AT266922B - Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Halbleiterstickstoffverbindung für Halbleiterzwecke - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Halbleiterstickstoffverbindung für Halbleiterzwecke

Info

Publication number
AT266922B
AT266922B AT404767A AT404767A AT266922B AT 266922 B AT266922 B AT 266922B AT 404767 A AT404767 A AT 404767A AT 404767 A AT404767 A AT 404767A AT 266922 B AT266922 B AT 266922B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
semiconductor
producing
protective layer
nitrogen compound
purposes
Prior art date
Application number
AT404767A
Other languages
German (de)
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT266922B publication Critical patent/AT266922B/de

Links

Classifications

    • H10P14/6334—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • H10P14/6682—
    • H10P14/69433—
    • H10P50/283—
    • H10W74/43—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
AT404767A 1966-05-02 1967-04-28 Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Halbleiterstickstoffverbindung für Halbleiterzwecke AT266922B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0103578 1966-05-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT266922B true AT266922B (de) 1968-12-10

Family

ID=7525306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT404767A AT266922B (de) 1966-05-02 1967-04-28 Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Halbleiterstickstoffverbindung für Halbleiterzwecke

Country Status (4)

Country Link
AT (1) AT266922B (en:Method)
CH (1) CH488290A (en:Method)
GB (1) GB1134352A (en:Method)
NL (1) NL6703526A (en:Method)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2557079A1 (de) * 1975-12-18 1977-06-30 Ibm Deutschland Verfahren zum herstellen einer maskierungsschicht

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4066037A (en) * 1975-12-17 1978-01-03 Lfe Corportion Apparatus for depositing dielectric films using a glow discharge
FR2403646A1 (fr) 1977-09-16 1979-04-13 Anvar Procede de realisation d'un depot de compose semi-conducteur d'elements iii et v

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2557079A1 (de) * 1975-12-18 1977-06-30 Ibm Deutschland Verfahren zum herstellen einer maskierungsschicht

Also Published As

Publication number Publication date
CH488290A (de) 1970-03-31
NL6703526A (en:Method) 1967-11-03
DE1544288A1 (de) 1970-03-05
DE1544288B2 (de) 1975-06-12
GB1134352A (en) 1968-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH505473A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
CH533907A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH532959A (de) Verfahren zum Kristallisieren einer binären Halbleiterverbindung
CH432656A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
CH516227A (de) Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Halbleitervorrichtung
CH403436A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
CH498490A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
CH497793A (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium- oder Germaniumstickstoff- Verbindung an der Oberfläche einer Halbleiterkristalls
AT307504B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH525027A (de) Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterverbindung
CH516476A (de) Verfahren zum Herstellen eines Kristalls einer Halbleiterverbindung
AT256940B (de) Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht
CH458299A (de) Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht
AT266922B (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Halbleiterstickstoffverbindung für Halbleiterzwecke
DE1800347B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
CH416575A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
AT318009B (de) Verfahren zum Herstellen einer Metallschicht aus mehreren Metallfilmen auf Oberflächen von Halbleiterbauelementen
CH457630A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterdetektors
AT292786B (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
CH436504A (de) Verfahren zum Herstellen einer Leitung aus Supraleiterdraht
CH470759A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH468721A (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen
CH452708A (de) Verfahren zum Herstellen einer aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Halbleitervorrichtung
CH500592A (de) Verfahren zum Herstellen epitaktischer Halbleiterschichten auf einem Substratkörper
CH474859A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung