JP6926562B2 - 光変調器モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、光変調器モジュールに関する。
昨今、光通信分野においても伝送レートの高速化に伴い、光信号の伝送速度は高速化されている。高速の光信号伝送を可能とする素子としては、電界吸収型の外部変調素子(以下、「EA(Electro-Absorption)変調器」という。)が有望視されている。EA変調器はDFB−LD(Distributed FeedBack Laser Diode)とともに集積され、集積型分布帰還型レーザダイオード(EML:Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laser diode)モジュールとして使用されている。EA変調器は、EMLのDFB−LDから供給されるCW(Continuous Wave)光に対して、光を吸収又は通過させることにより光の強度変調を行う素子である。
EA変調器は、光を吸収するための半導体構造を有しており、接合容量を有する。このため、EA変調器を駆動する駆動回路からEA変調器を見ると、EA変調器は容量性負荷となる。高速変調を実現するためには、低容量のEA変調器が必要になるが、10〜40Gbit/秒程度の伝送速度の場合、0.2〜0.5pF程度の接合容量を有する素子がEA変調器として使用されることがある。この容量により変調帯域が制限されたり、EA変調器からの電気信号の反射が生じたりすることがある。特許文献1〜4には、EA変調器と伝送線路との間、及びEA変調器と終端抵抗との間をそれぞれボンディングワイヤで接続することにより、ボンディングワイヤのインダクタンス成分でEA変調器の接合容量をキャンセルし、変調帯域及び電気信号の反射を改善することが記載されている。
特開2001−257412号公報 特開2001−308130号公報 特開2002−350792号公報 特開2015−125153号公報
しかしながら、光信号の伝送速度の高速化に伴い、電気信号の反射に対して更なる特性の向上が望まれている。本発明は、変調帯域を損なうことなく、電気信号の反射を低減可能な光変調器モジュールを提供する。
本発明の一側面に係る光変調器モジュールは、一端から他端に電気信号を伝送する伝送線路と、電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型の光変調器と、終端抵抗素子と、伝送線路、光変調器、及び終端抵抗素子を接続するコイル部と、を備える。コイル部は、伝送線路の他端と光変調器の一端との間に設けられた第1インダクタと、光変調器の一端と終端抵抗素子との間に設けられた第2インダクタと、を含む変成器を備える。第1インダクタの一端は、伝送線路の他端に電気的に接続され、第1インダクタの他端は、光変調器の一端に電気的に接続される。第2インダクタの一端は、光変調器の一端に電気的に接続され、第2インダクタの他端は、終端抵抗素子の一端に電気的に接続される。第1インダクタ及び第2インダクタは、第1インダクタの一端におけるコイル部の入力インピーダンスが終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように構成される。
本発明によれば、変調帯域を損なうことなく、電気信号の反射を低減できる。
図1は、一実施形態に係る光変調器モジュールを含む光送信器を模式的に示す構成図である。 図2は、図1の光変調器モジュールの構成例を示す図である。 図3は、図1のコイル部及びその周辺の等価回路を示す図である。 図4は、EA変調器に印加される電圧の帯域拡大係数及びQ値の結合係数依存性を示す図である。 図5は、EA変調器に印加される電圧の帯域拡大係数及びQ値のワイヤインダクタンス依存性を示す図である。 図6は、EA変調器に印加される電圧の周波数特性(変調周波数特性)を示す図である。 図7は、比較例の光変調器モジュールの概略構成を示す図である。 図8は、図1の光変調器モジュール及び図7の光変調器モジュールの変調周波数特性を示す図である。 図9は、図1の光変調器モジュール及び図7の光変調器モジュールのリターンロス特性を示す図である。 図10は、駆動回路のリターンロス特性を示す図である。 図11は、53Gbaud/秒の4値パルス振幅変調信号の例を示す図である。 図12の(a)〜(d)は、図7の光変調器モジュールにおける各電気長での変調周波数特性を示す図である。 図13の(a)〜(d)は、図7の光変調器モジュールにおける各電気長での4値パルス振幅変調信号のアイパターンを示す図である。 図14の(a)〜(d)は、図1の光変調器モジュールにおける各電気長での変調周波数特性を示す図である。 図15の(a)〜(d)は、図1の光変調器モジュールにおける各電気長での4値パルス振幅変調信号のアイパターンを示す図である。 比率を変えた場合の変調周波数特性を示す図である。 比率を変えた場合のリターンロス特性を示す図である。
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施形態の内容を列記して説明する。
本発明の一側面に係る光変調器モジュールは、一端から他端に電気信号を伝送する伝送線路と、電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型の光変調器と、終端抵抗素子と、伝送線路、光変調器、及び終端抵抗素子を接続するコイル部と、を備える。コイル部は、伝送線路の他端と光変調器の一端との間に設けられた第1インダクタと、光変調器の一端と終端抵抗素子との間に設けられた第2インダクタと、を含む変成器を備える。第1インダクタの一端は、伝送線路の他端に電気的に接続され、第1インダクタの他端は、光変調器の一端に電気的に接続される。第2インダクタの一端は、光変調器の一端に電気的に接続され、第2インダクタの他端は、終端抵抗素子の一端に電気的に接続される。第1インダクタ及び第2インダクタは、第1インダクタの一端におけるコイル部の入力インピーダンスが終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように構成される。
この光変調器モジュールでは、伝送線路の他端と光変調器の一端との間に第1インダクタが設けられ、光変調器の一端と終端抵抗素子との間に第2インダクタが設けられることにより、光変調器の接合容量をキャンセルしている。さらに、第1インダクタの一端における入力インピーダンスが終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように、第1インダクタ及び第2インダクタが構成される。このため、電気信号の周波数による入力インピーダンスの変動が抑制される。例えば、伝送線路の特性インピーダンスを終端抵抗素子のインピーダンスと一致させることにより、電気信号の反射をさらに低減することが可能となる。一方で、特許文献1〜4に記載の技術と同様に、変調周波数特性は2次の伝達特性になることから、適切なピーキングにより変調帯域を拡大することができる。その結果、特許文献1〜4に記載の技術と比較して、変調帯域を損なうことなく、電気信号の反射をさらに低減することが可能となる。
上記光変調器モジュールは、第1インダクタの一端と第2インダクタの他端との間に、結合容量を更に備えてもよい。第1インダクタの一端と第2インダクタの他端とは、結合容量を介して互いに電気的に接続されていてもよい。コイル部の入力インピーダンスが終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように、結合容量の容量値、並びに第1インダクタのインダクタンス及び第2インダクタのインダクタンスが設定されてもよい。第1インダクタの一端と第2インダクタの他端との間に生じる結合容量の容量値、第1インダクタのインダクタンス、及び第2インダクタのインダクタンスは、入力インピーダンスに影響を与える。このため、第1インダクタの一端と第2インダクタの他端との間に生じる結合容量の容量値、並びに第1インダクタのインダクタンス及び第2インダクタのインダクタンスにより、第1インダクタの一端における入力インピーダンスを制御することができる。
上記光変調器モジュールは、光変調器の一端と第1インダクタの他端及び第2インダクタの一端とを電気的に接続するワイヤを更に備えてもよい。第1インダクタの他端及び第2インダクタの一端は、ワイヤを介して、光変調器の一端に電気的に接続されてもよい。この場合、ワイヤを用いることにより、光変調器モジュールの製造を容易化することができる。
第1インダクタ及び第2インダクタの結合係数は、ワイヤのインダクタンスに応じて設定されてもよい。変調帯域は、光変調器の接合容量、ワイヤのインダクタンス、及び第1インダクタと第2インダクタとの結合係数に基づいて定まる。このため、ワイヤのインダクタンスに応じて、変調帯域が大きくなるように結合係数が設定され得る。
第1インダクタ及び第2インダクタは差動スパイラルインダクタであってもよい。この場合、小さな面積で第1インダクタと第2インダクタとの結合係数を大きくすることができる。
伝送線路は、伝送線路の特性インピーダンスが終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように構成されてもよい。この場合、電気信号の反射をさらに低減することが可能となる。
[本願発明の実施形態の詳細]
本発明の実施形態に係る光変調器モジュールの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図1は、一実施形態に係る光変調器モジュールを含む光送信器を模式的に示す構成図である。図1に示される光送信器1は、駆動回路2と、コンデンサ3と、インダクタ4と、電流源5と、光変調器モジュール10と、伝送線路TL1と、伝送線路TL2と、を備える。
駆動回路2は、後述のEA変調器22(光変調器)を駆動する回路である。駆動回路2は、例えば、集積回路(IC:Integrated Circuit)で構成されている。駆動回路2は、電気信号である変調信号を出力する。伝送線路TL1は、駆動回路2から出力された変調信号を光変調器モジュール10に向けて伝送する。伝送線路TL1は、所定の特性インピーダンスを持つように形成される。コンデンサ3は、駆動回路2と光変調器モジュール10との間に設けられ、変調信号のDC(Direct Current)成分を除去するためのコンデンサである。コンデンサ3により、駆動回路2と光変調器モジュール10とは、AC(Alternating Current)結合される。伝送線路TL2は、駆動回路2から出力された変調信号を光変調器モジュール10に伝送する。伝送線路TL2は、所定の特性インピーダンスを持つように形成される。より詳細には、コンデンサ3によってDC成分が除去される前の変調信号が伝送線路TL1を介して駆動回路2からコンデンサ3まで伝送され、コンデンサ3によってDC成分が除去され、後述のインダクタ4によってバイアスされた変調信号が伝送線路TL2を介してコンデンサ3から光変調器モジュール10まで伝送される。
インダクタ4は、バイアス供給用のインダクタである。インダクタ4の一端は、不図示の電源電圧に接続され、インダクタ4の他端は、伝送線路TL2を介して光変調器モジュール10の入力に接続されている。インダクタ4は、バイアス電圧Vbiasを変調信号に供給する。電流源5は、所定のバイアス電流ILDを光変調器モジュール10に供給する。電流源5の一端は不図示の電源電圧に接続され、電流源5の他端はボンディングワイヤ16の一端に接続される。このように、変調信号は駆動回路2から出力され、伝送線路TL1によって伝送され、インダクタ4から供給されているバイアス電圧Vbiasに重畳されて、伝送線路TL2によって伝送されて光変調器モジュール10に入力される。伝送線路TL1と伝送線路TL2はガラスエポキシ基板等のプリント基板上に形成されてもよい。
光変調器モジュール10は、駆動回路2から出力された変調信号に基づいて、CW光を変調し、変調したCW光を光信号として出力する。図2を更に参照して光変調器モジュール10の説明を行う。図2は、図1の光変調器モジュールの構成例を示す図である。図1及び図2に示されるように、光変調器モジュール10は、伝送線路11と、EML(Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laser diode)12と、終端抵抗素子13と、コイル部14と、ボンディングワイヤ15(ワイヤ)と、を備える。光変調器モジュール10の各要素は、例えば、キャリア50上に形成される。キャリア50は、多層基板である。キャリア50は、例えば、後述するDFB−LD(Distributed FeedBack Laser Diode)21の放熱性と伝送線路11の誘電体損とを考慮し、窒化アルミ基板であってもよい。
伝送線路11は、伝送線路11の一端から他端に変調信号を伝送する。伝送線路11の一端は、上述したように、伝送線路TL2、コンデンサ3、及び伝送線路TL1を介して駆動回路2の出力に接続されている。伝送線路11の他端は、コイル部14に接続されている。伝送線路11の特性インピーダンスは、終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しく設定され、例えば、45〜55Ωである。図2に示される例では、伝送線路11は、信号電極11aと、接地電極11bと、を含むマイクロストリップラインとして構成されている。信号電極11aは、一方向に直線状に延びている。接地電極11bは、接地電位に接続されている。接地電極11bは、信号電極11aに沿って、信号電極11aから所定の距離だけ離れて設けられている(信号電極11aと接地電極11bとの間のスペースは一定の幅を持っている)。
EML12は、集積型分布帰還型レーザダイオードモジュールである。EML12は、DFB−LD21と、EA(Electro-Absorption)変調器22と、を備える。DFB−LD21及びEA変調器22は、単一のキャリア50上にモノリシックに集積される。
DFB−LD21は、分布帰還型レーザダイオードである。DFB−LD21は、CW光をEA変調器22に供給する。DFB−LD21は、アノード電極21aと、導波路21bと、カソード電極21cと、を備える。カソード電極21cは、キャリア50の裏面の接地電位(レファレンス電位)に接続されている。DFB−LD21のアノード電極21aには、ボンディングワイヤ16の他端が接続されている。DFB−LD21は、電流源5からバイアス電流ILDを受けて順方向にバイアスされて、発振する。これにより、DFB−LD21はCW光を生じ、導波路21bを介してCW光をEA変調器22に供給する。
EA変調器22は、電界吸収型の光変調器である。EA変調器22は、変調信号に応じてDFB−LD21から出力されるCW光を変調する。EA変調器22は、光を吸収するための半導体構造を有しており、容量値CEAの接合容量を有する。EA変調器22は、アノード電極22aと、導波路22bと、カソード電極22cと、を備える。カソード電極22cは、キャリア50の裏面の接地電位(レファレンス電位)に接続されている。EA変調器22のアノード電極22aには、ボンディングワイヤ15の他端が接続されている。EA変調器22の導波路22bは、DFB−LD21の導波路21bと連接しており、DFB−LD21からのCW光を導波している。アノード電極22aには、負電圧のバイアス電圧Vbiasが印加され、EA変調器22は逆方向にバイアスされる。すなわち、アノード電極22aは、カソード電極22cよりも低い電位となっている。アノード電極22aには、さらに変調信号が印加される。これにより、EA変調器22は、変調信号に応じてCW光を透過又は吸収することによって、CW光を変調し、光信号を生成する。EA変調器22は、光信号を不図示のファイバケーブルに出力する。
終端抵抗素子13は、変調信号を終端する抵抗素子である。終端抵抗素子13のインピーダンス(抵抗値)Rは、伝送線路11の特性インピーダンスと同じ値に設定され、例えば、45〜55Ωである。終端抵抗素子13の一端はコイル部14に接続されている。終端抵抗素子13の他端は接地電極11bと同じ接地電位に接続されている。
コイル部14は、伝送線路11、EA変調器22、及び終端抵抗素子13を接続する回路部である。伝送線路11から出力された変調信号の信号電圧Vin(s)は、コイル部14を介して、EA変調器22及び終端抵抗素子13に接続される。コイル部14は、変成器(トランス)40を備える。変成器40は、インダクタ41(第1インダクタ)と、インダクタ42(第2インダクタ)と、を備える。
インダクタ41は、伝送線路11の他端とEA変調器22のアノード電極22aとの間に設けられる。つまり、インダクタ41の一端は、伝送線路11の他端に電気的に接続され、インダクタ41の他端は、EA変調器22のアノード電極22aに電気的に接続されている。インダクタ42は、EA変調器22のアノード電極22aと終端抵抗素子13の一端との間に設けられる。つまり、インダクタ42の一端は、EA変調器22のアノード電極22aに電気的に接続され、インダクタ42の他端は、終端抵抗素子13の一端に電気的に接続されている。
具体的には、インダクタ41の他端とインダクタ42の一端とは互いに接続されており、ボンディングワイヤ15を介してEA変調器22のアノード電極22aに接続されている。つまり、ボンディングワイヤ15は、EA変調器22のアノード電極22aとインダクタ41の他端及びインダクタ42の一端とを接続する。なお、ボンディングワイヤ15はインダクタンスLEAを有している。インダクタ41の一端とインダクタ42の他端との間には、寄生容量43が生じている。インダクタ41の一端とインダクタ42の他端とは、寄生容量43を介して互いに接続されている。つまり、インダクタ41の一端とインダクタ42の他端とは、AC結合されている。寄生容量43は、容量値Cを有している。インダクタ41とインダクタ42とは、変成器40を構成し、互いに結合係数kで磁界結合している。
図2に示される例では、インダクタ41及びインダクタ42は、差動スパイラルインダクタである。伝送線路11の信号電極11aが光変調器モジュール10の入力端から終端抵抗素子13まで延びている。信号電極11aには、ギャップGpが形成されており、ギャップGpを挟んで信号電極11aの2つの端部が対向している。これらの2つの端部のうち、光変調器モジュール10の入力側の端部にインダクタ41の一端が接続され、終端抵抗素子13側の端部にインダクタ42の他端が接続されている。このギャップGpによって寄生容量43が形成される。一般的に、寄生容量と呼ばれるものは、値が無視できるほど小さいか、あるいは無いことが好ましいとされるが、寄生容量43は、後述するように意図して形成され利用される(以下、寄生容量を結合容量ということもある)。
インダクタ41とインダクタ42との間には、タップ44が設けられている。ボンディングワイヤ15の一端は、タップ44に接続され、ボンディングワイヤ15の他端は、EA変調器22のアノード電極22aに接続されている。インダクタ41及びインダクタ42は、ボンディングワイヤ15に重なる直線を軸としてほぼ対称な形状となっている。インダクタ41及びインダクタ42は、インダクタ41の一端におけるコイル部14の入力インピーダンスZin(s)が終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しくなるように構成される。
次に、終端抵抗素子13、コイル部14、及びEA変調器22の等価回路について説明する。図3は、図1のコイル部及びその周辺の等価回路を示す図である。インダクタ41とインダクタ42とは、結合係数kで結合しているので、インダクタ41とインダクタ42との相互インダクタンスMは、インダクタ41の自己インダクタンスLin(インダクタンス)及びインダクタ42の自己インダクタンスLout(インダクタンス)を用いて以下の式(1)で表される。
Figure 0006926562
図3に示されるように、EA変調器22の接合容量(容量値CEA)に対して直列に負の相互インダクタンスMが接続される。つまり、タップ44からEA変調器22側にインダクタンス−Mが等価的に生じる。したがって、タップ44からEA変調器22側のインダクタンスは、ボンディングワイヤ15のインダクタンスLEAと合わせて、−M+LEAとなる。また、変調信号の入力側のインダクタンスには、相互インダクタンスMが加算されるので、変調信号の入力側のインダクタンスは、Lin+Mとなる、同様に、終端抵抗素子13側のインダクタンスには、相互インダクタンスMが加算されるので、終端抵抗素子13側のインダクタンスは、Lout+Mとなる。ここで、説明を簡単化するために、Lin=Lout=Lとし、図3に示されるΔ回路をΔ−Y変換することにより、入力インピーダンスZin(s)は、複素周波数s平面の伝達関数として以下の式(2)で表される。
Figure 0006926562
入力インピーダンスZin(s)の分子及び分母は、ともに複素周波数sの多項式で表されている。また、入力インピーダンスZin(s)の分子及び分母において、複素周波数sの0次の項、2次の項、及び4次の項は互いに等しい。入力インピーダンスZin(s)は、インピーダンスRと等しいので、入力インピーダンスZin(s)の分子の1次の項と分母の1次の項とは、互いに等しい。このため、インダクタンスLは、以下の式(3)で表される。
Figure 0006926562
同様に、入力インピーダンスZin(s)の分子の3次の項と分母の3次の項とは、互いに等しい。このため、式(3)を代入することにより、寄生容量43(結合容量)の容量値Cは、以下の式(4)で表される。
Figure 0006926562
つまり、インダクタンスLが式(3)の関係を満たし、容量値Cが式(4)の関係を満たす場合、式(2)の右辺の分子及び分母は一致する。このため、入力インピーダンスZin(s)はインピーダンスRとなり、複素周波数sに依存しない固定値となる。言い換えると、寄生容量43(結合容量)の容量値C、並びにインダクタ41の自己インダクタンスLin及びインダクタ42の自己インダクタンスLoutは、入力インピーダンスZin(s)が終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しくなるように設定される。伝送線路11の特性インピーダンスは、インピーダンスRと等しいので、無反射の光変調器モジュール10が得られる。
このとき、EA変調器22(アノード電極22a)に印加される信号電圧VEA(s)を図3に示される等価回路を用いて算出すると、信号電圧VEA(s)は、伝送線路11から出力される変調信号の信号電圧Vin(s)を用いて以下の式(5)で表される。
Figure 0006926562
ωとQとを用いて、式(5)を2次応答の一般式に置き換えると、以下の式(6)が得られる。
Figure 0006926562
ここで、ω及びQは、それぞれ以下の式(7)、及び式(8)で表される。
Figure 0006926562

Figure 0006926562
ここで、ω及びQは、それぞれ以下の式(9)、及び式(10)で表される。
Figure 0006926562

Figure 0006926562
式(6)を用いて、信号電圧VEA(s)の絶対値が1/√2となるωを3dB帯域f3dB(=ω/2π)として求めると、3dB帯域f3dBは、以下の式(11)で表される。
Figure 0006926562
図4は、EA変調器に印加される電圧の帯域拡大係数及びQ値(Q)の結合係数依存性を示す図である。図4の縦軸は帯域拡大係数及びQ値を示し、横軸は結合係数kを示している。帯域拡大係数は、3dB帯域f3dBの1/(πREA)に対する比率である。なお、自己インダクタンスLin及び自己インダクタンスLoutが0である場合、変調特性は、インピーダンスR/2と接合容量の容量値CEAとの時定数で決まる本質的な応答となるので、1次応答の3dB帯域f3dBは1/(πREA)で計算される。ここで、接合容量の容量値CEA=0.3pF、インピーダンスR=50Ω、インダクタンスLEA=50pHとし、式(3)で求められたインダクタンスLと、式(4)で求められた容量値Cと、を用いて帯域拡大係数及びQ値を計算した。
図4に示されるように、帯域拡大係数は、結合係数kが0.6程度で最大となる。インダクタンスLEAが相互インダクタンスMによって相殺されるので、インダクタンスLEAが大きいほど、帯域拡大係数が最大となる結合係数kは、1に近づく。つまり、結合係数kは、ボンディングワイヤ15のインダクタンスLEAに応じて設定される。また、式(8)及び式(10)から、Q値は、結合係数kが小さいほど大きくなる。
図5は、EA変調器に印加される電圧の帯域拡大係数及びQ値(Q)のワイヤインダクタンス(インダクタンスLEA)依存性を示す図である。図6は、EA変調器に印加される電圧の周波数特性を示す図である。図5の縦軸は帯域拡大係数及びQ値を示し、横軸はインダクタンスLEA(pH)を示している。図6の縦軸はVEA(s)/Vin(s)(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示している。ここで、接合容量の容量値CEA=0.3pF、インピーダンスR=50Ω、結合係数k=0.66とし、式(3)で求められたインダクタンスLと、式(4)で求められた容量値Cと、を用いて帯域拡大係数及びQ値を計算した。同様に、式(5)を用いて、信号電圧VEA(s)を計算した。図5及び図6に示されるように、インダクタンスLEAが60pHよりも大きくなるにつれ、帯域拡大係数が小さくなり、Q値が大きくなっている。特に、インダクタンスLEAが30〜110pHの範囲において、1.35倍以上の帯域拡大係数が得られる。
次に、比較例の光変調器モジュールと比較しながら、光変調器モジュール10の作用効果を説明する。図7は、比較例の光変調器モジュールの概略構成を示す図である。図7に示されるように、光変調器モジュール100は、コイル部14に代えてコイル部140を備える点において、光変調器モジュール10と相違する。コイル部140は、コイル部14と比較して、インダクタ41に代えてボンディングワイヤ141を備え、インダクタ42に代えてボンディングワイヤ142を備える点で相違する。ボンディングワイヤ141のインダクタンスは、インダクタ41の自己インダクタンスLinと等しい。ボンディングワイヤ142のインダクタンスは、インダクタ42の自己インダクタンスLoutと等しい。ボンディングワイヤ141及びボンディングワイヤ142は、磁気的に結合されておらず(あるいは、磁気的な結合がそれぞれの自己インダクタンスと比べて無視できるほど小さい)、ボンディングワイヤ141とボンディングワイヤ142との間に寄生容量(結合容量)は生じていない。
伝送線路11、及び駆動回路2は、終端抵抗素子13に対して完全にインピーダンス整合されており、伝送線路11及び駆動回路2は無損失であり、インダクタ4の帯域は仮想的に無限大であると仮定する。この場合、光変調器モジュール100において、EA変調器22(アノード電極22a)に印加される信号電圧VEA(s)は、信号電圧Vin(s)を用いて、以下の式(12)で表される。
Figure 0006926562
図8は、図1の光変調器モジュール及び図7の光変調器モジュールの変調周波数特性を示す図である。図8の縦軸はVEA(s)/Vin(s)(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示している。接合容量の容量値CEA=0.3pF、インピーダンスR=50Ω、インダクタンスLEA=50pH、結合係数k=0.66とし、式(3)で求められたインダクタンスL(=Lin=Lout)と、式(4)で求められた容量値Cと、を用いて、式(5)及び式(12)から、光変調器モジュール10,100におけるVEA(s)/Vin(s)をそれぞれ計算した。
図8に示されるように、3dB帯域f3dBは、光変調器モジュール10と光変調器モジュール100とに差はなく、30GHz程度であることがわかる。EA変調器22の本質的な応答における3dB帯域f3dBは1/(πREA)によって計算されるので、上記条件では21.2GHzとなる。光変調器モジュール10及び光変調器モジュール100では、それぞれ、式(6)及び式(12)に示されるように、変調特性が2次の伝達関数で表されるので、EA変調器22の本質的な応答に対して、1.41倍の変調帯域が得られることがわかる。
図9は、図1の光変調器モジュール及び図7の光変調器モジュールのリターンロス特性(電気反射特性)を示す図である。図9の縦軸はリターンロスS11(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示している。ここでリターンロス|S11|は、以下の式(13)で表される。
Figure 0006926562
図9に示されるように、光変調器モジュール100では、接合容量の容量値CEAがボンディングワイヤ141のインダクタンスとボンディングワイヤ142のインダクタンスによってキャンセルされるので、コイル部140を備えない場合と比較して、リターンロス特性は一定程度改善されている。しかし、光変調器モジュール100のリターンロスは、11GHz以上で−10dBを超えている。現在、IEEE(Institute of Electrical and Electronic Engineers)で検討されている400G光伝送システムでは、53Gbaud/秒の信号が検討されている。その基本周波数である26.5GHzでは、光変調器モジュール100のリターンロスは−3dBであり、約半分の電力が返ってくることになる。
一方、光変調器モジュール10では、インダクタ41及びインダクタ42は、インダクタ41の一端におけるコイル部14の入力インピーダンスZin(s)が終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しくなるように構成される。このため、光変調器モジュール10では、インピーダンスが完全に整合しており、計算上では反射は0(無反射)となるので、リターンロスは理想的にはマイナス無限大である(小さいので図9には表示されていない)。言い換えると、理想的には、光変調器モジュール10から電気信号の反射はほとんど発生しない。実際には、ボンディングワイヤ15の長さのばらつき、並びにインダクタ41及びインダクタ42の非対称性等によって、光変調器モジュール10で反射は生じ得るが、リターンロス特性を大幅に改善することができる。
図10は、駆動回路のリターンロス特性(反射特性)を示す図である。図11は、53Gbaud/秒の4値パルス振幅変調(PAM4:4-level Pulse-Amplitude Modulation)信号の例を示す図である。図12の(a)〜(d)は、図7の光変調器モジュールにおける各電気長EL=0,0.5,1.0,3.0でのそれぞれの変調周波数特性を示す図である。図13の(a)〜(d)は、図7の光変調器モジュールにおける各電気長での4値パルス振幅変調信号のアイパターンを示す図である。図14の(a)〜(d)は、図1の光変調器モジュールにおける各電気長EL=0,0.5,1.0,3.0でのそれぞれの変調周波数特性を示す図である。図15の(a)〜(d)は、図1の光変調器モジュールにおける各電気長での4値パルス振幅変調信号のアイパターンを示す図である。図10の縦軸はリターンロスS11(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示している。図11、図13の(a)〜(d)、及び図15の(a)〜(d)の縦軸は電圧(mV)を示し、横軸は時間(ps)を示している。図12の(a)〜(d)、及び図14の(a)〜(d)の縦軸はVEA(s)/Vin(s)(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示している。
なお、アイパターンの計算には、53Gbaud/sの電気信号(変調信号)が用いられた。ここで、電気長ELは、実際の実装形態における電気長に近い0,0.5,1.0,3.0とした。電気長EL=0,0.5の場合は、光変調器モジュール10,100の内部に駆動回路2を搭載する構成(例えば、伝送線路TL1と伝送線路TL2とは存在しないか、それぞれの電気長が無視できるほど短い)を想定し、電気長EL=3.0の場合は、光変調器モジュール10,100の外部に駆動回路2が設けられる構成(例えば、伝送線路TL1と伝送線路TL2とにより電気長が相対的に長くなる場合)を想定している。0,0.5,1.0,3.0の電気長ELは、26.5GHzにおけるFR−4のガラスエポキシ基板上にマイクロストリップラインとして伝送線路11と伝送線路TL1と伝送線路TL2とが形成された際の3つの伝送線路全体の実際の長さをガラスエポキシ基板相当に換算すると、長さPL=0mm,2.6mm,5.3mm,16mmに相当する。また、光変調器モジュール10では、自己インダクタンスLinは、自己インダクタンスLoutと同じとした。
図10に示される駆動回路2のリターンロス特性は、駆動回路2の出力に100pH又は200pHのインダクタンスを有するインダクタが設けられていることを想定して、計算されている。53Gbaud/秒の信号の基本周波数である26.5GHzでは、200pHのインダクタが設けられている場合には、リターンロスは−10dBであり、100pHのインダクタが設けられている場合には、リターンロスは−15.7dBである。
駆動回路2のリターンロス特性により、光変調器モジュール100では、駆動回路2とEA変調器22との間に設けられた伝送線路11の電気長ELに応じて伝送線路11上に多重反射が生じ、この多重反射によって変調周波数特性及びEA変調器22のアノード電極22a上の信号波形が乱れている。具体的には、図12の(a)〜(d)に示されるように、光変調器モジュール100では、伝送線路11の電気長ELに応じて変調周波数特性が乱れている。電気長EL=0であっても、駆動回路2の出力に設けられた200pHのインダクタの影響を受けて複数のピークとボトムとを持つような周波数特性となる。電気長ELが長くなるほど、ピークとボトムとの間隔は狭まり、それぞれの数が増える。さらに、伝送線路11の電気長ELが長くなるに従い、高周波側から低周波側に向けて多重反射による変調周波数特性のうねりが拡大する。
図13の(a)〜(d)に示されるアイパターンは、図11に示される53Gbaud/秒のPAM4信号を駆動回路2から光変調器モジュール100に入力した場合におけるEA変調器22のアノード電極22a上のPAM4信号のアイパターンである。図13の(a)〜(d)に示されるように、光変調器モジュール100では、EA変調器22のアノード電極22a上のPAM4信号は反射の影響を受け、アイ開口が良くなったり、悪くなったりする。
一方、図14の(a)〜(d)に示されるように、光変調器モジュール10では、光変調器モジュール10からの反射がないため、多重反射が発生しない。そのため、光変調器モジュール10の変調周波数特性は、駆動回路2(信号源)側の影響をほとんど受けない。このため、伝送線路11の電気長ELによって、光変調器モジュール10の変調周波数特性の変動が抑制される。
図15の(a)〜(d)に示されるアイパターンは、図11に示される53Gbaud/秒のPAM4信号を駆動回路2から光変調器モジュール10に入力した場合におけるEA変調器22のアノード電極22a上のPAM4信号のアイパターンである。図15の(a)〜(d)に示されるように、理想状態に近い光変調器モジュール10では、EA変調器22のアノード電極22a上のPAM4信号は反射の影響を受けないので、アイ開口が良くなったり悪くなったりすることはなく、安定したアイパターンが得られる。
光通信分野において、大容量伝送を可能にするために、従来NRZ(Non Return to Zero)変調方式で変調されていた信号が多値信号に置き換えられている。56GBaud/秒で4値多値信号を伝送すると、1波長あたりの伝送速度が112Gbit/秒となり、4波長で400Gの伝送容量を確保できることから、56GBaud/秒での多値信号伝送への期待が高まっている。56GBaud/秒での多値信号伝送の場合、高速化と同時に、シンボル間の距離がNRZ変調方式の1/3となることから、従来にも増して電気信号の反射に対して改善を図る必要がある。このため、光変調器モジュール10では、伝送線路11の他端とEA変調器22のアノード電極22aとの間にインダクタ41が設けられ、EA変調器22のアノード電極22aと終端抵抗素子13との間にインダクタ42が設けられることにより、EA変調器22の接合容量をキャンセルしている。さらに、インダクタ41の一端におけるコイル部14の入力インピーダンスZin(s)が終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しくなるように、インダクタ41及びインダクタ42が構成される。
寄生容量43(結合容量)の容量値C、インダクタ41の自己インダクタンスLin、及びインダクタ42の自己インダクタンスLoutは、入力インピーダンスZin(s)に影響を与える。このため、容量値C、自己インダクタンスLin、及び自己インダクタンスLoutにより、入力インピーダンスZin(s)を制御することができる。つまり、容量値C、自己インダクタンスLin、及び自己インダクタンスLoutは、入力インピーダンスZin(s)が終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しくなるように設定される。これにより、電気信号(変調信号)の周波数による入力インピーダンスZin(s)の変動が抑制される。また、伝送線路11の特性インピーダンスは、終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しいので、電気信号の反射をさらに低減することが可能となる。その結果、変調帯域を損なうことなく、電気信号の反射をさらに低減することが可能となる。
インダクタ41の他端及びインダクタ42の一端は、ボンディングワイヤ15を介して、EA変調器22のアノード電極22aに接続されている。ボンディングワイヤ15を用いることにより、光変調器モジュール10の製造を容易化することができる。
インダクタ41及びインダクタ42の結合係数kは、ボンディングワイヤ15のインダクタンスLEAに応じて設定される。変調帯域は、EA変調器22の接合容量の容量値CEA、ボンディングワイヤ15のインダクタンスLEA、及びインダクタ41とインダクタ42との結合係数kに基づいて定まる。このため、ボンディングワイヤ15のインダクタンスLEAに応じて、変調帯域が大きくなるように結合係数kが設定される。
なお、本発明に係る光変調器モジュールは上記実施形態に限定されない。例えば、インダクタ41及びインダクタ42は、インダクタ41の一端におけるコイル部14の入力インピーダンスZin(s)が終端抵抗素子13のインピーダンスRと等しくなるように構成されていればよく、差動スパイラルインダクタでなくてもよい。
また、インダクタ41の他端は、EA変調器22のアノード電極22aに直接接続されてもよい。同様に、インダクタ42の一端は、EA変調器22のアノード電極22aに直接接続されてもよい。この場合、ボンディングワイヤ15を省略することができる。このような構成では、上述の式(2)、式(4)〜式(8)、及び式(11)において、インダクタンスLEAを0とすることによって、光変調器モジュール10と同様に説明され得る。
また、上記実施形態では、インダクタ41の自己インダクタンスLinとインダクタ42の自己インダクタンスLoutとはインダクタンスLと同じであるとして説明したが、異なっていてもよい。自己インダクタンスLinと自己インダクタンスLoutとの比率KKを用いて、自己インダクタンスLin及び自己インダクタンスLoutは、それぞれ以下の式(14)、及び式(15)で表され得る。例えば、比率KKが0.1である場合、自己インダクタンスLinはインダクタンスLよりも10%増加し、自己インダクタンスLoutはインダクタンスLよりも10%減少する。
Figure 0006926562

Figure 0006926562
図16は、比率を変えた場合の変調周波数特性を示す図である。図17は、比率を変えた場合のリターンロス特性を示す図である。図16の縦軸はVEA(s)/Vin(s)(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示す。図17の縦軸はリターンロスS11(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示す。図16に示されるように、比率KK=0.1である場合、3dB帯域f3dBは28GHzであり、比率KK=0.2である場合、3dB帯域f3dBは24.2GHzである。図17に示されるように、比率KK=0.1である場合、最も悪いリターンロスは−16dBであり、比率KK=0.2である場合、最も悪いリターンロスは−10dBであり、図7の比較例のリターンロスよりも改善されている。53Gbaud/秒の電気信号については、3dB帯域f3dBを考慮して、比率KKは0.1以下であればよい。
10…光変調器モジュール、11,TL1,TL2…伝送線路、12…EML、13…終端抵抗素子、14…コイル部、15…ボンディングワイヤ(ワイヤ)、22…EA変調器、22a…アノード電極、40…変成器、41…インダクタ(第1インダクタ)、42…インダクタ(第2インダクタ)、43…寄生容量(結合容量)、C…容量値、CEA…容量値、LEA…インダクタンス、Lin…自己インダクタンス(インダクタンス)、Lout…自己インダクタンス(インダクタンス)、R…インピーダンス、Zin(s)…入力インピーダンス。

Claims (5)

  1. 一端から他端に電気信号を伝送する伝送線路と、
    前記電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型の光変調器と、
    終端抵抗素子と、
    前記伝送線路、前記光変調器、及び前記終端抵抗素子を接続するコイル部と、
    結合容量と、
    を備え、
    前記コイル部は、前記伝送線路の他端と前記光変調器の一端との間に設けられた第1インダクタと、前記光変調器の一端と前記終端抵抗素子との間に設けられた第2インダクタと、を含む変成器を備え、
    前記第1インダクタの一端は、前記伝送線路の他端に電気的に接続され、
    前記第1インダクタの他端は、前記光変調器の一端に電気的に接続され、
    前記第2インダクタの一端は、前記光変調器の一端に電気的に接続され、
    前記第2インダクタの他端は、前記終端抵抗素子の一端に電気的に接続され、
    前記第1インダクタの一端と前記第2インダクタの他端とは、前記結合容量を介して互いに電気的に接続され、
    前記結合容量の容量値、並びに前記第1インダクタのインダクタンス及び前記第2インダクタのインダクタンスは、前記第1インダクタの一端における前記コイル部の入力インピーダンスが前記終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように設定されている、光変調器モジュール。
  2. 前記光変調器の一端と前記第1インダクタの他端及び前記第2インダクタの一端とを電気的に接続するワイヤを更に備え、
    前記第1インダクタの他端及び前記第2インダクタの一端は、前記ワイヤを介して、前記光変調器の一端に電気的に接続される、請求項に記載の光変調器モジュール。
  3. 前記第1インダクタ及び前記第2インダクタの結合係数は、前記ワイヤのインダクタンスに応じて設定される、請求項に記載の光変調器モジュール。
  4. 前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは差動スパイラルインダクタである、請求項1〜請求項のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
  5. 前記伝送線路は、前記伝送線路の特性インピーダンスが前記終端抵抗素子のインピーダンスと等しくなるように構成される、請求項1〜請求項のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
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