CN100334637C - 旋涂装置以及使用此旋涂装置制造的涂层基板 - Google Patents

Abstract

在使用常规旋涂装置在基板上旋涂涂覆溶液时，在基板的外侧边缘处常常产生所谓跳高滑雪台现象。根据本发明的旋涂装置包括环形部件或多边形部件。环形部件或多边形部件的上部分具有向下并向外延伸的倾斜部分，并且倾斜部分的内侧部分靠近或接触基板的外侧边缘。环形部件或多边形部件的内侧表面向下并向外倾斜。当使用该旋涂装置用涂覆溶液来涂覆基板的表面时，能够减少在基板的外侧边缘处产生的跳高滑雪台现象，并且能够防止因涂覆溶液引起的基板污染。

Description

旋涂装置以及使用此旋涂装置制造的涂层基板

技术领域

本发明涉及一种旋涂装置，更具体地，涉及一种能够减少当利用环形部件或多边形部件进行旋涂时在基板的外侧边缘处产生的跳高滑雪台(ski-jump)现象(也称为凸块、凸起部分、隆起、凸起、珠子等等)的旋涂装置以及使用此旋涂装置制造的涂层基板。

背景技术

图1是使用常规方法在基板上旋涂涂覆溶液的侧视图。在所说的方法中，在低速旋转的基板中央部分之上滴落液体涂覆溶液。然后，高速旋转基板。由于离心力，使涂覆溶液从基板中心向外扩展，直至涂覆整个基板。然而，当在常规旋涂装置方法中在基板上涂覆高粘性涂覆溶液时，涂覆溶液就会因涂覆溶液的粘弹性和表面张力在基板的端部20a处聚集。如果在这种状态下硬化聚集的涂覆溶液，那么就会形成斜坡组成的跳高滑雪台。由于跳高滑雪台，因此就不能均匀地涂覆整个基板。

当提高涂覆溶液的粘性时，跳高滑雪台就会变得更加严重。在制造光盘、半导体基板、超声波换能器等中，在基板上旋涂高粘性涂覆溶液。此时，由于跳高滑雪台的形成，就不能获得均匀的涂覆层。尽管结合所选择的常规应用描述了跳高滑雪台的问题，但本发明不限于这些应用。即，本发明可应用于其中当进行旋涂时会产生跳高滑雪台问题的任何领域。

光盘被广泛用于通过光拾取头读取的数据记录介质，该光拾取头以非接触方式记录/再现数据。常规光盘包括600-800MB光盘(CD)和4-10GB数字通用光盘(DVD)，并且正在开发提高数据密度的光盘。近来，已经开发出了使用蓝色激光来存放和记录的的20GB或更大容量的蓝光光盘(BD)，以便存储高图像质量和高音质的多媒体。根据系统描述蓝光光盘可重写格式(System Description Blu-ray DiscRewritable Format)，在基板上存储信息的导出区限定为直至58.5mm的半径。因此，数据记录区就必须确保58.5mm的最小半径，即117mm的直径。在100μm覆盖层的情况下，覆盖层的厚度，在58.5mm半径之上的误差必须在±2μm之间。在剩余的1.5mm周边区域中，跳高滑雪台必须小于10μm的高度。当使用常规旋涂方法在光盘上涂覆UV(紫外光)固化树脂层时，在100μm的树脂层中，跳高滑雪台就被形成为大于大约45μm的高度。因此，这种光盘就不能满足上述应用。为了解决上述跳高滑雪台问题，2003-4541号韩国公开专利就公开了一种方法，该方法包括：制备比最终完成的光盘更大直径的基板；通过在基板上滴落UV固化树脂来形成具有预定厚度的覆盖层；在覆盖层的外围处的向上抬升的凸块之上幅照UV射线，以便硬化凸块；以及切割凸块。然而，由于这种方法在光盘的制造工艺中另外包括切割操作，因此就会增加制造成本，并且制造光盘需要耗费长时间。制造效率降低了，且在切割凸块的操作中基板可能会破碎、碎裂和弯曲。在2001-55044号韩国公开专利中，光盘具有等于基板的外侧直径的内径，且光盘外套(图2中的30)具有其深度等于光盘厚度的凹槽。在光盘外套上装配光盘，并且在光盘上旋涂UV固化树脂。然而，在此情况下，难于在进行旋涂之后从外套中取出光盘。并且，树脂会流入基板和外套之间的缝隙，由此污染光盘的背侧。在重复涂覆中，涂覆溶液会停留在夹具之内，且不能排出，从而导致光盘的严重污染。尽管与常规旋涂方法相比减少了跳高滑雪台的尺寸，但仍然难于获得达58.5mm半径且跳高滑雪台为大约20μm的均匀的树脂层。

当在半导体晶片上形成集成电路时，广泛采用光刻。在光刻中，采用光刻胶膜，以便通过将杂质注入到半导体晶片上的预定区域中或通过在预定区域中形成薄膜层来获得各元件。光刻包括：在半导体晶片上薄薄地涂覆一光刻胶层的操作，采用掩模曝光并显影涂覆的光刻胶层的操作，通过光刻胶层的开口注入杂质的操作，以及在形成薄膜层之后去除光刻胶层的操作。广泛采用旋涂方法。根据此旋涂方法，在半导体晶片的中心涂覆少量的光刻胶，并旋转半导体晶片，以便使涂覆的光刻胶在半导体晶片的上表面之上扩展为恒定的厚度。在注入杂质或形成薄膜层的操作中，难于将光刻胶层较厚地形成为几十微米的厚度。这是因为光刻胶具有预定的粘性，从而导致光刻胶层在旋转涂覆期间较厚地形成在半导体晶片的边缘处。当在半导体晶片上旋涂60μm的光刻胶层时，跳高滑雪台就在半导体晶片的边缘处形成为7mm宽和120μm厚之内。为了解决此问题，2001-0017145号韩国公开专利公开了一种方法，该方法包括：实施涂覆和软硬化处理，从而在半导体晶片上将第一光刻胶层形成为对应于待形成的光刻胶层厚度的大约50％的厚度；使用稀释剂去除在边缘处形成的第一光刻胶层的边缘珠子(跳高滑雪台)；以及实施涂覆和软硬化处理，将第二光刻胶层形成为待形成的光刻胶层厚度的剩余50％。由于在这种方法中涂覆处理和硬化中的每一个都必须进行两次，就使制造处理复杂，且制造光刻胶层需要耗费长时间。并且，由于使用稀释剂来去除第一光刻胶层的边缘珠子会产生废水，因此就增加了用于处理废水的制造成本。

在电子设备例如计算机中采用各种集成电路。随着集成电路不断按比例缩小并获得高性能，就需要具有高精度且高性能的制造可靠性。为了提高集成电路的集成度，采用了图3中所示的多层互连电路。参照图3，在硅基板31上形成第一绝缘层32和氧化层，在第一绝缘层上形成由铝或类似材料形成的第一互连线层33。通过化学气相淀积(CVD)或等离子体CVD来形成由二氧化硅或氮化硅形成的层间绝缘层34。在层间绝缘层34上形成二氧化硅绝缘层(平坦化层)35，以便使层间绝缘层34平坦。如果需要，可以在该二氧化硅绝缘层上形成第二绝缘层36。同样地，可以在第二绝缘层36上形成互连线层、层间绝缘层、平坦化层和绝缘层。层间绝缘层的形成方法可以包括：使用气体(例如SiH₄)通过CVD在基板上形成SiO₂、通过等离子体淀积四乙氧基甲硅烷(TEOS)形成SiO₂、或通过旋涂在基板上涂覆用于硅烷基绝缘层的涂覆溶液来形成SiO₂。第三种方法具有巨大的处理能力并可以用于形成平坦化层。然而，当旋涂涂覆溶液时，如图1中所示，就会在硅晶片的外周形成凸起部分(跳高滑雪台)。硅晶片的外周就会与其它元件接触，引起碎裂。当产生碎裂时，就会产生大量的夹杂物，由此就会降低生产率。为了解决此问题，日本专利8-316186号公开了一种方法，通过在进行旋涂之后将溶剂释放到凸起部分之上来清洗并去除在硅晶片四周形成的凸起部分。在此情况下，清洗溶剂根据绝缘层所使用的涂覆溶液种类而不同。例如，清洗溶剂依赖于绝缘成分的种类、浓度和溶剂。在清洗和去除操作期间，可能形成附加凸块(凸起)。此凸块起因于夹杂物例如凸起部分。

超声波内窥镜沿着预定路径扫描由超声波换能器产生的振荡超声波束，并通过超声波换能器接收从内部机构或损伤部分的内壁反射的超声波。通过处理接收的信息，产生出超声波X射线断层照片。超声波换能器通常由压电陶瓷组成。由于压电陶瓷和仿生(bio)声阻抗之间的巨大差异，所以会在它们的界面处产生超声波的反射和损失。为了吸收此差异并减少声音损耗，在声音辐射侧构建由树脂材料等形成的声学匹配层。超声波换能器的振荡频率大致为几MHz至几十MHz。因此，为了在树脂中获得2500-3000m/s的声速，具有等于超声波波长的1/4厚度的声学匹配层就应当为几十微米厚。当通过旋涂方法来形成声学匹配层时，树脂的粘性必须很高，以致在声学匹配层的边缘处产生厚度不稳定部分(跳高滑雪台)。为了解决此问题，日本专利5-103396号公开了一种声学匹配层的制造方法，该方法包括：在基板上滴落UV固化树脂；通过旋转基板使UV固化树脂扩散；幅照UV光并在稳定状态下硬化树脂，其中使树脂的旋转引起的离心力、表面张力等平衡；以及切割并去除厚度不稳定部分。在这种方法中，由于从旋涂机中幅照UV光，当进行旋涂时就会使残留在旋涂机中的UV固化树脂硬化，因此就难于去除残留的树脂。并且，由于这种方法需要进行切割厚度不稳定部分的操作，因此就降低了生产率。

发明内容

因此，需要一种当在基板上旋涂涂覆溶液时能够防止产生跳高滑雪台的方法。

本发明提供一种能够防止产生跳高滑雪台的旋涂装置。

另外，本发明提供一种通过该旋涂装置制造的涂层基板。

根据本发明的一个方面，提供一种包括环形部件或多边形部件的旋涂装置，其中环形部件或多边形部件的上部分具有向下且向外延伸的倾斜部分，且倾斜部分的内侧部分靠近基板的外边缘或与基板的外边缘接触。

根据本发明的具体实施例，环形部件或多边形部件的内侧表面可以向下并向外倾斜。旋涂装置还包括用于支撑基板的支撑体(supporter)，以致暴露出与待旋涂表面相对的表面的一部分。支撑体和基板彼此接触的接触表面的面积是在外径方向上基板的总面积的5-95％。旋涂装置可以具有在环形部件或多边形部件与支撑体之间的开口。

根据本发明的另一个方面，提供一种通过权利要求1到5之一的旋涂装置制造的基板，其中，在不包含基板边缘处跳高滑雪台的区域处的涂覆层的厚度偏差为±2％之内，且基板边缘处的跳高滑雪台的高度相对于涂覆层边缘处的平均厚度为±10％之内。

涂层基板可以是光盘，其数据记录区的厚度偏差从中心至58.5mm半径处可以小于2％，且跳高滑雪台的厚度偏差小于10％。

根据本发明的旋涂装置能够通过去除或减少在旋转涂覆期间在基板外侧边缘处产生的跳高滑雪台现象来均匀地涂层基板。并且，能够显著地减少因涂覆溶液导致的污染。

附图说明

通过参照附图来详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点将会变得更加明显，其中：

图1是说明在常规方法中当旋涂基板时在基板边缘处产生的跳高滑雪台现象的侧视图；

图2是用于旋涂光盘的常规设备中的基板外套的侧视图；

图3是半导体基板的剖面图；

图4是根据本发明的一个实施例的旋涂装置的示意图；

图5是根据本发明的实施例的环形部件或多边形部件的图；

图6是根据本发明的实施例在环形部件或多边形部件与支撑体之间形成的开口的图；

图7是根据本发明的实施例的支撑体的图；以及

图8是说明通过本发明的一个实施例的旋涂装置进行旋涂的基板的运动的图。

具体实施方式

现在，将参照附图来更加充分地描述本发明。

图4是根据本发明的一个实施例的旋涂装置的图。

参照图4，旋涂装置包括具有向下并向外延伸的倾斜部分的环形部件或多边形部件。当在旋涂装置上安装基板10时，内侧就靠近基板的外侧边缘或与基板的外侧边缘接触。

当环形部件或多边形部件的上表面40a平坦时，会在通过这种设备旋涂的涂层基板10上产生跳高滑雪台。然而，当环形部件或多边形部件的上表面40a倾斜时，就不会产生跳高滑雪台或产生非常小的跳高滑雪台。环形部件或多边形部件的倾斜部分可以从与内侧接触的部分中形成或从上表面的中心部分中形成(参见图5)。然而，当从与内侧接触的部分中形成倾斜部分时，当安装或分离基板10时就会产生磨损或损伤。因此，优选地倾斜部分离接触部分0.1-2mm形成。不用限制环形部件或多边形部件的倾斜部分的倾斜度。例如，倾斜部分可以是弯曲的。图5是说明根据本发明的实施例的环形部件或多边形部件的上表面40a的图。然而，本发明不限于在图5中示出的上表面。

可以设置环形部件或多边形部件的内侧部分的尺寸，从而在环形部件或多边形部件与基板10之间维持一个足够大的间隔，以便当与基板10的端部进行接触时可以平滑地安装或分离基板。环形部件或多边形部件的内侧部分的高度大致等于安装的基板10的高度。可以根据待涂覆的基板10的厚度，由用户来确定此高度。例如，当待涂覆的基板10的厚度为1.1mm时，环形部件或多边形部件的内侧部分的高度与基板10的高度之间的差在±0.6mm之内。

环形部件或多边形部件的内侧表面40b可以具有向下且向外延伸的倾斜部分。根据本发明的一个实施例，倾斜部分可以通过阻止涂覆溶液在基板10的外侧边缘与环形部件或多边形部件的内侧表面之间的流动来防止基板10的污染，并且能够容易地安装并从设备中分离基板10。环形部件或多边形部件的内侧表面40b的倾斜部分可以从与环形部件或多边形部件的上表面40a接触的部分中形成，或者可以从内侧表面40b的中间处形成。环形部件或多边形部件的内侧表面40b具有如图5中所示的各种形状，但本发明不限于此。

参照图4，根据本发明的一个实施例的旋涂装置还包括用于安装基板10的支撑体40。可以在基板10和支撑体40之间形成空间40d，以暴露与待涂覆表面相对的(基板的)背面。空间40d能够防止基板的背面因旋涂基板10时涂覆溶液流入基板10的外侧边缘和环形部件或多边形部件的内侧表面40b之间的缝隙而引起的污染。支撑体40不限于上述形状，且可以具有任何形状，只要它可支撑基板10以致暴露基板10的背面的一部分即可。优选地，为了平滑地排出涂覆溶液，在空间40d之下形成向下且向外延伸的内侧倾斜部分40f。图7中示出了支撑体可以构成的各种形状，但本发明不限于此。

支撑体40可以包括用于当安装基板10时使用真空来固定基板10的真空孔40g。真空孔40g可以位于基板10之下的支撑体40内的任何位置。

不必限制支撑体40的上接触表面40e的宽度，只要可形成空间40d即可。支撑体40与基板10彼此接触的接触表面的面积可以是自中心在外径方向上基板10的总面积的5-95％。当采用模具(die)或切割来制造基板10时，在基板10自身中会产生细微翘起(tilt)。如果将这种具有翘起的基板10安装在根据本发明的一个实施例的旋涂装置上，就难于调整基板10的高度和环形部件或多边形部件的上表面40b的内侧边缘的高度。在此情况下，如果充分扩宽接触表面40e，那么通过真空孔40g提供一个压力就能够补偿基板10的翘起，因此就能够调整基板10的高度和基板的上表面40b的内侧边缘的高度。如果接触表面40e的面积超过基板10的总面积的95％，那么在旋转涂覆期间就可能会因涂覆溶液而污染基板10的背面。

根据本发明的一个实施例的旋涂装置还包括在环形部件或多边形部件与支撑体之间的开口40c。开口40c排出在旋转涂覆期间流入基板10的外周与环形部件或多边形部件的内侧表面40b之间的缝隙的涂覆溶液，由此防止因残留涂覆溶液引起的基板10或设备的污染。能够调整开口的尺寸或位置。虽然图6中示出了开口10的形状，但本发明不限于此。环形部件或多边形部件与支撑体40可以由不锈钢、铝或它们的合金形成，但本发明不限于此。

图8是说明根据本发明的一个实施例当采用旋涂实施旋转涂覆时涂层基板11的运动的图。参照图8，在旋涂之后，升高连接到位于支撑体40之内的空气筒54的基板支持台53，以便从支撑体40分离涂层基板11。然后，在涂层基板11之下移动基板传送单元51。当涂层基板11位于基板传送单元51上时，使它在UV固化单元(未示出)之下进行平行移动。然后，通过幅照UV射线，硬化涂层基板11。图8(d)是旋涂装置的平面透视图。

根据本发明的一个实施例的旋涂装置可以用于制造一次写入多次读取式(WORM)光盘、可擦除光盘和只读存储器(ROM)光盘。此外，根据本发明的实施例的旋涂装置可以用于具有通过旋涂形成的覆盖层和间隔层的光盘。此外，本发明可应用于半导体的制造和用于超声波换能器的声学匹配层的制造。本发明不限于这些应用，并且本发明可以应用于其中会产生跳高滑雪台问题的任何领域。

以下的实例1到6和比较实例1和2将说明当根据本发明的各实施例和现有技术的旋涂装置应用于光盘涂覆时的各种结果。

(实例1)

参照图4，环形部件的上表面40b的内侧部分的高度等于基板的高度，环形部件的上表面40b以15°角向外倾斜，并且环形部件的内侧表面40f以45°角向外倾斜。接触基板10的支撑体表面的直径为80mm。环形部件和支撑体由铝制成。进行具有1.1mm厚度、120mm外径和15mm内径(中心孔的直径)的聚碳酸酯(PC)注模。然后，通过利用溅射处理、形成Ag合金/ZnS-SiO₂/SbGeTe/ZnS-SiO₂的四层结构来制造基板10。然后，通过使用旋涂装置、旋涂EB8402(由SKUCB制造)和Irgacure184(由Ciba SC制造)、651(由Ciba SC制造)和具有甲基乙基酮的UV固化树脂来形成100μm厚度的覆盖层。通过幅照UV光源以固化光学固化树脂来制造涂层基板11。下面的表1示出了根据基板的半径的涂层厚度。

(实例2)

除了覆盖层为75μm厚之外，按照与实例1相同的方式来制造本实例的基板。下面的表1示出了根据基板的半径的涂层厚度。

(实例3)

除了覆盖层为50μm厚之外，按照与实例1相同的方式来制造本实例的基板。下面的表1示出了根据基板的半径的涂层厚度。

(实例4)

除了覆盖层为25μm厚之外，按照与实例1相同的方式来制造本实例的基板。下面的表1示出了根据基板的半径的涂层厚度。

表1

	自基板中心的距离(mm)
								21	30	40	50	55	58.5	周边处的跳高滑雪台
	实例1	100.5μm	100.0μm	100.5μm	100.5μm	101.0μm	101.0μm								103.0μm
实例2								75.5μm	75.0μm	75.0μm	75.5μm	75.5μm	76.0μm	77.5μm
	实例3	50.0μm	49.5μm	49.5μm	50.0μm	51.0μm	51.0μm								51.5μm
实例4								25.5μm	25.0μm	26.0μm	26.0μm	25.5μm	26.0μm	26.0μm

如表1中所示，当将基板旋涂为100μm厚度时，跳高滑雪台在3μm之内。当将基板旋涂为小于100μm时，就不会产生跳高滑雪台或者跳高滑雪台仅具有非常低的高度。并且，在旋转涂覆期间不存在因树脂引起的污染。

(实例5)

除了环形部件的上表面的内侧部分高度比基板高0.2mm之外，按照与实例1相同的方式来制造本实例的基板。下面的表2示出了根据基板的半径的涂层厚度。

(实例6)

除了环形部件的上表面的内侧部分高度比基板低0.2mm之外，按照与实例1相同的方式来制造本实例的基板。下面的表2示出了根据基板的半径的涂层厚度。

表2

	自基板中心的距离(mm)
								21	30	40	50	55	58.5	周边处的跳高滑雪台
	实例5	101.0μm	101.0μm	100.5μm	101.5μm	101.5μm	102.5μm								104.5μm
实例6								100.5μm	100.5μm	101.0μm	102.0μm	101.5μm	102.0μm	104.0μm

如表2中所示，当环形部件的上表面的内侧部分高度稍微大于或小于基板的高度时，能够减少在基板边缘处产生的跳高滑雪台。

(比较实例1)

除了采用无环形部件的旋涂装置之外，按照与实例1相同的方式来制造基板。下面的表3示出了根据基板的半径的涂层厚度。

(比较实例2)

除了在环形部件的上部分中不存在倾斜之外，按照与实例1相同的方式来制造基板。下面的表3示出了根据基板的半径的涂层厚度。在此情况下，光盘四周的跳高滑雪台为20μm，而不是平均涂层厚度。并且，光盘的背面被严重污染。

表3

	自基板中心的距离(mm)
								21	30	40	50	55	58.5	周边处的跳高滑雪台
	比较实例1	101.5μm	99.5μm	101.0μm	103.5μm	115.0μm	138.5μm								147.0μm
比较实例2								100.5μm	101.5μm	101.0μm	102.0μm	102.5μm	107.5μm	118.5μm

实例7和8以及比较实例3说明当根据本发明的实施例的旋涂装置应用于半导体晶片时的结果。

(实例7)

环形部件的上表面的内径与具有8英寸直径的半导体晶片相匹配，并且环形部件的上表面的内侧部分具有与半导体晶片相同的高度。环形部件的上表面从水平方向以15°角向外倾斜。环形部件的内侧表面部分从中心以相对于水平面45°角向外倾斜。旋涂装置由铝形成。首先，其上必须形成厚光刻胶层的晶片通过使它在3000rpm下旋转3秒钟来进行清洗。然后，在半导体晶片的上表面的中心部分之上涂覆正型光刻胶，并高速旋转半导体晶片，由此获得60μm厚的厚光刻胶层。下面的表4示出了根据半导体晶片的半径的涂层厚度。

(实例8)

除了覆盖层为30μm厚之外，按照与实例7相同的方式来制造根据本实例的基板。下面的表4示出了根据半导体晶片的半径的涂层厚度。

(比较实例3)

除了旋涂装置没有环形部件之外，按照与实例7相同的方式来制造根据本实例的基板。下面的表4示出了根据半导体晶片的半径的涂层厚度。

表4

	自基板中心的距离(英寸)
										0	1	2	3	4	5	6	7	周边处的跳高滑雪台
	实例7	60.3μm	60.5μm	60.1μm	60.0μm	60.3μm	60.1μm	60.4μm	60.3μm										60.9μm
实例8										30.0μm	30.3μm	30.2μm	30.1μm	29.9μm	30.0μm	30.2μm	30.1μm	30.3μm
	比较实例3	60.0μm	60.2μm	59.8μm	60.4μm	60.3μm	60.4μm	60.5μm	61.3μm										115.4μm

实例9到11和比较实例4说明了当根据本发明的各实施例和现有技术的旋涂装置应用于超声波内窥镜压电陶瓷板的结果。

(实例9)

参照图6的40c-2，矩形部件的上表面的内侧部分与矩形部件的四个侧面接触，并且矩形部件的内侧部分具有与基板相同的高度。矩形部件的上表面相对于水平方向以15°角向外倾斜。矩形部件的内侧表面相对于水平方向以45°角向外倾斜。旋涂装置由铝形成。矩形压电陶瓷板被安装在旋涂装置之上并以真空方式固定。然后，在压电陶瓷板的中心部分之上，滴落环氧树脂、酚醛树脂和含有用于阻抗控制的无机颗粒、甲基乙基酮、甲苯和UV固化材料的UV固化树脂。然后，高速旋转压电陶瓷板，获得30μm厚的声学匹配层。下面的表5示出了在压电陶瓷板上涂覆的声学匹配层的平均厚度和跳高滑雪台。

(实例10)

除了声学匹配层为40μm厚之外，按照与实例9相同的方式来制造超声波内窥镜压电陶瓷板。下面的表5示出了在压电陶瓷板上涂覆的声学匹配层的平均厚度和跳高滑雪台。

(实例11)

除了声学匹配层为50μm厚之外，按照与实例9相同的方式来制造超声波内窥镜压电陶瓷板。下面的表5示出了在压电陶瓷板上涂覆的声学匹配层的平均厚度和跳高滑雪台。

(比较实例4)

除了旋涂装置没有矩形部件之外，按照与实例11相同的方式来制造超声波内窥镜压电陶瓷板。下面的表5示出了在压电陶瓷板上涂覆的声学匹配层的平均厚度和跳高滑雪台。在此情况下，压电陶瓷板外侧边缘处的跳高滑雪台是平均涂层厚度的大约两倍。并且，邻近跳高滑雪台处的部分的厚度增加了。

表5

	平均厚度	标准偏差	端部处的跳高滑雪台
				实例9	30.1μm	±0.1μm	30.2μm
实例10	40.3μm	±0.3μm	40.5μm
				实例11	50.4μm	±0.5μm	51.1μm
比较实例4	52.3μm	±2.1μm	98.7μm

如上所述，根据本发明的旋涂装置通过去除或减少在旋转涂覆期间在基板的外侧边缘处产生的跳高滑雪台现象能够均匀地利用涂覆溶液来涂覆基板。并且，能够显著地减少因涂覆溶液引起的基板的污染。

虽然参照本发明的示例性实施例已经具体地展示并描述了本发明，但应当理解，本领域普通技术人员在此可以进行形式和细节上的各种改变，而不脱离本发明的精神和范围，而本发明的范围由随附的权利要求书进行限定。

Claims (9)

1.一种包括环形部件或多边形部件的旋涂装置，其中，所述环形部件或多边形部件的上部分具有向下且向外延伸的倾斜部分，且所述倾斜部分的内侧部分靠近或接触基板的外侧边缘，并且当所述环形部件或多边形部件的上部分不具有向下且向外延伸的倾斜部分时，所述环形部件或多边形部件的上部分是水平的。

2.根据权利要求1的旋涂装置，其中，所述环形部件或多边形部件的内侧部分向下且向外延伸。

3.根据权利要求1的旋涂装置，进一步包括用于支撑所述基板的支撑体，以致暴露出与待旋涂表面相对的表面的一部分。

4.根据权利要求1的旋涂装置，其中，所述支撑体与所述基板彼此接触的接触表面的面积为在外径方向上所述基板的总面积的5-95％。

5.根据权利要求3的旋涂装置，在所述环形部件或多边形部件与所述支撑体之间具有开口。

6.一种通过权利要求1至5之一的旋涂装置制造的涂层基板，其中，在不包括所述涂层基板的边缘处的跳高滑雪台的区域处的涂覆层的厚度偏差为±2％之内，并且在所述涂层基板的边缘处的跳高滑雪台的高度相对于所述涂覆层的边缘处的平均厚度为±10％之内。

7.根据权利要求6的涂层基板，其中，所述涂层基板是光盘，所述光盘数据记录区的厚度偏差从中心到58.5mm半径处为小于2％，且所述跳高滑雪台的厚度偏差为小于10％。

8.根据权利要求6的涂层基板，其中，所述涂层基板是半导体晶片。

9.根据权利要求6的涂层基板，其中，所述涂层基板是超声波内窥镜压电陶瓷板。

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