol.416 . 2002 *
Electrical detection of spin precession in a metallicmesoscopic spin valve. F. J. Jedema, H. B. Heersche, A. T. Filip,J.J.A.Baselmans&B.J. van Wees.NATURE,Vol.416 . 2002
Electrical detection of spin precession in a metallicmesoscopic spin valve. F. J. Jedema, H. B. Heersche, A. T. Filip,J.J.A.Baselmans&amp *
Electrical detection of spin precession in a metallicmesoscopic spin valve. F. J. Jedema, H. B. Heersche, A. T. Filip,J.J.A.Baselmans&B.J. van Wees.NATURE,Vol.416 . 2002 *

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