CH489147A - Hochfrequenz-Siebschaltung - Google Patents

Description

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    Hochfrequenz-Siebschaltung   Die Erfindung bezieht sich auf eine    Hochfrequenz-      Siebschaltung,   welche eine    zweikreisige      Bandpasschal-      tung   zum Aussieben    einer   Frequenz aus einem Eingangssignal aufweist, insbesondere für Empfänger des    Hochfrequenz-Telephonrundspruchs.   



  Die Siebmittel für    Hochfrequenz-Telephonrund-      spruchempfänger   unterscheiden sich wesentlich von denen normaler Rundfunkempfänger. Für den    Hochfre-      quenz-Telephonrundspruch   ist der Abstand der einzelnen Kanalfrequenzen sehr gross (33    kHz)   verglichen mit 9    kHz   bei Rundfunkempfängern. Dadurch steht eine viel grössere Bandbreite zur Verfügung, die eine bessere Wiedergabe der hohen Töne ermöglicht. 



  Die Erfindung bezweckt. eine verhältnismässig einfache Siebschaltung anzugeben, die eine grosse Bandbreite mit sicherer Unterdrückung der Nachbarfrequenzen verbindet und deren    Durchlassbereich   genügend flach ist. 



  Ausserdem müssen bei einem Empfänger für    Hochfrequenz-Telephonrundspruch   die Empfangsfrequenzen nicht stetig veränderlich sein. Es muss nur die    'Möglichkeit   der Einstellung auf bestimmte Frequenzen (z. B. sechs Frequenzen von 175-340    kHz   mit Abständen von je 33    kHz)   bestehen, ohne dass eine Nachstimmung nach dem Gehör erforderlich ist. Diese Einstellung geschieht beim modernen Empfänger meist mit Drucktasten. 



  Bekannte Anordnungen zur Umschaltung der    Emp-      fangfrequenzen   arbeiten im allgemeinen mit Umschaltung der    Schwingkreiskondensatoren.   Wenn eine Siebschaltung z. B. vier Schwingkreise hat, gibt dies bei sechs    Frequenzeinstellungen   24 feste Kondensatoren und mindestens 5 x 4 = 20 Trimmer. 



  Im Gegensatz hierzu weist eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemässen Schaltung    Anzap-      fungen   für jede Spule und einen festen Kondensator für jeden Schwingkreis auf. Die Auswahl der zu empfangenden Frequenzen erfolgt dabei durch Umschaltung der Anschlüsse an die    Anzapfungen.   Für das    Ab-      ,leichen   eines jeden dieser Schwingkreise bei der Her- Stellung ist nur ein einziger Einstellungsvorgang nötig, indem bei Abstimmung auf einen mittleren Kanal die    Induktivität   durch Verstellung des magnetischen Kernes richtig    eingestellt   wird.

   Wenn, wie    vorausgesetzt   werden muss, die    Windungszahlen   genau richtig sind und ausserdem die    Fabrikations-Toleranzen,   die durch wechselnden Formfaktor der Spulen verursacht     ver-      den,   klein genug gehalten werden, so ist damit auch die Abstimmung für alle übrigen Frequenzen automatisch richtig, ohne dass ein weiterer    Abgleich   nötig wäre. 



  Im folgenden wird anhand der Figuren die Erfindung beispielsweise beschrieb. 



  Es zeigen:    Fig.   1 eine    Hochfrequenz-Siebschaltung.   ohne Umschalteinrichtung. 



     Fig.   2 Alternativen zur Ausbildung    eines   Teilers des Filters,    Fig.3   verschiedene Filterkurven    (Filterausgangs-      spannung   in Abhängigkeit von der Frequenz)    Fig.4   und 5 zwei    Hochfrequenz-Siebschaltungen   mit Umschalteinrichtung. 



  In    Fig.   1 ist mit E der    Eingang,   mit A der Ausgang der Siebschaltung bezeichnet. Der Eingang wird mit einer    Uebertraeuneseinrichtuna   verbunden. die der Siebschaltung    ein   Eingangssignal zuführt. Die    übertra-      gungseinrichtung   besteht aus einem HF-Sender, einer Übertragungsleitung Und einer    Ankoppelungsschaltung   und hat einen bestimmten Innenwiderstand etwa z. B. 600    12.   Sie kann als    Hochfrequenzspannungsquelle   mit dem Anschlusspunkt    Q   und einem    Seriewiderstand   R angesehen werden, die im Punkt E an die Siebschaltung angeschlossen ist. 



  Verstärker mit hoher Eingangsimpedanz angeschlossen. 



  In der Siebschaltung bildet die    Induktivität   L4 und die Kapazität C4 einen ersten Schwingkreis. die    Induk-      tivität   L5 Und die Kapazität C5 einen zweiten Schwingkreis. Die beiden    Schwingkreise   sind durch den Kondensator C3 gekoppelt und bilden zusammen in 

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 bekannter Weise ein Bandfilter. Um die geforderte grosse Bandbreite von 20    kHz   zu erhalten, muss die Kopplung der beiden Kreise durch den Kondensator C3 verhältnismässig fest sein. Deswegen hat die Charakteristik des Bandpasses eine tiefe    Einsattlung   bei der Resonanzfrequenz n oder, anders ausgedrückt, zwei sehr starke Spitzen (siehe    Fig.   3a), also    eine   ungeeignete    Durchlasskurve.   



  Diese Spitzen könnten in bekannter Weise durch Dämpfung der Schwingkreise verkleinert werden, indem man den Kondensatoren C4 und C5 Widerstände parallel schaltet. Jedoch würde in diesem Falle die Selektivität sehr stark vermindert werden, es würde sich etwa eine Kurve wie    Fig.   3b ergeben, bei der die Dämpfung für die beiden Nachbarkanäle n-1 und n-1 nicht mehr ausreichend ist. 



  Um die geschilderten Nachteile zu beheben, sind parallel zu den    Eingangsklemmen   zwei Saugkreise Cl,    Ll   und C2. L2    Beschaltet.   Davon ist der erste Saugkreis C1, L1 auf die untere Nachbarfrequenz n-1 der zu empfangenden Frequenz n abgestimmt. Bei diesen Frequenzen bilden die Saugkreise annähernd einen Kurzschluss und dämpfen dadurch die betreffende Frequenz in Zusammenwirkung mit dem Widerstand. 



  Für die Empfangsfrequenz n bildet der Saugkreis C1,    L1   eine induktive, der Saugkreis C2, L2 eine    kapazitive   Impedanz. Die Parallelschaltung der Kreise C1, L1 und C2, L2 bildet einen    Parallelschwingkreis,   dessen    Frequnez   etwas niedriger als die Frequenz des Kanals n ist. Durch die den beiden    Sau=kreisen   parallel geschaltete    Induktivität   L3 wird die Resonanzfrequenz der Parallelschaltung auf die Frequenz des Kanals n verschoben. 



     FiQ.3c   zeigt die    Durchlasscharakteristik   des aus der Parallelschaltung der beiden Saugkreise    Ll,   Cl und L2, C2    Lind   der    Induktivität   L3 zusammen mit dem Widerstand R gebildeten Vierpols. 



  Ausser zur Verschiebung der Resonanzspitze der genannten Parallelschaltung dient die Spule L3 auch als Autotransformator zur    Anpassung   der Eingangsimpedanz der    Bandpasschaltung   an den inneren Widerstand (600    L    der    Hochfrequenzquelle.   Zu diesem Zweck ist an der Induktiv    itiit   L3 eine    Anzapfung   angebracht.

   Durch die    NN'ahl   des    Anzapfungspunktes   kann der Einfluss der Benannten Parallelschaltung auf die Filtercharakteristik so eingestellt werden.    dass   eine dreihöckerige Kurve nach    Fie.   3d entsteht. bei welcher der Sattel der    Fie.   3a ausgefüllt ist und der mittlere Höcker die    deiche   Höhe wie die beiden äusseren    Hök-      ker   erhält. Je höher der    Abgriff   an der    Induktivität   L3 angebracht wird. d. h. je    grösser   die    Induktivität   zwischen diesem    Ab@_riff      Lind   der Masse ist, desto grösser wird die Höhe des mittleren Höckers sein. 



  Die    Einspeisung   der Spannung in den ersten    Schwin@_krei:   des    gandpassfilters   geschieht durch induktive    Fussptrnktkopplung   derart. dass der Teil der    Induktivit;it      L      -i   zwischen    Anzapfune      Lind   Masse auch einen Teil des    ersten      Scliwinekreises   bildet Und in Serie    tnit   der    Indultivität   dieses Schwingkreises liegt. 



  In    Fi@_.   ? werden weitere. bekannte Möglichkeiten der    Kopplung   der    bt'.rderl      Bandpasskreise   miteinander    Bezeigt.      Lind   die    Verbindung   mit der    Induktivität   L3 dafür. 



  Es    zeiL:en:      Fh:.      '_'   :    e@nc      KopplunL?   über die Kapazität    C6,      Fig.      lb   girre Kopplung über die    Gegeninduktivität      der   Neiden    Srhwin@l;reisindu!;tivitüten   I.4 und L5.    Fig.   2c eine induktive    Fusspunktkopplung   über die durch die    Anzapfung   bestimmte    Teilinduktivität   von L3,    Fig.4   und 5 zeigen zwei    Hochfrequenz-Siebschal-      tungen   mit Umschaltvorrichtung. 



  Die kleinen Rechtecke bezeichnen    Kop.taktstücke,   welche jeweils zwei mit runden Kreisen bezeichnete Kontakte miteinander verbinden. Die Kanäle sind mit römischen Ziffern    I-VI   gekennzeichnet. zu denen jeweils auf gleicher Höhe nebeneinander liegende Kontaktstücke gehören. Durch Betätigen einer Drucktaste werden die zu einem Kanal gehörigen Kontaktstücke miteinander verschoben, während die zu einem anderen Kanal gehörigen in ihre Ruhelage zurückspringen. 



  In den Figuren ist der Kanal 1    eing=eschaltet,   dem die niedrigste der Kanalfrequenzen zugeordnet ist. Demzufolge ist bei allen Spulen die grösste    Windungs-      zahl   eingeschaltet. Für die anderen Kanäle wird jeweils eine andere Reihe Kontaktstücke verschoben und damit nur Teile der einzelnen Spulen    eingeschaltet.   Die Spule L3 enthält zwei Gruppen von    Anzapfungen.   Die erste Gruppe ist in    Fig.4   nach links    herausgeführt.   Ihre Auswahl bestimmt die Grösse der zu den beiden Saugkreisen L1. Cl; L2, C2 parallel geschalteten    Induktivi-      tät   L3.

   Die zweite Gruppe der    Anzapfungen   ist rechts    herausgeführt   und ihre Auswahl zusammen mit der links    eingeschalteten      Anzapfung   bestimmt die der Induktivität L3 und dem ersten Schwingkreis    L-1.   C4 der    Bandpasschaltung   gemeinsame    Fusspunkt-Induktivität,   die für die    Ankopplung   des ersten    Sch ingkreises   massgebend ist. 



     Fig.   5 zeigt eine etwas vereinfachte Ausführung der Umschaltvorrichtung, welche mit vier Kontaktstücken für jeden Kanal auskommt. Die Schalter für die Anzapfungen von L 4 und L5 sind als Umschalter ausgebildet. Die Zahl der    Anzapfungen   von L3 ist auf drei reduziert, von denen die untere den linken, die beiden oberen den rechten    Anzapfungen   der    Fig.   I entsprechen. 



  Die mit L4 zusammen arbeitenden Umschalter schalten gleichzeitig die    Anzapfungen   der zweiten Gruppe. die mit    L5   zusammen arbeitenden Schalter die    Anzapfungen   der ersten Gruppe um. Bei beiden Gruppen werden die    Anzapfungen   von L 3 mehrfach verwendet. sodass die beschriebene Reduktion der Zahl der    Anzapfungen   von L3 möglich ist.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH Hochfrequenz-Siebschaltung. welche mit einer der Siebschaltung ein Eingangssignal zuführenden Übertragungseinrichtung verbunden ist Lind eine z@veikreisige Bandpasschaltung zum Aussieben einer Frequenz aus dem Eingangssignal aufweist, insbesondere für Empfänger des Telephonrundspruchzs, dadurch gekennzeichnet, dass ausser der Bandpasschaltune zwei auf zwei zu beiden Seiten des Durchlassbandes der Siebschaltung liegende Frequenzen abgestimmte Saugkreise und eine Induktivität vorgesehen sind.

   welche drei Elemente parallel zueinander zwischen dem einen Eingangspol der Siebschaltung und einem Bezugspotential liegen, derart, dass die Parallelschaltung der drei Elemente im Zusammenwirken mit dem Innenwiderstand der genannten Cbertragtrrtgseinrichtung eine Durchlasscharakteristik mit einem Maximum im mittleren Bereich des Durchlassbandes der Siebschalttrne er±,ibt. <Desc/Clms Page number 3> UNTERANSPRÜCHE 1.

   Siebschaltung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die als Schwingkreis ausgebildeten beiden Kreise (L4, C4; L5, C5) der Bandpassschaltung so fest miteinander gekoppelt sind, dass die Durchlass- charakteristik der Bandpasschaltung zwei ausgeprägte Höcker und dazwischen eine starke Einsattelung aufweist, ferner dadurch, dass die genannte Induktivität einen Abgriff hat, an den die Bandpasschaltung angeschlossen ist und dass der Angriff so gewählt ist, dass die Zusammenwirkung der genannten Parallelschaltung mit der Bandpasschaltung eine dreihöckerige Durch- lasscharakteristik mit gleichen Höhen der drei Höcker ergibt. 2.

   Siebschaltung nach Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abgriff der Induktivität mit dem ersten Schwingkreis der Bandpasschaltung derart verbunden ist, dass der Teil der Induktivität (L3), welcher zwischen Anzapfung und Masse liegt, auch einen Teil des ersten Schwingkreises bildet und in Serie mit der Induktivität dieses Schwingkreises liegt. 3. Siebschaltung nach Patentanspruch, mit einer Umschalteinrichtung zur Wahl einer aus mehreren zugeführten Frequenzen, dadurch gekennzeichnet, dass jede Spule Anzapfunaen und jeder Schwingkreis einen festen Kondensator enthält, und dass die Auswahl der jeweils auszusiebender.

   Frequenz durch Umschaltung der Anschlüsse an die Anzapfungen durchführbar ist. 4. Siebschaltung nach Unteranspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Induktivität (L3) zwei Gruppen von Anzapfungen besitzt, von denen die erste zur Einstellung der Induktivität und die andere in Zusammenarbeit mit der ersten zur Einstellung des mit dem ersten Schwingkreis der Bandpasschaltung gekoppelten Teiles der Induktivität dient. 5.

   Siebschaltung nach Unteranspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die die Anzapfung der Spulen Bandpasschaltung anschaltenden Schalter als Umschalter ausgebildet sind und gleichzeitig die Anschaltung der Anzapfungen der genannten Induktivität vornehmen.