CN100365888C - 光模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光模块，它包括：为了传送电气信号而串联连接的第一传送线路和第二传送线路、激光二极管元件、电场吸收型光调制器元件、电阻匹配用的终端电阻元件、连接第一传送线路的一端和光调制器元件的第一接合线、连接光调制器元件和终端电阻元件的第二接合线；其中，将终端电阻元件的电阻值设定在40Ω以上60Ω以下的范围内，使第二传送线路的特性阻抗为50Ω，将第一传送线路的特性阻抗设定在20Ω以上30Ω以下。能使光模块的小信号通过特性(S21)的最优化和降低小信号反射系数(S11)，即使在驱动用IC的输出电阻不匹配时也能够保持波形品质。

Description

光模块
技术领域
本发明涉及光通信用的光模块，特别涉及用于以高速的传送速率进行传送的光发送器的发送部的光模块。
背景技术
使用半导体激光的光发送模块是光纤传送用的关键设备之一。伴随着近年的宽带网的普及，期望光发送模块能够实现高速化，甚至10Gbits/s的位速率的光模块得到广泛应用。作为适于上述用途的光发送模块，在要求小型、低成本的同时，要求能够实现良好的发送波形品质。
在特开2001-257412号公报及特开2001-308130号公报中，记载了如下模块，该模块通过协调连接电场吸收型光调制器集成化激光二极管的调制器和信号线的第一接合线和连接调制器和匹配电阻的第二接合线的电感的关系，来实现高频输入侧对特性阻抗50Ω(ohm)的小信号反射系数(S11)的降低和光调制器的小信号通过特性(S21)中的3dB频带的确保。
另外，在ASIP公司的小册子“ASIP 1310nm EML TOSA”中记载了利用驱动电阻50Ω搭载在终端电阻100Ω的CAN型封装上的电场吸收型光调制器集成激光模块。
为了进一步改善光发送模块的发送波形品质，有必要在光调制器的小信号通过特性(S21)中确保3dB频带的同时，通过调整S21的脉冲峰化特性等来使小信号通过特性(S21)最优化，以便拓宽发送波形中相对ITU-T规定的掩码的波形边缘。
根据发明者等的探讨，在特开2001-257412号公报中公开了在利用理想的50Ω信号源(例如计测用脉冲模型发生器)驱动光模块时，通过改善第一接合线和连接调制器和匹配电阻的第二接合线的电感的关系来使小信号通过特性(S21)最优化，以拓宽发送波形中掩码边缘可能的范围。但是，由于该最优化，另一方面的小信号反射系数(S11)不能充分降低，发生了电阻不匹配。
对于当前市场上出售的驱动用IC，特别是作为在长距离传送用途中向光调制器发出的驱动信号，要求接近1V的偏压和2Vpp以上的大电压振幅驱动。因此，IC驱动时的输出电阻往往偏离50Ω。此时，在连接驱动用IC和光调制器的50Ω传送线路的两端，发生了电阻不匹配，在驱动电压信号中，多重反射电压重叠，在光调制器的输出波形中产生紊乱。其结果，发送波形中的掩码边缘恶化。
作为解决上述问题的手段，可以举出将驱动用IC内置于光发送模块内部的例子。此时，通过将连接驱动用IC和光发送模块的50Ω传送线路的长度缩短到最小限度来抑制多重反射的影响，可以得到良好的发送波形。但是，驱动用IC需要多个控制用端子和电源用端子，因此，在内置驱动用IC时，与非内置时相比，发生了光发送模块的端子数增加、小型化困难的问题。
发明内容
本发明的目的在于：提出相对驱动用IC的输出电阻不匹配较难发生波形品质恶化的光发送模块构造，提供最适合高速光传送收发两用机的光模块，该光模块可以同时做到用于改善光调制器的输出波形的小信号通过特性(S21)的最优化和小信号反射系数(S11)的降低这两方面。
本发明提供一种光模块，包括：把电信号传送到第二传输线路的第一传输线路；连接着上述第二传输线路，通过上述电信号来调制激光的光调制器元件；以及其一端连接着上述第二传输线路和上述光调制器元件的终端电阻元件，其特征在于，上述终端电阻元件的电阻值大于或等于40Ω且小于或等于60Ω；上述第二传输线路的特性阻抗大于或等于40Ω且小于或等于60Ω；10GHz的上述第二传输线路的电气长度为大于或等于10度且小于或等于120度；上述第一传输线路的特性阻抗大于或等于20Ω且小于或等于30Ω；10GHz的上述第一传输线路的电气长度为大于或等于15度且小于或等于120度。
本发明的要点在于，在光模块中包含：向第二传输线路传输光的第一传输线路、与上述第二传输线路连接通过上述电信号来调制激光的光调制器元件、与上述第二传输线路和上述光调制器元件连接的终端电阻元件构成，其中，终端电阻元件的电阻值与上述第二传输线路的特性阻抗的差为10Ω以下；使第一传输线路的特性阻抗比上述第二传输线路的特性阻抗低20Ω以上。
为了更清楚的理解本发明，以下参照附图对本发明进行更具体的说明。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1的光发送模块的主要部分的构造图。
图2是本发明的实施例1的光发送模块的主要电路图。
图3是表示说明本发明的实施例的频率和光发送模块的输入反射系数S11的关系的图。
图4是表示说明本发明的实施例的频率和光发送模块的电-光通过特性S21的关系的图。
图5(包括5A和5B)是说明本发明的实施例的效果的光输出波形。
图6是说明本发明的效果的图表。
图7是说明本发明的效果的图表。
图8是说明本发明的效果的史密斯圆图。
图9是表示本发明的实施例2的光发送模块的主要部分的构造图。
图10是本发明的实施例2的光发送模块的主要电路图。
图11是表示本发明的实施例3的光发送模块的主要部分的构造图。
图12是本发明的实施例3的光发送模块的主要电路图。
具体实施方式
以下参照附图，利用实施例对本发明的实施方式进行说明。另外，对于相同的部位付与相同的符号，省略其说明。
参照图1～图8对本发明的实施例1进行说明。在此，图1是说明本发明的实施例1的光发送模块的主要部分的平面图。图2是本发明的实施例1的光发送模块的主要电路图。图3是表示说明本发明的实施例的频率和光模块的输入反射系数S11的关系的图。图4是表示说明本发明的实施例的频率和光发送模块的电-光通过特性S21的关系的图。图5是说明本发明的实施例的效果的光输出波形。图6及图7是说明以传送线路的特性阻抗作为参数的调制器的电容和传送线路的电气长度的关系的图。图8是说明本发明的实施例的史密斯圆图(Smith chart)。
首先，参照图1说明光发送模块的构成。光发送模块100使用箱型的封装框体1作为框体。在框体1的一个侧面设有同轴端子6作为电信号的输入端子。同轴端子6的同轴内导体与设在框体内部的连接基板9上的传送线路10连接。基板支撑部5固定连接基板9。基板支撑部5同时与同轴端子6的同轴外导体和传送线路10的接地导体电连接。在框体1内部的底面上固定有珀耳帖元件2，在其上面搭载中继基板7、监视光电二极管搭载用基板4、金属台座3。在中继基板7上，设有与其它传送线路相比具有低的特性阻抗的传送线路8。传送线路8采用容易拓宽模型宽度适于低电阻化的微波传输带线路形式。另外，在监视光电二极管搭载用基板4上设监视用光电二极管36，固定在能够接收半导体激光二极管元件20的后方输出光的位置。在金属台座3上，搭载载体基板23、结合透镜11、热敏电阻搭载基板14。另外，在此热敏电阻搭载基板14上搭载热敏电阻13，监视珀耳帖元件2的上面温度。
在载体基板23上搭载半导体芯片22及旁路电容28。在载体基板23上设电阻元件24、接地金属25、输入传送线路27的各模型，接地金属25通过柱孔26与载体基板23的里面电极连接。半导体芯片22是在其表面设半导体激光二极管元件20及光调制器元件21的调制器集成型半导体激光芯片。从半导体激光二极管元件20输出的连续激光在经过光调制器元件21后，通过结合透镜11及框体出射部12射向光纤。调制器元件21通过来自外部的驱动用IC的10Gbits/s的电调制信号将连续激光调制成光调制信号。
第一接合线31与输入传送线路27和光调制器元件21连接。第二接合线32连接光调制器元件21和电阻元件24。另外，载体基板23上的输入传送线路27和中继基板7上的传送线路通过带状线等以低电阻连接。另外，在中继基板7上的传送线路和连接基板9上的传送线路10之间，也通过带状线以低电阻连接。另外，连接基板9、中继基板7、载体基板23的里面配线也利用柱引出到表层，分别通过带状线等连接。通过这些构成从同轴端子6向光调制器元件21输入电信号的路径。半导体激光二极管元件20通过供电用接合线34、35与外部端子(图中未示出)连接，从那里供给直流电流。供电用接合线34、35连接在旁路电容28的电极上。
箱型的封装框体1由陶瓷和金属构成，并确保气密性。在采用热传导率高的铜钨作为封装框体1的底面材料时，可以降低从珀耳帖元件2到光发送模块外部的热阻抗，可以降低珀耳帖元件2的消耗电力。中继基板7及载体基板23由氧化铝、氮化铝等电介质材料构成。在采用热传导率高的氮化铝做载体基板23、铜钨做金属台座3时，可以降低从半导体芯片22到珀耳帖元件2的热阻抗，可以抑制元件温度的上升。电阻元件24由对其表面实行阳极氧化(anodic oxidation)的氮化钽膜构成，通过激光修剪将其电阻值调整为50Ω。
半导体芯片22使用如下元件，即，利用n型InP基板在其表面集成为分布反馈型激光二极管(DFB-LD：Distributed FeedBack LaserDiode)的半导体激光二极管元件20和为电场吸收型调制器(EAM：Electro Absorption Modulator)的光调制器元件21的元件。在芯片的表面分别设半导体激光二极管元件20和光调制器元件21的阳极电极。在以光调制器元件21的阳极电极为中继点，利用一根电线直线形成第一接合线31和第二接合线32的情况下，可以使光调制器元件21的阳极电极的面积最小，可以降低元件电容Cmod。芯片里面电极作为半导体激光二极管元件20和光调制器元件21的共通阴极电极。监视用光电二极管32的输出通过外部端子(图中未示出)输出。旁路电容28如果采用由单层的高电介质基板构成的平行平板型电容，可以实现小型化。
接着参照图2说明电路构成。首先，外部的驱动用IC61输出的电调制信号通过外部传送线路60、连接基板上的传送线路10、中继基板上的传送线路8输入到载体基板上的输入传送线路27。传送线路60由搭载驱动用IC61的印制电路板上的传送线路、进行从此处向同轴端子6的连接的同轴电缆、同轴端子6构成，使其特性阻抗为50Ω。使传送线路10及输入传送线路27的特性阻抗都为50Ω、传送线路8的特性阻抗为30Ω。R24是电阻元件24形成的电阻、L31、L32分别是第一、第二接合线31、32形成的电感。传送线路8由于比其它传送线路电阻低，所以图中显示其宽度较宽。
电调制信号通过这些电路元件输入给光调制器元件21的阳极。光调制元件21的阴极接地。另一方面，作为偏置电流从外部向半导体激光二极管元件20供给正方向直流电流Ibias，使其连续输出激光。在图2中，L34、L35是供电用接合线34、35形成的电感，C28是旁路电容28的电容值。通常，为了向电场吸收型调制器施加反偏压使其动作，在本实施例中采用-5.2V等负电源及用于激光元件的+3.3V等正电源两方。
在本实施例中，如果Cmod为0.5pF、L31：0.29nH、L32：0.75nH、R24：50Ω，则输入传送线路27(特性阻抗50Ω)和传送线路8(特性阻抗30Ω)在频率10GHz下的电气长度分别为35度、31.3度。另外，所谓电气长度是指如果实效的共振线路长为360度时的长度的次元(维)。传送线路的特性可以由电阻(Z)、电气长度(E)、频率(f)来规定。
接着，参照图3～图5对本实施例的光发送模块的特性进行说明。这些是利用电路模拟器计算出的特性。
如图3所示，特开2001-257412号公报或特开2001-308130号公报的高频输入侧的特性阻抗为50Ω，即，在全部以特性阻抗50Ω的传送线路构成输入侧的情况下，在频率7.5GHz以上的范围内，反射系数S11超过-15dB，发生恶化。另一方面，在光调制器的近旁插入大致50Ω的传送线路27和大致30Ω的传送线路8时，在0(DC)～12GHz的宽范围内反射系数的降低得到改善。其结果，得到了在频率0(DC)～10GHz的范围内将反射系数抑制在-15dB以下的效果。特别是，在7.5GHz附近能得到抑制在-20dB以下的效果。另外，如图4所示的小信号通过特性S21也表现出充分的特性，在插入30Ω的线路时，在频率0(DC)～12GHz的范围内发生了若干有利因素。
图5是以10Gbits/s使光发送模块动作时的光输出波形，图5A表示50Ω输入线路，图5B表示在50Ω线路上增加30Ω线路的情况。这些图表示经过7.5GHz贝塞尔滤波器(Bessel filter)后的眼图。驱动用IC的输出电阻为75Ω，偏离了50Ω。因此，在只通过50Ω的传送线路构成高频输入侧时，发生了由于多重反射的影响带来的波形品质恶化，但是，插入50Ω传送线路27和30Ω传送线路8的本实施例，抑制了多重反射，得到了良好的波形品质。
接着说明本实施例的传送线路27及传送线路8带来的反射系数S11的抑制效果的机理。在如图2所示的，使光调制元件21与电感L31、L32、电阻R24连接并接地的情况下，对于例如10Gbits/s的光发送用来说，由于设定为L31：0.29nH、L32：0.75nH、R24：50Ω，所以对于50Ω驱动可以实现良好的小信号通过特性(S21)。作为光调制器元件21，通常采用元件电容Cmod：0.4pF～0.6pF的元件，通过采用上述连接可以将小信号通过特性中的3dB频带提高到10GHz以上。在进行上述连接，对光调制元件21输入希望强度的激光时，根据发明者的测定，在光调制器元件21中产生由于光电流引起的并联电导(大约100Ω)的同时，在图2中，从L31的信号输入端(箭头A部)向调制方向看的电阻在7.5GHz下实部为24～37Ω、虚部为1～5Ω。这些值由于L31、L32的值不同而有所增减。但是，在频率7.5GHz下，λg/4(电气长度90度)以下，即，在频率10GHz下的电气长度分别在120度以下的范围内，通过使用电气长度比较短的50Ω传送线路和电气长度比较短的20～30Ω的传送线路的2元件，可以在匹配点(0Ω)进行电阻变换。此时，两传送线路的电阻差最好在20Ω以上。
在图6及图7中分别示出了在7.5GHz下要得到完全匹配条件所必要的50Ω传送电路27的电气长度及传送电路8(20～30Ω)的电气长度。图6及图7是以特性阻抗的低传送线路8的特性阻抗为参数模拟调制器元件的电容和必要的电气长度的关系的结果。
在元件电容为0.4pF～0.6pF的范围内，从图6可以看到，50Ω传送线路27在频率10GHz下的电气长度需要10度以上，从图7可以看到，传送线路8在频率10GHz下的电气长度需要15度以上。而且，作为传送线路27及传送线路8的电气长度，通过选择比图6或图7所示的关系的电气长度大若干的值，可以做到即使偏离7.5GHz下的完全匹配条件也能够通过徐缓的匹配扩大频带，可以在以7.5GHz为中心宽范围内改善S11。在本实施例1中，由于传送线路27(特性阻抗为50Ω)和传送线路8(特性阻抗为30Ω)在频率10GHz下的电气长度分别为35度、31.3度，因此，可以得到在频率0(DC)～10GHz的宽范围内将反射系数抑制在-15dB以下的效果。
接着，利用图8参照图2对史密斯圆图中的电阻进行说明。从图2的箭头A部向光调制器元件21侧看时的电阻为图8的A部。从图2的箭头B部向调制方向看的电阻在50Ω传送线路中电气长度为35度，因此是以史密斯圆图的实轴50Ω为中心、以到A部的距离为半径、沿顺时针方向旋转35度的图8的B部的值。另外，从图2的箭头C部向调制方向看的电阻在30Ω传送线路中电气长度为31.3度，因此是以史密斯圆图的实轴30Ω为中心顺时针旋转的图8的C部的值.如以前所述，之所以使传送线路的电气长度在频率7.5GHz下为λg/4(电气长度90度)以下，是因为史密斯圆图的1转为180度，因此没有必要使2元件的传送线路的和为180度以上。
在上述实施例1中，使电阻元件24的电阻值为50Ω，但是，根据与搭载在光发送器上的驱动IC的相性，也可以在40～60Ω的范围内变更。另外，使传送线路8的特性阻抗为30Ω，但是，也可以使其在20～30Ω的范围内变更。进一步使输入传送线路27的特性阻抗为50Ω，但是，也可以使其在40～60Ω的范围内变更。此时，在使其与传送线路8的特性阻抗的差为至少20Ω以上时，可以使输入反射系数降低。
另外，在本实施例的电路构成(图2)中，也可以使光调制器元件21的二极管极性倒过来。此时，即使是正电源也可以向光调制器元件21施加反偏置，可以实现只使用+5.0V等正电源来进行动作的光发送模块。
以下参照图9及图10对本发明的实施例2进行说明。在此，图9是表示本发明的实施例2的光发送模块的主要部分的侧面图。另外，图10是本发明的实施例2的光发送模块的主要电路图。
首先，参照图9对光发送模块的构成进行说明。光发送模块200使用CAN型的封装的框体作为框体。符号30是其金属轴杆，符号29是主要部分搭载用的金属台座。金属轴杆30经圆筒状的贯通孔40、43通过封固玻璃41固定圆柱状的导引拴39、42。在金属台座29上搭载有中继基板37和载体基板23。在中继基板37上设有传送线路38。在载体基板23的表面设有电阻元件24、接地金属25、输入传送线路27的各图形。接地金属25通过柱孔26与载体基板23的立缅甸基连接。在载体基板23上搭载由半导体芯片22及旁路电容28。半导体芯片22是在其表面设有半导体激光二极管元件20及光调制器元件21的调制器集成型半导体激光芯片。从半导体激光二极管元件20输出的连续激光在经过光调制器元件21后通过结合头静(图中省略)发射到光纤。调制器元件21通过来自外部驱动用IC的10Gbits/s的电器调制信号将连续激光调制成光调制信号。另外，在金属轴杆30上，设有监视用光电二极管，固定在能够接收半导体激光二极管元件20的后方输出光的位置。
第一接合线31连接输入传送线路27和光调制器元件21。第二接合线32连接光调制器元件21和电阻元件24。另外，载体基板23上的输入传送线路27和中继基板37上的传送线路38通过带状线以低电感连接。传送线路38和导引拴29通过AuSn合金接合。通过这些手段构成从导引拴39向光调制器元件21的电气信号输入路径。半导体激光二极管元件20通过供电用接合线34、35与导引拴42连接，从此处供给直流电流。供电用接合线34、35通过旁路电容28的电极连接。
利用例如Φ(phi)5.6mm的TO-56型的框体等作为CAN型的封装框体。如果使用廉价的铁作为金属轴杆30、金属台座29的材料可以降低成本。中继基板37及载体基板23利用氧化铝、氮化铝等电介质材料构成。在采用热传导率高的氮化铝做载体基板23时，可以降低从半导体芯片22到金属台座24的热阻抗，利于抑制元件温度的上升。另外，也可以利用氮化铝等电介质基板和铜钨等金属板的粘合基板构成载体基板23。该构成有利于进一步降低热阻抗。
电阻元件24利用阳极氧化的氮化钽构成，利用激光修剪将电阻值调整为50Ω。半导体芯片22采用利用n型Inp基板在其表面形成为分布反馈型激光二极管(DFB-LD)的半导体激光二极管元件20和为电场吸收型调制器(EAM)的光调制器元件21的芯片。在芯片的表面设半导体激光二极管元件20和光调制器元件21的各阳极电极。在以光调制器元件21的阳极电极为中继点，利用一根电线直线形成第一接合线31和第二接合线32时，可以使光调制器元件21的阳极电极的面积最小，有利于降低元件电容Cmod。芯片里面电极作为半导体激光二极管元件20和光调制器元件21的共通阴极电极。监视用光电二极管32的输出通过其它导引拴(图中省略)输出。旁路电容28如果采用以单层的高电介质基板构成的平行平板型电容，有利用实现小型化。
接着，参照图10说明电路构成。首先，驱动用IC61输出的电气调制信号通过外部传送线路60、由贯通孔40和导引拴39及封固玻璃41构成的同轴线路T39、中继基板37上的传送线路38输入给载体基板的输入传送线路27。传送线路60由搭载驱动用IC61的印制电路板上的传送线路以及连接印制线路板和导引拴39的挠性基板上的传送线路构成，特性阻抗为50Ω。同轴线路T39的特性阻抗为30Ω，传送线路38及输入传送线路27的特性阻抗为50Ω。R24是电阻元件24形成的电阻，L31、L32分别是第一、第二接合线31、32形成的电感。电气调制信号通过这些电路元件输入给光调制器元件21的阳极。光调制器元件21的阴极接地。另一方面，作为偏置电流从外部向半导体激光二极管元件20供给正方向直流电流I bias，使其输出激光。通常，为了向电场吸收型调制器施加反偏置以使其动作，在本实施例中采用-5.2V等负电源及用于激光元件的+3.3V等正电源两方。
在本实施例中，例如如果Cmod：0.5pF，L31：0.29nH，L32：0.75nH，R24：50Ω，则输入传送线路27和传送线路38(特性阻抗都为50Ω)在频率10GHz下的电气长度的总和为35度，同轴线路T39(特性阻抗为30Ω)在频率10GHz下的电气长度为31.3。
根据本实施例2，在光输出特性上可以得到与实施例1同样的改善效果。而且，通过采用CAN型的封装的框体，可以实现更小型化和低成本化的光发送模块。
在上述实施例2中，由贯通孔40和导引拴39以及封固玻璃41构成的同轴线路T39的特性阻抗为30Ω，但是，根据其部件形状及适于封固的玻璃的材质的选择在例如20～30Ω的范围内变更同轴线路的特性阻抗。另外，使电阻元件24的电阻值为50Ω，但是，可以根据与实际搭载在收发两用机上的驱动IC的相性在例如40～60Ω的范围内变更该值。
另外，在本实施例2的图10中的电路构成中，也可以使光调制器元件21的二极管极性倒过来。此时，即使是正电源也可以向光调制器元件21施加反偏置，具有能够实现只使用+5.0V等正电源动作的光发送模块的效果。
参照图11及图12对本发明的实施例3进行说明。图11是表示本发明的实施例3的光发送模块的主要部分的构造图。图12是本发明的实施例3的光发送模块的主要电路图。与实施例2的主要不同在于以特性阻抗50Ω的传送线路138和特性阻抗30Ω的传送线路139构成中继基板37上的微波传输带线路形式的传送线路。另外如图12所示，光调制器元件121采用二极管特性相反的元件。通过偏压施加用接合线133、第三接合线132、电阻元件24、第二接合线32从偏置端子Vbias(图中省略)向阴极端子施加正电压。符号128是旁路电容，通过该旁路电容将接合线132的一端高频接地。在图12中，L132、L133是接合线132、133的电感。C128是旁路电容128的电容值，C129是串联插入到输入信号路径中的隔直流用电容的电容值。由于可以从外部向光调制器元件121施加偏压，所以驱动用IC161只需提供高频信号作为驱动电压。这有利于驱动用IC的电源电压正电压化以及低电压化。
如果本实施例的光模块200采用Cmod：0.5pF，L31：0.29nH，L32+L132：0.75nH，R24：50Ω，则输入传送线路27和传送线路138(特性阻抗都为50Ω)在频率10GHz下的电气长度的总和为35度，同轴线路T39和传送线路139(特性阻抗为30Ω)在频率10GHz下的电气长度的总和为31.3度。
根据本实施例3，在光输出特性上可以得到与上述实施例1同样的效果。另外，通过采用CAN型的封装的框体可以实现进一步小型化和低成本化的光发送模块。另外，通过只变更中继基板37上的配线图形，可以改变由同轴线路T39和传送线路139构成的30Ω传送线路的电气长度。通过该方式，可以在使用相同的CAN型封装板框体的同时，分别实现与具有不同元件电容的多个光调制器元件对应的光发送模块。
另外，实施例3也是使光调制器元件的二极管极性倒过来的光模块的例子。通过该方式，即使是正电源也可以向光调制元件121施加反偏置。因此，可以实现只使用+3.3V等正电源动作的光发送模块。
在实施例3中，可以通过偏置端子Vbias从外部向光调制元件121施加偏压。但是，这些也可以省略。即，在图11中去掉偏压施加用接合线133，减少1个CAN型框体的导引框。此时，为了能够通过导引框39施加偏压，必须在驱动用IC搭载基板上增设偏压施加端子及扼流电路，但是，由于可以减少一个CAN型框体的导引框，所以有利于光发送模块的小型化。
根据本发明，可以使用于改善光调制器的输出波形的小信号通过特性(S21)的最优化和降低小信号反射系数(S11)，可以实现相对驱动用IC的输出阻抗不匹配而难以发生波形品质恶化的光发送模块构造的光发送模块。

Claims (15)

1.一种光模块，包括：把电信号传送到第二传输线路的第一传输线路；连接着上述第二传输线路，通过上述电信号来调制激光的光调制器元件；以及其一端连接着上述第二传输线路和上述光调制器元件的终端电阻元件，其特征在于，
上述终端电阻元件的电阻值大于或等于40Ω且小于或等于60Ω；
上述第二传输线路的特性阻抗大于或等于40Ω且小于或等于60Ω；
10GHz的上述第二传输线路的电气长度为大于或等于10度且小于或等于120度；
上述第一传输线路的特性阻抗大于或等于20Ω且小于或等于30Ω；
10GHz的上述第一传输线路的电气长度为大于或等于15度且小于或等于120度。
2.如权利要求1所述的光模块，其特征在于：
上述第一传输线路的特性阻抗比上述第二传输线路的特性阻抗低20Ω以上。
3.如权利要求1所述的光模块，其特征在于，
上述第一传输线路的电气长度和上述第二传输线路的电气长度合计为大于或等于25度且小于或等于120度。
4.如权利要求1所述的光模块，其特征在于，
上述第一传输线路由微波传输带线路构成。
5.如权利要求2所述的光模块，其特征在于，
上述第一传输线路由微波传输带线路构成。
6.如权利要求1所述的光模块，其特征在于，
还包括CAN型的封装的框体；
上述第一传输线路由上述框体形成的同轴线路构成。
7.如权利要求2所述的光模块，其特征在于，
还包括CAN型的封装的框体；
上述第一传输线路由上述框体形成的同轴线路构成。
8.如权利要求1所述的光模块，其特征在于，
还包括CAN型的封装的框体；
上述第一传输线路由上述框体形成的同轴线路和微波传输带线路构成。
9.如权利要求2所述的光模块，其特征在于，
还包括CAN型的封装的框体；
上述第一传输线路由上述框体形成的同轴线路和微波传输带线路构成。
10.如权利要求6所述的光模块，其特征在于，
分开设置对上述光调制器元件的偏压输入管脚和高频信号输入管脚。
11.如权利要求7所述的光模块，其特征在于，
分开设置对上述光调制器元件的偏压输入管脚和高频信号输入管脚。
12.如权利要求8所述的光模块，其特征在于，
分开设置对上述光调制器元件的偏压输入管脚和高频信号输入管脚。
13.如权利要求9所述的光模块，其特征在于，
分开设置对上述光调制器元件的偏压输入管脚和高频信号输入管脚。
14.如权利要求1所述的光模块，其特征在于，
上述第一传输线路的特性阻抗比上述第二传输线路的特性阻抗低20Ω以上，
7.5GHz的S11特性为小于或等于-15dB。
15.如权利要求14所述的光模块，其特征在于，
7.5GHz的上述S11特性为小于或等于-20dB。
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