JP2005149689A - 光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置 - Google Patents

光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 次世代、ＤＶＤ、ＣＤのディスクに対しても記録や再生を行う、次世代規格に対しては、記録時に高い光出力が得られ、再生時に高いＳ／Ｎが得られ、ＣＤ規格の対して、複屈折が変動しても光検出器で受光される光量が変動しない。
【解決手段】波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ（ＢＳ）５５ａで反射し、次世代規格のディスクに集光され、その反射光は、ＢＳ５５ａ、５５ｂ、５５ｃを透過し、１０５ａで受光される。波長６６０ｎｍの出射光は、ＢＳ５５ｂで反射し、ＢＳ５５ａを透過し、ＤＶＤ規格のディスクに集光され、その反射光は、ＢＳ５５ａ、５５ｂ、５５ｃを透過し、１０５ａで受光される。波長７８０ｎｍの出射光は、ＢＳ５５ｃで約５０％が反射し、ＢＳ５５ｂ、５５ａを透過し、ＣＤ規格のディスク集光され、その反射光は、ＢＳ５５ａ、５５ｂを透過し、ＢＳ５５ｃを約５０％が透過し、１０５ａで受光される。
【選択図】 図５

Description

本発明は、規格が異なる複数種類の光記録媒体に対して記録や再生を行うための光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置に関するものである。
光学式情報記録再生装置における記録密度は、光ヘッド装置が光記録媒体上に形成する集光スポットの径の２乗に反比例する。すなわち、集光スポットの径が小さいほど記録密度は高くなる。集光スポットの径は光ヘッド装置における光源の波長に比例し、対物レンズの開口数に反比例する。すなわち、光源の波長が短く対物レンズの開口数が高いほど集光スポットの径は小さくなる。容量６５０ＭＢのＣＤ（コンパクトディスク）規格においては光源の波長は約７８０ｎｍ、対物レンズの開口数は０．４５である。また、容量４．７ＧＢのＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）規格においては光源の波長は約６６０ｎｍ、対物レンズの開口数は０．６である。
これに対し、近年、記録密度をさらに高めるために、光源の波長をさらに短く対物レンズの開口数をさらに高くした次世代規格が提案あるいは実用化されている。例えば、容量２０ＧＢのＡＯＤ（アドバンスト・オプティカル・ディスク）規格においては光源の波長は約４００ｎｍ、対物レンズの開口数は０．６５である。また、容量２３．３ＧＢのＢＲＤ（ブルーレイディスク）規格においては光源の波長は約４００ｎｍ、対物レンズの開口数は０．８５である。
このような背景から、規格が異なる複数のディスクに対して記録や再生を行うことができる、互換の機能を有する光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置が望まれる。ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができる光ヘッド装置は既に実用化されている。また、次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができる光ヘッド装置も提案されている。
次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができる従来の光ヘッド装置の例として、特許文献１に記載の光ヘッド装置がある。図８３にこの光ヘッド装置の構成を模式的に示す。モジュール３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃは、半導体レーザ、光検出器、およびホログラム光学素子を備えている。ホログラム光学素子は、半導体レーザからの出射光の一部を透過させてディスクへ導き、ディスクからの反射光の一部を回折させて光検出器へ導く。モジュール３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ３１２ａは、波長４００ｎｍ、６６０ｎｍの光を透過させ、波長７８０ｎｍの光を反射させる。また、ビームスプリッタ３１２ｂは、波長４００ｎｍの光を透過させ、波長６６０ｎｍの光を反射させる。
モジュール３１１ｃ内の半導体レーザからの出射光は、ビームスプリッタ３１２ｂ、３１２ａを透過し、ミラー３１３で反射し、対物レンズ３１４で次世代規格のディスク３１５上に集光される。ディスク３１５からの反射光は対物レンズ３１４を逆向きに通り、ミラー３１３で反射し、ビームスプリッタ３１２ａ、３１２ｂを透過し、モジュール３１１ｃ内の光検出器で受光される。
モジュール３１１ｂ内の半導体レーザからの出射光は、ビームスプリッタ３１２ｂで反射し、ビームスプリッタ３１２ａを透過し、ミラー３１３で反射し、対物レンズ３１４でＤＶＤ規格のディスク３１５上に集光される。ディスク３１５からの反射光は対物レンズ３１４を逆向きに通り、ミラー３１３で反射し、ビームスプリッタ３１２ａを透過し、ビームスプリッタ３１２ｂで反射し、モジュール３１１ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール３１１ａ内の半導体レーザからの出射光は、ビームスプリッタ３１２ａで反射し、ミラー３１３で反射し、対物レンズ３１４でＣＤ規格のディスク３１５上に集光される。ディスク３１５からの反射光は対物レンズ３１４を逆向きに通り、ミラー３１３で反射し、ビームスプリッタ３１２ａで反射し、モジュール３１１ａ内の光検出器で受光される。
一方、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができる従来の光ヘッド装置の例として、特許文献２に記載の光ヘッド装置がある。図８４にこの光ヘッド装置の構成を模式的に示す。半導体レーザ３２１ａ、３２１ｂの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍである。ビームスプリッタ３２２ａは、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約２５％透過させ、約７５％反射させる。また、ビームスプリッタ３２２ｂは、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
半導体レーザ３２１ｂからの出射光は、ビームスプリッタ３２２ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ３２２ａを殆んど全て透過し、ミラー３２４で反射し、波長板３２５で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ３２６でＤＶＤ規格のディスク３２７上に集光される。ディスク３２７からの反射光は対物レンズ３２６を逆向きに通り、波長板３２５で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー３２４で反射し、ビームスプリッタ３２２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ３２２ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器３２３で受光される。
半導体レーザ３２１ａからの出射光は、ビームスプリッタ３２２ａにＳ偏光として入射して約７５％が反射し、ミラー３２４で反射し、波長板３２５で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ３２６でＣＤ規格のディスク３２７上に集光される。ディスク３２７からの反射光は対物レンズ３２６を逆向きに通り、波長板３２５で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー３２４で反射し、ビームスプリッタ３２２ａにＰ偏光として入射して約２５％が透過し、ビームスプリッタ３２２ｂを殆んど全て透過し、光検出器３２３で受光される。
特開２００１−４３５５９号公報 特開２００３−１２３３０５号公報
図８３に示す従来の光ヘッド装置においては、波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍのいずれの光も、往路ではモジュール内のホログラム光学素子を透過する際に光量の損失が生じ、復路ではモジュール内のホログラム光学素子で回折する際に光量の損失が生じる。往路での透過率と復路での回折効率の積が最大になる条件においても、前者は５０％、後者は４０．５％にしかならない。往路での光量の損失は記録時の光出力の低下を招き、復路での光量の損失は再生時のＳ／Ｎの低下を招く。次世代規格のディスクに対しては、記録時の光出力、再生時のＳ／Ｎのどちらも余裕がないため、これらは深刻な課題となる。ＤＶＤ規格のディスクに対しても、記録時の光出力、再生時のＳ／Ｎのどちらも十分に余裕があるとは言えないため、これらは深刻な課題となり得る。なお、ＣＤ規格のディスクに対しては、記録時の光出力、再生時のＳ／Ｎのどちらも余裕があるため、これらは深刻な課題とはならない。
一方、図８４に示す従来の光ヘッド装置においては、波長６６０ｎｍの光は、往路ではビームスプリッタ３２２ｂで反射する際、ビームスプリッタ３２２ａを透過する際に光量の損失が殆んど生じず、復路ではビームスプリッタ３２２ａ、３２２ｂを透過する際に光量の損失が殆んど生じない。従って、ＤＶＤ規格のディスクに対しては、記録時には高い光出力が得られ、再生時には高いＳ／Ｎが得られる。また、波長７８０ｎｍの光は、往路ではビームスプリッタ３２２ａで偏光状態に殆んど依存せずに所定の比率で反射し、復路ではビームスプリッタ３２２ａ、３２２ｂを偏光状態に殆んど依存せずに所定の比率で透過する。従って、ＣＤ規格のディスクに対しては、ディスクの複屈折が変動し、ディスクからの反射光の偏光状態が変動しても、光検出器で受光される光量は殆んど変動しない。
光ヘッド装置の光学系によっては、ディスクの複屈折の変動により光検出器で受光される光量が変動する場合がある。光量が少なすぎると後段の回路で十分なＳ／Ｎが得られず、光量が多すぎると後段の回路が飽和してしまう。ＣＤ規格のディスクに対しては、ディスクの複屈折の変動が大きいため、これは深刻な課題となる。図８４に示す従来の光ヘッド装置においては、この課題は解決されている。ＤＶＤ規格のディスクに対しても、ディスクの複屈折の変動が十分に小さいとは言えないため、これは深刻な課題となり得る。図８４に示す従来の光ヘッド装置においては、この課題は解決されていない。なお、次世代規格のディスクに対しては、ディスクの複屈折の変動が小さいため、これは深刻な課題とはならない。しかし、図８４に示す従来の光ヘッド装置においては、次世代規格のディスクに対して記録や再生を行うことはできない。
本発明の目的は、従来の光ヘッド装置における上に述べた課題を解決し、第一、第二、および第三の波長の光を使用するいずれの光記録媒体に対しても記録や再生を行うことができると共に、次世代規格のディスクなどの第一の波長の光を使用する光記録媒体を含む少なくとも一種類の光記録媒体に対しては、記録時には高い光出力が得られ、再生時には高いＳ／Ｎが得られ、ＣＤ規格のディスクなどの第三の波長の光を使用する光記録媒体を含む少なくとも一種類の光記録媒体に対しては、ディスクの複屈折が変動しても光検出器で受光される光量が殆んど変動しない光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置を提供することにある。
本発明の光ヘッド装置は、第一の波長の光を出射する第一の光源と、第二の波長の光を出射する第二の光源と、第三の波長の光を出射する第三の光源と、光記録媒体で反射した前記第一、第二、および第三の波長の光を受光する少なくとも一つの光検出器と、前記光記録媒体に対向して配置される対物レンズと、前記第一、第二、および第三の光源から前記対物レンズへ向かう前記第一、第二、および第三の波長の光、前記対物レンズから前記光検出器へ向かう前記第一、第二、および第三の波長の光を合成／分離する合分波光学系とを有する光ヘッド装置において、前記合分波光学系は、前記第一、第二、および第三の波長の光のうち、前記第一の波長を含む少なくとも一つの波長の光に関しては、前記第一の光源の側から入射する光をその入射光量の５０％より多い光量で前記対物レンズの側へ出射し、かつ、前記対物レンズの側から入射する光をその入射光量の５０％より多い光量で前記光検出器の側へ出射すると共に、前記第一、第二、および第三の波長の光のうち、前記第三の波長を含む少なくとも一つの波長の光に関しては、前記対物レンズの側から入射する光をその偏光状態に実質的に依存せずに所定の比率で前記光検出器の側へ出射することを特徴とする。
また、本発明の光学式情報記録再生装置は、本発明の光ヘッド装置と、前記第一、第二、および第三の光源を駆動する第一の回路系と、前記光検出器の出力から再生信号および誤差信号を生成する第二の回路系と、前記対物レンズを前記誤差信号に基づいて駆動する第三の回路系とを有することを特徴とする。
本発明の光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置においては、第一の波長の光を含む少なくとも一つの波長の光は、往路、復路の両方で合分波光学系を通る際に光量の損失が５０％未満しか生じない。また、第三の波長の光を含む少なくとも一つの波長の光は、復路で合分波光学系を偏光状態に殆んど依存せずに所定の比率で通る。従って、本発明によれば、第一、第二、および第三の波長をそれぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、および７８０ｎｍとすることで、次世代規格（ＡＯＤ規格、ＢＲＤ規格等）、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができると共に、次世代規格のディスクに対しては、記録時には高い光出力が得られ、再生時には高いＳ／Ｎが得られ、ＣＤ規格のディスクに対しては、ディスクの複屈折が変動しても光検出器で受光される光量が殆んど変動しない光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置を実現できる。
上に述べたように、本発明の光ヘッド装置および光学式情報記録再生装置の効果は、第一、第二および第三の波長の光を使用するいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができると共に、第一の波長の光を使用するディスク（例えば、波長４００ｎｍの光を使用するＡＯＤ規格、ＢＲＤ規格等の次世代規格のディスク）に対しては、記録時には高い光出力が得られ、再生時には高いＳ／Ｎが得られ、第三の波長の光を使用するディスク（例えば、波長７８０ｎｍの光を使用するＣＤ規格のディスク）に対しては、ディスクの複屈折が変動しても光検出器で受光される光量が殆んど変動しないことである。その理由は、第一の波長の光は、往路、復路の両方で合分波光学系を通る際に光量の損失が５０％未満しか生じず、第三の波長の光は、復路で合分波光学系を偏光状態に殆んど依存せずに所定の比率で通るためである。
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
最初に、本発明の光ヘッド装置に用いられる合分波光学系を構成するビームスプリッタおよび波長板の特性について説明する。
１．ビームスプリッタの特性
まず、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの特性について説明する。ビームスプリッタの構成としては、二つの三角柱状のガラスが立方体状に貼り合わされ、その貼り合わせ面に誘電体多層膜が形成された構成、平板状のガラスの表面に誘電体多層膜が形成された構成等が考えられる。複数のビームスプリッタを用いる場合、それらを一体化することも可能である。
図３８〜図７１に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタＡ〜Ｙ、ｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙの透過率の波長依存性をそれぞれ示す。図中の実線、点線はそれぞれＰ偏光成分（入射光と反射光が形成する面に平行な光波の電界成分）、Ｓ偏光成分（入射光と反射光が形成する面に垂直な光波の電界成分）に対する特性である。
ビームスプリッタは、Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる第一の波長範囲、Ｐ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させる偏光ビームスプリッタとしての第二の波長範囲、Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる第三の波長範囲、Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を所定の比率で透過および反射させる無偏光ビームスプリッタとしての第四の波長範囲を有する。４００ｎｍの波長が第一、第二、第三のいずれかの波長範囲に含まれ、６６０ｎｍの波長が第一、第二、第三、第四のいずれかの波長範囲に含まれ、７８０ｎｍの波長が第一、第三、第四のいずれかの波長範囲に含まれるように誘電体多層膜を設計することができる。
ここで、「殆んど全て」とは例えば９０％以上を意味する。また、「所定の比率」とは例えば透過率が５０％、反射率が５０％を意味するが、透過率が７５％、反射率が２５％であっても良く、透過率が２５％、反射率が７５％であっても良い。さらに、所定の比率がＰ偏光成分とＳ偏光成分で厳密に同じである必要はなく、例えばＰ偏光成分については透過率が５５％、反射率が４５％、Ｓ偏光成分については透過率が４５％、反射率が５５％であっても良い。Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の透過率の比および反射率の比が０．５〜２の範囲内であれば、ディスクの複屈折が変動しても光検出器で受光される光量は半分以下に減少することはなく、２倍以上に増加することもない。この程度の変動であれば、後段の回路での対応は可能であるため実用上問題にはならない。
（ビームスプリッタＡ）
ビームスプリッタＡは、図３８に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＢ）
ビームスプリッタＢは、図３９に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＣ）
ビームスプリッタＣは、図４０に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＤ）
ビームスプリッタＤは、図４１に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＥ）
ビームスプリッタＥは、図４２に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＦ）
ビームスプリッタＦは、図４３に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＧ）
ビームスプリッタＧは、図４４に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＨ）
ビームスプリッタＨは、図４５に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＩ）
ビームスプリッタＩは、図４６に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＪ）
ビームスプリッタＪは、図４７に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＫ）
ビームスプリッタＫは、図４８に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＬ）
ビームスプリッタＬは、図４９に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＭ）
ビームスプリッタＭは、図５０に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＮ）
ビームスプリッタＮは、図５１に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＯ）
ビームスプリッタＯは、図５２に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＰ）
ビームスプリッタＰは、図５３に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＱ）
ビームスプリッタＱは、図５４に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＲ）
ビームスプリッタＲは、図５５に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＳ）
ビームスプリッタＳは、図５６に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＴ）
ビームスプリッタＴは、図５７に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＵ）
ビームスプリッタＵは、図５８に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタＶ）
ビームスプリッタＶは、図５９に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＷ）
ビームスプリッタＷは、図６０に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタＸ）
ビームスプリッタＸは、図６１に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタＹ）
ビームスプリッタＹは、図６２に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタｈ）
ビームスプリッタｈは、図６３に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタｋ）
ビームスプリッタｋは、図６４に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタｏ）
ビームスプリッタｏは、図６５に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタｐ）
ビームスプリッタｐは、図６６に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタｓ）
ビームスプリッタｓは、図６７に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタｕ）
ビームスプリッタｕは、図６８に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て透過させる。
（ビームスプリッタｖ）
ビームスプリッタｖは、図６９に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
（ビームスプリッタｘ）
ビームスプリッタｘは、図７０に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を殆んど全て反射させる。
（ビームスプリッタｙ）
ビームスプリッタｙは、図７１に示すように、波長４００ｎｍの光についてはＰ偏光成分を殆んど全て透過させ、Ｓ偏光成分を殆んど全て反射させ、波長６６０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させ、波長７８０ｎｍの光についてはＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を約５０％透過させ、約５０％反射させる。
以上説明したビームスプリッタＡ〜Ｙ、ｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙの特性を表１及び表２に示す。
Figure 2005149689
Figure 2005149689
 ２．波長板の特性
次に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる波長板（後述の図１〜図３７、図８２中の波長板２０２に対応する）の特性について説明する。本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる波長板は、波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する広帯域の１／４波長板である。このような広帯域の１／４波長板としては、例えば特開平５−１００１１４号公報に記載の１／４波長板がある。
本発明の光ヘッド装置の実施の形態においては、波長４００ｎｍの光に対する偏光ビームスプリッタ、波長６６０ｎｍの光に対する偏光ビームスプリッタまたは無偏光ビームスプリッタ、波長７８０ｎｍの光に対する無偏光ビームスプリッタを含む少なくとも一つのビームスプリッタと、波長板の組み合わせにより合分波光学系が構成される。波長板は、合分波光学系内で対物レンズに最も近い位置に設けられている。
これにより、波長４００ｎｍの光については、ビームスプリッタへの入射光はＰ偏光成分、Ｓ偏光成分のどちらか一方のみを有する。波長６６０ｎｍの光についても、偏光ビームスプリッタと波長板を組み合わせる場合、ビームスプリッタへの入射光はＰ偏光成分、Ｓ偏光成分のどちらか一方のみを有する。ビームスプリッタがＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を透過または反射させる場合、ビームスプリッタを透過またはビームスプリッタで反射したＰ偏光成分とＳ偏光成分の間には一般に位相差が生じる。このため、ビームスプリッタへの入射光がＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を有すると、ビームスプリッタを透過またはビームスプリッタで反射する際に偏光状態が乱され、合分波光学系は正しく機能しない。しかし、ビームスプリッタへの入射光がＰ偏光成分、Ｓ偏光成分のどちらか一方のみを有すると、ビームスプリッタを透過またはビームスプリッタで反射する際に偏光状態が乱されず、合分波光学系は正しく機能する。一方、波長７８０ｎｍの光については、ディスクに複屈折があると、ビームスプリッタへの入射光はＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を有する。波長６６０ｎｍの光についても、無偏光ビームスプリッタを用いる場合、ディスクに複屈折があると、ビームスプリッタへの入射光はＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の両方を有する。このため、ビームスプリッタを透過またはビームスプリッタで反射する際に偏光状態が乱される。しかし、合分波光学系の特性は偏光状態に殆んど依存しないため、偏光状態が乱されても合分波光学系は正しく機能する。
このとき、波長４００ｎｍ、６６０ｎｍの光については、偏光ビームスプリッタと波長板を組み合わせることにより、往路、復路の両方で合分波光学系を通る際の効率を５０％より高くすることができる。また、波長６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光については、無偏光ビームスプリッタを用いることにより、復路で合分波光学系を通る際の効率を偏光状態に殆んど依存しないようにすることができる。さらに、波長板を用いることにより、ディスクに複屈折がない場合、ディスクで反射して光源へ戻る光は光源からの出射光と偏光方向が直交するため、両者の干渉に起因する光源の雑音を抑制することができる。
以下、上記特性を持つ合分波光学系（ビームスプリッタおよび波長板）を用いた本発明の光ヘッド装置の実施の形態を図面を参照して説明する。
ここで、次世代規格（ＡＯＤ規格、ＢＲＤ規格等）、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うことができる光ヘッド装置には、次世代規格用の波長４００ｎｍの光源、ＤＶＤ規格用の波長６６０ｎｍの光源、ＣＤ規格用の波長７８０ｎｍの光源、次世代規格用の光検出器、ＤＶＤ規格用の光検出器、ＣＤ規格用の光検出器、すなわち３個の光源と３個の光検出器が必要である。この光ヘッド装置を小型化するためには、これらをできるだけ集積化または共通化することが望ましい。具体的には、光源と光検出器をモジュールとして集積化する方法、複数個の光源を集積化する方法、複数個の光検出器を共通化する方法が考えられる。なお、以下の各実施の形態では、光源として半導体レーザを用いた場合を説明する。
３．第一〜第四の実施の形態（タイプ１）
本発明の光ヘッド装置の第一〜第四の実施の形態は、３個の光源と２個の光検出器を有する形態である。
（第一の実施の形態）
図１に、本発明の光ヘッド装置の第一の実施の形態を示す。半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１ｃからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５１ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５１ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５１ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０１ｂで受光される。
半導体レーザ１ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５１ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０１ａで受光される。
半導体レーザ１ａからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５１ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５１ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１０１ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１ｃと光検出器１０１ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１ａ、１ｂのいずれか一つと光検出器１０１ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ１ａと光検出器１０１ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５１ｂで反射した光がビームスプリッタ５１ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５１ｂとビームスプリッタ５１ｃの間に挿入される。
半導体レーザ１ｂと光検出器１０１ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１ａから出射し、ビームスプリッタ５１ｃを透過した光がビームスプリッタ５１ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５１ｃとビームスプリッタ５１ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第一の実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、光検出器１０１ｂを半導体レーザ１ｃの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１０１ａを半導体レーザ１ａ、１ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二の実施の形態）
図２に、本発明の光ヘッド装置の第二の実施の形態を示す。半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ２ｃからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５２ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５２ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５２ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０２ｂで受光される。
半導体レーザ２ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５２ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５２ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５２ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５２ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０２ａで受光される。
半導体レーザ２ａからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５２ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５２ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５２ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５２ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５２ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１０２ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ２ｃと光検出器１０２ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ２ａ、２ｂのいずれか一つと光検出器１０２ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ２ａと光検出器１０２ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ２ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５２ｂを透過した光がビームスプリッタ５２ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５２ｂとビームスプリッタ５２ｃの間に挿入される。
半導体レーザ２ｂと光検出器１０２ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ２ａから出射し、ビームスプリッタ５２ｃで反射した光がビームスプリッタ５２ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５２ｃとビームスプリッタ５２ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二の実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、光検出器１０２ｂを半導体レーザ２ｃの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１０２ａを半導体レーザ２ａ、２ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第三の実施の形態）
図３に、本発明の光ヘッド装置の第三の実施の形態を示す。半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ３ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５３ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５３ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５３ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０３ａで受光される。
半導体レーザ３ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５３ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５３ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５３ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０３ｂで受光される。
半導体レーザ３ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５３ｄにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５３ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５３ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ｄにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１０３ｂで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ３ａと光検出器１０３ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ３ｂ、３ｃのいずれか一つと光検出器１０３ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ３ｂと光検出器１０３ｂを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ３ｃから出射し、ビームスプリッタ５３ｄで反射した光がビームスプリッタ５３ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５３ｄとビームスプリッタ５３ｃの間に挿入される。
半導体レーザ３ｃと光検出器１０３ｂを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ３ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５３ｃを透過した光がビームスプリッタ５３ｄで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５３ｃとビームスプリッタ５３ｄの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第三の実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、光検出器１０３ａを半導体レーザ３ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１０３ｂを半導体レーザ３ｂ、３ｃの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第四の実施の形態）
図４に、本発明の光ヘッド装置の第四の実施の形態を示す。半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ４ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５４ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５４ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５４ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０４ａで受光される。
半導体レーザ４ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５４ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５４ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５４ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０４ｂで受光される。
半導体レーザ４ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５４ｄにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５４ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５４ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５４ｄにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１０４ｂで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ４ａと光検出器１０４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ４ｂ、４ｃのいずれか一つと光検出器１０４ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ４ｂと光検出器１０４ｂを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ４ｃから出射し、ビームスプリッタ５４ｄを透過した光がビームスプリッタ５４ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５４ｄとビームスプリッタ５４ｃの間に挿入される。
半導体レーザ４ｃと光検出器１０４ｂを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ４ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５４ｃで反射した光がビームスプリッタ５４ｄを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５４ｃとビームスプリッタ５４ｄの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第四の実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、光検出器１０４ａを半導体レーザ４ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１０４ｂを半導体レーザ４ｂ、４ｃの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
４．第五〜第九の実施の形態（タイプ２）
本発明の光ヘッド装置の第五〜第九の実施の形態は、３個の光源と１個の光検出器を有する形態である。
（第五の実施の形態）
図５に、本発明の光ヘッド装置の第五の実施の形態を示す。半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｓ、Ｔ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ５ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５５ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５５ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０５ａで受光される。
半導体レーザ５ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５５ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５５ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０５ａで受光される。
半導体レーザ５ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５５ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５５ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１０５ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＨが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｓ、Ｔ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＨが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＨが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｕのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃのいずれか一つと光検出器１０５ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ５ｃと光検出器１０５ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５５ｂを透過した光がビームスプリッタ５５ｃで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５５ｂとビームスプリッタ５５ｃの間に挿入される。
半導体レーザ５ｂと光検出器１０５ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ５ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５５ａを透過した光がビームスプリッタ５５ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５５ａとビームスプリッタ５５ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ５ｃから出射し、ビームスプリッタ５５ｃで反射した光がビームスプリッタ５５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５５ｃとビームスプリッタ５５ｂの間に挿入される。
半導体レーザ５ａと光検出器１０５ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ５ｂから出射し、ビームスプリッタ５５ｂで反射した光がビームスプリッタ５５ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５５ｂとビームスプリッタ５５ａの間に挿入される。また、半導体レーザ５ｃから出射し、ビームスプリッタ５５ｃで反射した光がビームスプリッタ５５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５５ｃとビームスプリッタ５５ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第五の実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
（第六の実施の形態）
図６に、本発明の光ヘッド装置の第六の実施の形態を示す。半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ６ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０６ａで受光される。
半導体レーザ６ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５６ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０６ａで受光される。
半導体レーザ６ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５６ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５６ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１０６ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＫが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＫが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＫが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｘのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃのいずれか一つと光検出器１０６ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ６ｃと光検出器１０６ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５６ｂで反射した光がビームスプリッタ５６ｃを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５６ｂとビームスプリッタ５６ｃの間に挿入される。
半導体レーザ６ｂと光検出器１０６ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ６ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５６ａで反射した光がビームスプリッタ５６ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５６ａとビームスプリッタ５６ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ６ｃから出射し、ビームスプリッタ５６ｃを透過した光がビームスプリッタ５６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５６ｃとビームスプリッタ５６ｂの間に挿入される。
半導体レーザ６ａと光検出器１０６ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ６ｂから出射し、ビームスプリッタ５６ｂを透過した光がビームスプリッタ５６ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５６ｂとビームスプリッタ５６ａの間に挿入される。また、半導体レーザ６ｃから出射し、ビームスプリッタ５６ｃを透過した光がビームスプリッタ５６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５６ｃとビームスプリッタ５６ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第六の実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
（第七の実施の形態）
図７に、本発明の光ヘッド装置の第七の実施の形態を示す。半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
半導体レーザ７ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５７ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５７ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５７ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０７ａで受光される。
半導体レーザ７ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５７ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５７ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５７ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０７ａで受光される。
ビームスプリッタ５７ｃとしてビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかを用いる場合は、半導体レーザ７ｂから出射し、ビームスプリッタ５７ｃを透過した光がビームスプリッタ５７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、ビームスプリッタ５７ｃとビームスプリッタ５７ｂの間に挿入される。
半導体レーザ７ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５７ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５７ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５７ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１０７ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＨが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＨが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＵが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＵが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、Ｋ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃのいずれか一つと光検出器１０７ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ７ｃと光検出器１０７ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ７ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５７ａを透過した光がビームスプリッタ５７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５７ａとビームスプリッタ５７ｂの間に挿入される。
半導体レーザ７ｂと光検出器１０７ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ７ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５７ａを透過した光がビームスプリッタ５７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５７ａとビームスプリッタ５７ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ７ａ、７ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５７ｂで反射した光がビームスプリッタ５７ｃを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５７ｂとビームスプリッタ５７ｃの間に挿入される。
半導体レーザ７ａと光検出器１０７ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ７ｂから出射し、ビームスプリッタ５７ｃを透過した光がビームスプリッタ５７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５７ｃとビームスプリッタ５７ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ７ｂ、７ｃから出射し、ビームスプリッタ５７ｂで反射した光がビームスプリッタ５７ａを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５７ｂとビームスプリッタ５７ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第七の実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
（第八の実施の形態）
図８に、本発明の光ヘッド装置の第八の実施の形態を示す。半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＶ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
半導体レーザ８ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５８ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５８ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５８ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０８ａで受光される。
半導体レーザ８ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５８ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５８ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５８ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０８ａで受光される。
ビームスプリッタ５８ｃとしてビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかを用いる場合は、半導体レーザ８ｂから出射し、ビームスプリッタ５８ｃで反射した光がビームスプリッタ５８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、ビームスプリッタ５８ｃとビームスプリッタ５８ｂの間に挿入される。
半導体レーザ８ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５８ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５８ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５８ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１０８ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＶ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＫが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＷ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＫが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＷ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＸが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｋ、Ｐ、Ｖ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＸが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃのいずれか一つと光検出器１０８ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ８ｃと光検出器１０８ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ８ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５８ａで反射した光がビームスプリッタ５８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５８ａとビームスプリッタ５８ｂの間に挿入される。
半導体レーザ８ｂと光検出器１０８ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ８ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５８ａで反射した光がビームスプリッタ５８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５８ａとビームスプリッタ５８ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ８ａ、８ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５８ｂを透過した光がビームスプリッタ５８ｃで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５８ｂとビームスプリッタ５８ｃの間に挿入される。
半導体レーザ８ａと光検出器１０８ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ８ｂから出射し、ビームスプリッタ５８ｃで反射した光がビームスプリッタ５８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５８ｃとビームスプリッタ５８ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ８ｂ、８ｃから出射し、ビームスプリッタ５８ｂを透過した光がビームスプリッタ５８ａで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５８ｂとビームスプリッタ５８ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第八の実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
（第九の実施の形態）
図９に、本発明の光ヘッド装置の第九の実施の形態を示す。半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＵが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、Ｋ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｓ、Ｔ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ９ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５９ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５９ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５９ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５９ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０９ａで受光される。
半導体レーザ９ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５９ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５９ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５９ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５９ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０９ａで受光される。
ビームスプリッタ５９ｂとしてビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかを用いる場合は、半導体レーザ９ｂから出射し、ビームスプリッタ５９ｂを透過した光がビームスプリッタ５９ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、ビームスプリッタ５９ｂとビームスプリッタ５９ａの間に挿入される。
半導体レーザ９ｃからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５９ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５９ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５９ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５９ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１０９ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＴが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＵが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｓ、Ｔ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＳが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＴが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＳが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｕのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃのいずれか一つと光検出器１０９ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ９ａと光検出器１０９ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ９ｃから出射し、ビームスプリッタ５９ｃで反射した光がビームスプリッタ５９ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５９ｃとビームスプリッタ５９ａの間に挿入される。
半導体レーザ９ｂと光検出器１０９ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ９ｃから出射し、ビームスプリッタ５９ｃで反射した光がビームスプリッタ５９ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５９ｃとビームスプリッタ５９ａの間に挿入される。また、半導体レーザ９ｂ、９ｃから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５９ａで反射した光がビームスプリッタ５９ｂを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５９ａとビームスプリッタ５９ｂの間に挿入される。
半導体レーザ９ｃと光検出器１０９ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ９ｂから出射し、ビームスプリッタ５９ｂを透過した光がビームスプリッタ５９ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５９ｂとビームスプリッタ５９ａの間に挿入される。また、半導体レーザ９ａ、９ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ５９ａを透過した光がビームスプリッタ５９ｃで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ５９ａとビームスプリッタ５９ｃの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第九の実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
５．第十の実施の形態（タイプ３）
本発明の光ヘッド装置の第十の実施の形態は、２個の光源と２個の光検出器を有する形態である。但し、２個の光源のうち１個は、２個の光源を集積化した光源である。
図１０に、本発明の光ヘッド装置の第十の実施の形態を示す。半導体レーザ１０ｂは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。半導体レーザ１０ａの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１０ｂの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６０ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６０ｃとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１０ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６０ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６０ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６０ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６０ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１０ａで受光される。
半導体レーザ１０ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６０ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６０ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１０ｂで受光される。
半導体レーザ１０ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６０ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６０ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１０ｂで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１０ａの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１０ｂの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６０ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６０ｃとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１０ａの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１０ｂの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６０ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６０ｃとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１０ａと光検出器１１０ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１０ｂと光検出器１１０ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第十の実施の形態においては、半導体レーザ１０ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１０ａに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、光検出器１１０ａを半導体レーザ１０ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１０ｂを半導体レーザ１０ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
６．第十一〜第十二の実施の形態（タイプ４）
本発明の光ヘッド装置の第十一〜第十二の実施の形態は、２個の光源と１個の光検出器を有する形態である。但し、２個の光源のうち１個は、２個の光源を集積化した光源である。
（第十一の実施の形態）
図１１に、本発明の光ヘッド装置の第十一の実施の形態を示す。半導体レーザ１１ｂは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。半導体レーザ１１ａの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１１ｂの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１１ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６１ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６１ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６１ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１１ａで受光される。
半導体レーザ１１ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６１ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６１ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６１ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６１ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１１ａで受光される。
半導体レーザ１１ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６１ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６１ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６１ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６１ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１１ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＨが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＵが用いられる。
さらに、半導体レーザ１１ａ、１１ｂのいずれか一つと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ１１ｂと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１１ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６１ａを透過した光がビームスプリッタ６１ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６１ａとビームスプリッタ６１ｂの間に挿入される。
半導体レーザ１１ａと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１１ｂから出射し、ビームスプリッタ６１ｂで反射した光がビームスプリッタ６１ａを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６１ｂとビームスプリッタ６１ａの間に挿入される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａの波長を６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＳが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＴが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＵが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｓ、Ｔ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａ、１１ｂのいずれか一つと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ１１ｂと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１１ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６１ａを透過した光がビームスプリッタ６１ｂで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６１ａとビームスプリッタ６１ｂの間に挿入される。
半導体レーザ１１ａと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１１ｂから出射し、ビームスプリッタ６１ｂで反射した光がビームスプリッタ６１ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６１ｂとビームスプリッタ６１ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第十一の実施の形態においては、半導体レーザ１１ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１１ａに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が３個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
（第十二の実施の形態）
図１２に、本発明の光ヘッド装置の第十二の実施の形態を示す。半導体レーザ１２ｂは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。半導体レーザ１２ａの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１２ｂの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＶ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１２ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６２ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６２ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６２ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１２ａで受光される。
半導体レーザ１２ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６２ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６２ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６２ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１２ａで受光される。
半導体レーザ１２ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６２ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６２ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６２ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１１２ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＫが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＷ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＸが用いられる。
さらに、半導体レーザ１２ａ、１２ｂのいずれか一つと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ１２ｂと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６２ａで反射した光がビームスプリッタ６２ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６２ａとビームスプリッタ６２ｂの間に挿入される。
半導体レーザ１２ａと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１２ｂから出射し、ビームスプリッタ６２ｂを透過した光がビームスプリッタ６２ａで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６２ｂとビームスプリッタ６２ａの間に挿入される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａの波長を６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＶが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＷが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＸが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａ、１２ｂのいずれか一つと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
半導体レーザ１２ｂと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６２ａで反射した光がビームスプリッタ６２ｂを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６２ａとビームスプリッタ６２ｂの間に挿入される。
半導体レーザ１２ａと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態においては、半導体レーザ１２ｂから出射し、ビームスプリッタ６２ｂを透過した光がビームスプリッタ６２ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６２ｂとビームスプリッタ６２ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第十二の実施の形態においては、半導体レーザ１２ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１２ａに高い放熱性を持たせることができる。また、光源、光検出器を合わせた数が３個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
７．第十三の実施の形態（タイプ５）
本発明の光ヘッド装置の第十三の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器を有する形態である。但し、１個の光源は、３個の光源を集積化した光源である。
図１３に、本発明の光ヘッド装置の第十三の実施の形態を示す。半導体レーザ１３ａは３個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７３を参照して後述する。半導体レーザ１３ａの波長は４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６３ａとしてはビームスプリッタＹが用いられる。
半導体レーザ１３ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６３ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６３ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１３ａで受光される。
半導体レーザ１３ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６３ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６３ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１３ａで受光される。
半導体レーザ１３ａからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６３ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６３ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１３ａで受光される。
本発明の光ヘッド装置の第十三の実施の形態においては、光源、光検出器を合わせた数が２個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。
８．第十四〜第十九の実施の形態（タイプ６）
本発明の光ヘッド装置の第十四〜第十九の実施の形態は、２個の光源と２個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第十四の実施の形態）
図１４に、本発明の光ヘッド装置の第十四の実施の形態を示す。モジュール１６４ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１６４ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６４ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６４ａで殆んど全て反射し、モジュール１６４ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ１４ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６４ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６４ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１４ａで受光される。
半導体レーザ１４ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６４ｄにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６４ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６４ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６４ｄにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１４ｂで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１４ａと光検出器１１４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１４ｂと光検出器１１４ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第十四の実施の形態においては、半導体レーザ１４ａ、１４ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１４ａ、１４ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１６４ａ内の光検出器をモジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１４ａ、１１４ｂを、それぞれ半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第十五の実施の形態）
図１５に、本発明の光ヘッド装置の第十五の実施の形態を示す。モジュール１６５ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１６５ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６５ａを殆んど全て透過し、モジュール１６５ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ１５ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６５ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６５ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６５ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６５ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１５ａで受光される。
半導体レーザ１５ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６５ｄにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６５ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６５ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６５ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６５ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６５ｄにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１１５ｂで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１５ａと光検出器１１５ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１５ｂと光検出器１１５ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第十五の実施の形態においては、半導体レーザ１５ａ、１５ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１５ａ、１５ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１６５ａ内の光検出器をモジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１５ａ、１１５ｂを、それぞれ半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第十六の実施の形態）
図１６に、本発明の光ヘッド装置の第十六の実施の形態を示す。モジュール１６６ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１６ｂからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６６ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６６ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６６ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１６ｂで受光される。
半導体レーザ１６ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６６ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１６ａで受光される。
モジュール１６６ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６６ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６６ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ｃを殆んど全て透過し、モジュール１６６ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｈ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１６ｂと光検出器１１６ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６６ａ、半導体レーザ１６ａ、光検出器１１６ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１６６ａ、半導体レーザ１６ａ、光検出器１１６ａをそれぞれ光検出器１１６ａ、半導体レーザ１６ａ、モジュール１６６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１６ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６６ｂで反射した光がビームスプリッタ６６ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６６ｂとビームスプリッタ６６ｃの間に挿入される。
モジュール１６６ａ、半導体レーザ１６ａ、光検出器１１６ａをそれぞれ半導体レーザ１６ａ、光検出器１１６ａ、モジュール１６６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１６ａから出射し、ビームスプリッタ６６ｃを透過した光がビームスプリッタ６６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６６ｃとビームスプリッタ６６ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第十六の実施の形態においては、半導体レーザ１６ａ、１６ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１６ａ、１６ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１６６ａ内の光検出器をモジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１６ａ、１１６ｂを、それぞれ半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第十七の実施の形態）
図１７に、本発明の光ヘッド装置の第十七の実施の形態を示す。モジュール１６７ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１７ｂからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６７ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６７ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１７ｂで受光される。
半導体レーザ１７ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６７ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６７ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６７ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６７ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６７ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１７ａで受光される。
モジュール１６７ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６７ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６７ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６７ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６７ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６７ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６７ｃで殆んど全て反射し、モジュール１６７ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｋ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１７ｂと光検出器１１７ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６７ａ、半導体レーザ１７ａ、光検出器１１７ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１６７ａ、半導体レーザ１７ａ、光検出器１１７ａをそれぞれ光検出器１１７ａ、半導体レーザ１７ａ、モジュール１６７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１７ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６７ｂを透過した光がビームスプリッタ６７ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６７ｂとビームスプリッタ６７ｃの間に挿入される。
モジュール１６７ａ、半導体レーザ１７ａ、光検出器１１７ａをそれぞれ半導体レーザ１７ａ、光検出器１１７ａ、モジュール１６７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１７ａから出射し、ビームスプリッタ６７ｃで反射した光がビームスプリッタ６７ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６７ｃとビームスプリッタ６７ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第十七の実施の形態においては、半導体レーザ１７ａ、１７ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１７ａ、１７ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１６７ａ内の光検出器をモジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１７ａ、１１７ｂを、それぞれ半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第十八の実施の形態）
図１８に、本発明の光ヘッド装置の第十八の実施の形態を示す。モジュール１６８ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍである。ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１８ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６８ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６８ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１８ａで受光される。
半導体レーザ１８ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６８ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６８ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６８ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１８ｂで受光される。
モジュール１６８ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６８ｄで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６８ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６８ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ｄで殆んど全て反射し、モジュール１６８ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｋ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１８ａと光検出器１１８ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６８ａ、半導体レーザ１８ｂ、光検出器１１８ｂを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１６８ａ、半導体レーザ１８ｂ、光検出器１１８ｂをそれぞれ光検出器１１８ｂ、半導体レーザ１８ｂ、モジュール１６８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１８ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６８ｃを透過した光がビームスプリッタ６８ｄで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６８ｃとビームスプリッタ６８ｄの間に挿入される。
モジュール１６８ａ、半導体レーザ１８ｂ、光検出器１１８ｂをそれぞれ半導体レーザ１８ｂ、光検出器１１８ｂ、モジュール１６８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１８ｂから出射し、ビームスプリッタ６８ｄで反射した光がビームスプリッタ６８ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６８ｄとビームスプリッタ６８ｃの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第十八の実施の形態においては、半導体レーザ１８ａ、１８ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１８ａ、１８ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１６８ａ内の光検出器をモジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１８ａ、１１８ｂを、それぞれ半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第十九の実施の形態）
図１９に、本発明の光ヘッド装置の第十九の実施の形態を示す。モジュール１６９ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
半導体レーザ１９ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６９ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６９ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６９ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６９ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１９ａで受光される。
半導体レーザ１９ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６９ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６９ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６９ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６９ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６９ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１９ｂで受光される。
モジュール１６９ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６９ｄを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６９ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６９ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６９ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６９ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６９ｄを殆んど全て透過し、モジュール１６９ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｈ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１９ａと光検出器１１９ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６９ａ、半導体レーザ１９ｂ、光検出器１１９ｂを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１６９ａ、半導体レーザ１９ｂ、光検出器１１９ｂをそれぞれ光検出器１１９ｂ、半導体レーザ１９ｂ、モジュール１６９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１９ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ６９ｃで反射した光がビームスプリッタ６９ｄを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６９ｃとビームスプリッタ６９ｄの間に挿入される。
モジュール１６９ａ、半導体レーザ１９ｂ、光検出器１１９ｂをそれぞれ半導体レーザ１９ｂ、光検出器１１９ｂ、モジュール１６９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ１９ｂから出射し、ビームスプリッタ６９ｄを透過した光がビームスプリッタ６９ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ６９ｄとビームスプリッタ６９ｃの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第十九の実施の形態においては、半導体レーザ１９ａ、１９ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ１９ａ、１９ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が５個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１６９ａ内の光検出器をモジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１１９ａ、１１９ｂを、それぞれ半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
９．第二十〜第二十四の実施の形態（タイプ７）
本発明の光ヘッド装置の第二十〜第二十四の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器と２個のモジュールを有する形態である。但し、２個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第二十の実施の形態）
図２０に、本発明の光ヘッド装置の第二十の実施の形態を示す。モジュール１７０ａ、１７０ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２０ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ２０ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７０ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７０ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７０ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７０ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２０ａで受光される。
モジュール１７０ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７０ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７０ｂで殆んど全て反射し、モジュール１７０ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１７０ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７０ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７０ａで殆んど全て反射し、モジュール１７０ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａをそれぞれモジュール１７０ａ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａ、モジュール１７０ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２０ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７０ｂを透過した光がビームスプリッタ７０ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７０ｂとビームスプリッタ７０ｃの間に挿入される。
モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａをそれぞれモジュール１７０ａ、光検出器１２０ａ、半導体レーザ２０ａ、モジュール１７０ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２０ａから出射し、ビームスプリッタ７０ｃで反射した光がビームスプリッタ７０ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７０ｃとビームスプリッタ７０ｂの間に挿入される。
モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａをそれぞれ半導体レーザ２０ａ、モジュール１７０ｂ、光検出器１２０ａ、モジュール１７０ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２０ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７０ｂを透過した光がビームスプリッタ７０ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７０ｂとビームスプリッタ７０ｃの間に挿入される。
モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａをそれぞれ光検出器１２０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、モジュール１７０ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２０ａから出射し、ビームスプリッタ７０ｃで反射した光がビームスプリッタ７０ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７０ｃとビームスプリッタ７０ｂの間に挿入される。
モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａをそれぞれ半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａ、モジュール１７０ａまたは１７０ｂ、モジュール１７０ｂまたは１７０ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２０ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７０ａを透過した光がビームスプリッタ７０ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７０ａとビームスプリッタ７０ｂの間に挿入される。
モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａをそれぞれ光検出器１２０ａ、半導体レーザ２０ａ、モジュール１７０ａまたは１７０ｂ、モジュール１７０ｂまたは１７０ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２０ａから出射し、ビームスプリッタ７０ｂで反射した光がビームスプリッタ７０ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７０ｂとビームスプリッタ７０ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十の実施の形態においては、半導体レーザ２０ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２０ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の光検出器を、それぞれモジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２０ａを半導体レーザ２０ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十一の実施の形態）
図２１に、本発明の光ヘッド装置の第二十一の実施の形態を示す。モジュール１７１ａ、１７１ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２１ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ２１ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７１ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７１ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７１ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７１ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１２１ａで受光される。
モジュール１７１ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７１ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７１ｂを殆んど全て透過し、モジュール１７１ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１７１ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７１ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７１ａを殆んど全て透過し、モジュール１７１ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａをそれぞれモジュール１７１ａ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａ、モジュール１７１ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２１ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７１ｂで反射した光がビームスプリッタ７１ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７１ｂとビームスプリッタ７１ｃの間に挿入される。
モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａをそれぞれモジュール１７１ａ、光検出器１２１ａ、半導体レーザ２１ａ、モジュール１７１ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２１ａから出射し、ビームスプリッタ７１ｃを透過した光がビームスプリッタ７１ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７１ｃとビームスプリッタ７１ｂの間に挿入される。
モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａをそれぞれ半導体レーザ２１ａ、モジュール１７１ｂ、光検出器１２１ａ、モジュール１７１ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２１ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７１ｂで反射した光がビームスプリッタ７１ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７１ｂとビームスプリッタ７１ｃの間に挿入される。
モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａをそれぞれ光検出器１２１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、モジュール１７１ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２１ａから出射し、ビームスプリッタ７１ｃを透過した光がビームスプリッタ７１ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７１ｃとビームスプリッタ７１ｂの間に挿入される。
モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａをそれぞれ半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａ、モジュール１７１ａまたは１７１ｂ、モジュール１７１ｂまたは１７１ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２１ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７１ａで反射した光がビームスプリッタ７１ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７１ａとビームスプリッタ７１ｂの間に挿入される。
モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａをそれぞれ光検出器１２１ａ、半導体レーザ２１ａ、モジュール１７１ａまたは１７１ｂ、モジュール１７１ｂまたは１７１ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２１ａから出射し、ビームスプリッタ７１ｂを透過した光がビームスプリッタ７１ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７１ｂとビームスプリッタ７１ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十一の実施の形態においては、半導体レーザ２１ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２１ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の光検出器を、それぞれモジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２１ａを半導体レーザ２１ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十二の実施の形態）
図２２に、本発明の光ヘッド装置の第二十二の実施の形態を示す。モジュール１７２ａ、１７２ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２２ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ２２ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７２ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７２ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７２ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７２ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７２ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１２２ａで受光される。
モジュール１７２ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７２ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７２ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７２ｂを殆んど全て透過し、モジュール１７２ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１７２ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７２ａで殆んど全て反射し、モジュール１７２ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａをそれぞれモジュール１７２ａ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａ、モジュール１７２ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７２ｂで反射した光がビームスプリッタ７２ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ｂとビームスプリッタ７２ｃの間に挿入される。
モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａをそれぞれモジュール１７２ａ、光検出器１２２ａ、半導体レーザ２２ａ、モジュール１７２ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２２ａから出射し、ビームスプリッタ７２ｃを透過した光がビームスプリッタ７２ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ｃとビームスプリッタ７２ｂの間に挿入される。
モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａをそれぞれ半導体レーザ２２ａ、モジュール１７２ｂ、モジュール１７２ａ、光検出器１２２ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７２ａを透過した光がビームスプリッタ７２ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ａとビームスプリッタ７２ｂの間に挿入される。
モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａをそれぞれ光検出器１２２ａ、モジュール１７２ｂ、モジュール１７２ａ、半導体レーザ２２ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２２ａから出射し、ビームスプリッタ７２ｂで反射した光がビームスプリッタ７２ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ｂとビームスプリッタ７２ａの間に挿入される。
モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａをそれぞれ半導体レーザ２２ａ、モジュール１７２ｂ、光検出器１２２ａ、モジュール１７２ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７２ａを透過した光がビームスプリッタ７２ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ａとビームスプリッタ７２ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７２ｂで反射した光がビームスプリッタ７２ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ｂとビームスプリッタ７２ｃの間に挿入される。
モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａをそれぞれ光検出器１２２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、モジュール１７２ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２２ａから出射し、ビームスプリッタ７２ｃを透過した光がビームスプリッタ７２ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ｃとビームスプリッタ７２ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２２ａから出射し、ビームスプリッタ７２ｂで反射した光がビームスプリッタ７２ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７２ｂとビームスプリッタ７２ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十二の実施の形態においては、半導体レーザ２２ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２２ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の光検出器を、それぞれモジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２２ａを半導体レーザ２２ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十三の実施の形態）
図２３に、本発明の光ヘッド装置の第二十三の実施の形態を示す。モジュール１７３ａ、１７３ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２３ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ２３ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７３ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７３ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７３ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７３ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７３ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７３ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２３ａで受光される。
モジュール１７３ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７３ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７３ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７３ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７３ｂで殆んど全て反射し、モジュール１７３ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１７３ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７３ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７３ａを殆んど全て透過し、モジュール１７３ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａをそれぞれモジュール１７３ａ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａ、モジュール１７３ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２３ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７３ｂを透過した光がビームスプリッタ７３ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ｂとビームスプリッタ７３ｃの間に挿入される。
モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａをそれぞれモジュール１７３ａ、光検出器１２３ａ、半導体レーザ２３ａ、モジュール１７３ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２３ａから出射し、ビームスプリッタ７３ｃで反射した光がビームスプリッタ７３ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ｃとビームスプリッタ７３ｂの間に挿入される。
モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａをそれぞれ半導体レーザ２３ａ、モジュール１７３ｂ、モジュール１７３ａ、光検出器１２３ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２３ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７３ａで反射した光がビームスプリッタ７３ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ａとビームスプリッタ７３ｂの間に挿入される。
モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａをそれぞれ光検出器１２３ａ、モジュール１７３ｂ、モジュール１７３ａ、半導体レーザ２３ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２３ａから出射し、ビームスプリッタ７３ｂを透過した光がビームスプリッタ７３ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ｂとビームスプリッタ７３ａの間に挿入される。
モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａをそれぞれ半導体レーザ２３ａ、モジュール１７３ｂ、光検出器１２３ａ、モジュール１７３ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２３ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７３ａで反射した光がビームスプリッタ７３ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ａとビームスプリッタ７３ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２３ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７３ｂを透過した光がビームスプリッタ７３ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ｂとビームスプリッタ７３ｃの間に挿入される。
モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａをそれぞれ光検出器１２３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、モジュール１７３ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２３ａから出射し、ビームスプリッタ７３ｃで反射した光がビームスプリッタ７３ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ｃとビームスプリッタ７３ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２３ａから出射し、ビームスプリッタ７３ｂを透過した光がビームスプリッタ７３ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７３ｂとビームスプリッタ７３ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十三の実施の形態においては、半導体レーザ２３ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２３ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の光検出器を、それぞれモジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２３ａを半導体レーザ２３ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十四の実施の形態）
図２４に、本発明の光ヘッド装置の第二十四の実施の形態を示す。モジュール１７４ａ、１７４ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２４ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ２４ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７４ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７４ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２４ａで受光される。
モジュール１７４ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７４ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７４ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７４ｂを殆んど全て透過し、モジュール１７４ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１７４ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７４ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７４ｂで殆んど全て反射し、モジュール１７４ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ２４ａと光検出器１２４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１７４ａ、１７４ｂの一方と半導体レーザ２４ａを入れ替え、モジュール１７４ａ、１７４ｂの他方と光検出器１２４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第二十四の実施の形態においては、半導体レーザ２４ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２４ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の光検出器を、それぞれモジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２４ａを半導体レーザ２４ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
１０．第二十五〜第二十九の実施の形態（タイプ８）
本発明の光ヘッド装置の第二十五〜第二十九の実施の形態は、２個の光源と１個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第二十五の実施の形態）
図２５に、本発明の光ヘッド装置の第二十五の実施の形態を示す。モジュール１７５ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１７５ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７５ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７５ａで殆んど全て反射し、モジュール１７５ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ２５ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７５ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７５ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７５ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７５ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２５ａで受光される。
半導体レーザ２５ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７５ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ７５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７５ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７５ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１２５ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれモジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、光検出器１２５ａ、半導体レーザ２５ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７５ｂを透過した光がビームスプリッタ７５ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｂとビームスプリッタ７５ｃの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ半導体レーザ２５ａまたは２５ｂ、モジュール１７５ａ、光検出器１２５ａ、半導体レーザ２５ｂまたは２５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａまたは２５ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７５ｂを透過した光がビームスプリッタ７５ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｂとビームスプリッタ７５ｃの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ半導体レーザ２５ａまたは２５ｂ、光検出器１２５ａ、モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ｂまたは２５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａまたは２５ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７５ａを透過した光がビームスプリッタ７５ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ａとビームスプリッタ７５ｂの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ半導体レーザ２５ｂ、半導体レーザ２５ａ、光検出器１２５ａ、モジュール１７５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａ、２５ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７５ｂを透過した光がビームスプリッタ７５ｃで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｂとビームスプリッタ７５ｃの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれモジュール１７５ａ、光検出器１２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、半導体レーザ２５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ｂから出射し、ビームスプリッタ７５ｃで反射した光がビームスプリッタ７５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｃとビームスプリッタ７５ｂの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ光検出器１２５ａ、モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ｂ、半導体レーザ２５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ｂから出射し、ビームスプリッタ７５ｃで反射した光がビームスプリッタ７５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｃとビームスプリッタ７５ｂの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ光検出器１２５ａ、半導体レーザ２５ａ、モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａから出射し、ビームスプリッタ７５ｂで反射した光がビームスプリッタ７５ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｂとビームスプリッタ７５ａの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ光検出器１２５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、モジュール１７５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａから出射し、ビームスプリッタ７５ｂで反射した光がビームスプリッタ７５ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｂとビームスプリッタ７５ａの間に挿入される。また、半導体レーザ２５ｂから出射し、ビームスプリッタ７５ｃで反射した光がビームスプリッタ７５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｃとビームスプリッタ７５ｂの間に挿入される。
モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａをそれぞれ半導体レーザ２５ａ、光検出器１２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、モジュール１７５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２５ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７５ａを透過した光がビームスプリッタ７５ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ａとビームスプリッタ７５ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２５ｂから出射し、ビームスプリッタ７５ｃで反射した光がビームスプリッタ７５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７５ｃとビームスプリッタ７５ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十五の実施の形態においては、半導体レーザ２５ａ、２５ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２５ａ、２５ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７５ａ内の光検出器をモジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２５ａを半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十六の実施の形態）
図２６に、本発明の光ヘッド装置の第二十六の実施の形態を示す。モジュール１７６ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１７６ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７６ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７６ａを殆んど全て透過し、モジュール１７６ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ２６ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７６ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７６ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１２６ａで受光される。
半導体レーザ２６ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７６ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ７６ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７６ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７６ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１２６ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれモジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、光検出器１２６ａ、半導体レーザ２６ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７６ｂで反射した光がビームスプリッタ７６ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｂとビームスプリッタ７６ｃの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ半導体レーザ２６ａまたは２６ｂ、モジュール１７６ａ、光検出器１２６ａ、半導体レーザ２６ｂまたは２６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａまたは２６ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７６ｂで反射した光がビームスプリッタ７６ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｂとビームスプリッタ７６ｃの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ半導体レーザ２６ａまたは２６ｂ、光検出器１２６ａ、モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ｂまたは２６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａまたは２６ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７６ａで反射した光がビームスプリッタ７６ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ａとビームスプリッタ７６ｂの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ半導体レーザ２６ｂ、半導体レーザ２６ａ、光検出器１２６ａ、モジュール１７６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａ、２６ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７６ｂで反射した光がビームスプリッタ７６ｃを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｂとビームスプリッタ７６ｃの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれモジュール１７６ａ、光検出器１２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、半導体レーザ２６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ｂから出射し、ビームスプリッタ７６ｃを透過した光がビームスプリッタ７６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｃとビームスプリッタ７６ｂの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ光検出器１２６ａ、モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ｂ、半導体レーザ２６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ｂから出射し、ビームスプリッタ７６ｃを透過した光がビームスプリッタ７６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｃとビームスプリッタ７６ｂの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ光検出器１２６ａ、半導体レーザ２６ａ、モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａから出射し、ビームスプリッタ７６ｂを透過した光がビームスプリッタ７６ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｂとビームスプリッタ７６ａの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ光検出器１２６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、モジュール１７６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａから出射し、ビームスプリッタ７６ｂを透過した光がビームスプリッタ７６ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｂとビームスプリッタ７６ａの間に挿入される。また、半導体レーザ２６ｂから出射し、ビームスプリッタ７６ｃを透過した光がビームスプリッタ７６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｃとビームスプリッタ７６ｂの間に挿入される。
モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａをそれぞれ半導体レーザ２６ａ、光検出器１２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、モジュール１７６ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２６ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７６ａで反射した光がビームスプリッタ７６ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ａとビームスプリッタ７６ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２６ｂから出射し、ビームスプリッタ７６ｃを透過した光がビームスプリッタ７６ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７６ｃとビームスプリッタ７６ｂの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十六の実施の形態においては、半導体レーザ２６ａ、２６ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２６ａ、２６ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７６ａ内の光検出器をモジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２６ａを半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十七の実施の形態）
図２７に、本発明の光ヘッド装置の第二十七の実施の形態を示す。モジュール１７７ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
モジュール１７７ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７７ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７７ａで殆んど全て反射し、モジュール１７７ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ２７ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７７ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７７ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７７ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２７ａで受光される。
ビームスプリッタ７７ｃとしてビームスプリッタＫ、Ｏ、Ｘのいずれかを用いる場合は、半導体レーザ２７ａから出射し、ビームスプリッタ７７ｃを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、ビームスプリッタ７７ｃとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。
半導体レーザ２７ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７７ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７７ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ７７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７７ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１２７ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、Ｋ、Ｐ、Ｖ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれモジュール１７７ａ、光検出器１２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、半導体レーザ２７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ｂで反射した光がビームスプリッタ７７ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｂとビームスプリッタ７７ｃの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ半導体レーザ２７ｂ、半導体レーザ２７ａ、光検出器１２７ａ、モジュール１７７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ａを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ａとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ半導体レーザ２７ａまたは２７ｂ、モジュール１７７ａ、光検出器１２７ａ、半導体レーザ２７ｂまたは２７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａまたは２７ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ａを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ａとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ半導体レーザ２７ａ、光検出器１２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、モジュール１７７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ａを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ａとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２７ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ｂで反射した光がビームスプリッタ７７ｃを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｂとビームスプリッタ７７ｃの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ半導体レーザ２７ａまたは２７ｂ、光検出器１２７ａ、モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ｂまたは２７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａまたは２７ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ａを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ａとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２７ａ、２７ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７７ｂで反射した光がビームスプリッタ７７ｃを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｂとビームスプリッタ７７ｃの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ半導体レーザ２７ｂ、半導体レーザ２７ａ、モジュール１７７ａ、光検出器１２７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａから出射し、ビームスプリッタ７７ｃを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｃとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ光検出器１２７ａ、モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ｂ、半導体レーザ２７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ｂから出射し、ビームスプリッタ７７ｂで反射した光がビームスプリッタ７７ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｂとビームスプリッタ７７ａの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ光検出器１２７ａ、半導体レーザ２７ａ、モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａから出射し、ビームスプリッタ７７ｃを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｃとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２７ａから出射し、ビームスプリッタ７７ｂで反射した光がビームスプリッタ７７ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｂとビームスプリッタ７７ａの間に挿入される。
モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａをそれぞれ光検出器１２７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、モジュール１７７ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２７ａから出射し、ビームスプリッタ７７ｃを透過した光がビームスプリッタ７７ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｃとビームスプリッタ７７ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２７ａ、２７ｂから出射し、ビームスプリッタ７７ｂで反射した光がビームスプリッタ７７ａを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７７ｂとビームスプリッタ７７ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十七の実施の形態においては、半導体レーザ２７ａ、２７ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２７ａ、２７ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７７ａ内の光検出器をモジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２７ａを半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十八の実施の形態）
図２８に、本発明の光ヘッド装置の第二十八の実施の形態を示す。モジュール１７８ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、Ｈ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
モジュール１７８ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７８ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７８ａを殆んど全て透過し、モジュール１７８ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ２８ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７８ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７８ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７８ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１２８ａで受光される。
ビームスプリッタ７８ｃとしてビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかを用いる場合は、半導体レーザ２８ａから出射し、ビームスプリッタ７８ｃで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、ビームスプリッタ７８ｃとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。
半導体レーザ２８ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７８ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７８ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ７８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７８ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１２８ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐ、Ｇ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｋ、Ｐ、Ｖ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれモジュール１７８ａ、光検出器１２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、半導体レーザ２８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ｂを透過した光がビームスプリッタ７８ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｂとビームスプリッタ７８ｃの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ半導体レーザ２８ｂ、半導体レーザ２８ａ、光検出器１２８ａ、モジュール１７８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ａで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ａとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ半導体レーザ２８ａまたは２８ｂ、モジュール１７８ａ、光検出器１２８ａ、半導体レーザ２８ｂまたは２８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａまたは２８ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ａで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ａとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ半導体レーザ２８ａ、光検出器１２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、モジュール１７８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ａで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ａとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２８ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ｂを透過した光がビームスプリッタ７８ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｂとビームスプリッタ７８ｃの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ半導体レーザ２８ａまたは２８ｂ、光検出器１２８ａ、モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ｂまたは２８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａまたは２８ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ａで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ａとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２８ａ、２８ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７８ｂを透過した光がビームスプリッタ７８ｃで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｂとビームスプリッタ７８ｃの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ半導体レーザ２８ｂ、半導体レーザ２８ａ、モジュール１７８ａ、光検出器１２８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａから出射し、ビームスプリッタ７８ｃで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｃとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ光検出器１２８ａ、モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ｂ、半導体レーザ２８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ｂから出射し、ビームスプリッタ７８ｂを透過した光がビームスプリッタ７８ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｂとビームスプリッタ７８ａの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ光検出器１２８ａ、半導体レーザ２８ａ、モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａから出射し、ビームスプリッタ７８ｃで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｃとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２８ａから出射し、ビームスプリッタ７８ｂを透過した光がビームスプリッタ７８ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｂとビームスプリッタ７８ａの間に挿入される。
モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａをそれぞれ光検出器１２８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、モジュール１７８ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２８ａから出射し、ビームスプリッタ７８ｃで反射した光がビームスプリッタ７８ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｃとビームスプリッタ７８ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２８ａ、２８ｂから出射し、ビームスプリッタ７８ｂを透過した光がビームスプリッタ７８ａで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７８ｂとビームスプリッタ７８ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十八の実施の形態においては、半導体レーザ２８ａ、２８ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２８ａ、２８ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７８ａ内の光検出器をモジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２８ａを半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第二十九の実施の形態）
図２９に、本発明の光ヘッド装置の第二十九の実施の形態を示す。モジュール１７９ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＰが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｋ、Ｐ、Ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、Ｓ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１７９ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７９ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７９ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７９ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７９ｂで殆んど全て反射し、モジュール１７９ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ２９ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７９ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７９ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７９ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７９ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２９ａで受光される。
ビームスプリッタ７９ｂとしてビームスプリッタＫ、Ｐ、Ｖのいずれかを用いる場合は、半導体レーザ２９ａから出射し、ビームスプリッタ７９ｂを透過した光がビームスプリッタ７９ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、ビームスプリッタ７９ｂとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
半導体レーザ２９ｂからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７９ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ７９ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７９ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７９ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１２９ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＲが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｐ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＮが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＱが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、Ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＭが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、Ｊ、Ｍ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＨ、Ｏ、Ｓ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＯが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、Ｕ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ半導体レーザ２９ａまたは２９ｂ、モジュール１７９ａ、光検出器１２９ａ、半導体レーザ２９ｂまたは２９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ａまたは２９ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７９ａを透過した光がビームスプリッタ７９ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ａとビームスプリッタ７９ｃの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ半導体レーザ２９ａまたは２９ｂ、光検出器１２９ａ、モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ｂまたは２９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ｂまたは２９ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７９ａで反射した光がビームスプリッタ７９ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ａとビームスプリッタ７９ｂの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ光検出器１２９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、モジュール１７９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ｂから出射し、ビームスプリッタ７９ｃで反射した光がビームスプリッタ７９ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｃとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ半導体レーザ２９ｂ、半導体レーザ２９ａ、モジュール１７９ａ、光検出器１２９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ａから出射し、ビームスプリッタ７９ｂを透過した光がビームスプリッタ７９ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｂとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ光検出器１２９ａ、モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ｂ、半導体レーザ２９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ｂから出射し、ビームスプリッタ７９ｃで反射した光がビームスプリッタ７９ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｃとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれモジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、光検出器１２９ａ、半導体レーザ２９ｂに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７９ａを透過した光がビームスプリッタ７９ｃで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ａとビームスプリッタ７９ｃの間に挿入される。また、半導体レーザ２９ａから出射し、ビームスプリッタ７９ｂを透過した光がビームスプリッタ７９ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｂとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ半導体レーザ２９ａ、光検出器１２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、モジュール１７９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７９ａで反射した光がビームスプリッタ７９ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ａとビームスプリッタ７９ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２９ｂから出射し、ビームスプリッタ７９ｃで反射した光がビームスプリッタ７９ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｃとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれ半導体レーザ２９ｂ、半導体レーザ２９ａ、光検出器１２９ａ、モジュール１７９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ａ、２９ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７９ａを透過した光がビームスプリッタ７９ｃで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ａとビームスプリッタ７９ｃの間に挿入される。また、半導体レーザ２９ａから出射し、ビームスプリッタ７９ｂを透過した光がビームスプリッタ７９ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｂとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａをそれぞれモジュール１７９ａ、光検出器１２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、半導体レーザ２９ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ２９ａ、２９ｂから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ７９ａで反射した光がビームスプリッタ７９ｂを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ａとビームスプリッタ７９ｂの間に挿入される。また、半導体レーザ２９ｂから出射し、ビームスプリッタ７９ｃで反射した光がビームスプリッタ７９ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ７９ｃとビームスプリッタ７９ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第二十九の実施の形態においては、半導体レーザ２９ａ、２９ｂが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ２９ａ、２９ｂに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が４個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１７９ａ内の光検出器をモジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１２９ａを半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
１１．第三十〜第三十一の実施の形態（タイプ９）
本発明の光ヘッド装置の第三十〜第三十一の実施の形態は、３個のモジュールを有する形態である。但し、３個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第三十の実施の形態）
図３０に、本発明の光ヘッド装置の第三十の実施の形態を示す。モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。
モジュール１８０ｃ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８０ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８０ｂを殆んど全て透過し、モジュール１８０ｃ内の光検出器で受光される。
モジュール１８０ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８０ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８０ｂで殆んど全て反射し、モジュール１８０ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１８０ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８０ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８０ａで殆んど全て反射し、モジュール１８０ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。
本発明の光ヘッド装置の第三十の実施の形態においては、３個のモジュールのみで光源、光検出器が不要なため、光ヘッド装置を小型化することができる。また、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の光検出器を、それぞれモジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第三十一の実施の形態）
図３１に、本発明の光ヘッド装置の第三十一の実施の形態を示す。モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。
モジュール１８１ｃ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８１ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８１ｂで殆んど全て反射し、モジュール１８１ｃ内の光検出器で受光される。
モジュール１８１ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８１ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８１ｂを殆んど全て透過し、モジュール１８１ｂ内の光検出器で受光される。
モジュール１８１ａ内の半導体レーザからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８１ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８１ａを殆んど全て透過し、モジュール１８１ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、Ｐのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。
本発明の光ヘッド装置の第三十一の実施の形態においては、３個のモジュールのみで光源、光検出器が不要なため、光ヘッド装置を小型化することができる。また、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の光検出器を、それぞれモジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
１２．第三十二〜第三十三の実施の形態（タイプ１０）
本発明の光ヘッド装置の第三十二〜第三十三の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個の光源は、２個の光源を集積化した光源である。また、１個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第三十二の実施の形態）
図３２に、本発明の光ヘッド装置の第三十二の実施の形態を示す。モジュール１８２ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。また、半導体レーザ３２ａは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。モジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ３２ａの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ８２ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８２ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１８２ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８２ａで殆んど全て反射し、モジュール１８２ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ３２ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８２ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８２ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８２ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１３２ａで受光される。
半導体レーザ３２ａからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８２ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ８２ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８２ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１３２ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ３２ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８２ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８２ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ３２ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８２ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８２ｂとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８２ａ、半導体レーザ３２ａ、光検出器１３２ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１８２ａ、半導体レーザ３２ａ、光検出器１３２ａをそれぞれ半導体レーザ３２ａ、光検出器１３２ａ、モジュール１８２ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３２ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ８２ａを透過した光がビームスプリッタ８２ｂで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８２ａとビームスプリッタ８２ｂの間に挿入される。
モジュール１８２ａ、半導体レーザ３２ａ、光検出器１３２ａをそれぞれ光検出器１３２ａ、半導体レーザ３２ａ、モジュール１８２ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３２ａから出射し、ビームスプリッタ８２ｂで反射した光がビームスプリッタ８２ａを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８２ｂとビームスプリッタ８２ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第三十二の実施の形態においては、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が３個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。また、モジュール１８２ａ内の光検出器をモジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１３２ａを半導体レーザ３２ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第三十三の実施の形態）
図３３に、本発明の光ヘッド装置の第三十三の実施の形態を示す。モジュール１８３ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。また、半導体レーザ３３ａは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。モジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ３３ａの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ８３ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８３ｂとしてはビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかが用いられる。
モジュール１８３ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８３ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８３ａを殆んど全て透過し、モジュール１８３ａ内の光検出器で受光される。
半導体レーザ３３ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８３ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８３ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８３ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８３ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１３３ａで受光される。
半導体レーザ３３ａからの波長７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８３ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ８３ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８３ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８３ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１３３ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ３３ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８３ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８３ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ３３ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８３ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８３ｂとしてはビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８３ａ、半導体レーザ３３ａ、光検出器１３３ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１８３ａ、半導体レーザ３３ａ、光検出器１３３ａをそれぞれ半導体レーザ３３ａ、光検出器１３３ａ、モジュール１８３ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３３ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ８３ａで反射した光がビームスプリッタ８３ｂを透過するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８３ａとビームスプリッタ８３ｂの間に挿入される。
モジュール１８３ａ、半導体レーザ３３ａ、光検出器１３３ａをそれぞれ光検出器１３３ａ、半導体レーザ３３ａ、モジュール１８３ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３３ａから出射し、ビームスプリッタ８３ｂを透過した光がビームスプリッタ８３ａで反射するように、これらの光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８３ｂとビームスプリッタ８３ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第三十三の実施の形態においては、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が３個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。また、モジュール１８３ａ内の光検出器をモジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１３３ａを半導体レーザ３３ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
１３．第三十四〜第三十五の実施の形態（タイプ１１）
本発明の光ヘッド装置の第三十四〜第三十五の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、２個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第三十四の実施の形態）
図３４に、本発明の光ヘッド装置の第三十四の実施の形態を示す。モジュール１８４ａは２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７５を参照して後述する。モジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍであり、半導体レーザ３４ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ８４ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８４ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ３４ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８４ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８４ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１３４ａで受光される。
モジュール１８４ａ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍ、７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８４ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格、ＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８４ａで殆んど全て反射し、モジュール１８４ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ３４ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８４ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８４ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ３４ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８４ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８４ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８４ａ、半導体レーザ３４ａ、光検出器１３４ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１８４ａ、半導体レーザ３４ａ、光検出器１３４ａをそれぞれ半導体レーザ３４ａ、光検出器１３４ａ、モジュール１８４ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３４ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ８４ａを透過した光がビームスプリッタ８４ｂで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８４ａとビームスプリッタ８４ｂの間に挿入される。
モジュール１８４ａ、半導体レーザ３４ａ、光検出器１３４ａをそれぞれ光検出器１３４ａ、半導体レーザ３４ａ、モジュール１８４ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３４ａから出射し、ビームスプリッタ８４ｂで反射した光がビームスプリッタ８４ａを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８４ｂとビームスプリッタ８４ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第三十四の実施の形態においては、半導体レーザ３４ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ３４ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が３個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１８４ａ内の光検出器をモジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１３４ａを半導体レーザ３４ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
（第三十五の実施の形態）
図３５に、本発明の光ヘッド装置の第三十五の実施の形態を示す。モジュール１８５ａは２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７５を参照して後述する。モジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍであり、半導体レーザ３５ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ８５ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
半導体レーザ３５ａからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８５ｂにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８５ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８５ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８５ｂにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１３５ａで受光される。
モジュール１８５ａ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍ、７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格、ＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８５ａを殆んど全て透過し、モジュール１８５ａ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ３５ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８５ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８５ｂとしてはビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ３５ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８５ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｖ、Ｗ、Ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８５ａ、半導体レーザ３５ａ、光検出器１３５ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
モジュール１８５ａ、半導体レーザ３５ａ、光検出器１３５ａをそれぞれ半導体レーザ３５ａ、光検出器１３５ａ、モジュール１８５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３５ａから出射し、ディスク２０４で反射し、ビームスプリッタ８５ａで反射した光がビームスプリッタ８５ｂを透過するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８５ａとビームスプリッタ８５ｂの間に挿入される。
モジュール１８５ａ、半導体レーザ３５ａ、光検出器１３５ａをそれぞれ光検出器１３５ａ、半導体レーザ３５ａ、モジュール１８５ａに置き換えた実施の形態においては、半導体レーザ３５ａから出射し、ビームスプリッタ８５ｂを透過した光がビームスプリッタ８５ａで反射するように、この光の偏光方向を９０°回転させる１／２波長板が、必要に応じてビームスプリッタ８５ｂとビームスプリッタ８５ａの間に挿入される。
本発明の光ヘッド装置の第三十五の実施の形態においては、半導体レーザ３５ａが他の光源や光検出器と集積化されていないため、半導体レーザ３５ａに高い放熱性を持たせることができる。また、モジュール、光源、光検出器を合わせた数が３個で済むため、光ヘッド装置を小型化することができる。さらに、モジュール１８５ａ内の光検出器をモジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができ、光検出器１３５ａを半導体レーザ３５ａの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
１４．第三十六の実施の形態（タイプ１２）
本発明の光ヘッド装置の第三十六の実施の形態は、２個のモジュールを有する形態である。但し、２個のモジュールのうち１個は、２個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。また、２個のモジュールのうちもう１個は、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
図３６に、本発明の光ヘッド装置の第三十六の実施の形態を示す。モジュール１８６ｂは２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７５を参照して後述する。また、モジュール１８６ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。
モジュール１８６ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８６ａで殆んど全て反射し、モジュール１８６ａ内の光検出器で受光される。
モジュール１８６ｂ内の半導体レーザからの波長６６０ｎｍ、７８０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８６ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格、ＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８６ａを殆んど全て透過し、モジュール１８６ｂ内の光検出器で受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａを２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュール、モジュール１８６ｂを１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールとし、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａを２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュール、モジュール１８６ｂを１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールとし、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａを２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュール、モジュール１８６ｂを１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールとし、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。
本発明の光ヘッド装置の第三十六の実施の形態においては、２個のモジュールのみで光源、光検出器が不要なため、光ヘッド装置を小型化することができる。また、モジュール１８６ａ、１８６ｂ内の光検出器を、それぞれモジュール１８６ａ、１８６ｂ内の半導体レーザの波長に対して感度等が最適になるように設計することができる。
１５．第三十七の実施の形態（タイプ１３）
本発明の光ヘッド装置の第三十七の実施の形態は、１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、３個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
図３７に、本発明の光ヘッド装置の第三十七の実施の形態を示す。モジュール１８７ａは３個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７６を参照して後述する。モジュール１８７ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。
モジュール１８７ａ内の半導体レーザからの波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの出射光は、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３で次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、モジュール１８７ａ内の光検出器で受光される。
本発明の光ヘッド装置の第三十七の実施の形態においては、１個のモジュールのみで光源、光検出器が不要なため、光ヘッド装置を小型化することができる。
１６．第三十八〜第四十一の実施の形態（タイプ１４）
本発明の光ヘッド装置の第三十八〜第四十一の実施の形態は、３個の光源と２個の光検出器を有する形態である。
（第三十八の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第三十八の実施の形態は図１に示すものと同じである。半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第一の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５１ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５１ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５１ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５１ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５１ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０１ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１ａ、１ｂ、１ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５１ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５１ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１ｃと光検出器１０１ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１ａ、１ｂのいずれか一つと光検出器１０１ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第三十八の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第一の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第三十九の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第三十九の実施の形態は図２に示すものと同じである。半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ２ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５２ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５２ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５２ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５２ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０２ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ２ａ、２ｂ、２ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５２ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ５２ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５２ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ２ｃと光検出器１０２ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ２ａ、２ｂのいずれか一つと光検出器１０２ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第三十九の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十の実施の形態は図３に示すものと同じである。半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ３ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５３ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５３ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５３ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５３ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５３ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０３ｂで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ３ａ、３ｂ、３ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５３ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５３ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５３ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ３ａと光検出器１０３ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ３ｂ、３ｃのいずれか一つと光検出器１０３ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十一の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十一の実施の形態は図４に示すものと同じである。半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第四の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ４ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５４ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５４ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５４ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０４ｂで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ４ａ、４ｂ、４ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ５４ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５４ｄとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ４ａと光検出器１０４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ４ｂ、４ｃのいずれか一つと光検出器１０４ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十一の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第四の実施の形態と同じ特徴を有する。
１７．第四十二〜第四十六の実施の形態（タイプ１５）
本発明の光ヘッド装置の第四十二〜第四十六の実施の形態は、３個の光源と１個の光検出器を有する形態である。
（第四十二の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十二の実施の形態は図５に示すものと同じである。半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＩ、ｓ、Ｔ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第五の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ５ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５５ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５５ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５５ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５５ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０５ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタｈが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＧ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＩ、ｓ、Ｔ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタｈが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＩ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＧ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５５ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５５ｂとしてはビームスプリッタｈが用いられる。ビームスプリッタ５５ｃとしてはビームスプリッタＧ、ｕのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ５ａ、５ｂ、５ｃのいずれか一つと光検出器１０５ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十二の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第五の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十三の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十三の実施の形態は図６に示すものと同じである。半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＬ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第六の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ６ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５６ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５６ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１０６ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタｋが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＪ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＬ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタｋが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＬ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＪ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５６ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５６ｂとしてはビームスプリッタｋが用いられる。ビームスプリッタ５６ｃとしてはビームスプリッタＪ、ｘのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ６ａ、６ｂ、６ｃのいずれか一つと光検出器１０６ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十三の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第六の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十四の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十四の実施の形態は図７に示すものと同じである。半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第七の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ７ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５７ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５７ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ５７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５７ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１０７ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタｈが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＴ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタｈが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタＴ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタｕが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、ｈ、ｏ、ｓ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５７ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ５７ｂとしてはビームスプリッタｕが用いられる。ビームスプリッタ５７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、ｋ、ｐ、ｖ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ７ａ、７ｂ、７ｃのいずれか一つと光検出器１０７ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十四の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第七の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十五の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十五の実施の形態は図８に示すものと同じである。半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第八の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ８ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５８ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５８ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ５８ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１０８ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタｋが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＷ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタｋが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタＷ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタｘが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、ｋ、ｐ、ｖ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５８ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ５８ｂとしてはビームスプリッタｘが用いられる。ビームスプリッタ５８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、ｈ、ｏ、ｓ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ８ａ、８ｂ、８ｃのいずれか一つと光検出器１０８ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十五の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第八の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十六の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十六の実施の形態は図９に示すものと同じである。半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタｕが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、ｋ、ｐ、ｖ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＩ、ｓ、Ｔ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第九の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ９ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ５９ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ５９ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ５９ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ５９ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１０９ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＴが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタｕが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、ｈ、ｏ、ｓ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＩ、ｓ、Ｔ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタｓが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＧ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタＴが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ５９ａとしてはビームスプリッタｓが用いられる。ビームスプリッタ５９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ５９ｃとしてはビームスプリッタＧ、ｕのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ９ａ、９ｂ、９ｃのいずれか一つと光検出器１０９ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十六の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第九の実施の形態と同じ特徴を有する。
１８．第四十七の実施の形態（タイプ１６）
本発明の光ヘッド装置の第四十七の実施の形態は、２個の光源と２個の光検出器を有する形態である。但し、２個の光源のうち１個は、２個の光源を集積化した光源である。
本発明の光ヘッド装置の第四十七の実施の形態は図１０に示すものと同じである。半導体レーザ１０ｂは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。半導体レーザ１０ａの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１０ｂの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６０ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６０ｃとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１０ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６０ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６０ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６０ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６０ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１０ｂで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１０ａの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１０ｂの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６０ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６０ｃとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１０ａの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１０ｂの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６０ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６０ｃとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１０ａと光検出器１１０ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１０ｂと光検出器１１０ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十七の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十の実施の形態と同じ特徴を有する。
１９．第四十八〜第四十九の実施の形態（タイプ１７）
本発明の光ヘッド装置の第四十八〜第四十九の実施の形態は、２個の光源と１個の光検出器を有する形態である。但し、２個の光源のうち１個は、２個の光源を集積化した光源である。
（第四十八の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十八の実施の形態は図１１に示すものと同じである。半導体レーザ１１ｂは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。半導体レーザ１１ａの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１１ｂの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＧが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十一の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１１ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６１ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６１ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６１ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６１ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１１ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタｈが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＴ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＩが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタｕが用いられる。
さらに、半導体レーザ１１ａ、１１ｂのいずれか一つと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａの波長を６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタｓが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＧ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタＴが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ１１ｂの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６１ａとしてはビームスプリッタｕが用いられる。ビームスプリッタ６１ｂとしてはビームスプリッタＩ、ｓ、Ｔ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１１ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１１ａ、１１ｂのいずれか一つと光検出器１１１ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十八の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十一の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第四十九の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第四十九の実施の形態は図１２に示すものと同じである。半導体レーザ１２ｂは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。半導体レーザ１２ａの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１２ｂの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＪが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十二の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１２ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６２ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６２ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６２ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６２ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１１２ａで受光される。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタｋが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＷ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＬが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタｘが用いられる。
さらに、半導体レーザ１２ａ、１２ｂのいずれか一つと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａの波長を６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタｖが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＪ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタＷが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ１２ｂの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６２ａとしてはビームスプリッタｘが用いられる。ビームスプリッタ６２ｂとしてはビームスプリッタＬ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１２ａを２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザとし、半導体レーザ１２ａ、１２ｂのいずれか一つと光検出器１１２ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第四十九の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十二の実施の形態と同じ特徴を有する。
２０．第五十の実施の形態（タイプ１８）
本発明の光ヘッド装置の第五十の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器を有する形態である。但し、１個の光源は、３個の光源を集積化した光源である。
本発明の光ヘッド装置の第五十の実施の形態は図１３に示すものと同じである。半導体レーザ１３ａは３個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７３を参照して後述する。半導体レーザ１３ａの波長は４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６３ａとしてはビームスプリッタｙが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十三の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１３ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６３ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６３ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１３ａで受光される。
本発明の光ヘッド装置の第五十の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十三の実施の形態と同じ特徴を有する。
２１．第五十一〜第五十六の実施の形態（タイプ１９）
本発明の光ヘッド装置の第五十一〜第五十六の実施の形態は、２個の光源と２個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第五十一の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十一の実施の形態は図１４に示すものと同じである。モジュール１６４ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十四の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１４ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６４ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６４ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６４ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１１４ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６４ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１４ａ、１４ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６４ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６４ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１４ａと光検出器１１４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１４ｂと光検出器１１４ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十一の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十四の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十二の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十二の実施の形態は図１５に示すものと同じである。モジュール１６５ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十五の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１５ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６５ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６５ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６５ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６５ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６５ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１１５ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１５ａ、１５ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６５ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６５ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６５ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１５ａと光検出器１１５ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、半導体レーザ１５ｂと光検出器１１５ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十二の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十五の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十三の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十三の実施の形態は図１６に示すものと同じである。モジュール１６６ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十六の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１６ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６６ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６６ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１６ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１６ａ、１６ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６６ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、ｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６６ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１６ｂと光検出器１１６ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６６ａ、半導体レーザ１６ａ、光検出器１１６ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十三の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十六の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十四の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十四の実施の形態は図１７に示すものと同じである。モジュール１６７ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十七の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１７ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６７ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６７ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６７ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ６７ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６７ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１７ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６７ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１７ａ、１７ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６７ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ６７ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、ｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６７ｄとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１７ｂと光検出器１１７ｂを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６７ａ、半導体レーザ１７ａ、光検出器１１７ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十四の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十七の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十五の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十五の実施の形態は図１８に示すものと同じである。モジュール１６８ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍである。ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十八の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１８ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６８ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６８ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６８ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６８ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６８ｄにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１１８ｂで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６８ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１８ａ、１８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６８ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６８ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６８ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、ｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１８ａと光検出器１１８ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６８ａ、半導体レーザ１８ｂ、光検出器１１８ｂを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十五の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十八の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十六の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十六の実施の形態は図１９に示すものと同じである。モジュール１６９ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長は７８０ｎｍであり、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第十九の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ１９ｂからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ６９ｃにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ６９ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ６９ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ６９ｃにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ６９ｄにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１１９ｂで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１６９ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ１９ａ、１９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ６９ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ６９ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ６９ｄとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、ｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ１９ａと光検出器１１９ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１６９ａ、半導体レーザ１９ｂ、光検出器１１９ｂを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十六の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第十九の実施の形態と同じ特徴を有する。
２２．第五十七〜第六十一の実施の形態（タイプ２０）
本発明の光ヘッド装置の第五十七〜第六十一の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器と２個のモジュールを有する形態である。但し、２個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第五十七の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十七の実施の形態は図２０に示すものと同じである。モジュール１７０ａ、１７０ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２０ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７０ａ、１７０ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２０ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７０ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７０ａ、モジュール１７０ｂ、半導体レーザ２０ａ、光検出器１２０ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十七の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十八の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十八の実施の形態は図２１に示すものと同じである。モジュール１７１ａ、１７１ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２１ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十一の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７１ａ、１７１ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２１ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７１ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７１ａ、モジュール１７１ｂ、半導体レーザ２１ａ、光検出器１２１ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十八の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十一の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第五十九の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第五十九の実施の形態は図２２に示すものと同じである。モジュール１７２ａ、１７２ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２２ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十二の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７２ａ、１７２ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２２ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７２ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７２ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７２ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７２ａ、モジュール１７２ｂ、半導体レーザ２２ａ、光検出器１２２ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第五十九の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十二の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十の実施の形態は図２３に示すものと同じである。モジュール１７３ａ、１７３ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２３ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十三の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７３ａ、１７３ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２３ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７３ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７３ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７３ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７３ａ、モジュール１７３ｂ、半導体レーザ２３ａ、光検出器１２３ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十三の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十一の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十一の実施の形態は図２４に示すものと同じである。モジュール１７４ａ、１７４ｂは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍであり、半導体レーザ２４ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十四の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７４ａ、１７４ｂ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ２４ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７４ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７４ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７４ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、半導体レーザ２４ａと光検出器１２４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。また、モジュール１７４ａ、１７４ｂの一方と半導体レーザ２４ａを入れ替え、モジュール１７４ａ、１７４ｂの他方と光検出器１２４ａを入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十一の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十四の実施の形態と同じ特徴を有する。
２３．第六十二〜第六十六の実施の形態（タイプ２１）
本発明の光ヘッド装置の第六十二〜第六十六の実施の形態は、２個の光源と１個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第六十二の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十二の実施の形態は図２５に示すものと同じである。モジュール１７５ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十五の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ２５ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７５ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ７５ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７５ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７５ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ７５ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２５ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７５ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２５ａ、２５ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７５ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７５ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７５ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７５ａ、半導体レーザ２５ａ、半導体レーザ２５ｂ、光検出器１２５ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十二の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十五の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十三の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十三の実施の形態は図２６に示すものと同じである。モジュール１７６ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十六の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ２６ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７６ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ７６ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７６ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７６ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ７６ｃにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、光検出器１２６ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｑ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＬ、Ｒ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２６ａ、２６ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７６ｂとしてはビームスプリッタｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７６ｃとしてはビームスプリッタＪ、Ｎ、Ｗ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７６ａ、半導体レーザ２６ａ、半導体レーザ２６ｂ、光検出器１２６ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十三の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十六の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十四の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十四の実施の形態は図２７に示すものと同じである。モジュール１７７ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十七の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ２７ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７７ｃを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７７ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ７７ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７７ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７７ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１２７ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、ｈ、ｏ、ｓ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７７ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２７ａ、２７ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７７ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ７７ｂとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７７ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、ｋ、ｐ、ｖ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７７ａ、半導体レーザ２７ａ、半導体レーザ２７ｂ、光検出器１２７ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十四の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十七の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十五の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十五の実施の形態は図２８に示すものと同じである。モジュール１７８ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎ、ｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十八の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ２８ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７８ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７８ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ７８ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７８ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ７８ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１２８ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐ、Ｇ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、ｋ、ｐ、ｖ、Ｇ、Ｍ、Ｔ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７８ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２８ａ、２８ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７８ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ７８ｂとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７８ｃとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗ、ｈ、ｏ、ｓ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７８ａ、半導体レーザ２８ａ、半導体レーザ２８ｂ、光検出器１２８ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十五の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十八の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十六の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十六の実施の形態は図２９に示すものと同じである。モジュール１７９ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタｐが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒ、ｋ、ｐ、ｖのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｒ、Ｔ、ｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第二十九の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ２９ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ７９ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ７９ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ７９ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ７９ｃにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、光検出器１２９ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＲが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｐ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＮが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑ、Ｊ、Ｎ、Ｗのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＩ、Ｑ、ｓ、Ｔ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＱが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｎ、ｕのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタＭが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏ、Ｊ、Ｍ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタｈ、ｏ、ｓ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１７９ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ２９ａ、２９ｂの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ７９ａとしてはビームスプリッタｏが用いられる。ビームスプリッタ７９ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍ、ｋ、ｏ、ｘのいずれかが用いられる。ビームスプリッタ７９ｃとしてはビームスプリッタＧ、Ｍ、Ｔ、ｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１７９ａ、半導体レーザ２９ａ、半導体レーザ２９ｂ、光検出器１２９ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十六の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第二十九の実施の形態と同じ特徴を有する。
２４．第六十七〜第六十八の実施の形態（タイプ２２）
本発明の光ヘッド装置の第六十七〜第六十八の実施の形態は、３個のモジュールを有する形態である。但し、３個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第六十七の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十七の実施の形態は図３０に示すものと同じである。モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８０ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８０ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。
本発明の光ヘッド装置の第六十七の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第六十八の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十八の実施の形態は図３１に示すものと同じである。モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長は、それぞれ７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４００ｎｍである。ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｒのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十一の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＡ、Ｆ、ｐのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ７８０ｎｍ、４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ６６０ｎｍ、４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｄ、ｏのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ内の半導体レーザの波長を、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８１ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８１ｂとしてはビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかが用いられる。
本発明の光ヘッド装置の第六十八の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十一の実施の形態と同じ特徴を有する。
２５．第六十九〜第七十の実施の形態（タイプ２３）
本発明の光ヘッド装置の第六十九〜第七十の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個の光源は、２個の光源を集積化した光源である。また、１個のモジュールは、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第六十九の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第六十九の実施の形態は図３２に示すものと同じである。モジュール１８２ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。また、半導体レーザ３２ａは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。モジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ３２ａの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ８２ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８２ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十二の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ３２ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８２ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ８２ａを殆んど全て透過し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８２ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ８２ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、光検出器１３２ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ３２ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８２ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８２ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８２ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ３２ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８２ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８２ｂとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８２ａ、半導体レーザ３２ａ、光検出器１３２ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第六十九の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十二の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第七十の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第七十の実施の形態は図３３に示すものと同じである。モジュール１８３ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。また、半導体レーザ３３ａは２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザであり、その構成については図７２を参照して後述する。モジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、半導体レーザ３３ａの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ８３ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８３ｂとしてはビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十三の実施の形態と同じであるため省略する。
半導体レーザ３３ａからの波長６６０ｎｍの出射光は、ビームスプリッタ８３ｂにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、ビームスプリッタ８３ａで殆んど全て反射し、ミラー２０１で反射し、波長板２０２で直線偏光から円偏光に変換され、対物レンズ２０３でＤＶＤ規格のディスク２０４上に集光される。ディスク２０４からの反射光は対物レンズ２０３を逆向きに通り、波長板２０２で円偏光から往路と偏光方向が直交した直線偏光に変換され、ミラー２０１で反射し、ビームスプリッタ８３ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ８３ｂにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、光検出器１３３ａで受光される。
本実施の形態においては、モジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、半導体レーザ３３ａの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８３ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８３ｂとしてはビームスプリッタＴ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８３ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、半導体レーザ３３ａの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８３ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８３ｂとしてはビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８３ａ、半導体レーザ３３ａ、光検出器１３３ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第七十の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十三の実施の形態と同じ特徴を有する。
２６．第七十一〜第七十二の実施の形態（タイプ２４）
本発明の光ヘッド装置の第七十一〜第七十二の実施の形態は、１個の光源と１個の光検出器と１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、２個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
（第七十一の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第七十一の実施の形態は図３４に示すものと同じである。モジュール１８４ａは２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７５を参照して後述する。モジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍであり、半導体レーザ３４ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ８４ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。ビームスプリッタ８４ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十四の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ３４ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８４ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。ビームスプリッタ８４ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８４ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ３４ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８４ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。ビームスプリッタ８４ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８４ａ、半導体レーザ３４ａ、光検出器１３４ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第七十一の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十四の実施の形態と同じ特徴を有する。
（第七十二の実施の形態）
本発明の光ヘッド装置の第七十二の実施の形態は図３５に示すものと同じである。モジュール１８５ａは２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７５を参照して後述する。モジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍであり、半導体レーザ３５ａの波長は４００ｎｍである。ビームスプリッタ８５ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。ビームスプリッタ８５ｂとしてはビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、ｕ、Ｗ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十五の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、半導体レーザ３５ａの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８５ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。ビームスプリッタ８５ｂとしてはビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８５ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、半導体レーザ３５ａの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８５ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。ビームスプリッタ８５ｂとしてはビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、ｓ、Ｔ、ｖ、Ｗ、ｙのいずれかが用いられる。
さらに、モジュール１８５ａ、半導体レーザ３５ａ、光検出器１３５ａを相互に入れ替えた実施の形態も可能である。
本発明の光ヘッド装置の第七十二の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十五の実施の形態と同じ特徴を有する。
２７．第七十三の実施の形態（タイプ２５）
本発明の光ヘッド装置の第七十三の実施の形態は、２個のモジュールを有する形態である。但し、２個のモジュールのうち１個は、２個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。また、２個のモジュールのうちもう１個は、１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
本発明の光ヘッド装置の第七十三の実施の形態は図３６に示すものと同じである。モジュール１８６ｂは２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７５を参照して後述する。また、モジュール１８６ａは１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７４を参照して後述する。モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍであり、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長は６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＡが用いられる。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十六の実施の形態と同じであるため省略する。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＢが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＣが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａを２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュール、モジュール１８６ｂを１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールとし、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＤが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａを２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュール、モジュール１８６ｂを１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールとし、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、７８０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＥが用いられる。
本実施の形態においては、モジュール１８６ａを２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュール、モジュール１８６ｂを１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールとし、モジュール１８６ａ内の半導体レーザの波長を４００ｎｍ、６６０ｎｍ、モジュール１８６ｂ内の半導体レーザの波長を７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ８６ａとしてはビームスプリッタＦが用いられる。
本発明の光ヘッド装置の第七十三の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十六の実施の形態と同じ特徴を有する。
２８．第七十四の実施の形態（タイプ２６）
本発明の光ヘッド装置の第七十四の実施の形態は、１個のモジュールを有する形態である。但し、１個のモジュールは、３個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュールである。
本発明の光ヘッド装置の第七十四の実施の形態は図３７に示すものと同じである。モジュール１８７ａは３個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールであり、その構成については図７６を参照して後述する。モジュール１８７ａ内の半導体レーザの波長は４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍである。
波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍの光に対する説明は、本発明の光ヘッド装置の第三十七の実施の形態と同じであるため省略する。
本発明の光ヘッド装置の第七十四の実施の形態は、本発明の光ヘッド装置の第三十七の実施の形態と同じ特徴を有する。
以上説明した第一〜第七十四の実施の形態（タイプ１〜２６）の概要を表３及び表４に示す。
Figure 2005149689
Figure 2005149689
 ２９．２個の光源を集積化した光源
図７２に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザの構成を示す。半導体レーザ２１１内には、半導体レーザチップ２１２ａ、２１２ｂ、ビームスプリッタ２１３が集積化されている。ビームスプリッタ２１３は貼り合わせ面２１４ａ、２１４ｂを有する。
半導体レーザチップ２１２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ａを殆んど全て透過し、半導体レーザ２１１から出射する。半導体レーザチップ２１２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ａで殆んど全て反射し、半導体レーザ２１１から出射する。
半導体レーザチップ２１２ａ、２１２ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることができる。このとき、ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ａは、ビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ｂは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。
半導体レーザチップ２１２ａ、２１２ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ａは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、ｏのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ｂは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。
半導体レーザチップ２１２ａ、２１２ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ａは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２１３の貼り合わせ面２１４ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｆ、Ｊ、Ｌ、Ｎ、Ｑ、Ｗのいずれかと同じ特性を有する。
なお、半導体レーザ２１１においては、ビームスプリッタ２１３を削除することも可能である。
３０．３個の光源を集積化した光源
図７３に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、３個の半導体レーザを集積化した半導体レーザの構成を示す。半導体レーザ２２１内には、半導体レーザチップ２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、ビームスプリッタ２２３が集積化されている。ビームスプリッタ２２３は貼り合わせ面２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃを有する。
半導体レーザチップ２２２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ａを殆んど全て透過し、半導体レーザ２２１から出射する。半導体レーザチップ２２２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ａで殆んど全て反射し、半導体レーザ２２１から出射する。半導体レーザチップ２２２ｃからの出射光は、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ａで殆んど全て反射し、半導体レーザ２２１から出射する。
半導体レーザチップ２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることができる。このとき、ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ａは、ビームスプリッタＤと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２２３の貼り合わせ面２２４ｃは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。
なお、半導体レーザ２２１においては、ビームスプリッタ２２３を削除することも可能である。
３１．１個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュール
図７４に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールの構成を示す。モジュール２３１内には、半導体レーザチップ２３２ａ、光検出器チップ２３７、ビームスプリッタ２３５が集積化されている。ビームスプリッタ２３５は貼り合わせ面２３６ａ、２３６ｂを有する。
半導体レーザチップ２３２ａの波長は４００ｎｍとすることができる。このとき、半導体レーザチップ２３２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２３１から出射する。モジュール２３１への入射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２３７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａは、ビームスプリッタＧ、Ｊ、Ｍ、Ｎ、Ｔ、Ｕ、ｕ、Ｗ、Ｘ、ｘ、Ｙ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂは、ビームスプリッタＡ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、ｐ、Ｒ、Ｔ、Ｕ、ｕ、Ｖ、ｖ、Ｗ、Ｘ、ｘ、Ｙ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。
半導体レーザチップ２３２ａの波長は６６０ｎｍとすることもできる。このとき、半導体レーザチップ２３２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２３１から出射する。モジュール２３１への入射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２３７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａは、ビームスプリッタＨ、Ｋ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｘ、Ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｆ、Ｈ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｓ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかと同じ特性を有する。
あるいは、半導体レーザチップ２３２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２３１から出射する。モジュール２３１への入射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２３７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａは、ビームスプリッタｈ、ｋ、ｏ、ｐ、ｓ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｆ、Ｊ、Ｌ、Ｎ、Ｑ、Ｗのいずれかと同じ特性を有する。
半導体レーザチップ２３２ａの波長は７８０ｎｍとすることもできる。このとき、半導体レーザチップ２３２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２３１から出射する。モジュール２３１への入射光は、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２３７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ａは、ビームスプリッタＩ、Ｌ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、ｓ、Ｔ、Ｖ、ｖ、Ｗ、Ｙ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２３５の貼り合わせ面２３６ｂは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。
なお、モジュール２３１においては、ビームスプリッタ２３５の代わりに回折光学素子をビームスプリッタとして用いることも可能である。また、ビームスプリッタ２３５または回折光学素子をモジュール２３１内に集積化せず、モジュール２３１の外部に設けることも可能である。
３２．２個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュール
図７５に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールの構成を示す。モジュール２４１内には、半導体レーザチップ２４２ａ、２４２ｂ、光検出器チップ２４７、ビームスプリッタ２４３、ビームスプリッタ２４５が集積化されている。ビームスプリッタ２４３は貼り合わせ面２４４ａ、２４４ｂを有する。ビームスプリッタ２４５は貼り合わせ面２４６ａ、２４６ｂを有する。
半導体レーザチップ２４２ａ、２４２ｂの波長は、それぞれ６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることができる。このとき、半導体レーザチップ２４２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。半導体レーザチップ２４２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａは、ビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａは、ビームスプリッタＳ、Ｖ、Ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂは、ビームスプリッタＤ、Ｊ、Ｋ、Ｏ、Ｘのいずれかと同じ特性を有する。
あるいは、半導体レーザチップ２４２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。半導体レーザチップ２４２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａは、ビームスプリッタＣ、Ｅ、Ｍのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａは、ビームスプリッタｓ、ｖ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂは、ビームスプリッタＤ、Ｊのいずれかと同じ特性を有する。
半導体レーザチップ２４２ａ、２４２ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、７８０ｎｍとすることもできる。このとき、半導体レーザチップ２４２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。半導体レーザチップ２４２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｏ、ｏのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａは、ビームスプリッタＴ、Ｗ、Ｙ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂは、ビームスプリッタＥ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。
半導体レーザチップ２４２ａ、２４２ｂの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍとすることもできる。このとき、半導体レーザチップ２４２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。半導体レーザチップ２４２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｆ、Ｊ、Ｌ、Ｎ、Ｑ、Ｗのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａは、ビームスプリッタＵ、Ｘ、Ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂは、ビームスプリッタＦ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｎ、Ｐ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙのいずれかと同じ特性を有する。
あるいは、半導体レーザチップ２４２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。半導体レーザチップ２４２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２４１から出射する。モジュール２４１への入射光は、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２４７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ａは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｑのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４３の貼り合わせ面２４４ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｄ、Ｆ、Ｊ、Ｌ、Ｎ、Ｑ、Ｗのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ａは、ビームスプリッタｕ、ｘ、ｙのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２４５の貼り合わせ面２４６ｂは、ビームスプリッタＦ、Ｊ、Ｌ、Ｎ、Ｗのいずれかと同じ特性を有する。
なお、モジュール２４１においては、ビームスプリッタ２４５の代わりに回折光学素子をビームスプリッタとして用いることも可能である。また、ビームスプリッタ２４５または回折光学素子をモジュール２４１内に集積化せず、モジュール２４１の外部に設けることも可能である。さらに、モジュール２４１においては、ビームスプリッタ２４３を削除することも可能である。
３３．３個の光源と１個の光検出器を集積化したモジュール
図７６に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、３個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールの構成を示す。モジュール２５１内には、半導体レーザチップ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、光検出器チップ２５７、ビームスプリッタ２５３、ビームスプリッタ２５５が集積化されている。ビームスプリッタ２５３は貼り合わせ面２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃを有する。ビームスプリッタ２５５は貼り合わせ面２５６ａ、２５６ｂを有する。
半導体レーザチップ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃの波長は、それぞれ４００ｎｍ、６６０ｎｍ、７８０ｎｍとすることができる。このとき、半導体レーザチップ２５２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２５１から出射する。モジュール２５１への入射光は、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２５７で受光される。半導体レーザチップ２５２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２５１から出射する。モジュール２５１への入射光は、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２５７で受光される。半導体レーザチップ２５２ｃからの出射光は、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２５１から出射する。モジュール２５１への入射光は、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２５７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａは、ビームスプリッタＤと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｃは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａは、ビームスプリッタＹと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂは、ビームスプリッタＪ、Ｋ、Ｘのいずれかと同じ特性を有する。
あるいは、半導体レーザチップ２５２ａからの出射光は、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＰ偏光として入射して殆んど全て透過し、モジュール２５１から出射する。モジュール２５１への入射光は、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＳ偏光として入射して殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２５７で受光される。半導体レーザチップ２５２ｂからの出射光は、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｂで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２５１から出射する。モジュール２５１への入射光は、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２５７で受光される。半導体レーザチップ２５２ｃからの出射光は、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｃで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｂを殆んど全て透過し、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａで殆んど全て反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＰ偏光として入射して約５０％が透過し、モジュール２５１から出射する。モジュール２５１への入射光は、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａにＳ偏光として入射して約５０％が反射し、ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂで殆んど全て反射し、光検出器チップ２５７で受光される。
この場合、ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ａは、ビームスプリッタＤと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｂは、ビームスプリッタＢ、Ｆ、Ｎのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５３の貼り合わせ面２５４ｃは、ビームスプリッタＣ、Ｄ、Ｅ、Ｊ、Ｋ、ｋ、Ｍ、Ｏ、ｏ、Ｘ、ｘのいずれかと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ａは、ビームスプリッタｙと同じ特性を有する。ビームスプリッタ２５５の貼り合わせ面２５６ｂは、ビームスプリッタＪと同じ特性を有する。

なお、モジュール２５１においては、ビームスプリッタ２５５の代わりに回折光学素子をビームスプリッタとして用いることも可能である。また、ビームスプリッタ２５５または回折光学素子をモジュール２５１内に集積化せず、モジュール２５１の外部に設けることも可能である。さらに、モジュール２５１においては、ビームスプリッタ２５３を削除することも可能である。
３４．球面収差補正手段
ところで、次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格においては、ディスクの保護層の厚さが、それぞれ０．６ｍｍ（ＡＯＤ規格）または０．１ｍｍ（ＢＲＤ規格）、０．６ｍｍ、１．２ｍｍである。光ヘッド装置に用いられる対物レンズは、特定の波長および特定の保護層の厚さに対して球面収差が補正されるように設計されているため、別の波長または別の保護層の厚さに対しては球面収差を生じる。従って、次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うためには、ディスクに応じて球面収差を補正することが必要である。
ディスクに応じて球面収差を補正する第一の方法として、光ヘッド装置の光学系中にエキスパンダレンズを設ける方法が知られている。図７７にエキスパンダレンズの構成を示す。エキスパンダレンズは、凹レンズ２６１、凸レンズ２６２から構成され、波長板２０２と対物レンズ２０３の間に設けられる。
光ヘッド装置の対物レンズは、対物レンズに平行光として入射した波長４００ｎｍの光が次世代規格のディスクの保護層を透過する際に、球面収差が補正されるように設計されている。次世代規格のディスクに対して記録や再生を行う場合は、半導体レーザから出射して凹レンズ２６１に平行光として入射する波長４００ｎｍの光が、凸レンズ２６２から平行光として出射して対物レンズに入射するように、凹レンズ２６１と凸レンズ２６２の間隔を制御する。
対物レンズに平行光として入射した波長６６０ｎｍの光がＤＶＤ規格のディスクの保護層を透過する際には球面収差が残留する。しかし、対物レンズに適切な広がり角の発散光として波長６６０ｎｍの光を入射させると、対物レンズの倍率変化に伴う新たな球面収差が生じ、これにより残留する球面収差が補正される。ＤＶＤ規格のディスクに対して記録や再生を行う場合は、半導体レーザから出射して凹レンズ２６１に平行光として入射する波長６６０ｎｍの光が、凸レンズ２６２から適切な広がり角の発散光として出射して対物レンズに入射するように、凹レンズ２６１と凸レンズ２６２の間隔を制御する。
対物レンズに平行光として入射した波長７８０ｎｍの光がＣＤ規格のディスクの保護層を透過する際には球面収差が残留する。しかし、対物レンズに適切な広がり角の発散光として波長７８０ｎｍの光を入射させると、対物レンズの倍率変化に伴う新たな球面収差が生じ、これにより残留する球面収差が補正される。ＣＤ規格のディスクに対して記録や再生を行う場合は、半導体レーザから出射して凹レンズ２６１に平行光として入射する波長７８０ｎｍの光が、凸レンズ２６２から適切な広がり角の発散光として出射して対物レンズに入射するように、凹レンズ２６１と凸レンズ２６２の間隔を制御する。
ディスクに応じて球面収差を補正する第二の方法として、光ヘッド装置の光学系中に液晶光学素子を設ける方法が知られている。図７８に液晶光学素子の構成を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。液晶光学素子２７１は、互いに貼り合わされた往路用液晶光学素子２７２、復路用液晶光学素子２７３から構成され、ミラー２０１と波長板２０２の間に設けられる。往路用液晶光学素子２７２は往路の直線偏光に対して作用し、復路用液晶光学素子２７３は往路と偏光方向が直交した復路の直線偏光に対して作用する。往路用液晶光学素子２７２、復路用液晶光学素子２７３は、それぞれ領域２７４ａ〜２７４ｅの５つに分割されている。領域２７４ｃに電圧Ｖ１、領域２７４ｂ、２７４ｄに電圧Ｖ２、領域２７４ａ、２７４ｅに電圧Ｖ３を印加する。なお、図中の点線は対物レンズの有効径に相当する。
光ヘッド装置の対物レンズは、対物レンズに入射した波長４００ｎｍの光が次世代規格のディスクの保護層を透過する際に、球面収差が補正されるように設計されている。次世代規格のディスクに対して記録や再生を行う場合は、液晶光学素子２７１の各領域に印加する電圧を、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ３となるように制御する。
対物レンズに入射した波長６６０ｎｍの光がＤＶＤ規格のディスクの保護層を透過する際には球面収差が残留する。しかし、Ｖ１−Ｖ２＝Ｖ２−Ｖ３＝Ｖとし、電圧Ｖを適切な値にすると、液晶光学素子２７１を透過する波長６６０ｎｍの光に新たな球面収差が生じ、これにより残留する球面収差が補正される。ＤＶＤ規格のディスクに対して記録や再生を行う場合は、液晶光学素子２７１の各領域に印加する電圧を、電圧Ｖが適切な値になるように制御する。
対物レンズに入射した波長７８０ｎｍの光がＣＤ規格のディスクの保護層を透過する際には球面収差が残留する。しかし、Ｖ１−Ｖ２＝Ｖ２−Ｖ３＝Ｖとし、電圧Ｖを適切な値にすると、液晶光学素子２７１を透過する波長７８０ｎｍの光に新たな球面収差が生じ、これにより残留する球面収差が補正される。ＣＤ規格のディスクに対して記録や再生を行う場合は、液晶光学素子２７１の各領域に印加する電圧を、電圧Ｖが適切な値になるように制御する。
３５．開口数制御手段
前述したように、次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格においては、対物レンズの開口数が、それぞれ０．６５（ＡＯＤ規格）または０．８５（ＢＲＤ規格）、０．６、０．４５である。従って、次世代規格、ＤＶＤ規格、ＣＤ規格のいずれのディスクに対しても記録や再生を行うためには、ディスクに応じて開口数を制御することが必要である。
ディスクに応じて開口数を制御する方法として、光ヘッド装置の光学系中に開口制御素子を設ける方法が知られている。図７９に開口制御素子の構成を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。開口制御素子２８１は、ガラス基板２８２とその上に形成された誘電体多層膜２８３ａ〜２８３ｃから構成され、波長板２０２と対物レンズ２０３の間に設けられる。なお、図中の点線は対物レンズの有効径に相当する。
図８０に、誘電体多層膜２８３ａ〜２８３ｃの透過率の波長依存性を示す。図中の実線、点線、一点鎖線はそれぞれ誘電体多層膜２８３ａ、２８３ｂ、２８３ｃに対する特性である。誘電体多層膜２８３ａは、波長４００ｎｍの光、波長６６０ｎｍの光、波長７８０ｎｍの光を殆んど全て透過させる。誘電体多層膜２８３ｂは、波長４００ｎｍの光、波長６６０ｎｍの光を殆んど全て透過させ、波長７８０ｎｍの光を殆んど全て反射させる。誘電体多層膜２８３ｃは、波長４００ｎｍの光を殆んど全て透過させ、波長６６０ｎｍの光、波長７８０ｎｍの光を殆んど全て反射させる。
従って、次世代規格のディスクに対して記録や再生を行う場合の波長４００ｎｍの光に対する開口数は、対物レンズの有効径で決定される。ＤＶＤ規格のディスクに対して記録や再生を行う場合の波長６６０ｎｍの光に対する開口数は、誘電体多層膜２８３ｂ、２８３ｃの境界である円の直径で決定される。ＣＤ規格のディスクに対して記録や再生を行う場合の波長７８０ｎｍの光に対する開口数は、誘電体多層膜２８３ａ、２８３ｂの境界である円の直径で決定される。
３６．コリメータレンズ
本発明の光ヘッド装置の実施の形態においては、半導体レーザからの出射光を平行光化するためのコリメータレンズが、必要に応じて光学系中に設けられる。例えば、図５に示す実施の形態においては、半導体レーザ５ａとビームスプリッタ５５ａの間に第一のコリメータレンズ、半導体レーザ５ｂとビームスプリッタ５５ｂの間に第二のコリメータレンズ、半導体レーザ５ｃとビームスプリッタ５５ｃの間に第三のコリメータレンズがそれぞれ設けられる。
半導体レーザ５ａ〜５ｃの各々に対してコリメータレンズを設け、対応するコリメータレンズの開口数を独立に設定することにより、半導体レーザ５ａ〜５ｃからの出射光の往路における効率を、独立に所望の値に設計することができる。
３７．カップリングレンズ
本発明の光ヘッド装置の実施の形態においては、コリメータレンズに加え、半導体レーザからの出射光の広がり角を縮小または拡大するためのカップリングレンズが、必要に応じて光学系中に設けられる。例えば、図５に示す実施の形態においては、ビームスプリッタ５５ａとミラー２０１の間にコリメータレンズが設けられる。また、半導体レーザ５ａとビームスプリッタ５５ａの間に第一のカップリングレンズ、半導体レーザ５ｂとビームスプリッタ５５ｂの間に第二のカップリングレンズ、半導体レーザ５ｃとビームスプリッタ５５ｃの間に第三のカップリングレンズがそれぞれ設けられる。
半導体レーザ５ａ〜５ｃの各々に対してカップリングレンズを設け、対応するカップリングレンズの倍率を独立に設定することにより、半導体レーザ５ａ〜５ｃからの出射光の往路における効率を、独立に所望の値に設計することができる。
３８．モニタ用光検出器
本発明の光ヘッド装置の実施の形態においては、半導体レーザからの出射光のパワーをモニタするためのモニタ用光検出器が、必要に応じて光学系中に設けられる。例えば、図５に示す実施の形態においては、ビームスプリッタ５５ａの半導体レーザ５ａと反対側の面の近傍に第一のモニタ用光検出器、ビームスプリッタ５５ｂの半導体レーザ５ｂと反対側の面の近傍に第二のモニタ用光検出器、ビームスプリッタ５５ｃの半導体レーザ５ｃと反対側の面の近傍に第三のモニタ用光検出器がそれぞれ設けられる。
半導体レーザ５ａ〜５ｃからの出射光は、それぞれビームスプリッタ５５ａ〜５５ｃで殆んど全てまたは約５０％が反射するが、ビームスプリッタ５５ａ〜５５ｃを僅かにまたは約５０％が透過する。これらの透過光を、それぞれ第一〜第三のモニタ用光検出器で受光する。モニタ用光検出器からの出力を半導体レーザの駆動電流にフィードバックすることにより、半導体レーザからの出射光のパワーを一定の値に制御することができる。
なお、半導体レーザ５ａから出射してビームスプリッタ５５ａを透過した光、半導体レーザ５ｂ、５ｃから出射してビームスプリッタ５５ａで反射した光を第一のモニタ用光検出器で受光する等により、複数個のモニタ用光検出器を共通化することも可能である。
３９．円筒レンズおよび回折光学素子
本発明の光ヘッド装置の実施の形態においては、ディスクからの反射光に非点収差を与えるための円筒レンズが、必要に応じて光学系中に設けられる。例えば、図５に示す実施の形態においては、ビームスプリッタ５５ｃと光検出器１０５ａの間に円筒レンズ（図示しない）が設けられる。
光検出器１０５ａは、円筒レンズにより形成される２つの焦線の中間に設置される。ディスク２０４からの反射光に非点収差を与えることにより、光検出器１０５ａからの出力に基づき、非点収差法によるフォーカス誤差信号を生成することができる。
本発明の光ヘッド装置の実施の形態においては、半導体レーザからの出射光を複数の光に分割するための回折光学素子が、必要に応じて光学系中に設けられる。例えば、図５に示す実施の形態においては、半導体レーザ５ａとビームスプリッタ５５ａの間に第一の回折光学素子（図示しない）、半導体レーザ５ｂとビームスプリッタ５５ｂの間に第二の回折光学素子（図示しない）、半導体レーザ５ｃとビームスプリッタ５５ｃの間に第三の回折光学素子（図示しない）がそれぞれ設けられる。
半導体レーザ５ａ〜５ｃからの出射光は、それぞれ第一〜第三の回折光学素子で０次光、±１次回折光の３つの光に分割される。ディスク２０４で反射した３つの光は光検出器１０５ａで受光される。半導体レーザ５ａ〜５ｃからの出射光を回折光学素子で３つの光に分割することにより、光検出器１０５ａからの出力に基づき、差動プッシュプル法によるトラック誤差信号を生成することができる。
図８１に、本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる光検出器における受光部のパタンと、光検出器上の光スポットの配置を示す。光検出器２９１における受光部のパタンは、ディスクからの反射光に非点収差が与えられており、半導体レーザからの出射光が回折光学素子で３つの光に分割されている場合に対応している。
光スポット２９２ａは回折光学素子からの０次光に相当し、ディスク２０４の半径方向に平行な分割線および接線方向に平行な分割線で４つに分割された、受光部２９３ａ〜２９３ｄで受光される。光スポット２９２ｂは回折光学素子からの＋１次回折光に相当し、ディスク２０４の半径方向に平行な分割線で２つに分割された、受光部２９３ｅ、２９３ｆで受光される。光スポット２９２ｃは回折光学素子からの−１次回折光に相当し、ディスク２０４の半径方向に平行な分割線で２つに分割された、受光部２９３ｇ、２９３ｈで受光される。ここで、光スポット２９２ａ〜２９２ｃは、円筒レンズの作用により、ディスク２０４の半径方向の強度分布と接線方向の強度分布が互いに入れ替わっている。
受光部２９３ａ〜２９３ｈからの出力を、それぞれＶ２９３ａ〜Ｖ２９３ｈで表わすと、フォーカス誤差信号は非点収差法により、（Ｖ２９３ａ＋Ｖ２９３ｄ）−（Ｖ２９３ｂ＋Ｖ２９３ｃ）の演算から生成される。トラック誤差信号は差動プッシュプル法により、（Ｖ２９３ａ＋Ｖ２９３ｂ）−（Ｖ２９３ｃ＋Ｖ２９３ｄ）−Ｋ｛（Ｖ２９３ｅ＋Ｖ２９３ｇ）−（Ｖ２９３ｆ＋Ｖ２９３ｈ）｝の演算から生成される。ここで、Ｋは回折光学素子からの０次光と±１次回折光の光量比である。ディスク２０４からの再生信号は、Ｖ２９３ａ＋Ｖ２９３ｂ＋Ｖ２９３ｃ＋Ｖ２９３ｄの演算から生成される。
フォーカス誤差信号の生成方法としては、非点収差法の代わりにフーコー法、スポットサイズ法等を用いることもできる。また、トラック誤差信号の生成方法としては、差動プッシュプル法の代わりに位相差法、３ビーム法等を用いることもできる。
４０．光学式情報記録再生装置
図８２に、本発明の光学式情報記録再生装置の実施の形態を示す。本実施の形態は、図５に示す本発明の光ヘッド装置の実施の形態に、記録信号生成回路３０１、半導体レーザ駆動回路３０２、プリアンプ３０３、再生信号生成回路３０４、誤差信号生成回路３０５、および対物レンズ駆動回路３０６を付加したものである。
記録信号生成回路３０１は、外部から入力される記録データに基づき、半導体レーザ５ａ〜５ｃを駆動するための記録信号を生成する。半導体レーザ駆動回路３０２は、記録信号生成回路３０１から入力される記録信号に基づき、半導体レーザ５ａ〜５ｃを駆動する。これにより、ディスク２０４への信号の記録が行われる。
プリアンプ３０３は、光検出器１０５ａから入力される電流信号を電圧信号に変換する。再生信号生成回路３０４は、プリアンプ３０３から入力される電圧信号に基づき、再生信号を生成して再生データを外部へ出力する。これにより、ディスク２０４からの信号の再生が行われる。
誤差信号生成回路３０５は、プリアンプ３０３から入力される電圧信号に基づき、対物レンズ２０３を駆動するためのフォーカス誤差信号およびトラック誤差信号を生成する。対物レンズ駆動回路３０６は、誤差信号生成回路３０５から入力されるフォーカス誤差信号およびトラック誤差信号に基づき、図示しないアクチュエータにより対物レンズ２０３を駆動する。これにより、フォーカスサーボおよびトラックサーボの動作が行われる。
本実施の形態は、これ以外に、ディスク２０４を回転させるスピンドル制御回路、ディスク２０４を除く光ヘッド装置全体をディスク２０４に対して移動させるポジショナ制御回路等を含んでいる。
本実施の形態は、ディスク２０４に対して記録および再生を行う記録再生装置である。これに対し、本発明の光学式情報記録再生装置の実施の形態としては、ディスク２０４に対して再生のみを行う再生専用装置も考えられる。この場合、半導体レーザ５ａ〜５ｃは、半導体レーザ駆動回路３０２により記録信号に基づいて駆動されるのではなく、出射光のパワーが一定の値になるように駆動される。
本発明の光学式情報記録再生装置の実施の形態としては、本発明の光ヘッド装置の上記第五の実施の形態以外の実施の形態に、記録信号生成回路、半導体レーザ駆動回路、プリアンプ、再生信号生成回路、誤差信号生成回路、および対物レンズ駆動回路を付加した形態も可能である。
なお、上記実施の形態では、光記録媒体として、次世代規格（ＡＯＤ規格、ＢＲＤ規格等）、ＤＶＤ規格、およびＣＤ規格のディスクを対象とし、第一、第二、および第三の波長の光として、それぞれ波長４００ｎｍ、６６０ｎｍ、および７８０ｎｍの光を使用した場合を説明しているが、本発明はこれに限らず、例えば、光記録媒体としてその他の規格のディスク（将来的に開発されるものを含む）を対象とし、その他の波長の光を使用した場合にも適用できる。
本発明の光ヘッド装置の第一の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第四の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第五の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第六の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第七の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第八の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第九の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十一の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十二の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十三の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十四の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十五の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十六の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十七の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十八の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第十九の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十一の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十二の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十三の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十四の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十五の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十六の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十七の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十八の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第二十九の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十一の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十二の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十三の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十四の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十五の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十六の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の第三十七の実施の形態を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるビームスプリッタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、２個の半導体レーザを集積化した半導体レーザの構成を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、３個の半導体レーザを集積化した半導体レーザの構成を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、１個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールの構成を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、２個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールの構成を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる、３個の半導体レーザと１個の光検出器を集積化したモジュールの構成を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられるエキスパンダレンズの構成を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる液晶光学素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる開口制御素子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる開口制御素子における、誘電体多層膜の透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の光ヘッド装置の実施の形態に用いられる光検出器における受光部のパタンと、光検出器上の光スポットの配置を示す図である。 本発明の光学式情報記録再生装置の実施の形態を示す図である。 従来の光ヘッド装置の第一の例の構成を示す図である。 従来の光ヘッド装置の第二の例の構成を示す図である。
符号の説明
１ａ、１ｂ、１ｃ 半導体レーザ
２ａ、２ｂ、２ｃ 半導体レーザ
３ａ、３ｂ、３ｃ 半導体レーザ
４ａ、４ｂ、４ｃ 半導体レーザ
５ａ、５ｂ、５ｃ 半導体レーザ
６ａ、６ｂ、６ｃ 半導体レーザ
７ａ、７ｂ、７ｃ 半導体レーザ
８ａ、８ｂ、８ｃ 半導体レーザ
９ａ、９ｂ、９ｃ 半導体レーザ
１０ａ、１０ｂ 半導体レーザ
１１ａ、１１ｂ 半導体レーザ
１２ａ、１２ｂ 半導体レーザ
１３ａ 半導体レーザ
１４ａ、１４ｂ 半導体レーザ
１５ａ、１５ｂ 半導体レーザ
１６ａ、１６ｂ 半導体レーザ
１７ａ、１７ｂ 半導体レーザ
１８ａ、１８ｂ 半導体レーザ
１９ａ、１９ｂ 半導体レーザ
２０ａ 半導体レーザ
２１ａ 半導体レーザ
２２ａ 半導体レーザ
２３ａ 半導体レーザ
２４ａ 半導体レーザ
２５ａ、２５ｂ 半導体レーザ
２６ａ、２６ｂ 半導体レーザ
２７ａ、２７ｂ 半導体レーザ
２８ａ、２８ｂ 半導体レーザ
２９ａ、２９ｂ 半導体レーザ
３２ａ 半導体レーザ
３３ａ 半導体レーザ
３４ａ 半導体レーザ
３５ａ 半導体レーザ
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ ビームスプリッタ
５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ ビームスプリッタ
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ ビームスプリッタ
５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄ ビームスプリッタ
５５ａ、５５ｂ、５５ｃ ビームスプリッタ
５６ａ、５６ｂ、５６ｃ ビームスプリッタ
５７ａ、５７ｂ、５７ｃ ビームスプリッタ
５８ａ、５８ｂ、５８ｃ ビームスプリッタ
５９ａ、５９ｂ、５９ｃ ビームスプリッタ
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ ビームスプリッタ
６１ａ、６１ｂ ビームスプリッタ
６２ａ、６２ｂ ビームスプリッタ
６３ａ ビームスプリッタ
６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ ビームスプリッタ
６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ ビームスプリッタ
６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ ビームスプリッタ
６７ａ、６７ｂ、６７ｃ、６７ｄ ビームスプリッタ
６８ａ、６８ｂ、６８ｃ、６８ｄ ビームスプリッタ
６９ａ、６９ｂ、６９ｃ、６９ｄ ビームスプリッタ
７０ａ、７０ｂ、７０ｃ ビームスプリッタ
７１ａ、７１ｂ、７１ｃ ビームスプリッタ
７２ａ、７２ｂ、７２ｃ ビームスプリッタ
７３ａ、７３ｂ、７３ｃ ビームスプリッタ
７４ａ、７４ｂ、７４ｃ ビームスプリッタ
７５ａ、７５ｂ、７５ｃ ビームスプリッタ
７６ａ、７６ｂ、７６ｃ ビームスプリッタ
７７ａ、７７ｂ、７７ｃ ビームスプリッタ
７８ａ、７８ｂ、７８ｃ ビームスプリッタ
７９ａ、７９ｂ、７９ｃ ビームスプリッタ
８０ａ、８０ｂ ビームスプリッタ
８１ａ、８１ｂ ビームスプリッタ
８２ａ、８２ｂ ビームスプリッタ
８３ａ、８３ｂ ビームスプリッタ
８４ａ、８４ｂ ビームスプリッタ
８５ａ、８５ｂ ビームスプリッタ
８６ａ ビームスプリッタ
１０１ａ、１０１ｂ 光検出器
１０２ａ、１０２ｂ 光検出器
１０３ａ、１０３ｂ 光検出器
１０４ａ、１０４ｂ 光検出器
１０５ａ 光検出器
１０６ａ 光検出器
１０７ａ 光検出器
１０８ａ 光検出器
１０９ａ 光検出器
１１０ａ、１１０ｂ 光検出器
１１１ａ 光検出器
１１２ａ 光検出器
１１３ａ 光検出器
１１４ａ、１１４ｂ 光検出器
１１５ａ、１１５ｂ 光検出器
１１６ａ、１１６ｂ 光検出器
１１７ａ、１１７ｂ 光検出器
１１８ａ、１１８ｂ 光検出器
１１９ａ、１１９ｂ 光検出器
１２０ａ 光検出器
１２１ａ 光検出器
１２２ａ 光検出器
１２３ａ 光検出器
１２４ａ 光検出器
１２５ａ 光検出器
１２６ａ 光検出器
１２７ａ 光検出器
１２８ａ 光検出器
１２９ａ 光検出器
１３２ａ 光検出器
１３３ａ 光検出器
１３４ａ 光検出器
１３５ａ 光検出器
１６４ａ モジュール
１６５ａ モジュール
１６６ａ モジュール
１６７ａ モジュール
１６８ａ モジュール
１６９ａ モジュール
１７０ａ、１７０ｂ モジュール
１７１ａ、１７１ｂ モジュール
１７２ａ、１７２ｂ モジュール
１７３ａ、１７３ｂ モジュール
１７４ａ、１７４ｂ モジュール
１７５ａ モジュール
１７６ａ モジュール
１７７ａ モジュール
１７８ａ モジュール
１７９ａ モジュール
１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ モジュール
１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ モジュール
１８２ａ モジュール
１８３ａ モジュール
１８４ａ モジュール
１８５ａ モジュール
１８６ａ、１８６ｂ モジュール
１８７ａ モジュール
２０１ ミラー
２０２ 波長板
２０３ 対物レンズ
２０４ ディスク
２１１、２２１ 半導体レーザ
２３１、２４１、２５１ モジュール
２１２ａ、２１２ｂ 半導体レーザチップ
２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ 半導体レーザチップ
２３２ａ 半導体レーザチップ
２４２ａ、２４２ｂ 半導体レーザチップ
２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ 半導体レーザチップ
２１３、２２３ ビームスプリッタ
２４３、２５３ ビームスプリッタ
２３５、２４５、２５５ ビームスプリッタ
２１４ａ、２１４ｂ 貼り合わせ面
２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ 貼り合わせ面
２４４ａ、２４４ｂ 貼り合わせ面
２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ 貼り合わせ面
２３６ａ、２３６ｂ 貼り合わせ面
２４６ａ、２４６ｂ 貼り合わせ面
２５６ａ、２５６ｂ 貼り合わせ面
２３７、２４７、２５７ 光検出器チップ
２６１ 凹レンズ
２６２ 凸レンズ
２７１ 液晶光学素子
２７２ 往路用液晶光学素子
２７３ 復路用液晶光学素子
２７４ａ、２７４ｂ、２７４ｃ、２７４ｄ、２７４ｅ 領域
２８１ 開口制御素子
２８２ ガラス基板
２８３ａ、２８３ｂ、２８３ｃ 誘電体多層膜
２９１ 光検出器
２９２ａ、２９２ｂ、２９２ｃ 光スポット
２９３ａ、２９３ｂ、２９３ｃ、２９３ｄ、２９３ｅ、２９３ｆ、２９３ｇ、２９３ｈ 受光部
３０１ 記録信号生成回路
３０２ 半導体レーザ駆動回路
３０３ プリアンプ
３０４ 再生信号生成回路
３０５ 誤差信号生成回路
３０６ 対物レンズ駆動回路
３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ モジュール
３１２ａ、３１２ｂ ビームスプリッタ
３１３ ミラー
３１４ 対物レンズ
３１５ ディスク
３２１ａ、３２１ｂ 半導体レーザ
３２２ａ、３２２ｂ ビームスプリッタ
３２３ 光検出器
３２４ ミラー
３２５ 波長板
３２６ 対物レンズ
３２７ ディスク

Claims (28)

  1. 第一の波長の光を出射する第一の光源と、
    第二の波長の光を出射する第二の光源と、
    第三の波長の光を出射する第三の光源と、
    光記録媒体で反射した前記第一、第二、および第三の波長の光を受光する少なくとも一つの光検出器と、
    前記光記録媒体に対向して配置される対物レンズと、
    前記第一、第二、および第三の光源から前記対物レンズへ向かう前記第一、第二、および第三の波長の光、前記対物レンズから前記光検出器へ向かう前記第一、第二、および第三の波長の光を合成／分離する合分波光学系とを有する光ヘッド装置において、
    前記合分波光学系は、前記第一、第二、および第三の波長の光のうち、前記第一の波長を含む少なくとも一つの波長の光に関しては、前記第一の光源の側から入射する光をその入射光量の５０％より多い光量で前記対物レンズの側へ出射し、かつ、前記対物レンズの側から入射する光をその入射光量の５０％より多い光量で前記光検出器の側へ出射すると共に、前記第一、第二、および第三の波長の光のうち、前記第三の波長を含む少なくとも一つの波長の光に関しては、前記対物レンズの側から入射する光をその偏光状態に実質的に依存せずに所定の比率で前記光検出器の側へ出射することを特徴とする光ヘッド装置。
  2. 前記合分波光学系は、前記第一および第二の光源の側から入射する前記第一および第二の波長の光をその入射光量の５０％より多い光量で前記対物レンズの側へ出射し、かつ、前記対物レンズの側から入射する前記第一および第二の波長の光をその入射光量の５０％より多い光量で前記光検出器の側へ出射すると共に、前記対物レンズの側から入射する前記第三の波長の光をその偏光状態に実質的に依存せずに所定の比率で前記光検出器の側へ出射することを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド装置。
  3. 前記合分波光学系は、
    前記第一の波長の光に対する偏光ビームスプリッタ、前記第二の波長の光に対する偏光ビームスプリッタ、および前記第三の波長の光に対する無偏光ビームスプリッタを含む少なくとも一つのビームスプリッタと、
    該ビームスプリッタと前記対物レンズとの間に設けられた、前記第一、第二、および第三の波長の光に対する広帯域の１／４波長板とを有することを特徴とする請求項２に記載の光ヘッド装置。
  4. 前記合分波光学系は、前記第一の光源の側から入射する前記第一の波長の光をその入射光量の５０％より多い光量で前記対物レンズの側へ出射し、かつ、前記対物レンズの側から入射する前記第一の波長の光をその入射光量の５０％より多い光量で前記光検出器の側へ出射すると共に、前記対物レンズの側から入射する前記第二および第三の波長の光をその偏光状態に実質的に依存せずに所定の比率で前記光検出器の側へ出射することを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド装置。
  5. 前記合分波光学系は、
    前記第一の波長の光に対する偏光ビームスプリッタ、前記第二の波長の光に対する無偏光ビームスプリッタ、および前記第三の波長の光に対する無偏光ビームスプリッタを含む少なくとも一つのビームスプリッタと、
    該ビームスプリッタと前記対物レンズとの間に設けられた、前記第一、第二、および第三の波長の光に対する広帯域の１／４波長板とを有することを特徴とする請求項４に記載の光ヘッド装置。
  6. 前記光検出器は、第一および第二の光検出器を有し、
    前記ビームスプリッタは、第一、第二、第三、および第四のビームスプリッタを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  7. 前記光検出器は、単一の光検出器を有し、
    前記ビームスプリッタは、第一、第二、および第三のビームスプリッタを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  8. 前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか二つが集積化光源として集積化されており、
    前記光検出器は、第一および第二の光検出器を有し、
    前記ビームスプリッタは、第一、第二、および第三のビームスプリッタを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  9. 前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか二つが集積化光源として集積化されており、
    前記光検出器は、単一の光検出器を有し、
    前記ビームスプリッタは、第一および第二のビームスプリッタを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  10. 前記第一、第二、および第三の光源が集積化光源として集積化されており、
    前記光検出器は、単一の光検出器を有し、
    前記ビームスプリッタは、単一のビームスプリッタを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  11. 前記光検出器は、第一、第二、および第三の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか一つと前記第一の光検出器がモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一、第二、第三、および第四のビームスプリッタと、前記モジュールに内蔵された第五のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  12. 前記光検出器は、第一、第二、および第三の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか一つと前記第一の光検出器が第一のモジュールとして集積化されており、
    前記第一、第二、および第三の光源のうち別のいずれか一つと前記第二の光検出器が第二のモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一、第二、および第三のビームスプリッタと、前記第一および第二のモジュールにそれぞれ内蔵された第四および第五のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  13. 前記光検出器は、第一および第二の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか一つと前記第一の光検出器がモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一、第二、および第三のビームスプリッタと、前記モジュールに内蔵された第四のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  14. 前記光検出器は、第一、第二、および第三の光検出器を有し、
    前記第一の光源と前記第一の光検出器が第一のモジュールとして集積化されており、
    前記第二の光源と前記第二の光検出器が第二のモジュールとして集積化されており、
    前記第三の光源と前記第三の光検出器が第三のモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一および第二のビームスプリッタと、前記第一、第二、および第三のモジュールにそれぞれ内蔵された第三、第四、および第五のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  15. 前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか二つが集積化光源として集積化されており、
    前記光検出器は、第一および第二の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源のうち残りの一つと前記第一の光検出器がモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一および第二のビームスプリッタと、前記モジュールに内蔵された第三のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  16. 前記光検出器は、第一および第二の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか二つと前記第一の光検出器がモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一および第二のビームスプリッタと、前記モジュールに内蔵された第三のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  17. 前記光検出器は、第一および第二の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源のうちいずれか一つと前記第一の光検出器が第一のモジュールとして集積化されており、
    前記第一、第二、および第三の光源のうち残りの二つと前記第二の光検出器が第二のモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、第一のビームスプリッタと、前記第一および第二のモジュールにそれぞれ内蔵された第二および第三のビームスプリッタとを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  18. 前記光検出器は、単一の光検出器を有し、
    前記第一、第二、および第三の光源と前記光検出器がモジュールとして集積化されており、
    前記ビームスプリッタは、前記モジュールに内蔵された単一のビームスプリッタを有することを特徴とする請求項３又は５に記載の光ヘッド装置。
  19. 前記第一、第二、および第三の波長の光のうち少なくとも一つに対し、球面収差を補正するための球面収差補正手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  20. 前記第一、第二、および第三の波長の光のうち少なくとも一つに対し、開口数を制御するための開口数制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  21. 前記第一、第二、および第三の光源からの出射光のうち、少なくとも一つを平行光化するための少なくとも一つのコリメータレンズをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜２０のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  22. 前記第一、第二、および第三の光源からの出射光のうち、少なくとも一つの広がり角を縮小または拡大するための少なくとも一つのカップリングレンズをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  23. 前記第一、第二、および第三の光源からの出射光のうち、少なくとも一つのパワーをモニタするための少なくとも一つのモニタ用光検出器をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜２２のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  24. 前記第一、第二、および第三の光源からの出射光のうち、少なくとも一つを複数の光に分割するための少なくとも一つの回折光学素子をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜２３のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  25. 前記第一、第二、および第三の波長は、それぞれ、
    ａ）４００ｎｍ、６６０ｎｍ、および７８０ｎｍと、
    ｂ）４００ｎｍ、７８０ｎｍ、および６６０ｎｍと、
    ｃ）６６０ｎｍ、４００ｎｍ、および７８０ｎｍと、
    ｄ）６６０ｎｍ、７８０ｎｍ、および４００ｎｍと、
    ｅ）７８０ｎｍ、４００ｎｍ、および６６０ｎｍと、
    ｆ）７８０ｎｍ、６６０ｎｍ、および４００ｎｍとの内いずれかであることを特徴とす
    る請求項１〜２４のいずれかに記載の光ヘッド装置。
  26. 請求項１〜２５のいずれかに記載の光ヘッド装置と、
    前記第一、第二、および第三の光源を駆動する第一の回路系と、
    前記光検出器の出力から再生信号および誤差信号を生成する第二の回路系と、
    前記対物レンズを前記誤差信号に基づいて駆動する第三の回路系とを有することを特徴とする光学式情報記録再生装置。
  27. 前記第一の回路系は、前記第一、第二、および第三の光源のうち少なくとも一つを、記録信号に基づいて駆動する回路系であることを特徴とする請求項２６に記載の光学式情報記録再生装置。
  28. 前記第一の回路系は、前記第一、第二、および第三の光源のうち少なくとも一つを、出射光のパワーが一定の値になるように駆動する回路系であることを特徴とする請求項２６に記載の光学式情報記録再生装置。
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