CN100377281C - 等离子体显示面板用共面放电电极板 - Google Patents

等离子体显示面板用共面放电电极板 Download PDF

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Abstract

这种电极板(1)包括用于每个放电区(3)的至少两个电极元件(4、4’),所述电极元件具有对称轴Ox,并对所述电极元件进行适配,使得当在供给所述放电区的两个电极之间施加恒定电位差时,在覆盖这些元件的介质层的表面测量的表面电位V(x)从元件的放电边缘以连续或断续方式增加,而没有下降部分。由此实质上提高了显示面板的发光效率。

Description

等离子体显示面板用共面放电电极板
技术领域
参见图1A和1B,本发明涉及在等离子体显示面板的各个单元或放电区中的放电点火、放电扩展和放电稳定区的界定。
背景技术
等离子体显示面板一般至少设有共面电极的第一和第二阵列,它们的大致方向是平行的,其中第一阵列的每个电极Y与第二阵列的电极Y’相邻、与其成一对并趋于供给一组放电区,并且该等离子体显示面板包括用于提供的每个放电区的:
-被称为放电点火区的导电区Za,它包括面对第二阵列的所述电极的点火边缘;
-被称为放电扩展区的导电区Zb,它位于与所述点火边缘相反的一侧上的导电点火区的后部;和
-被称为放电稳定或放电结束区的导电区Zc,它位于导电扩展区的后部,并包括在与所述点火边缘相反的一侧上限定所述元件的放电结束边缘。
这三个区的定义将在后面关于阴极套的位移中补充说明。
这些电极板用于制造下述类型的常规等离子体显示面板,它包括上述类型的共面放电电极板11和另一电极板12,并在它们之间设有两维一组的寻址电极阵列,用于收集用放电气体填充的所述放电区。
每个放电区位于共面放电电极板的寻址电极X和一对电极Y、Y’的相交部位;由任何一对电极供给的每组放电区一般对应显示面板的放电区或子像素的水平行;以及由任何一个寻址电极供给的每组放电区一般对应放电区或子像素的垂直列。
共面放电电极板的电极阵列用介质层13涂覆,以便提供存储效果,所述层本身用一般以氧化镁为基础的保护和二次电子发射层14涂覆。
相邻的放电区、至少发射不同颜色的相邻放电区一般由水平阻挡肋15和/或垂直阻挡肋16来界定,这些阻挡肋一般还用作电极板之间的间隔器。
图1A和1B中所示的单元是矩形的-其它单元的几何形状被现有技术公开了-这个单元的最大尺寸平行于寻址电极X延伸。假设Ox是这个单元的纵向对称轴;在由一对电极供给的形成放电单元的每个放电区中,这里由阻挡肋15、16界定的电极部分或元件Y、Y’具有沿着垂直于轴Ox的方向测量的恒定的宽度。
发光放电区的壁一般部分地用荧光体涂覆,该荧光体对发光放电的紫外辐射灵敏。相邻的放电区设有发射不同基色的荧光体,因此三个相邻区的组合形成图像元素或像素。
在工作期间,为了显示图像,例如视频序列:
-借助寻址电极阵列和共面电极阵列之一,通过在这行的每个放电区的介质层的区域上沉积电荷,依次对每行显示面板进行寻址,所述行是预选的并且为了显示图像而激活了其对应的子像素;然后
-通过在共面放电电极板的两个阵列的电极之间施加一系列维持电压脉冲,只在预放电区产生放电,由此激活对应子像素并进行图像显示。
文献EP0782167(Pioneer)的图15以及下列图3A示出了上述类型的共面放电电极板,其中,在经一对电极供给的每个放电区中,这对中的每个电极包括T形元件,该T形元件包括面对另一电极的横棒31和恒定宽度的中心腿部32,每个电极元件经其中心腿部并经导电总线33电连接。
电极元件的每个横棒31形成放电点火区Za,每个中心腿部32形成放电扩展区Zb,并且每个横棒33可以形成放电稳定区Zc。在工作时,在维持阶段期间,在被称为点火边缘的横棒31的边缘之一开始每个放电,然后每个放电沿着对应腿部32延伸到与其连接的总线33。
T形的改型示于相同文献EP0782167(Pioneer)的图14中。这是倒置U形的,它具有垂直于与前述相同的横向点火棒的两个侧边缘(代替一个中心腿部),这两个侧边缘的每个连接到这个棒的一端。在点火之后,放电细分,然后沿着两个平行的侧向扩展路径延伸,其中每个路径对应倒置U形的一个腿部,这两个路径在电极的导电总线上连接在一起。
根据在文献EP0802556(Matsushita)中所述的另一种改型,尤其是在图9中下列图4A中再现的,U形的每个横腿42a和42b在两个相邻单元之间共享,并且相同电极的元件的横棒以下列方式形成连续导体,使得每个共面电极采取梯子形状,其第一导轨用作点火区Za,其横梁位于放电区的边界上并用作放电扩展区Zb,其第二导轨用作稳定区Zc
用于沿着形成电极部分的扩展区扩散放电的这个过程有利于提高由放电产生紫外辐射的效率,并且拓宽在受激荧光体表面上的分布。
发明内容
本发明的目的是限定一种新型的共面放电等离子体显示面板,进一步提高和优化放电的发光效率以及等离子体显示面板的寿命。
为此,本发明的主题之一是提供一种用于在等离子体显示面板中限定放电区的共面放电电极板,它-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的一般方向是平行的,其中第一阵列的每个电极与第二阵列的一个电极相邻、与其成对并用于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少两个电极元件,它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且每一个电极元件被分别连接到一对电极的一个电极上,
其特征在于:对于每个放电区的每个电极元件,Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述电极元件的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述电极元件的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,所述电极元件的形状以及所述介质层的厚度和组分适合于存在x值的范围[xab,xbc],以便xbc-xab>0.25xcd,xab<0.33xcd,xbc>0.5xcd,并且当在供给所述放电区的两个电极之间施加恒定电位差时,表面电位V(x)作为x的函数以连续或断续方式在所述[xab,xbc]范围内从值Vab增加到高值Vbc而没有下降部分,并具有合适的标记,从而所述电极元件用作阴极。
当该电极元件用作阴极时,覆盖它的介质层的表面带正电。
因此表面电位V(x)连续或断续地从x=xab跳跃式增加到x=xbc。因此,这个电位相对于x的导数即dV(x)/dx对于任何x都是正的或零,因此xab<x<xbc
优选地,对于每个放电区,两个相反的电极元件和其下面的介质层是相同的并关于电极间隔的中心对称。
当这个电极板安装到等离子体显示面板中并且恒定平稳维持脉冲施加于两个阵列电极之间时,对于每个放电区,两个电极元件的每个交替用作阳极和阴极。
通常,这种显示面板中的每个共面维持放电依次包括点火阶段、扩展阶段和放电结束或稳定阶段,在这几个阶段期间,放电的阴极套分别不移动、移动和消失或稳定。
因此这个显示面板中的每个放电区的每个电极元件通常包括:
-导电放电点火区Za,在所述元件用作阴极时,它包括所述点火边缘,并对应在所述点火阶段过程中其上沉积放电离子的介质层的区域;
-导电放电扩展区Zb,它位于所述点火区Za的后部并在与所述点火边缘相反的一侧上,在所述元件用作阴极时,它对应在所述扩展阶段期间通过位移阴极套而扫描的介质层的区域;和
-导电放电结束或稳定区Zc,它位于所述扩展区Zb的后部,在所述元件用作阴极时,该区域Zc包括所述放电结束边缘并对应在所述放电结束或稳定期间其上沉积放电离子的介质层的区域。
根据本发明,[xab,xbc]间隔在所述电极元件上限定所述扩展区域Zb,它代表电极元件的总长度Le=xcd的至少25%。
由于本发明,在每个维持脉冲时,甚至在放电点火之前,对于这种显示面板中的每个放电区的每个电极元件,沿着Ox轴,获得了一种电位分布,在所述脉冲期间,当该电极元件用作阴极时,这个电位分布在覆盖这个电极元件的扩展区的介质层的表面上作为x的函数增加。
这种电极元件及其下面的介质层允许维持放电以点火区中的最小能耗和高效放电结束区中的最能耗在点火区上快速蔓延,一直蔓延到放电结束或稳定区,同时仍然使用在各对电极之间输送常规序列维持电压脉冲的常规维持脉冲发生器,其中每个脉冲包括恒定电压平稳部分,而在施加的电位中没有任何明显增加。
总之,本发明的目的是提供一种用于等离子体显示面板的共面放电电极板,它包括用于每个放电区的至少两个电极元件,这些电极元件具有对称轴Ox并设计成使得在供给所述放电区的两个电极之间施加恒定电位差时,在覆盖这些元件的介质层表面测量的表面电位V(x)以连续或断续方式随着远离元件的放电边缘而增加,并且没有下降部分。
根据本发明的共面电极板可以获得提高的发光效率和更长寿命的等离子体显示面板。
优选地,Vnom(x’)-Vnorm(x)>0.001,其中x和x’是在xab和xbc之间选择的任意值,并满足x’-x=10μm。
优选地,将标准化表面电位Vnorm(x)定义为在所述电极元件的介质层的水平x上的表面电位V(x)与沿着无限宽度的电极元件的轴Ox可以获得的最大电位V0-max的比,标准化表面电位Vnom(x)从所述间隔的开始点(x=xab)上的值Vn-ab=Vab/V0-max增加到所述间隔的结束点(x=xbc)上的值Vn-bc=Vbc/V0-max,则:
Vn-bc>Vn-ab,Vn-ab>0.9,以及(Vn-bc-Vn-ab)<0.1。
在其中安装了这种共面电极板的等离子体显示面板中,通过将在扩展区和稳定区的结束部位的介质的标准化表面电位Vnorm(x)一般定义为接近1,则连接所述电极元件的电极总线对应在这一点上的电极元件的准无限宽度的区域。在点火区或扩展区的开始部位,将介质层的标准化表面电压定义为尽可能地接近1是很重要的,实际上为0.95左右。违背这个值1例如0.8实质上意味着实际点火电压的增加,这总是有害的,因为需要更昂贵的电子部件。因此,需要Vn-ab的下限和电位差ΔVn=Vn-bc>Vn-ab的上限,以便限制要在任何一个单元的电极元件之间施加的电位差的惩罚性(punitive)的增加,从而当根据本发明的共面电极板安装到等离子体显示面板中时点燃放电。
优选地,在所述电极之间的电位差的相同施加条件下,覆盖所述元件并由其中x=xcd的所述放电结束边缘和位置x=xbc限定的介质层的表面区域中的最大电位比覆盖所述元件并由其中x=0的所述点火边缘和位置x=xab所限定的介质层的表面区域的最大电位明显大。
当这个电极板安装到等离子体显示面板中和在两个电极阵列之间施加恒定平稳维持脉冲序列时,发现,对于每个放电区,在每个维持脉冲时,甚至在放电点火之前,位于点火区Za中的介质层表面的最大电位严格小于稳定区Zc中的介质层表面的最大电位。
由于这个特征,一旦放电已经启动和一旦开始,放电的稳定工作点不可能是点火区,放电必须沿着介质层表面朝向放电结束边缘散布到扩展区中。
本发明的主题还是一种设有根据本发明的共面电极板的等离子体显示面板。
本发明的主题还是一种用于在等离子体显示面板中限定放电区的共面放电电极板,它包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的大致方向是平行的,其中第一阵列的每个电极与第二阵列的电极相邻、与其成对并趋于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少两个电极元件,它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且各连接到一对电极的每个电极上,
其特征在于:对于每个放电区的每个电极元件,Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述电极元件的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述元件的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
将共面电极板的介质层的比纵向电容C(x)定义为在所述电极元件和介质层表面之间界定的这层的笔直元素条的电容,所述这层具有沿着Ox轴的长度dx和对应限定所述元素条的电极元件的宽度的宽度,
所述电极元件的形状以及所述介质层的厚度和组分适合于存在x值的间隔[xab,xbc],以便xbc-xab>0.25xcd,xab<0.33xcd,以及xbc>0.5xcd,并且介质层的这个比纵向电容C(x)从所述间隔的开始点(x=xab)的值Cab连续或断续地增加到所述间隔的结束点(x=xbc)的值Cbc,而没有下降部分。
因此获得了具有介质层的表面电位的增加的分布的共面电极板。
限定所述笔直元素条的电极元件的宽度We(x)或Wa(x)可以是断续的,例如当所述元件被分成两个横向导电元件时。在这种情况下,采取每个横向导电元件的宽度的总和。
优选地,位于所述元件和这层的表面之间并由其中x=xcd的所述放电结束边缘和位置x=xbc限定的介质层部分的电容严格大于位于所述元件和这层表面之间并由其中x=0和位置x=xab限定的介质层部分的电容。
当这个电极板安装到等离子体显示面板中并在两个阵列电极之间施加恒定平稳维持脉冲序列时发现,对于每个放电区,对应所述稳定区Zc的介质层的总电容大于对应所述点火区Za的介质层的总电容。
由于这个特征,一旦放电已经启动和一旦开始,放电的稳定工作点不可能是点火区,放电必须沿着介质层的表面朝向放电结束边缘散布到扩展区中。
优选地,位于x=xbc和x=xcd之间的区域中的介质层的比纵向电容大于在0<x<xbc的任何其它位置x上的介质层的比纵向电容。
当这个电极板安装到等离子体显示面板中和在两个电极阵列之间施加恒定平稳维持脉冲序列时发现,对于每个放电区,稳定区Zc中的介质层的比纵向电容大于扩展区Zb或点火区Za中的任何其它位置x上的介质层的比纵向电容。
有利地,在具有高发光效率的放电结束区Zc中获得放电的最大能耗。
本发明的主题也是一种设有根据本发明的具有增加的比电容的共面电极板的等离子体显示面板。
本发明的主题也是一种等离子体显示面板,包括:
-用于限定放电区的共面电极板,它包括至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的大致方向是平行的,其中第一阵列的每个电极与第二阵列的电极相邻、与其成对并趋于供给一组放电区;和
-任选的寻址电极板,包括用介质层涂覆的寻址电极阵列,它们定向和设置成使得它们每个与所述放电区之一中的共面电极板的一对电极相交,这些电极板在它们之间限定所述放电区并被以微米表示的距离Hc分开,
-和用于每个放电区的至少两个电极元件,它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且各连接到一对的每个电极上,其特征在于:对于每个放电区的每个电极元件,Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的另一电极元件的所述电极元件的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述元件的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,所述电极元件的形状,
假设E1(x)是在纵向位置x上的所述电极元件(4)上方的介质层的以微米表示的平均厚度,P1(x)是其平均相对介电常数,并且假设E2(x)所述电极元件(X)上方或者是在没有寻址电极时的寻址电极板(2)上方的介质层的以微米表示的平均厚度,P2(x)是其平均相对介电常数,再次在位于寻址电极板的表面上且平行于Ox轴的轴上且位于垂直于所述共面电极板的表面的平面中的纵向位置x上测量该厚度和介电常数,
这个介质层的厚度和组分适合于存在x值的间隔[xab,xbc],以便xbc-xab>0.25xcd,xab<0.33xcd,以及xbc>0.5xcd,并且R(x)=1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+Hc+E2(x)/P2(x)]从所述间隔的开始点(x=xab)的值Rab连续或断续地增加到所述间隔的结束点(x=xbc)的值Rbc,而没有下降部分。
这是本发明的第一普通实施例。
优选地,所述电极元件的宽度We(x)在所述x值范围内是恒定的。
优选地,R(x’)-R(x)>0.001,其中x和x’是在xab和xbc之间选择的任意值,并满足x’-x=10μm。
优选地,Rbc>Rab,Rab>0.9,以及(Rbc-Rab)<0.1。这些特征能限制用于点火所需的电压。
优选地,对于满足xbc<x<xcd的任何x值,R(x)的值严格大于对于满足0<x<xab的任何x的R(x)值。
优选地,对于满足xbc<x<xcd的任何x值的R(x)值严格大于对于满足0<x<xab的任何x的R(x)值。
本发明的主题也是一种具有如上所述增加的介质层的比纵向电容C(x)的共面共面电极板,其中,对于每个放电区的每个放电元件,至少对于xab<x<xbc的任何x,所述介质层具有在所述电极元件上方的恒定介电常数P1和以微米表示的恒定厚度E1,并且其中具有下列定义:
-标准化表面电位Vnorm(x),定义为在所述电极元件的介质层的值x上的表面电位V(x)与沿着用于无限宽度的电极元件的轴Ox将获得的最大电位V0-max的比,该标准化表面电位从所述间隔的开始点(x=xab)的值Vn-ab=Vab/V0-max增加到所述间隔的结束点(x=xbc)的值Vn-bc=Vbc/V0-max
-这个元件的理想宽度分布,由以下等式定义:
W e - id - 0 ( x ) = W e - ab exp { 29 ( P 1 / E 1 ) ( x - x ab ) × ( V n - bc - V n - ab ) / ( x bc - x ab ) }
其中We-ab是在垂直于Ox轴的x=xab处测量的所述元件的总宽度;和-下限分布We-id-low和上限分布We-id-up,由以下等式定义:
We-id-low=0.85We-id-0,We-id-up=1.15We-id-0
则,对于在xab和xbc(包含两边界)之间的任何x,在垂直于Ox轴的x测量的所述元件的总宽度We(x)满足:
We-id-low(x)<We(x)<We-id-up(x)。
这是本发明的第二普通实施例。
例如当所述元件被分为两个横向导电元件时,该电极元件的宽度We(x)可以是不连续的。则采取每个横向导电元件的宽度的总和。
已经发现,根据本发明的主要一般特征,位于这个下限分布We-id-low和这个上限分布We-id-up之间的任何电极元件分布可以实现在所述间隔的开始点(x=xab)和结束点(x=xbc)之间的连续或断续增加的电位分布。
本发明还具有一个或多个以下特征:
-宽度We-ab小于或等于80μm;和
-宽度We-ab小于或等于50μm,由此在将这种电极板安装到等离子体显示面板中时可以有利地限制放电开始时消耗的能量。
优选地,所述电极元件被分成两个横向导电元件,它们关于Ox轴对称并且至少在x位于[xab,xb3]间隔内的区域中被分开,其中xb3-xab>0,7(xbc-xab)。优选地,xb3=xbc
优选地,如果Oy是垂直于沿着点火边缘的轴Ox的轴并假设de-p(x)是在这两个横向导电元件彼此相对的边缘之间、在xab和xbc之间的任何位置x上平行于Oy轴测量的距离,存在位于xab和xb3之间的值x=xb2,使得对于在xab和xb2之间的任何值x,de-p(x)>de-p(xab)。因此,横向导电元件逐渐彼此远离运动,然后在x=xb2以外彼此相向运动。
本发明还具有以下一个或多个特征:
-de-p(xab)在100μm和200μm之间;
-在值xab<x<xb2的区域中,在这个横向元件的横向边缘之间的中间距离上,对于给定位置x,考虑每个横向导电元件轨迹的中线,在x上对这个元件的中线的切线与Ox轴形成小于60度的角;
-所述角在30度和45度之间;在所述电极板安装到等离子体显示面板中时,这个特征避免了扩展区中电极套位移的任何干扰。
本发明的主题还是一种用于在等离子体显示面板中限定放电区的共面放电电极板,它包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的大致方向是平行的,其中第一阵列的每个电极与第二阵列的电极相邻、与其成对并趋于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少两个电极元件,它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且各连接到一对的每个电极上,
其特征在于:
-对于每个放电区的每个电极元件,Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的另一电极元件的所述电极元件的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述元件的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
-所述电极元件被分为两个横向导电元件,它们关于Ox轴对称并至少在x在间隔[xab,xb3]内的区域中被分开,
-如果Oy是垂直于沿着点火边缘的轴Ox的轴并假设de-p(xab)是在这两个横向导电元件彼此相对的边缘之间、在x=xab的位置上平行于Oy轴测量的距离,所述电极元件包括连接所述横向导电元件的被称为点火棒的横棒,它的一个边缘对应所述点火边缘,沿着Ox轴测量的其长度比在Ox轴的任一侧上对于在y1和de-p(xab)/2之间的|y|的这个长度的值La大,两者的差值为在Ox轴任一侧上对于位于0和y1之间的|y|的值ΔLa
则该电极元件包括在横向点火棒的中心位置上并位于两个横向导电元件之间的突起。优选地,如果We(xab)=We-ab,则We-ab≤La≤80μm。优选地,ΔLa>0.2La。优选地,沿着Oy轴测量的突起的宽度Wa-i=2y1满足:We-ab<80μm,其中We-ab=2We-p0
本发明的主题也是一种设有共面电极板的等离子体显示面板,该共面电极板中所有电极元件的分布是按照本发明进行的。
本发明的主题还是一种等离子体显示面板,它包括共面电极板和寻址电极板,在它们之间限定放电区,并由距离Hc分开,该共面电极板包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的大致方向是平行的,其中第一阵列的每个电极与第二阵列的电极相邻、与其成对并趋于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少两个电极元件,它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且各连接到一对的每个电极上,寻址电极板包括:
-寻址电极阵列,它们用介质层涂覆并取向和设置成使得每个寻址电极与在所述放电区之一中的共面电极板的一对电极相交;
-平行阻挡肋阵列,每个阻挡肋位于两个相邻寻址电极之间并与两个其它相邻阻挡肋相隔距离Wc,并且对于每个放电区的每个放电元件,Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的另一电极元件的所述电极元件的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述元件的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
其特征在于:至少对于xab<x<xbc的任何x,所述介质层在所述电极元件上方具有均匀的组分和恒定的厚度,并且对于所述显示面板的每个放电区和对于这个区的每个电极元件,所述电极元件被分为恒定宽度We-p0的两个横向导电元件,它们关于Ox轴对称并至少在x在间隔[xab,xbc]内的区域中被分开,并且如果Oy是垂直于沿着点火边缘的轴Ox的轴并假设de-p(x)是在这两个横向导电元件彼此相对的边缘之间、在xab和xbc之间的任何位置x上平行于Oy轴测量的距离,de-p(x)作为在所述[xab,xbc]间隔内的x的函数以连续或断续方式增加,并且在xab<x<xbc的区域中,在这个横向元件的横向边缘之间的中间距离上,对于给定位置x,考虑每个横向导电元件轨迹的中线,在x上对这个元件的中线的切线与Ox轴形成在20度和40度之间的角,并且de-p(xab)≤350μm。
这是本发明的第三普通实施例。
根据本发明,由于分开它们的相对短的距离,这里一个横向导电元件对另一的静电效应非常强,从而允许在优选大于0.9的Vn-ab和优选接近于1的Vn-bc之间的介质层表面上的标准化电位变化,同时仍然保持每个横向导电元件的宽度不变。
优选地,200μm≤de-p(xab)≤350μm,并且所述电极元件包括连接所述横向导电元件的被称为点火棒的横棒,其一个边缘对应所述点火边缘,沿着Ox轴测量的其长度比在Ox轴的任一侧上对于在y1和de-p(xab)/2之间的|y|的这个长度的值La大,两者的差值为在Ox轴任一侧上对于位于0和y1之间的|y|的值ΔLa
根据该特征,电极元件包括在横向点火棒的中心位置上并位于两个横向导电元件之间的突起。则这个突起用作放电点火器,它对于放电扩展不会产生附加能耗。为此,优选选择长的ΔLa,以便ΔLa+La<80μm,沿着Oy轴测量的突起的宽度Wa-i=2y1满足:We-ab<Wa-i<80μm,其中We-ab=2We-p0
优选地,如果Wa是沿着Oy轴测量的所述点火棒的宽度,
-如果La<2We-p0,则ΔLa>2We-p0-La
-如果La≥2We-p0,则ΔLa>0.2La
在这种等离子体显示面板中,这些几何特性可以放电开始时在不显著增加阴极套的能耗的情况下减小点火电压,特别是因为在这个扩展运动中该阴极套的位移必须是横向地偏移到在每个横向导电元件上的突起的区域的外部。在这个突起上在横向点火棒中心处的存储电荷的增加对阴极套的能量没有不利影响。
本发明的主题也是一种等离子体显示面板,它包括共面电极板和寻址电极板,并在它们之间限定放电区,而且分开距离Hc,该共面电极板包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的大致方向是平行的,其中第一阵列的每个电极与第二阵列的电极相邻、与其成对并趋于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少两个电极元件,它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且各连接到一对的每个电极上,寻址电极板包括:
-寻址电极阵列,它们用介质层涂覆并取向和设置成使得每个寻址电极与在所述放电区之一中的共面电极板的一对电极相交;
-平行阻挡肋阵列,每个阻挡肋位于两个相邻寻址电极之间并与两个其它相邻阻挡肋相隔距离Wc,并且对于每个放电区的每个放电元件,Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的另一电极元件的所述电极元件的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述元件的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
其特征在于:至少对于xab<x<xbc的任何x,所述介质层在所述电极元件上方具有均匀的组分和恒定的厚度,并且对于所述显示面板的每个放电区和对于这个区的每个电极元件,所述电极元件被分为恒定宽度We-p0的两个横向导电元件,它们彼此相对的边缘之间的距离de-p0是不变的并大于Wc,这些元件关于Ox轴对称并在x处于间隔[xab,xbc]内的区域中被分开,并且所述电极元件包括:
-被称为点火棒的横棒,其宽度大于或等于Wc,沿着Ox轴测量的其长度为La,并且其一个边缘对应所述点火边缘;
-被称为放电稳定棒的横棒,其宽度大于或等于Wc,沿着Ox轴测量的其长度为Ls,并且其一个边缘对应所述放电结束边缘;和
-至少一个中间横棒,其宽度大于或等于Wc,并且沿着Ox轴的其位置在其整个长度Lb内完全位于间隔[xab,xbc]内;以及Lb≤La<Lc
这是本发明的第四实施例。
由于Ls>La,因此位于放电结束区中的介质层的电容大于位于放电点火区中的介质层的比电容,从而在点火区和放电结束区之间建立正电位差。
优选地,通过中间横棒的一个边缘与所述放电稳定棒相隔距离d1和另一个边缘与所述点火棒相隔距离d2,则d2/2<d1<d2
优选地,3×max(La,Lb)<Ls<5×max(La,Lb)。
除了根据本发明的一个或其它等离子体显示面板的前面所述特征之外,这种显示面板还包括寻址电极板,它与共面电极板一起限定放电区,对于每个放电区和对于每个电极元件,如果We-ab是在x值的所述间隔的开始点上在位置x=xab上沿着Oz轴测量的所述电极元件的宽度,则所述电极元件优选包括被称为点火棒的横棒,其一个边缘对应所述点火边缘,并且沿着Ox轴测量的其长度满足:We-ab≤La<80μm。严格地讲,由于位置x=xab对应恰在点火区结束之后的扩展区的开始,因此La<xab
有利地,这个特征可以保持点火区内的介质层上的表面电位与扩展区开始时的表面电位相同。
优选地,这种显示面板包括位于彼此相隔Wc距离的所述电极板之间的平行阻挡肋阵列,它们垂直于所述共面电极的大致方向,其特征在于:如果Oy是垂直于沿着点火边缘设置的Ox轴的轴和如果Wa是沿着Oy轴测量的所述横向点火棒的宽度,则:Wc-60μm<Wa≤Wc-100μm。
优选地,这种等离子体显示面板包括位于彼此相隔Wc距离的所述电极板之间的平行阻挡肋阵列,它们垂直于所述共面电极的大致方向,其特征在于:如果Oy是垂直于沿着点火边缘设置的Ox轴的轴、如果Wa是沿着Oy轴测量的所述横向点火棒的宽度以及如果Wa-min对应一个宽度,在该宽度以外所述阻挡肋将引起所述元件上方的介质层的表面电位的实质减少,所述横向点火棒包括:
-中心区Za-c,对于该中心区Za-c,在|y|≤Wa-min/2的任何点,在所述放电区的两个电极元件的点火边缘之间的沿着Ox轴的距离是不变的并等于gc;和
-在中心区Za-c的任一侧上的两个横向区域Za-p1和Za-p2,对于这两个区域,在|y|>Wa-min/2的任何点,在所述放电区的两个电极元件的点火边缘之间的沿着Ox轴的距离从值gc连续减小。
通过减小在靠近阻挡肋的横向区域Za-p1和Za-p2中隔开两个电极元件的间隙,可以提高这个区域中的电场,并且通过局部地适应帕邢条件可以补偿由壁效应引起的主要颗粒的减少。因此,对于恒定点火区面积获得了点火电位的减小,或者对于恒定点火电位获得了点火区面积的减小。
优选地,根据本发明的一种或另一种等离子体显示面板包括适合于在各个对的共面电极之间产生一系列恒定平稳维持电压脉冲的电源装置。有利地,本发明可以基本上提高等离子体显示面板的发光效率和延长其寿命,同时使用这种常规的和便宜类型的维持脉冲发生器。
附图描述
在阅读了下面通过给出的非限制性的例子和与现有技术的对比并结合附图的说明的基础上将更清楚地理解本发明,其中:
图1A和1B分别以顶视图和剖面图表示现有技术单元的第一结构;
图2A表示在图1A和1B所示类型的单元中在时间T1和时间T2的放电状态,图2B表示作为时间T的函数的放电电流的变化;
图3A表示现有技术单元的第二结构的顶视图,图3B表示在这种结构中作为时间T的函数的放电电流的变化;
图4A表示现有技术单元的第三结构的顶视图,图4B表示在这种结构中作为时间T的函数的放电电流的变化;
图5表示沿着图1-4的现有技术结构的电极元件的介质层的表面电位的分布;
图6表示具有共面电极板的等离子体显示面板单元的一般透视图;
图7表示沿着根据下列图中所述的本发明的结构的电极元件的介质层的根据本发明的表面电位的分布;
图8表示以介质层的厚度变化的结构为基础的本发明的第一普通实施例;
图9表示作为等离子体显示面板单元的电极元件的宽度的函数(任意单位)的介质层的标准化表面电位的变化;
图10A-10D和图11A-11D表示以电极元件具有可变宽度的结构为基础的根据本发明的第二普通实施例;
图12表示为了点燃放电而在单元的电极元件之间施加的标准化点火电位作为点火区中的电极元件的宽度的函数而变化的曲线;
图13和14表示根据本发明的电极元件的点火边缘的两种可能结构;
图15A和15B表示根据图10C的结构的变型,这里它设有图13或图14所示的点火边缘;
图16和18A-18G表示本发明的第二普通实施例的另一种变型,它以其中电极元件具有可变宽度并分为两个横向导电元件的结构为基础;
图17表示在图16的单元中心的介质层的表面电位作为两个横向导电元件之间的间隙的函数而变化的曲线;
图19表示以其中电极元件被分为具有恒定宽度的两个横向导电元件的结构为基础的本发明的第三普通实施例的变型;
图20A表示具有两个横棒的单元结构;
图20B表示具有三个横棒的现有技术的单元结构,它示出了本发明的第三普通实施例;和
图21表示沿着图20A和20B的结构的电极元件的介质层的表面电位的分布。
具体实施方式
为了简化说明和突出本发明相对于现有技术的差别和优点,将使用相同的参考标记表示实现相同功能的部件。
当在等离子体显示面板中使用共面放电电极板时,在一对电极之间产生的每个等离子体放电包括点火阶段和扩展阶段,其中所述一对电极中的一个电极用作阴极,另一个电极用作阳极。图2A示出了具有共面放电区的类型的单元的示意纵剖面,如图1A所示,图2B示出了在维持放电期间这个单元的共面电极之间的电流的变化情况。
放电的点火电压明显取决于点火区附近的阳极和阴极上预先储存的电荷,尤其是在阴极是阳极的先前放电期间,反之亦然。在放电之前,正电荷被储存在阳极上,负电荷被储存在阴极上,产生的这些储存电荷被称为存储电压。点火电压对应电极之间之间的电压-或位置电压-加上存储电压。
在点火时,电极之间的放电气体中的电子雪崩产生正空间电荷,它们集中在阴极周围,从而形成所谓的阴极套。被称为位于放电的阴极套和阳极端之间的正伪柱的这种等离子体区含有相同比例的正电荷和负电荷。因此这个区域传导电流,并且其中的电场很低。因此正伪柱区具有低电子能量分布,因而有利于紫外光子的产生,由此促进放电气体的激励。
因此阳极和阴极之间的气体中的大部分电场对应阴极套内的场。沿着阳极和阴极之间的场线,电位降的最大部分对应阴极套区域。在阴极套的激烈(intense)场中被加速的离子对涂覆介质层的氧化镁基层的影响导致阴极附近的二次电子的实质发射。则这种距离的电子倍增效应大大增加了电极之间的导电等离子体的密度,包括离子和电子,由此使阴极套在阴极附近收缩,并使阴极套位于等离子体的正电荷沉积在覆盖阴极的介质表面部分上的点上。在阳极侧,比离子更容易移动的等离子体的电子沉积在覆盖阳极的介质表面部分上,以便从前向后逐渐中和预先储存的正“存储”电荷的层。当所有这种存储正电荷被中和时,则阳极和阴极之间的电位开始下降,并阴极套中的电场达到最大值,这对应阴极套的最大收缩,并且电极之间的电流也为最大值。这个阴极套的收缩是伴随着在阴极套和氧化镁表面之间的加速电场中消耗的离子能量的实质增加而来的,并且这通过氧化镁表面的离子溅射而导致实际下降。参见图2B,在最大起动电流I1并因此在放电中消耗的最大能量的起动时间T1,正伪柱区很小,因此放电的能效也很低。
在形成放电之前,在覆盖阴极的介质层的表面上沿着对称轴Ox的纵轴的电位分布是均匀的,这将在后面参照图5的曲线A更详细地说明。在这个放电开始之前,由于电位沿着放电扩展轴Ox是恒定的,因此不存在用于位移阴极套的横向电场。因此由放电产生的正电荷沉积,并因此在点火区Za中逐渐建立起来,而不存在阴极套的任何位移。因此点火区Za对应放电开始时离子积累的区域,在整个过程中放电的阴极套不位移。则离子轰击集中在氧化镁层的小面积中,并引起所述层的强的局部溅射。在积累在位于阴极套下面的介质表面部分上的正电荷的影响下,一方面在所有刚刚沉积的这些正电荷和预先沉积在阴极上的负电荷,例如在先前的放电期间,与另一方面施加于这个阴极的电位之间产生“横向”电场。在对应积累在这个套附近的阴极上的正电荷密度的阈值的横向场阈值之外,随着离子电荷积累在覆盖阴极的介质表面上,这个横向场使阴极套远离点火区位移。这是使等离子体放电扩展的位移。阴极套位于扩展区的边界上的沉积等离子体的离子的位置上。在放电期间,阴极套的位移跟随每个单元中的电极元件的线。因此扩展区Zb对应由放电的阴极套的位移所扫描的区域。
在点火边缘的相反侧上,每个电极元件包括放电结束边缘。在阴极套的位移结束时,放电一般不会熄灭,因为在这个位移结束时介质层的表面电位相对于覆盖阳极的介质层的表面电位仍然具有足够高的差值以维持这个放电。换言之,由于覆盖阴极的介质层上的例子的所有沉积不会明显补偿施加于这个阴极的电位,因此放电继续进行,而在对应所谓的稳定区或放电结束区Zc的阴阴极表面区域上不存在阴极套的位移。严格地说,只有在放电开始之前,这种“放电结束区”才是“稳定区”,这个区域中的介质层的表面电位比扩展区和点火区中的其余介质层的表面电位高。如果不是这种情况,放电结束区只是扩展区的结束部位,不能严格地说成稳定区。
如果在时间T=0时开始放电,则时间T1定义为点火结束时间或扩展开始时间,时间T2定义为扩展结束时间或稳定开始时间。参见图2B,在时间T1和T2之间,介质层表面上的等离子体的扩展使放电的正伪柱区延伸,因此增加了为了激励单元中的气体而消耗的这种放电的电能部分,因此提高了放电中产生紫外光子的效率。放电的扩展还使得可以在较大区域上分布氧化镁层的离子轰击溅射和减少局部退化,由此延长了所述层的寿命,因而延长了等离子体显示屏的寿命。在图2A和2B中所述结构的情况下,在时间T2消耗的能量保持很小,此时对应电流I2。在放电期间消耗的所有能量当中,只有一小部分能量在这个放电充分延伸从而具有高紫外光子产生效率和低氧化镁层溅射率的时间内被消耗。因此提高发光效率和延长寿命的一种手段在于使放电起动期间消耗的能量分布相反,或者具有最小值I1/I2比。特别是,最大能量应该消耗在放电处于其最佳扩展位置上时,就是说在放电离开扩展区Zb并进入稳定区Zc的时刻T2。
用于在覆盖阴极的介质层表面上散布放电而形成横向场的速率取决于在类似于扩展区中的任何点的点火区中的位于阴极套下面的介质层的局部电容。这个局部电容越高,沉积的电荷量越多以及增加横向阴极套位移场所需的时间越长。这个局部电容确定由放电感测到的表面电位。如果局部电容是均匀的,则不存在横向电场,并且这种横向电场的形成完全取决于由因先前放电导致的预先储存在介质层表面上的电荷以及由电流放电沉积的电荷产生的电位差。换言之,只有在注入足够量的电能从而使介质层的表面完全局部带电的情况下,才存在横向场,因而才存在放电传播。
而且,如上所述,必须在放电离开扩展区Zb和进入稳定区Zc的时刻T2在放电中消耗最大能量。为此,稳定区Zc中的介质层的电容必须比放电区的任何其他部分中的介质层的电容大。
在具有现有技术的图1A和1B的结构单元的情况下,放电区Zb沿着在整个单元的半长度上具有均匀宽度的电极元件延伸,从而位于这个电极元件和阴极套之间的介质层部分113的局部电容在点火区和扩展区的任何点上都具有恒定值,而与其扩展阶段期间阴极套的位置无关,就是说,与放电状态无关。对于覆盖电极元件的介质层13的给定组成介质材料,这个局部电容总是最大,因为该电极元件对应整个放电区。在图5A的曲线A中示出了在刚好放电开始之前的时刻T在覆盖放电区的电极元件的介质层表面上的电位的分布,并且这个分布是在图1-A中的Ox轴上测量的到点火边缘的距离x的函数,这里Ox轴是所述单元的电极元件的纵向对称轴。这种分布是使用来自Kinema软件的所谓SIPDP2D型3.04的2D型软件获得的,其工作情况将在后面介绍。可以看出,这个表面电位在电极元件的整个长度上是均匀的和不变的,这是因为介质层的局部电容在这层的表面的任何点上都是恒定的,并且在点火阶段之后不存在有利于放电在介质层表面上位移的横向电场。则图2B中所示的放电电流具有上述特性,由此在充分形成使阴极套位移的横向放电蔓延电场之前,消耗了大部分电能。并且在位移期间和在阴极套位移结束时消耗小部分电能,同时放电达到最大发光效率。则I1/I2比很高。
在图3A中所述的单元结构中,每个电极元件Y或Y’具有垂直于Ox轴的宽度,这个宽度沿着放电阴极套的平均(mean)方向即沿着Ox方向是不均匀的。覆盖共面电极元件的介质层的比纵向电容指的是在对应一部分长度的Ox轴上的x位置处的非常短的距离dx上延伸以及在Ox轴上的相同x位置上对应电极元件的宽度的宽度We(x)上延伸的这个层的区域的电容。在这种情况下,覆盖图3A中所示的电极元件的介质层的比纵向电容在电极元件由第一横棒31构成的点火区Za内很高,而在电极元件由中心腿部32构成的扩展区Zb内较低,最后在电极元件由第二横棒33形成的放电结束区Zc内又很高。对于图3A的单元结构,放电电流I随着放电时间T变化的曲线示于图3B中。在放电开始前的时刻,覆盖电极元件Y的介质层表面上的电位V的分布在图5中以点线作为曲线C示出。可以看出这个分布在扩展区中具有“空腔”,它在点火区和稳定区之间形成势垒。放电在覆盖点火区Za的介质表面上起动。发现,由于由两个横棒31、33之间的腿部32形成的扩展区在x位置具有低比纵向电容,因此覆盖这个腿部的介质层的表面电位小于或等于覆盖点火区的横棒31的介质层的表面电位,这取决于这个腿部32的宽度是否分别严格小于或大于该单元中的点火区中的横棒31的长度。因此在点火区Za和扩展区Zc之间的过渡区中,沿着覆盖腿部32的介质表面远离放电扩展方向Ox存在横向场,或零横向场。因此对于这种结构存在横向场,只在由沉积的负电荷以及正电荷的积累产生电位差时允许放电扩展。这种电荷沉积可以只通过在点火区中消耗放电的大部分电能来获得,从而电流I1保持很高。相反,由于电极元件的纵向电容在扩展区Zb的腿部32的区域中很低,因此这个区域中的电荷沉积非常快,因此用于位移阴极套所需的横向场在这个区域中的任何点上快速产生,由此促进阴极套衍射腿部32快速位移到第二横棒或总线33。
腿部32的宽度越小,比纵向电容越低,阴极套的位移速度越快。当腿部32的宽度大于该单元(构成点火区Za)中的横棒31的长度时,放电行为类似于在图1A结构的情况下所述的放电(零横向场)。这里最感兴趣的只是腿部32的宽度小于或等于点火区Za的横棒的长度的情况。而且,在每个放电开始之前,在阳极上发现由图5中的曲线C所示的相同类型的电位分布,其中存在势垒。由腿部32产生的反向电位差干扰了电子在阳极上的散布。这是因为,在放电开始时,电子不会立即在整个阳极上散布,如在图1的结构中那样,而是在为势垒上游的阳极元件的一部分上散布,即在位于第一横棒上的部分上散布,然后,一旦阳极上积累的电荷允许超过势垒,电子就在阳极的其余部分上快速蔓延开来,并且为阳极上的介质层表面和位于阴极套位置上的阴极上方的介质层表面之间的电位差急剧下降。由于沿着阳极和阴极之间的场线最大部分的电压降对应阴极套区域,因此一旦电荷沉积在阳极上,这个阴极套内的电场就快速下降,由此引起阴极套的扩展、撞击氧化镁层的离子的能量减少和在这个层上产生电荷的速度下降。由于这个扩展效应,阴极套的位移速度下降,并且在放电达到第二横棒之前熄灭。为了达到扩展区边缘上的第二横棒33,电极之间时间的电位必须增加,以便补偿腿部32上的电极元件的低纵向电容和由电子快速沉积在阳极上引起的阴极套中的电场的快速减小。由于形成放电结束区Zc的第二横棒33具有高壁纵向电容,因此细长放电固定在这个棒上不动,直到沉积在覆盖第二横棒33的介质表面上的电荷完全补偿电极之间施加的电位为止。因此在扩展区结束位置消耗的放电的电能部分增加了,并且电流I2的密度也增加了。
如图3B所示,由于I2增加而导致I1/I2比减小。然而,为了在介质表面上沉积电荷和为了使横向场足够高以允许阴极套从第一棒31到达第二横棒33,放电的大部分电能仍然在点火区中有损失,因此克服了由腿部32产生的势垒。
图4A表示与图3A中所示的结构类似的结构。代替位于Ox轴中心的用于连接两个相同横棒的单个腿部,有两个腿部42a和42b,它们向单元的边界偏移并位于阻挡肋15的顶部。使用前面提到的相同的SIPDP-2D软件获得在放电之前、覆盖由这两个横棒和这两个腿部构成的电极元件的介质层表面上的电位分布。这个分布在图5中的曲线B1示出。Ox轴完全对应阴极套位移的对称轴。这里这个电位分布在两个横棒之间呈现更高的势垒,这是由于在所述棒之间的放电区中心位置上没有腿部造成的。尽管如此两个棒之间的电压降仍然受到沿着单元的壁设置的腿部42a和42b的限制。由放电产生的电流I的强度作为时间T的函数示于图4B中。
放电在覆盖第一横棒的介质层表面上(点火区Za)起动,如前所述,然后遇到由于不存在中心腿部而产生的势垒。由于电子不能在阳极上扩散,因此放电很快就熄灭了。这里横向电场远离从导电元件的前部到后部的放电扩展方向。为了使这个横向场反向,必须在第一横棒上沉积足够量的电荷,以便补偿势垒。因此再次使用相同类型的软件来获得放电期间以及恰好在放电开始扩展之前的电位分布,如图5中的曲线B2所示,这个电位分布允许放电开始位移,以便在这种情况下直接从构成点火区Za的横棒穿过并到达限定放电结束区Zc的第二横棒,在第二横棒上产生第二阴极套。从第一横棒通过并到达第二横棒是在没有任何能量损失的情况下进行的,并且可以实现实质上的放电散布。然而,必须大大增加施加于电极的电位,以便能跳过势垒并产生和保持第二横棒上的第二阴极套。因此放电的第一部分发生在远高于标准工作电压的电压上,因而第一横棒上的阴极套实际收缩和由离子轰击引起氧化镁表面的实际溅射,并且电流I1高于第二放电的电流I2。对于这种类型的放电,由于在构成扩展区的结束部位的横棒上形成了第二二放电,因此再次提高了I1/I2比。
因此通过使放电期间消耗的能量分布反向,以便在高放电效率期间消耗大部分能量,提高了等离子体显示面板的发光效率和寿命,例如使得I1/I2比最小。如在后面更详细描述的,本发明的目的在于保持和控制用于位移阴极套的横向电场处于足够高的水平上,以便快速延长放电,同时消耗最小量的电能,然后在放电已经延长时使其稳定,因此消耗最大量的电能。
图6示意性地示出了由共面电极板1和由寻址电极板2在其较大表面之间界定的矩形放电区3,其中共面电极板1支撑位于电极间分隔或间隙5的任一侧上的一对对称电极元件4、4’,寻址电极板2支撑(但不是必须的)寻址电极X,该寻址电极X的大致方向垂直于电极元件4和4’,并且寻址电极X用介质层7涂覆。远离所述间隙的电极元件的端部电连接到用于给它们输送电压的导电总线Yc(未示出)。共面电极4、4’用介质层6涂覆。
放电区3不仅由电极板而且由垂直于电极板(未示出)设置的阻挡肋界定,因此形成放电单元。
假设Lc、Wc、和Hc分别是放电单元的长度、宽度和厚度。每个电极元件4、4’沿着单元的最大尺寸即其长度Lc延伸。假设Le是在其点火边缘和其放电结束边缘之间的沿着这个尺寸的每个电极元件的长度。假设E1是每个电极元件4、4’上的介质层的厚度,P1是其相对介电常数。假设E2是寻址电极X上方或者在不存在寻址电极时电极板2上方的介质层的厚度,P2是其相对介电常数。因此距离Hc对应两个电极板1和2之间的气体厚度。该图中所示的电极元件4、4’是T形的,与现有技术的一样。
如果O对应点火边缘位置上的单元的中心,则Ox是位于单元的纵向对称面中的共面电极板的表面上的轴,Ox轴朝向放电结束边缘延伸,Oy是也位于共面电极板的表面上并垂直于Ox轴的轴,Oy轴在单元的侧壁方向沿着点火边缘延伸,并且Oz是垂直于共面电极板的薄膜的轴,它在等离子体显示面板的相对电极板的方向延伸。
本发明主要建议调整覆盖每个单元的共面电极元件的介质层的壁纵向电容,以便在每个放电开始之前在扩展区中的任何点上产生正的和零横向电场,允许放电从点火区快速扩散,直到扩散到放电结束或稳定区,并在点火区中消耗最小能量和在高效的放电结束区Zc中消耗最大能量,同时仍然采用在各个对电极之间输送常规维持电压脉冲的常规维持脉冲发生器,其中每个脉冲具有恒定电压平稳部分,而不会存在施加电位的明显增加。
为了获得放电在扩展区Zb中的快速扩散,建议在每个放电开始之前在介质层表面上产生从扩展区Zb的开始位置连续或断续地增加的电位,直到扩展区的结束位置xbc,其中扩展区Zb的开始位置对应点火区Za的xab扩展区的结束位置xbc对立稳定区Zc的开始位置。
根据本发明,在这个增加的间隔上,没有负电位梯度的点-这个电位梯度是在这个放电在与点火边缘相反的一侧上位移的方向上沿着放电阴极套的位移区域的对称轴Ox测量的。对应这个电位梯度的是电场。根据本发明,电位的增加可以是连续的,如下面将参照图7的曲线C解释的,或者是不连续的,而是电位跳跃式的,在扩展区的开始位置和结束位置之间存在至少一个、优选两个电位平稳部分。
由图7中的点表示的曲线C提供对应一个场的电位的连续增加的例子,其中这个场在对应扩展区Zc的电极板1的整个介质表面上严格是正的-这个例子将在后面参照图8进行说明。假设ΔV是扩展区的开始位置xab和结束位置xbc之间的介质层表面的电位差,所述电位差在这个间隔上根据本发明进行分布,以便在这个间隔内的任何点上并对于施加在介质层表面下面的电极元件4的任何点上的相同电位而产生正电场,该正电场沿着Ox方向向位于与点火边缘相反一侧上的扩展区的结束位置xcb延伸。
为了在每个放电开始之前获得从扩展区的开始位置向结束位置连续或不连续地增加的电位,同时不改变施加于电极元件的电位,按照适于获得这个场的方式改变覆盖扩展区中的电极元件的介质层的比纵向电容。这是因为局部电容决定由放电感觉到的介质层的表面电位。
因此,沿着放电扩展轴Ox获得了这个增加的电位或者这个正电场,假设了覆盖电极元件的介质层的比纵向电容,这个比纵向电容从扩展区Zb的开始位置x=xab向结束位置x=xbc增加。对于每个电极元件4,点火区Za的结束位置xab和扩展区Za的开始位置对应比纵向电容开始增加的这个元件上的位置。对于每个电极元件4,扩展区Zb的结束位置xbc和稳定或放电结束区Zc的开始位置对应达到最大比纵向电容的这个元件上的位置x。
对于每个电极元件,稳定区的结束边缘被限定并对应位置x=xcd-这个边缘在与位于x=0的点火边缘相反一侧上。在每个单元内,如图6所示,Le=xcd和Lmax是分开这个单元的两个电极元件4、4’的稳定区的结束边缘的距离。
优选地,点火区的结束位置xab小于Le/3,放电结束区的开始位置xbc大于Le/2。此外,扩展区的长度(xbc-xab)表示大于电极元件的总长度Le的四分之一,优选大于这个长度的一半。
本发明还可以具有一个或多个以下特征:
-ΔV小于沿着Ox轴的介质层的表面的最高电位Vmax的10%;电位差ΔV的上限的功能是用来将放电点火电位的有害增加限制到为了在结构相同但具有根据现有技术的恒定比纵向电容的单元中获得放电而必须施加的电压的20%以下。优选地,如此选择ΔV值,使其对应沿着Ox轴的介质层表面上的最高电位的大约5%;
-由这个电位差ΔV产生的电场相对于电极元件的100μm的长度在任何点上都大于这个最大电位Vmax的1%,以便保证阴极套在位置x=xab和位置x=xbc之间的所述间隔内充分地快速位移和放电的充分快速扩散;
-在位于位置x=0和位置x=xab之间的位于扩展区和点火区Za之前的介质层表面的最大电位严格小于位于位置x=xbc和位置x=xcd之间的稳定区Zc和扩展区之外的介质层表面的最大电位,因此一旦放电已经开始,放电的稳定工作点不可能是点火区,并且一旦起动,放电必须沿着扩展区中的介质层的表面向扩展区的结束位置扩散开来;
-对应位于xbc和xcd之间的稳定区Zc的介质层的总电容严格大于对应位于0和xab之间的点火区Za的介质层的总电容;和
-稳定区Zc中的介质层的比纵向电容大于扩展区Zb和点火区Za中的任何点上的介质层的比纵向电容;因此,在高效放电结束区Zc中消耗最大量的能量。
为了简化本发明的定义,将标准化表面电位Vnorm定义为在所述电极元件的介质层的位置x上的表面电位与对于无限宽度的电极元件沿着Ox轴的最大可能电位的比,所述的无限宽度指的是大于单元的宽度Wc
如果选择扩展区的开始位置(x=xab)上的标准化电位使其具有值Vn-ab和选择扩展区结束位置(x=xbc)上的标准化电位使其具有值Vn-bc,则优选:
Vn-bc>Vn-ab,Vn-ab>0.9,以及(Vn-bc-Vn-ab)<0.1。
通过在介质层表面上产生上述电位分布,可获得具有下列性能的放电:
-放电在间隙5中在电极元件4、4’的两个面对端部之间起动;
-电子很强地被自然电场吸引到阳极并沿着阳极开始快速地扩散放电;
-正电荷沉积在位于阴极套下面的介质层的表面部分上,并且由于由电位差ΔV产生的横向电场而使阴极套快速移动,从而起动放电电流I1保持很低,并且根据本发明的目的,在放电的第一阶段消耗的放电的部分电能在明显扩散之前保持很低;
-放电延伸然后在每个电极元件4、4’的两个结束位置xbc之间快速稳定,从而在放电的第二阶段期间电流很高,并且根据本发明的目的,在放电的第二阶段、尤其是稳定阶段消耗的放带内的一部分电能很高。
为了确定等离子体显示面板的共面单元中的介质层表面上的表面电位,使用来自Kinema Software的、与法国的基于Toulouse的CPAT实验室和美国的Kinema Research协作研制的上述SIPDP2D型3.04软件进行模型操作。这个软件在等离子体显示面板的通常条件下采用2D放电模型。
这个模型的输入参数特别包括:
-放电气体的成分:通常为5%的Xe和95%的Ne;
-单元的尺寸:通常情况下,宽度Wc在0.10000×10-1cm和0.30000×10-1cm之间;长度Lc在0.20000×10-1cm和0.60000×10-1cm之间;
-为了限定单元的两个相对电极元件的分布所需的沿着单元的宽度和长度的周期数:48×48;
-放电气体的压力:通常在350和700乇之间;
-放电气体温度:300K;De/Mue(eV)=1.000;
-氧化镁层的二次电子发射系数:在Xe情况下为0.500000×10-1,在Ne情况下为0.400000;
-介质的相对介电常数:通常为10.000;
-壁上的条件:1(1=“对称”,2=“周期性的”);如果位于两个壁媒介之间的电极元件特征被清楚地限定,则这个参数没有影响;
-脉冲类型:2(1=“单脉冲”,2=“多脉冲”,3=“击穿”);放电结束:90μs;
-脉冲数量:通常为10;
-放电结束阈值:当离子密度低于0.100000×108cm-3;和
-序列的定义:
-i1-i2i3“次数”:3 4 2
-电压脉冲波形:“阶梯形(1)或“线形”(2)或“正弦形”(3):1
-Vel1 Vel2 Vel3 Vel4 Vel5 (以μs为单位的持续时间)
0.00 200.0 0.00 0.00 0.00 20.00
因此该软件具有48周期×48周期的网,关于这个网,在单元的横截面中,为了研究电极宽度的影响,在任何点上,输入覆盖电极的介质层的形状及其局部介电常数。然后将可变宽度的棒定位在这个网上,一方面,这些棒代表显示面板的前部共面电极板的共面电极元件,另一方面这些棒还代表后部电极板上的寻址电极。对于模型试验,选择为Ox轴中心的可变宽度的共面电极。
在已经输入结构数据之后,输入每个电极的电位。当然,通过将前表面设置为1V和将后表面上的寻址电极设置为0V,可以直接获得该单元中的介质层表面上的0和1之间的标准化电位分布。当软件模型运行时,由于希望获得介质层的电位分布,因此不产生放电。各种试验还表明,在放电之前或之后,该模型准确地提供介质层表面上的相同的电位分布,因为存储电荷的分布很好地跟随电位线。通过施加0和1V,当然,曾经不产生放电,但是将获得所希望的表面电位分布。
即使没有模拟放电,必须运行软件几个周期,然后停止它,并从由软件输送的结果表恢复介质层表面上的电位值。当电极具有中心凹槽时(参见后面对于电极元件的细分的情况),必须采用位于每个横向电极元件部分上的介质层上的最大电位作为结果,其中所述横向电极元件部分由于对称轴而在每个横向部分上是相同的。
为了确定共面电极板的一个和相同放电区的电极元件上方的介质层表面上的表面电位,还可以采用直接测量介质层表面上的电位的方法,该方法本质上是公知的,并且在这里就不详细介绍了;然后通过在供给所述放电区并具有合适标记的两个电极之间施加恒定电位差而在电极元件之一上进行测量,从而所述电极元件用作阴极。
在本发明的第一普通实施例中,介质层表面上的根据本发明的电位分布可以通过改变覆盖恒定宽度的电极元件的介质层的厚度或相对介电常数来获得。在位置x上的表面电位V(x)与施加于电极的电位V的比可以近似为下列等式:
V(x)/V=1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+H(x)+E2(x)/P2(x)]
其中E1(x)是沿着放电扩展轴Ox在位置x上的每个电极元件4、4,上方的介质层的以微米表示的厚度,P1(x)是其相对介电常数;E2(x)是沿着放电扩展轴Ox在位置x上、在寻址电极X上方或在不存在寻址电极的情况下的电极板2上方的介质层的以微米表示的厚度,P2(x)是其相对介电常数。
根据本发明这个第一普通实施例,比值1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+H(x)+E2(x)/P2(x)]随着x连续或不连续地增加,其中x满足0<x<xbc;在所述间隔内,这个比值的变化不包括负增加点;在不连续增加的情况下,跳跃式增加,这个比值的变化优选包括在这个间隔内的至少两个平稳部分;在连续增加的情况下,这个比值优选随着x线性地增加(根据ax+b的定律类型)。
优选地,在本发明的第一实施例的情况下,也可以组合一个或多个下列条件:
-对于xab<x<xbc,比值1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+H(x)+E2(x)/P2(x)]在0.9和1之间;
-该电极元件具有恒定宽度We(x)和合适的长度,以便在放电结束位置的放电区的总长度Lmax小于或等于Lc-200μm,其中所述放电在电极间空间5的任一侧上的电极元件的相对端之间延伸;
-对于0<x<xab,比值1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+H(x)+E2(x)/P2(x)]严格小于xbc<x<xcd情况下的所述比值;和
-对于xab<x<xbc,比值1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+H(x)+E2(x)/P2(x)]小于xbc<x<xcd情况下的所述比值但不小于0<x<xab范围内的所述比值的减小了5%的值。
图8示出了根据第一普通实施例的本发明的第一例子。对于电极板1的介质层6或电极板2的介质层7的静电性能来说,连续改变是很困难的。图8示出了根据本发明的单元的纵剖面,沿着Ox轴在单元中心的其表面电位分布在图7中的曲线C给出,并接近于理想曲线。这个单元设有两个相同的电极元件4E、4E’并具有下列特性:
-每个电极元件4E、4E’具有恒定宽度,如现有技术的图1A所示,并具有长度,使得分开它们的各个相对端的距离Lmax小于Lc-200μm;
-沿着放电扩展轴Ox测量的这个电极元件4E、4E’的厚度在x=0和x=xcd之间在三个连续的平稳部分中减小,每个平稳部分对应下列间隔之一;[0;xab]、[xab;xbc]、[xbc;xcd]
-在稳定区Zc中,对于xbc<x<xcd,每个电极元件具有其余放电区中的电极元件的厚度的5倍以上的厚度-这个过厚区一般对应用于电极元件的电源总线;
-相对介电常数P1的第一均匀介质层6E覆盖整个放电区。因此,与扩展区Zb相比,这层6E的厚度在电极元件较厚的点上、在稳定区中较小;优选地,设计介质层的厚度,使得稳定区中介质厚度小于扩展区Zb中的介质厚度的一半;和
-与第一层6E的相同或比其小的相对介电常数P1’的第二介质层6E’按照下列方式部分地覆盖导电元件的过厚部分以外的放电区,其中对于0<x<xab,使得点火区Za中的和扩展区Zb外部的介质层6E、6E’的总厚度在介质层6E的厚度的1.5倍和2倍之间。
本发明的第二普通实施例在于改变放电扩展区Zb中的电极元件的宽度We(x),以便根据专用于上述本发明的基本定律增加介质层的表面电位。为了简化说明,在扩展区中采用均匀厚度和均匀组分的介质层。
图9以曲线的形式示出了控制电极元件宽度We-au(以任意单位、在对数尺度上)对在放电之前在覆盖这个电极元件的介质层表面上获得的标准化电位Vnorm的依赖性的一般定律,其中Vnorm的定义如上。
如上图所示,这个变化被分为两个部分:
-对于Vnorm在0和0.98之间的范围,允许对所希望的标准化表面电位Vnorm确定Wc的等式是如下形式的:为We=b.exp(aVnorm)
-对于Vnorm在0.98和1之间的范围,介质层的电极宽度和表面电位之间的该等式以下列方式分开,只对于无限宽度We的电极可获得Vnorm=1。
最感兴趣的是位于0和0.98之间的这个曲线的那部分,尤其是位于Vnorm=0.9和Vnorm=0.98的这个曲线的那部分,如上所述,这部分曲线对应本发明的优选表面电位区。在曲线的这部分中,在We(x)和Vnorm(x)之间的等式如下表示:
We(x)=We-ab exp{a[Vnorm(x)-Vn-ab]}    (1)
其中We-ab=b.exp[aVn-ab]表示在扩展区开始位置上、在x=xab位置上的电极元件的宽度,此时和在放电开始之前可以获得介质层的表面电位Vn-ab,其中We-bc=We-abexp[a(Vn-bc-Vn-ab)]表示在扩展区结束位置上、在x=xbc位置上的电极元件的宽度,此时和放电开始之前可获得介质层的表面电位Vn-bc
上面的等式(1)用于限定作为电位分布函数的电极元件的扩展区Zb的理想宽度分布We-id(x),根据本发明,该电位分布是希望在扩展区的开始位置的值Vn-ab和扩展区的结束位置上的值Vn-bc之间的介质表面上获得的。根据本发明,这个分布对应以下列方式在这两个值之间连续或不连续地增加的电位,其中在x处于xab和xbc时,电位梯度或电场是正的或零。
等式(1)中的参数“a”主要取决于电极板1的介质层6的比表面电容。假设E1(x)是在所述电极元件4上方的介质层的以微米表示的厚度,P1(x)是其相对介电常数。通过实验发现,参数“a”根据等式 a = 29 ( P 1 / E 1 ) 而随着比值P1/E1的平方根变化,从而介质层的比表面电容越大,系数“a”越大,也就是说电极元件的宽度We-id(x)随着x更加快速地增加。
在进入扩展区时,We-ab直接取决于Vn-ab的选择。对于Vn-ab=0.9,优选根据等式 W e - ab ( V n - ab = 0.9 ) = 4.6 E 1 · | ( P 1 / E 1 ) - 0.85 _ (符号指的是“平方根”)作为E1/P1的函数来选择We-ab。对于在0.9和0.98之间的Vn-ab的任何其它值,采用下列公式很容易找到We-ab的相应值:
We-ab=We-ab(Vn-ab=0.9)exp[a(Vn-ab-0.9)]。
在表面电位在值Vn-ab和Vn-bc之间线性变化的本发明的特殊情况下,就是说,V(x)是亲合函数,则V(x)=(x-xab)(Vn-bc-Vn-ab)/(xbc-xab)+Vn-ab
则根据下列等式很容易确定作为x函数的电极元件的理想宽度We-id-0(x):
W e - id - 0 ( x ) = W e - ab exp { 29 ( P 1 / E 1 ) ( x - x ab ) ( V n - bc - V n - ab ) / ( x bc - x ab ) } - - - ( 2 )
这个等式(2)限定了本发明的最佳理想分布We-id-0,可以在扩展区中实现线性表面电位分布。
沿着放电扩展轴Ox的介质层的表面电位的图7中的曲线A所示的分布是通过采用上述模型软件获得的。发现表面电位在x=xab和x=xbc之间的扩展区Za中的确线性地增加。
相对于这个优选理想分布We-id-0,可以使用下列等式限定下限分布We.id-low=0.85We-id-0和上限分布We-id-up=1.15We-id-0,即相对于优选的理想宽度分布分别为-15%和+15%的差。
在本发明的第二普通实施例的内容内,已经发现,根据本发明的主要基本特征,位于这个下限分布We-idlow和上限分布We-id-up之间的任何电极元件分布可以实现在扩展区Za的开始位置和结束位置之间连续或断续地增加的电位分布。
认为在本发明中介质层的常规实施例限制了P1/E1比,因而,一般情况下,0.2<P1/E1<0.8,并且优选限制在放电开始时消耗的能量,以便选择导电元件的宽度We-ab在扩展区Zb的开始位置(xab)上小于或等于50μm,并且在扩展区的结束为止xbc上的宽度We-bc严格大于这个值。然而,为了避免必须过量使用高工作电压(它的实施是很昂贵的),可接受在放电开始时的能量轻微损失,并且选择导电元件的宽度We-ab稍大于这个值。
当然,用于制造导电电极元件的制造技术具有精确极限。制造电极的精度不影响本发明的应用,只要沿着Ox轴的扩展区Zb中的电极宽度We(x)相对于本发明中限定的值变化得不大于±15%即可。
我们现在介绍在放电向放电扩展区Zb内扩展的方向沿着Ox轴的电极宽度的理想分布。
关于稳定区和总的电极元件的理想分布的定义,如所看到的那样,为了在放电处于其最佳扩展点时,即在放电离开扩展区Zb并进入稳定区Zc内时在放电中消耗最大能量,必须使区域Zc中的介质层的比纵向电容大于放电区中的任何其它点上的介质层的比纵向电容。如果Ws是稳定区中的电极元件的宽度,则优选选择Ws尽可能的高,因此相对接近于Wc(单元的宽度),并且优选选择We-bc小于或等于Ws
图10A、10B、10C和10D示出了在等离子体显示面板的半个单元的顶部图(沿着图6中的OZ轴)中的根据本发明的这个第二普通实施例的电极元件的形状的例子。
图10A示出了实线形状(阴影区)的元件,它在扩展区Zb下面的分布满足本发明的第二实施例的特殊条件。优选地,在图中阴影部分的电极元件的区域由透明导电材料制成。相反,图中对应电极Y、Y’的导电总线Yc、Y’c的黑体所表示的电极元件的区域101由导电材料制成,该导电材料一般是不透明的并且其厚度比阴影区的厚度大,因此介质层6的厚度在阴影区中较小。导电总线Yc优选位于放电区的外部,以便不遮蔽由覆盖放电单元的内壁的荧光层发射的可见光。
已经发现,单元壁在这个行为中和在放电中产生紫外辐射的效率方面是非常重要的,尤其是在位于这些壁附近的电极元件的那些区域中,在这些区域中这个元件具有接近于单元的宽度Wc的宽度We。因此在这些壁附近,在每个单元中存在一个影响区,在这个区域中观察到等离子体的带电或受激粒子的损失明显增加,这将引起能量损失、发光效率下降和一般沉积在这些壁上的荧光体的退化。在操作等离子体显示屏的常规条件下,这些壁的这个影响区通常延伸到距离这些壁为30和50μm之间的距离,特别取决于放电气体的成分和压力。优选地,在放电稳定区Zc中,通过最佳地选择电极元件宽度Ws小于Wc-(2×30μm)=Wc-60μm但接近于这个值,可以限制由这个壁效应产生的能量损失。
电极元件在点火和扩展区的后部连接到用于共面电极Y、Y’的总线Yb上。两种选择可以存在:
-总线集成到稳定区中,在这种情况下,遇到由稳定区的宽度太高导致的上述壁效应缺陷-这种情况示于下述的图10C中;
-或者,从稳定区向后设置后部总线,在这种情况下,将出现如何将电极元件连接到总线上的问题。则该总线优选设置在单元的一个壁上,并且连接元件用于将电极元件连接到该总线上,该总线具有远小于稳定区的宽度-这种情况示于下述的图10B和10D中。
图10B的例子与已经介绍过的图10A相类似,但是在放电稳定区中,这里电极元件具有比单元的宽度Wc小的宽度并通过单元的水平壁15的绝缘厚度151使其与导电总线101分开,除了电接触区102之外,以便不允许放电渗入低发光效率的壁效应区。电接触区102的宽度一般在50μm和150μm之间,以便不增加导电总线Yc和放电稳定区Zc之间的接触电阻。因此通过使用图10B的结构进一步提高了荧光体的发光效率和寿命。
通过如此减小放电稳定区中的电极面积,可以部分地减小所述区域中的介质层的总电容,以便可以减少放电的亮度。
图10C的例子重复了图10B的一般结构,但是此时导电总线集成到放电稳定区中并进一步远离壁效应区移动,从而覆盖导电总线的介质层的小厚度增加了沿着导电总线的比表面电容,在这种情况下增加了放电稳定区的电容。因此放电时间和放电亮度都增加了。图10D的例子是图10C的例子的改型,可以减少导电总线在荧光体的可见光发射区域中的不透明性。
图11A-11D表示本发明第二普通实施例的另一例子。
用于组装电极板1与电极板2的对准方法不总是可以对准不互相平行或垂直的特征。因此优选不采用其分布成曲线的电极,如上所述。本发明的目的可以通过使用增加宽度的连续导电元件部分而不连续地而是跳跃式地增加介质层的表面电位来实现。
图11A表示与图10C相同的例子,除了在扩展区下面电极元件由窄宽度Wr的中心导体形成之外,该中心导体沿着Ox轴在标以x1、x2、x3的这些导电段的中间位置上按照增加宽度的顺序依次电连接横向于中心导体延伸的恒定宽度We1、We2、We3的导电段。根据本发明,进行检测以便保证宽度We1、We2、We3沿着Ox轴相对于位置x1、x2、x3实际上位于上述的下限分布We-id-low和上限分布We-id-up之间,在本发明第二普通实施例的情况下它们与上面限定的理想线性分布We-id-0相差-15%和+15%。为了检验这与本发明定义的一致性,考虑通过连接每个导电段的端部的虚线绘制的轮廓线。连续段之间的间隔(x2-x1)、(x3-x2)优选沿着Ox轴减小。导电段的数量一般在3和5(包括3和5)之间。
制造导电元件的工艺不允许制造充分精细的段是可行的,尤其是在最接近于放电起动区的扩展区的部分中。因此可以在位于xab和xb1之间的扩展区Zb的第一部分上采用窄宽度We1的一个和相同的段,前提是对应这个第一段的扩展区的部分的长度xbl-xab小于扩展区的长度xbc-xab的一半。
图11B示出了与图11A相同的例子,除了这里这些段在与Ox轴相同方向延伸之外。如图11A所示,它们的端部限定一个分布,如点线所示,该分布与理想线性电极元件分布We-id-0的一致性在15%内。
图11C示出了与图10C相同的例子,除了以下事实之外:在扩展区下面,电极元件包括宽度等于We-ab或等于由制造工艺容许的最小宽度、优选小于50μm的直第一区以及梯形第二区,梯形第二区的较小底部等于直区的宽度。选择第一和第二区的尺寸,以便电极元件的分布完全在上述的下限分布We-id-low和上限分布We-id-up之间,在本发明第二普通实施例的情况下它们与上面限定的理想线性分布We-id-0分别相差-15%和+15%。根据这个改型,电极元件可以获得基本上类似于理想分布的效果,同时有利地消除了某些制造限制。优选使用长度小于或等于100μm的直第一区。
图11D示出了图11A的改型,其中电极段之间的距离为零。则电极元件的分布沿着放电扩散到扩展区Zb中的Ox轴采取楼梯形。
最佳共面电极元件几何形状现在将不是在扩展区中定义,如上所述,而是在点火区Za中定义,以便提高点火阶段过程中的效率。这些几何形状可适用于任何类型的电极元件,尤其是根据本发明第二普通实施例的电极元件。
用于限定最佳几何形状的主要条件如下:点火电压Va的最小化;点火阶段过程中的电流Ia限制;和在点火区中的介质表面上产生与扩展阶段开始时的电位相同或不大于它的电位。图5中的曲线B1和C表示后一条件不能实现,因为存在接近于点火边缘的x值的范围,在这个范围内这个电位呈现最大值。
关于点火,公知的帕邢定律可以限定施加于任何一对维持电极之间的电压Va,目的是为了起动填充等离子体显示面板的电极板之间的放电区的放电气体中的电子雪崩,由此产生等离子体放电。这些定律在这个电压、特别是放电气体的性能和压力与分开两个电极的放电边缘的间隙之间建立关系。
根据这些定律,只有接近于电极间间隙的环境,就是说面对电极边缘的长度对这个点火电压的值具有明显影响。因此,在已经介绍过的现有技术的T形电极元件中,T的横棒对应这个近似环境并构成放电点火区Za。参见图3A,电极元件的点火区用标记31表示,它不同于这个相同元件的扩展区Zb,用32表示。
实际上,如上所述,在本发明的第二普通实施例的例子中,其点火边缘非常窄的电极元件,例如只设有扩展区的电极元件,并且其宽度在点火边缘处大约为We-ab,这种电极元件将改变电场的均匀性和放电的雪崩增益,因而增加了工作电压和延长了用于给定电压的放电延迟,因而增加了电源电子装置的成本和等离子体显示屏的寻址速度。
图13示意性地示出了一个和相同的放电单元的两个电极元件的点火区。点火前部的宽度为Wa,沿着上述Ox轴测量的点火区的“长度”等于La并对应扩展区(未示出)开始和扩展区的宽度We-ab最小的位置。
图12示出了作为点火前部的宽度Wa的函数的标准化点火电压Va(实体曲线)的变化。当宽度Wa减小时,点火电位(实体曲线)的增加是有如下两个效应造成的:
-介质层表面上的电位作为电极宽度的函数减小,如前所示,由此通过简单的静电效应(粗体点状曲线)引起点火电位增加;
-雪崩增益取决于存在于可能点火的区域中的初级电荷,其中所述区域是否能点火取决于帕邢条件。这个区域越宽,初级电荷的数量越多。因此较宽的点火区可以增加雪崩增益和减小点火电位(细点线)。
因此,点火区的宽度Wa越大,点火电位越低。存在最小宽度Wa-min,在该最小宽度的上方不能改变点火电压Va,或者只能稍微改变一点,改变量是点火前部的宽度Wa。这个宽度Wa-min对应临界宽度,在该临界宽度之上,这些壁引起在Wa-min和Wc之间的间隔中产生的初级颗粒上的不可忽略的损失。
为了提高点火条件,必须减少点火区中的介质层的总电容,以便在放电的阴极套位于点火区中时,减小放电的电流Ia。如果电极元件的点火区的宽度Wa必须相对高,以便保持低点火电压,因此优选点火区足够低以便不产生太高的点火电流Ia。在Wa-min之上的点火区的宽度的任何增加几乎不引入附加初级颗粒并且几乎不产生或增加表面电位的静电效应。通常,位于Wa-min和Wc之间的壁效应区从每个侧壁延伸到至多50μm。因此优选选择点火前部宽度Wa大于或等于Wc-100微米,以便获得最低点火电位。优选地,在具有大于400μm的宽度的单元的情况下,Wa不超过300μm。优选地,点火区的宽度将接近于Wc-100微米,以便限制该区域,因此限制点火区中的介质层的电容。为了维持点火区中的低电容,这意味着点火区的其它尺寸La相对小。
只有面对电极元件边缘的宽度Wa对电场的均匀性和引起雪崩效应的初级颗粒有影响。点火前部的长度La只改变沿着点火区的介质层的表面电位。沿着这个长度La的表面电位的变化与对于扩展区中的电极宽度We给定的变化相同。为了维持点火区中的介质层的表面电位与扩展区开始位置上的表面电位相同,根据上述条件之一,优选选择电极元件的长度La等于We-ab。为了减小点火电压Va,可以在We-ab以外增加点火区中的电极元件的长度La。通过实验表明,大于80μm的长度不再基本上减小表面电位,但是大大增加了点火区中的放电电流Ia,这不利于发光效率。当点火区中的电极元件的长度Ia位于We-ab和80μm之间时,则沿着放电扩展轴Ox的介质的表面电位的分布采取图7中的曲线B的形式(虚线),对于可比的x值的间隔,这有利地在点火区中具有比图5中曲线B1和C小的最大值。
还可以通过优选地采取下列设置来选择Wa>Wa-min。发现Wa-min对应一定宽度,在该宽度之上这些壁将引起介质层的表面电位的明显减小并且引起在Wa-min和Wc之间的空间中产生的初级颗粒的不可忽略的损失。因此,在点火区Za中,可以识别中心区Za-c和在中心区的任一侧上的两个横向区Za-p1、Za-p2,对于这个中心区,在任何点上,y≤Wa-min/2,而对于这两个横向区Za-p1、Za-p2,在任何点上,y>Wa-min/2。因此,在横向区Za-p1、Za-p2中,对于电极间间隙优选严格地小于它在中心区Za-c中所具有的值。点火区的这个分布在图14中有说明。有利地,分布的类型使得可以实现点火区中的甚至更小的电极元件面积,并因此更容易在这个区中获得介质层的低电容。
通过局部地采取帕邢条件,在靠近壁的横向区Za-p1、Za-p2中分开两个电极元件的间隙的减小可以增加这个区中的电场和补偿由壁效应产生的初级颗粒的减少。因此对于恒定点火面积减小了点火电位,或者对于恒定点火电位减小了点火区面积。
图13、13中所示的点火区的例子可以与图10和11的例子中所述的任何其它扩展区Zb和稳定区Zc组合,如图15A和15B所示的,这些例子重复了图10C的一般结构,但是分别添加了图13和14的点火区。
下面将介绍特别适用于本发明的第二普通实施例的电极元件的优选结构。
如上所述,当放电的扩展发生在沿着其中心纵轴Ox的单元的中心时,放电受益于最佳电场条件。这是因为发现此时但总是在放电之前沿着Oy轴测量的介质表面上的电位分布在单元的中心处、即y=0的位置上具有最大值。这个电位朝向单元壁逐渐减小,就是说朝向阻挡肋逐渐减小(增加|y|)。这是因为由显示面板的两个电极板之间的这些壁形成的电容器稍微但逐渐减小了沿着Oy轴的介质层上的表面电位,从而放电保持在单元的中心轴Ox的中心位置上并在覆盖电极板1的共面电极元件的介质层的表面上,并且放电即紫外光子源位于距离每个荧光体覆盖壁(一般由电极板2支撑的阻挡肋15、16)为最大距离的位置上。
为了通过减小瞬时电流密度来提高产生的紫外光子的分布和使单元中的能量消耗均匀,优选将扩展区细分为两个扩展路径而不是一个,如参照文献EP0782167和EP0802556所述的U形电极那样。则将根据本发明的电极元件的扩展区细分为关于Ox轴对称的两个横向区Zb-p1、Zb-p2。则根据本发明的电极元件被分为两个横向导电元件,并且每个横向元件的宽度和We-p1(x)+We-p2(x)满足专用于前面限定的本发明的第二普通实施例的条件,以便使其位于上述的下限分布We-id-low和上限分布We-id-up之间,它们与上面限定的理想线性分布We-id-0分别相差-15%和+15%。图16示出了根据本发明这个优选实施例的电极元件,其中两个横向导电元件产生两个扩展区Zb-p1、Zb-p2,它们关于单元的对称轴Ox的纵轴对称地设置。
优选地,横向导电元件的每个横向扩展区的大部分距离单元的侧壁大于30μm,以便避免上述的有害壁效应。
图18A-18D的例子重复了图10C中所示的一般电极元件方案,除了下述事实之外:这里电极元件被分为都处于扩展区Zb中和点火区Za中的关于单元的中心轴Ox对称的两个横向导电元件。横向导电元件的总宽度We在扩展区Zb中满足参照前面本发明第二普通实施例所限定的一般规律。因此,放电沿着两个平行的一般方向在点火区Za和扩展区Zb中扩散开来。
在图18A的例子中,扩展区Zb中的两个横向导电元件各具有靠近平行于所述扩展区的壁的横边,并在这种情况下远离单元的中心轴Ox,以便有利地减小它们彼此所具有的静电效应。导电元件的每个点火区具有小于We-ab的电极宽度Wa1和Wa2
然而,当两个非对称横向导电元件相隔很远时,发现此时沿着Oy轴、在横向点火区Za-p1、Za-p2并在放电之前测量的介质表面上的电位分布在单元的中心y=0的位置上具有最小值。在单元的中心存在最小值和由其产生的横向中心势垒不利地限制了放电的扩展区。对于等离子体显示屏单元的普通工作条件,通过作为单元中心和对着中心的一个或另一个非对称横向导电元件边缘之间y1=y2(μm)距离的函数给出了单元中心y=0处的介质层的标准化表面电位V0-norm,图17示出了这一点。发现表面电位V0-nom对于到中心y1=y2的距离小于大约100微米时受到小于5%的影响,对于到中心的距离小于50微米时是稳定的。优选地,为了充分地保持从单元的纵轴的介质层的高表面电位,对于两个非对称横向导电元的边缘之间的距离2y1=2y2,将选择100和200微米之间的值。图18b的例子示出了这个优选实施例。这个例子类似于图18A的例子,除了两个横向导电元件的边缘之间的距离为100和200微米之间。
当两个非对称横向导电元件如此靠近在一起时,基本上提高了放电点火性能。然而,在扩展区中,一个横向导电元件对另一个横向导电元件的静电效应增加了并扰乱了每个横向导电元件上方的介质层上的表面电位向违背了具有增加电位的本发明所寻求的一般目的的点的变化,即使导电元件的总宽度We在扩展区Zb中符合参照本发明第二普通实施例所限定的一般规律。
因此可以看出距离横向点火区Za-p1、Za-p2太远是不利的,而是距离每个非对称横向导电元件的横向扩展区Zb-p1、Zb-p2足够远是有利的。
最佳的折衷方案在于:根据本发明的改型使用在点火区中和大部分扩展区中将电极元件分成两个非对称横向导电元件,其中:
-在横向点火区Za-p1、Za-p2中,这些区的面对边缘之间的距离保持非常小,并在100和200微米之间,以便限制在垂直于Ox轴测量的单元中心处的表面电位的减小;和
-在横向扩展区Zb-p1、Zb-p2中,这些区的面对边缘之间的距离很大,以便获得垂直于Ox轴测量的根据本发明的表面电位分布,并限制这些横向扩展区的相互静电效应。
假设da-p是在第一横向点火区Za-p1和第二横向点火区Za-p2的两个面对边缘之间、在位置x=0处在Oy轴上测量的距离,并假设de-p(x)是在位于x处的第一横向扩展区Zb-p1的一部分和位于x处的第二横向扩展区Zb-p2的一部分的面对边缘之间、在xab和xbc之间的任何x位置上平行于Oy轴测量的距离。
优选地,横向导电元件将用于:
-100μm≤da-p≤200μm;
-存在位于xab和xbc之间的值x=xb2,因而对于位于xab和x2之间的任何x值,de-p(x)>da-p
图18C表示被分为具有这些特性的两个横向导电元件的电极元件的例子。每个横向导电元件在开始位置向壁弯曲,从而两个横向导电元件之间的距离在开始位置很小,在100和200微米之间的范围内,然后随着x规则地增加,直到每个横向导电元件在不利壁效应开始明显的位置上靠近单元壁,将每个横向导电元件的最靠近横向边缘与壁分开的距离在扩展区的任何点上大于或等于30微米。
对于每个横向导电元件,考虑到它的横向边缘之间的中点的轨迹,每个横向导电元件可以由中线表示。根据上述特性,这两个中线分开移动到x=xb2,然后对于x>xb2时靠近在一起。
为了不影响阴极套在扩展区中的位移,优选地,对于每个横向导电元件并在xab<x<xb2的区域中,在x处的这个元件的中线的切线与Ox轴形成小于60°、优选地在30°和45°之间的角。
图18D和18E示出了分别类似于图18B和18C的例子,除了以下事实之外:在扩展区底部,电极元件是不连续的并被分为一系列导电元件,如参照图11B所述的。如前所述,由每段的端部限定的分布是这样的:在扩展区中,电极元件的累积宽度在上述的下限分布We-id-low和上限分布We-id-up之间,在本发明第二普通实施例的情况下它们与上面限定的理想线性分布We-id-0分别相差-15%和+15%。
当然,将上述的点火区或稳定区形状适用于这些电极元件并结合图18A-18E的扩展区形状是有利的,如图18F和18G所示的例子那样。
在本发明的第三普通实施例中,为了获得沿着Ox轴的扩展区中的表面电位的连续或不连续的增加,采用两个非对称横向导电元件的相互静电效应。
本发明的这个第三普通实施例涉及一种电极元件,它们至少在扩展区中被分为两个非对称的横向导电元件,这些横向导电元件此时具有恒定的宽度但相互分开距离de-p(x),de-p(x)随着位于xab和xbc之间的任何x而连续或断续地减小,以便根据本发明获得沿着Ox轴的介质层的表面电位的增加。均匀厚度和均匀组分的介质层则保持在扩展区中。
图19给出了这个第三实施例的结构的例子,其中覆盖扩展区的电极部分的介质层的表面电位的变化随着两个横向导电元件的平均间隔变化。具体地说,一个电极部分对另一个电极部分的静电效应在这里足够强,以便允许标准化表面电位的变化在0.9和1之间,同时仍然保持横向导电元件宽度We-p1(x)和We-p2(x),使其对于x在xab和xbc之间变化时其宽度We-p1(x)和We-p2(x)不变。为了受益于这个有利效果和根据本发明获得沿着Ox轴的介质层表面电位的连续或不连续的增加,并在这种情况下,这些横向导电元件是直的,如图所示,则必须:
-de-p(xab)≤350μm;和
-在xab<x<xbc的区域中,每个横向导电元件的中线在x处的切线与Ox轴形成20°和40°之间的角。
在这些条件以外,覆盖每个电极部分的介质表面电位的变化将在两个横向电极元件之间的距离de-p(xab)大于350微米时饱和,其中作为位置x的函数的电位增加速度将比对于100微米的x变量的极限值的最佳1%小,这不能充分地获得放电在扩展区中的快速扩散。当然,在xab<x<xbc的区域中,We-p1(x)=We-p2(x)=常数。
在图19的例子中,这个例子涉及一些具体情况,其中200μm<de-p(xab)≤350μm,以便限制或甚至消除在放电之前在两个扩展路径(见下面的说明)之间的单元中心y=0处的介质层的表面电位的减小,点火区Za有利地包括具有大于其两个横向部分上的长度的长度La+ΔLa的细长中心区,其中所述的两个横向部分各连接到扩展区Zb-p1、Zb-p2。这个细长部分ΔLa形成有利地减小工作电压的突起191。这是因为,即使这个突起191增加了单元中心处的点火区Za的面积,并因此增加了点火区的电容,但是将沉积在其中的电荷量将之用于减小工作电压,因为在点y=0处的放电不能沿着单元的轴Ox延伸,这是由于这个电极元件的扩展区横向地偏离这个轴,并且中心处的存储电荷的增加对阴极套的能量没有不利影响,不像现有技术的上述T形那样,其中阴极套的形状在电荷刚刚沉积之后持续不变。因此,点火区Za中并在横向扩展区Zb-p1和Zb-p2分开的位置上的电极元件的这个中心细长区用作放电起动器,它不包括用于扩展的能量的附加消耗。为此,优选如此选择延长部ΔLa,从而满足ΔLa+La<80μm,并且沿着Oy轴测量的突起191的宽度Wa-i满足:We-ab<Wa-i<80μm。
优选地,对于本发明的第三实施例,组合一个或多个以下条件:
-We-ab≤We-ab(P1/E1=0.13);
-We-bc≤Wc,并优选We-bc≤Wc-60μm,以便限制壁上的电荷损失。
根据本发明第四普通实施例,除了经恒定宽度的非对称横向导电元件连接的点火区中的横棒和稳定区中的横棒以外,如现有技术中所述的,共面电极的每个导电元件包括位于扩展区中的至少一个附加横棒。此外,这些横棒的尺寸和位置满足下述的其它条件。
图20A示出了包括类似于图4A的共面电极元件的类型的结构,如前面参照文献EP0802556(Matsushita)的图9已经描述过的。每个导电元件Y被分为三个区,即点火区Za、扩展区Zb和稳定或放电结束区Zc。这里点火区Za对应横棒31。这里稳定区Zc对应横棒33’,这里横棒33’与图4A不一样而是在比点火区Za的横棒31的长度La长的长度Ls上延伸,如前所述,这些长度对应沿着单元的纵轴Ox的这些棒的长度。这些横棒31、33’在扩展区Zb中经分开的非对称横向导电元件或横向腿部42a、42b连接,这是因为它们向单元的壁偏移,其中每个棒具有恒定宽度We-p1和We-p2
图21表示在图20A的单元的横截面A(曲线A)和横截面B(曲线B)中的介质层的表面电位的分布。这个分布是使用前述SIPDP-2D软件获得的。
由于Ls>La,位于放电结束区中的介质层的电容大于位于放电点火区中的介质层的比电容,以便在点火区和放电结束区之间建立正电位差。因此,满足上述优选一般条件Vn-bc>Vn-ab
关于导电元件的宽度We,导电元件的长度Le根据相同规律改变了介质层的表面上的电位。在本发明的第二实施例的情况下,由于Le总是大于We,因此长度Le不起作用,从而介质层表面上的电位的变化只受到导电元件的宽度的影响。由于在两侧壁之间的扩展区中不存在电极,因此由曲线A所表示的介质的表面电位随着离开点火区而基本上减小。在扩展区的这部分中,表面电位取决于由位于侧壁上的两个垂直棒产生的电位。距离壁越远,这个区中的电位增加越大,点火区和放电结束区中的壁边缘上的电位低于该结构的中心位置上的电位。因此最佳放电路径沿着侧壁并且不处于单元的中心。在沿着壁的边缘的扩展区的这个部分中,损失很高和等离子体密度很低,由此基本上减小了产生的紫外光子的数量,因此降低了亮度。该电位在扩展区(曲线B)的这个部分中也是相对恒定的,并且不允许产生允许扩散的横向场。
为了实现本发明的目的,本发明的目的是必须具有在放电区中连续或不连续地增加的表面电位和在参照图20A所述的单元中产生允许放电自然扩散的横向场,根据本发明的第四普通实施例添加至少一个第三横棒205。根据本发明,沿着单元的对称轴Ox的纵轴测量的这个棒的长度Lb满足:Lb≤La<Ls。根据本发明,这个棒此时一如下方式位于扩展区中:如果d1是点火区Za和扩展区Zb的两个面对边缘之间的距离和如果d2是稳定区Zc和扩展区Zb的面对边缘之间的距离,则d2/2<d1<d2
这种方案示于图20B中。
通过测量单元中心y=0上的沿着Ox轴的介质层表面上的电位分布,获得图21的曲线C。可以看到这种分布符合本发明的一般定义,由此这种表面电位在放电区中连续或不连续地增加。
因此,每个电极元件包括至少三个横棒31、205、33’,这些横棒在垂直于放电扩展方向Ox的一般方向延伸并由非对称横向导电元件连接在一起,其中这些非对称横向导电元件垂直于这些横棒并位于电极板2的侧壁上。
优选地,3×max(La,Lb)<Ls<5×max(La,Lb)。
前面已经介绍过的某些一般实施例的可能组合也形成本发明的一部分,只要在施加于该元件的恒定电位相对于施加于相同放电区的其它元件的电位为负时,在共面电极板的每个电极元件上,在扩展区中的介质表面电位沿着Ox轴增加即可。
本发明特别适用于如下情况:等离子体显示面板的共面电极板的这些电极Y、Y’由一般在50和500KHz之间的常规频率、具有恒定电压平稳部分(矩形波或方波的脉冲)的电压脉冲供给。

Claims (35)

1.一种用于在等离子体显示面板中限定放电区的共面放电电极板,包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的一般方向是平行的,其中第一阵列的每个电极(Y)与第二阵列的一个电极(Y’)相邻、与其成对并用于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且每一个电极元件被分别连接到一对电极的一个电极上,
其特征在于:对于每个放电区的每个第一电极元件(4),Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述第二电极元件(4’)的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述第一电极元件(4)的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,所述电极元件的形状以及所述介质层的厚度和组分适合于存在x值的范围[xab,xbc],以便xbc-xab>0.25xcd,xab<0.33xcd,xbc>0.5xcd,并且当在供给所述放电区的两个电极之间施加恒定电位差时,表面电位V(x)作为x的函数以连续或断续方式在所述[xab,xbc]范围内从值Vab增加到高值Vbc而没有下降部分,并具有合适的标记,从而所述第一电极元件(4)用作阴极。
2.根据权利要求1所述的共面放电电极板,其特征在于将标准化表面电位Vnorm(x)定义为在该电极元件的介质层的x值上的表面电位V(x)与沿着无限宽度的电极元件的轴Ox可以获得的最大电位V0-max的比,Vnorm(x’)-Vnorm(x)>0.001,其中x和x’是在xab和xbc之间选择的任意值,并满足x’-x=10μm。
3.根据权利要求1或2所述的共面放电电极板,其特征在于将标准化表面电位Vnorm(x)定义为在该电极元件的介质层的x值上的表面电位V(x)与沿着无限宽度的电极元件的轴Ox可以获得的最大电位V0-max的比,标准化表面电位Vnorm(x)从所述范围的开始点(x=xab)上的值Vn-ab=Vab/V0-max增加到所述范围的结束点(x=xbc)上的值Vn-bc=Vbc/V0-max,则:
Vn-bc>Vn-ab,Vn-ab>0.9,以及(Vn-bc-Vn-ab)<0.1。
4.根据权利要求1所述的共面放电电极板,其特征在于在所述第一阵列的电极(Y)与第二阵列的电极(Y’)之间的电位差的相同施加条件下,覆盖所述第一电极元件(4)并由所述放电结束边缘x=xcd和x=xbc界定的介质层的表面区域中的最大电位大于覆盖所述第一电极元件(4)并由所述点火边缘x=0和x=xab界定的介质层的表面区域中的最大电位。
5.一种等离子体显示面板,其特征在于它设有根据权利要求1所述的共面电极板。
6.一种用于在等离子体显示面板中限定放电区的共面电极板,包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的一般方向是平行的,其中第一阵列的每个电极(Y)与第二阵列的一个电极(Y’)相邻、与其成对并用于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且每一个电极元件被分别连接到一对电极的一个电极上,
其特征在于:对于每个放电区的每个第一电极元件(4),Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述第二电极元件(4’)的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述第一电极元件(4)的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
将介质层的比纵向电容C(x)定义为在所述第一电极元件(4)和介质层表面之间界定的这层的笔直元素条的电容,所述这层位于Ox轴上的x处并具有沿着Ox轴的长度dx和与限定所述元素条的电极元件的宽度相对应的宽度,
所述电极元件的形状以及所述介质层的厚度和组分适合于存在x值的范围[xab,xbc],以便xbc-xab>0.25xcd,xab<0.33xcd,xbc>0.5xcd,并且使得介质层的这个比纵向电容C(x)从所述范围的开始点(x=xab)的值Cab连续或断续地增加到所述范围的结束点(x=xbc)的值Cbc,而没有下降部分。
7.根据权利要求6所述的共面电极板,其特征在于位于所述第一电极元件(4)和这层的表面之间并由其中x=xcd的所述放电结束边缘和位置x=xbc限定的介质层部分的电容大于位于所述第一电极元件(4)和这层表面之间并由其中x=0和位置x=xab限定的介质层部分的电容。
8.根据权利要求7所述的共面电极板,其特征在于位于x=xbc和x=xcd之间的区域中的介质层的比纵向电容大于在满足0<x<xbc的任何其它位置x上的介质层的比纵向电容。
9.一种等离子体显示面板,其特征在于它设有根据权利要求6所述的共面电极板。
10.一种等离子体显示面板,包括:
-共面电极板,所述共面电极板包括至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的一般方向是平行的,其中第一阵列的每个电极(Y)与第二阵列的一个电极(Y’)相邻、与其成对并用于供给一组放电区;
-寻址电极板任选地包括用介质层涂覆的寻址电极阵列,它们定向和设置成使得它们每个与所述放电区之一中的共面电极板的一对电极相交,这些电极板在它们之间限定所述放电区并被以微米表示的距离Hc分开,以及
-用于每个放电区的至少第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且每一个电极元件被分别连接到一对电极的一个电极上,
其特征在于:对于每个放电区的每个第一电极元件(4),Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述第二电极元件(4’)的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述第一电极元件(4)的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
假设E1(x)是在纵向位置x上的所述第一电极元件(4)上方的介质层的以微米表示的平均厚度,P1(x)是在纵向位置x上的所述第一电极元件(4)上方的介质层的平均相对介电常数,并且假设E2(x)是所述寻址电极上方或者是在没有寻址电极时的寻址电极板上方的介质层的以微米表示的平均厚度,P2(x)是所述寻址电极上方或者是在没有寻址电极时的寻址电极板上方的介质层的平均相对介电常数,再次在位于寻址电极板表面上且平行于Ox轴的轴上且位于垂直于所述共面电极板的表面的平面中的纵向位置x上测量该厚度和介电常数,
所述介质层的厚度和组分适合于存在x值的范围[xab,xbc],以便xbc-xab>0.25xcd,xab<0.33xcd,xbc>0.5xcd,并且使得R(x)=1-[E1(x)/P1(x)]/[E1(x)/P1(x)+Hc+E2(x)/P2(x)]从所述范围的开始点(x=xab)的值Rab连续或断续地增加到所述范围的结束点(x=xbc)的值Rbc,而没有下降部分。
11.根据权利要求10所述的等离子体显示面板,其特征在于所述电极元件的宽度We(x)在所述x值范围内是恒定的。
12.根据权利要求11所述的等离子体显示面板,其特征在于R(x’)-R(x)>0.001,其中x和x’是在xab和xbc之间选择的任意值,并满足x’-x=10μm。
13.根据权利要求11所述的等离子体显示面板,其特征在于Rbc>Rab,Rab>0.9,以及(Rbc-Rab)<0.1。
14.根据权利要求11所述的等离子体显示面板,其特征在于:对于满足xbc<x<xcd的任何x值,R(x)的值大于满足0<x<xab的任何x的R(x)值。
15.根据权利要求6-8任一项所述的共面电极板,其特征在于:对于每个放电区的每个第一电极元件(4),至少对于xab<x<xbc的任何x,所述介质层具有在所述电极元件上方的恒定介电常数P1和以微米表示的恒定厚度E1,并且其中具有下列定义:
-标准化表面电位Vnorm(x),定义为在所述电极元件的介质层的值x上的表面电位V(x)与沿着无限宽度的电极元件的轴Ox将获得的最大电位V0-max的比,该标准化表面电位Vnorm(x)从所述范围的开始点(x=xab)的值Vn-ab=Vab/V0-max增加到所述范围的结束点(x=xbc)的值Vn-bc=Vbc/V0-max
-这个元件的理想宽度分布,由以下等式定义:
W e - id - o ( x ) = W e - ab exp { 29 ( P 1 / E 1 ) ( x - x ab ) × ( V n - bc - V n - ab ) / ( x bc - x ab ) }
其中We-ab是在垂直于Ox轴的x=xab处测量的所述第一电极元件(4)的总宽度;和
-下限分布We-id-low和上限分布We-id-up,由以下等式定义:
We-id-low=0.85We-id-0,We-id-up=1.15We-id-0
则,对于包含两边界的在xab和xbc之间的任何x,在垂直于Ox轴的x处测量的所述第一电极元件(4)的总宽度We(x)满足:
We-id-low(x)<We(x)<We-id-up(x)。
16.根据权利要求15所述的共面电极板,其特征在于宽度We-ab小于或等于80μm。
17.根据权利要求16所述的共面电极板,其特征在于:宽度We-ab小于或等于50μm。
18.根据权利要求15所述的共面电极板,其特征在于:所述第一电极元件(4)被细分成两个横向导电元件,它们关于Ox轴对称并且至少在x位于[xab,xb3]范围内的区域中被分开,其中xb3-xab>0.7(xbc-xab)。
19.根据权利要求18所述的共面电极板,其特征在于:xb3=xbc
20.根据权利要求18所述的共面电极板,其特征在于:如果Oy是垂直于沿着点火边缘的轴Ox的轴并假设de-p(x)是在这两个横向导电元件彼此相对的边缘之间、在xab和xbc之间的任何位置x上平行于Oy轴测量的距离,存在位于xab和xb3之间的值x=xb2,使得对于在xab和xb2之间的任何值x,de-p(x)>de-p(xab)。
21.根据权利要求20所述的共面电极板,其特征在于:de-p(xab)在100μm和200μm之间。
22.根据权利要求21所述的共面电极板,其特征在于:在值xab<x<xb2的区域中,在每个横向元件的横向边缘之间的中间距离上,对于给定位置x,考虑这个横向导电元件轨迹的中线,在x上的这个元件的中线的切线与Ox轴形成小于60度的角。
23.根据权利要求22所述的共面电极板,其特征在于:所述角在30度和45度之间。
24.根据权利要求18所述的共面电极板,其特征在于:如果Oy是垂直于沿着点火边缘的轴Ox的轴并假设de-p(xab)是在这两个横向导电元件彼此相对的边缘之间、在x=xab的位置上平行于Oy轴测量的距离,所述电极元件包括连接所述横向导电元件的被称为点火棒的横棒,它的一个边缘对应所述点火边缘,沿着Ox轴测量的其长度比在Ox轴的任一侧上对于在y1和de-p(xab)/2之间的|y|的这个长度的值La大,两者的差值为在Ox轴任一侧上对于位于0和y1之间的|y|的值ΔLa
25.一种等离子体显示面板,其特征在于它包括根据权利要求15所述的共面电极板。
26.一种等离子体显示面板,它包括共面电极板和寻址电极板,在所述共面电极板和寻址电极板之间限定所述放电区并被分开距离Hc
该共面电极板包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的一般方向是平行的,其中第一阵列的每个电极(Y)与第二阵列的一个电极(Y’)相邻、与其成对并用于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且每一个电极元件被分别连接到一对电极的一个电极上,
该寻址电极板包括:
-寻址电极阵列,它们用介质层涂覆并取向和放置成使得每个寻址电极与在所述放电区之一中的共面电极板的一对电极相交;
-平行阻挡肋阵列,每个阻挡肋位于两个相邻寻址电极之间并与两个其它相邻阻挡肋相隔距离Wc,并且对于每个放电区的每个第一电极元件(4),Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述第二电极元件(4’)的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述第一电极元件(4)的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
其特征在于:至少对于xab<x<xbc的任何x,所述介质层在所述第一电极元件(4)上方具有均匀的组分和恒定的厚度,并且对于所述显示面板的每个放电区和对于这个放电区的每个第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),所述第一电极元件(4)被细分为恒定宽度We-p0的两个横向导电元件,它们关于Ox轴对称并至少在x在范围[xab,xbc]内的区域中被分开,并且如果Oy是垂直于沿着点火边缘的轴Ox的轴并假设de-p(x)是在这两个横向导电元件彼此相对的边缘之间、在xab和xbc之间的任何位置x上平行于Oy轴测量的距离,de-p(x)作为在所述[xab,xbc]范围内的x的函数以连续或断续方式增加,并且在xab<x<xbc的区域中,在这个横向元件的横向边缘之间的中间距离上,对于给定位置x,考虑每个横向导电元件轨迹的中线,在x上的这个元件的中线的切线与Ox轴形成在20度和40度之间的角,并且de-p(xab)≤350μm。
27.根据权利要求26所述的等离子体显示面板,其特征在于:200μm≤de-p(xab)≤350μm,并且所述电极元件包括连接所述横向导电元件的被称为点火棒的横棒,其一个边缘对应所述点火边缘,沿着Ox轴测量的其长度比在Ox轴的任一侧上对于在y1和de-p(xab)/2之间的|y|的这个长度的值La大,两者的差值为在Ox轴任一侧上对于位于0和y1之间的|y|的值ΔLa
28.根据权利要求27所述的等离子体显示面板,其特征在于:如果Wa是沿着Oy轴测量的所述点火棒的宽度,
-如果La<2We-p0,则ΔLa>2We-p0-La
-如果La≥2We-p0,则ΔLa0.2La
29.一种等离子体显示面板,它包括共面电极板和寻址电极板,在所述共面电极板和寻址电极板之间限定所述放电区并被分开距离Hc
所述共面电极板包括:
-至少第一和第二共面电极阵列,它们用介质层涂覆,并且它们的一般方向是平行的,其中第一阵列的每个电极(Y)与第二阵列的一个电极(Y’)相邻、与其成对并用于供给一组放电区;
-用于每个放电区的至少第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),它们具有共同的纵向对称轴Ox,并且每一个电极元件被分别连接到一对电极的一个电极上,
所述寻址电极板包括:
-寻址电极阵列,它们用介质层涂覆并取向和放置成使得每个寻址电极与在所述放电区之一中的共面电极板的一对电极相交;
-平行阻挡肋阵列,每个阻挡肋位于两个相邻寻址电极之间并与两个其它相邻阻挡肋相隔距离Wc,并且对于每个放电区的每个第一电极元件(4),Ox轴上的点O所在的位置被称为面对所述放电区的所述第二电极元件(4’)的点火边缘,并且Ox轴所指向的部位被称为限定与所述放电边缘相反的一侧上的所述第一电极元件(4)的放电结束边缘并位于Ox轴上的x=xcd位置上,
其特征在于:至少对于xab<x<xbc的任何x,所述介质层在所述第一电极元件(4)上方具有均匀的组分和恒定的厚度,并且如果Wc是两个相邻阻挡肋之间的距离,对于所述显示面板的每个放电区和对于这个放电区的每个第一电极元件(4)和第二电极元件(4’),所述第一电极元件(4)被细分为恒定宽度We-p0的两个横向导电元件,它们彼此相对的边缘之间的距离de-p0是不变的并大于Wc,这些元件关于Ox轴对称并在x处于范围[xab,xbc]内的区域中被分开,并且所述电极元件包括:
-被称为点火棒的横棒,其宽度大于或等于Wc,沿着Ox轴测量的其长度为La,并且其一个边缘对应所述点火边缘;
-被称为放电稳定棒的横棒,其宽度大于或等于Wc,沿着Ox轴测量的其长度为Ls,并且其一个边缘对应所述放电结束边缘;和
-至少一个中间横棒,其宽度大于或等于Wc,并且沿着Ox轴的其位置在其整个长度Lb内完全位于范围[xab,xbc]内;以及Lb≤La<Lc
30.根据权利要求29所述的等离子体显示面板,其特征在于:中间横棒的一个边缘与所述放电稳定棒相隔距离d1和另一个边缘与所述点火棒相隔距离d2,则d2/2<d1<d2
31.根据权利要求30所述的等离子体显示面板,其特征在于:3×max(La,Lb)<Ls<5×max(La,Lb)。
32.根据权利要求5、9、10-14和25-31任一项所述的等离子体显示面板,其特征在于:它包括所述共面电极板和寻址电极板,在它们之间限定所述放电区,并且对于每个放电区和对于每个电极元件,如果We-ab是在x值的所述范围[xab,xbc]的开始点上在位置x=xab上沿着Oz轴测量的所述电极元件的宽度,则所述电极元件优选包括被称为点火棒的横棒,其一个边缘对应所述点火边缘,并且沿着Ox轴测量的其长度满足:We-ab≤La<80μm。
33.根据权利要求32所述的等离子体显示面板,包括位于所述共面电极板和寻址电极板之间并彼此相隔距离Wc的平行阻挡肋阵列,它们垂直于所述共面电极的一般方向,其特征在于:如果Oy是垂直于沿着点火边缘设置的Ox轴的轴和如果Wa是沿着Oy轴测量的所述横向点火棒的宽度,则:Wc-60μm<Wa≤Wc-100μm。
34.根据权利要求32所述的等离子体显示面板,其特征在于:包括位于所述共面电极板和寻址电极板之间并彼此相隔Wc距离的平行阻挡肋阵列,它们垂直于所述共面电极的一般方向,其特征在于:如果Oy是垂直于沿着点火边缘设置的Ox轴的轴、如果Wa是沿着Oy轴测量的所述横向点火棒的宽度以及如果Wa-min对应一个宽度,在该宽度以外所述阻挡肋将引起所述第一电极元件(4)上方的介质层的表面电位的实质减少,所述横向点火棒包括:
-中心区Za-c,对于该中心区Za-c,在|y|≤Wa-min/2的任何点,在所述放电区的两个电极元件的点火边缘之间的沿着Ox轴的距离是不变的并等于gc;和
-在中心区Za-c的任一侧上的两个横向区域Za-p1和Za-p2,对于这两个区域,在|y|>Wa-min/2的任何点,在所述放电区的两个电极元件的点火边缘之间的沿着Ox轴的距离从值gc连续减小。
35.根据权利要求5、9、10-14和25-31任一项所述的等离子体显示面板,其特征在于:它包括适合于在共面电极之间产生所谓维持脉冲的多种电压脉冲系列对的电源装置,每个脉冲具有恒定的平稳部分。
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