JP7073121B2

JP7073121B2 - 光送信サブアセンブリ及び光モジュール

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Publication number: JP7073121B2
Application number: JP2018014581A
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Inventors: 光一朗足立; 康信松岡
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Description

本発明は、光送信サブアセンブリ及び光モジュールに関する。

光通信用の光源として、分布帰還型（Distributed Feedback: DFB）レーザと電界吸収型（Electro Absorption: EA）変調器が同一の半導体基板に集積されたＥＡ変調器集積型ＤＦＢレーザが知られている（特許文献１及び２）。ＥＡ変調器集積型ＤＦＢレーザは、導電性の半導体基板に、レーザ部及び変調部に共通の電極（例えばカソード）を有する。レーザ部は、直流電圧が印加されて直流電流によって連続光（ＣＷ光）を発することが望ましい。変調部は、光の吸収率が変化するように高周波電圧が印加され、ＣＷ光を変調して高周波の光信号を生成する。

特開平０７－０７４４２０号公報特開２０１２－１５１２４４号公報

変調部に印加した電圧の高周波成分は、直流電圧を印加するレーザ部に廻り込むので、その特性に影響を与える。近年、変調部を差動駆動にて動作させて、高周波電圧の振幅を小さくすることが検討されている。差動駆動では、変調部と共通になっているレーザ部の電極（例えばカソード）の電位も変動するため、レーザ部の出力への影響がさらに大きく、光特性の劣化を招くおそれがある。

本発明は、変調部に印加する電圧の高周波成分がレーザ部に与える影響を抑えることを目的とする。

（１）本発明に係る光送信サブアセンブリは、光を発するためのレーザ部及び前記光を電界吸収効果によって変調するための変調部が同一導電型の半導体基板に集積された変調器集積型レーザと、並列接続されたインダクタンス及びキャパシタンスを有し、自己共振周波数で最も高いインピーダンスを示す自己共振特性を有するインピーダンス素子と、を有し、前記レーザ部は、直流電圧を印加するための第１電極及び第２電極を有し、前記変調部は、交流電圧を印加するための第３電極及び第４電極を有し、前記第２電極と前記第４電極は、前記半導体基板を介して電気的に接続され、前記インピーダンス素子は、前記第１電極に直列接続して、交流電流の流れを抑えることを特徴とする。

本発明によれば、特に、変調部に印加する電圧に含まれる、インピーダンス素子の自己共振周波数での高周波成分がレーザ部に与える影響を抑えることができる。

（２）（１）に記載の光送信サブアセンブリであって、前記レーザ部は、緩和振動周波数で最も高い発光強度を示す特性を有し、前記自己共振周波数及び前記緩和振動周波数の差は、前記自己共振周波数の１０％以内であることを特徴としてもよい。

（３）（１）又は（２）に記載の光送信サブアセンブリであって、差動伝送路を構成するための一対の配線をさらに有し、前記第３電極及び前記第４電極は、それぞれ、前記一対の配線に接続されていることを特徴としてもよい。

（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、前記レーザ部に並列接続されたバイパスコンデンサをさらに有することを特徴としてもよい。

（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、前記インピーダンス素子は、前記インダクタンス及び前記キャパシタンスのそれぞれに並列接続された第１レジスタンス及び前記インダクタンスに直列接続された第２レジスタンスを有することを特徴としてもよい。

（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、前記インピーダンス素子は、複数の部品からなることを特徴としてもよい。

（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、サブマウントをさらに有し、前記変調器集積型レーザ及び前記インピーダンス素子は、前記サブマウントに搭載されていることを特徴としてもよい。

（８）本発明に係る光モジュールは、（１）から（７）のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリと、光受信サブアセンブリと、を有することを特徴とする。

（９）本発明に係る光モジュールは、（１）から（６）のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリと、プリント基板と、光受信サブアセンブリと、を有し、前記インピーダンス素子の少なくとも一部は、前記プリント基板に搭載されていることを特徴とする。

（１０）（９）に記載の光モジュールであって、前記プリント基板に接続するフレキシブル基板をさらに有し、前記フレキシブル基板は、前記変調器集積型レーザに電気的に接続することを特徴としてもよい。

第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。第１の実施形態に係る光モジュールが装着された光伝送装置の構成を示す模式図である。光送信サブアセンブリ、プリント基板及びフレキシブル基板を示す概略図である。第１の実施形態に係る光送信サブアセンブリの平面図である。変調器集積型レーザの縦断面図である。光送信サブアセンブリの等価回路を示す図である。インピーダンス素子の特性（周波数とインピーダンスの関係）を示す図である。インピーダンス素子に直列接続されたレーザ部の特性（周波数と電流透過性の関係）を示す図である。レーザ部の特性（周波数と発光強度の関係）を示す図である。インピーダンス素子の他の特性（インダクタンスとマスクマージンの関係）を示す図である。第２の実施形態に係る光送信サブアセンブリを示す平面図である。第３の実施形態に係る光送信サブアセンブリを示す平面図である。第４の実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。第５の実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。光モジュール１００は、ビットレートが１００Ｇｂｉｔ／ｓ級の、送信機能及び受信機能を有する光送受信機（光トランシーバ）であり、ＱＳＦＰ２８（Quad Small Form-factor Pluggable 28）のＭＳＡ(Multi-Source Agreement)規格に基づいている。光モジュール１００は、ケース１０２と、プルタブ１０４と、スライダ１０６と、を含む部品で外形が構成される。

図２は、第１の実施形態に係る光モジュール１００が装着された光伝送装置１０８の構成を示す模式図である。光伝送装置１０８に、複数の光モジュール１００が、電気コネクタ１１０によりそれぞれ装着されている。光伝送装置１０８は、例えば、大容量のルータやスイッチである。光伝送装置１０８は、例えば交換機の機能を有しており、基地局などに配置される。光伝送装置１０８は、光モジュール１００より受信用のデータ（受信用の電気信号）を取得し、回路基板１１２に搭載される集積回路チップ１１４などを用いて、どこへ何のデータを送信するかを判断し、送信用のデータ（送信用の電気信号）を生成し、該当する光モジュール１００へそのデータを伝達する。

光モジュール１００は、プリント基板１１６と、フレキシブル基板１１８と、電気信号を光信号に変換するための光送信サブアセンブリ１０と、光信号を電気信号に変換するための光受信サブアセンブリ１２とを備えている。光送信サブアセンブリ１０が有する光変換素子は、電気信号を光信号へ変換する発光素子である。光受信サブアセンブリ１２が有する光変換素子は、光信号を電気信号へ変換する受光素子である。光信号の入出力のために、光送信サブアセンブリ１０及び光受信サブアセンブリ１２にはそれぞれ光ファイバ１２０が接続されている。

プリント基板１１６は、柔軟性の無いリジッド基板である。プリント基板１１６と光送信サブアセンブリ１０及び光受信サブアセンブリ１２は、それぞれ、フレキシブル基板１１８を介して接続されている。プリント基板１１６から電気信号がフレキシブル基板１１８を介して光送信サブアセンブリ１０へ伝送される。また、光受信サブアセンブリ１２から電気信号がフレキシブル基板１１８を介してプリント基板１１６へ伝送される。

図３は、光送信サブアセンブリ１０、プリント基板１１６及びフレキシブル基板１１８を示す概略図である。光送信サブアセンブリ１０は、フレキシブル基板１１８の一方の端部に接続されている。フレキシブル基板１１８の他方の端部は、プリント基板１１６に重なって電気的に接続されている。

図４は、第１の実施形態に係る光送信サブアセンブリ１０の平面図である。光送信サブアセンブリ１０の筐体１４には、図２に示す光ファイバ１２０に接続されるレセプタクル１６が取り付けられている。光ファイバ１２０に入射する光は、筐体１４に設けられたレンズ１８で集光される。筐体１４には、図３に示すフレキシブル基板１１８との接続のためのフィードスルー２０が設けられている。フィードスルー２０は複数の配線Ｉｘ，Ｉｙ，Ｉｚを有する。

光送信サブアセンブリ１０は、サブマウント２２を有する。サブマウント２２は、窒化アルミニウムなどの絶縁材料からなる基板及び配線パターン２４を有する。サブマウント２２は、図示しないペルチェ素子などの熱電素子で温度調整されるようになっていてもよい。配線パターン２４の一対の配線Ｉ_１，Ｉ_２は、フィードスルー２０の一対の配線Ｉｘ，Ｉｙにそれぞれ接続されて、差動伝送路を構成する。接続にはワイヤＷ１，Ｗ２が使用される。フィードスルー２０の他の配線Ｉｚは、配線パターン２４の他の配線Ｉ_３にワイヤＷ３で接続されている。サブマウント２２には、変調器集積型レーザ２６が搭載されている。変調器集積型レーザ２６は、配線パターン２４に電気的に接続される。

図５は、変調器集積型レーザ２６の縦断面図である。変調器集積型レーザ２６は、半導体基板２７に素子が作り込まれた構造を有する。半導体基板２７は、ｎ型ＩｎＰ基板である。変調器集積型レーザ２６は、光を発するためのレーザ部２８を有する。レーザ部２８は、半導体基板２７の上に、ＳＣＨ（Separated Confinement Heterostructure）層３０Ａに挟まれた多重量子井戸３２Ａを有する。上側のＳＣＨ層３０Ａは、回折格子層３４がその上に設けられ、クラッド層３６Ａで覆われている。レーザ部２８は、直流電圧を印加するための第１電極Ｅ１（例えばアノード）及び第２電極Ｅ２（例えばカソード）を有する。レーザ部２８は、分布反射型（Distributed Bragg Reflector: DBR）であってもよいし、分布帰還型（Distributed Feedback: DFB）であってもよい。変調器集積型レーザ２６は、光を電界吸収効果によって変調するための変調部３８を有する。変調部３８は、半導体基板２７の上に、ＳＣＨ層３０Ｂに挟まれた多重量子井戸３２Ｂを有する。上側のＳＣＨ層３０Ｂは、クラッド層３６Ｂで覆われている。なお、本実施形態ではクラッド層３６Ａと３６Ｂは同じものであるが、それぞれ異なるものであってもよい。変調部３８は、交流電圧を印加するための第３電極Ｅ３（例えばアノード）及び第４電極Ｅ４（例えばカソード）を有する。

レーザ部２８及び変調部３８は同一の半導体基板２７に集積されて、第２電極Ｅ２及び第４電極Ｅ４が電気的に接続されている。一体化された第２電極Ｅ２と第４電極Ｅ４を、図４に示す配線Ｉ_２に対向させて接合してもよい。なお、第２電極Ｅ２と第４電極Ｅ４は個別に設けられても良い。配線Ｉ_１は、変調部３８の第３電極Ｅ３に電気的に接続される。接続にはワイヤＷ４が使用される。第３電極Ｅ３及び第４電極Ｅ４は、それぞれ、一対の配線Ｉ_１，Ｉ_２に接続される。

図４に示すように、サブマウント２２の配線パターン２４は、パッドＰを有する。パッドＰと配線Ｉ_２は、インピーダンスマッチングのためのマッチング抵抗器４０を介して接続されている。パッドＰはワイヤＷ５で変調部３８の第３電極Ｅ３に電気的に接続されている。したがって、マッチング抵抗器４０は、変調部３８に並列に接続される。

配線Ｉ_２には、バイパスコンデンサ４２がその一方電極（図示せず）が導通するように搭載されている。バイパスコンデンサ４２の他方電極はワイヤＷ６によってレーザ部２８の第１電極Ｅ１に接続されている。したがって、バイパスコンデンサ４２はレーザ部２８に並列接続されており、レーザ部２８に印加される電圧の交流成分を逃がすようになっている。なお、バイパスコンデンサ４２は無くても構わない。

光送信サブアセンブリ１０は、インピーダンス素子４４を有する。インピーダンス素子４４は、サブマウント２２に搭載されている。インピーダンス素子４４は、配線パターン２４の一対の配線Ｉ_３，Ｉ_４の間に接続されている。配線Ｉ_４は、ワイヤＷ７でバイパスコンデンサ４２の電極に接続されている。これにより、インピーダンス素子４４は、バイパスコンデンサ４２に直列接続するとともに、レーザ部２８にも直列接続される。なお、インピーダンス素子４４と配線Ｉ_３，Ｉ_４はワイヤで接続されていても構わない。

図６は、光送信サブアセンブリ１０の等価回路を示す図である。インピーダンス素子４４は、並列接続されたインダクタンスＬ及びキャパシタンスＣを有しており、共振回路を構成する。さらに、インピーダンス素子４４は、インダクタンスＬ及びキャパシタンスＣのそれぞれに並列接続された第１レジスタンスＲ_１及びインダクタンスＬと直列接続された第２レジスタンスＲ_２を有する。

一対の配線Ｉ_１，Ｉ_２には、差動信号伝送のための高周波信号Ｄ_－，Ｄ_＋がそれぞれ入力される。高周波信号Ｄ_－，Ｄ_＋は、変調部３８の第３電極Ｅ３及び第４電極Ｅ４にそれぞれ印加される（逆バイアス）。レーザ部２８の第１電極Ｅ１には、高周波信号Ｄ_＋の電圧よりも高い電圧Ｖ_Ｆが印加される。レーザ部２８の第２電極Ｅ２は、第４電極Ｅ４と電気的に接続されているので、高周波信号Ｄ_＋が入力される。したがって、レーザ部２８には、交流成分を含む電圧が印加される。交流成分は、バイパスコンデンサ４２を通りやすいので、レーザ部２８への流入がある程度は減少するが、本実施形態では、インピーダンス素子４４が第１電極Ｅ１に直列接続するので、レーザ部２８への交流電流の流れをさらに抑えている。

図７は、インピーダンス素子４４の特性（周波数とインピーダンスの関係）を示す図である。インピーダンス素子４４は、自己共振周波数で最も高いインピーダンスを示す自己共振特性を有する。ここでは、インピーダンス素子４４のインダクタンスＬが、５．１ｎＨ、２０ｎＨ、９１ｎＨの例をそれぞれ挙げる。例えば、インダクタンスＬが５．１ｎＨであれば、自己共振周波数９．５ＧＨｚでインピーダンスがピークを示す。つまり、インピーダンス素子４４（Ｌ＝５．１ｎＨ）は、９．５ＧＨｚの高周波信号を最も通しにくい。

図８は、インピーダンス素子４４に直列接続されたレーザ部２８の特性（周波数と電流透過性の関係）を示す図である。自己共振周波数での交流電流が、特に、インピーダンス素子４４と直列接続されたレーザ部２８を通りにくいことが分かる。なお、２．２３６ｎＨは、インピーダンス素子４４の代わりに使用したワイヤのインダクタンスＬであり、自己共振特性を有しないことを示す。ここでのワイヤとは例えば図４のワイヤＷ３のような配線パターン間をつなぐ円弧形状のワイヤ配線を示す。

図９は、レーザ部２８の特性（周波数と発光強度の関係）を示す図である。レーザ部２８は、緩和振動周波数で最も高い発光強度を示す特性を有する。したがって、緩和振動周波数に近い周波数の交流成分をレーザ部２８に流さないことが、レーザ部２８の出力を一定に保つ上で好ましい。例えば、自己共振周波数及び緩和振動周波数の差を、図８に点線で囲むように、自己共振周波数の１０％以内とすることが好ましい。

図１０は、インピーダンス素子４４の他の特性（インダクタンスＬとマスクマージンの関係）を示す図である。マスクマージンは、デジタル信号の品質を評価するためのアイパターンの中に描かれる形状が基準形に対してどれほど大きいかを示すもので、大きいほど品質が高い。例えば、インダクタンスＬが２．２３６ｎＨのワイヤを使用した場合、マスクマージンは極めて低い。一方、インピーダンス素子４４を配置した場合はインダクタンスＬに関わらずワイヤと比較してマスクマージン特性は大幅に向上する。特にレーザ部２８の緩和振動周波数に共振ピークを持つインダクタンスＬが５．１ｎＨのインピーダンス素子４４を使用した場合、マスクマージンが最も高くなっており、特性が優れていることが分かる。

［第２の実施形態］
図１１は、第２の実施形態に係る光送信サブアセンブリ２１０を示す平面図である。本実施形態は、インピーダンス素子２４４において第１の実施形態と異なる。インピーダンス素子２４４は、サブマウント２２２に形成された平面コイルであり、渦巻き状の配線からなる。インピーダンス素子２４４は、全ての部分が曲線であってもよいし、図１１に示すように直線及び屈曲部から構成されていてもよい。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

［第３の実施形態］
図１２は、第３の実施形態に係る光送信サブアセンブリ３１０を示す平面図である。本実施形態は、シングルエンド伝送が適用される点で第１の実施形態と異なる。また、サブマウント３２２及びレンズ３１８は、ベース３４６に設けられている。ベース３４６は、ＣｕＷなどの導電体からなりＡｕで覆われている。

サブマウント３２２の配線パターン３２４は、レーザ部３２８に直流電圧を印加するためのＤＣ配線Ｉ_ＤＣと、変調部３３８に高周波信号を入力するための信号配線Ｉ_ＳＩＧと、レーザ部３２８及び変調部３３８を共通に接地するためのＧＮＤ配線Ｉ_ＧＮＤと、を含む。サブマウント３２２には、裏面にも図示しない接地プレーンがあり、接地プレーンはＧＮＤ配線Ｉ_ＧＮＤとビア３４８で導通している。さらに図示しない接地プレーンはベース３４６のＡｕで覆われた表面パターンＩ_ＳＬＤと電気的に接続されている。フィードスルー３２０の複数の配線Ｉ_１，Ｉ_２，Ｉ_３，Ｉ_４は、ＤＣ配線Ｉ_ＤＣ、信号配線Ｉ_ＳＩＧ、ＧＮＤ配線Ｉ_ＧＮＤ及び表面パターンＩ_ＳＬＤにそれぞれワイヤＷで接続されている。

シングルエンド伝送においても、インピーダンス素子３４４を設けることで、変調部３３８に入力される高周波信号がレーザ部３２８に与える影響を抑えることができる。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

［第４の実施形態］
図１３は、第４の実施形態に係る光モジュール４００を示す平面図である。光モジュール４００は、光送信サブアセンブリ４１０及び光受信サブアセンブリ４１２を含み、これらは、それぞれ、フレキシブル基板４１８によってプリント基板４１６に接続されている。光送信サブアセンブリ４１０に含まれる変調器集積型レーザ４２６はフレキシブル基板４１８に電気的に接続する。プリント基板４１６は、カードエッジコネクタ４５０を備えている。

インピーダンス素子４４４は、複数の部品４４４ａ，４４４ｂ，４４４ｃからなる。少なくとも１つの部品４４４ａは、プリント基板４１６に搭載されている。少なくとも１つの部品４４４ｂは、フレキシブル基板４１８に搭載されている。さらに、光送信サブアセンブリ４１０の内部（例えばサブマウント４２２上）に少なくとも１つ部品４４４ｃがあってもよい。複数の部品４４４ａ，４４４ｂ，４４４ｃは直列接続されて、全体でインピーダンス素子４４４の特性を示す。

プリント基板４１６には、レーザ部４２８を駆動するための集積回路チップ４５２が搭載されている。集積回路チップ４５２とレーザ部４２８との間にインピーダンス素子４４４が直列に介在する。集積回路チップ４５２はカードエッジコネクタ４５０から入力される電源電圧より、所望の電流値になるように制御し、光送信サブアセンブリ４１０の内部のレーザ部４２８に電流を注入する。

プリント基板４１６には、差動伝送路を構成する一対の配線Ｉ_Ａ，Ｉ_Ｂに電気的に接続して変調部４３８を駆動するための集積回路チップ４５４が搭載されている。カードエッジコネクタ４５０から入力された通信用の電気高周波信号（差動信号）は、集積回路チップ４５４を通って、フレキシブル基板４１８を介して光送信サブアセンブリ４１０に伝達される。

光受信サブアセンブリ４１２は、光高周波信号を電気高周波信号に変換して、フレキシブル基板４１８を介してプリント基板４１６に出力する。出力された電気高周波信号は、クロック・データ・リカバリのための集積回路チップ４５６を通り、カードエッジコネクタ４５０に出力され、ホスト装置へと繋がる。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。以上のようにインピーダンス素子は一つでも複数でも構わなく、またその配置される位置は集積回路チップ４５２とレーザ部４２８の間であればどこでも構わない。

［第５の実施形態］
図１４は、第５の実施形態に係る光モジュール５００を示す平面図である。光モジュール５００は、光送信サブアセンブリ５１０及び光受信サブアセンブリ５１２を有するが、それぞれ個別パッケージ化はされていない。変調器集積型レーザ５２６（レーザ部５２８及び変調部５３８）は、配線パターン５２４が設けられたセラミック基板５５８に搭載され、セラミック基板５５８はプリント基板５１６に搭載されている。受光素子５６０は、ジャンクションダウン実装でセラミック基板５５８に搭載されている。受光素子５６０で変換された電気高周波信号は、セラミック基板５５８に搭載されたアンプ集積回路チップ５６２にて増幅される。なお、セラミック基板５５８を省略し、配線パターン５２４をプリント基板５１６に形成し、変調器集積型レーザ５２６をプリント基板５１６に直接搭載してもよい。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０光送信サブアセンブリ、１２光受信サブアセンブリ、１４筐体、１６レセプタクル、１８レンズ、２０フィードスルー、２２サブマウント、２４配線パターン、２６変調器集積型レーザ、２７半導体基板、２８レーザ部、３０ＡＳＣＨ層、３０ＢＳＣＨ層、３２Ａ多重量子井戸、３２Ｂ多重量子井戸、３４回折格子層、３６Ａクラッド層、３６Ｂクラッド層、３８変調部、４０マッチング抵抗器、４２バイパスコンデンサ、４４インピーダンス素子、１００光モジュール、１０２ケース、１０４プルタブ、１０６スライダ、１０８光伝送装置、１１０電気コネクタ、１１２回路基板、１１４集積回路チップ、１１６プリント基板、１１８フレキシブル基板、１２０光ファイバ、２１０光送信サブアセンブリ、２２２サブマウント、２４４インピーダンス素子、３１０光送信サブアセンブリ、３１８レンズ、３２０フィードスルー、３２２サブマウント、３２４配線パターン、３２８レーザ部、３３８変調部、３４４インピーダンス素子、３４６ベース、３４８ビア、４００光モジュール、４１０光送信サブアセンブリ、４１２光受信サブアセンブリ、４１６プリント基板、４１８フレキシブル基板、４２２サブマウント、４２６変調器集積型レーザ、４２８レーザ部、４３８変調部、４４４インピーダンス素子、４４４ａ部品、４４４ｂ部品、４４４ｃ部品、４５０カードエッジコネクタ、４５２集積回路チップ、４５４集積回路チップ、４５６集積回路チップ、５００光モジュール、５１０光送信サブアセンブリ、５１２光受信サブアセンブリ、５１６プリント基板、５２４配線パターン、５２６変調器集積型レーザ、５２８レーザ部、５３８変調部、５５８セラミック基板、５６０受光素子、５６２アンプ集積回路チップ、Ｃキャパシタンス、Ｄ_－高周波信号、Ｄ_＋高周波信号、Ｅ１第１電極、Ｅ２第２電極、Ｅ３第３電極、Ｅ４第４電極、Ｉ_１配線、Ｉ_２配線、Ｉ_３配線、Ｉ_４配線、Ｉ_Ａ配線、Ｉ_Ｂ配線、Ｉ_ＤＣＤＣ配線、Ｉ_ＧＮＤＧＮＤ配線、Ｉ_ＳＩＧ信号配線、Ｉ_ＳＬＤ表面パターン、Ｉｘ配線、Ｉｘ配線、Ｉｚ配線、Ｌインダクタンス、Ｐパッド、Ｒ_１第１レジスタンス、Ｒ_２第２レジスタンス、Ｗワイヤ、Ｗ１～Ｗ７ワイヤ。

Claims

光を発するためのレーザ部及び前記光を電界吸収効果によって変調するための変調部が同一導電型の半導体基板に集積された変調器集積型レーザと、
並列接続されたインダクタンス及びキャパシタンスを有し、自己共振周波数で最も高いインピーダンスピークを示す自己共振特性を有するインピーダンス素子と、
を有し、
前記レーザ部は、直流電圧を印加するための第１電極及び第２電極を有し、
前記変調部は、交流電圧を印加するための第３電極及び第４電極を有し、
前記第２電極と前記第４電極は、前記半導体基板を介して電気的に接続され、
前記インピーダンス素子は、前記第１電極に直列接続して、交流電流の流れを抑え、
前記レーザ部は、緩和振動周波数で最も高い発光強度を示す特性を有し、
前記自己共振周波数及び前記緩和振動周波数の差は、前記自己共振周波数の１０％以内であることを特徴とする光送信サブアセンブリ。
請求項１に記載の光送信サブアセンブリであって、
差動伝送路を構成するための一対の配線をさらに有し、
前記第３電極及び前記第４電極は、それぞれ、前記一対の配線に接続されていることを特徴とする光送信サブアセンブリ。
請求項１又は２に記載の光送信サブアセンブリであって、
前記レーザ部に並列接続されたバイパスコンデンサをさらに有することを特徴とする光送信サブアセンブリ。
請求項１から３のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、
前記インピーダンス素子は、前記インダクタンス及び前記キャパシタンスのそれぞれに並列接続された第１レジスタンス及び前記インダクタンスに直列接続された第２レジスタンスを有することを特徴とする光送信サブアセンブリ。
請求項１から４のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、
前記インピーダンス素子は、複数の部品からなることを特徴とする光送信サブアセンブリ。
請求項１から５のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリであって、
サブマウントをさらに有し、
前記変調器集積型レーザ及び前記インピーダンス素子は、前記サブマウントに搭載されていることを特徴とする光送信サブアセンブリ。
光モジュールであって、
請求項１から６のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリと、
光受信サブアセンブリと、
を有することを特徴とする光モジュール。
光モジュールであって、
請求項１から５のいずれか１項に記載の光送信サブアセンブリと、
プリント基板と、
光受信サブアセンブリと、
を有し、
前記インピーダンス素子の少なくとも一部は、前記プリント基板に搭載されていることを特徴とする光モジュール。
請求項８に記載の光モジュールであって、
前記プリント基板に接続するフレキシブル基板をさらに有し、
前記フレキシブル基板は、前記変調器集積型レーザに電気的に接続することを特徴とする光モジュール。