CN100378829C - 光头装置和光学式信息记录或再现装置 - Google Patents

光头装置和光学式信息记录或再现装置 Download PDF

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Abstract

提供一种对于下一代规格、DVD规格、CD规格中的任一光盘，在记录时都能够获得光的高输出、在再现时也都能够获得高S/N的光头装置和光学式信息记录或再现装置。从第一半导体激光器出射的波长400nm的光，几乎完全被第一分光器反射，聚光到下一代规格的光盘上。从第二半导体激光器出射的波长660nm的光，几乎完全被第二分光器反射，几乎完全透过第一分光器，聚光到DVD规格的光盘上。从第三半导体激光器射出的波长780nm的光，几乎完全被第三分光器反射，几乎完全透过第一及第二分光器，聚光到CD规格的光盘上。来自光盘的反射光，几乎完全透过第一、第二及第三分光器，由光检测器接收。

Description

光头装置和光学式信息记录或再现装置
技术领域
本发明涉及一种用于对不同规格的多种光记录介质进行记录和再现的光头装置及光学式信息记录或再现装置。
背景技术
光学式信息记录或再现装置的记录密度与在光记录介质上形成的光头装置的汇聚光点的直径的平方成反比。即，汇聚光点的直径越小，记录的密度就越高。汇聚光点的直径与光头装置的光源的波长成正比，与物镜的数值孔径成反比。即，光源的波长越短，物镜的数值孔径越多，汇聚光点的直径就越小。在容量650MB的CD(微型光盘)规格中光源的波长约为780nm，物镜的数值孔径为0.45。此外，在容量4.7GB的DVD(数字通用光盘)规格中光源的波长约为660nm，物镜的数值孔径为0.6。
与此相对，近年来为了进一步提高记录密度，提出或实际应用了一种进一步缩短光源的波长并进一步提高物镜的数值孔径的下一代规格。例如，在容量20GB的AOD(高级光学光盘)规格中光源的波长约为400nm，物镜的数值孔径为0.65。此外，容量23.3GB的BRD(蓝光光盘)规格中光源的波长约为400nm，物镜的数值孔径为0.85。
基于这样的背景，希望一种能够针对不同规格的多种光盘进行记录和再现，具有互换功能的光头装置及光学式信息记录或再现装置。针对DVD规格、CD规格中的各种光盘，能够进行记录和再现的光头装置已在实用中。此外，正在提出一种针对下一代规格、DVD规格、CD规格中的各种光盘，能够进行记录和再现的光头装置。
作为针对下一代规格、DVD规格、CD规格中的各种光盘，能够进行记录和再现的现有光头装置的例子，有专利文献1中所述的光头装置。图74中示出了此光头装置的典型结构。组件311a、311b、311c包括半导体激光器、光检测器及全息图光学元件。全息图光学元件使从半导体激光器的出射的一部分光透过并导向光盘，使来自光盘的反射光的一部分衍射并导向光检测器。组件311a、311b、311c内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm、400nm。分光器312a使波长400nm、660nm的光透过，使波长780nm的光反射。此外，分光器312b使波长400nm的光透过，使波长660nm的光反射。
从组件311c内的半导体激光器出射的出射光透过分光器312b、312a，被反射镜313反射，由物镜314聚焦到下一代规格的光盘315上。来自光盘315的反射光反向通过物镜314，被反射镜313反射，透过分光器312a、312b，由组件311c内的光检测器接收。
从组件311b内的半导体激光器出射的出射光被分光器312b反射，透过分光器312a，被反射镜313反射，由物镜314聚焦到DVD规格的光盘315上。来自光盘315的反射光反向通过物镜314，被反射镜313反射，透过分光器312a，被分光器312b反射，由组件311b内的光检测器接收。
从组件311a内的半导体激光器出射的出射光被分光器312a反射，被反射镜313反射，由物镜314聚焦到CD规格的光盘315上。来自光盘315的反射光反向通过物镜314，被反射镜313反射，被分光器312a反射，由组件311a内的光检测器接收。
另一方面，作为针对DVD规格、CD规格中的各种光盘，能够进行记录和再现的现有光头装置的例子，有专利文献2中所述的光头装置。图75中示出了此光头装置的典型结构。半导体激光器321a、321b的波长分别为780nm、660nm。分光器322a对于波长660nm的光而言使P偏振光成分、S偏振光成分的双方几乎完全透过，对于波长780nm的光而言使P偏振光成分几乎完全透过，使S偏振光成分几乎完全反射。此外，分光器322b对于波长660nm的光而言使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光而言使P偏振光成分几乎完全透过。
从半导体激光器321b出射的出射光，作为S偏振光入射到分光器322b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器322a，被反射镜324反射，由波长片325从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜326聚焦到DVD规格的光盘327上。来自光盘327的反射光反向通过物镜326，由波长片325从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜324反射，几乎完全透过分光器322a，作为P偏振光入射到分光器322b并几乎完全透过，由光检测器323接收。
从半导体激光器321a出射的出射光，作为S偏振光入射到分光器322a并几乎完全反射，被反射镜324反射，由波长片325从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜326聚焦到CD规格的光盘327上。来自光盘327的反射光反向通过物镜326，由波长片325从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜324反射，作为P偏振光入射到分光器322a并几乎完全透过，几乎完全透过分光器322b，由光检测器323接收。
这里，专利文献1是指日本专利申请特开2001-43559号公报，专利文献2是指日本专利申请特开2003-91863号公报。
在如图74所示的现有光头装置中，波长400nm、660nm、780nm中的任何一种光，在往程中透过组件内的全息图光学元件时会产生光量损失，在返程中由组件内的全息图光学元件衍射时也会产生光量损失。当全息图光学元件的衍射光栅的相位深度为φ时，往程中的透射率是cos2(φ/2)、返程中的衍射效率是2(2/π)2sin2(φ/2)。往程中的透射率和返程中的衍射效率的积为最大值的条件是φ＝π/2，但即使在此条件下，前者仅为50％，后者也仅为40.5％。即使使用半反射镜代替全息图光学元件，在往程中的透射率仅为50％，返程中的反射率也仅为50％，该半反射镜使从半导体激光器出射的出射光的一半透过并导向光盘，还使来自光盘的反射光的一半反射并导向光检测器。往程中的光量损失将导致记录时的光输出下降，而返程中的光量损失导致再现时的S/N下降。因此，即使对于下一代规格、DVD规格、CD规格中的各种光盘，记录时也不能得到高的光输出，再现时也不能得到高的S/N。
另一方面，在如图75所示的现有的光头装置中，波长660nm的光，在往程中被分光器322b反射并透过分光器322a时几乎不产生光量损失，在返程中透过分光器322a、322b时也几乎不产生光量损失。此外，波长780nm的光，在往程中被分光器322a反射时几乎不产生光量损失，在返程中透过分光器322a、322b时也几乎不产生光量损失。因此，即使对于DVD规格、CD规格中的各种光盘，记录时能得到高的光输出，再现时也能得到高的S/N。但是，对于下一代规格的光盘，却不能够进行记录和再现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光头装置及光学式信息记录再现装置，该光头装置解决了现有光头装置的上述问题，从而对于下一代规格、DVD规格、CD规格等多种规格中的任一种的光记录介质，在记录时都能得到高的光输出，在再现时也能得到高S/N。
本发明光头装置的特征是，包括：第一光源，出射第一波长的光；第二光源，出射第二波长的光；第三光源，出射第三波长的光；至少一个光检测器，接收由光记录介质反射的所述第一、第二及第三波长的光；物镜，相对所述光记录介质而配置；以及合分波光学系统，对从所述第一、第二及第三光源向所述物镜的所述第一、第二及第三波长的光，以及从所述物镜导向所述光检测器的所述第一、第二及第三波长的光进行合成/分离；其中所述合分波光学系统将从所述第一、第二及第三光源侧入射的所述第一、第二及第三波长的光以大于其入射光量50％的光量向所述物镜侧出射，并且将从所述物镜侧入射的所述第一、第二及第三波长的光以大于其入射光量50％的光量向所述光检测器出射。
此外，本发明光学式信息记录或再现装置的特征是，包括：本发明的光头装置；第一电路系统，驱动所述第一、第二及第三光源；第二电路系统，从所述光检测器的输出生成再现信号和误差信号；以及第三电路系统，基于所述误差信号驱动所述物镜。
在本发明的光头装置及光学式信息记录或再现装置中，第一、第二及第三波长的光在往程、返程这两个光程中通过合分波光学系统时只产生不足50％的光量损失。因此，根据本发明，通过将第一、第二及第三波长分别设为400nm、660nm及780nm，可实现对于下一代规格、DVD规格及CD规格中的任一种光盘，在记录时都能得到高的光输出，再现时也都能得到高S/N的光头装置及光学式信息记录或再现装置。
如上所述，本发明的光头装置及光学式信息记录或再现装置的效果是对于多种规格中的任一种光记录介质，在记录时都能得到高的光输出，再现时也都能得到高的S/N。其原因在于第一、第二及第三波长的光在往程、返程这两个光程中通过合分波光学系统时只产生不足50％的光量损失。特别是将第一、第二及第三波长分别设为400nm、660nm及780nm，并作为光记录介质使用下一代规格(AOD规格、BRD规格等)、DVD规格及CD规格的光盘时，能够最大限度地发挥该效果。
附图的简单说明
图1是本发明光头装置的第一实施方式的示意图；
图2是本发明光头装置的第二实施方式的示意图；
图3是本发明光头装置的第三实施方式的示意图；
图4是本发明光头装置的第四实施方式的示意图；
图5是本发明光头装置的第五实施方式的示意图；
图6是本发明光头装置的第六实施方式的示意图；
图7是本发明光头装置的第七实施方式的示意图；
图8是本发明光头装置的第八实施方式的示意图；
图9是本发明光头装置的第九实施方式的示意图；
图10是本发明光头装置的第十实施方式的示意图；
图11是本发明光头装置的第十一实施方式的示意图；
图12是本发明光头装置的第十二实施方式的示意图；
图13是本发明光头装置的第十三实施方式的示意图；
图14是本发明光头装置的第十四实施方式的示意图；
图15是本发明光头装置的第十五实施方式的示意图；
图16是本发明光头装置的第十六实施方式的示意图；
图17是本发明光头装置的第十七实施方式的示意图；
图18是本发明光头装置的第十八实施方式的示意图；
图19是本发明光头装置的第十九实施方式的示意图；
图20是本发明光头装置的第二十实施方式的示意图；
图21是本发明光头装置的第二十一实施方式的示意图；
图22是本发明光头装置的第二十二实施方式的示意图；
图23是本发明光头装置的第二十三实施方式的示意图；
图24是本发明光头装置的第二十四实施方式的示意图；
图25是本发明光头装置的第二十五实施方式的示意图；
图26是本发明光头装置的第二十六实施方式的示意图；
图27是本发明光头装置的第二十七实施方式的示意图；
图28是本发明光头装置的第二十八实施方式的示意图；
图29是本发明光头装置的第二十九实施方式的示意图；
图30是本发明光头装置的第三十实施方式的示意图；
图31是本发明光头装置的第三十一实施方式的示意图；
图32是本发明光头装置的第三十二实施方式的示意图；
图33是本发明光头装置的第三十三实施方式的示意图；
图34是本发明光头装置的第三十四实施方式的示意图；
图35是本发明光头装置的第三十五实施方式的示意图；
图36是本发明光头装置的第三十六实施方式的示意图；
图37是本发明光头装置的第三十七实施方式的示意图；
图38是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图39是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图40是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图41是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图42是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图43是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图44是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图45是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图46是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图47是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图48是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图49是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图50是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图51是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图52是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图53是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图54是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图55是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图56是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图57是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图58是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图59是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图60是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图61是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图62是用于本发明光头装置的实施方式的分光器的透射率与波长的依赖关系示意图；
图63是用于本发明光头装置的实施方式的、集成了两个半导体激光器的半导体激光器的结构示意图；
图64是用于本发明光头装置的实施方式的、集成了三个半导体激光器的半导体激光器的结构示意图；
图65是用于本发明光头装置的实施方式的、集成了一个半导体激光器和一个光检测器的组件的结构示意图；
图66是用于本发明光头装置的实施方式的、集成了两个半导体激光器和一个光检测器的组件的结构示意图；
图67是用于本发明光头装置的实施方式的、集成了三个半导体激光器和一个光检测器的组件的结构示意图；
图68是用于本发明光头装置的实施方式的放大透镜的结构示意图；
图69是用于本发明光头装置的实施方式的液晶光学元件的结构示意图，其中(a)为平面图，(b)为侧面图；
图70是用于本发明光头装置的实施方式的孔径控制元件的结构示意图，其中(a)为平面图，(b)为侧面图；
图71是用于本发明光头装置的实施方式的孔径控制元件中的、电介质多层膜的透射率与波长的依赖关系示意图；
图72是用于本发明光头装置的实施方式的孔径控制元件中的、受光部的图形和光检测器上的光斑点的配置的示意图；
图73是本发明的光学式信息记录或再现装置的实施方式的示意图；
图74是现有光头装置的第一例子的结构示意图；
图75是现有光头装置的第二例子的结构示意图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施方式。
首先，说明构成本发明的光头装置所使用的合分波光学系统的分光器及波长片的特性。
1、分光器的特性
首先，说明本发明的光头装置的实施方式中所使用的分光器的特性。作为分光器的结构诸如有，将两个三角柱状的玻璃粘贴成立方体形状，并在其粘结面上形成电介质多层膜的结构，或在平板状的玻璃的表面上形成电介质多层膜的结构。在使用多个分光器情况下，也可将它们构成一体。
在图38～图62中分别示出了本发明光头装置的实施方式中所使用的分光器A～Y的透射率和波长的依赖关系。图中的实线、虚线分别表示各P偏振光成分、S偏振光成分的特性。
分光器包括：使P偏振光成分(与入射光和反射光的形成面平行的光波的电场成分)、S偏振光成分(与入射光和反射光的形成面垂直的光波的电场成分)这双方几乎完全透过的第一波长范围；作为使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射的偏振光分光器的第二波长范围；使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射的第三波长范围。在此，所说的「几乎完全」的含义是例如为90％以上。可以设计出电介质多层膜，以使400nm、660nm、780nm的各波长包含于第一、第二、第三中的任意波长范围内。
(分光器A)
如图38所示，分光器A，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器B)
如图39所示，分光器B，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器C)
如图40所示，分光器C，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器D)
如图41所示，分光器D，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器E)
如图42所示，分光器E，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器F)
如图43所示，分光器F，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器G)
如图44所示，分光器G，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器H)
如图45所示，分光器H，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器I)
如图46所示，分光器I，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器J)
如图47所示，分光器J，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器K)
如图48所示，分光器K，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器L)
如图49所示，分光器L，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器M)
如图50所示，分光器M，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器N)
如图51所示，分光器N，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器O)
如图52所示，分光器O，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器P)
如图53所示，分光器P，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器Q)
如图54所示，分光器Q，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器R)
如图55所示，分光器R，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器S)
如图56所示，分光器S，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器T)
如图57所示，分光器T，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器U)
如图58所示，分光器U，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全透过。
(分光器V)
如图59所示，分光器V，对于波长400nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器W)
如图60所示，分光器W，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
(分光器X)
如图61所示，分光器X，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分、S偏振光成分这双方几乎完全反射。
(分光器Y)
如图62所示，分光器Y，对于波长400nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长660nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射，对于波长780nm的光使P偏振光成分几乎完全透过、使S偏振光成分几乎完全反射。
在表一中示出上述说明的分光器A～Y的特性。
表一
Figure C20041009514300191
2、波长片的特性
接下来，说明本发明光头装置的实施方式中所使用的波长片(对应于后述的图1～图37、图73中的波长片202)的特性。本发明光头装置的实施方式中所使用的波长片是相对于波长400nm、660nm、780nm的光的宽波段的1/4波长片。作为这样的宽波段的1/4波长片，例如有日本专利申请特开平5-100114号公报中所述的1/4波长片。
在本发明光头装置的实施方式中，通过包含对应于波长400nm的光的偏振光分光器、对应于波长660nm的光的偏振光分光器以及对应于波长780nm的光的偏振光分光器的至少一个分光器和波长片的组合来构成合分波光学系统。
在合分波光学系统内最靠近物镜的位置设置波长片。由此，射向分光器的入射光只具有P偏振光成分、S偏振光成分之一。当分光器使P偏振光成分、S偏振光成分这双方透过或反射时，一般会在透过分光器或被分光器反射的P偏振光成分和S偏振光成分之间产生相位差。为此，若射向分光器的入射光具有P偏振光成分、S偏振光成分这两种成分，则在透过分光器或被分光器反射时偏振光状态散乱，合分波光学系统就会无法正常工作。但是，若射向分光器的入射光只具有P偏振光成分、S偏振光成分之一，则在透过分光器或被分光器反射时偏振光状态不散乱，合分波光学系统就可正常工作。
此时，即使对于波长400nm、660nm、780nm中的任意一种光，通过组合偏振光分光器和波长片，也可使在往程、返程这两个光程中通过合分波光学系统时的效率高于50％以上。各波长的光在各往程和返程中，最多通过分离往程的光和返程的光的偏振光分光器、进行其它两个波长光的合成/分离的两个分光器等三个分光器及波长片。例如，若假设通过三个分光器及波长片中的每一个时的效率为90％，则全部通过时的效率就变为65.6％。若使通过三个分光器及波长片中的每一个时的效率高于84.1％，则全部通过时的效率就会高于50％。在此，为了在通过分离往程光和返程光的偏振光分光器时获得高效率，在使往程光透过、使返程光反射的情况下，使往程光作为P偏振光、使返程光作为S偏振光，并向偏振光分光器入射；使往程光反射、使返程光透过的情况下，使往程光作为S偏振光、使返程光作为P偏振光，并向偏振光分光器入射。
下面，参照附图说明使用具有上述特性的合分波光学系统(分光器及波长片)的本发明光头装置的实施方式。
在此，对于下一代规格(AOD规格、BRD规格等)、DVD规格及CD规格中的任一种光盘都能够进行记录和再现的光头装置需要三个光源和三个光检测器，即用于下一代规格的波长400nm的光源、用于DVD规格的波长660nm的光源、用于CD规格的波长780nm的光源、用于下一代规格的光检测器、用于DVD规格的光检测器，以及用于CD规格的光检测器。为了将此光头装置小型化，优选将这些光源和光检测器尽可能集成化或通用化。具体地，可考虑将光源和光检测器作为组件集成化的方法、将多个光源集成化的方法、将多个光检测器通用化的方法。
3、第一～第四实施方式(类型一)
本发明光头装置的第一～第四实施方式是包括三个光源和两个光检测器的方式。
(第一实施方式)
图1示出了本发明光头装置的第一实施方式。三个半导体激光器(光源)1a、1b、1c的波长分别为780nm、660nm、400nm。作为分光器51a，可使用分光器D。作为分光器51b，可使用分光器K、O、X中的任意一个。作为分光器51c，可使用分光器L、Q、W、S、V、Y中的任意一个。作为分光器51d，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器1c出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器51d并几乎完全反射，几乎完全透过分光器51a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器51a，作为P偏振光入射到分光器51d并几乎完全透过，由光检测器101b接收。
从半导体激光器1b出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器51b并几乎完全反射，几乎完全被分光器51a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器51a反射，作为S偏振光入射到分光器51b并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器51c并几乎完全反射，由光检测器101a接收。
从半导体激光器1a出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器51c并几乎完全透过，几乎完全被分光器51b反射，几乎完全被分光器51a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器51a反射，几乎完全被分光器51b反射，作为S偏振光入射到分光器51c并几乎完全反射，由光检测器101a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器1a、1b、1c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器51a可使用分光器D。作为分光器51b可使用分光器L、Q、W中的任意一个。作为分光器51c可使用分光器K、O、X、S、V、Y中的任意一个。作为分光器51d，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器1a、1b、1c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器51a可使用分光器E。作为分光器51b可使用分光器J、M、X中的任意一个。作为分光器51c可使用分光器L、R、V、T、W、Y中的任意一个。作为分光器51d，可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器1a、1b、1c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器51a可使用分光器E。作为分光器51b可使用分光器L、R、V中的任意一个。作为分光器51c可使用分光器J、M、X、T、W、Y中的任意一个。作为分光器51d，可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器1a、1b、1c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器51a可使用分光器F。作为分光器51b可使用分光器J、N、W中的任意一个。作为分光器51c可使用分光器K、P、V、U、X、Y中的任意一个。作为分光器51d，可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器1a、1b、1c的波长分别设为400nm、660nm、780nm。此时，作为分光器51a可使用分光器F。作为分光器51b可使用分光器K、P、V中的任意一个。作为分光器51c可使用分光器J、N、W、U、X、Y中的任意一个。作为分光器51d，可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器1c和光检测器101b的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器1a、1b之一和光检测器101a的实施方式。
在替换了半导体激光器1a和光检测器101a的实施方式中，为使从半导体激光器1b出射、被光盘204反射并被分光器51b反射的光透过分光器51c，而根据需要在分光器51b和分光器51c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器1b和光检测器101a的实施方式中，为使从半导体激光器1a出射并透过分光器51c的光被分光器51b反射，而根据需要在分光器51c和分光器51b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第一实施方式中，由于半导体激光器1a、1b、1c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器1a、1b、1c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对半导体激光器1c的波长按最佳的感光度来设计光检测器101b，能够针对半导体激光器1a、1b的波长按最佳的感光度来设计光检测器101a。
(第二实施方式)
图2示出了本发明光头装置的第二实施方式。半导体激光器2a、2b、2c的波长分别为780nm、660nm、400nm。作为分光器52a，可使用分光器D。作为分光器52b，可使用分光器H、P、U中的任意一个。作为分光器52c，可使用分光器I、R、T、S、V、Y中的任意一个。作为分光器52d，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y的任意一个。
从半导体激光器2c出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器52d并几乎完全反射，几乎完全透过分光器52a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器52a，作为P偏振光入射到分光器52d并几乎完全透过，由光检测器102b接收。
从半导体激光器2b出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器52b并几乎完全反射，几乎完全被分光器52a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器52a反射，作为P偏振光入射到分光器52b并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器52c并几乎完全透过，由光检测器101a接收。
从半导体激光器2a出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器52c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器52b，几乎完全被分光器52a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器52a反射，几乎完全透过分光器52b，作为P偏振光入射到分光器52c并几乎完全透过，由光检测器102a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器2a、2b、2c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器52a可使用分光器D。作为分光器52b可使用分光器I、R、T中的任意一个。作为分光器52c可使用分光器H、P、U、S、V、Y中的任意一个。作为分光器52d，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器2a、2b、2c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器52a可使用分光器E。作为分光器52b可使用分光器G、N、U中的任意一个。作为分光器52c可使用分光器I、Q、S、T、W、Y中的任意一个。作为分光器52d，可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器2a、2b、2c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器52a可使用分光器E。作为分光器52b可使用分光器I、Q、S中的任意一个。作为分光器52c可使用分光器G、N、U、T、W、Y中的任意一个。作为分光器52d，可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器2a、2b、2c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器52a可使用分光器F。作为分光器52b可使用分光器G、M、T中的任意一个。作为分光器52c可使用分光器H、O、S、U、X、Y中的任意一个。作为分光器52d，可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器2a、2b、2c的波长分别设为400nm、660nm、780nm。此时，作为分光器52a可使用分光器F。作为分光器52b可使用分光器H、O、S中的任意一个。作为分光器52c可使用分光器G、M、T、U、X、Y中的任意一个。作为分光器52d，可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器2c和光检测器102b的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器2a、2b中的任意一个和光检测器102a的实施方式。
在替换了半导体激光器2a和光检测器102a的实施方式中，为使从半导体激光器2b出射、被光盘204反射并透过分光器52b的光被分光器52c反射，而根据需要在分光器52b和分光器52c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器2b和光检测器102a的实施方式中，为使从半导体激光器2a出射并被分光器52c反射的光透过分光器52b，而根据需要在分光器52c和分光器52b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二实施方式中，由于半导体激光器2a、2b、2c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器2a、2b、2c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对半导体激光器2c的波长按最佳的感光度来设计光检测器102b，能够针对半导体激光器2a、2b的波长按最佳的感光度来设计光检测器102a。
(第三实施方式)
图3示出了本发明光头装置的第三实施方式。半导体激光器3a、3b、3c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器53a，可使用分光器A。作为分光器53b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器53c，可使用分光器H、P、U中的任意一个。作为分光器53d，可使用分光器I、R、T、S、V、Y中的任意一个。
从半导体激光器3a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器53b并几乎完全透过，几乎完全被分光器53a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器53a反射，作为S偏振光入射到分光器53b并几乎完全反射，由光检测器103b接收。
从半导体激光器3b出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器53c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器53a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器53a，作为P偏振光入射到分光器53c并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器53d并几乎完全透过，由光检测器103b接收。
从半导体激光器3c出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器53d并几乎完全反射，几乎完全透过分光器53c，几乎完全透过分光器53a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器53a，几乎完全透过分光器53c，作为P偏振光入射到分光器53d并几乎完全透过，由光检测器103b接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器3a、3b、3c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器53a可使用分光器A。作为分光器53b可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器53c可使用分光器I、R、T中的任意一个。作为分光器53d，可使用分光器H、P、U、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器3a、3b、3c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器53a可使用分光器B。作为分光器53b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器53c可使用分光器G、N、U中的任意一个。作为分光器53d，可使用分光器I、Q、S、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器3a、3b、3c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器53a可使用分光器B。作为分光器53b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器53c可使用分光器I、Q、S中的任意一个。作为分光器53d，可使用分光器G、N、U、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器3a、3b、3c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器53a可使用分光器C。作为分光器53b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器53c可使用分光器G、M、T中的任意一个。作为分光器53d，可使用分光器H、O、S、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器3a、3b、3c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器53a可使用分光器C。作为分光器53b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器53c可使用分光器H、O、S中的任意一个。作为分光器53d，可使用分光器G、M、T、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器3a和光检测器103a的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器3b、3c中的任意一个和光检测器103b的实施方式。
在替换了半导体激光器3b和光检测器103b的实施方式中，为使从半导体激光器3c出射并被分光器53d反射的光透过分光器53c，而根据需要在分光器53d和分光器53c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器3c和光检测器103b的实施方式中，为使从半导体激光器3b出射、被光盘204反射并透过分光器53c的光被分光器53d反射，而根据需要在分光器53c和分光器53d之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第三实施方式中，由于半导体激光器3a、3b、3c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器3a、3b、3c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对半导体激光器3a的波长按最佳的感光度来设计光检测器103a，能够针对半导体激光器3b、3c的波长按最佳的感光度来设计光检测器103b。
(第四实施方式)
图4示出了本发明光头装置的第四实施方式。半导体激光器4a、4b、4c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器54a，可使用分光器A。作为分光器54b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器54c，可使用分光器K、O、X中的任意一个。作为分光器54d，可使用分光器L、Q、W、S、V、Y的任意一个。
从半导体激光器4a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器54b并几乎完全透过，几乎完全被分光器54a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器54a反射，作为S偏振光入射到分光器54b并几乎完全反射，由光检测器104a接收。
从半导体激光器4b出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器54c并几乎完全透过，几乎完全透过分光器54a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器54a，作为S偏振光入射到分光器54c并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器54d并几乎完全反射，由光检测器104b接收。
从半导体激光器4c出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器54d并几乎完全透过，几乎完全被分光器54c反射，几乎完全透过分光器54a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器54a，几乎完全被分光器54c反射，作为S偏振光入射到分光器54d并几乎完全反射，由光检测器104b接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器4a、4b、4c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器54a可使用分光器A。作为分光器54b可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器54c可使用分光器L、Q、W中的任意一个。作为分光器54d，可使用分光器K、O、X、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器4a、4b、4c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器54a可使用分光器B。作为分光器54b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器54c可使用分光器J、M、X中的任意一个。作为分光器54d，可使用分光器L、R、V、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器4a、4b、4c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器54a可使用分光器B。作为分光器54b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器54c可使用分光器L、R、V中的任意一个。作为分光器54d，可使用分光器J、M、X、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器4a、4b、4c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器54a可使用分光器C。作为分光器54b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器54c可使用分光器J、N、W中的任意一个。作为分光器54d，可使用分光器K、P、V、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器4a、4b、4c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器54a可使用分光器C。作为分光器54b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器54c可使用分光器K、P、V中的任意一个。作为分光器54d，可使用分光器J、N、W、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器4a和光检测器104a的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器4b、4c中的任意一个和光检测器104b的实施方式。
在替换了半导体激光器4b和光检测器104b的实施方式中，为使从半导体激光器4c出射并透过分光器54d的光被分光器54c反射，而根据需要在分光器54d和分光器54c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器4c和光检测器104b的实施方式中，为使从半导体激光器4b出射、被光盘204反射并被分光器54c反射的光透过分光器54d，而根据需要在分光器54c和分光器54d之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第四实施方式中，由于半导体激光器4a、4b、4c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器4a、4b、4c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对半导体激光器4a的波长按最佳的感光度来设计光检测器104a，能够针对半导体激光器4b、4c的波长按最佳的感光度来设计光检测器104b。
4、第五～第九实施方式(类型二)
本发明光头装置的第五～第九实施方式是包括三个光源和一个光检测器的方式。
(第五实施方式)
图5示出了本发明光头装置的第五实施方式。半导体激光器5a、5b、5c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器55a，可使用分光器G。作为分光器55b，可使用分光器H、U中的任意一个。作为分光器55c，可使用分光器I、S、T、Y中的任意一个。
从半导体激光器5a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器55a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器55a并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器55b并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器55c并几乎完全透过，由光检测器105a接收。
从半导体激光器5b出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器55b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器55a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器55a，作为P偏振光入射到分光器55b并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器55c并几乎完全透过，由光检测器105a接收。
从半导体激光器5c出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器55c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器55b，几乎完全透过分光器55a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器55a，几乎完全透过分光器55b，作为P偏振光入射到分光器55c并几乎完全透过，由光检测器105a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器5a、5b、5c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器55a可使用分光器G。作为分光器55b可使用分光器I、T中的任意一个。作为分光器55c可使用分光器H、S、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器5a、5b、5c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器55a可使用分光器H。作为分光器55b可使用分光器G、U中的任意一个。作为分光器55c可使用分光器I、S、T、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器5a、5b、5c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器55a可使用分光器H。作为分光器55b可使用分光器I、S中的任意一个。作为分光器55c可使用分光器G、T、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器5a、5b、5c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器55a可使用分光器I。作为分光器55b可使用分光器G、T中的任意一个。作为分光器55c可使用分光器H、S、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器5a、5b、5c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器55a可使用分光器I。作为分光器55b可使用分光器H、S中的任意一个。作为分光器55c可使用分光器G、T、U、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器5a、5b、5c中的任意一个和光检测器105a的实施方式。
在替换了半导体激光器5c和光检测器105a的实施方式中，为使从半导体激光器5a、5b出射、被光盘204反射并透过分光器55b的光被分光器55c反射，而根据需要在分光器55b和分光器55c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器5b和光检测器105a的实施方式中，为使从半导体激光器5a出射、被光盘204反射并透过分光器55a的光被分光器55b反射，而根据需要在分光器55a和分光器55b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器5c出射并被分光器55c反射的光透过分光器55b，而根据需要在分光器55c和分光器55b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器5a和光检测器105a的实施方式中，为使从半导体激光器5b出射并被分光器55b反射的光透过分光器55a，而根据需要在分光器55b和分光器55a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器5c出射并被分光器55c反射的光透过分光器55b，而根据需要在分光器55c和分光器55b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第五实施方式中，由于半导体激光器5a、5b、5c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器5a、5b、5c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。
(第六实施方式)
图6示出了本发明光头装置的第六实施方式。半导体激光器6a、6b、6c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器56a，可使用分光器J。作为分光器56b，可使用分光器K、X中的任意一个。作为分光器56c，可使用分光器L、V、W、Y中的任意一个。
从半导体激光器6a出射的波长400nm的光，作为P偏振光入射到分光器56a并几乎完全透过，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为S偏振光入射到分光器56a并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器56b并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器56c并几乎完全反射，由光检测器106a接收。
从半导体激光器6b出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器56b并几乎完全透过，几乎完全被分光器56a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器56a反射，作为S偏振光入射到分光器56b并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器56c并几乎完全反射，由光检测器106a接收。
从半导体激光器6c出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器56c并几乎完全透过，几乎完全被分光器56b反射，几乎完全被分光器56a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器56a反射，几乎完全被分光器56b反射，作为S偏振光入射到分光器56c并几乎完全反射，由光检测器106a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器6a、6b、6c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器56a可使用分光器J。作为分光器56b可使用分光器L、W中的任意一个。作为分光器56c可使用分光器K、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器6a、6b、6c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器56a可使用分光器K。作为分光器56b可使用分光器J、X中的任意一个。作为分光器56c可使用分光器L、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器6a、6b、6c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器56a可使用分光器K。作为分光器56b可使用分光器L、V中的任意一个。作为分光器56c可使用分光器J、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器6a、6b、6c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器56a可使用分光器L。作为分光器56b可使用分光器J、W中的任意一个。作为分光器56c可使用分光器K、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器6a、6b、6c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器56a可使用分光器L。作为分光器56b可使用分光器K、V中的任意一个。作为分光器56c可使用分光器J、W、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器6a、6b、6c中的任意一个和光检测器106a的实施方式。
在替换了半导体激光器6c和光检测器106a的实施方式中，为使从半导体激光器6a、6b出射、被光盘204反射并被分光器56b反射的光透过分光器56c，而根据需要在分光器56b和分光器56c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器6b和光检测器106a的实施方式中，为使从半导体激光器6a出射、被光盘204反射并被分光器56a反射的光透过分光器56b，而根据需要在分光器56a和分光器56b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器6c出射并透过分光器56c的光被分光器56b反射，而根据需要在分光器56c和分光器56b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器6a和光检测器106a的实施方式中，为使从半导体激光器6b出射并透过分光器56b的光被分光器56a反射，而根据需要在分光器56b和分光器56a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器6c出射并透过分光器56c的光被分光器56b反射，而根据需要在分光器56c和分光器56b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第六实施方式中，由于半导体激光器6a、6b、6c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器6a、6b、6c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。
(第七实施方式)
图7示出了本发明光头装置的第七实施方式。半导体激光器7a、7b、7c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器57a，可使用分光器G。作为分光器57b，可使用分光器S、Y中的任意一个。作为分光器57c，可使用分光器C、E、M、I、R、T、K、O、X、S、V、Y中的任意一个。
从半导体激光器7a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器57a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器57a并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器57b并几乎完全透过，由光检测器107a接收。
从半导体激光器7b出出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器57c，作为S偏振光入射到分光器57b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器57a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器57a，作为P偏振光入射到分光器57b并几乎完全透过，由光检测器107a接收。
在作为分光器57c使用分光器K、O、X、S、V、Y中任意一个的情况下，为使从半导体激光器7b出射并透过分光器57c的光被分光器57b反射，而在分光器57c和分光器57b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
从半导体激光器7c出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器57c并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器57b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器57a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器57a，作为P偏振光入射到分光器57b并几乎完全透过，由光检测器107a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器7a、7b、7c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器57a可使用分光器G。作为分光器57b可使用分光器S、Y中的任意一个。作为分光器57c可使用分光器B、F、N、H、P、U、L、Q、W、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器7a、7b、7c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器57a可使用分光器H。作为分光器57b可使用分光器T、Y中的任意一个。作为分光器57c可使用分光器C、D、O、I、Q、S、J、M、X、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器7a、7b、7c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器57a可使用分光器H。作为分光器57b可使用分光器T、Y中的任意一个。作为分光器57c可使用分光器A、F、P、G、N、U、L、R、V、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器7a、7b、7c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器57a可使用分光器I。作为分光器57b可使用分光器U、Y中的任意一个。作为分光器57c可使用分光器B、D、Q、H、O、S、J、N、W、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器7a、7b、7c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器57a可使用分光器I。作为分光器57b可使用分光器U、Y中的任意一个。作为分光器57c可使用分光器A、E、R、G、M、T、K、P、V、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器7a、7b、7c中的任意一个和光检测器107a的实施方式。
在替换了半导体激光器7c和光检测器107a的实施方式中，为使从半导体激光器7a出射、被光盘204反射并透过分光器57a的光被分光器57b反射，而根据需要在分光器57a和分光器57b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器7b和光检测器107a的实施方式中，为使从半导体激光器7a出射、被光盘204反射并透过分光器57a的光被分光器57b反射，而根据需要在分光器57a和分光器57b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器7a、7b出射、被光盘204反射并被分光器57b反射的光透过分光器57c，而根据需要在分光器57b和分光器57c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器7a和光检测器107a的实施方式中，为使从半导体激光器7b出射并透过分光器57c的光被分光器57b反射，而根据需要在分光器57c和分光器57b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器7b、7c出射并被分光器57b反射的光透过分光器57a，而根据需要在分光器57b和分光器57a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第七实施方式中，由于半导体激光器7a、7b、7c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器7a、7b、7c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。
(第八实施方式)
图8示出了本发明光头装置的第八实施方式。半导体激光器8a、8b、8c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器58a，可使用分光器J。作为分光器58b，可使用分光器V、Y中的任意一个。作为分光器58c，可使用分光器B、F、N、L、Q、W、H、P、U、S、V、Y中的任意一个。
从半导体激光器8a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器58a并几乎完全透过，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为S偏振光入射到分光器58a并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器58b并几乎完全反射，由光检测器108a接收。
从半导体激光器8b出射的波长660nm的出射光，几乎完全被分光器58c反射，作为P偏振光入射到分光器58b并几乎完全透过，几乎完全被分光器58a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器58a反射，作为S偏振光入射到分光器58b并几乎完全反射，由光检测器108a接收。
在作为分光器58c使用分光器H、P、U、S、V、Y中任意一个的情况下，为使从半导体激光器8b出射并被分光器58c反射的光透过分光器58b，而在分光器58c和分光器58b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
从半导体激光器8c出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器58c并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器58b并几乎完全透过，几乎完全被分光器58a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器58a反射，作为S偏振光入射到分光器58b并几乎完全反射，由光检测器108a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器8a、8b、8c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器58a可使用分光器J。作为分光器58b可使用分光器V、Y中的任意一个。作为分光器58c可使用分光器C、E、M、K、O、X、I、R、T、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器8a、8b、8c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器58a可使用分光器K。作为分光器58b可使用分光器W、Y中的任意一个。作为分光器58c可使用分光器A、F、P、L、R、V、G、N、U、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器8a、8b、8c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器58a可使用分光器K。作为分光器58b可使用分光器W、Y中的任意一个。作为分光器58c可使用分光器C、D、O、J、M、X、I、Q、S、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器8a、8b、8c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器58a可使用分光器L。作为分光器58b可使用分光器X、Y中的任意一个。作为分光器58c可使用分光器A、E、R、K、P、V、G、M、T、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器8a、8b、8c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器58a可使用分光器L。作为分光器58b可使用分光器X、Y中的任意一个。作为分光器58c可使用分光器B、D、Q、J、N、W、H、O、S、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器8a、8b、8c中的任意一个和光检测器108a的实施方式。
在替换了半导体激光器8c和光检测器108a的实施方式中，为使从半导体激光器8a出射、被光盘204反射并被分光器58a反射的光透过分光器58b，而根据需要在分光器58a和分光器58b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器8b和光检测器108a的实施方式中，为使从半导体激光器8a出射、被光盘204反射并被分光器58a反射的光透过分光器58b，而根据需要在分光器58a和分光器58b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器8a、8b出射、被光盘204反射并透过分光器58b的光被分光器58c反射，而根据需要在分光器58b和分光器58c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器8a和光检测器108a的实施方式中，为使从半导体激光器8b出射并被分光器58c反射的光透过分光器58b，而根据需要在分光器58c和分光器58b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器8b、8c出射并透过分光器58b的光被分光器58a反射，而根据需要在分光器58b和分光器58a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第八实施方式中，由于半导体激光器8a、8b、8c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器8a、8b、8c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。
(第九实施方式)
图9示出了本发明光头装置的第九实施方式。半导体激光器9a、9b、9c的波长分别为400nm、660nm、780nm。作为分光器59a，可使用分光器U。作为分光器59b，可使用分光器A、E、R、G、M、T、K、P、V、U、X、Y中的任意一个。作为分光器59c，可使用分光器I、S、T、Y中的任意一个。
从半导体激光器9a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器59b并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器59a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器59a并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器59c并几乎完全透过，由光检测器109a接收。
从半导体激光器9b出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器59b，作为S偏振光入射到分光器59a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器59a并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器59c并几乎完全透过，由光检测器109a接收。
在作为分光器59b使用分光器K、P、V、U、X、Y中任意一个的情况下，为使从半导体激光器9b出射并透过分光器59b的光被分光器59a反射，而在分光器59b和分光器59a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
从半导体激光器9c出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器59c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器59a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器59a，作为P偏振光入射到分光器59c并几乎完全透过，由光检测器109a接收。
在本实施方式中，可将半导体激光器9a、9b、9c的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器59a可使用分光器T。作为分光器59b可使用分光器A、F、P、G、N、U、L、R、V、T、W、Y中的任意一个。作为分光器59c可使用分光器H、S、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器9a、9b、9c的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器59a可使用分光器U。作为分光器59b可使用分光器B、D、Q、H、O、S、J、N、W、U、X、Y中的任意一个。作为分光器59c可使用分光器I、S、T、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器9a、9b、9c的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器59a可使用分光器S。作为分光器59b可使用分光器B、F、N、H、P、U、L、Q、W、S、V、Y中的任意一个。作为分光器59c可使用分光器G、T、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器9a、9b、9c的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器59a可使用分光器T。作为分光器59b可使用分光器C、D、O、I、Q、S、J、M、X、T、W、Y中的任意一个。作为分光器59c可使用分光器H、S、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将半导体激光器9a、9b、9c的波长分别设为780nm、660nm、400nm。此时，作为分光器59a可使用分光器S。作为分光器59b可使用分光器C、E、M、I、R、T、K、O、X、S、V、Y中的任意一个。作为分光器59c可使用分光器G、T、U、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器9a、9b、9c中的任意一个和光检测器109a的实施方式。
在替换了半导体激光器9a和光检测器109a的实施方式中，为使从半导体激光器9c出射并被分光器59c反射的光透过分光器59a，而根据需要在分光器59c和分光器59a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器9b和光检测器109a的实施方式中，为使从半导体激光器9c出射并被分光器59c反射的光透过分光器59a，而根据需要在分光器59c和分光器59a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器9b、9c出射、被光盘204反射并被分光器59a反射的光透过分光器59b，而根据需要在分光器59a和分光器59b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器9c和光检测器109a的实施方式中，为使从半导体激光器9b出射并透过分光器59b的光被分光器59a反射，而根据需要在分光器59b和分光器59a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器9a、9b出射、被光盘204反射并透过分光器59a的光被分光器59c反射，而根据需要在分光器59a和分光器59c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第九实施方式中，由于半导体激光器9a、9b、9c没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器9a、9b、9c保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。
5、第十施方式(类型三)
本发明光头装置的第十实施方式是包括两个光源和两个光检测器的方式。其中，两个光源中的一个是将两个光源集成化的光源。
图10示出了本发明光头装置的第十实施方式。半导体激光器10b是将两个半导体激光器集成的半导体激光器，此后将参照图63对其结构加以说明。半导体激光器10a的波长为400nm、半导体激光器10b的波长为660nm、780nm。作为分光器60a，可使用分光器A。作为分光器60b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器60c，可使用分光器S、V、Y中的任意一个。
从半导体激光器10a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器60b并几乎完全透过，几乎完全被分光器60a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器60a反射，作为S偏振光入射到分光器60b并几乎完全反射，由光检测器110a接收。
从半导体激光器10b出射的波长660nm、780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器60c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器60a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器60a，作为P偏振光入射到分光器60c并几乎完全透过，由光检测器110b接收。
在本实施方式中，也可将半导体激光器10a的波长设为660nm，将半导体激光器10b的波长设为400nm、780nm。此时，作为分光器60a可使用分光器B。作为分光器60b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器60c可使用分光器T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器10a的波长设为780nm，将半导体激光器10b的波长设为400nm、660nm。此时，作为分光器60a可使用分光器C。作为分光器60b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器60c可使用分光器U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器10a和光检测器110a的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器10b和光检测器110b的实施方式。
在本发明光头装置的第十实施方式中，由于半导体激光器10a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器10a保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对半导体激光器10a的波长按最佳的感光度来设计光检测器110a，能够针对半导体激光器10b的波长按最佳的感光度来设计光检测器110b。
6、第十一～第十二实施方式(类型四)
本发明光头装置的第十一～第十二实施方式是包括两个光源和一个光检测器的方式。其中，两个光源中的一个光源是将两个光源集成化的光源。
(第十一实施方式)
图11示出了本发明光头装置的第十一实施方式。半导体激光器11b是将两个半导体激光器集成的半导体激光器，此后将参照图63对其结构加以说明。半导体激光器11a的波长为400nm、半导体激光器11b的波长为660nm、780nm。作为分光器61a，可使用分光器G。作为分光器61b，可使用分光器S、Y中的任意一个。
从半导体激光器11a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器61a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器61a并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器61b并几乎完全透过，由光检测器111a接收。
从半导体激光器11b出射的波长660nm、780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器61b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器61a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器61a，作为P偏振光入射到分光器61b并几乎完全透过，由光检测器111a接收。
在本实施方式中，也可将半导体激光器11a的波长设为660nm，将半导体激光器11b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器61a可使用分光器H。作为分光器61b可使用分光器T、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器11a的波长设为780nm，将半导体激光器11b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器61a可使用分光器I。作为分光器61b可使用分光器U、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器11a、11b中的任意一个和光检测器111a的实施方式。
在替换了半导体激光器11b和光检测器111a的实施方式中，为使从半导体激光器11a出射、被光盘204反射并透过分光器61a的光被分光器61b反射，而根据需要在分光器61a和分光器61b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器11a和光检测器111a的实施方式中，为使从半导体激光器11b出射并被分光器61b反射的光透过分光器61a，而根据需要在分光器61b和分光器61a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本实施方式中，也可将半导体激光器11a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并设半导体激光器11a的波长为660nm、780nm，半导体激光器11b的波长为400nm。此时，作为分光器61a，可使用分光器S。作为分光器61b，可使用分光器G、T、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器11a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并设半导体激光器11a的波长为400nm、780nm、半导体激光器11b的波长为660nm。此时，作为分光器61a，可使用分光器T。作为分光器61b，可使用分光器H、S、U、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器11a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并设半导体激光器11a的波长为400nm、660nm、半导体激光器11b的波长为780nm。此时，作为分光器61a，可使用分光器U。作为分光器61b，可使用分光器I、S、T、Y中的任意一个。
并且，还可以有将半导体激光器11a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并替换了半导体激光器11a、11b中的任意一个和光检测器111a的实施方式。
在替换了半导体激光器11b和光检测器111a的实施方式中，为使从半导体激光器11a出射、被光盘204反射并透过分光器61a的光被分光器61b反射，而根据需要在分光器61a和分光器61b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器11a和光检测器111a的实施方式中，为使从半导体激光器11b出射并被分光器61b反射的光透过分光器61a，而根据需要在分光器61b和分光器61a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第十一实施方式中，由于半导体激光器11a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器11a保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有三个，所以能够使光头装置小型化。
(第十二实施方式)
图12示出了本发明光头装置的第十二实施方式。半导体激光器12b是将两个半导体激光器集成的半导体激光器，此后将参照图63对其结构加以说明。半导体激光器12a的波长为400nm，半导体激光器12b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器62a，可使用分光器J。作为分光器62b，可使用分光器V、Y中的任意一个。
从半导体激光器12a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器62a并几乎完全透过，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为S偏振光入射到分光器62a并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器62b并几乎完全反射，由光检测器112a接收。
从半导体激光器12b出射的波长660nm、780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器62b并几乎完全透过，几乎完全被分光器62a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器62a反射，作为S偏振光入射到分光器62b并几乎完全反射，由光检测器112a接收。
在本实施方式中，也可将半导体激光器12a的波长设为660nm，将半导体激光器12b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器61a可使用分光器K。作为分光器62b可使用分光器W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器12a的波长设为780nm，将半导体激光器12b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器62a可使用分光器L。作为分光器62b可使用分光器X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器12a、12b中的任意一个和光检测器112a的实施方式。
在替换了半导体激光器12b和光检测器112a的实施方式中，为使从半导体激光器12a出射、被光盘204反射并被分光器62a反射的光透过分光器62b，而根据需要在分光器62a和分光器62b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器12a和光检测器112a的实施方式中，为使从半导体激光器12b出射并透过分光器62b的光被分光器61a反射，而根据需要在分光器62b和分光器62a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本实施方式中，半导体激光器12a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，可设半导体激光器12a的波长为660nm、780nm、半导体激光器12b的波长为400nm。此时，作为分光器62a，可使用分光器V。作为分光器62b，可使用分光器J、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器12a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并设半导体激光器12a的波长为400nm、780nm、半导体激光器12b的波长为660nm。此时，作为分光器62a，可使用分光器W。作为分光器62b，可使用分光器K、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将半导体激光器12a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并设半导体激光器12a的波长为400nm、660nm、半导体激光器12b的波长为780nm。此时，作为分光器62a，可使用分光器X。作为分光器62b，可使用分光器L、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有将半导体激光器12a作为将两个半导体激光器集成的半导体激光器，并替换了半导体激光器12a、12b中的任意一个和光检测器112a的实施方式。
在替换了半导体激光器12b和光检测器112a的实施方式中，为使从半导体激光器12a出射、被光盘204反射并被分光器62a反射的光透过分光器62b，而根据需要在分光器62a和分光器62b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在替换了半导体激光器12a和光检测器112a的实施方式中，为使从半导体激光器12b出射并透过分光器62b的光被分光器62a反射，而根据需要在分光器62b和分光器62a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第十二实施方式中，由于半导体激光器12a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器12a保持高散热性。此外，由于光源、光检测器的总数只有三个，所以能够使光头装置小型化。
7、第十三实施方式(类型五)
本发明光头装置的第十三的实施方式是包括一个光源和一个光检测器的方式。其中，一个光源是将三个光源集成化的光源。
图13示出了本发明光头装置的第十三实施方式。半导体激光器13a是将三个半导体激光器集成的半导体激光器，此后将参照图64对其结构加以说明。半导体激光器13a的波长为400nm、660nm、780nm。作为分光器63a，可使用分光器Y。
从半导体激光器13a出射的波长400nm、660nm、780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器63a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格、DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器63a并几乎完全透过，由光检测器113a接收。
在本发明光头装置的第十三实施方式中，由于光源、光检测器的总数只有三个，所以能够使光头装置小型化。
8、第十四～第十九实施方式(类型六)
本发明光头装置的第十四～第十九实施方式是包括两个光源和两个光检测器及一个组件的方式。其中，一个组件是将一个光源和一个光检测器集成的组件。
(第十四实施方式)
图14示出了本发明光头装置的第十四实施方式。组件164a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件164a内的半导体激光器的波长为400nm、半导体激光器14a、14b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器64a，可使用分光器A。作为分光器64b，可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器64c，可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器64d，可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
从组件164a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器64a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器64a反射，由组件164a内光检测器接收。
从半导体激光器14a出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器64c并几乎完全透过，几乎完全被分光器64b反射，几乎完全透过分光器64a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器64a，几乎完全被分光器64b反射，作为S偏振光入射到分光器64c并几乎完全反射，由光检测器114a接收。
从半导体激光器14b出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器64d并几乎完全反射，几乎完全透过分光器64b，几乎完全透过分光器64a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器64a，几乎完全透过分光器64b，作为P偏振光入射到分光器64d并几乎完全透过，由光检测器114b接收。
在本实施方式中，也可将组件164a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器14a、14b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器64a可使用分光器A。作为分光器64b可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器64c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器64d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件164a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器14a、14b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器64a可使用分光器B。作为分光器64b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器64c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器64d可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件164a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器14a、14b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器64a可使用分光器B。作为分光器64b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器64c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器64d可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件164a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器14a、14b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器64a可使用分光器C。作为分光器64b可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器64c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器64d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件164a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器14a、14b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器64a可使用分光器C。作为分光器64b可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器64c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器64d可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器14a和光检测器114a的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器14b和光检测器114b的实施方式。
在本发明光头装置的第十四实施方式中，由于半导体激光器14a、14b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器14a、14b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对组件164a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件164a内的光检测器，能够分别针对半导体激光器14a、14b的波长按最佳的感光度来设计光检测器114a、114b。
(第十五实施方式)
图15示出了本发明光头装置的第十五实施方式。组件165a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件165a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器15a、15b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器65a，可使用分光器D。作为分光器65b，可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器65c，可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器65d，可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
从组件165a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全透过分光器65a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器65a，由组件165a内光检测器接收。
从半导体激光器15a出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器65c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器65b，几乎完全被分光器65a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器65a反射，几乎完全透过分光器65b，作为P偏振光入射到分光器65c并几乎完全透过，由光检测器115a接收。
从半导体激光器15b出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器65d并几乎完全透过，几乎完全被分光器65b反射，几乎完全被分光器65a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器65a反射，几乎完全被分光器65b反射，作为S偏振光入射到分光器65d并几乎完全反射，由光检测器115b接收。
在本实施方式中，也可将组件165a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器15a、15b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器65a可使用分光器D。作为分光器65b可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器65c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器65d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件165a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器15a、15b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器65a可使用分光器E。作为分光器65b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器65c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器65d可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件165a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器15a、15b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器65a可使用分光器E。作为分光器65b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器65c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器65d可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件165a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器15a、15b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器65a可使用分光器F。作为分光器65b可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器65c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器65d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件165a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器15a、15b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器65a可使用分光器F。作为分光器65b可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器65c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器65d可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器15a和光检测器115a的实施方式。此外，也可以有替换了半导体激光器15b和光检测器115b的实施方式。
在本发明光头装置的第十五实施方式中，由于半导体激光器15a、15b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器15a、15b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对组件165a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件165a内的光检测器，能够分别针对半导体激光器15a、15b的波长按最佳的感光度来设计光检测器115a、115b。
(第十六实施方式)
图16示出了本发明光头装置的第十六实施方式。组件166a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件166a内的半导体激光器的波长为780nm、半导体激光器16a、16b的波长分别为660nm、400nm。作为分光器66a，可使用分光器D。作为分光器66b，可使用分光器K、O、X中的任意一个。作为分光器66c，可使用分光器B、F、N、H、P、U中的任意一个。作为分光器66d，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器16b出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器66d并几乎完全反射，几乎完全透过分光器66a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器66a，作为P偏振光入射到分光器66d并几乎完全透过，由光检测器116b接收。
从半导体激光器16a出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器66b并几乎完全透过，几乎完全被分光器66a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器66a反射，作为S偏振光入射到分光器66b并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器66c并几乎完全反射，由光检测器116a接收。
从组件166a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全透过分光器66c，几乎完全被分光器66b反射，几乎完全被分光器66a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器66a反射，几乎完全被分光器66b反射，几乎完全透过分光器66c，由组件166a内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件166a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器16a、16b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器66a可使用分光器D。作为分光器66b可使用分光器L、Q、W中的任意一个。作为分光器66c可使用分光器C、E、M、I、R、T中的任意一个。作为分光器66d可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件166a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器16a、16b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器66a可使用分光器E。作为分光器66b可使用分光器J、M、X中的任意一个。作为分光器66c可使用分光器A、F、P、G、N、U中的任意一个。作为分光器66d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件166a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器16a、16b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器66a可使用分光器E。作为分光器66b可使用分光器L、R、V中的任意一个。作为分光器66c可使用分光器C、D、O、I、Q、S中的任意一个。作为分光器66d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件166a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器16a、16b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器66a可使用分光器F。作为分光器66b可使用分光器J、N、W中的任意一个。作为分光器66c可使用分光器A、E、R、G、M、T中的任意一个。作为分光器66d可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件166a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器16a、16b的波长分别设为660nm、780nm。此时，作为分光器66a可使用分光器F。作为分光器66b可使用分光器K、P、V中的任意一个。作为分光器66c可使用分光器B、D、Q、H、O、S中的任意一个。作为分光器66d可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器16b和光检测器116b的实施方式。此外，也可以有相互替换了组件166a、半导体激光器16a、光检测器116a的实施方式。
在将组件166a、半导体激光器16a、光检测器116a分别置换为光检测器116a、半导体激光器16a、组件166a的实施方式中，为使从半导体激光器16a出射、被光盘204反射并被分光器66b反射的光透过分光器66c，而根据需要在分光器66b和分光器66c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件166a、半导体激光器16a、光检测器116a分别置换为半导体激光器16a、光检测器116a、组件166a的实施方式中，为使从半导体激光器16a出射并透过分光器66c的光被分光器66b反射，而根据需要在分光器66c和分光器66b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第十六实施方式中，由于半导体激光器16a、16b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器16a、16b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对组件166a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件166a内的光检测器，能够分别针对半导体激光器16a、16b的波长按最佳的感光度来设计光检测器116a、116b。
(第十七实施方式)
图17示出了本发明光头装置的第十七实施方式。组件167a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件167a内的半导体激光器的波长为780nm，半导体激光器17a、17b的波长分别为660nm、400nm。作为分光器67a，可使用分光器D。作为分光器67b，可使用分光器H、P、U中的任意一个。作为分光器67c，可使用分光器C、E、M、K、O、X中的任意一个。作为分光器67d，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器17b出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器67d并几乎完全反射，几乎完全透过分光器67a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器67a，作为P偏振光入射到分光器67d并几乎完全透过，由光检测器117b接收。
从半导体激光器17a出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器67b并几乎完全反射，几乎完全被分光器67a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器67a反射，作为P偏振光入射到分光器67b并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器67c并几乎完全透过，由光检测器117a接收。
从组件167a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器67c反射，几乎完全透过分光器67b，几乎完全被分光器67a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器67a反射，几乎完全透过分光器67b，几乎完全被分光器67c反射，由组件167a内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件167a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器17a、17b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器67a可使用分光器D。作为分光器67b可使用分光器I、R、T中的任意一个。作为分光器67c可使用分光器B、F、N、L、Q、W中的任意一个。作为分光器67d可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件167a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器17a、17b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器67a可使用分光器E。作为分光器67b可使用分光器G、N、U中的任意一个。作为分光器67c可使用分光器C、D、O、J、M、X中的任意一个。作为分光器67d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件167a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器17a、17b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器67a可使用分光器E。作为分光器67b可使用分光器I、Q、S中的任意一个。作为分光器67c可使用分光器A、F、P、L、R、V中的任意一个。作为分光器67d可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件167a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器17a、17b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器67a可使用分光器F。作为分光器67b可使用分光器G、M、T中的任意一个。作为分光器67c可使用分光器B、D、Q、J、N、W中的任意一个。作为分光器67d可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件167a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器17a、17b的波长分别设为660nm、780nm。此时，作为分光器67a可使用分光器F。作为分光器67b可使用分光器H、O、S中的任意一个。作为分光器67c可使用分光器A、E、R、K、P、V中的任意一个。作为分光器67d可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器17b和光检测器117b的实施方式。此外，也可以有相互替换了组件167a、半导体激光器17a、光检测器117a的实施方式。
在将组件167a、半导体激光器17a、光检测器117a分别置换为光检测器117a、半导体激光器17a、组件167a的实施方式中，为使从半导体激光器17a出射、被光盘204反射并透过分光器67b的光被分光器67c反射，而根据需要在分光器67b和分光器67c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件167a、半导体激光器17a、光检测器117a分别置换为半导体激光器17a、光检测器117a、组件167a的实施方式中，为使从半导体激光器17a出射并被分光器67c反射的光透过分光器67b，而根据需要在分光器67c和分光器67b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第十七实施方式中，由于半导体激光器17a、17b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器17a、17b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对组件167a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件167a内的光检测器，能够分别针对半导体激光器17a、17b的波长按最佳的感光度来设计光检测器117a、117b。
(第十八实施方式)
图18示出了本发明光头装置的第十八实施方式。组件168a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件168a内的半导体激光器的波长为780nm，半导体激光器18a、18b的波长分别为400nm、660nm。作为分光器68a，可使用分光器A。作为分光器68b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器68c，可使用分光器H、P、U中的任意一个。作为分光器68d，可使用分光器C、E、M、K、O、X中的任意一个。
从半导体激光器18a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器68b并几乎完全透过，几乎完全被分光器68a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器68a反射，作为S偏振光入射到分光器68b并几乎完全反射，由光检测器118a接收。
从半导体激光器18b出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器68c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器68a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器68a，作为P偏振光入射到分光器68c并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器68d并几乎完全透过，由光检测器118b接收。
从组件168a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器68d反射，几乎完全透过分光器68c，几乎完全透过分光器68a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器68a，几乎完全透过分光器68c，几乎完全被分光器68d反射，由组件168a内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件168a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器18a、18b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器68a可使用分光器A。作为分光器68b可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器68c可使用分光器I、R、T中的任意一个。作为分光器68d可使用分光器B、F、N、L、Q、W中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件168a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器18a、18b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器68a可使用分光器B。作为分光器68b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器68c可使用分光器G、N、U中的任意一个。作为分光器68d可使用分光器C、D、O、J、M、X中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件168a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器18a、18b的波长分别设为660nm、780nm。此时，作为分光器68a可使用分光器B。作为分光器68b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器68c可使用分光器I、Q、S中的任意一个。作为分光器68d可使用分光器A、F、P、L、R、V中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件168a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器18a、18b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器68a可使用分光器C。作为分光器68b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器68c可使用分光器G、M、T中的任意一个。作为分光器68d可使用分光器B、D、Q、J、N、W中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件168a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器18a、18b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器68a可使用分光器C。作为分光器68b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器68c可使用分光器H、O、S中的任意一个。作为分光器68d可使用分光器A、E、R、K、P、V中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器18a和光检测器118a的实施方式。此外，也可以有相互替换了组件168a、半导体激光器18b、光检测器118b的实施方式。
在将组件168a、半导体激光器18b、光检测器118b分别置换为光检测器118b、半导体激光器18b、组件168a的实施方式中，为使从半导体激光器18b出射、被光盘204反射并透过分光器68c的光被分光器68d反射，而根据需要在分光器68c和分光器68d之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件168a、半导体激光器18b、光检测器118b分别置换为半导体激光器18b、光检测器118b、组件168a的实施方式中，为使从半导体激光器18b出射并被分光器68d反射的光透过分光器68c，而根据需要在分光器68d和分光器68c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第十八实施方式中，由于半导体激光器18a、18b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器18a、18b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对组件168a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件168a内的光检测器，能够分别针对半导体激光器18a、18b的波长按最佳的感光度来设计光检测器118a、118b。
(第十九实施方式)
图19示出了本发明光头装置的第十九实施方式。组件169a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件169a内的半导体激光器的波长为780nm，半导体激光器19a、19b的波长分别为400nm、660nm。作为分光器69a，可使用分光器A。作为分光器69b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器69c，可使用分光器K、O、X中的任意一个。作为分光器69d，可使用分光器B、F、N、H、P、U中的任意一个。
从半导体激光器19a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器69b并几乎完全透过，几乎完全被分光器69a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器69a反射，作为S偏振光入射到分光器69b并几乎完全反射，由光检测器119a接收。
从半导体激光器19b出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器69c并几乎完全透过，几乎完全透过分光器69a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器69a，作为S偏振光入射到分光器69c并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器69d并几乎完全反射，由光检测器119b接收。
从组件169a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器69d透过，几乎完全被分光器69c反射，几乎完全透过分光器69a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器69a，几乎完全被分光器69c反射，几乎完全透过分光器69d，由组件169a内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件169a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器19a、19b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器69a可使用分光器A。作为分光器69b可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。作为分光器69c可使用分光器L、Q、W中的任意一个。作为分光器69d可使用分光器C、E、M、I、R、T中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件169a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器19a、19b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器69a可使用分光器B。作为分光器69b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器69c可使用分光器J、M、X中的任意一个。作为分光器69d可使用分光器A、F、P、G、N、U中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件169a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器19a、19b的波长分别设为660nm、780nm。此时，作为分光器69a可使用分光器B。作为分光器69b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。作为分光器69c可使用分光器L、R、V中的任意一个。作为分光器69d可使用分光器C、D、O、I、Q、S中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件169a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器19a、19b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器69a可使用分光器C。作为分光器69b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器69c可使用分光器J、N、W中的任意一个。作为分光器69d可使用分光器A、E、R、G、M、T中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件169a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器19a、19b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器69a可使用分光器C。作为分光器69b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。作为分光器69c可使用分光器K、P、V中的任意一个。作为分光器69d可使用分光器B、D、Q、H、O、S中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器19a和光检测器119a的实施方式。此外，也可以有相互替换了组件169a、半导体激光器19b、光检测器119b的实施方式。
在将组件169a、半导体激光器19b、光检测器119b分别置换为光检测器119b、半导体激光器19b、组件169a的实施方式中，为使从半导体激光器19b出射、被光盘204反射并被分光器69c反射的光透过分光器69d，而根据需要在分光器69c和分光器69d之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件169a、半导体激光器19b、光检测器119b分别置换为半导体激光器19b、光检测器119b、组件169a的实施方式中，为使从半导体激光器19b出射并透过分光器69d的光被分光器69c反射，而根据需要在分光器69d和分光器69c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第十九实施方式中，由于半导体激光器19a、19b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器19a、19b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有五个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够针对组件169a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件169a内的光检测器，能够分别针对半导体激光器19a、19b的波长按最佳的感光度来设计光检测器119a、119b。
9、第二十～第二十四实施方式(类型七)
本发明光头装置的第二十～第二十四实施方式是包括一个光源和一个光检测器以及两个组件的方式。其中，两个组件是将一个光源和一个光检测器集成的组件。
(第二十实施方式)
图20示出了本发明光头装置的第二十实施方式。组件170a、170b是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件170a、170b内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm，半导体激光器20a的波长为400nm。作为分光器70a，可使用分光器C。作为分光器70b，可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器70c，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器20a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器70c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器70b，几乎完全透过分光器70a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器70a，几乎完全透过分光器70b，作为P偏振光入射到分光器70c并几乎完全透过，由光检测器120a接收。
从组件170b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全被分光器70b反射，几乎完全透过分光器70a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器70a，几乎完全被分光器70b反射，由组件170b内光检测器接收。
从组件170a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器70a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器70a反射，由组件170a内光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件170a、170b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm，将半导体激光器20a的波长设为400nm。此时，作为分光器70a可使用分光器B。作为分光器70b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器70c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件170a、170b内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm，将半导体激光器20a的波长设为660nm。此时，作为分光器70a可使用分光器C。作为分光器70b可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器70c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件170a、170b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm，将半导体激光器20a的波长设为660nm。此时，作为分光器70a可使用分光器A。作为分光器70b可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器70c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件170a、170b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm，将半导体激光器20a的波长设为780nm。此时，作为分光器70a可使用分光器B。作为分光器70b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器70c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件170a、170b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm，将半导体激光器20a的波长设为780nm。此时，作为分光器70a可使用分光器A。作为分光器70b可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器70c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个
并且，还可以有将组件170a、组件170b、半导体激光器20a和光检测器120a相互替换了的实施方式。
在将组件170a、组件170b、半导体激光器20a、光检测器120a分别置换为组件170a、半导体激光器20a、光检测器120a、组件170b的实施方式中，为使从半导体激光器20a出射、被光盘204反射并透过分光器70b的光被分光器70c反射，而根据需要在分光器70b和分光器70c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件170a、组件170b、半导体激光器20a、光检测器120a分别置换为组件170a、光检测器120a、半导体激光器20a、组件170b的实施方式中，为使从半导体激光器20a出射并被分光器70c反射的光透过分光器70b，而根据需要在分光器70c和分光器70b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件170a、组件170b、半导体激光器20a、光检测器120a分别置换为半导体激光器20a、组件170b、光检测器120a、组件170a的实施方式中，为使从半导体激光器20a出射、被光盘204反射并透过分光器70b的光被分光器70c反射，而根据需要在分光器70b和分光器70c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件170a、组件170b、半导体激光器20a、光检测器120a分别置换为光检测器120a、组件170b、半导体激光器20a、组件170a的实施方式中，为使从半导体激光器20a出射并被分光器70c反射的光透过分光器70b，而根据需要在分光器70c和分光器70b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件170a、组件170b、半导体激光器20a、光检测器120a分别置换为半导体激光器20a、光检测器120a、组件170a或170b、组件170b或170a的实施方式中，为使从半导体激光器20a出射、被光盘204反射并透过分光器70a的光被分光器70b反射，而根据需要在分光器70a和分光器70b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件170a、组件170b、半导体激光器20a、光检测器120a分别置换为光检测器120a、半导体激光器20a、组件170a或170b、组件170b或170a的实施方式中，为使从半导体激光器20a出射并被分光器70b反射的光透过分光器70a，而根据需要在分光器70b和分光器70a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十实施方式中，由于半导体激光器20a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器20a保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件170a、170b内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件170a、170b内的光检测器，能够针对半导体激光器20a的波长按最佳的感光度来设计光检测器120a。
(第二十一实施方式)
图21示出了本发明光头装置的第二十一实施方式。组件171a、171b是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件171a、171b内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm，半导体激光器21a的波长为400nm。作为分光器71a，可使用分光器F。作为分光器71b，可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器71c，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器21a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器71c并几乎完全透过，几乎完全被分光器71b反射，几乎完全被分光器71a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器71a反射，几乎完全被分光器71b反射，作为S偏振光入射到分光器71c并几乎完全反射，由光检测器121a接收。
从组件171b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器71b，几乎完全被分光器71a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器71a反射，几乎完全透过分光器71b，由组件171b内光检测器接收。
从组件170a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器71a透过，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器71a，由组件171a内光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件171a、171b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm，将半导体激光器21a的波长设为400nm。此时，作为分光器71a可使用分光器E。作为分光器71b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器71c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件171a、171b内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm，将半导体激光器21a的波长设为660nm。此时，作为分光器71a可使用分光器F。作为分光器71b可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器71c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件171a、171b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm，将半导体激光器21a的波长设为660nm。此时，作为分光器71a可使用分光器D。作为分光器71b可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器71c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件171a、171b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm，将半导体激光器21a的波长设为780nm。此时，作为分光器71a可使用分光器E。作为分光器71b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器71c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件171a、171b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm，将半导体激光器21a的波长设为780nm。此时，作为分光器71a可使用分光器D。作为分光器71b可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器71c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件171a、组件171b、半导体激光器21a和光检测器121a相互替换了的实施方式。
在将组件171a、组件171b、半导体激光器21a、光检测器121a分别置换为组件171a、半导体激光器21a、光检测器121a、组件171b的实施方式中，为使从半导体激光器21a出射、被光盘204反射并被分光器71b反射的光透过分光器71c，而根据需要在分光器71b和分光器71c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件171a、组件171b、半导体激光器21a、光检测器121a分别置换为组件171a、光检测器121a、半导体激光器21a、组件171b的实施方式中，为使从半导体激光器21a出射并透过分光器71c的光被分光器71b反射，而根据需要在分光器71c和分光器71b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件171a、组件171b、半导体激光器21a、光检测器121a分别置换为半导体激光器21a、组件171b、光检测器121a、组件171a的实施方式中，为使从半导体激光器21a出射、被光盘204反射并被分光器71b反射的光透过分光器71c，而根据需要在分光器71b和分光器71c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件171a、组件171b、半导体激光器21a、光检测器121a分别置换为光检测器121a、组件171b、半导体激光器21a、组件171a的实施方式中，为使从半导体激光器21a出射并透过分光器71c的光被分光器71b反射，而根据需要在分光器71c和分光器71b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件171a、组件171b、半导体激光器21a、光检测器121a分别置换为半导体激光器21a、光检测器121a、组件171a或171b、组件171b或171a的实施方式中，为使从半导体激光器21a出射、被光盘204反射并被分光器71a反射的光透过分光器71b，而根据需要在分光器71a和分光器71b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件171a、组件171b、半导体激光器21a、光检测器121a分别置换为光检测器121a、半导体激光器21a、组件171a或171b、组件171b或171a的实施方式中，为使从半导体激光器21a出射并透过分光器71b的光被分光器71a反射，而根据需要在分光器71b和分光器71a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十一实施方式中，由于半导体激光器21a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器21a保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件171a、171b内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件171a、171b内的光检测器，能够针对半导体激光器21a的波长按最佳的感光度来设计光检测器121a。
(第二十二实施方式)
图22示出了本发明光头装置的第二十二实施方式。组件172a、172b是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件172a、172b内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm，半导体激光器22a的波长为400nm。作为分光器72a，可使用分光器C。作为分光器72b，可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器72c，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器22a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器72c并几乎完全透过，几乎完全被分光器72b反射，几乎完全透过分光器72a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器72a，几乎完全被分光器72b反射，作为S偏振光入射到分光器72c并几乎完全反射，由光检测器122a接收。
从组件172b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器72b，几乎完全透过分光器72a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器72a，几乎完全透过分光器72b，由组件172b内光检测器接收。
从组件172a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器72a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器72a反射，由组件172a内光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件172a、172b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm，将半导体激光器22a的波长设为400nm。此时，作为分光器72a可使用分光器B。作为分光器72b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器72c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件172a、172b内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm，将半导体激光器22a的波长设为660nm。此时，作为分光器72a可使用分光器C。作为分光器72b可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器72c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件172a、172b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm，将半导体激光器22a的波长设为660nm。此时，作为分光器72a可使用分光器A。作为分光器72b可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器72c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件172a、172b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm，将半导体激光器22a的波长设为780nm。此时，作为分光器72a可使用分光器B。作为分光器72b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器72c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件172a、172b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm，将半导体激光器22a的波长设为780nm。此时，作为分光器72a可使用分光器A。作为分光器72b可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器72c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件172a、组件172b、半导体激光器22a和光检测器122a相互替换了的实施方式。
在将组件172a、组件172b、半导体激光器22a、光检测器122a分别置换为组件172a、半导体激光器22a、光检测器122a、组件172b的实施方式中，为使从半导体激光器22a出射、被光盘204反射并被分光器72b反射的光透过分光器72c，而根据需要在分光器72b和分光器72c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件172a、组件172b、半导体激光器22a、光检测器122a分别置换为组件172a、光检测器122a、半导体激光器22a、组件172b的实施方式中，为使从半导体激光器22a出射并透过分光器72c的光被分光器72b反射，而根据需要在分光器72c和分光器72b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件172a、组件172b、半导体激光器22a、光检测器122a分别置换为半导体激光器22a、组件172b、组件172a、光检测器122a的实施方式中，为使从半导体激光器22a出射、被光盘204反射并透过分光器72a的光被分光器72b反射，而根据需要在分光器72a和分光器72b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件172a、组件172b、半导体激光器22a、光检测器122a分别置换为光检测器122a、组件172b、组件172a、半导体激光器22a的实施方式中，为使从半导体激光器22a出射并被分光器72b反射的光透过分光器72a，而根据需要在分光器72b和分光器72a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件172a、组件172b、半导体激光器22a、光检测器122a分别置换为半导体激光器22a、组件172b、光检测器122a、组件172a的实施方式中，为使从半导体激光器22a出射、被光盘204反射且透过分光器72a的光被分光器72b反射，而根据需要在分光器72a和分光器72b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器22a出射、被光盘204反射并被分光器72b反射的光透过分光器72c，而根据需要在分光器72b和分光器72c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件172a、组件172b、半导体激光器22a、光检测器122a分别置换为光检测器122a、组件172b、半导体激光器22a、组件172a的实施方式中，为使从半导体激光器22a出射并透过分光器72c的光被分光器72b反射，而根据需要在分光器72c和分光器72b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器22a出射并被分光器72b反射的光透过分光器72a，而根据需要在分光器72b和分光器72a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十二实施方式中，由于半导体激光器22a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器22a保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件172a、172b内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件172a、172b内的光检测器，能够针对半导体激光器22a的波长按最佳的感光度来设计光检测器122a。
(第二十三实施方式)
图23示出了本发明光头装置的第二十三实施方式。组件173a、173b是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件173a、173b内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm，半导体激光器23a的波长为400nm。作为分光器73a，可使用分光器F。作为分光器73b，可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器73c，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器23a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器73c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器73b，几乎完全被分光器73a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器73a反射，几乎完全透过分光器73b，作为P偏振光入射到分光器73c并几乎完全透过，由光检测器123a接收。
从组件173b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全被分光器73b反射，几乎完全被分光器73a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器73a反射，几乎完全被分光器73b反射，由组件173b内光检测器接收。
从组件173a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全透过分光器73a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器73a，由组件173a内光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件173a、173b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm，将半导体激光器23a的波长设为400nm。此时，作为分光器73a可使用分光器E。作为分光器73b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器73c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件173a、173b内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm，将半导体激光器23a的波长设为660nm。此时，作为分光器73a可使用分光器F。作为分光器73b可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器73c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件173a、173b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm，将半导体激光器23a的波长设为660nm。此时，作为分光器73a可使用分光器D。作为分光器73b可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器73c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件173a、173b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm，将半导体激光器23a的波长设为780nm。此时，作为分光器73a可使用分光器E。作为分光器73b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器73c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件173a、173b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm，将半导体激光器23a的波长设为780nm。此时，作为分光器73a可使用分光器D。作为分光器73b可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器73c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个
并且，还可以有将组件173a、组件173b、半导体激光器23a和光检测器123a相互替换了的实施方式。
在将组件173a、组件173b、半导体激光器22a、光检测器123a分别置换为组件173a、半导体激光器23a、光检测器123a、组件173b的实施方式中，为使从半导体激光器23a出射、被光盘204反射并透过分光器73b的光被分光器73c反射，而根据需要在分光器73b和分光器73c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件173a、组件173b、半导体激光器23a、光检测器123a分别置换为组件173a、光检测器123a、半导体激光器23a、组件173b的实施方式中，为使从半导体激光器23a出射并被分光器73c反射的光透过分光器73b，而根据需要在分光器73c和分光器73b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件173a、组件173b、半导体激光器23a、光检测器123a分别置换为半导体激光器23a、组件173b、组件173a、光检测器123a的实施方式中，为使从半导体激光器23a出射、被光盘204反射并被分光器73a反射的光透过分光器73b，而根据需要在分光器73a和分光器73b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件173a、组件173b、半导体激光器22a、光检测器123a分别置换为光检测器123a、组件173b、组件173a、半导体激光器23a的实施方式中，为使从半导体激光器23a出射并透过分光器73b的光被分光器73a反射，而根据需要在分光器73b和分光器73a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件173a、组件173b、半导体激光器23a、光检测器123a分别置换为半导体激光器23a、组件173b、光检测器123a、组件173a的实施方式中，为使从半导体激光器23a出射、被光盘204反射并被分光器73a反射的光透过分光器73b，而根据需要在分光器73a和分光器73b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器23a出射、被光盘204反射并透过分光器73b的光被分光器73c反射，而根据需要在分光器73b和分光器73c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件173a、组件173b、半导体激光器23a、光检测器123a分别置换为光检测器123a、组件173b、半导体激光器23a、组件173a的实施方式中，为使从半导体激光器23a出射并被分光器73c反射的光透过分光器73b，而根据需要在分光器73c和分光器73b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器23a出射、透过分光器73b并被分光器73a反射的光，而根据需要在分光器73b和分光器73a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十三实施方式中，由于半导体激光器23a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器23a保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件173a、173b内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件173a、173b内的光检测器，能够针对半导体激光器23a的波长按最佳的感光度来设计光检测器123a。
(第二十四实施方式)
图24示出了本发明光头装置的第二十四实施方式。组件174a、174b是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件174a、174b内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm，半导体激光器24a的波长为400nm。作为分光器74a，可使用分光器D。作为分光器74b，可使用分光器C、E、M中的任意一个。作为分光器74c，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器24a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器74c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器74a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器74a，作为P偏振光入射到分光器74c并几乎完全透过，由光检测器124a接收。
从组件174b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器74b，几乎完全被分光器74a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器74a反射，几乎完全透过分光器73b，由组件174b内光检测器接收。
从组件174a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器74b反射，几乎完全被分光器74a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器74a反射，几乎完全被分光器74b反射，由组件174a内光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件174a、174b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm，将半导体激光器24a的波长设为400nm。此时，作为分光器74a可使用分光器D。作为分光器74b可使用分光器B、F、N中的任意一个。作为分光器74c可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件174a、174b内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm，将半导体激光器24a的波长设为660nm。此时，作为分光器74a可使用分光器E。作为分光器74b可使用分光器C、D、O中的任意一个。作为分光器74c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件174a、174b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm，将半导体激光器24a的波长设为660nm。此时，作为分光器74a可使用分光器E。作为分光器74b可使用分光器A、F、P中的任意一个。作为分光器74c可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件174a、174b内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm，将半导体激光器24a的波长设为780nm。此时，作为分光器74a可使用分光器F。作为分光器74b可使用分光器B、D、Q中的任意一个。作为分光器74c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件174a、174b内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm，将半导体激光器24a的波长设为780nm。此时，作为分光器74a可使用分光器F。作为分光器74b可使用分光器A、E、R中的任意一个。作为分光器74c可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有替换了半导体激光器24a和光检测器124a的实施方式。此外，也可以有替换了组件174a、组件174b中的一个组件和半导体激光器24a、以及替换了组件174a、组件174b中的另一个组件和光检测器124a的实施方式。
在本发明光头装置的第二十四实施方式中，由于半导体激光器24a没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器24a保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件174a、174b内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件174a、174b内的光检测器，能够针对半导体激光器24a的波长按最佳的感光度来设计光检测器124a。
10、第二十五～第二十九实施方式(类型八)
本发明光头装置的第二五十～第二十九实施方式是包括两个光源和一个光检测器以及一个组件的方式。其中，一个组件是将一个光源和一个光检测器集成的组件。
(第二十五实施方式)
图25示出了本发明光头装置的第二十五实施方式。组件175a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件175a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器25a、25b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器75a，可使用分光器A。作为分光器75b，可使用分光器H、P、U中的任意一个。作为分光器75c，可使用分光器I、R、T、S、V、Y中的任意一个。
从组件175a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器75a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器75a反射，由组件175a内的光检测器接收。
从半导体激光器25a出射的波长660nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器75b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器75a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器75a，作为P偏振光入射到分光器75b并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器75c并几乎完全透过，由光检测器125a接收。
从半导体激光器25b出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器75c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器75b，几乎完全透过分光器75a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器75a，几乎完全透过分光器75b，作为P偏振光入射到分光器75c并几乎完全透过，由光检测器125a接收。
在本实施方式中，也可将组件175a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器25a、25b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器75a可使用分光器A。作为分光器75b可使用分光器I、R、T中的任意一个。作为分光器75c可使用分光器H、P、U、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件175a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器25a、25b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器75a可使用分光器B。作为分光器75b可使用分光器G、N、U中的任意一个。作为分光器75c可使用分光器I、Q、S、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件175a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器25a、25b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器75a可使用分光器B。作为分光器75b可使用分光器I、Q、S中的任意一个。作为分光器75c可使用分光器G、N、U、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件175a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器25a、25b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器75a可使用分光器C。作为分光器75b可使用分光器G、M、T中的任意一个。作为分光器75c可使用分光器H、O、S、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件175a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器25a、25b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器75a可使用分光器C。作为分光器75b可使用分光器H、O、S中的任意一个。作为分光器75c可使用分光器G、M、T、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a相互替换了的实施方式。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为组件175a、半导体激光器25a、光检测器125a、半导体激光器25b的实施方式中，为使从半导体激光器25a出射、被光盘204反射并透过分光器75b的光被分光器75c反射，而根据需要在分光器75b和分光器75c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为半导体激光器25a或25b、组件175a、光检测器125a、半导体激光器25b或25a的实施方式中，为使从半导体激光器25a或25b出射、被光盘204反射并透过分光器75b的光被分光器75c反射，而根据需要在分光器75b和分光器75c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为半导体激光器25a或25b、光检测器125a、组件175a、半导体激光器25b或25a的实施方式中，为使从半导体激光器25a或25b出射、被光盘204反射并透过分光器75a的光被分光器75b反射，而根据需要在分光器75a和分光器75b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为半导体激光器25b、半导体激光器25a、光检测器125a、组件175a的实施方式中，为使从半导体激光器25a、25b出射、被光盘204反射并透过分光器75b的光被分光器75c反射，而根据需要在分光器75b和分光器75c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为组件175a、光检测器125a、半导体激光器25b、半导体激光器25a的实施方式中，为使从半导体激光器25b出射并被分光器75c反射的光透过分光器75b，而根据需要在分光器75c和分光器75b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为光检测器125a、组件175a、半导体激光器25b、半导体激光器25a的实施方式中，为使从半导体激光器25b出射并被分光器75c反射的光透过分光器75b，而根据需要在分光器75c和分光器75b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为光检测器125a、半导体激光器25a、组件175a、半导体激光器25b的实施方式中，为使从半导体激光器25a出射并被分光器75b反射的光透过分光器75a，而根据需要在分光器75b和分光器75a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为光检测器125a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、组件175a的实施方式中，为使从半导体激光器25a出射并被分光器75b反射的光透过分光器75a，而根据需要在分光器75b和分光器75a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器25b出射并被分光器75c反射的光透过分光器75b，而根据需要在分光器75c和分光器75b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件175a、半导体激光器25a、半导体激光器25b、光检测器125a分别置换为半导体激光器25a、光检测器125a、半导体激光器25b、组件175a的实施方式中，为使从半导体激光器25a出射、被光盘204反射并透过分光器75a的光被分光器75b反射，而根据需要在分光器75a和分光器75b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器25b出射并被分光器75c反射的光透过分光器75b，而根据需要在分光器75c和分光器75b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十五实施方式中，由于半导体激光器25a、25b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器25a、25b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件175a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件175a内的光检测器，能够针对半导体激光器25a、25b的波长按最佳的感光度来设计光检测器125a。
(第二十六实施方式)
图26示出了本发明光头装置的第二十六实施方式。组件176a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件176a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器26a、26b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器76a，可使用分光器D。作为分光器76b，可使用分光器K、O、X中的任意一个。作为分光器76c，可使用分光器L、Q、W、S、V、Y中的任意一个。
从组件176a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全透过分光器76a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器76a，由组件176a内的光检测器接收。
从半导体激光器26a出射的波长660nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器76b并几乎完全透过，几乎完全被分光器76a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器76a反射，作为S偏振光入射到分光器76b并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器76c并几乎完全反射，由光检测器126a接收。
从半导体激光器26b出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器76c并几乎完全透过，几乎完全被分光器76b反射，几乎完全被分光器76a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器76a反射，几乎完全被分光器76b反射，作为S偏振光入射到分光器76c并几乎完全反射，由光检测器126a接收。
在本实施方式中，也可将组件176a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器26a、26b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器76a可使用分光器D。作为分光器76b可使用分光器L、Q、W中的任意一个。作为分光器76c可使用分光器K、O、X、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件176a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器26a、26b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器76a可使用分光器E。作为分光器76b可使用分光器J、M、X中的任意一个。作为分光器76c可使用分光器L、R、V、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件176a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器26a、26b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器76a可使用分光器E。作为分光器76b可使用分光器L、R、V中的任意一个。作为分光器76c可使用分光器J、M、X、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件176a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器26a、26b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器76a可使用分光器F。作为分光器76b可使用分光器J、N、W中的任意一个。作为分光器76c可使用分光器K、P、V、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件176a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器26a、26b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器76a可使用分光器F。作为分光器76b可使用分光器K、P、V中的任意一个。作为分光器76c可使用分光器J、N、W、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a相互替换了的实施方式。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为组件176a、半导体激光器26a、光检测器126a、半导体激光器26b的实施方式中，为使从半导体激光器26a出射、被光盘204反射并被分光器76b反射的光透过分光器76c，而根据需要在分光器76b和分光器76c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为半导体激光器26a或26b、组件176a、光检测器126a、半导体激光器26b或26a的实施方式中，为使从半导体激光器26a或26b出射、被光盘204反射并被分光器76b反射的光透过分光器76c，而根据需要在分光器76b和分光器76c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为半导体激光器26a或26b、光检测器126a、组件176a、半导体激光器26b或26a的实施方式中，为使从半导体激光器26a或26b出射、被光盘204反射并被分光器76a反射的光透过分光器76b，而根据需要在分光器76a和分光器76b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为半导体激光器26b、半导体激光器26a、光检测器126a、组件176a的实施方式中，为使从半导体激光器26a、26b出射、被光盘204反射且被分光器76b反射的光透过分光器76c，而根据需要在分光器76b和分光器76c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为组件176a、光检测器126a、半导体激光器26b、半导体激光器26a的实施方式中，为使从半导体激光器26b出射并透过分光器76c的光被分光器76b反射，而根据需要在分光器76c和分光器76b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为光检测器126a、组件176a、半导体激光器26b、半导体激光器26a的实施方式中，为使从半导体激光器26b出射并透过分光器76c的光被分光器76b反射，而根据需要在分光器76c和分光器76b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为光检测器126a、半导体激光器26a、组件176a、半导体激光器26b的实施方式中，为使从半导体激光器26a出射并透过分光器76b的光被分光器76a反射，而根据需要在分光器76b和分光器76a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为光检测器126a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、组件176a的实施方式中，为使从半导体激光器26a出射并透过分光器76b的光被分光器76a反射，而根据需要在分光器76b和分光器76a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器26b出射并透过分光器76c的光被分光器76b反射，而根据需要在分光器76c和分光器76b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件176a、半导体激光器26a、半导体激光器26b、光检测器126a分别置换为半导体激光器26a、光检测器126a、半导体激光器26b、组件176a的实施方式中，为使从半导体激光器26a出射、被光盘204反射并被分光器76a反射的光透过分光器76b，而根据需要在分光器76a和分光器76b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器26b出射并透过分光器76c的光被分光器76b反射，而根据需要在分光器76c和分光器76b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十六实施方式中，由于半导体激光器26a、26b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器26a、26b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件176a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件176a内的光检测器，能够针对半导体激光器26a、26b的波长按最佳的感光度来设计光检测器126a。
(第二十七实施方式)
图27示出了本发明光头装置的第二十七实施方式。组件177a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件177a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器27a、27b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器77a，可使用分光器A。作为分光器77b，可使用分光器S、V、Y中的任意一个。作为分光器77c，可使用分光器C、E、M、I、R、T、K、O、X、S、V、Y中的任意一个。
从组件177a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器77a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器77a反射，由组件177a内的光检测器接收。
从半导体激光器27a出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器77c，作为S偏振光入射到分光器77b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器77a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器77a，作为P偏振光入射到分光器77b并几乎完全透过，由光检测器127a接收。
在作为分光器77c使用分光器K、O、X、S、V、Y中的任意一个的情况下，为使从半导体激光器27a出射并透过分光器77c的光被分光器77b反射，在分光器77c和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
从半导体激光器27b出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器77c并几乎完全反射，作为S偏振光入射到分光器77b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器77a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器77a，作为P偏振光入射到分光器77b并几乎完全透过，由光检测器127a接收。
在本实施方式中，也可将组件177a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器27a、27b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器77a可使用分光器A。作为分光器77b可使用分光器S、V、Y中的任意一个。作为分光器77c可使用分光器B、F、N、H、P、U、L、Q、W、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件177a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器27a、27b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器77a可使用分光器B。作为分光器77b可使用分光器T、W、Y中的任意一个。作为分光器77c可使用分光器C、D、O、I、Q、S、J、M、X、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件177a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器27a、27b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器77a可使用分光器B。作为分光器77b可使用分光器T、W、Y中的任意一个。作为分光器77c可使用分光器A、F、P、G、N、U、L、R、V、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件177a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器27a、27b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器77a可使用分光器C。作为分光器77b可使用分光器U、X、Y中的任意一个。作为分光器77c可使用分光器B、D、Q、H、O、S、J、N、W、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件177a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器27a、27b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器77a可使用分光器C。作为分光器77b可使用分光器U、X、Y中的任意一个。作为分光器77c可使用分光器A、E、R、G、M、T、K、P、V、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a相互替换了的实施方式。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为组件177a、光检测器127a、半导体激光器27b、半导体激光器27a的实施方式中，为使从半导体激光器27a出射、被光盘204反射并被分光器77b反射的光透过分光器77c，而根据需要在分光器77b和分光器77c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为半导体激光器27b、半导体激光器27a、光检测器127a、组件177a的实施方式中，为使从半导体激光器27b出射、被光盘204反射并透过分光器77a的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77a和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为半导体激光器27a或27b、组件177a、光检测器127a、半导体激光器27b或27a的实施方式中，为使从半导体激光器27a或27b出射、被光盘204反射并透过分光器77a的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77a和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为半导体激光器27a、光检测器127a、半导体激光器27b、组件177a的实施方式中，为使从半导体激光器27a出射、被光盘204反射并透过分光器77a的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77a和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器27a出射、被光盘204反射并被分光器77b反射的光透过分光器77c，而根据需要在分光器77b和分光器77c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为半导体激光器27a或27b、光检测器127a、组件177a、半导体激光器27b或27a的实施方式中，为使从半导体激光器27a或27b出射、被光盘204反射并透过分光器77a的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77a和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器27a、27b出射、被光盘204反射并被分光器77b反射的光透过分光器77c，而根据需要在分光器77b和分光器77c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为半导体激光器27b、半导体激光器27a、组件177a、光检测器127a的实施方式中，为使从半导体激光器27a出射并透过分光器77c的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77c和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为光检测器127a、组件177a、半导体激光器27b、半导体激光器27a的实施方式中，为使从半导体激光器27b出射并被分光器77b反射的光透过分光器77a，而根据需要在分光器77b和分光器77a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为光检测器127a、半导体激光器27a、组件177a、半导体激光器27b的实施方式中，为使从半导体激光器27a出射并透过分光器77c的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77c和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器27a出射并被分光器77b反射的光透过分光器77a，而根据需要在分光器77b和分光器77a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件177a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、光检测器127a分别置换为光检测器127a、半导体激光器27a、半导体激光器27b、组件177a的实施方式中，为使从半导体激光器27a出射并透过分光器77c的光被分光器77b反射，而根据需要在分光器77c和分光器77b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器、27a、27b出射并被分光器77b反射的光透过分光器77a，而根据需要在分光器77b和分光器77a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十七实施方式中，由于半导体激光器27a、27b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器27a、27b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件177a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件177a内的光检测器，能够针对半导体激光器27a、27b的波长按最佳的感光度来设计光检测器127a。
(第二十八实施方式)
图28示出了本发明光头装置的第二十八实施方式。组件178a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件178a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器28a、28b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器78a，可使用分光器D。作为分光器78b，可使用分光器S、V、Y中的任意一个。作为分光器78c，可使用分光器B、F、N、L、Q、W、H、P、U、S、V、Y中的任意一个。
从组件178a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全透过分光器78a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器78a，由组件178a内的光检测器接收。
从半导体激光器28a出射的波长660nm的出射光，几乎完全被分光器78c反射，作为P偏振光入射到分光器78b并几乎完全透过，几乎完全被分光器78a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器78a反射，作为S偏振光入射到分光器78b并几乎完全反射，由光检测器128a接收。
在作为分光器78c使用分光器H、P、U、S、V、Y中的任意一个的情况下，为使从半导体激光器28a出射并被分光器78c反射的光透过分光器78b，在分光器78c和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
从半导体激光器28b出射的波长780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器78c并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器78b并几乎完全透过，几乎完全被分光器78a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器78a反射，作为S偏振光入射到分光器78b并几乎完全反射，由光检测器128a接收。
在本实施方式中，也可将组件178a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器28a、28b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器78a可使用分光器D。作为分光器78b可使用分光器S、V、Y中的任意一个。作为分光器78c可使用分光器C、E、M、K、O、X、I、R、T、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件178a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器28a、28b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器78a可使用分光器E。作为分光器78b可使用分光器T、W、Y中的任意一个。作为分光器78c可使用分光器A、F、P、L、R、V、G、N、U、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件178a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器28a、28b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器78a可使用分光器E。作为分光器78b可使用分光器T、W、Y中的任意一个。作为分光器78c可使用分光器C、D、O、J、M、X、I、Q、S、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件178a内的半导体激光器的波长设为780nm，可将半导体激光器28a、28b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器78a可使用分光器F。作为分光器78b可使用分光器U、X、Y中的任意一个。作为分光器78c可使用分光器A、E、R、K、P、V、G、M、T、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件178a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器28a、28b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器78a可使用分光器F。作为分光器78b可使用分光器U、X、Y中的任意一个。作为分光器78c可使用分光器B、D、Q、J、N、W、H、O、S、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a相互替换了的实施方式。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为组件178a、光检测器128a、半导体激光器28b、半导体激光器28a的实施方式中，为使从半导体激光器28a出射、被光盘204反射且透过分光器78b的光被分光器78c反射，而根据需要在分光器78b和分光器78c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为半导体激光器28b、半导体激光器28a、光检测器128a、组件178a的实施方式中，为使从半导体激光器28b出射、被光盘204反射且被分光器78a反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78a和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为半导体激光器28a或28b、组件178a、光检测器128a、半导体激光器28b或28a的实施方式中，为使从半导体激光器28a或28b出射、被光盘204反射且被分光器78a反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78a和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为半导体激光器28a、光检测器128a、半导体激光器28b、组件178a的实施方式中，为使从半导体激光器28a出射、被光盘204反射且被分光器78a反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78a和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器28a出射、被光盘204反射且透过分光器78b的光被分光器78c反射，而根据需要在分光器78b和分光器78c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为半导体激光器28a或28b、光检测器128a、组件178a、半导体激光器28b或28a的实施方式中，为使从半导体激光器28a或28b出射、被光盘204反射且被分光器78a反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78a和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器28a、28b 出射、被光盘204反射且透过分光器78b的光被分光器78c反射，而根据需要在分光器78b和分光器78c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为半导体激光器28b、半导体激光器28a、组件178a、光检测器128a的实施方式中，为使从半导体激光器28a出射且被分光器78c反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78c和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为光检测器128a、组件178a、半导体激光器28b、半导体激光器28a的实施方式中，为使从半导体激光器28b出射且透过分光器78b的光被分光器78a反射，而根据需要在分光器78b和分光器78a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为光检测器128a、半导体激光器28a、组件178a、半导体激光器28b的实施方式中，为使从半导体激光器28a出射且被分光器78c反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78c和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器28a出射且透过分光器78b的光被分光器78a反射，而根据需要在分光器78b和分光器78a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件178a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、光检测器128a分别置换为光检测器128a、半导体激光器28a、半导体激光器28b、组件178a的实施方式中，为使从半导体激光器28a出射且被分光器78c反射的光透过分光器78b，而根据需要在分光器78c和分光器78b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器、28a、28b出射且透过分光器78b的光被分光器78a反射，而根据需要在分光器78b和分光器78a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十八实施方式中，由于半导体激光器28a、28b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器28a、28b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件178a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件178a内的光检测器，能够针对半导体激光器28a、28b的波长按最佳的感光度来设计光检测器128a。
(第二十九实施方式)
图29示出了本发明光头装置的第二十九实施方式。组件179a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件179a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器29a、29b的波长分别为660nm、780nm。作为分光器79a，可使用分光器P。作为分光器79b，可使用分光器A、E、R、K、P、V中的任意一个。作为分光器79c，可使用分光器I、R、T、S、V、Y中的任意一个。
从组件179a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器79b反射，几乎完全被分光器79a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器79a反射，几乎完全被分光器79b反射，由组件179a内的光检测器接收。
从半导体激光器29a出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器79b，作为S偏振光入射到分光器79a并几乎完全反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，作为P偏振光入射到分光器79a并几乎完全透过，作为P偏振光入射到分光器79c并几乎完全透过，由光检测器129a接收。
在作为分光器79b使用分光器K、P、V中的任意一个的情况下，为使从半导体激光器29a出射并透过分光器79b的光被分光器79c反射，在分光器79b和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
从半导体激光器29b出射的波长780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器79c并几乎完全反射，几乎完全透过分光器79a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器79a，作为P偏振光入射到分光器79c并几乎完全透过，由光检测器129a接收。
在本实施方式中，也可将组件179a内的半导体激光器的波长设为400nm，将半导体激光器29a、29b的波长分别设为780nm、660nm。此时，作为分光器79a可使用分光器R。作为分光器79b可使用分光器A、F、P、L、R、V中的任意一个。作为分光器79c可使用分光器H、P、U、S、V、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件179a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器29a、29b的波长分别设为400nm、780nm。此时，作为分光器79a可使用分光器N。作为分光器79b可使用分光器B、D、Q、J、N、W中的任意一个。作为分光器79c可使用分光器I、Q、S、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件179a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器29a、29b的波长分别设为780nm、400nm。此时，作为分光器79a可使用分光器Q。作为分光器79b可使用分光器B、F、N、L、Q、W中的任意一个。作为分光器79c可使用分光器G、N、U、T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件179a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器29a、29b的波长分别设为400nm、660nm。此时，作为分光器79a可使用分光器M。作为分光器79b可使用分光器C、D、O、J、M、X中的任意一个。作为分光器79c可使用分光器H、O、S、U、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件179a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器29a、29b的波长分别设为660nm、400nm。此时，作为分光器79a可使用分光器O。作为分光器79b可使用分光器C、E、M、K、O、X中的任意一个。作为分光器79c可使用分光器G、M、T、U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a相互替换了的实施方式。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为半导体激光器29a或29b、组件179a、光检测器129a、半导体激光器29b或29a的实施方式中，为使从半导体激光器29a或29b出射、被光盘204反射且透过分光器79a的光被分光器79c反射，而根据需要在分光器79a和分光器79c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为半导体激光器29a或29b、光检测器129a、组件179a、半导体激光器29b或29a的实施方式中，为使从半导体激光器29b或29a出射、被光盘204反射且被分光器79a反射的光透过分光器79b，而根据需要在分光器79a和分光器79b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为光检测器129a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、组件179a的实施方式中，为使从半导体激光器29b出射且被分光器79c反射的光透过分光器79a，而根据需要在分光器79c和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为半导体激光器29b、半导体激光器29a、组件179a、光检测器129a的实施方式中，为使从半导体激光器29a出射且透过分光器79b的光被分光器79a反射，而根据需要在分光器79b和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为光检测器129a、组件179a、半导体激光器29b、半导体激光器29a的实施方式中，为使从半导体激光器29b出射且被分光器79c反射的光透过分光器79a，而根据需要在分光器79c和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为组件179a、半导体激光器29a、光检测器129a、半导体激光器29b的实施方式中，为使从半导体激光器29a出射、被光盘204反射且透过分光器79a的光被分光器79c反射，而根据需要在分光器79a和分光器79c之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器29a出射且透过分光器79b的光被分光器79a反射，而根据需要在分光器79b和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为半导体激光器29a、光检测器129a、半导体激光器29b、组件179a的实施方式中，为使从半导体激光器29b出射、被光盘204反射且被分光器79a反射的光透过分光器79b，而根据需要在分光器79a和分光器79b之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器29b出射且被分光器79c反射的光透过分光器79a，而根据需要在分光器79c和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为半导体激光器29b、半导体激光器29a、光检测器129a、组件179a的实施方式中，为使从半导体激光器29a、29b出射、被光盘204反射且透过分光器79a的光被分光器79c反射，而根据需要在分光器79a和分光器79c之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器29a出射且透过分光器79b的光被分光器79a反射，而根据需要在分光器79b和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件179a、半导体激光器29a、半导体激光器29b、光检测器129a分别置换为组件179a、光检测器129a、半导体激光器29b、半导体激光器29a的实施方式中，为使从半导体激光器29a、29b出射、被光盘204反射且被分光器79a反射的光透过分光器79b，而根据需要在分光器79a和分光器79b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。此外，为使从半导体激光器29b出射且被分光器79c反射的光透过分光器79a，而根据需要在分光器79c和分光器79a之间插入使此光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第二十九实施方式中，由于半导体激光器29a、29b没有与其它的光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器29a、29b保持高散热性。此外，由于组件、光源、光检测器的总数只有四个，所以能够使光头装置小型化。并且，能够分别针对组件179a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件179a内的光检测器，能够针对半导体激光器29a、29b的波长按最佳的感光度来设计光检测器129a。
11、第三十～第三十一实施方式(类型九)
本发明光头装置的第三十～第三十一实施方式是包括三个组件的方式。其中，三个组件是将一个光源和一个光检测器集成的组件。
(第三十实施方式)
图30示出了本发明光头装置的第三十实施方式。组件180a、180b、180c是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm、400nm。作为分光器80a，可使用分光器C。作为分光器80b，可使用分光器B、D、Q中的任意一个。
从组件180c内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全透过分光器80b，几乎完全透过分光器80a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器80a，几乎完全透过分光器80b，由组件180c内的光检测器接收。
从组件180b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全被分光器80b反射，几乎完全透过分光器80a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器80a，几乎完全被分光器80b反射，由组件180b内的光检测器接收。
从组件180a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全被分光器80a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器80a反射，由组件180a内的光检测器接收。
在本实施方式中，可将组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器80a可使用分光器B。作为分光器80b可使用分光器C、D、O中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器80a可使用分光器C。作为分光器80b可使用分光器A、E、R中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器80a可使用分光器A。作为分光器80b可使用分光器C、E、M中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器80a可使用分光器B。作为分光器80b可使用分光器A、F、P中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm、780nm。此时，作为分光器80a可使用分光器A。作为分光器80b可使用分光器B、F、N中的任意一个。
在本发明光头装置的第三十实施方式中，由于仅使用三个组件而不需要光源、光检测器，所以能够使光头装置小型化。此外，能够分别针对组件180a、180b、180c内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件180a、180b、180c内的光检测器。
(第三十一实施方式)
图31示出了本发明光头装置的第三十一实施方式。组件181a、181b、181c是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长分别为780nm、660nm、400nm。作为分光器81a，可使用分光器F。作为分光器81b，可使用分光器A、E、R中的任意一个。
从组件181c内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器81b反射，几乎完全被分光器81a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器81a反射，几乎完全被分光器81b反射，由组件181c内的光检测器接收。
从组件181b内的半导体激光器出射的波长660nm的出射光，几乎完全透过分光器81b，几乎完全被分光器81a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器81a反射，几乎完全透过分光器81b，由组件181b内的光检测器接收。
从组件181a内的半导体激光器出射的波长780nm的出射光，几乎完全透过分光器81a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器81a，由组件181a内的光检测器接收。
在本实施方式中，可将组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长分别设为660nm、780nm、400nm。此时，作为分光器81a可使用分光器E。作为分光器81b可使用分光器A、F、P中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长分别设为780nm、400nm、660nm。此时，作为分光器81a可使用分光器F。作为分光器81b可使用分光器B、D、Q中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长分别设为400nm、780nm、660nm。此时，作为分光器81a可使用分光器D。作为分光器81b可使用分光器B、F、N中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长分别设为660nm、400nm、780nm。此时，作为分光器81a可使用分光器E。作为分光器81b可使用分光器C、D、O中的任意一个。
在本实施方式中，可将组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长分别设为400nm、660nm、780nm。此时，作为分光器81a可使用分光器D。作为分光器81b可使用分光器C、E、M中的任意一个。
在本发明光头装置的第三十实施方式中，由于仅使用三个组件而不需要光源、光检测器，所以能够使光头装置小型化。此外，能够分别针对组件181a、181b、181c内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件181a、181b、181c内的光检测器。
12、第三十二～第三十三实施方式(类型十)
本发明光头装置的第三十二～第三十三实施方式是包括一个光源和一个光检测器以及一个组件的方式。其中，一个光源是将两个光源集成的光源。此外，一个组件是将一个光源和一个光检测器集成的组件。
(第三十二实施方式)
图32示出了本发明光头装置的第三十二实施方式。组件182a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。此外，半导体激光器32a是将两个半导体激光器集成的半导体激光器，此后将参照图63对其结构加以说明。组件182a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器32a的波长为660nm、780nm。作为分光器82a，可使用分光器A。作为分光器82b，可使用分光器S、V、Y中的任意一个。
从组件182a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器82a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器82a反射，由组件182a内的光检测器接收。
从半导体激光器32a出射的波长660nm、780nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器82b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器82a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器82a，作为P偏振光入射到分光器82b并几乎完全透过，由光检测器132a接收。
在本实施方式中，也可将组件182a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器32a的波长设为400nm、780nm。此时，作为分光器82a可使用分光器B。作为分光器82b可使用分光器T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件182a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器32a的波长设为400nm、660nm。此时，作为分光器82a可使用分光器C。作为分光器82b可使用分光器U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件182a、半导体激光器32a、光检测器132a相互替换了的实施方式。
在将组件组件182a、半导体激光器32a、光检测器132a分别置换为半导体激光器32a、光检测器132a、组件182a的实施方式中，为使从半导体激光器32a出射、被光盘204反射且透过分光器82a的光被分光器82b反射，而根据需要在分光器82a和分光器82b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件组件182a、半导体激光器32a、光检测器132a分别置换为光检测器132a、半导体激光器32a、组件182a的实施方式中，为使从半导体激光器32a出射且被分光器82b反射的光透过分光器82a，而根据需要在分光器82b和分光器82a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第三十二实施方式中，由于组件、光源，光检测器加起来仅为三个，所以能够使光头装置小型化。此外，能够针对组件182a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件182a内的光检测器，能够针对半导体激光器32a的波长按最佳的感光度来设计光检测器132a。
(第三十三实施方式)
图33示出了本发明光头装置的第三十三实施方式。组件183a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。此外，半导体激光器33a是将两个半导体激光器集成的半导体激光器，此后将参照图63对其结构加以说明。组件183a内的半导体激光器的波长为400nm，半导体激光器33a的波长为660nm、780nm。作为分光器83a，可使用分光器D。作为分光器83b，可使用分光器S、V、Y中的任意一个。
从组件183a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全透过分光器83a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器83a，由组件183a内的光检测器接收。
从半导体激光器33a出射的波长660nm、780nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器83b并几乎完全透过，几乎完全被分光器83a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器83a反射，作为S偏振光入射到分光器83b并几乎完全反射，由光检测器133a接收。
在本实施方式中，也可将组件183a内的半导体激光器的波长设为660nm，将半导体激光器33a的波长设为400nm、780nm。此时，作为分光器83a可使用分光器E。作为分光器83b可使用分光器T、W、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件183a内的半导体激光器的波长设为780nm，将半导体激光器33a的波长设为400nm、660nm。此时，作为分光器83a可使用分光器F。作为分光器83b可使用分光器U、X、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件183a、半导体激光器33a、光检测器133a相互替换了的实施方式。
在将组件组件183a、半导体激光器33a、光检测器133a分别置换为半导体激光器33a、光检测器133a、组件183a的实施方式中，为使从半导体激光器33a出射、被光盘204反射且被分光器83a反射的光透过分光器83b，而根据需要在分光器83a和分光器83b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件组件183a、半导体激光器33a、光检测器133a分别置换为光检测器133a、半导体激光器33a、组件183a的实施方式中，为使从半导体激光器33a出射且透过分光器83b的光被分光器83a反射，而根据需要在分光器83b和分光器83a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第三十三实施方式中，由于组件、光源，光检测器加起来仅为三个，所以能够使光头装置小型化。此外，能够针对组件183a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件183a内的光检测器，能够针对半导体激光器33a的波长按最佳的感光度来设计光检测器133a。
13、第三十四～第三十五实施方式(类型十一)
本发明光头装置的第三十四～第三十五实施方式是包括一个光源和一个光检测器以及和一个组件的方式。其中，一个组件是将两个光源和一个光检测器集成的组件。
(第三十四实施方式)
图34示出了本发明光头装置的第三十四实施方式。组件184a是将两个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图66对其结构加以说明。组件184a内的半导体激光器的波长为660nm、780nm，半导体激光器34a的波长为400nm。作为分光器84a，可使用分光器D。作为分光器84b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器34a出射的波长400nm的出射光，作为S偏振光入射到分光器84b并几乎完全反射，几乎完全透过分光器84a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器84a，作为P偏振光入射到分光器84b并几乎完全透过，由光检测器134a接收。
从组件184a内的半导体激光器出射的波长660nm、780nm的出射光，几乎完全被分光器84a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器84a反射，由组件184a内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件184a内的半导体激光器的波长设为400nm、780nm，将半导体激光器34a的波长设为660nm。此时，作为分光器84a可使用分光器E。作为分光器84b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件184a内的半导体激光器的波长设为400nm、660nm，将半导体激光器34a的波长设为780nm。此时，作为分光器84a可使用分光器F。作为分光器84b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件184a、半导体激光器34a、光检测器134a相互替换了的实施方式。
在将组件组件184a、半导体激光器34a、光检测器134a分别置换为半导体激光器34a、光检测器134a、组件184a的实施方式中，为使从半导体激光器34a出射、被光盘204反射且透过分光器84a的光被分光器84b反射，而根据需要在分光器84a和分光器84b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件组件184a、半导体激光器34a、光检测器134a分别置换为光检测器134a、半导体激光器34a、组件184a的实施方式中，为使从半导体激光器34a出射且被分光器84b反射的光透过分光器84a，而根据需要在分光器84b和分光器84a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第三十四实施方式中，由于半导体激光器34a没有与其它光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器34a保持高的散热性。此外，由于组件、光源，光检测器加起来仅为三个，所以能够使光头装置小型化。此外，能够针对组件184a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件184a内的光检测器，能够针对半导体激光器34a的波长按最佳的感光度来设计光检测器134a。
(第三十五实施方式)
图35示出了本发明光头装置的第三十五实施方式。组件185a是将两个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图66对其结构加以说明。组件185a内的半导体激光器的波长为660nm、780nm，半导体激光器35a的波长为400nm。作为分光器85a，可使用分光器A。作为分光器85b，可使用分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个。
从半导体激光器35a出射的波长400nm的出射光，作为P偏振光入射到分光器85b并几乎完全透过，几乎完全被分光器85a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器85a反射，作为S偏振光入射到分光器85b并几乎完全反射，由光检测器135a接收。
从组件185a内的半导体激光器出射的波长660nm、780nm的出射光，几乎完全透过分光器85a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器85a，由组件185a内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件185a内的半导体激光器的波长设为400nm、780nm，将半导体激光器35a的波长设为660nm。此时，作为分光器85a可使用分光器B。作为分光器85b可使用分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个。
在本实施方式中，也可将组件185a内的半导体激光器的波长设为400nm、660nm，将半导体激光器35a的波长设为780nm。此时，作为分光器85a可使用分光器C。作为分光器85b可使用分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个。
并且，还可以有将组件185a、半导体激光器35a、光检测器135a相互替换了的实施方式。
在将组件组件185a、半导体激光器35a、光检测器135a分别置换为半导体激光器35a、光检测器135a、组件185a的实施方式中，为使从半导体激光器35a出射、被光盘204反射且被分光器85a反射的光透过分光器85b，而根据需要在分光器85a和分光器85b之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在将组件组件185a、半导体激光器35a、光检测器135a分别置换为光检测器135a、半导体激光器35a、组件185a的实施方式中，为使从半导体激光器35a出射且透过分光器85b的光被分光器85a反射，而根据需要在分光器85b和分光器85a之间插入使这些光的偏振方向旋转90°的1/2波长片。
在本发明光头装置的第三十四实施方式中，由于半导体激光器35a没有与其它光源或光检测器集成化，所以能够使半导体激光器35a保持高的散热性。此外，由于组件、光源，光检测器加起来仅为三个，所以能够使光头装置小型化。此外，能够针对组件185a内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件185a内的光检测器，能够针对半导体激光器35a的波长按最佳的感光度来设计光检测器135a。
14、第三十六实施方式(类型十二)
本发明光头装置的第三十六实施方式是包括两个组件的方式。其中，两个组件中的一个组件是将两个光源和一个光检测器集成的组件。此外，两个组件中的另一个组件是将一个光源和一个光检测器集成的组件。
图36示出了本发明光头装置的第三十六实施方式。组件186b是将两个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图66对其结构加以说明。此外，组件186a是将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图65对其结构加以说明。组件186a内的半导体激光器的波长为400nm，组件186a内的半导体激光器的波长为660nm、780nm。作为分光器86a，可使用分光器A。
从组件186a内的半导体激光器出射的波长400nm的出射光，几乎完全被分光器86a反射，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全被分光器86a反射，由组件186a内的光检测器接收。
从组件186b内的半导体激光器出射的波长660nm、780nm的出射光，几乎完全透过分光器86a，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，几乎完全透过分光器86a，由组件186b内的光检测器接收。
在本实施方式中，也可将组件186a内的半导体激光器的波长设为660nm，将组件186b内的半导体激光器的波长设为400nm、780nm。此时，作为分光器86a可使用分光器B。
在本实施方式中，也可将组件186a内的半导体激光器的波长设为780nm，将组件186b内的半导体激光器的波长设为400nm、660nm。此时，作为分光器86a可使用分光器C。
在本实施方式中，也可将组件186a作为将两个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，将组件186b作为将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，并将组件186a内的半导体激光器的波长设为660nm、780nm，将组件186b内的半导体激光器的波长设为400nm。此时，作为分光器86a可使用分光器D。
在本实施方式中，也可将组件186a作为将两个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，将组件186b作为将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，并将组件186a内的半导体激光器的波长设为400nm、780nm，将组件186b内的半导体激光器的波长设为660nm。此时，作为分光器86a可使用分光器E。
在本实施方式中，也可将组件186a作为将两个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，将组件186b作为将一个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，并将组件186a内的半导体激光器的波长设为400nm、660nm，将组件186b内的半导体激光器的波长设为780nm。此时，作为分光器86a可使用分光器F。
在本发明光头装置的第三十六实施方式中，由于仅使用两个组件而不需要光源、光检测器，所以能够使光头装置小型化。此外，能够分别针对组件186a、186b内的半导体激光器的波长按最佳的感光度来设计组件186a、180b内的光检测器。
15、第三十七实施方式(类型十三)
本发明光头装置的第三十七实施方式是包括一个组件的方式。其中，一个组件是将三个光源和一个光检测器集成的组件。
图37示出了本发明光头装置的第三十七实施方式。组件187a是将三个半导体激光器和一个光检测器集成的组件，此后将参照图67对其结构加以说明。组件187a内的半导体激光器的波长为400nm、660nm、780nm。
从组件187a内的半导体激光器出射的波长400nm、660nm、780nm的出射光，被反射镜201反射，由波长片202从直线偏振光转换为圆偏振光，由物镜203聚光到下一代规格、DVD规格、CD规格的光盘204上。来自光盘204的反射光反向通过物镜203，由波长片202从圆偏振光转换为其偏振方向与往程的正交的直线偏振光，被反射镜201反射，由组件187a内的光检测器接收。
在本发明光头装置的第三十七实施方式中，由于仅使用一个组件而不需要光源、光检测器，所以能够使光头装置小型化。
表2简要示出了以上说明的第一～第三十七实施方式(类型一～十三)。
表2
      光源(个数)  光检测器(个数)        组件(个数)   总数
  类型1 实施方式1-4             3       2 -     5
  类型2 实施方式5-9             3       1 -     4
类型3 实施方式10             2(其中，一个为集成了两个光源→图63) 2 - 4
类型4 实施方式11-12             2(其中，一个为集成了两个光源→图63) 1 - 3
类型5 实施方式13             1(集成了三个光源→图64) 1 - 2
类型6 实施方式14-19 2 2             1(集成一个光源和一个光检测器→图65) 5
类型7 实施方式20-24 1 1             2(集成一个光源和一个光检测器→图65) 4
类型8 实施方式25-29 2 1             1(集成一个光源和一个光检测器→图65) 4
类型9 实施方式30-31 - -             3(集成一个光源和一个光检测器→图65) 3
类型10 实施方式32-33             1(集成了两个光源→图64) 1             1(集成一个光源和一个光检测器→图65) 3
类型11 实施方式34-35 1 1             1(集成两个光源和一个光检测器→图66) 3
类型12 实施方式36 - -             2(集成一个光源和一个光检测器→图65、集成两个光源和一个光检测器→图66) 2
类型13 实施方式37 - -             1(集成三个光源和一个光检测器→图67) 1
16、集成了两个光源的光源
图63示出了用于本发明光头装置的实施方式的、集成了两个半导体激光器的半导体激光器的结构。在半导体激光器211内集成有半导体激光器芯片212a、212b以及分光器213。分光器213具有粘结面214a、214b。
从半导体激光器芯片212a出射的出射光，几乎完全透过分光器213的粘结面214a，从半导体激光器211射出。从半导体激光器芯片212b出射的出射光，几乎完全被分光器213的粘结面214b反射，几乎完全被分光器213的粘结面214a反射，从半导体激光器211射出。
可将半导体激光器212a、212b的波长分别设为660nm、780nm。此时，分光器213的粘贴面214a具有与分光器C、E、M中的任意一个相同的特性。分光器213的粘贴面214b具有与分光器C、D、E、J、K、M、O、X中的任意一个相同的特性。
可将半导体激光器212a、212b的波长分别设为400nm、780nm。此时，分光器213的粘贴面214a具有与分光器C、D、O中的任意一个相同的特性。分光器213的粘贴面214b具有与分光器C、D、E、J、K、M、O、X中的任意一个相同的特性。
可将半导体激光器212a、212b的波长分别设为400nm、660nm。此时，分光器213的粘贴面214a具有与分光器B、D、Q中的任意一个相同的特性。分光器213的粘贴面214b具有与分光器B、D、F、J、L、N、Q、W中的任意一个相同的特性。
此外，在半导体激光器211中，也可消去分光器213。
17、集成了三个光源的光源
图64示出了用于本发明光头装置的实施方式的、集成了三个半导体激光器的半导体激光器的结构。在半导体激光器221内集成有半导体激光器芯片222a、222b、222c以及分光器223。分光器223具有粘结面224a、224b、224c。
从半导体激光器芯片222a出射的出射光，几乎完全透过分光器223的粘结面224a，从半导体激光器221射出。从半导体激光器芯片222b出射的出射光，几乎完全被分光器223的粘结面224b反射，几乎完全被分光器223的粘结面224a反射，从半导体激光器221射出。从半导体激光器芯片222c出射的出射光，几乎完全被分光器223的粘结面224c反射，几乎完全透过分光器223的粘结面224b，几乎完全被分光器223的粘结面224a反射，从半导体激光器221射出。
可将半导体激光器222a、222b、222c的波长分别设为400nm、660nm、780nm。此时，分光器223的粘贴面224a具有与分光器D相同的特性。分光器223的粘贴面224b具有与分光器B、F、N中的任意一个相同的特性。分光器223的粘贴面224c具有与分光器C、D、E、J、K、M、O、X中的任意一个相同的特性。
此外，在半导体激光器221中，也可削去分光器223。
18、集成了一个光源和一个光检测器的组件
图65示出了用于本发明光头装置的实施方式的、集成了一个半导体激光器和一个光检测器的组件的结构。在组件231内集成有半导体激光器芯片232a、光检测器芯片237以及分光器235。分光器235具有粘结面236a、236b。
从半导体激光器芯片232a出射的出射光，作为P偏振光入射到分光器235的粘结面236a并几乎完全透过，从组件231射出。向组件231的入射光，作为S偏振光入射到分光器235的粘结面236a并几乎完全反射，几乎完全被分光器235的粘结面236b反射，由光检测器芯片237接收。
可将半导体激光器232a的波长设为400nm。此时，分光器235的粘贴面236a具有与分光器G、J、M、N、T、U、W、X、Y中的任意一个相同的特性。分光器235的粘贴面236b具有与分光器A、E、F、G、J、K、L、M、N、P、R、T、U、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
可将半导体激光器232a的波长设为660nm。此时，分光器235的粘贴面236a具有与分光器H、K、O、P、S、U、V、X、Y中的任意一个相同的特性。分光器235的粘贴面236b具有与分光器B、D、F、H、J、K、L、N、O、P、Q、S、U、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
可将半导体激光器232a的波长设为780nm。此时，分光器235的粘贴面236a具有与分光器I、L、Q、R、S、T、V、W、Y中的任意一个相同的特性。分光器235的粘贴面236b具有与分光器C、D、E、I、J、K、L、M、O、Q、R、S、T、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
此外，在组件231内，也可将衍射光学元件用作分光器，以替代分光器235。此外，也可将分光器235或衍射光学元件不集成在组件231内，而设置在组件231的外部。
19、集成了两个光源和一个光检测器的组件
图66示出了用于本发明光头装置的实施方式的、集成了两个半导体激光器和一个光检测器的组件的结构。在组件241内集成有半导体激光器芯片242a、242b、光检测器芯片247、分光器243以及分光器245。分光器243具有粘结面244a、244b。分光器245具有粘结面246a、246b。
从半导体激光器芯片242a出射的光，几乎完全透过分光器243的粘结面244a，作为P偏振光入射到分光器245的粘结面246a并几乎完全透过，从组件241射出。从半导体激光器芯片242b出射的光，几乎完全被分光器243的粘结面244b反射，几乎完全被分光器243的粘结面244a反射，作为P偏振光入射到分光器245的粘结面246a并几乎完全透过，从组件241射出。向组件241的入射光，作为S偏振光入射到分光器245的粘结面246a并几乎完全反射，几乎完全被分光器245的粘结面246b反射，由光检测器芯片247接收。
可将半导体激光器242a、242b的波长分别设为660nm、780nm。此时，分光器243的粘贴面244a具有与分光器C、E、M中的任意一个相同的特性。分光器243的粘贴面244b具有与分光器C、D、E、J、K、M、O、X中的任意一个相同的特性。分光器245的粘贴面246a具有与分光器S、V、Y中的任意一个相同的特性。分光器245的粘贴面246b具有与分光器D、J、K、L、O、Q、S、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
可将半导体激光器242a、242b的波长分别设为400nm、780nm。此时，分光器243的粘贴面244a具有与分光器C、D、O中的任意一个相同的特性。分光器243的粘贴面244b具有与分光器C、D、E、J、K、M、O、X中的任意一个相同的特性。分光器245的粘贴面246a具有与分光器T、W、Y中的任意一个相同的特性。分光器245的粘贴面246b具有与分光器E、J、K、L、M、R、T、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
可将半导体激光器242a、242b的波长分别设为400nm、660nm。此时，分光器243的粘贴面244a具有与分光器B、D、Q中的任意一个相同的特性。分光器243的粘贴面244b具有与分光器B、D、F、J、L、N、Q、W中的任意一个相同的特性。分光器245的粘贴面246a具有与分光器U、X、Y中的任意一个相同的特性。分光器245的粘贴面246b具有与分光器F、J、K、L、N、P、U、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
此外，在组件241内，也可将衍射光学元件用作分光器，以替代分光器245。此外，也可将分光器245或衍射元件不集成在组件241内，而设置在组件241的外部。并且，在组件241中，也可将分光器243削去。
20、集成了三个光源和一个光检测器的组件
图67表示用于本发明光头装置的实施方式的、集成了三个半导体激光器和一个光检测器的组件的结构。在组件251内集成有半导体激光器芯片252a、252b、252c、光检测器芯片257、分光器253以及分光器255。分光器253具有粘结面254a、254b、254c。分光器255具有粘结面256a、256b。
从半导体激光器芯片252a出射的光，几乎完全透过分光器253的粘结面254a，作为P偏振光入射到分光器255的粘结面256a并几乎完全透过，从组件251射出。从半导体激光器芯片252b出射的光，几乎完全被分光器253的粘结面254b反射，几乎完全被分光器253的粘结面254a反射，作为P偏振光入射到分光器255的粘结面256a并几乎完全透过，从组件251射出。从半导体激光器芯片252c出射的光，几乎完全被分光器253的粘结面254c反射，几乎完全透过分光器253的粘结面254b，几乎完全被分光器253的粘结面254a反射，作为P偏振光入射到分光器255的粘结面256a并几乎完全透过，从组件251射出。向组件251的入射光，作为S偏振光入射到分光器255的粘结面256a并几乎完全反射，几乎完全被分光器255的粘结面256b反射，由光检测器芯片257接收。
可将半导体激光器252a、252b、252c的波长分别设为400nm、660nm、780nm。此时，分光器253的粘贴面254a具有与分光器D相同的特性。分光器253的粘贴面254b具有与分光器B、F、N中的任意一个相同的特性。分光器253的粘贴面254c具有与分光器C、D、E、J、K、M、O、X中的任意一个相同的特性。分光器255的粘贴面256a具有与分光器Y中的任意一个相同的特性。分光器255的粘贴面256b具有与分光器J、K、L、V、W、X、Y中的任意一个相同的特性。
此外，在组件251内，也可将衍射光学元件用作分光器，以替代分光器255。此外，也可将分光器255或衍射元件不集成在组件251内，而设置在组件251的外部。并且，在组件251中，也可将分光器253削去。
21、球面象差修正装置
然而，在下一代规格、DVD规格、CD规格中，光盘的保护层的厚度分别为0.6mm(AOD规格)或0.1mm(BRD规格)、0.6mm、1.2mm。由于用于光头装置的物镜是为了针对特定波长及特定的保护层厚度修正球面象差而设计的，所以针对其它波长或其它的保护层厚度将会产生球面象差。因此，为了针对下一代规格、DVD规格、CD规格中任意一个光盘都可进行记录和再现，就有必要对应光盘来修正球面象差。
作为对应光盘修正球面象差的第一方法，众所周知有在光头装置的光学系统中设置放大透镜的方法。图68示出了放大透镜的结构。放大透镜由凹镜261、凸镜262构成，且设置在波长片202和物镜203之间。
如下设计光头装置的物镜：即，在作为平行光入射到物镜中的波长400nm的光透过下一代规格的光盘的保护层时，修正球面象差。在对下一代规格的光盘进行记录和再现时，控制凹镜261和凸镜262的间隔，以使从半导体激光器出射并作为平行光入射到凹镜261中的波长400nm的光从凸镜262作为平行光出射并入射到物镜中。
当作为平行光入射到物镜上的波长660nm的光透过DVD规格的光盘的保护层时，将会剩有球面象差。但是，若将波长660nm的光作为具有适当扩散角的散射光入射到物镜中，则随着物镜倍率的变化将会产生新的球面象差，由此可修正剩余的球面象差。在对DVD规格的光盘进行记录和再现时，控制凹镜261和凸镜262的间隔，以使从半导体激光器出射且作为平行光入射到凹镜261中的波长660nm的光，从凸镜262作为具有适当扩散角的散射光出射并入射到物镜。
当作为平行光入射到物镜中的波长780nm的光透过CD规格的光盘的保护层时，将会剩有球面象差。但是，若将波长780nm的光作为具有适当扩散角的散射光入射到物镜中，则随着物镜倍率的变化将会产生新的球面象差，由此可修正剩余的球面象差。在对CD规格的光盘进行记录和再现时，控制凹镜261和凸镜262的间隔，以使从半导体激光器出射且作为平行光入射到凹镜261中的波长780nm的光，从凸镜262作为具有适当扩散角的散射光出射并入射到物镜中。
作为对应光盘修正球面象差的第二方法，众所周知有在光头装置的光学系统中设置液晶光学元件的方法。图69示出了液晶光学元件的结构，(a)是平面图，(b)是侧面图。液晶光学元件271由相互粘贴的往程液晶光学元件272和返程液晶光学元件273构成，且设置在反射镜201和波长片202之间。往程液晶光学元件272对往程的直线偏振光起作用，返程液晶光学元件273对其偏振方向与往程的正交的返程的直线偏振光起作用。将往程液晶光学元件272、返程液晶光学元件273分别分割为五个区域274a～274e。在区域274c施加电压V1，在区域274b和274d施加电压V2、在区域274a和274e施加电压V3。此外，图中的虚线相当于物镜的有效直径。
如下设计光头装置的物镜：即在入射到物镜中的波长400nm的光透过下一代规格的光盘的保护层时，修正球面象差。在对下一代规格的光盘进行记录和再现时，控制施加到液晶光学元件271的各区域的电压，使得V1＝V2＝V3。
当入射到物镜中的波长660nm的光透过DVD规格的光盘的保护层时，将剩有球面象差。但是，若使V1-V2＝V2-V3＝V，并将电压V设为适当值，则对于透过液晶光学元件271的波长660nm的光会产生新的球面象差，由此可修正剩余的球面象差。在对DVD规格的光盘进行记录和再现时，控制施加到液晶光学元件271的各区域的电压，以使电压V取适当值。
当入射到物镜中的波长780nm的光透过CD规格的光盘的保护层时，将会剩有球面象差。但是，若使V1-V2＝V2-V3＝V，并将电压V设为适当值，则对于透过液晶光学元件271的波长780nm的光会产生新的球面象差，由此可修正剩余的球面象差。在对CD规格的光盘进行记录和再现时，控制施加到液晶光学元件271的各区域的电压，以使电压V取适当值。
22、数值孔径的控制装置
如上所述，在下一代规格、DVD规格以及CD规格中，物镜的数值孔径分别为0.65(AOD规格)或0.85(BRD规格)、0.6以及0.45。因此，为了针对下一代规格、DVD规格以及CD规格中任意一个光盘都可进行记录和再现，就有必要对应光盘来控制数值孔径。
作为对应光盘来控制数值孔径的方法，众所周知有在光头装置的光学系统中设置孔径控制元件的方法。图70示出了孔径控制元件的结构，(a)为平面图，(b)为侧面图。孔径控制元件281由玻璃基片282和在其上形成的电介质多层膜283a～283c构成，且设置在波长片202和物镜203之间。此外，图中的虚线相当于物镜的有效直径。
图71示出了电介质多层膜283a～283c的透射率和波长的依赖关系。图中的实线、虚线、点划线是针对各电介质多层膜283a、283b、283c的特性。电介质多层膜283a使波长400nm的光、波长660nm的光、波长780nm的光几乎完全透过。电介质多层膜283b使波长400nm的光、波长660nm的光几乎完全透过，使波长780nm的光几乎完全反射。电介质多层膜283c使波长400nm的光几乎完全透过，使波长660nm的光、波长780nm的光几乎完全反射。
因此，用物镜的有效直径来决定针对下一代规格的光盘进行记录和再现时的波长400nm的光的数值孔径。用作为电介质多层膜283b、283c的边界的圆的直径来决定针对DVD规格的光盘进行记录和再现时的波长660nm的光的数值孔径。用作为电介质多层膜283a、283b的边界的圆的直径来决定针对CD规格的光盘进行记录和再现时的波长780nm的光的数值孔径。
23、准直透镜
在本发明光头装置的实施方式中，根据需要在光学系统中设置用于将来自半导体激光器的出射光准直化的准直透镜。例如，在图5所示的实施方式中，分别在半导体激光器5a和分光器55a之间设置第一准直透镜，在半导体激光器5b和分光器55b之间设置第二准直透镜，在半导体激光器5c和分光器55c之间设置第三准直透镜。
通过对半导体激光器5a～5c中的每一个设置准直透镜，并独立设定相对应的准直透镜的数值孔径，能够按所期望的值独立地设计出从半导体激光器5a～5c出射的光在往程中的效率。
24、耦合透镜
在本发明光头装置的实施方式中，除准直透镜之外，根据需要还在光学系统中，设置用于缩小或放大从半导体激光器出射的光的扩散角的耦合透镜。例如，在图5所示的实施方式中，在分光器55a和反射镜201之间设置准直透镜。此外，在半导体激光器5a和分光器55a之间设置第一耦合透镜，在半导体激光器5b和分光器55b之间设置第二耦合透镜，在半导体激光器5c和分光器55c之间设置第三耦合透镜。
通过对半导体激光器5a～5c中的每一个设置耦合透镜，并独立设定相对应的耦合透镜的倍率，能够按所期望的值独立地设计出从半导体激光器5a～5c出射的光在往程中的效率。
25、监测用光检测器
在本发明光头装置的实施方式中，根据需要在光学系统中设置用于监测从半导体激光器出射的光的功率的监测用光检测器。例如，在图5所示的实施方式中，在分光器55a的与半导体激光器5a相反面的附近设置第一监测用光检测器，在分光器55b的与半导体激光器5b相反面的附近设置第二监测用光检测器，在分光器55c的与半导体激光器5c相反面的附近设置第三监测用光检测器。
虽然从半导体激光器5a～5c出射的光分别几乎完全被分光器55a～55c反射，但还会有极少部分将透过分光器55a～55c。将这些透过的光分别用第一～第三监测用光检测器来接收。通过将来自监测用光检测器的输出反馈给半导体激光器的驱动电流，能够将来自半导体激光器的出射光的功率控制在恒定值上。
此外，通过用第一监测用光检测器来接收从半导体激光器5a出射且透过分光器55a的光、和从半导体激光器5b、5c出射且被分光器55a反射的光等，可使多个监测用光检测器公用化。
26、圆柱透镜及衍射光学元件
在本发明光头装置的实施方式中，根据需要在光学系统中设置用于使来自光盘的反射光产生象散的圆柱透镜。例如，在图5所示的实施方式中，在分光器55c和光检测器105a之间设置圆柱透镜(未图示)。
光检测器105a被设置在由圆柱透镜形成的两个焦线的中间。通过使来自光盘204的反射光产生象散，可根据来自光检测器105a的输出生成基于象散法的焦点误差信号。
在本发明光头装置的实施方式中，根据需要在光学系统中设置用于将从半导体激光器出射的光分割成多个光的衍射光学元件。例如，在图5所示的实施方式中，在半导体激光器5a和分光器55a之间设置第一衍射光学元件
(未图示)，在半导体激光器5b和分光器55b之间设置第二衍射光学元件
(未图示)，在半导体激光器5c和分光器55c之间设置第三衍射光学元件
(未图示)。
从半导体激光器5a～5c出射的光分别被第一～第三衍射光学元件分割为0次光、±1次衍射光等三个光。由光检测器105a接收被光盘204反射的三个光。通过用衍射光学元件将从半导体激光器5a～5c出射的光分割成三个光，可根据来自光检测器105a的输出并利用差动推挽法生成跟踪误差信号。
图72示出了在本发明光头装置的实施方式中所使用的光检测器中的受光部的图形和光检测器上的光斑点的配置。光检测器291中的受光部的图形对应于使来自光盘的反射光产生象差，并且用衍射光学元件将来自半导体激光器的出射光分割为三个光的场合。
光斑点292a相当于来自衍射光学元件的0次光，并由受光部293a～293d所接收，所述受光部293a～293d是用与光盘204的半径方向平行的分割线和与切线方向平行的分割线分割成4份的。光斑点292b相当于来自衍射光学元件的+1次衍射光，并由受光部293e、293f所接收，所述受光部293e、293f是用与光盘204的半径方向平行的分割线分割成2份的。光斑点292c相当于来自衍射光学元件的-1次衍射光，并由受光部293g、293f所接收，所述受光部293g、293f是用与光盘204的半径方向平行的分割线分割成2份的。在此，通过圆柱透镜的作用，光斑点292a～292c在光盘204的半径方向上的强度分布和在切线方向上的强度分布被相互交替。
若分别用V293a～V293h表示来自受光部293a～293h的输出，则利用象散法，并根据(V293a+V293d)-(V293b+V293c)的计算将生成焦点误差信号。利用差动推挽法，并根据(V293a+V293b)-(V293c+V293d)-K{(V293e+V293g)-(V293f+V293h)}的计算将生成跟踪误差信号。在此，K为来自衍射光学元件的0次光和±1次衍射光的光量比。根据V293a+V293b+V293c+V293d的计算将生成来自光盘204的再现信号。
作为焦点误差信号的生成方法，也可以使用傅科法(FOUCAULT)、光点尺寸(SPOT SIZE)法等，以替代象散法。此外，作为跟踪误差信号的生成方法也可以使用相位差法、三光束法等，以替代差动推挽法。
27、光学式信息记录或再现装置
图73示出了本发明光学式信息记录或再现装置的实施方式。本发明的实施方式是在图5所示的本发明光头装置的实施方式中添加了记录信号生成电路301、半导体激光器驱动电路302、前置放大器303、再现信号生成电路304、误差信号生成电路305及物镜驱动电路306的装置。
记录信号生成电路301根据从外部输入的记录数据，生成用于驱动半导体激光器5a～5c的记录信号。半导体激光器驱动电路302根据从记录信号生成电路301输入的记录信号来驱动半导体激光器5a～5c。由此，向光盘204记录信号。
前置放大器303将从光检测器105a输入的电流信号变换为电压信号。再现信号生成电路304根据从前置放大器303输入的电压信号生成再现信号并向外部输出再现数据。由此，对来自光盘204的信号进行再现。
误差信号生成电路305根据从前置放大器303输入的电压信号，生成用于驱动物镜203的焦点误差信号和跟踪误差信号。物镜驱动电路306根据从误差信号生成电路305输入的焦点误差信号和跟踪误差信号，并通过没有图示的致动器来驱动物镜203。由此，进行聚焦伺服器及驱动伺服器的工作。
除此以外，本实施方式还包括使光盘204旋转的轴控制电路、使除光盘204之外的光头装置的整体相对光盘204移动的定位控制电路等。
本实施方式是针对光盘204进行记录及再现的记录再现装置。相对于此，作为本发明光学式信息记录或再现装置的实施方式，也可是针对光盘204仅进行再现的再现专用装置。此时，半导体激光器驱动电路302不是根据记录信号来驱动半导体激光器5a～5c，而是以使出射光的功率成为恒定值的方式驱动半导体激光器5a～5c。
作为本发明光学式信息记录或再现装置的实施方式，也可以是在本发明光头装置的上述第5实施方式之外的实施方式中，添加了记录信号生成电路、半导体激光器驱动电路、前置放大器、再现信号生成电路、误差信号生成电路及物镜驱动电路的方式。
此外，在上述实施方式中，虽然对作为光记录介质以下一代规格(AOD规格、BRD规格等)、DVD规格及CD规格的光盘为对象，并且作为第一、第二及第三波长的光分别使用波长400nm、660nm及780nm的光的情况进行了说明，但本发明并不限于此，例如，也可适用于作为光记录介质以其它规格的光盘(包括将来开发的)为对象，并使用其它波长的光的情况。

Claims (25)

1.一种光头装置，其特征在于，包括：
第一光源，出射第一波长的光；
第二光源，出射第二波长的光；
第三光源，出射第三波长的光；
至少一个光检测器，接收由光记录介质反射的所述第一、第二及第三波长的光；
物镜，相对所述光记录介质而配置；
合分波光学系统，对从所述第一、第二及第三光源向所述物镜的所述第一、第二及第三波长的光，以及从所述物镜导向所述光检测器的所述第一、第二及第三波长的光进行合成/分离，
所述合分波光学系统将从所述第一、第二及第三光源侧入射的所述第一、第二及第三波长的光以大于其入射光量50％的光量向所述物镜侧出射，并且将从所述物镜侧入射的所述第一、第二及第三波长的光以大于其入射光量50％的光量向所述光检测器出射。
2.根据权利要求1所述的光头装置，其特征在于，所述合分波光学系统包括：包含对应于所述第一波长的光的偏振光分光器、对应于所述第二波长的光的偏振光分光器及对应于所述第三波长的光的偏振光分光器的至少一个分光器，以及
设置于该分光器和所述物镜之间的、对应于所述第一、第二及第三波长的光的宽波段的1/4波长片。
3.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一及第二光检测器；
所述分光器包括第一、第二、第三及第四分光器。
4.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括单个光检测器；
所述分光器包括第一、第二及第三分光器。
5.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述第二及第三光源被集成为集成光源；
所述光检测器包括第一及第二光检测器；
所述分光器包括第一、第二及第三分光器。
6.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述第二及第三光源被集成为集成光源；
所述光检测器包括单个光检测器；
所述分光器包括第一及第二分光器。
7.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述第一、第二及第三光源被集成为集成光源；
所述光检测器包括单个光检测器；
所述分光器包括单个分光器。
8.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一、第二及第三光检测器；
所述第一光源和所述第一光检测器被集成为组件；
所述分光器包括第一、第二、第三及第四分光器以及内置于所述组件内的偏振光分光器。
9.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一、第二及第三光检测器；
所述第二光源和所述第二光检测器被集成为第一组件；
所述第三光源和所述第三光检测器被集成为第二组件；
所述分光器包括第一、第二及第三分光器以及分别内置于所述第一及第二组件内的第一及第二偏振光分光器。
10.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一及第二光检测器；
所述第一光源和所述第一光检测器被集成为组件；
所述分光器包括第一、第二及第三分光器以及内置于所述组件内的偏振光分光器。
11.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一、第二及第三光检测器；
所述第一光源和所述第一光检测器被集成为第一组件；
所述第二光源和所述第二光检测器被集成为第二组件；
所述第三光源和所述第三光检测器被集成为第三组件；
所述分光器包括第一及第二分光器以及分别内置于所述第一、第二及第三组件内的第一、第二及第三偏振光分光器。
12.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述第二及第三光源被集成为集成光源；
所述光检测器包括第一及第二光检测器；
所述第一光源和所述第一光检测器被集成为组件；
所述分光器包括第一和第二分光器以及内置于所述组件内的偏振光分光器。
13.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一及第二光检测器；
所述第二及第三光源和所述第二光检测器被集成为组件；
所述分光器包括第一和第二分光器以及内置于所述组件内的偏振光分光器。
14.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括第一及第二光检测器；
所述第一光源和所述第一光检测器被集成为第一组件；
所述第二及第三光源和所述第二光检测器被集成为第二组件；
所述分光器包括单个分光器以及分别内置于所述第一及第二组件内的第一及第二偏振光分光器。
15.根据权利要求2所述的光头装置，其特征在于，
所述光检测器包括单个光检测器；
所述第一、第二及第三光源和所述光检测器被集成为组件；
所述分光器包括内置于所述组件内的偏振光分光器。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，
还包括球面象差修正装置，用于对所述第一、第二及第三波长的光中的至少一个，修正球面象差。
17.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，
还包括数值孔径控制装置，用于控制对于所述第一、第二及第三波长光中的至少一个的数值孔径。
18.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，
还包括至少一个准直透镜，用于将来自所述第一、第二及第三光源的出射光中的至少一个准直化。
19.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，
还包括至少一个耦合透镜，用于缩小或放大来自所述第一、第二及第三光源的出射光中的至少一个的扩散角。
20.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，
还包括至少一个监测用光检测器，用于监测来自所述第一、第二及第三光源的出射光中的至少一个的功率。
21.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，
还包括至少一个的衍射光学元件，用于将来自所述第一、第二及第三光源的出射光中的至少一个分割为多个光。
22.根据权利要求1～15中任一项所述的光头装置，其特征在于，所述第一、第二及第三波长分别为
a)400nm、660nm及780nm；
b)400nm、780nm及660nm；
c)660nm、400nm及780nm；
d)660nm、780nm及400nm；
e)780nm、400nm及660nm；
f)780nm、660nm及400nm中的任意一个。
23.一种光学式信息记录或再现装置，其特征在于，包括：
权利要求1～22中任一项所述的光头装置；
第一电路系统，驱动所述第一、第二及第三光源；
第二电路系统，从所述光检测器的输出生成再现信号和误差信号；
第三电路系统，基于所述误差信号驱动所述物镜。
24.根据权利要求23所述的光学式信息记录或再现装置，其特征在于，
所述第一电路系统是基于记录信号来驱动所述第一、第二及第三光源中的至少一个的电路系统。
25.根据权利要求23所述的光学式信息记录或再现装置，其特征在于，
所述第一电路系统是以使出射光的功率为恒定值的方式驱动所述第一、第二及第三光源中的至少一个的电路系统。
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