CH488290A - Verfahren zum Abscheiden einer Schutzschicht aus Siliciumnitrid an der Oberfläche eines erhitzten Halbleiterkristalls - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden einer Schutzschicht aus Siliciumnitrid an der Oberfläche eines erhitzten Halbleiterkristalls

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CH488290A
CH488290A CH615267A CH615267A CH488290A CH 488290 A CH488290 A CH 488290A CH 615267 A CH615267 A CH 615267A CH 615267 A CH615267 A CH 615267A CH 488290 A CH488290 A CH 488290A
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silicon nitride
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CH615267A
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Pammer Erich Dr Dipl-Chem
Eduard Dipl Ing Folkmann
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Siemens Ag
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
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CH615267A 1966-05-02 1967-04-28 Verfahren zum Abscheiden einer Schutzschicht aus Siliciumnitrid an der Oberfläche eines erhitzten Halbleiterkristalls CH488290A (de)

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