CH626746A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- CH626746A5 CH626746A5 CH917678A CH917678A CH626746A5 CH 626746 A5 CH626746 A5 CH 626746A5 CH 917678 A CH917678 A CH 917678A CH 917678 A CH917678 A CH 917678A CH 626746 A5 CH626746 A5 CH 626746A5
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- substrate
- capillary
- film
- coated
- doping
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/007—Pulling on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/06—Non-vertical pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/914—Crystallization on a continuous moving substrate or cooling surface, e.g. wheel, cylinder, belt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
La présente invention concerne un procédé pour déposer du silicium cristallin, dopé N ou P ou non, en films minces sur des substrats graphités.
Dans l'industrie électronique on utilise fréquemment des dispositifs, tels les transistors, les cellules photovoltaïques, les microcircuits, dans lesquels du silicium cristallin est déposé à la surface d'un corps graphité, en général appelé «substrat», en film mince.
On ne disposait pas, jusqu'à présent, de procédé satisfaisant pour déposer sur du graphite du silicium cristallin en film mince, mais ayant toutefois une épaisseur convenable de l'ordre de 300 microns, et régulière.
Il est connu de déposer en phase vapeur certains composés, tels le silicium sur différents substrats comme par exemple le saphir, le spinelle et le graphite.
Ce procédé de dépôt en phase vapeur ne permet d'obtenir que des films beaucoup trop minces, de l'ordre de 1 à 10 microns. Un autre procédé, appelé procédé par diffusion, consiste à déposer le corps cristallin à la surface du substrat sur lequel il cristallise. Ce procédé conduit également à des films ayant une épaisseur beaucoup trop faible, de l'ordre de 1 micron. De plus, dans le cas de corps cristallins tels le silicium,
il se produit avec un tel procédé une attaque chimique systématique de tous les substrats.
Un procédé récent de LEP, ayant fait l'objet d'un article intitulé «Croissance de couches de silicium polycristallin sur des substrats en carbone pour application aux cellules solaires» aux pages 191-198 du compte-rendu du Colloque sur l'Energie Solaire du 1er au 5 Mars 1976 à Toulouse, concerne le dépôt de silicium sur un substrat de graphite. Il consiste à tremper le substrat de graphite dans un bain de silicium et à tirer ce substrat selon un angle déterminé avec l'horizontale. Il est difficile avec un tel système de maintenir constante l'épaisseur du dépôt. Il est également difficile de rendre un tel procédé continu. Ce procédé implique en outre le maintien d'une quantité assez importante de silicium fondu dans le creuset, ce qui est onéreux.
Outre les inconvénients mentionnés ci-dessus, aucun des procédés de la technique antérieure ne permet de déposer côte à côte des couches de composés différents ou de composition différente d'un même composé. Aucun de ces procédés ne permet non plus le dépôt d'un film,ayant une composition variable, continûment ou selon un programme donné. Il est
5
10
ts
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
3
626 746
par ailleurs très difficile, sinon impossible, avec les procédés de l'art antérieur d'effectuer un dépôt multicouche, c'est-à-dire comportant plusieurs couches les unes sur les autres. Or, il peut être intéressant de disposer de films déposés sur un substrat graphité et constitués de bandes Si dopé N et Si dopé P alternées, ou bien de films multicouche à couches Si dopé -Si dopé N alternées, ou bien encore de films de silicium cristallin à dopage continûment variable.
Un objet de la présente invention est de fournir un procédé continu de dépôt de films de silicium cristallin sur des substrats graphités.
Un objet de l'invention est encore de fournir un procédé permettant de déposer sur le substrat graphité un film de silicium ayant un dopage de composition variable.
Un autre objet de l'invention est de fournir un procédé permettant de déposer côte à côte sur le substrat des bandes de silicium de dopage différent ou de dopage de composition différente.
Un autre objet de l'invention est encore de fournir un procédé permettant d'obtenir facilement des dépôts multicouche.
Le procédé de dépôt en continu de silicium cristallin en films minces sur un substrat graphité, selon la présente invention, consiste à:
la présente invention consiste à:
a) placer la matière de silicium cristallin dans un creuset comportant à sa partie inférieure un orifice capillaire d'axe vertical ayant une hauteur supérieure ou égale à la heuteur de rétention dans ledit capillaire de ladite matière fondue, à la température et à la pression considérées;
b) porter ladite matière à une température supérieure à son point de fusion;
c) amener ledit substrat préchauffé au contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure dudit orifice capillaire;
d) déplacer ledit substrat à vitesse convenable dans une direction constante déterminée faisant un angle compris entre 0 et 60° avec l'horizontale;
e) enlever à intervalles de temps choisies le substrat revêtu de silicium cristallin.
Pour obtenir le dépôt d'un film ayant un dopage de composition variable, il suffit de faire varier de façon prédéterminée le dopage de la matière de silicium alimentée dans le creuset.
Le procédé de dépôt en continu sur un substrat d'un film mince constitué par des bandes côte à côte de silicium de dopage différent ou de dopage de composition différente selon la présente invention consiste à :
a) placer chaque matière de silicium de dopage différent ou de dopage de composition différente dans des creusets distincts comportant chacun à leur partie inférieure un orifice capillaire ayant une hauteur supérieure ou égale à la heuteur de rétention dans ledit capillaire de la matière qui y est contenue à l'état fondu, à la température et à la pression considérée, les axes de tous Iesdits orifices capillaires étant verticaux et ayant une longueur sensible égale;
b) porter la matière de chacun desdits creusets à une température supérieure à son point de fusion;
c) amener ledit substrat préchauffé au contact des gouttes pendantes formées à la partie inférieure desdits orifices capillaires;
d) déplacer ledit substrat à vitesse convenable dans une direction constante déterminée se trouvant dans un plan parallèle aux dits axes desdits orifices capillaires;
e) enlever à intervalles de temps choisies le substrat revêtu du film à bandes côte à côte.
Le procédé de dépôt en continu d'un film mince multicouche de silicium sur un substrat graphité selon la présente invention consiste à:
a) plaer la matière de silicium devant constituer les différentes couches dans des creusets distincts comportant chacun à leur partie inférieure un orifice capillaire ayant une hauteur supérieure ou égale à la hauteur de rétention de la matière qui y est contenue à l'état fondu, à la température et à la pression considérées, les axes de tous Iesdits orifices capillaires étant verticaux;
b) porter la matière de chacun desdits creusets à son point de fusion;
c) amener ledit substrat préchauffé au contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure de l'orifice capillaire du premier creuset;
d) déplacer ledit substrat ainsi revêtu de la première couche dans une direction déterminée faisant un angle compris entre
0 et 60° avec l'horizontale jusqu'à l'amener en contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure du deuxième capillaire;
e) continuer l'opération jusqu'à ce que le substrat soit amené au contact de la goutte pendante formée à l'orifice du dernier capillaire;
f) enlever le subsrat ainsi revêtui de plusierus couches superposées.
Le dispositif utilisé pour le dépôt d'un corps cristallin en film mince sur un substrat, selon la présente invention, est par exemple celui décrit dans la demande de brevet français de la titulaire No 75.24770, publiée sous le No 2.321.326.
L'extrémité du capillaire peut avoir différentes formes appropriées, telles que celles décrites dans la demande de brevet 75.24770 précitée; les lèvres inférieures de l'orifice capillaire peuvent se trouver au même niveau horizontal ou non.
Le préchauffage du substrat est effectué par exemple par induction HF.
On peut prévoir facultativement un post chauffage du substrat revêtu, ce post chauffage pouvant être effectué par les mêmes moyens que le préchauffage.
Toute l'opération de revêtement se déroule dans une atmosphère appropriée, par exemple sous argon ou hélium exempt d'oxygène.
Facultativement on dépose un germe sur le substrat, à l'extrémité de laquelle commence le dépôt de façon à ce que le liquide de la goutte pendante vienne à son contact et qu'ainsi le cristal formé en couche d'oriente selon ce germe.
La vitesse de déplacement du substrat est comprise entre
1 mm/mn et 100 mm/mn.
La présente invention sera à présent décrite en se référant aux figures 1,2 et 3 annexées représentant schématiquement le dépôt d'un film de silicium cristallin sur un substrat graphité selon l'invention.
La figure 1 schématise le dépôt d'un film avec déplacement du substrat horizontalement. La figure 2 schématise le dépôt d'un film avec déplacement selon une direction y. La figure 3 schématise le dépôt d'un film sur un substrat possédant un germe à l'extrémité à laquelle commence le dépôt, avec déplacement du substrat selon l'horizontale.
Dans les figures 1,2 et 3, la matière (1) du silicium cristallin se trouve à l'état fondu dans le creuset (2). Elle s'écoule par le capillaire (3) jusqu'à former une goutte pendante venant au contact du substrat (4) préchauffé au moyen du préchauffeur (5).
La longueur 1P du p1 capillaire est définie par la formule:
1^1 Six
• cos a
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
626 746
4
Dans cette formule, a signifie l'angle de déplacement du substrat avec l'horizontale, li la longueur du 1er capillaire, p le pème capillaire, 1P la longueur du pème capillaire, 2 étant l'indice de sommation. La formule partielle comportant 2 signifie que l'on fait la somme des longueurs lx depuis x = 1 jusqu'à x = p—1.
Le substrat est déplacé selon la direction y et il s'y dépose un film (6) de silicium cristallin.
Dans la figure 3, le germe placé à l'extrémité du substrat à laquelle commence le dépôt est identifié par (7).
Par le procédé décrit, on peut par exemple réaliser un film constitué de bandes Si-N et Si-P alternées, ou bien multicouche à couches Si-N — Si-P alternées, ou bien un film de silicium ayant un dopage de composition continûment variable.
Les substrats graphités revêtus de silicium cristallin sont le constituant principal des cellules photovoltaïques.
L'exemple suivant illustre l'invention.
Exemple
Dépôt de silicium sur un substrat graphité haute densité
On utilise un creuset en graphite ayant un filière de 25 mm de large et un orifice capillaire dont l'alésage est s 0,7 mm X 24,5 mm.
La largeur du substrat graphite est de 25 mm et son épaisseur est d'environ 1 mm.
La température du Si liquide en bas de la goutte pendante est 1425 °C ± 0,5 °C.
io On alimente le Si en poudre à raison de 18 g/h.
Après avoir amené le substrat préchauffé à 410° C, situé à 0,3 mm en dessous de la filière, au contact de la goutte pendante formée en bas du capillaire, on le déplace horizontalement à une vitesse de 1 cm/mn.
15
On obtient sur le substrat un dépôt d'un film de silicium ayant une épaisseur de 0,3 mm ± 0,03 mm.
B
1 feuille dessins
Claims (11)
1. Procédé de dépôt en continu d'un film de silicium cristallin sur un substrat graphité, caractérisé en ce que a) on place la matière de silicium cristallin dans un creuset comportant à sa partie inférieure un orifice capillaire d'axe vertical ayant une longueur supérieure ou égale à la hauteur de rétention dans ledit capillaire de ladite matière à l'état fondu, à la température et à la pression considérées;
b) on porte ladite matière à une température supérieure à son point de fusion;
c) on amène ledit substrat, chauffé au préalable, au contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure dudit orifice capillaire;
d) on déplace ledit substrat à une vitesse déterminée dans une direction constante faisant un angle compris entre 0 et 60° avec l'horizontale; et e) on enlève à intervalles de temps choisis le substrat revêtu du corps cristallin.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on fait varier la composition de la matière de silicium alimentée dans le creuset et qu'on obtient un film de silicium ayant un dopage de composition variable.
2
REVENDICATIONS
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on déplace ledit substrat à une vitesse comprise entre 1 et 100 mm/minute.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on soumet à un chauffage subséquent le substrat revêtu du film.
5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'on place à l'extrémité du substrat à laquelle commence le dépôt un germe destiné à orienter le cristal formé en film.
6. Procédé de dépôt en continu sur un substrat graphité d'un film de silicium cristallin constitué par des bandes côte à côte de silicium de dopage différent ou de dopage de composition différente, caractérisé en ce que a) on place chaque matière de silicium de dopage différent ou de dopage de composition différente dans des creusets distincts comportant chacun à leur partie inférieure un orifice capillaire ayant une longueur supérieure ou égale à la hauteur de rétention dans ledit capillaire de ladite matière à l'état fondu, à la température et à la pression considérées, les axes de tous Iesdits orifices capillaires étant verticaux et ayant une longueur égale;
b) on porte la matière de chacun desdits creusets à une température supérieure à son point de fusion;
c) on amène ledit substrat, chauffé au préalable, au contact des gouttes pendantes formées à la partie inférieure desdits orifices capillaires;
d) on déplace ledit substrat à une vitesse déterminée dans une direction constante se trouvant dans un plan parallèle auxdits axes desdits orifices capillaires; et e) on enlève à intervalles de temps choisis le substrat revêtu du film à bandes côte à côte.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'on déplace ledit substrat à une vitesse comprise entre 1 et 100 mm/minute.
8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'on soumet à un chauffage subséquent le subsrat revêtu du film.
9. Procédé de dépôt en continu d'un film de silicium cristallin multicouche sur un substrat graphité, caractérisé en ce que a) on place la matière de silicium devant constituer les différentes couches dans des creusets distincts comportant chacun à leur partie inférieure un orifice capillaire ayant une longueur supérieure ou égale à la hauteur de rétention de ladite matière à l'état fondu, à la température et à la pression considérées, les axes de tous Iesdits orifices capillaires étant verticaux;
b) on porte la matière de chacun desdits creusets à son point de fusion;
c) on amène ledit substrat, chauffé au préalable, au contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure de l'orifice capillaire du premier creuset;
d) on déplace ledit substrat ainsi revêtu de la première couche dans un direction déterminée faisant un angle compris entre 0 et 60° avec l'horizontale jusqu'à l'amener en contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure du deuxième capillaire;
e) on continue l'opération jusqu'à ce que le substrat soit amené au contact de la goutte pendante formée à l'orifice du dernier capillaire; et f) on enlève le substrat ainsi revêtu de plusieurs couches superposées.
10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'on déplace ledit substrat à une vitesse comprise entre 1 et 100 mm/minute.
11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'on soumet à un chauffage subséquent le substrat revêtu du film.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7726402A FR2401696A1 (fr) | 1977-08-31 | 1977-08-31 | Methode de depot de silicium cristallin en films minces sur substrats graphites |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH626746A5 true CH626746A5 (fr) | 1981-11-30 |
Family
ID=9194902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH917678A CH626746A5 (fr) | 1977-08-31 | 1978-08-31 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4233338A (fr) |
| JP (1) | JPS5460291A (fr) |
| CH (1) | CH626746A5 (fr) |
| DE (1) | DE2837775C2 (fr) |
| FR (1) | FR2401696A1 (fr) |
| GB (1) | GB2003400B (fr) |
| IT (1) | IT1160579B (fr) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4525223A (en) * | 1978-09-19 | 1985-06-25 | Noboru Tsuya | Method of manufacturing a thin ribbon wafer of semiconductor material |
| GB2059292A (en) * | 1979-09-28 | 1981-04-23 | Honeywell Inc | Growing silicon films on substrates |
| US4323419A (en) * | 1980-05-08 | 1982-04-06 | Atlantic Richfield Company | Method for ribbon solar cell fabrication |
| DE3019653A1 (de) * | 1980-05-22 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verbesserung eines verfahres zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
| DE3132776A1 (de) * | 1981-08-19 | 1983-03-03 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zur herstellung grob- bis einkristalliner folien aus halbleitermaterial |
| FR2528454A1 (fr) * | 1982-06-11 | 1983-12-16 | Criceram | Creuset modifie pour la methode de cristallisation par goutte pendante |
| FR2529189B1 (fr) * | 1982-06-25 | 1985-08-09 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication d'une bande de silicium polycristallin pour photophiles |
| DE3231326A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
| US4584181A (en) * | 1982-12-27 | 1986-04-22 | Sri International | Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
| US4781565A (en) * | 1982-12-27 | 1988-11-01 | Sri International | Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
| US4748014A (en) * | 1982-12-27 | 1988-05-31 | Sri International | Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
| DE3306135A1 (de) * | 1983-02-22 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von polykirstallinen, grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
| DE3404818A1 (de) * | 1984-02-10 | 1985-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum erzeugen eines pn- ueberganges in einem nach dem durchlaufverfahren hergestellten siliziumband |
| DE3419137A1 (de) * | 1984-05-23 | 1985-11-28 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterfolien |
| EP0278131B1 (fr) * | 1987-02-06 | 1991-07-17 | The BOC Group plc | Procédé pour fabriquer une couche mince semi-conductrice |
| WO1988005835A1 (fr) * | 1987-02-06 | 1988-08-11 | The Boc Group Plc | Procede de preparation d'une pellicule semi-conductrice mince |
| US5075257A (en) * | 1990-11-09 | 1991-12-24 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Aerosol deposition and film formation of silicon |
| US5688324A (en) * | 1994-07-15 | 1997-11-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for coating substrate |
| JP3875314B2 (ja) * | 1996-07-29 | 2007-01-31 | 日本碍子株式会社 | シリコン結晶プレートの育成方法、シリコン結晶プレートの育成装置、シリコン結晶プレートおよび太陽電池素子の製造方法 |
| US7344594B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-03-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7691199B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-04-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7465351B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US20110303290A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Korea Institute Of Energy Research | Method and apparatus for manufacturing silicon substrate with excellent surface quality using inert gas blowing |
| WO2014117840A1 (fr) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | European Space Agency | Procédé et système de production d'un composant d'alliage allongé présentant une variation de composition longitudinale contrôlée, et composant d'alliage allongé correspondant |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL270516A (fr) * | 1960-11-30 | |||
| NL7004876A (fr) * | 1970-04-04 | 1971-10-06 | ||
| IT1055104B (it) * | 1975-02-07 | 1981-12-21 | Philips Nv | Metodo di fabbricazione di dispositivi semiconduttori comportante la formazione di uno strato di materiale semiconduuttore su di un substrato apparato per l'attuazione di tale metodo e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di detto metodo |
| US4119744A (en) * | 1975-02-07 | 1978-10-10 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices in which a layer of semiconductor material is provided on a substrate |
| US3961997A (en) * | 1975-05-12 | 1976-06-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates |
| FR2321326A1 (fr) * | 1975-08-08 | 1977-03-18 | Ugine Kuhlmann | Procede de fabrication en continu de monocristaux preformes |
| US4124411A (en) * | 1976-09-02 | 1978-11-07 | U.S. Philips Corporation | Method of providing a layer of solid material on a substrate in which liquid from which the solid material can be formed, is spread over the substrate surface |
| US4090851A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-23 | Rca Corporation | Si3 N4 Coated crucible and die means for growing single crystalline silicon sheets |
| US4099924A (en) * | 1977-03-16 | 1978-07-11 | Rca Corporation | Apparatus improvements for growing single crystalline silicon sheets |
-
1977
- 1977-08-31 FR FR7726402A patent/FR2401696A1/fr active Granted
-
1978
- 1978-07-24 US US05/926,879 patent/US4233338A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-08-07 IT IT68866/78A patent/IT1160579B/it active
- 1978-08-30 DE DE2837775A patent/DE2837775C2/de not_active Expired
- 1978-08-31 GB GB7835225A patent/GB2003400B/en not_active Expired
- 1978-08-31 JP JP10568278A patent/JPS5460291A/ja active Pending
- 1978-08-31 CH CH917678A patent/CH626746A5/fr not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2003400B (en) | 1982-03-03 |
| DE2837775C2 (de) | 1984-03-15 |
| FR2401696A1 (fr) | 1979-03-30 |
| IT1160579B (it) | 1987-03-11 |
| DE2837775A1 (de) | 1979-03-08 |
| US4233338A (en) | 1980-11-11 |
| FR2401696B1 (fr) | 1980-02-01 |
| IT7868866A0 (it) | 1978-08-07 |
| GB2003400A (en) | 1979-03-14 |
| JPS5460291A (en) | 1979-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH626746A5 (fr) | ||
| EP0175601B1 (fr) | Procédé et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un composé a l'état de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce composé dans un réacteur d'épitaxie | |
| FR2548219A1 (fr) | Procede de formation d'une couche de matiere a constituants multiples | |
| EP1772443A2 (fr) | Procede d'enduction metallique de fibres par voie liquide | |
| EP0045551B1 (fr) | Procédé de préparation de films polycristallins semi-conducteurs composés ou élémentaires et films ainsi obtenus | |
| CH404336A (fr) | Procédé de fabrication d'un corps monocristallin en matière semi-conductrice ayant des couches séparées par au moins une zone de transition | |
| FR2497402A1 (fr) | Procede de fabrication de jonctions p-n par electromigration | |
| FR2892426A1 (fr) | Dispositif de fabrication d'un ruban de silicium ou autres materiaux cristallins et procede de fabrication | |
| FR2918080A1 (fr) | Dispositif et procede d'elaboration de plaquettes en materiau semi-conducteur par moulage et cristallisation dirigee | |
| FR2529189A1 (fr) | Procede de fabrication d'une bande de silicium polycristallin pour photophiles | |
| FR2570088A1 (fr) | Appareil et procede pour faire croitre horizontalement, sans creuset, des cristaux de silicium en feuille | |
| FR2488045A1 (fr) | Procede pour l'obtention d'inclusions electriquement conductrices dans des films minces | |
| FR2463824A1 (fr) | Procede de fabrication de structures semi-conductrices par epitaxie en phase liquide | |
| FR2828214A1 (fr) | PROCEDE D'OBTENTION D'UN MONOCRISTAL DE CdTd OU DE CdZnTe, ET MONOCRISTAL OBTENU PAR CE PROCEDE | |
| FR2473561A1 (fr) | Dispositif pour l'application par croissance epitaxiale d'une couche de matiere semi-conductrice | |
| WO2010026343A1 (fr) | Procede de preparation d'une couche mince auto-supportee de silicium cristallise | |
| CH668083A5 (fr) | Procede pour former selectivement au moins une bande de revetement d'un metal ou alliage sur un substrat d'un autre metal et support de connexion de circuit integre realise par ce procede. | |
| EP0335453B1 (fr) | Procédé d'obtention d'une couche monocristalline ternaire hétéro-épitaxiée sur une couche binaire et creuset pour sa mise en oeuvre | |
| EP0222438B1 (fr) | Creuset pour l'épitaxie en phase liquide de couches semiconductrices de composition contrôlée | |
| EP0215031B1 (fr) | Procede pour former selectivement au moins une bande de revetement d'un metal ou alliage sur un substrat d'un autre metal | |
| EP0115711B1 (fr) | Procédé de préparation de plaques d'un matériau métallique ou semi-métallique par moulage sans contact direct avec les parois du moule | |
| FR2466856A1 (fr) | Procede de formation d'une couche de silicium polycristallin sur son substrat | |
| EP0170252B1 (fr) | Procédé et dispositif pour déposer une couche d'un matériau semi-conducteur sur un ruban | |
| RU2135648C1 (ru) | Способ получения кристаллических фуллеренов | |
| FR2518806A1 (fr) | Procede pour detacher des douches epitaxiales |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PL | Patent ceased |