CN100363251C - 聚合物包覆金属氧化物及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供新的聚合物包覆金属氧化物。本发明的聚合物包覆金属氧化物中的聚合物具有硅氧烷骨架。本发明的聚合物包覆金属氧化物的制造方法是使金属氧化物与具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接触的方法。利用这种方法可以使聚合物与金属氧化物的表面相结合。此处，聚合物优选具有支链结构。另外，该具有支链结构的聚合物优选是树枝状的聚合物。另外，金属氧化物优选是玻璃、硅胶、氧化钛、钛酸钡、氧化铟锡(ITO)、氧化铝、氧化镍、氧化铁等。

Description

聚合物包覆金属氧化物及其制造方法
技术领域
本发明涉及聚合物包覆金属氧化物及其制造方法。
背景技术
迄今为止，在金属氧化物的表面处理中都使用硅烷偶合剂。
(Yoshioka，Hiroshi.Silane coupling agents.NipponSetchaku Kyokaishi(1985)，21(6)，252-60.CODEN；NSKSAZ ISSN：0001-8201，CAN103；105586 AN1985：505586 CAPLUS(Copyright2003ACS)，或、Tadanaga，Kiyoharu；Ueyama，Kaori；Sueki，Toshitsugu；Matsuda，Atsunori；Minami，tsutomu，Micropatterningof Inorganic-Organic Hybrid Coating Films from Various Tri-Functional SiliCon Alkoxides with a Double Bond in TheirOrganic Components.Journal of Sol-Gel Science and Technology(2003)，26(1-3)，431-434，CODEN；JSGTECISSN；0928-0707，AN2002；815093 CAPLUS(Copyright2003ACS))。
另一方面，一种树枝状的聚合物正在引起人们的重视，因为它高密度地具有许多末端，这一点与直链状聚合物截然不同(日本特表平8-510761号公报)。
发明内容
上述传统的硅烷偶合剂在每一个分子中只能导入一个官能团，从而存在难以通过表面处理来进行功能控制的问题。因此，人们期待一类可以一次导入许多个官能团的化合物。
另一方面，传统的树枝状聚合物与金属氧化物的粘合性差，因此并没有人尝试用它来包覆金属氧化物。
本发明的目的是提供一类新的聚合物包覆金属氧化物及其制造方法。
本发明的聚合物包覆金属氧化物具有硅氧烷骨架。这样可以使聚合物与金属氧化物的表面相结合。
此处，聚合物优选具有支链结构。而且，该具有支链结构的聚合物优选是树枝状的聚合物。进而，该聚合物优选由双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、双(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自单独、或者混合两种以上进行聚合而成，或者由双(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、双(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成。另外，金属氧化物优选由玻璃、硅胶、氧化钛、钛酸钡、氧化铟锡(ITO)、氧化铝、氧化镍、氧化铁各自单独、或者两种以上组合而成。
另外，本发明的聚合物包覆金属氧化物的制造方法是使金属化物与具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接触的方法。这样可以使聚合物与金属氧化物的表面相结合。
此处，聚合物优选具有支链结构。而且，该具有支链结构的聚合物优选是树枝状的聚合物。进而，该聚合物优选由双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、双(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成，或者由双(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、双(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成。另外，金属氧化物优选由玻璃、硅胶、氧化钛、钛酸钡、氧化铟锡(ITO)、氧化铝、氧化镍、氧化铁各自单独、或者两种以上组合而成。
本发明具有下述的效果。
通过使用具有硅氧烷骨架的聚合物来包覆金属氧化物，或者使金属氧化物与具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接触，可以提供一类新的化合物。
附图说明
图1是按照参考例1合成的中间体的NMR谱图。
图2是按照参考例2合成的单体的NMR谱图。
图3是按照参考例3合成的聚合物的NMR谱图。
图4是按照参考例3合成的聚合物的红外吸收光谱图。
图5是按照参考例3合成的聚合物的GPC图。
图6是在实施例1中未处理的硅胶的XPS谱图。
图7是在实施例1中经过处理的硅胶粒子的XPS谱图。
图8是在比较例1中经过处理的硅胶粒子的XPS谱图。
图9是在实施例2中未处理的硅胶的XPS谱图。
图10是在实施例2中经过处理的硅胶粒子的XPS谱图。
图11A是在实施例2中未处理的硅胶的SEM照片。
图11B是在实施例2中经过处理的硅胶粒子的SEM照片。
图12是在实施例3中未处理的氧化钛粒子的XPS谱图。
图13是在实施例3中经过处理的氧化钛粒子的XPS谱图。
图14A是在实施例3中未处理的氧化钛的SEM照片。
图14B是在实施例3中经过处理的氧化钛粒子的SEM照片。
图15是在比较例2中经过处理的氧化钛粒子的XPS谱图。
图16是在比较例2中经过处理的氧化钛粒子的SEM照片。
图17是在实施例4中未处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图18是在实施例4中未处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图19是在实施例4中未处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图20是在实施例4中未处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图21是在实施例4中经过处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图22是在实施例4中经过处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图23是在实施例4中经过处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图24是在实施例4中经过处理的钛酸钡粒子的XPS谱图。
图25是表示在实施例6中经过处理的钛酸钡粒子的(左侧的试管)和未处理的钛酸钡粒子(右侧的试管)在甲乙酮中的分散状态的照片。
具体实施方式
下面对用于实施有关聚合物包覆金属氧化物及其制造方法的发明的最佳实施方案进行说明。
首先说明聚合物包覆金属氧化物的起始原料。作为起始原料，使用金属氧化物和聚合物。
现在说明金属氧化物。作为金属氧化物，没有特殊的限定，但是可以举出例如由玻璃、硅胶、氧化钛、钛酸钡、氧化铟锡(ITO)、氧化铝、氧化镍、氧化铁各自单独、或者两种以上组合而成的产品。这些金属氧化物可以根据目的来选择使用。
另外，这些金属氧化物的形状没有限定，可以是由粒状、线状、板状的金属氧化物各自单独、或者是由两种以上组合而成的产品。
而且，金属氧化物不要求化合物全体都是氧化物。例如，在镁、铝、钛、铬、铁、钴、镍、铜、锌、银、锡等金属的情况下，可以在这些金属表面上形成金属氧化物被膜。
现在对聚合物进行说明。作为本发明的聚合物，只要是具有聚硅氧烷骨架的聚合物即可，对此没有特殊限定。优选是该聚合物具有支链结构，更优选是该具有支链结构的聚合物是树枝状的聚合物。作为该树枝状聚合物实例，可以举出由式(化学式1～8)所示的双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、双(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成的产品，或者是由双(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、双(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成的产品。
化学式1
Figure C20048001042000201
化学式2
化学式3
Figure C20048001042000221
化学式4
Figure C20048001042000231
化学式5
式中，
Figure C20048001042000242
是选自化学式6的一种基团，
化学式6
Figure C20048001042000243
式中，R可以各自相同或不同，表示氢原子、甲基、乙基、丙基，n是1～10，
X是选自Cl、Br的一种原子。
化学式7
Figure C20048001042000251
式中，是选自化学式8的一种基团，
化学式8
Figure C20048001042000253
Figure C20048001042000261
式中，R可以各自相同或不同，表示氢原子、甲基、乙基、丙基，
n是1～10，
X是选自Cl、Br的一种原子。
被包覆的聚合物的分子量没有特殊限定，但是一般在1000～80000的范围内，优选在1000～60000的范围内，更优选在1000～45000的范围内。分子量如果不足1000，则分子量过低，即使能够包覆金属氧化物也不能获得充分的包覆量。另外，分子量如果超过80000，则这时会使得聚合物的分子量过高，因此导致聚合物分子的体积过大，这样也会使包覆量减少。
本发明的聚合物可以牢固地包覆在金属氧化物上。聚合物只要能包覆在金属氧化物上即可，对此没有特殊限定，其键的形态可以是共价键或离子键、氢键、疏水键等，而且也可以是这些键的组合。
当金属氧化物为粒子状时，在每1g金属氧化物上的聚合物包覆量可在0.005～0.2g的范围内，优选在0.007～0.19g的范围内，更优选在0.008～0.19g的范围内。包覆量如果不足0.005g，则包覆效果变小，另外，如果超过0.2g，则虽然可以包覆，但会导致功能消失，因此不优选。
现在说明聚合物包覆金属氧化物的制造方法。聚合物包覆金属氧化物可以通过将金属氧化物与具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接触的方法来制备。
此时使用的溶剂，只要是能将聚合物溶解或分散的溶剂即可，例如可以举出由丙酮、己烷、甲苯、甲乙酮、甲醇、乙醇、水各自单独、或两种以上组合而成的溶剂，但是对此没有特殊限定。
反应温度只要能引起聚合物与包覆的金属氧化物之间的反应就没有任何限定，但在溶液中加热时，通常在3～200℃的范围内进行，优选在5～180℃的范围内进行，更优选在10～150℃的范围内进行。
另外，通过使具有硅氧烷骨架的聚合物在溶液中与金属氧化物接触，然后在空气中或氮气氛中加热，也能使二者牢固地结合。在此情况下，在加热温度为20～250℃的范围内进行，优选在30～200℃的范围内进行，更优选在50～150℃的范围内进行。
本发明对反应液中的聚合物浓度没有特殊限定，但优选在0.01～10质量％的范围内进行，更优选在0.05～8质量％的范围内进行，特别优选在0.5～5质量％的范围内进行。
聚合物包覆金属氧化物的制造方法不限定于将金属氧化物浸渍于聚合物溶液中的方法。除了该方法之外，也可以采用涂覆聚合物溶液的方法、在电场中进行电沉积等的方法。
现在对聚合物包覆金属氧化物进行说明。可以认为，聚合物与金属氧化物的结合状为如下的状态。可以推定，在聚合物骨架中的硅氧烷键与金属氧化物中的M-OH(M为金属)之间发生重组反应，生成了M-O-Si键。
综上所述，按照本发明的技术方案，通过使用具有硅氧烷骨架的聚合物制成包覆的金属氧化物或者使金属氧化物与具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接触，可以使聚合物结合在金属氧化物的表面上。结果就能提供新的化合物。
与直链状的聚合物不同，支链结构的聚合物具有许多端基，因此可以向其中导入各种官能团。从而可以用各种官能团来使金属氧化物表面改性。
本发明可以应用于色谱载体、防污处理玻璃、表面处理复合填料、表面处理冷凝器、化妆品用基材、洗发剂、护发素、衣物用洗涤剂、衣物用处理剂等。
应予说明，本发明不限定于用于实施上述发明的最佳技术方案，在不背离本发明要点的条件下，当然也可以采用其他各种技术方案。
下面通过实施例来具体地说明本发明，但是本发明不受这些实施例的任何限定。
参考例1
二甲基乙烯基硅烷醇的合成
将一个带有回流管的1L的三颈瓶在用氮气置换后置于冰浴中，向其中加入乙醚700ml，再加入苯胺8.38g(0.09mol)、水1.48g(0.087mol)并进行搅拌。向其中慢慢地滴加事先溶解于50ml乙醚中的乙烯基二甲基氯硅烷10g(0.082mol)，在室温下搅拌15分钟。反应如化学式9所示。过滤除去生成的盐后，用无水硫酸镁进行脱水，减压蒸馏除去溶剂，获得了目标产物。收率为63％。NMR谱图示于图1中。
化学式9
Figure C20048001042000281
参考例2
双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷的合成
将一个带有回流管的1L的三颈瓶在用氮气置换后置于冰浴中，向其中加入乙醚500ml、三乙胺8.21g(0.081mol)，再加入7.54g(0.074mol)的二甲基乙烯基硅烷醇并进行搅拌。向其中慢慢地滴加事先溶解于50ml乙醚中的二氯甲基硅烷4.24g(0.037mol)，在室温下搅拌20分钟。反应如化学式10所示。过滤除去生成的盐后，用旋转蒸发仪除去低沸点溶剂等。通过蒸馏，获得了无色透明的双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷。收率为62％。沸点(bp)为46～48℃/10mmHg。NMR谱图示于图2中。
化学式10
Figure C20048001042000291
参考例3
支链(高支链)聚合物的合成
将一个带有回流管的100ml的三颈瓶用氮气置换后，在该烧瓶中将2.49g(0.01mol)的双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷溶解于50ml的THF中。向其中加入数滴Karstedt催化剂(二甲苯中加入铂(O)-1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷配合物0.1M)，加热回流至IR光谱分析表明Si-H基消失，冷却至室温。用旋转蒸发仪除去低沸点溶剂等之后，将生成物滴加到乙腈中，获得了无色粘性液体状的聚合物，收率为92％。
以聚苯乙烯作为标准，以THF作为展开剂进行GPC分子量测定，结果获得的重均分子量为4700。NMR谱图示于图3中，红外吸收光谱图示于图4中，GPC图示于图5中。可以认为，聚合物的分子结构如化学式11所示。
化学式11
Figure C20048001042000301
参考例4
通过改变反应时间来进行参考例3的支链(高支链)聚合物的合成实验。结果示于表1中。当按最大反应时间72小时进行实验时，重均分子量达到64000。
表1
  样品编号   反应时间(h)   重均分子量
    1     1     1000
    2     5     3000
    3     10     9950
    4     18     20100
    5     24     32400
    6     36     52800
    7     48     61500
    8     60     63000
    9     72     64000
实施例1
将柱色谱用的硅胶粒子(平均粒径150μm)1.0g、己烷50ml、参考例3的聚合物0.1g混合，搅拌一夜。将硅胶粒子抽滤后，用己烷洗涤，在100℃的烘箱中进行真空干燥，获得了经过处理的硅胶粒子。此处所用的未处理的硅胶的XPS谱图示于图6中，经过处理的硅胶粒子的XPS谱图示于图7中。图7中的Cls峰明显地大于图6中的Cls峰，可知在其表面上载持有聚合物。
比较例1
将与实施例1同样的柱色谱用硅胶粒子(平均粒径150μm)1.0g、己烷50ml、烯丙基三乙氧基硅烷0.1g混合，搅拌一夜。将硅胶粒子抽滤后，用己烷洗涤，在100℃的烘箱中进行真空干燥，获得了经过处理的硅胶粒子。经过处理的硅胶粒子的XPS谱图示于图8中。图8中的Cls峰明显地大于图6中的Cls峰，可知在其表面上载持有聚合物，但是其程度比实施例1(图7)的小。
实施例2
将柱色谱用的硅胶粒子(平均粒径3μm)1.0g、己烷50ml、参考例3的聚合物0.1g混合，搅拌一夜。将硅胶粒子抽滤后，用己烷洗涤，在100℃的烘箱中进行真空干燥，获得了经过处理的硅胶粒子。此处所用的未处理的硅胶的XPS谱图示于图9中，经过处理的硅胶粒子的XPS谱图示于图10中。图10中的Cls峰明显地大于图9中的Cls峰，可知在表面上载持有聚合物。另外，未处理的硅胶的SEM照片示于图11A中，经过处理的硅胶粒子的SEM照片示于图11B中。图11B的粒子表面比图11A的变得平滑，可知在其表面上载持有聚合物。
实施例3
将氧化钛粒子(平均粒径1μm)1.0g、己烷50ml、参考例3的聚合物0.1g混合，搅拌一夜。将氧化钛粒子抽滤后，用己烷洗涤，在100℃的烘箱中进行真空干燥，获得了经过处理的氧化钛粒子。此处所用的未处理的氧化钛粒子的XPS谱图示于图12中，经过处理的氧化钛粒子的XPS谱图示于图13中。Si2s和Si2p的峰在图12中不能确认，但出现在在图13中，因此可知，在其表面上载持有聚合物。未处理的氧化钛的SEM照片示于图14A中，经过处理的氧化钛粒子的SEM照片示于图14B中。与图14A相比，图14B的粒子表面变得平滑，可知在其表面上载持有聚合物。
比较例2
将氧化钛粒子(平均粒径1μm)1.0g、己烷50ml、烯丙基三乙氧基硅烷0.1g混合，搅拌一夜。将氧化钛粒子抽滤后，用己烷洗涤，在100℃的烘箱中进行真空干燥，获得了经过处理的氧化钛粒子。经过处理的氧化钛粒子的XPS谱图示于图15中。Si2s和Si2p的峰在图12中不能确认，但出现在图15中，因此可知在其表面上载持有烯丙基三乙氧基硅烷。但是其程度比实施例3的图13要小。经过处理的氧化钛粒子的SEM照片示于图16中。与图14A相比，图16的粒子表面变得平滑，因此可知，在其表面上载持有烯丙基三乙氧基硅烷。但是可以看出，其程度不如图14B那样明显。
实施例4
将钛酸钡粒子(平均粒径0.9μm)1.0g、己烷50ml、参考例3的聚合物0.1g混合，搅拌一夜。将钛酸钡粒子抽滤后，用己烷洗涤，在100℃的烘箱中进行真空干燥，获得了经过处理的钛酸钡粒子。此处所用的未处理的钛酸钡粒子的XPS谱图示于图17～20中，经过处理的钛酸钡粒子的XPS谱图示于图21～24中。Si2s和Si2p的峰在图17中不能确认，但出现在图21中。另外，在O1s峰的放大图(图18、图22)中，来源于参考例3聚合物中的硅氧烷键的新的峰在图22中可以观察到。通过将图19与23，以及图20与24进行比较，可以看出，Ba3d和Ti2p的峰在处理前和处理后没有变化。根据上述情况，可知在其表面上载持有聚合物。
实施例5
除了将双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷0.83g(样品1)、3.74g(样品2、3)、4.98g(样品4、5)、0.03g(样品6)、9.96g(样品7)溶解于50ml的THF中以外，按照与参考例3同样的方法合成支链聚合物。所获各聚合物的分子量示于图2中。除了使用这些聚合物，分别将其0.1g(样品1、2、4、6、7)、0.2g(样品3、5)混合到己烷50ml中以外，按照与实施例3同样的方法将聚合物包覆在粒径1μm的氧化钛表面上。包覆在经过处理的氧化钛粒子表面上的聚合物各自的包覆量示于表2中。应予说明，聚合物包覆量的测定方法是通过测定氧化钛粒子在处理前和处理后的重量来算出包覆量的方法。
对所获的经过处理的氧化钛粒子按照以下的方法进行功能评价。首先，将经过处理的氧化钛粒子0.5g混合到甲乙酮10ml中，强烈振动搅拌5分钟。然后将该混合液静置2小时。所获结果示于表2中。对于样品1～5，已确认经过处理的氧化钛粒子几乎没有沉降。对于样品6、7，已确认有许多沉淀物。在样品1～5中，经过处理的氧化钛粒子几乎没有沉降的理由，可以认为是由于氧化钛粒子的表面被一种与甲乙酮亲合性高的支链硅氧烷包覆着的缘故。
表2
样品编号   聚合物的量均分子量   聚合物包覆量(g/氧化钛粒子1g)  分散稳定性(2小时后的分散稳定性)
    1     1200     0.008  良好
    2     9800     0.059  良好
    3     9800     0.089  良好
    4     23500     0.120  良好
    5     23500     0.186  良好
    6     700     0.002  不良(沉降物多)
    7     100000     0.362  不良(沉降物多)
实施例6
准备2支试管，向每支试管中加入1g的钛酸钡粒子和17ml的甲乙酮。再向其中的1支试管中加入参考例3的高支链聚硅氧烷0.1g，将这2支试管强振搅拌5分钟，过24小时后对其拍照，照片示于图25中。在加入了高支链聚硅氧烷的左侧的试管中，没有发生钛酸钡粒子的沉降，但是在没有加入高支链聚硅氧烷的右侧的试管中，钛酸钡粒子发生沉降。根据以上的情况，可知，高支链聚硅氧烷具有良好的使无机金属氧化物粒子分散的能力。
实施例7
高支链聚硅氧烷对玻璃表面的密合性的研究。
将一块预先用洗涤液和纯水洗涤过的玻璃基板置于饱和的氢氧化钾乙醇溶液中浸渍2小时，再用超声波清洗器在纯水中洗涤3次，然后将其置于洁净工作台内进行自然干燥。将上述经过亲水性处理的玻璃基板置于参考例3的高支链聚硅氧烷的己烷溶液中浸渍规定的时间，然后依次地用大量的己烷和丙酮洗涤，最后将其置于洁净工作台内进行自然干燥。用纯水测定其静态接触角。接着进行表3中所示的样品5、6、7的处理，测定其静态接触角。结果示于表3中。从该表中可以明显地看出，高支链聚合物能够牢固地密合在玻璃的表面上。
表3
样品编号     样品   接触角(°)
    1 未处理亲水性玻璃基板     7
    2 1质量％聚合物溶液(表面处理时间2小时)     54
    3 4质量％聚合物溶液(表面处理时间10分钟)     56
    4 4质量％聚合物溶液(表面处理时间2小时)     56
    5 空气中、室温下放置样品4一周     56
    6 空气中、100℃加热样品4十二小时     56
    7 甲苯中、60℃加热样品4十五小时     54

Claims (10)

1.一种聚合物包覆金属氧化物，其特征在于，金属氧化物由玻璃、硅胶、钛酸钡、氧化铟锡(ITO)、氧化铝、氧化镍、氧化铁各自单独或两种以上组合而成，
聚合物由下述化学式1～8所示的化合物各自单独、或者混合两种以上聚合而成，
化学式1
Figure C2004800104200002C1
化学式2
Figure C2004800104200003C1
化学式3
Figure C2004800104200004C1
化学式4
Figure C2004800104200005C1
化学式5
式中，
Figure C2004800104200006C2
是选自化学式6的一种基团，
化学式6
Figure C2004800104200006C3
式中，R可以各自相同或不同，表示氢原子、甲基、乙基、丙基，
n是1～10，
X是选自Cl、Br的一种原子
化学式7
Figure C2004800104200007C1
式中，
Figure C2004800104200007C2
是选自化学式8的一种基团，
化学式8
Figure C2004800104200007C3
Figure C2004800104200008C1
式中，R可以各自相同或不同，表示氢原子、甲基、乙基、丙基，
n是1～10，
X是选自Cl、Br的一种原子。
2.如权利要求1所述的聚合物包覆金属氧化物，其特征在于，聚合物由双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、双(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成，或者由双(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、双(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成。
3.如权利要求2所述的聚合物包覆金属氧化物，其特征在于，聚合物的分子量在1000～80000的范围内。
4.如权利要求1所述的聚合物包覆金属氧化物，其特征在于，金属氧化物由粒状、线状、板状的金属氧化物各自单独或者两种以上组合而成。
5.如权利要求1所述的聚合物包覆金属氧化物，其特征在于，相对于每1g金属氧化物，聚合物的包覆量在0.005～0.2g的范围内。
6.聚合物包覆金属氧化物的制造方法，其为使金属氧化物与具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接触从而制造聚合物包覆金属氧化物的方法，其特征在于，
金属氧化物由玻璃、硅胶、钛酸钡、氧化铟锡(ITO)、氧化铝、氧化镍、氧化铁各自单独或两种以上组合而成，
聚合物由下述化学式1～8所示的化合物各自单独、或者混合两种以上聚合而成，
化学式1
Figure C2004800104200009C1
化学式2
Figure C2004800104200010C1
化学式3
化学式4
Figure C2004800104200012C1
化学式5
Figure C2004800104200013C1
式中，
Figure C2004800104200013C2
是选自化学式6的一种基团，
化学式6
Figure C2004800104200013C3
式中，R可以各自相同或不同，表示氢原子、甲基、乙基、丙基，
n是1～10，
X是选自Cl、Br的一种原子
化学式7
Figure C2004800104200014C1
式中，
Figure C2004800104200014C2
是选自化学式8的一种基团，
化学式8
Figure C2004800104200014C3
Figure C2004800104200015C1
式中，R可以各自相同或不同，表示氢原子、甲基、乙基、丙基，
n是1～10，
X是选自Cl、Br的一种原子.
7.如权利要求6所述的聚合物包覆金属氧化物的制造方法，其特征在于，聚合物由双(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、双(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成，或者由双(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、双(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自单独、或者混合两种以上聚合而成。
8.如权利要求7所述的聚合物包覆金属氧化物的制造方法，其特征在于，聚合物的分子量在1000～80000的范围内。
9.如权利要求6所述的聚合物包覆金属氧化物的制造方法，其特征在于，金属氧化物由粒状、线状、板状的金属氧化物各自单独、或者两种以上组合而成。
10.如权利要求6所述的聚合物包覆金属氧化物的制造方法，其特征在于，相对于每1g金属氧化物，聚合物的包覆量在0.005～0.2g的范围内。
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