CH633744A5 - Verfahren zum herstellen von scheiben aus einem harten einkristall-rohling mittels einer innenlochsaege. - Google Patents

Verfahren zum herstellen von scheiben aus einem harten einkristall-rohling mittels einer innenlochsaege. Download PDF

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CH633744A5
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CH (1) CH633744A5 (US20030204162A1-20031030-M00001.png)
DE (1) DE2819420A1 (US20030204162A1-20031030-M00001.png)
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