JP2019114315A - 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録密度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは第１〜第４磁性部と積層体とを含む。第３磁性部は、第１、第２磁性部の間に、第４磁性部は、第１、第２磁性部との間に設けられる。第３から第４磁性部に向かう方向は、第１から第２磁性部に向かう方向と交差する。積層体は、第１、第２磁性部の間、第３、第４磁性部の間に設けられる。積層体は、第１磁性層と、第１磁性層と第２磁性部との間に設けられた第２磁性層と、第１、第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、を含む。第１磁性部の磁化は、第３から第４磁性部への向きに沿う。第２磁性部の磁化は、第４から第３磁性部への向きに沿う。第３磁性部の磁化は、第２から第１磁性部への向きに沿う。第４磁性部の磁化は、第１から第２磁性部への向きに沿う。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関する。

磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、記録密度の向上が望まれる。

特開２０１３−２００９３１号公報

本発明の実施形態は、記録密度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、再生部を含む。前記再生部は、第１〜第４磁性部と、積層体と、を含む。前記第３磁性部は、前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に設けられる。前記第４磁性部は、前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に設けられる。前記第３磁性部から前記第４磁性部に向かう第２方向は、前記第１磁性部から前記第２磁性部に向かう第１方向と交差する。前記積層体は、前記第１方向において前記第１磁性部と前記第２磁性部との間、及び、前記第２方向において前記第３磁性部と前記第４磁性部との間に設けられる。前記積層体は、第１磁性層と、前記第１方向において前記第１磁性層と前記第２磁性部との間に設けられた第２磁性層と、前記第１方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、を含む。前記第１磁性部の第１磁化は、前記第３磁性部から前記第４磁性部への向きに沿う。前記第２磁性部の第２磁化は、前記第４磁性部から前記第３磁性部への向きに沿う。前記第３磁性部の第３磁化は、前記第２磁性部から前記第１磁性部への向きに沿う。前記第４磁性部の第４磁化は、前記第１磁性部から前記第２磁性部への向きに沿う。

図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。 図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的斜視図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図４（ａ）〜図４（ｆ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示する模式図である。 図５は、実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図６は、参考例の磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係る別の磁気ヘッドを例示する模式図である。 図８（ａ）〜図８（ｆ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示する模式図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図１０は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１１は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。 図１（ａ）は、図１（ｃ）の矢印ＡＡから見た平面図である。図１（ｂ）は、図１（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｃ）は、斜視図である。図１（ｃ）において、図を見やすくするために、要素どうしが離されて描かれている。
図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的斜視図である。

図２に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、再生部７０を含む。この例では、記録部６０がさらに設けられている。磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体８０に対向する。

磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２及び磁気記録層８１を含む。磁気記録層８１は、媒体基板８２と磁気ヘッド１１０との間に位置する。記録部６０から印加される磁場により、磁気記録層８１の磁化８３が制御される。これにより記録動作が実施される。磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５に沿って、磁気ヘッド１１０に対して相対的に移動する。

この例では、記録部６０は、磁極６１（例えば主磁極）及びライトシールド６２を含む。この例では、磁極６１とライトシールド６２との間に、発振素子６３が設けられている。発振素子６３は、例えば、高周波磁場を発生する。磁気記録媒体８０の、高周波磁場が印加された部分の磁化８３が変化しやすくなる。高周波アシスト記録が可能である。実施形態において、発振素子６３は省略されても良い。

再生部７０は、磁気記録媒体８０に対向する。再生部７０は、第１面７０ｓを有する。第１面７０ｓは、磁気記録媒体８０に対向する。第１面７０ｓは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）である。第１面７０ｓは、磁気記録媒体８０に対向可能である。再生部７０は、例えば、磁気記録層８１の磁化８３の方向を検出可能である。これにより、再生動作が実施される。再生部７０は、磁気記録媒体８０に記録された記録信号を検出する。

再生部７０は、第１磁性部４１、第２磁性部４２及び積層体７１を含む。この例では、再生部７０は、第５磁性部７５をさらに含む。第５磁性部７５については、後述する。

積層体７１は、第１磁性部４１及び第２磁性部４２の間に設けられる。第１磁性部４１から第２磁性部４２に向かう方向を第１方向（Ｘ軸方向）とする。

Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。

磁気記録媒体８０から再生部７０に向かう方向は、Ｚ軸方向に沿う。Ｚ軸方向は、ハイト方向に対応する。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向に対応する。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向に対応する。

この例では、再生部７０は、第１配線４１Ｌ及び第２配線４２Ｌを含む。第１配線４１Ｌの一端、及び、第２配線４２Ｌの一端は、積層体７１に電気的に接続される。この例では、第１配線４１Ｌの一端は、第１磁性部４１を介して、積層体７１に電気的に接続される。第２配線４２Ｌの一端は、第２磁性部４２を介して、積層体７１に電気的に接続される。第１配線４１Ｌの他端、及び、第２配線４２Ｌの他端は、制御部７０Ｄに電気的に接続されることが可能である。例えば、制御部７０Ｄから、積層体７１に電流が供給される。

図１（ａ）に示すように、再生部７０は、積層体７１、第１磁性部４１及び第２磁性部４２に加えて、第３磁性部４３及び第４磁性部４４をさらに含む。第３磁性部４３及び第４磁性部４４は、図２では省略されている。

第３磁性部４３は、第１磁性部４１と第２磁性部４２との間に設けられる。第４磁性部４４は、第１磁性部４１と第２磁性部４２との間に設けられる。

第３磁性部４３から第４磁性部４４に向かう第２方向は、第１方向（Ｘ軸方向：第１磁性部４１から第２磁性部４３に向かう方向）と交差する。第２方向は、例えば、Ｙ軸方向である。

積層体７１は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１磁性部４１と第２磁性部４２との間に設けられる。積層体７１は、第２方向（Ｙ軸方向）において、第３磁性部４３と第４磁性部４４との間に設けられる。

積層体７１は、第１磁性層１１、第２磁性層１２及び中間層１３を含む。第２磁性層１２は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１磁性層１１と第２磁性部４２との間に設けられる。中間層１３は、第１方向において、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。中間層１３は、非磁性である。

例えば、第１磁性層１１の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う長さ（厚さ）は、第２磁性層１２の第２方向に沿う長さ（厚さ）よりも長い（厚い）。

この例では、第１導電層１１ｅ及び第２導電層１２ｅがさらに設けられている。これらの導電層は、非磁性である。第１方向（Ｘ軸方向）において、積層体７１と第１磁性部４１との間に、第１導電層１１ｅが位置する。第１方向（Ｘ軸方向）において、積層体７１と第２磁性部４２との間に、第２導電層１２ｅが位置する。

この例では、第１〜第６絶縁部４７ａ〜ｆが設けられている。これらの絶縁部は互いに連続しても良い。

第１絶縁部４７ａは、第１磁性部４１と第３磁性部４３との間に設けられる。第２絶縁部４７ｂは、第１磁性部４１と第４磁性部４４との間に設けられる。第３絶縁部４７ｃは、第２磁性部４２と第３磁性部４３との間に設けられる。第４絶縁部４７ｄは、第２磁性部４２と第４磁性部４４との間に設けられる。第５絶縁部４７ｅは、第３磁性部４３と積層体７１との間に設けられる。第６絶縁部４７ｆは、第４磁性部４４と積層体７１との間に設けられる。第１〜第４絶縁部４７ａ〜４７ｄは、例えば、絶縁性の磁性材料を含む。第５磁性部４７ｅ及び第６絶縁部４７ｆは、例えば、非磁性材料を含む。

図１（ｃ）に示すように、この例では、第３磁性部４３は、第１斜面４３ｓを有する。第４磁性部４４は、第２斜面４４ｓを有する。これらの斜面は、第１面７０ｓ（例えば、ＡＢＳ）に対して傾斜している。これらの斜面は、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。

図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、第５磁性部７５は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１磁性部４１と第２磁性部４２との間に位置する。積層体７１から第５磁性部７５に向かう方向を第３方向とする。第３方向は、第１方向（Ｘ軸方向）及び第２方向（例えばＹ軸方向）と交差する。第３方向は、例えばＺ軸方向に沿う。図１（ｂ）においては、分かりやすさのために、磁気記録媒体８０が描かれている。

図１（ｂ）に示すように、再生部７０は、第７絶縁部４７ｇをさらに含む。第７絶縁部４７ｇの一部は、第５磁性部７５と第１磁性部４１との間に位置する。第７絶縁部４７ｇの別に一部は、第５磁性部７５と第２磁性部４２との間に位置する。第７絶縁部４７ｇのさらに別に一部は、第５磁性部７５と積層体７１との間に位置する。３
図１（ｃ）では、第１〜第７絶縁部４７ａ〜４７ｇは、図１（ｃ）では、省略されている。

第５磁性部７５は、積層体７１に磁場（例えばバイアス磁場）を印加する。第５磁性部７５の磁化（第５磁化７５Ｍ）は、例えば、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。第５磁化７５Ｍは、磁気記録媒体８０から再生部７０に向かう方向でも良く、再生部７０から磁気記録媒体８０に向かう方向でも良い。

例えば、積層体７１に磁場（第５磁化７５Ｍによる磁場）が印加される。そして、積層体７１に電流が流れる。これにより、積層体７１において、発振が生じる。積層体７１は、例えば、ＳＴＯ（spin torque oscillator）として機能する。

磁気記録媒体８０の磁化８３に基づく磁場が再生部７０（積層体７１）に加わる。積層体７１における発振状態が、磁気記録媒体８０の磁化８３の向きに応じて変化する。例えば、積層体７１における発振周波数が、磁気記録媒体８０の磁化８３の向きに応じて変化する。積層体７１における発振周波数の変化を検出することで、磁気記録媒体８０の磁化８３の向きが検出される。これにより、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生できる。再生動作が実施できる。

第１磁性部４１及び第２磁性部４２は、例えば、シールドとして機能する。第１磁性部４１及び第２磁性部４２は、導電性である。第１磁性部４１及び第２磁性部４２は、積層体７１に流れる電流の経路の一部として機能しても良い。

第３磁性部４３及び第４磁性部４４は、例えば、シールド（サイドシールド）として機能する。

図１（ａ）に示すように、実施形態においては、第１磁性部４１の第１磁化４１Ｍは、第３磁性部４３から第４磁性部４４への向き（例えば＋Ｙ方向）に沿う。第２磁性部４２の第２磁化４２Ｍは、第４磁性部４４から第３磁性部４３への向き（例えば、−Ｙ方向）に沿う。第３磁性部４３の第３磁化４３Ｍは、第２磁性部４２から第１磁性部４１への向き（例えば−Ｘ方向）に沿う。第４磁性部４４の第４磁化４４Ｍは、第１磁性部４１から第２磁性部４２への向き（例えば＋Ｘ方向）に沿う。

実施形態において、第１磁性部４１と第２磁性部４２とが互いに入れ替えられ、第３磁性部４３と第４磁性部４４とが互いに入れ替えられても良い。

上記のような第１〜第４磁化４１Ｍ〜４４Ｍにより、積層体７１において、発振を安定して生じさせることができる。例えば、安定した発振が得られるまでの時間を短くできる。実施形態においては、例えば、積層体７１にＺ−Ｙ平面に沿う成分を有する磁場が加わることが抑制される。これにより、安定した発振が得られる。例えば、発振軸の傾斜が抑制される。例えば、磁気記録媒体８０の磁化８３に応じた周波数変化が大きくなる。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図３（ａ）は、実施形態に係る磁気ヘッド１１０に対応する。図３（ｂ）は、参考例の磁気ヘッド１１９に対応する。磁気ヘッド１１９においては、第３磁化４３Ｍ及び第４磁化４４Ｍは、＋Ｙ方向である。磁気ヘッド１１９におけるこれ以外の構成は、磁気ヘッド１１０の構成と同様である。これらの図は、ＬＬＧ方程式に基づくマイクロマグネチックシミュレータによるシミュレーションにより得られる。

図３（ａ）及び図３（ｂ）の横軸は、積層体７１への電流（パルス）の供給後の時間ｔｍである。縦軸は、パラメータＭｙ／Ｍｓである。このパラメータＭｙ／Ｍｓは、第２磁性層１２の磁化の向きに対応する。

図３（ａ）に示すように、磁気ヘッド１１０においては、時間ｔｍが３ｎｓ以上になると、第２磁性層１２の磁化の向きの振幅が実質的に安定する。時間ｔｍが３ｎｓ以上になると、安定した発振が得られる。

図３（ｂ）に示すように、磁気ヘッド１１９においては、安定した発振が得られるまでの時間は、磁気ヘッド１１０に比べて長い。

このように、実施形態においては、安定した発振が得られるまでの時間を短くできる。これにより、例えば、積層体７１のサイズを小さくしても、安定した発振を得やすくなる。例えば、記録密度の高い情報を再生できるようになる。実施形態によれば、記録密度を向上できる磁気ヘッドを提供できる。

実施形態においては、第１〜第４磁化４１Ｍ〜４４Ｍのそれぞれの向きは、積層体７１の周りで、連続的に回るように設定されている。例えば、これらの磁化が安定しやすい。例えば、第１〜第４磁化４１Ｍ〜４４Ｍは、第５磁性部７５から積層体７１に印加される磁場を実質的に乱すことがない。第５磁性部７５から積層体７１に印加される磁場を安定化させることができる。これらの影響により、安定した発振が得られるまでの時間が短くなると考えられる。

図４（ａ）〜図４（ｆ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示する模式図である。
これらの図は、ＬＬＧ方程式に基づくマイクロマグネチックシミュレータによるシミュレーション結果を示す。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、積層体７１に電流が供給されていないときの状態に対応する。図４（ｄ）〜図４（ｆ）は、積層体７１に電流が供給され、積層体７１が発振している状態に対応する。

図４（ａ）及び図４（ｄ）において、暗い領域の一方（左の領域）は、−Ｙ方向の磁場に対応する。暗い領域の他方（右の領域）は、＋Ｙ方向の磁場に対応する。
図４（ｂ）及び図４（ｅ）において、暗い領域の一方（上の領域）は、−Ｘ方向の磁場に対応する。暗い領域の他方（下の領域）は、＋Ｘ方向の磁場に対応する。
図４（ｃ）及び図４（ｆ）において、暗い領域は、＋Ｚ方向の磁場に対応する。明るい領域は、−Ｚ方向の磁場に対応する。

図４（ａ）及び図４（ｂ）から分かるように、発振前において、図１（ａ）に図示した磁化の向きが得られている。図４（ｄ）及び図４（ｆ）から分かるように、発振時において、第１〜第４磁性部４１〜４４のうちの、積層体７１の近傍の領域で、図１（ａ）に図示した磁化の向きが維持されている。

実施形態においては、上記の第３磁性部４３及び第４磁性部４４（例えばサイドシールド）が設けられることにより、広い強度範囲の外部磁場において、外部磁場に対して発振周波数が直線的に変化するようになる。以下、この特性の例について説明する。

図５は、実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図５は、ＬＬＧ方程式に基づくマイクロマグネチックシミュレータによるシミュレーション結果を示す。図５において、横軸は、外部磁場Ｈｅｘ（Ｏｅ）である。外部磁場Ｈｅｘは、例えば、磁気記録媒体８０から積層体７１に加えられる磁場に対応する。正の外部磁場Ｈｅｘは、＋Ｚ方向の向きに対応する。負の外部磁場Ｈｅｘは、−Ｚ方向の向きに対応する。図５の左の縦軸は、発振周波数ｆ１（ＧＨｚ）である。図５の右の縦軸は、パラメータＭｙ／Ｍｓである。パラメータＭｙ／Ｍｓは、第２磁性層１２の磁化成分（振幅）に対応する。パラメータＭｙ／Ｍｓが大きいと、安定した発振が得られていることに対応する。

図５に示すように、外部磁場Ｈｅｘが−４００Ｏｅ以上＋４００Ｏｅ以下の範囲において、発振周波数ｆ１は、外部磁場Ｈｅｘに対して直線的に変化する。外部磁場Ｈｅｘに対して発振周波数ｆ１が直線的に変化する、外部磁場範囲Ｈｅｘ１は、−４００Ｏｅ以上＋４００Ｏｅ以下である。例えば、０．６以上のパラメータＭｙ／Ｍｓが得られる外部磁場Ｈｅｘの範囲が広い。

このように、磁気ヘッド１１０においては、−４００Ｏｅ以上＋４００Ｏｅ以下の広い外部磁場範囲Ｈｅｘ１が得られる。例えば、磁気記録媒体８０の磁化８３の異なる状態に対応して、複数の発振周波数ｆ１が得られる。複数の発振周波数ｆ１の間において、大きな差が得られる。再生の感度が向上できる。

図６は、参考例の磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図６は、参考例の磁気ヘッド１１９ａに関しての、ＬＬＧ方程式に基づくマイクロマグネチックシミュレータによるシミュレーション結果を示す。磁気ヘッド１１９ａにおいては、第３磁性部４３及び第４磁性部４４が設けられていない。磁気ヘッド１１９ａにおけるこれ以外の構成は、磁気ヘッド１１０と同様である。

図６から分かるように、磁気ヘッド１１９ａにおいては、外部磁場範囲Ｈｅｘ１は、−３００Ｏｅ以上＋１００Ｏｅ以下である。外部磁場範囲Ｈｅｘ１が狭いため、複数の発振周波数ｆ１の間の差は、小さい。例えば、０．６以上のパラメータＭｙ／Ｍｓが得られる外部磁場Ｈｅｘの範囲が、磁気ヘッド１１０の場合よりも狭い。

このように、実施形態によれば、広い外部磁場範囲Ｈｅｘ１が得られる。得られる発振周波数ｆ１の差が大きい。高い再生感度が得られる。

実施形態においては、外部磁場Ｈｅｘに対しての発振周波数ｆ１の変化の直線性が高い。

例えば、磁気記録媒体８０の磁化８３の変化に対応して直線的に変化する発振周波数ｆ１の範囲が拡がる。この範囲においては、磁場の変化（磁化８３の変化）と、発振周波数ｆ１と、の間の線形性が維持できる。例えば、Ｇｂ／ｓ程度の高転送速度の再生が可能になる。例えば、Ｔｂ／ｉｎ^２程度の高密度の再生が可能になる。

既に説明したように、再生部７０は、第１面７０ｓを有する。図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、第３方向（例えばＺ軸方向）において、積層体７１の少なくとも一部は、第１面７０ｓと第５磁性部７５との間に位置する。

図１（ｃ）に示すように、この例においては、第５磁性部７５は、第２方向（例えばＹ軸方向）において第３磁性部４３と重ならない。第５磁性部７５は、第２方向において、第４磁性部４４と重ならない。後述するように、別の例において、第５磁性部７５は、第２方向において第３磁性部４３及び第４磁性部４と重なっても良い。

図１（ｃ）に示すように、第３磁性部４３は、第１斜面４３ｓを有し、第４磁性部４４は、第２斜面４４ｓを有する。第１斜面４３ｓと第１面７０ｓとの間の、第３方向（Ｚ軸方向）に沿った第１距離ｄ１は、積層体７１から第３磁性部への向きにおいて増大する。第２斜面４４ｓと第１面７０ｓとの間の、第３方向に沿った第２距離ｄ２は、積層体７１から第４磁性部４４への向きにおいて増大する。

この例では、第３磁性部４３の一部は、第３方向（Ｚ軸方向）において、第５磁性部７５と重なっている。第４磁性部４４の一部は、第３方向において、第５磁性部７５と重なっている。例えば、第１斜面４３ｓの少なくとも一部は、第３方向において、第５磁性部７５と重なっても良い。第２斜面４４ｓの少なくとも一部は、第３方向において、第５磁性部７５と重なっても良い。

このような第１斜面４３ｓ及び第２斜面４４ｓにより、例えば、第５磁性部７５で生じて積層体７１に印加される磁場が、第３磁性部４３及び第４磁性部４４により乱されることが抑制できる。例えば、第５磁性部７５と積層体７１との間の距離を短くできる。

第１斜面４３ｓと第１面７０ｓとの間の角度θ１は、１度以上５０度以下であることが好ましい。角度θ１は、１０度以上４５度以下であることがさらに好ましい。角度θ１は、１０度以上２０度以下でも良い。第２斜面４４ｓと第１面７０ｓとの間の角度θ２は、１度以上５０度以下であることが好ましい。角度θ２は、１０度以上４５度以下であることがさらに好ましい。角度θ２は、１０度以上２０度以下でも良い。このような角度により、第５磁性部７５で生じて積層体７１に印加される磁場が、第３磁性部４３及び第４磁性部４４により乱されることが抑制できる。例えば、第５磁性部７５と積層体７１との間の距離を短くできる。角度θ１は、第１斜面４３ｓを含む平面と、第１面７０ｓを含む平面と、の間の角度である。角度θ２は、第２斜面４４ｓを含む平面と、第１面７０ｓを含む平面と、の間の角度である。

角度θ１は、第１斜面４３ｓと、第１面７０ｓを含む平面と、の間の角度でも良い。角度θ２は、第２斜面４４ｓと、第１面７０ｓを含む平面と、の間の角度でも良い。

図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係る別の磁気ヘッドを例示する模式図である。
図７（ａ）は、斜視図である。図７（ａ）において、図を見やすくするために、第２磁性部４２が省略されている。さらに、図７（ａ）において、第１〜第７絶縁部４７ａ〜４７ｇが省略されている。図７（ｂ）は、図７（ａ）の矢印ＡＢからみた平面図である。図７（ｂ）では、分かりやすさのために、磁気記録媒体８０が描かれている。

図７（ａ）に示すように、磁気ヘッド１２０においては、再生部７０において、第３磁性部４３の形状及び第４磁性部４４の形状が、磁気ヘッド１１０におけるそれとは、異なる。磁気ヘッド１２０におけるそれら以外の構成は、磁気ヘッド１１０における構成と同様である。以下、磁気ヘッド１２０における、第３磁性部４３及び第４磁性部４４について説明する。

図７（ｂ）に示すように、第３磁性部４３は、第１対向部分４３ａを含む。第１対向部分４３ａは、第２方向（例えばＹ軸方向）において、積層体７１と対向する。例えば、第１対向部分４３ａは、第３磁性部４３のなかで、積層体７１に最も近い部分である。一方、第４磁性部４４は、第２対向部分４４ａを含む。第２対向部分４４ａは、第２方向（例えばＹ軸方向）において、積層体７１と対向する。例えば、第２対向部分４４ａは、第４磁性部４４のなかで、積層体７１に最も近い部分である。

磁気ヘッド１２０においては、第１対向部分４３ａの第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う第１対向部分長さｈ４３は、積層体７１の第３方向に沿う積層体長さｈ７１よりも短い。第２対向部分４４ａの第３方向に沿う第２対向部分長さｈ４４は、積層体長さｈ７１よりも短い。

例えば、第１対向部分長さｈ４３は、積層体長さｈ７１の０．５倍以上０．９倍以下である。例えば、第２対向部分長さｈ４４は、積層体長さｈ７１の０．５倍以上０．９倍以下である。

これにより、例えば、第５磁性部７５で生じて積層体７１に印加される磁場が、第３磁性部４３及び第４磁性部４４により乱されることが抑制できる。例えば、第５磁性部７５と積層体７１との間の距離を短くできる。

第３磁性部４３は、第１斜面４３ｓを有し、第４磁性部４４は、第２斜面４４ｓを有する。例えば、第２方向（例えばＹ軸方向）における第１対向部分４３ａの位置は、第２方向における第１斜面４３ｓの位置と、第２方向における積層体７１の位置との間にある。第２方向における第２対向部分４４ａの位置は、第２方向における第２斜面４４ｓの位置と、第２方向における積層体７１の位置との間にある。

第１斜面４３ｓと第１面７０ｓとの間の、第３方向（Ｚ軸方向）に沿った第１距離ｄ１は、積層体７１から第３磁性部４３への向きにおいて増大する。第２斜面４４ｓと第１面７０ｓとの間の、第３方向に沿った第２距離ｄ２は、積層体７１から第４磁性部４４への向きにおいて増大する。

この例では、第５磁性部７５の少なくとも一部は、第２方向（Ｙ軸方向）において、第３磁性部４３と第４磁性部４４との間に位置する。第５磁性部７５の少なくとも一部は、第２方向において、第１斜面４４ｓと第２斜面４４ｓとの間に位置する。

このような第３磁性部４３及び第４磁性部４４により、第５磁性部７５で生じて積層体７１に印加される磁場が、第３磁性部４３及び第４磁性部４４により乱されることが抑制できる。例えば、第５磁性部７５と積層体７１との間の距離を短くできる。

この例では、第５磁性部７５の１つの端の第２方向（例えばＹ軸方向）における位置は、第１対向部分４３ａの第２方向における位置と、積層体７１の第２方向における位置との間にある。第５磁性部７５の別の１つの端の第２方向（例えばＹ軸方向）における位置は、第２対向部分４４ａの第２方向における位置と、積層体７１の第２方向における位置との間にある。

例えば、第５磁性部７５の第２方向（例えばＹ軸方向）に沿う長さ７５ｗ（幅）は、積層体７１の第２方向に沿う長さ７１ｗ（幅）よりも長い。例えば、第５磁性部７５から生じ積層体７１に印加される磁場の向きを均一にできる。

例えば、長さ７５ｗ（幅）は、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。例えば、長さ７１ｗ（幅）は、１６ｎｍ以上２６ｎｍ以下である。

例えば、第５磁性部７５の１つの端の第２方向（例えばＹ軸方向）における位置と、第１対向部分４３ａの第２方向における位置と、の間の第２方向に沿う距離を距離ｗ３とする。距離ｗ３は、例えば、１ｎｍ以上４ｎｍ以下であることが好ましい。例えば、距離ｗ３は、例えば、長さ７５ｗと長さ７１ｗとの差の０．２５倍以上１．１倍以下であることが好ましい。例えば、第５磁性部７５で生じて積層体７１に印加される磁場が、第３磁性部４３及び第４磁性部４４により乱されることが抑制できる。

例えば、第５磁性部７５の別の１つの端の第２方向（例えばＹ軸方向）における位置と、第２対向部分４４ａの第２方向における位置と、の間の第２方向に沿う距離を距離ｗ４とする。距離ｗ４は、例えば、１ｎｍ以上４ｎｍ以下であることが好ましい。例えば、距離ｗ４は、例えば、長さ７５ｗと長さ７１ｗとの差の０．２５倍以上１．１倍以下であることが好ましい。例えば、第５磁性部７５で生じて積層体７１に印加される磁場が、第３磁性部４３及び第４磁性部４４により乱されることが抑制できる。

図８（ａ）〜図８（ｆ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示する模式図である。
これらの図は、磁気ヘッド１２０の再生部７０についての、ＬＬＧ方程式に基づくマイクロマグネチックシミュレータによるシミュレーション結果を示す。図８（ａ）〜図８（ｃ）は、積層体７１に電流が供給されていないときの状態に対応する。図８（ｄ）〜図８（ｆ）は、積層体７１に電流が供給され、積層体７１が発振している状態に対応する。

図８（ａ）及び図８（ｄ）において、暗い領域の一方（左の領域）は、−Ｙ方向の磁場に対応する。暗い領域の他方（右の領域）は、＋Ｙ方向の磁場に対応する。
図８（ｂ）及び図８（ｅ）において、暗い領域の一方（上の領域）は、−Ｘ方向の磁場に対応する。暗い領域の他方（下の領域）は、＋Ｘ方向の磁場に対応する。
図８（ｃ）及び図８（ｆ）において、暗い領域は、＋Ｚ方向の磁場に対応する。明るい領域は、−Ｚ方向の磁場に対応する。

図８（ａ）及び図８（ｂ）から分かるように、発振前において、図１（ａ）に図示した磁化の向きが得られている。図８（ｄ）及び図８（ｆ）から分かるように、発振時において、第１〜第４磁性部４１〜４４のうちの、積層体７１の近傍の領域で、図１（ａ）に図示した磁化の向きが維持されている。

図４（ｄ）、図４（ｅ）、図８（ｄ）及び図８（ｅ）を比較すると、磁気ヘッド１２０においては、磁気ヘッド１１０に比べて、暗い領域が、明確であり、広い。磁気ヘッド１２０においては、第１〜第４磁性部４１〜４４のそれぞれの磁化が安定し易い。

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図９（ａ）は、実施形態に係る磁気ヘッド１２０に対応する。図９（ｂ）は、磁気ヘッド１２９に対応する。

磁気ヘッド１２０及び１２９において、第１磁性部４１の厚さｔ４１（図７（ａ）参照、Ｘ軸方向に沿う長さ）は、８０ｎｍである。第１磁性部４１の幅Ｌ４１（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、７００ｎｍである。第３磁性部４３の厚さｔ４３（図７（ａ）参照、Ｘ軸方向に沿う長さ）、及び、第４磁性部４４の厚さ（Ｘ軸方向に沿う長さ）は、それぞれ１８ｎｍである。積層体長さｈ７１は、３０ｎｍである。

磁気ヘッド１２０において、第３磁性部４３の上端の幅Ｌｔ４３（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、１００ｎｍである。第４磁性部４４の上端の幅Ｌｔ４４（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、１００ｎｍである。第３磁性部４３のうちの積層体７１に対向する突出部の幅Ｌｂ４３（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、１６ｎｍである。第４磁性部４４のうちの積層体７１に対向する突出部の幅Ｌｂ４４（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、１６ｎｍである。

磁気ヘッド１２０において、角度θ１（図７（ａ）参照）は約４０度である。角度θ２（図７（ａ）参照）は約４０度である。

磁気ヘッド１２０において、第１対向部分長さｈ４３及び第２対向部分長さｈ４４のそれぞれ、積層体長さｈ７１よりも短い。この例では、第１対向部分長さｈ４３及び第２対向部分長さｈ４４のそれぞれは、２０ｎｍである。

一方、磁気ヘッド１２９において、第３磁性部４３の上端の幅Ｌｔ４３（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、２００ｎｍである。第４磁性部４４の上端の幅Ｌｔ４４（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、２００ｎｍである。第３磁性部４３のうちの積層体７１に対向する突出部の幅Ｌｂ４３（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、１６ｎｍである。第４磁性部４４のうちの積層体７１に対向する突出部の幅Ｌｂ４４（図７（ａ）参照、Ｙ軸方向に沿う長さ）は、１６ｎｍである。

磁気ヘッド１２９において、角度θ１（図７（ａ）参照）は約５６度である。角度θ２（図７（ａ）参照）は約５６度である。

磁気ヘッド１２９において、第１対向部分長さｈ４３及び第２対向部分長さｈ４４のそれぞれは、積層体長さｈ７１と同じである。

図９（ａ）及び図９（ｂ）の横軸は、積層体７１への電流（パルス）の供給後の時間ｔｍである。縦軸は、パラメータＭｙ／Ｍｓを示す。

図９（ａ）に示すように、磁気ヘッド１２０においては、安定した発振が得られるまでの時間は、約２ｎｓ以下である。一方、磁気ヘッド１２９においては、安定した発振が得られない。

角度θ１及び角度θ２のそれぞれは、５６度未満であることが好ましい。例えば、角度θ１及び角度θ２のそれぞれは、５０度以下であることが好ましい。

実施形態において、第１対向部分長さｈ４３は、積層体長さｈ７１よりも短いことが好ましい。第２対向部分長さｈ４４は、積層体長さｈ７１よりも短いことが好ましい。

以下、実施形態に含まれる構成要素の材料の例について、説明する。

第１〜第４磁性部４１〜４４の少なくともいずれかは、例えば、ＮｉＦｅなどの材料を含む。

第５磁性部７５は、例えば、ＣｏＣｒなどの材料を含む。

第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれかは、ＣｏＦｅなどの材料を含む。１つの例において、第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれかは、１つの磁性膜を含む。これらの磁性層の少なくともいずれかは、互いに接続された複数の磁性膜を含んでも良い。これらの磁性層の少なくともいずれかは、第１磁性膜と、第２磁性膜と、第１磁性膜と第２磁性膜との間に設けられた非磁性膜（例えばＲｕ膜）と、を含んでも良い。第１磁性膜と第２磁性膜とは、反強磁性結合される。これらの磁性層の少なくともいずれかは、人工反強磁性体を含んでも良い。これらの磁性層の少なくともいずれかは、Ｔａ膜またはＷ膜を含む積層構造を含んでも良い。

中間層１３は、例えば、ＭｇＯなどの非磁性の材料を含む。

第１〜第４磁化４１Ｍ〜４４Ｍに関する情報、及び、第５磁化７５Ｍに関する情報は、例えば、磁気光学顕微鏡などにより得られる。

既に説明したように、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば、磁気ヘッド１１０及び１２０など、それらの変形も含む）は、第１配線４１Ｌ及び第２配線４２Ｌ（図２参照）をさらに含んでも良い。第１配線４１Ｌの一端は、第１磁性層１１と電気的に接続される。第２配線４２Ｌの一端は、第２磁性層１２と電気的に接続される。第１配線４１Ｌの他端及び第２配線４２Ｌの他端は、制御部７０Ｄに接続可能である。制御部７０Ｄは、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に電流を供給可能である。

上記の電流が第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に流れたときに、積層体７１で発振が生じる。磁気記録媒体８０の磁化の向きに応じて、発振の周波数が変化する。実施形態に係る磁気ヘッドにおいては、上記の発振の周波数の変化により、磁気記録媒体８０の情報を再生することができる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、磁気記録再生装置に係る。磁気記録再生装置は、第１実施形態に係る磁気ヘッド（及びその変形）と、磁気記録媒体８０と、制御部７０Ｄと、を含む。制御部７０Ｄは、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に電流を供給可能である。上記の電流が、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に流れたときに積層体７１で発振が生じる。磁気記録再生装置は、磁気記録媒体８０の磁化の向きに応じた、発振の周波数の変化を検出して、磁気記録媒体８０の情報を読み出す。

磁気記録媒体８０の磁化８３（図２参照）は、磁気記録媒体８０から再生部７０に向かう方向に沿う。

以下、本実施形態に係る磁気記録再生装置の例について説明する。以下では、磁気ヘッドとして、磁気ヘッド１１０が用いられる。

図１０は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１０は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

図１１は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１１に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。

ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。

サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。

アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。

図１２（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
また、図１２（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。

図１２（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。

図１２（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。

サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。

磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。

本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。

例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。

本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含む。
（構成１）
第１磁性部と、
第２磁性部と、
前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に設けられた第３磁性部と、
前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に設けられた第４磁性部であって、前記第３磁性部から前記第４磁性部に向かう第２方向は、前記第１磁性部から前記第２磁性部に向かう第１方向と交差した、前記第４磁性部と、
前記第１方向において前記第１磁性部と前記第２磁性部との間、及び、前記第２方向において前記第３磁性部と前記第４磁性部との間に設けられた積層体と、
を含む再生部を備え、
前記積層体は、
第１磁性層と、
前記第１方向において前記第１磁性層と前記第２磁性部との間に設けられた第２磁性層と、
前記第１方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、
を含み、
前記第１磁性部の第１磁化は、前記第３磁性部から前記第４磁性部への向きに沿い、
前記第２磁性部の第２磁化は、前記第４磁性部から前記第３磁性部への向きに沿い、
前記第３磁性部の第３磁化は、前記第２磁性部から前記第１磁性部への向きに沿い、
前記第４磁性部の第４磁化は、前記第１磁性部から前記第２磁性部への向きに沿う、磁気ヘッド。
（構成２）
再生部は、第５磁性部をさらに含み、
前記第５磁性部は、前記第１方向において前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に位置し、
前記積層体から前記第５磁性部に向かう第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向と交差した、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成３）
前記第５磁性部の第５磁化は、前記第３方向に沿う、構成２記載の磁気ヘッド。
（構成４）
前記再生部は、第１面を有し、
前記第３方向において、前記積層体の少なくとも一部は、前記第１面と前記第５磁性部との間に位置した、構成２または３に記載の磁気ヘッド。
（構成５）
前記第５磁性部は、前記第２方向において前記第３磁性部と重ならず、前記第２方向において、前記第４磁性部と重ならない、構成４記載の磁気ヘッド。
（構成６）
前記第３磁性部は、第１斜面を有し、前記第１斜面と前記第１面との間の角度は、１度以上５０度以下であり、
前記第４磁性部は、第２斜面を有し、前記第２斜面と前記第１面との間の角度は、１度以上５０度以下である、構成５記載の磁気ヘッド。
（構成７）
前記第１斜面と前記第１面との間の、前記第３方向に沿った第１距離は、前記積層体から前記第３磁性部への向きにおいて増大し、
前記第２斜面と前記第１面との間の、前記第３方向に沿った第２距離は、前記積層体から前記第４磁性部への向きにおいて増大する、構成６記載の磁気ヘッド。
（構成８）
前記第１斜面の少なくとも一部は、前記第３方向において、前記第５磁性部と重なり、
前記第２斜面の少なくとも一部は、前記第３方向において、前記第５磁性部と重なる、構成６または７に記載の磁気ヘッド。
（構成９）
前記第３磁性部は、第２方向において前記積層体と対向する第１対向部分を含み、
前記第１対向部分の前記第３方向に沿う第１対向部分長さは、前記積層体の前記第３方向に沿う積層体長さよりも短く、
前記第４磁性部は、第２方向において前記積層体と対向する第２対向部分を含み、
前記第２対向部分の前記第３方向に沿う第２対向部分長さは、前記積層体長さよりも短い、構成４記載の磁気ヘッド。
（構成１０）
前記第１対向部分長さは、前記積層体長さの０．５倍以上０．９倍以下であり、
前記第２対向部分長さは、前記積層体長さの０．５倍以上０．９倍以下である、構成９記載の磁気ヘッド。
（構成１１）
前記第３磁性部は、第１斜面を有し、
前記第４磁性部は、第２斜面を有し、
前記第２方向における第１対向部分の位置は、前記第２方向における前記第１斜面の位置と、前記第２方向における前記積層体の位置との間にあり、
前記第２方向における第２対向部分の位置は、前記第２方向における前記第２斜面の位置と、前記第２方向における前記積層体の前記位置との間にある、構成９または１０に記載の磁気ヘッド。
（構成１２）
前記第１斜面と前記第１面との間の、前記第３方向に沿った第１距離は、前記積層体から前記第３磁性部への向きにおいて増大し、
前記第２斜面と前記第１面との間の、前記第３方向に沿った第２距離は、前記積層体から前記第４磁性部への向きにおいて増大する、構成１１記載の磁気ヘッド。
（構成１３）
前記第５磁性部の少なくとも一部は、前記第２方向において、前記第３磁性部と前記第４磁性部との間に位置した、構成９〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１４）
前記第１面は、磁気記録媒体に対向可能である、構成４〜１３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１５）
前記第１磁性層の前記第１方向に沿う長さは、前記第２磁性層の前記第２方向に沿う長さよりも長い、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１６）
第１配線及び第２配線をさらに備え、
前記第１配線の一端は、前記第１磁性層と電気的に接続され、
前記第２配線の一端は、前記第２磁性層と電気的に接続され、
前記第１配線の他端及び前記第２配線の他端は、制御部に接続可能であり、
前記制御部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に電流を供給可能である、構成１〜１５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１７）
前記電流が前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に流れたときに前記積層体で発振が生じ、
磁気記録媒体の磁化の向きに応じて前記発振の周波数が変化する、構成１６記載の磁気ヘッド。
（構成１８）
前記発振の周波数の変化により、前記磁気記録媒体の情報を再生する、構成１７記載の磁気ヘッド。
（構成１９）
構成１〜１３のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
磁気記録媒体と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に電流を供給可能であり、
前記電流が前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に流れたときに前記積層体で発振が生じ、
磁気記録媒体の磁化の向きに応じた、前記発振の周波数の変化を検出して、前記磁気記録媒体の情報を読み出す、磁気記録再生装置。
（構成２０）
前記磁気記録媒体の前記磁化は、前記磁気記録媒体から前記再生部に向かう方向に沿う、構成１９記載の磁気記録再生装置。

実施形態によれば、記録密度を向上できる磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供できる。

本願明細書において、「電気的に接続される状態」は、複数の導電体が物理的に接してこれら複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。「電気的に接続される状態」は、複数の導電体の間に、別の導電体が挿入されて、これらの複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに磁性部及び積層体などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１…第１磁性層、 １１ｅ…第１導電層、 １２…第２磁性層、 １２ｅ…第２導電層、 １３…中間層、 ４１〜４４…第１〜第４磁性部、 ４１Ｌ、４２Ｌ…第１、第２配線、 ４１Ｍ〜４４Ｍ…第１〜第４磁化、 ４３ａ…第１対向部分、 ４３ｓ…第１斜面、 ４４ａ…第２対向部分、 ４４ｓ…第２斜面、 ４７ａ〜４７ｇ…第１〜第７絶縁部、 ６０…記録部、 ６１…磁極、 ６２…ライトシールド、 ６３…発振素子、 ７０…再生部、 ７０Ｄ…制御部、 ７０ｓ…第１面、 ７１…積層体、 ７１ｗ…長さ、 ７５…第５磁性部、 ７５Ｍ…第５磁化、 ７５ｗ…長さ、 ８０…磁気記録媒体、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８５…媒体移動方向、 θ１、θ２…角度、 １１０、１１９、１１９ａ、１２０、１２９…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録再生装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ＡＡ、ＡＢ、ＡＲ…矢印、 Ｈｅｘ…外部磁場、 Ｈｅｘ１…外部磁場範囲、 Ｌ４１、Ｌｂ４３、Ｌｂ４４、Ｌｔ４３、Ｌｔ４４…幅、 Ｍｙ／Ｍｓ…パラメータ、 ｄ１、ｄ２…距離、 ｆ１…発振周波数、 ｈ４３…第１対向部分長さ、 ｈ４４…第２対向部分長さ、 ｈ７１…積層体長さ、 ｔ４１、ｔ４３…厚さ、 ｔｍ…時間、 ｗ３、ｗ４…距離

Claims (10)

1. 第１磁性部と、
   第２磁性部と、
   前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に設けられた第３磁性部と、
   前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に設けられた第４磁性部であって、前記第３磁性部から前記第４磁性部に向かう第２方向は、前記第１磁性部から前記第２磁性部に向かう第１方向と交差した、前記第４磁性部と、
   前記第１方向において前記第１磁性部と前記第２磁性部との間、及び、前記第２方向において前記第３磁性部と前記第４磁性部との間に設けられた積層体と、
   を含む再生部を備え、
   前記積層体は、
   第１磁性層と、
   前記第１方向において前記第１磁性層と前記第２磁性部との間に設けられた第２磁性層と、
   前記第１方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、
   を含み、
   前記第１磁性部の第１磁化は、前記第３磁性部から前記第４磁性部への向きに沿い、
   前記第２磁性部の第２磁化は、前記第４磁性部から前記第３磁性部への向きに沿い、
   前記第３磁性部の第３磁化は、前記第２磁性部から前記第１磁性部への向きに沿い、
   前記第４磁性部の第４磁化は、前記第１磁性部から前記第２磁性部への向きに沿う、磁気ヘッド。
2. 再生部は、第５磁性部をさらに含み、
   前記第５磁性部は、前記第１方向において前記第１磁性部と前記第２磁性部との間に位置し、
   前記積層体から前記第５磁性部に向かう第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向と交差した、請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 前記第５磁性部の第５磁化は、前記第３方向に沿う、請求項２記載の磁気ヘッド。
4. 前記再生部は、第１面を有し、
   前記第３方向において、前記積層体の少なくとも一部は、前記第１面と前記第５磁性部との間に位置した、請求項２または３に記載の磁気ヘッド。
5. 前記第３磁性部は、第２方向において前記積層体と対向する第１対向部分を含み、
   前記第１対向部分の前記第３方向に沿う第１対向部分長さは、前記積層体の前記第３方向に沿う積層体長さよりも短く、
   前記第４磁性部は、第２方向において前記積層体と対向する第２対向部分を含み、
   前記第２対向部分の前記第３方向に沿う第２対向部分長さは、前記積層体長さよりも短い、請求項４記載の磁気ヘッド。
6. 前記第１対向部分長さは、前記積層体長さの０．５倍以上０．９倍以下であり、
   前記第２対向部分長さは、前記積層体長さの０．５倍以上０．９倍以下である、請求項５記載の磁気ヘッド。
7. 第１配線及び第２配線をさらに備え、
   前記第１配線の一端は、前記第１磁性層と電気的に接続され、
   前記第２配線の一端は、前記第２磁性層と電気的に接続され、
   前記第１配線の他端及び前記第２配線の他端は、制御部に接続可能であり、
   前記制御部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に電流を供給可能である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
8. 前記電流が前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に流れたときに前記積層体で発振が生じ、
   磁気記録媒体の磁化の向きに応じて前記発振の周波数が変化する、請求項７記載の磁気ヘッド。
9. 前記発振の周波数の変化により、前記磁気記録媒体の情報を再生する、請求項８記載の磁気ヘッド。
10. 請求項１〜９のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
    磁気記録媒体と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に電流を供給可能であり、
    前記電流が前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に流れたときに前記積層体で発振が生じ、
    磁気記録媒体の磁化の向きに応じた、前記発振の周波数の変化を検出して、前記磁気記録媒体の情報を読み出す、磁気記録再生装置。