CH636587A5 - Verfahren zum herstellen von zerspanbaren gusskoerpern. - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von zerspanbaren Gusskörpern mit einer Dichte von 1,6 bis 2,7 g/cm3.
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum Herstellen von Matrixverbundstoffen aus Silicium/Siliciumcarbid durch Infiltration von Kohlenstoffasern mit geschmolzenem Silicium. Obwohl die dabei erhaltenen Matrixmaterialien aus Siliciumcarbid/Silicium sowie das Verfahren zur Herstellung solcher Formstrukturen einen merklichen Fortschritt bei der Herstellung hochleistungsfähiger Formkeramiken bedeutete, erwies sich in vielen Fällen die Schlagbeständigkeit der Keramikformstrukturen als nicht ausreichend hoch, um sie für verschiedene Einsatzmöglichkeiten geeignet zu machen.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Feststellung, die eingangs erwähnten, leicht zerspanbaren Gusskörper dadurch herzustellen, dass man sie als Reaktionsprodukt durch Infiltration von geschmolzenem Silicium und einer im wesentlichen gleichförmigen Mischung erhält, die folgende Bestandteile in Vol.-% umfasst:
(A) 45 bis 90 teilchenförmigen Kohlenstoffs, in welchem Volumenanteil der Kohlenstoff gegebenenfalls bis zur Hälfte in Form von Siliciumcarbid vorliegt und
(B) 10 bis 55 eines teilchenförmigen anorganischen Materials, das gegenüber geschmolzenem Silicium bei Temperaturen bis zu 1600°C im wesentlichen inert ist.
Ausser den vorbeschriebenen zerspanbaren Gusskörpern,
deren Herstellung auf der Infiltration von geschmolzenem Silicium beruht, können durch die vorliegende Erfindung auch hitzebeständige Verbundstrukturen mit Siliciumcarbid geschaffen werden, die eine beträchtlich verbesserte Schlagfestigkeit gegenüber den bisherigen hitzebeständigen Formkörpern aus Siliciumcarbid aufweisen. Diese Verbundstoffe des Siliciumcarbids oder des Silicium/Siliciumcarbids können eine hitzebeständige Grundstruktur und eine zusammenhängende äussere Schicht aus dem oben beschriebenen zerspanbaren Reaktionsprodukt aufweisen. Die Siliciumcarbid'-Verbundstoffe nach der vorliegenden Erfindung können hergestellt werden durch Einfüllen von geschmolzenem Silicium in eine Form, wobei die zusammenhängende zerspanbare Schicht im Kontakt mit der Grundstruktur an Ort und Stelle gebildet wird. Die Grundstruktur aus Siliciumcarbid kann auch gleichzeitig mit der zusammenhängenden Schicht gebildet werden, indem man die Grundstruktur in Form eines
Vorformlings aus Kohlenstoffasern mit geschmolzenem Silicium infiltriert.
Weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme s auf die Zeichnung. Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 eine Form, die mit einer Mischung aus Kohlenstoffteilchen und einem teilchenförmigen anorganischen Material, wie Bornitrid, gefüllt ist, und oberhalb der Form befindet sich Siliciumpulver oder Siliciumgranulat im Kontakt io mit Kohlenstoffaserdochten, das eine Quelle für das geschmolzene Silicium bildet, um die Mischung aus Kohlenstoffteilchen und teilchenförmigem anorganischem Material zu infiltrieren,
Fig. 2 eine Ausführungsform der Herstellung eines Sili-15 ciumcarbid-Verbundstoffes auf der Grundlage der Infiltration von geschmolzenem Silicium in den Hohlraum einer Form, der eine hitzebeständige Grundstruktur in Kontakt mit einem zusammenhängenden Vorformling enthält, der aus einer Mischung von Kohlenstoffteilchen und teilchenförmi-20 gern anorganischem Material besteht, wobei die Quelle für das geschmolzene Silicium in dem Raum oberhalb des Hohlraums der Form enthalten ist,
Fig. 3 Silicium in Kontakt mit Kohlenstoffdochten oberhalb einer Form, wobei die Form mit einem Vorformling 25 aus Kohlenstoffasern gefüllt ist und der Vorformling umgeben ist von einem zusammenhängenden Vorformling aus einer Mischung teilchenförmigen Kohlenstoffes und einem teilchenförmigen anorganischen Material und
Fig. 4 die Verwendung eines zusammenhängenden Viel-30 schichtvorformlings auf einer Grundstruktur, um eine weitere Modifikation des Verbundstoffes gemäss der vorliegenden Erfindung zu erhalten.
Gemäss der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform der Erfindung werden zerspanbare Gusskörper geschaffen. 35 Die zerspanbaren Gusskörper nach der Erfindung können von Anfang an in irgendeine erwünschte Konfiguration geformt werden oder man kann sie nachträglich auf geeignete Weise zurechtschneiden. Diese relativ leichten siliciumcarbid-haltigen Materialien, die durch Infiltration von geschmolze-40 nem Silicium in die Kohlenstoffteilchen enthaltende Mischung entstanden sind, können durch Zerschneiden mit einer Stahlsäge, Bohren, Schmirgeln, Feilen usw. in jede gewünschte Form gebracht werden. Sollen die zerspanbaren Gusskörper als schlagbeständige Schutzüberzüge oder Schichten benutzt 45 werden, dann können sie in einer selbsttragenden Dicke auf ein Silicium- oder Siliciumcarbid-Substrat aufgeschweisst werden, um die Schlagfestigkeit des Substrates zu verbessern. Dieses Vorgehen kann als eine wahlweise Alternative zu der in Fig. 2 dargestellten Prozedur benutzt werden, in der die 50 zerspanbare Schicht an Ort und Stelle gegossen wird.
Zusätzlich zu den vorbeschriebenen Einsatzzwecken können die zerspanbaren Gusskörper nach der vorliegenden Erfindung in Dicken von 0,25 mm bis 25 mm oder mehr geschnitten und als Barrieren mit thermischem Gradienten auf 55 verschiedenen Substraten benutzt werden, auf denen die Befestigung durch mechanisches Einführen, Verbolzen usw. erfolgen kann, wie in Diffusoren, Übergangsstücken usw. Andere Verwendungsmöglichkeiten der zerspanbaren Giesskör-per sind z.B. für Formen zum Metallgiessen, als Bestand-6o teile von Gasbrennern, Werkzeuge, Schleifoberflächenplatten und Hochtemperaturbefestigungen.
Die Arten teilchenförmigen Kohlenstoffes, die zur Herstellung der zerspanbaren Gusskörper nach der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden können, sind Kohlenstoff- oder 6J Graphitfasern, carbonisierte Pflanzenfasern, Lampenruss, fein zerteilte Kohle, Holz, Holzkohle usw. Das zusammen mit den Kohlenstoffteilchen einsetzbare teilchenförmige anorganische Material kann z.B. Bornitrid, Aluminiumoxyd, Ma-
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gnesiumoxyd, Siliciumnitrid usw. sein, und zwar mit einer durchschnittlichen Aggregatsgrösse von 1 bis 2000 Jim. Die einzelnen Kristallite oder Unterteilchen, welche die Aggregate bilden, können natürlich beträchtlich kleiner sein.
Die zerspanbaren Gusskörper nach der vorliegenden Erfindung können auch das Reaktionsprodukt von geschmolzenem Silicium und der Mischung aus Kohlenstoff- oder Graphitfasern oder deren Mischungen und des oben beschriebenen anorganischen Materials einschliessen, wobei der Volumenanteil des Kohlenstoffs gegebenenfalls bis zu 50 Vol.-% andere Füllstoffe umfassen kann, wie Siliciumcarbidfasern oder andere Teilchenformen des Siliciumcarbids. Zusätzlich zum Siliciumcarbid können andere Füllstoffmaterialien eingesetzt werden, die mit geschmolzenem Silicium im wesentlichen nicht reagieren und diese schliessen z.B. Aluminiumoxyd- oder Zirkonoxyd-Fäden ein. Es kann vorteilhaft sein, solche Füllstoffmaterialien mit Kohlenstoff zu überziehen, z.B. durch pyrolytische Niederschläge aus kohlenstoffhaltigem Gas oder einer solchen Gasmischung. Der Kohlenstoffüberzug fördert das Benetzen und schafft eine chemische Barriere zwischen dem Oxyd und dem Faden. Die Mischung aus Kohlenstoffaser und anorganischem Material, wie Bornitrid, kann in der Form entweder als freifliessendes Pulver oder als ein starrer Vorformling vorhanden sein, der durch Vermischen des anorganischen Materials und gegebenenfalls irgendeines anderen Füllstoffes mit einem Bindemittel für Graphit- oder Kohlenstoffasern, wie die von der Dylon Company erhältlichen Graphitsuspensionen, hergestellt werden. Nach dem erfindungsgemässen Verfahren werden aus der Kohlenstoffaser und anorganisches Material enthaltenden Mischung Formkörper mit verbesserter Schlagfestigkeit und Abriebsbeständigkeit hergestellt.
In Fig. 1 ist die Vorrichtung zum Herstellen der zerspanbaren Gusskörper nach der vorliegenden Erfindung dargestellt. Man sieht eine Seitenansicht eines Formträgers 10 und eine pul verförmige Siliciummenge 11. Die Infiltration des geschmolzenen Siliciums in die Mischung aus teilchenförmi-gem Kohlenstoff und teilchenförmigem anorganischen Material 13 kann bei Temperaturen von 1400 bis 1700°C durch Dochte 12 erfolgen, die aus Kohlenstoffasern bestehen können wie WYK Litze oder WYB Kabel der Union Carbide Corporation mit typischen Längen von 3 cm. Bei 14 und 15 sind Öffnungen zum Entweichen des heissen Gases vorgesehen, um den Aufbau von Druck in der Form zu vermeiden.
Das Schmelzen des pulverisierten Siliciums kann durch Einstellen der Vorrichtung der Fig. 1 in einen geeigneten Ofen erfolgen. Wenn erwünscht, können Heizspulen um das pulverisierte Silicium gelegt werden. Ein Entformungsmittel, wie Bornitrid, kann auf die Innenwände der Form aufgesprüht werden.
In Fig. 2 ist eine Seitenansicht einer Form mit einem Grundteil 23 aus hitzebeständigem Siliciumcarbid dargestellt, die weiter hitzebeständige Teile aus Silicium/Siliciumcarbid einschliesst. Es sind weiter zusammenhängende sich selbst tragende Vorformlinge 22 aus der Mischung aus Kohlenstoffteilchen und Teilchen des anorganischen Materials gezeigt. Wenn es erwünscht ist, können die zusammenhängenden Vorformlinge in einer Vielzahl von Formen aus Pasten der Mischung der teilchenförmigen Bestandteile unter Anwendung von Standardtechniken und der von der Dylon Company erhältlichen Graphitsuspensionen hergestellt werden. Durch Infiltration des geschmolzenen Siliciums aus dem pul verförmigen Silicium 20 durch die Kohlenstoffdochte 21 kann wieder die Bildung eines Verbundstoffes aus dem hitzebeständigen Grundkörper und einer zerspanbaren, nachgiebigen zusammenhängenden Schicht erfolgen.
In Fig. 3 ist ein weiterer Weg zur Herstellung eines Verbundstoffes an Ort und Stelle veranschaulicht, bei dem ein hitzebeständiger Grundkörper und einer nachgiebigen zer-spannbaren äusseren Schicht gebildet wird. Eine Quelle für geschmolzenes Silicium ist bei 30 gezeigt und Kohlenstofffaserdochte bei 31. Zusammenhängende Schichten aus der Mischung von Kohlenstoffteilchen und Teilchen des anorganischen Materials sind bei 32 gezeigt. Bei 33 ist ein Vorformling aus Kohlenstoffasern gezeigt, der nach Standardtechniken hergestellt werden kann.
Der Begriff «Kohlenstoffasern», wie er in der vorliegenden Anmeldung gebraucht wird, schliesst die oben definierten handelsüblichen Kohlenstoffasern ein. Die Kohlenstofffaser schliesst z.B. hochgfestes Graphit mit einer typischen Zugfestigkeit von etwa 17 600 kg/cm2, einen Modul von 14 X 105 kg/cm2 und einer carbonisierten Dichte von 1,6 g/cm3 ein, wie in der US-PS 3 412 062 beschrieben. Vorzugsweise hat die Kohlenstoffaser eine spezifische Dichte von 1,3 bis 1,5 g/cm3 und schliesst Produkt ein wie die WYK-Litze (braid), das WYB-Kabel (tow) der Union Carbide sowie andere carbonisierte Fasern, wie Kohlenstoffilz. Zusätzlich zu carbonisierten Rayonfasern können irgendwelche anderen Kohlenstoffasern mit einer spezifischen Dichte wie oben angegeben verwendet werden, die von Polymeren oder natürlichen organischen Verbindungen gewonnen werden, z.B. Fasern aus Polyacrylnitril, Polyacetylen, wie in der US-PS 3 852 235 beschrieben, oder aus Polyvinylchlorid, Polyvinyl-acetat usw. Der Begriff «Vorforming», wie er in der vorliegenden Anmeldung benutzt wird, bezeichnet vorzugsweise eine geformte Struktur orientierter Kohlenstoffasern, wie ein vorimprägniertes Material. Um einen Vorformling herzustellen, wird ein Kohlenstoffaser-Kabel, -Litze oder -Gewebe mit geschmolzenem Wachs oder irgendeinem anderen Binder behandelt, wie Zellulosenitrat, kolloidalem Graphit usw.
In Fig. 4 ist eine Grundstruktur 44 gezeigt, die in Berührung steht mit einer vielschichtigen zusammenhängenden nachgiebigen äusseren Struktur bei 42-44. Die Grundstruktur kann aus einem hitzebeständigen Siliciumcarbid bestehen, wie in Fig. 2 gezeigt, oder einem Vorformling aus Kohlenstoffasern, wie in Fig. 3 gezeigt. Die zusammenhängende Schichtstruktur kann aus einer vorgeformten Mischung 42 aus Kohlenstoffteilchen und Teilchen des anorganischen Materials, einer Mittelschicht 43 aus Kohlenstoffaser oder Koh-lenstoffolie und einem anderen Vorformling ähnlich den bei 42 und 44 gezeigten bestehen. Die verbesserte Schlagfestigkeit und Zähigkeit kann der zerspanbaren zusammenhängenden Schicht und der Grundschicht durch Infiltration von geschmolzenem Silicium verliehen werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert. In diesen Beispielen sind alle Teile Gewichtsteile, wenn nichts anderes angegeben ist.
Beispiel 1
Eine Mischung aus 25 Gew.-% oder 20 Vol.-% Bornitrid, wie es von der Carborundum Company unter der Handelsbezeichnung SHP-40 erhältlich ist, und 75 Gew.-% oder 80 Vol.-% einer Graphitsuspension, wie sie mit der Qualitätsbezeichnung AE von der Dylon Company erhältlich ist, wurde zu einer dicken Paste vermischt. Die Paste wurde auf ein flaches Rechteck mit einer Dicke von etwa 3 mm aufgebracht und an der Luft trocknen gelassen.
Aus Armco Speer 580-Graphit mit einer anfänglichen Dicke von etwa 18 mm wurde eine Form durch Zerspanen hergestellt, indem man einen Hohlraum in der Form von etwa 3 X 3 X 75 mm herstellte. Die Innenseite des Hohlraumes in der Form wurde danach mit einem Bornitrid-Aerosol überzogen. Die obige Mischung aus Bornitrid und Graphit wurde dann zu der erforderlichen Grösse geschnitten und in die Form eingeführt. Ein Kohlenstofftiegel mit einem Innendurchmesser von etwa 31 mm und einer Höhe von etwa
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50 mm mit einem etwa 3 mm Durchmesser aufweisenden Loch, das in den Boden eingebohrt war und einem Docht aus Kohlenstoffasern, der sich durch das Loch erstreckte, wurde auf der Form oben angeordnet. Der Kohlenstoffaser-docht war eine WYK-Litze der Union Carbide und erstreckte sich für etwa 3 mm über das Obere des Loches heraus und berührte auch die vorbeschriebene Mischung in der Form. Der Tiegel wurde dann mit festen Siliciumstücken gefüllt, wobei man etwa 15% mehr Silicium verwendete, als zur Füllung des Formhohlraumes im geschmolzenen Zustand erforderlich war. Das Ganze wurde in einen Widerstandsofen überführt, in dem ein Vakuum von 1 X 10~2 Torr eingestellt wurde. Man erhitzte das Ganze auf etwa 1600°C. Dabei wurde festgestellt, dass die Mischung in der Form unmittelbar mit dem geschmolzenen Silicium reagierte. Nach dem Erreichen der 1600°C wurde das Ganze noch etwa 15 Minuten im Ofen belassen. Dann liess man die Form sich abkühlen und nahm das erhaltene Teil aus der Form heraus. Man erhielt ein Gussteil mit den gleichen Abmessungen wie die ursprüngliche Mischimg aus Bornitrid und Graphit.
Nach dem Herstellungsverfahren war das Gussteil das durch Infiltration erhaltene Reaktionsprodukt von geschmolzenem Silicium und einer Mischung aus 25 Gew.-% Bornitrid und 75 Gew.-% Graphit. Die Dichte des Gusskörpers betrug 2,1 g/cm3. Dann klemmte man den Gusskörper in eine Schraubstockklemme und schnitt mit einer Stahlsäge einen Probekörper von etwa 3 X 37 X 3 mm. Es wurde festgestellt, dass der Gusskörper leicht zerspanbar war und der übrige Teil des Gusskörpers konnte leicht mit einer Stahlfeile ausgefeilt werden.
Eine etwa 25 X 50 X 3 mm grosse flache Platte aus dem obigen zerspanbaren Giesskörper wurde als eine zusammenhängende Schicht auf einem etwa 25 X 50 X 12,5 mm grossen Block aus Siliciumcarbid angeordnet. Beides wurde zusammen in einem Ofen in einer inerten Atmosphäre für 15 Minuten auf eine Temperatur von 1500°C erhitzt. Beim Abkühlen erhielt man einen Verbundstoff, bei dem der zerspanbare Gusskörper integral an den hitzebeständigen Grundkörper aus Siliciumcarbid geschweisst war.
Um die Schlagfestigkeit eines etwa 25 X 50 X 12,5 mm grossen Blockes aus Siliciumcarbid mit der des vorgenannten Verbundstoffes zu vergleichen, wurde ein Schlagtest ausgeführt. Die Schlagbeständigkeit wurde bestimmt durch Beaufschlagen der Testprobe mit einer 4,5 mm grossen Kugel mit einer Geschwindigkeit von 200 m pro Sekunde und einem Einfallwinkel von etwa 80°. Dabei wurde festgestellt, dass der Verbundstoff aus Siliciumcarbid mit dem darauf ge-schweissten zerspanbaren Gusskörper eine bessere Schlagfestigkeit hatte, als der Siliciumcarbidgrundkörper ohne eine solche zusammenhängende Schicht aus dem zerspanbaren Gusskörper.
Beispiel 2
Mischungen aus Graphit und Bornitrid wurden nach dem Verfahren des Beispiels 1 hergestellt, um Platten mit einer Dicke von etwa 3 mm daraus zu bilden. Dann wurde aus einem Speer 580-Graphit gemäss dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren eine Form hergestellt, indem man aus dem Graphit einen Hohlraum von etwa 25 X 75 X 2,5 mm herausarbeitete. Die Form wurde im Inneren mit Bornitrid überzogen. Dann wurde ein Siliciumcarbidteil in der Form angeordnet, das von vorgeformten Streifen aus Graphit und Bornitrid umgeben war, die man zurechtgeschnitten hatte und die die Form vollständig füllten. Wie in Fig. 2 gezeigt, wurden drei Löcher, die je einen Durchmesser von etwa 3 mm hatten, in den oberen Teil der Form geschnitten, sowie mehrere Abgaslöcher wurden in den unteren Teil der Form gebohrt. In die Löcher im oberen Teil der Form steckte man Dochte aus Kohlenstoffasern, die sich bis zu etwa 3 mm oberhalb des oberen Teiles der Form erstreckten und gleichzeitig in Berührung mit den Streifen aus Bornitrid und Graphit innerhalb der Form standen. Dann füllte man teilchen-förmiges Silicium in den Hohlraum oberhalb des oberen Teiles der Form, wobei man einen 15% igen Überschuss über das Volumen verwendete, das erforderlich war, um in geschmolzener Form die Form vollständig zu infiltrieren.
Wie in Beispiel 1 beschrieben, wurden die Form und die Tragstruktur in einen Ofen eingebracht und bis zu einer Temperatur von 1600°C erhitzt. Nach der Umwandlung des Siliciums in die geschmolzene Form fand die Infiltration augenblicklich statt. Nach etwa 15 Minuten bei 1600°C liess man die Form sich abkühlen.
Die Herausnahme des gebildeten Teiles aus der Form war leicht möglich, da man die Innenwand der Form vor dem Füllen mit dem Siliciumcarbidteil und den Kohlenstoffbornitridstreifen mit Bornitrid besprüht hatte. Nach dem Herstellungsverfahren hatte man einen Verbundstoff aus einem hitzebeständigen Grundkörper aus Siliciumcarbid mit einer etwa 3 mm dicken zusammenhängenden Schicht aus dem durch Infiltration erhaltenen Reaktionsprodukt aus geschmolzenem Silicium und einer Mischung aus Graphit und Bornitrid erhalten. Es wurde festgestellt, dass die zusammenhängende Schicht integral mit dem Grundkörper aus hitzebeständigem Siliciumcarbid verbunden war.
Die Schlagfestigkeit des im Beispiel 2 erhaltenen Verbundkörpers war im wesentlichen die gleiche wie die Schlagfestigkeit des gemäss Beispiel 1 erhaltenen Verbundkörpers. Zusätzlich zu der verbesserten Schlagfestigkeit erwies sich die zusammenhängende Schicht als leicht zerspanbar, wie sich bei Verwendung eines Diamantsägeblattes zeigte, das mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,12 bis 12,5 mm pro Sekunde in die Oberfläche der Schicht eindringen konnte. Die Diamantscheibe hatte einen Durchmesser von etwa 10 cm, eine Breite von etwa 9 mm, eine Diamantteilchengrösse von etwa 0,1 mm, sie rotierte mit einer Geschwindigkeit von etwa 5500 Umdrehungen pro Minute; bei einer Tiefe von etwa 0,05 mm und einer Schneidgeschwindigkeit von etwa 5 mm pro Sekunde wurden Zugkräfte von 90 bis 600 g angewandt.
Beispiel 3
Aus Kohlenstoffgewebe geringen Moduls, das unter der Handelsbezeichnung WCA von der Union Carbide Corporation erhältlich ist, wurde ein Vorformling aus Kohlenstofffasern hergestellt, wobei man eine wässrige kolloidale Suspension von Graphit als Binder benutzte. Der Vorformling aus Kohlenstoffaser wurde ähnlich dem in Fig. 3 gezeigten durch maschinelles Bearbeiten in die richtige Form gebracht. Nach der Prozedur des Beispiels 2 wurden Streifen aus Bornitrid/ Graphit-Mischung, die zu einer Dicke von etwa 3 mm geformt worden waren, in dem etwa 25 X 75 X 2,5 mm grossen Hohlraum einer Form angeordnet, den man zuvor mit Bornitrid überzogen hatte und der aus Speer 580-Graphit herausgearbeitet worden war. Den Raum oberhalb der Form belud man mit Siliciumpulver.
Nach dem in Beispiel 2 beschriebenen Verfahren ergab die Infiltration der Form mit geschmolzenem Silicium einen Verbundstoff mit einer Grundstruktur aus Silicium/Siliciumcarbid und einer zusammenhängenden äusseren Schicht aus dem Reaktionsprodukt des geschmolzenen Siliciums und einer Mischung aus Graphit und Graphit/Bornitrid. Die Schlagfestigkeit des vorgenannten Verbundstoffes wurde wie in Beispiel 1 beschrieben getestet und es zeigte sich, dass sie gegenüber einem hitzebeständigen Formkörper aus Silicium/ Siliciumcarbid verbessert war, den man in der gleichen Form,
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aber ohne die äussere zusammenhängende Schicht aus Graphit und Bornitrid hergestellt hatte, wobei ein entsprechend grösserer Vorformling aus Kohlenstoffasern verwendet werden könnte, um den Hohlraum der Form vollständig zu füllen.
Beispiel 4
Wie in Fig. 4 gezeigt, wurde eine Form vertikal ausgearbeitet, um sie an einen Vorformling aus Kohlenstoffasern in der Form benachbart zu einer vielschichtigen zusammenhängenden Struktur anzupassen, die aus Kohlenstoffgewebe in Sandwichform zwischen zwei Streifen aus einer Mischung aus Graphit und Bornitrid bestand, die man gemäss Beispiel 1 hergestellt hatte. Vor dem Einlegen des Vorform-lings aus Kohlenstoffasern und der vorgenannten zusammenhängenden Vielschichtstruktur war die Form innen mit Bornitrid in einer üblichen Weise überzogen worden. Die Infiltration des geschmolzenen Siliciums wurde nach dem Verfahren des Beispiels 2 bewirkt. Nach dem Abkühlen wurde ein Verbundstoff teil aus der Form herausgenommen. Es wur-5 de festgestellt, dass die Infiltration des geschmolzenen Siliciums in den zusammenhängenden Schichten aus Graphit und Bornitrid sowie in dem Vorformling aus Kohlenstofffasern erfolgte. Die Infiltration erfolgte auch in der Zwischenschicht aus Kohlenstoffgewebe, die einen Bestandteil io der vielschichtigen zusammenhängenden Struktur bildete. Es wurde weiter festgestellt, dass die zusammenhängende Schicht auf dem hitzebeständigen Substrat aus Silicium/Siliciumcarbid etwas zäher und weniger zerspanbar war als die zusammenhängende Schicht des Beispiels 2. Die Schlagbe-15 ständigkeit des erhaltenen Verbundstoffes war besser als die des Verbundstoffes, der gemäss Beispiel 2 erhalten wurde.
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1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen von zerspanbaren Gusskörpern mit einer Dichte von 1,6 bis 2,7 g/cm3, dadurch gekennzeichnet, dass man sie als Reaktionsprodukt durch Infiltration von geschmolzenem Silicium und einer im wesentlichen gleichförmigen Mischung erhält, die folgende Bestandteile in VoI.-% umfasst:
(A) 45 bis 90 teilchenförmigen Kohlenstoffs, in welchem Volumenanteil der Kohlenstoff gegebenenfalls bis zur Hälfte in Form von Siliciumcarbid vorliegt und
(B) 10 bis 55 eines teilchenförmigen anorganischen Materials, das gegenüber geschmolzenem Silicium bei Temperaturen bis zu 1600°C im wesentlichen inert ist
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man als anorganisches Material Bornitrid vorsieht.
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PATENTANSPRÜCHE
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man den teilchenförmigen Kohlenstoff in Form von Kohlenstoffasern vorsieht.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man den teilchenförmigen Kohlenstoff in Form einer Mischung aus Kohlenstoffasern und Siliciumcarbid-Teilchen vorsieht.
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IT (1) | IT1075555B (de) |
NL (1) | NL184316C (de) |
NO (2) | NO145006C (de) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4109050A (en) * | 1976-12-09 | 1978-08-22 | General Electric Company | Coated silicon-based ceramic composites and method for making same |
US4177047A (en) * | 1978-07-27 | 1979-12-04 | Joy Manufacturing Company | Electrostatic precipitators |
EP0009148B1 (de) * | 1978-09-02 | 1983-03-02 | Schunk & Ebe GmbH | Gelenkendoprothese |
US4220455A (en) * | 1978-10-24 | 1980-09-02 | General Electric Company | Polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body and process for making said body |
DE2852410C2 (de) * | 1978-12-04 | 1981-12-03 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliciumcarbid-Formkörpern |
US4238433A (en) * | 1978-12-15 | 1980-12-09 | General Electric Company | Method of making molten silicon infiltration reaction products |
US4247304A (en) * | 1978-12-29 | 1981-01-27 | General Electric Company | Process for producing a composite of polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body and substrate phases |
US4353953A (en) * | 1978-12-29 | 1982-10-12 | General Electric Company | Integral composite of polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body phase and substrate phase |
IE49733B1 (en) * | 1978-12-29 | 1985-12-11 | Gen Electric | Integral composite of polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body phase and substrate phase and process for making it |
US4275095A (en) * | 1979-07-31 | 1981-06-23 | Warren Consultants, Inc. | Composite article and method of making same |
US4536442A (en) * | 1979-08-23 | 1985-08-20 | General Electric Company | Process for making diamond and cubic boron nitride compacts |
FR2473037A1 (fr) * | 1980-01-02 | 1981-07-10 | Europ Propulsion | Procede de fabrication d'une structure en carbure de silicium et texture multidirectionnelle en carbure de silicium |
US4385020A (en) * | 1980-03-27 | 1983-05-24 | General Electric Company | Method for making shaped silicon-silicon carbide refractories |
US4453951A (en) * | 1980-07-09 | 1984-06-12 | General Electric Co. | Process for the production of silicone carbide composite |
US4417906A (en) * | 1980-07-09 | 1983-11-29 | General Electric Company | Process for production of silicon carbide composite |
US4353963A (en) * | 1980-12-17 | 1982-10-12 | General Electric Company | Process for cementing diamond to silicon-silicon carbide composite and article produced thereby |
US4448591A (en) * | 1981-01-21 | 1984-05-15 | General Electric Company | Cutting insert having unique cross section |
US4381271A (en) * | 1981-02-02 | 1983-04-26 | General Electric Company | Use of fired fibrous graphite in fabricating polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride/silicon carbide/silicon composite bodies |
DE3108259C2 (de) * | 1981-03-05 | 1984-06-28 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbidkörpern |
US4606738A (en) * | 1981-04-01 | 1986-08-19 | General Electric Company | Randomly-oriented polycrystalline silicon carbide coatings for abrasive grains |
JPS58104067A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-21 | 信越化学工業株式会社 | 耐アルカリ性炭化けい素焼結体とその製造方法 |
US4460382A (en) * | 1981-12-16 | 1984-07-17 | General Electric Company | Brazable layer for indexable cutting insert |
US4698070A (en) * | 1981-12-16 | 1987-10-06 | General Electric Company | Cutting insert for interrupted heavy machining |
US4544517A (en) * | 1981-12-16 | 1985-10-01 | General Electric Co. | Automatic composite press technique for producing cutting inserts |
GB2137975B (en) * | 1983-04-12 | 1986-09-17 | Atomic Energy Authority Uk | Joining silicon carbide bodies |
EP0134254B1 (de) * | 1983-07-29 | 1986-11-20 | Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus Silicium infiltriertem, reaktionsgebundenem Siliciumcarbid |
GB8323994D0 (en) * | 1983-09-07 | 1983-10-12 | Atomic Energy Authority Uk | Reaction-bonded silicon carbide artefacts |
US4971851A (en) * | 1984-02-13 | 1990-11-20 | Hewlett-Packard Company | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows |
US4737328A (en) * | 1985-07-29 | 1988-04-12 | General Electric Company | Infiltration of material with silicon |
US4626516A (en) * | 1985-07-31 | 1986-12-02 | General Electric Company | Infiltration of Mo-containing material with silicon |
US4789506A (en) * | 1986-11-07 | 1988-12-06 | Gas Research Institute | Method of producing tubular ceramic articles |
US5015540A (en) * | 1987-06-01 | 1991-05-14 | General Electric Company | Fiber-containing composite |
DE3719606A1 (de) * | 1987-06-12 | 1988-12-22 | Hoechst Ceram Tec Ag | Verfahren zur silicierung von poroesen formkoerpern aus siliciumcarbid oder siliciumcarbid/kohlenstoff |
US4944904A (en) * | 1987-06-25 | 1990-07-31 | General Electric Company | Method of obtaining a fiber-containing composite |
US5021367A (en) * | 1987-06-25 | 1991-06-04 | General Electric Company | Fiber-containing composite |
JPS6440291U (de) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | ||
US5330854A (en) * | 1987-09-24 | 1994-07-19 | General Electric Company | Filament-containing composite |
US5043303A (en) * | 1987-09-28 | 1991-08-27 | General Electric Company | Filament-containing composite |
US4886682A (en) * | 1987-12-14 | 1989-12-12 | General Electric Company | Process for producing a filament-containing composite in a ceramic matrix |
US4931311A (en) * | 1987-12-21 | 1990-06-05 | General Electric Company | Method of obtaining a filament-containing composite with a boron nitride coated matrix |
US5004034A (en) * | 1988-11-10 | 1991-04-02 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of surface bonding materials together by use of a metal matrix composite, and products produced thereby |
US5387299A (en) * | 1988-12-27 | 1995-02-07 | General Electric Company | Ceramic composite containing coated fibrous material |
US4981822A (en) * | 1989-02-17 | 1991-01-01 | General Electric Company | Composite containing coated fibrous material |
US5336350A (en) * | 1989-10-31 | 1994-08-09 | General Electric Company | Process for making composite containing fibrous material |
US5432253A (en) * | 1989-12-18 | 1995-07-11 | General Electric Company | Composite containing fibrous material |
AU8305191A (en) * | 1990-05-09 | 1991-11-27 | Lanxide Technology Company, Lp | Rigidized filler materials for metal matrix composites |
US5316851A (en) * | 1991-06-12 | 1994-05-31 | General Electric Company | Silicon carbide composite with metal boride coated fiber reinforcement |
EP0519641A1 (de) * | 1991-06-17 | 1992-12-23 | General Electric Company | Siliziumcarbid-Verbundwerkstoff verstärkt mit beschichteten Fasern und Verfahren zur Herstellung |
EP0519644B1 (de) * | 1991-06-17 | 1996-12-11 | General Electric Company | Siliziumcarbid-Verbundwerkstoff verstärkt mit Metallnitrid beschichteten Fasern |
US5580834A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-03 | The Morgan Crucible Company Plc | Self-sintered silicon carbide/carbon graphite composite material having interconnected pores which may be impregnated and raw batch and process for producing same |
US5422322A (en) * | 1993-02-10 | 1995-06-06 | The Stackpole Corporation | Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same |
US5628938A (en) * | 1994-11-18 | 1997-05-13 | General Electric Company | Method of making a ceramic composite by infiltration of a ceramic preform |
US5968653A (en) * | 1996-01-11 | 1999-10-19 | The Morgan Crucible Company, Plc | Carbon-graphite/silicon carbide composite article |
US6024898A (en) * | 1996-12-30 | 2000-02-15 | General Electric Company | Article and method for making complex shaped preform and silicon carbide composite by melt infiltration |
US6398991B1 (en) | 1998-06-25 | 2002-06-04 | Coorstek, Inc. | Processes for making a silicon carbide composition |
JP3722188B2 (ja) | 1999-01-28 | 2005-11-30 | 石川島播磨重工業株式会社 | セラミックス基複合部材及びその製造方法 |
US6403158B1 (en) | 1999-03-05 | 2002-06-11 | General Electric Company | Porous body infiltrating method |
US6335105B1 (en) | 1999-06-21 | 2002-01-01 | General Electric Company | Ceramic superalloy articles |
US7658781B1 (en) | 1999-07-23 | 2010-02-09 | Marlene Rossing, legal representative | Silicon-containing composite bodies, and methods for making same |
US6503572B1 (en) | 1999-07-23 | 2003-01-07 | M Cubed Technologies, Inc. | Silicon carbide composites and methods for making same |
US20090130435A1 (en) | 1999-07-23 | 2009-05-21 | Aghajanian Michael K | Intermetallic-containing composite bodies, and methods for making same |
US20050181209A1 (en) * | 1999-08-20 | 2005-08-18 | Karandikar Prashant G. | Nanotube-containing composite bodies, and methods for making same |
US6395203B1 (en) | 1999-08-30 | 2002-05-28 | General Electric Company | Process for producing low impurity level ceramic |
US8128861B1 (en) | 2000-07-21 | 2012-03-06 | M Cubed Technologies, Inc. | Composite materials and methods for making same |
US6503441B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-01-07 | General Electric Company | Method for producing melt-infiltrated ceramic composites using formed supports |
DE10212043B4 (de) * | 2002-03-19 | 2005-05-25 | Sgl Carbon Ag | Verfahren zur Infiltration von porösen Kohlenstoffverbundkörpern, Dochte aus Kohlenstoffmaterial und ihre Verwendung |
DE10231278A1 (de) * | 2002-07-10 | 2004-02-05 | Sgl Carbon Ag | Keramische Verbundkörper |
US6774073B2 (en) | 2002-07-29 | 2004-08-10 | Coorstek, Inc. | Graphite loaded silicon carbide and methods for making |
KR100520435B1 (ko) * | 2003-01-30 | 2005-10-11 | 한국과학기술원 | 탄소/탄소 복합재료의 내산화 코팅방법 |
KR100520436B1 (ko) * | 2003-01-30 | 2005-10-11 | 한국과학기술원 | 탄소/탄소 복합재료의 내산화 복합코팅방법 |
FR2851244B1 (fr) * | 2003-02-17 | 2005-06-17 | Snecma Propulsion Solide | Procede de siliciuration de materiaux composites thermostructuraux et pieces telles qu'obtenues par le procede |
US20060062985A1 (en) * | 2004-04-26 | 2006-03-23 | Karandikar Prashant G | Nanotube-containing composite bodies, and methods for making same |
FR2869609B1 (fr) * | 2004-05-03 | 2006-07-28 | Snecma Propulsion Solide Sa | Procede de fabrication d'une piece en materiau composite thermostructural |
FR2872072B1 (fr) * | 2004-06-24 | 2006-09-29 | Snecma Propulsion Solide Sa | Procede de brasage de pieces en materiau composite thermostructural siliciure |
US8927101B2 (en) * | 2008-09-16 | 2015-01-06 | Diamond Innovations, Inc | Abrasive particles having a unique morphology |
US9751807B2 (en) * | 2012-08-16 | 2017-09-05 | General Electric Company | Consumable core for manufacture of composite articles and related method |
US9598321B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-21 | Rolls-Royce Corporation | Melt infiltration wick attachment |
EP2970030B1 (de) | 2013-03-15 | 2019-12-25 | Rolls-Royce Corporation | Schmelzinfiltrationsvorrichtung und verfahren für metallschmelzekontrolle |
CN111848201B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-09-02 | 西安超码科技有限公司 | 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB713710A (en) * | 1952-06-17 | 1954-08-18 | Arthur Abbey | Improvements in or relating to refractory carbon articles |
US2887393A (en) * | 1956-03-12 | 1959-05-19 | Carborundum Co | Refractory bodies containing boron nitride |
US2943008A (en) * | 1956-07-17 | 1960-06-28 | Electro Refractories & Abrasiv | Refractory articles |
US3035325A (en) * | 1958-02-21 | 1962-05-22 | Carborundum Co | Method of making silicon carbide bodies |
US2992127A (en) * | 1958-12-23 | 1961-07-11 | Texas Instruments Inc | Novel graphite articles and method of making |
US3095316A (en) * | 1959-09-30 | 1963-06-25 | Union Carbide Corp | Process for coating carbonaceous articles with silicon dioxide |
US3131089A (en) * | 1961-01-25 | 1964-04-28 | Union Carbide Corp | Carbon article coated with boron carbide and boron nitride, and process of making the same |
US3246275A (en) * | 1962-06-18 | 1966-04-12 | Kanthal Ab | Electric resistance elements of silicon carbide and metal silicide |
US3458341A (en) * | 1964-08-10 | 1969-07-29 | Gen Electric | Metal boride-metal carbide-graphite deposition |
US3364975A (en) * | 1964-11-24 | 1968-01-23 | Monsanto Co | Process of casting a molten metal with dispersion of fibrous form of beta silicon carbide |
US3462340A (en) * | 1965-07-28 | 1969-08-19 | Us Air Force | Fiber-containing pyrolytic composite material |
US3672936A (en) * | 1968-04-18 | 1972-06-27 | Carborundum Co | Reinforced carbon and graphite articles |
US3796564A (en) * | 1969-06-19 | 1974-03-12 | Carborundum Co | Dense carbide composite bodies and method of making same |
US3725015A (en) * | 1970-06-08 | 1973-04-03 | Norton Co | Process for forming high density refractory shapes and the products resulting therefrom |
US3649432A (en) * | 1970-07-13 | 1972-03-14 | Monsanto Co | Corrugated board constructions |
US3955038A (en) * | 1973-04-09 | 1976-05-04 | Sandvik Aktiebolag | Hard metal body |
US4035541A (en) * | 1975-11-17 | 1977-07-12 | Kennametal Inc. | Sintered cemented carbide body coated with three layers |
-
1976
- 1976-02-23 US US05/660,261 patent/US4120731A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-01-28 FR FR7702358A patent/FR2341534A1/fr active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1556881A (en) | 1979-11-28 |
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FR2341534B1 (de) | 1982-10-15 |
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IT1075555B (it) | 1985-04-22 |
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NL184316B (nl) | 1989-01-16 |
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DE2707299C2 (de) | 1989-03-02 |
FR2341534A1 (fr) | 1977-09-16 |
NO145006B (no) | 1981-09-14 |
US4148894A (en) | 1979-04-10 |
NO800678L (no) | 1977-08-24 |
CH641750A5 (de) | 1984-03-15 |
JPS61251577A (ja) | 1986-11-08 |
JPS52121614A (en) | 1977-10-13 |
US4120731A (en) | 1978-10-17 |
DE2707299A1 (de) | 1977-09-15 |
BE851054A (fr) | 1977-08-03 |
JPS6141871B2 (de) | 1986-09-18 |
CA1096895A (en) | 1981-03-03 |
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