CH446451A - Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator - Google Patents
Doppelt symmetrischer Transistor-ModulatorInfo
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Description
Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator Die vorliegende Erfindung betrifft einen doppelt symmetrischen Transistor-Modulator. Im .allgemeinen haben doppelt symmetrische Modu- latoren (auch Doppel-Gegentakt-Modulatoren .genannt), bei welchen der Eingang abwechslungsweise mit und ohne Phasenumkehrung unter der Steuerung des Trägers mit dem Ausgang gekoppelt wird-, nicht nur den Vorteil, einen Trägerverlust zu vermeiden, was auch schon bei gewöhnlichen symmetrischen Modulatoren vom Serietyp oder Shunttyp (Cowan) der Fall ist, , sondern auch Ein- gangsverluste zu vermeiden. Ausserdem gestatten sie, die Dämpfung um 6 db zu verringern. Doppelt symmetri- sche Modulatoren, welche vier Gleichrichter verwenden, sind in der Form von Ringmodulatoren bekannt gewor den. Es ist .ebenfalls bekannt, doppelt symmetrische Mo dulatoren mit Hilfe von Transistoren aufzubauen mit dem Vorteil, dass nur zwei Halbleiterelemente benötigt werden und bedeutend weniger Trägerleistung erforder lich ist. Doppelt symmetrische Transistor-Modulatoren der erwähnten Art sind ,aus ,dem Schweizer Patent Nr. 358 127 bekannt. Bei dieser Anordnung werden jedoch drei Transformatoren einschliesslich eines Hybridtrans- formators verwendet, welcher,dem Klemmenpaar zuge ordnet ist, an welches die Trägerwelle angelegt werden kann. Eine derartige Anordnung ist verhältnismässig kompliziert; denn ,abgesehen vom Hybridtransformator, welcher drei Wicklungen aufweist und zur Anlegung der Steuersignale aus der Trägerquelle an Transistoren des Modulators dient, weisen die beiden anderen Transfor matoren, welche den beiden ,anderen Klemmenpaaren, d. h. dem Einsgang und dem Ausgang zugeordnet sind, drei bzw. fünf Wicklungen auf. Im französischen Patent Nr.<B>1</B>242 790 weisen, @abgesehen vom Hybridtransfor- mator für die Trägerwelle, die beiden anderen Transfor matoren drei bzw. vier Wicklungen auf. Während der doppelt symmetrische Modulator gemäss Schweizer Pa tent Nr. 358 127 vom Serietyp ist, ist der doppelt sym metrische Modulator gemäss ,dem französischen Patent Nr.<B>1</B>242 790 vom überbrückten T-Typ. Dieser Aufbau ist bezüglich Erde unsymmetrisch und hat den Nachteil, dass idie beiden nicht mit den Trägerwel1enklemmen ver bundenen Transformatoren mit denjenigen des Ein gangs- und Ausgangsfilters kombiniert werden können und dassdiese beiden Transformatoren nicht identisch sind, während die Bandbreiten nicht auf die erforder liche Eingangs- bzw. Ausgangsbandbreite begrenzt wer den können. Doppelt symmetrische Transistor-Modulatoren, wel che nicht (drei verhältnismässig komplizierte Transforma- toren; benötigen, sind, bekannt; z. B. aus dem USA-Pa tent Nr. 3 010 079, aber sie benötigen nicht zwei, son- ,dern vier Transistoren, und in einem solchen Fall wird wohl der Vorteil des geringeren Trägerleistungsbedarfes von Transistor-Modulatoren gegenüber Gleichrichter- Modulatoren beibehalten, während der Vorteil, wonach anstelle von vier Halbleiterelementen nur .deren zwei be nötigt werden, verloren geht. Der Hauptzweck ;der Erfindung besteht nun in der Schaffung eines einfacheren doppelt symmetrischen Mo- dulators, welcher zwei Transistoren verwendet, und ins- besondere eines doppelt symmetrischen Modulators, in welchem die Anzahl Transformatoren und Transforma- torwicklunigen kleiner ist, als dies bei der Schaltung ge- mäss Schweizer Patent Nr. 358 127 der Fall ist. Der erfindungsgemäss ,doppelt symmetrische Transi- stor-Modulator ist gekennzeichnet durch einen ersten Transistor und eine erste mit ,diesem Transistor verbun dene Wicklung; einen zweiten Transistor und eine zweite mit diesem Transistor verbundene Wicklung; Mittel für den Empfang eines Eingangssignals; eine Ausgangswick lung zur Abgabe eines Ausgangssignals; und Mittel für den Empfang eines Trägersignals, welche mit den Basis- elektroden der Transistoren verbunden sind, wobei das Trägersignal abwechslungsweise einen der Transistoren entsperrt und den anderen Transistor sperrt, um das Ausgangssignal mit abwechselnder Polarität in der Aus gangswicklung zu induzieren. Gemäss einer Ausführungsform wird ein doppelt symmetrischer Transistor-Modulator erhalten, welcher mit nur zwei Transformatoren auskommt, von denen einer durch :den leitenden Transistorschalter kurzge schlossen wird, so dass die Eingangssignale über den nicht kurzgeschlossenen Transformator zum Ausgang übertragen werden können, wobei durch geeignete Ver bindung der Ausgangswicklungen : der beiden Transfor matoren dafür gesorgt ist, idass die Eingangssignale am Ausgang abwechslungsweise mit der Frequenz der Trä- gerwellensignale mit oder ohne 180 -Phasennlodulation auftreten. Gegenüber dem Schweizer Patent Nr. 358 127 ist nicht nur .der Vorteil vorhanden, dass lediglich zwei Transformatoren genügen, sondern diese Transformato- ren können ausserdem identisch .sein, und keiner dieser Transformatoren benötigt mehr als vier Wicklungen. Gemäss einer weiteren Ausführungsform ist das zweite Klemmenpaar über eine Hybridspule mit dem Modulator gekoppelt, wobei die äusseren Klemmen der mit einer Anzapfung versehenen Hybridspulenwicklung mit der Basis des ersten bzw. zweiten Transistors ver bunden sind, wobei die Transistoren vom ,gleichen Leit- fähigkeitstyp sind und !die erwähnte Anzapfung über einen gemeinsamen Widerstand mit ,den direkt verbun denen Anzapfungen des ersten und zweiten Transforma tors gekoppelt ist. In einer Ausführungsform eines doppelt symmetri- schen Transistor-Modulators werden zwei Transistoren und eine Anzahl Transformatoren zur Kopplung von drei Klemmenpaaren verwendet, wobei einer der Trans formatoren ein Eingangstransformator mit einer getrenn- ten Wicklung ist, welche mit einem Eingangsklemmen- paar verbunden ist, und ein anderer der Transformato ren ein Ausgangstransformator mit einer getrennten Wicklung ist, die .mit einem Ausgangsklemmenpaar ver bunden ist. Nachstehend werden Ausführungsbeispiele des Er findungsgegenstandes unter Bezugnahme auf die Zeich nung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt: die Fig. 1 ein erstes Ausführungsbelspnel, welches zwei identische Transformatoren mit je vier Wicklungen verwendet; die Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel, bei wel chem die Anzahl Wicklungen der an sich gleichen Trans formatoren durch Verwendung von Transistoren entge gengesetzten Leitfähigkeitstyps auf drei herabgesetzt worden ist; die Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel von glei cher Art wie dasjenige .der Fig. 2, wobei jedoch wie in Fig. 1 Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp bei behalten werden, und zwar wegen der Verwendung des Hybrid-Modulator-Prinzips; die Fig.4 ein viertes Ausführungsbeispiel, welches einen Eingangstransformator und einen Ausgangstrans formator mit je fünf Wicklungen verwendet; und die Fig. 5 ein fünftes Ausführungsbeispiel, welches einen Eingangstransformator und einen Ausgangs;tnans- formator wie in Fig. 4 verwendet, wobei jedoch die An zahl Wicklungen des Eingangstransformators auf drei herabgesetzt ist. Das Ausführungsbeispiel der Fig. 1 stellt einen dop pelt symmetrischen Modulator dar, d. h. einen Modula- tor, welcher das Prinzip der Phasenumkehrung verwen det. Im vorliegenden Modulator werden nur zwei Trans formatoren TA und TB benötigt, von denen jeder vier Wicklungen aufweist. Die Wicklungen<B>TA,</B> und TA sind an ihren einen Enden direkt miteinander verbun den, während. die . äusseren Enden über die . Emitter- Emitter-Strecke eines symmetrischen PNP-Flächentran- sistors T, miteinander .gekoppelt sind. Die Wicklungen TB, und TB, mit gleicher Wiadunyszahl sind an ihren einen Enden direkt miteinander verbunden, während ihre äusserem Enden in gleicher Weise über einen Tran sistor T2 miteinander verbunden sind, welcher identisch mit dem Transistor T, ist. Die Eingangsklemmen 1-1' sind über die in Serie geschalteten Wicklungen<B>TA,</B> und TB, und die Ausgangsklemmen über die Wicklungen TA und TB, miteinander verbunden, welche gegen- phasig in Serie geschaltet sind. Schliesslich ist die Klemme 3 direkt mit Ader Basis von T1 und ausserdem über denn Widerstand R2 mit der Verbindungsstelle der Wicklungen TB, und TB2 verbunden, während die Klemme 3' im analoger Weise direkt mit der Basis von T2 und über den Widerstand R, mit der Verbindungs stelle von TA, und<B><U>TA.</U></B> verbunden ist. Auf diese Weise ist<B>je</B> -nach der Polarität des an die Klemmen 3-3' angelegten Trägerwellensignals entweder ,der Transistor T1 oder der Transistor T2 leitend, wäh rend d -er ,andere Transistor gesperrt ist, so dass entweder am Transformator TA oder am Transformator TB ein Kurzschluss liegt. Daraus ergibt sich, dass das Eingangs- signal an den Klemmen 1-l' mit oder ohne 180 -Pha- senumkehrung an die Ausgangsklemmen 2^2' gelangt, und zwar je nach der Art, in welcher die Wicklungen TA und TB., in Serie geschaltet sind. Wenn beispiels weise die Klemme 3' positiver ist als die Klemme 3, dann leitet T,, wobei der Strom von 3' über R, und zu glei chen Teilen über<B>TA,</B> und TA2 und dann über die Emit- ter-Basis-Streckem von T, zur Klemme 3 fliesst. Wegen des Seriewiderstandes R1 kann dieser leitende Transistor die Trägerwellenklemmen 3-3' nicht ,direkt kurzschlies sen, so dass die volle Trägerspannung zwischen diesen zwei Klemmen, (wobei 3' positiver äst als 3) als Sperr- spannung zwischen der Basis .des PNP-Transistors T2 und den beiden Wicklungen TB, und TB., welche zu den Emittern von T2 führen, verfügbar bleibt. Die Fig. 2 zeigt, dass sogar noch einfachere Trans formatoren für TA und TB verwendet werden können unter der Voraussetzung, dass die Transistoren T, und T2 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind. Wie ersichtlich, sind in der Fig. 2 die Wicklungen<B>TA,</B> und TB, weggelassen, wobei nun die obere Klemme der Wicklung TA, und die untere Klemme der Wicklung TB. die Eingangsklemmen 1 bzw. 1' bilden und die Klemme 3' direkt mit den unter sich verbundenen Ver bindungsstellen von TA,12 und TB"2 verbunden ist. Der Transistor T, ist nun ein NPN-Transistor, während der Transistor T2 vom Typ PNP bleibt. Die Entkopplungs- widerstände R, und R2 sind nun beide mit der Klemme 3 einerseits und mit den Basiselektroden von T, bzw. T2 verbunden. Wenn im vorliegenden Fall z. B. das Potential an der Klemme 3' positiver als dasjenige der Klemme 3 ist, leitet der Transistor T2, während der Transistor T, ge sperrt ist, da er ein NPN-Transistor ist. Die Fig. 3 zeigt, dass die vierten Wicklungen der Transformatoren TA und TB weggelassen und ausser- dem Transistoren des gleichen Typs verwendet werden können, und zwar unter der Voraussetzung, dass an den Klemmen 3-3' ein Hybridtransformator eingefügt wird. In der Fig. 3 sind die Wicklungen<B>TA,</B> und TB, wie zu vor miteinander verbunden, während die Wicklungen TA1,2 und TB", in der gleichen Weise miteinander ver bunden sind, wie in Fig. 2, aber die Basiselektroden der beiden PNP-Transistoren T1 und TZ sind nun über die Seriewicklungen TC, und TC, des Hybridtransformators TC mit den Klemmen 3-3' gekoppelt, wobei die Wick lung TC, direkt mit den Klemmen 3-3' verbunden ist, während der Verbindungspunkt der Wicklungen TC, und TC2 über den Widerstand R, mit dem Verbindungs punkt der vier Wicklungen TA,/, und TB,,, verbunden ist. Bai. der Anordnung nach Fig. 3 bringt der Hybrid transformator den zusätzlichen Vorteil mit sich:, dass für die Sperrung ,des nichtleitenden Transistors nun die dop pelte Spannung verfügbar ist. Wenn z. B. angenommen wird, dass das Potential an der unteren Klemme der Wicklung TC, negativ und an .der oberen Klemme der Wicklung TC, positiv ist, befindet sich der PNP-Tran- sistor T2 im leitenden Zustand, und daher liegt am ge meinsamen Widerstand R3 praktisch die gleiche Span nung wie an der Wicklung TC2, und die Spannung am Widerstand R, zuzüglich,der Spannung an der Wicklung TC, bildet die Sperrspannung für den PNP-Transistor T, Bei gleichen Windungszahlen für ,die Wicklungen TC, und TC2 ist diese Sperrspannung somit gleich dem doppelten Betrag der ;an jeder ,dieser Wicklungen vor handenen Spannung. Die doppelt symmetrischen Transistor-Modulatoren der vorangehenden Figuren sind vom Shunt-Typ und verwenden zwei gleiche Transformatoren TA und TB. Es ist auch möglich, doppelt symmetrische Modullatoren vom Serie-Typ, welche zwei Transistoren; verwenden, so weit zu vereinfachen, dass nur zwei Transformatoren be nötigt werden und der Hybridtransformator für die Klemmen 3-3' in Wegfall kommt. Die Fig.4 zeigt ein erstes derartiges Beispiel, bei welchem die Klemmen 1-1' mit den Klemmen der Wick lungen TA, eines fünf Wicklungen aufweisenden Ein gangstransformators TA verbunden sind. Die gleichen Wicklungen<B>TA,</B> und<B>TA,</B> sind an ihren inneren Klem men miteinander verbunden, während ihre äusseren Klemmen mit den äusseren Klemmen der unter sich gleichen Wicklungen TB, und TB, des Ausgangstrans formators TB verbunden sind. Die inneren Klemmen der Wicklungen TB, und TB, sind mit den Emittern des symmetrischen PNP-Flächentransistors T1 verbunden. Der Verbindungspunkt der Wicklungen<B>TA,</B> und<B>TA,</B> ist über den Widerstand R1 mit der Klemme 3 und die Basis von T, direkt mit der Klemme 3' verbunden. Die Wicklung TB, ist die Ausgangswicklung des Transfor mators TB und direkt mit den Klemmen 2-2' verbun den. Die Wicklungen TA415 und die gleichen Wicklungen TB4" sind in der gleichen Weise miteinander verbunden wie die Wicklungen TA,," und TB./", wobei aber die Leiter in der gezeigten Weise gekreuzt sind, um die er forderliche Phasenumkehrung für den zweiten Weg die ses Seriemodulators mit Phasenumkehrung zu bewirken. Der PNP-Transistor T2 verbindet die Wicklungen TB, und TB5 miteinander, und die Basis des Transistors T" ist direkt mit der Klemme 3 verbunden, während die Klemme 3' über den Widerstand R. mit dem Verbin dungspunkt der Wicklungen TA4 und TA, verbunden ist. Im Betrieb ist in Abhängigkeit der Polarität der Trägerspannung an Iden Klemmen 3-3' der Transistor T1 oder der Transistor T2 leitend, während jeweils der andere Transistor gesperrt ist, und die Entkopplungs- widerstände R1 und R2 haben die gleiche Funktion und Wirkung wie in : den Fig. 1 und 2. Die Fig.5 zeigt, dass es -durch Verwendung .von Transistoren vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp möglich ist, den Seriemodulator mit Phasenumkehrung gemäss Flg. 4 zu vereinfachen, indem man die Anzahl Wicklungen des Eingangstransformators TA auf drei beschränken kann, während der Ausgangstransformator TB :seine fünf Wickluggen beibehält. Die Wicklung<B>TA,</B> ist direkt mit den, Klemmen 1-1' verbunden, und der gemeinsame Punkt der Wicklungen<B>TA.,</B> und<B>TA,</B> bildet die Klemme 3, während die äusseren Klemmen der Wicklungen TA" und<B>TA,</B> mit der oberen Klemme der Wicklung TB, bzw. der unteren Klemme der Wicklung TB, und .mit ;dem Verbindungspunkt der Wicklungen TB, und TB, verbunden sind. Die unter .sich gleichen Wicklungen TB2 und TB, sind über die Emitter-Emitter- Strecke des symmetrischen PNP-Flächentransistors T1 und die unter sich gleichen Wicklungen TB, und TB über :die Emitter-Emitter-Strecke _ des symmetrischen NPN-Flächentransistors T. verbunden. Die Klemme 3' ist mit den Basiselektroden von T1 und T2 über die individuellen Entkopplungswiderstände R1 und R2 verbunden, welche wiederum ,die .gleiche Rolle spie len wie zuvor. Wie in Fig. 4 sind,die Klemmen 2-2' di rekt mit der Wicklung TB, verbunden. Wenn im Betrieb ,das Trägerwellenpotential an der Klemme 3 positiver ist :als an der Klemme 3', ist der PNP-Transistor T1 leitend wie in Fig. 4, und obwohl dem Transistor T2 die gleiche Phase ; des Trägersignals zugeführt wirrt wie dem Transistor Tl, ist der Transistor T2 in diesem Augenblick gesperrt, da er vom NPN-Typ ist. Für ,den entgegengesetzten Zustand des Trägersignals an den Klemmen 3-3' ist der Transistor T. leitend und der Transistor T1 gesp eft, wobei, wiie in a11@n dargestell ten Ausführungsbeispielen, ,die an den Klemmen 1-1' vorhandenen Eingangssignale abwechslungsweise mit oder ohne Phasenumkehrung von 180 an die Ausgangs klemmen 2-2' übertragen werden, und zwar je nachdem welcher der beiden Transistoren T1 oder T2 leitend ist. Obwohl bei ,allen dargestellten Ausführungsbeispie- len angenommen wurde, dass die beiden Transistoren symmetrische Transistoren .sind, ist es keineswegs nötig, dass solche Transistoren verwendet werden müssen, son dern es können auch gewöhnliche unsymmetrische Tran sistoren verwendet werden. So kann, z. B. im Ausfüh- rungsbeispiel der Fig. 2 oderRTI ID="0003.0218" WI="16" HE="4" LX="1565" LY="1766"> Transistor T1 ein gewöhn licher NPN-Transistor sein, dessen Emitter mit .der Klemme 1 und .dessen Kollektor mit der unteren Klemme der Wicklung <B>TA,</B> verbunden ist. Der Tran sistor T., könnte in diesem Fall ein gewöhnlicher ange- pas.ster PNP-Transistor sein, dessen Emitter mit der Klemme 1' und dessen Kollektor mit der oberen Klemme der Wicklung TB, verbunden ist. Ausserdem wurde bei :den beschriebenen Ausführungsbeispielen an genommen, .dass die direkt miteinander verbundenen Wicklungen, wie z. B.<B>TA,</B> und<B>TA,</B> in den Fig. 1, 2 und 3 ldie @gleie)hv Winduugszahl aufweisen. Dies isst jedoch keinesfalls als Elnschränkung aufzufassen; denn bei Ver- wendung gewöhnlicher unsymmetrscher Transisitoren für T1 und T2 ist tes zweckmässig, für die Wicklungen, wie z: B.<B>TA,</B> und TA", verschiedene Wndungszählen zu ver wenden, wie dies im französischen Patent No. <B>1</B>242 790 dargelegt isst. Die Windungs@zahlien .sind dabei von der Ursymmetrie .der verwendeten Transistoren abhängig. Obwohl die beschriebenen Modulatoren sich insbe- sondere- in Trägmwellen-Übertraguugminlagen verwen- den lassen, ist .es klar, dass solche Modulatorschaltungen auch andere Anwendungen finden können, z. B. in Tast- schaltungen.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator, ge- kennzeichnet dusch einen ersten Tnamiistor und eine erste mit diesem Transistor verbundene Wicklung; einen zweiten Transistor und eine zweite mit diesem Transistor verbundene Wicklung;Mittel für den Empfang eines Eingangssignals; eine Ausgangswicklung zur Abgabe ein. -s Ausgangssignals; und Mittel für den Empfang eines Trägersignals, welche mit,den Basiselek troden der Transistoren verbunden: sind, wobei das Trä gersignal abwechslungsweise einen :der Transistoren ent- sperrt und den anderen Transistor sperrt, um das Aus gangssignal mit abwechselnder Polarität in der Aus- gangswicklung zu induzieren.UNTERANSPRÜCHE 1. Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator nach Patentanspruch,gekennzeichnet durch einen ersten und einen zweiten Transformator, von denen jeder min destens eine erste Wicklung mit einer Mittelanzapfung und eine zweite Wicklung aufweist;ein erstes Klemmen paar für den Empfang eines Eingangssignals, welches Klemmenpaar mit den genannten Transformatoren ge koppelt ist; eine Verbindung zwischen Iden Klemmen der ersten Wicklungen ,des ersten und zweiten Transforma tors mit dem Emitter und Kollektor des ersten bzw.zweiten Transistors; ein zweites Klemmenpaar zur Ab gabe eines Ausgangssignals, wobei die zweiten Wicklun gen der Transformatoren mit dem zweiten Klemmen paar gegenphasig in Serie geschaltet sind;und Mittel für den Empfang eines Trägersignals, wobei das Träger signal abwechslungsweise einen der Transistoren in den leitenden Zustand versetzt, so dass ein Strom von den Klemmen der ersten mit :dem leitenden Transistor ver bundenen Wicklung zur Mittelanzapfung dieser Wick lung fliesst, wodurch diese Wicklung kurzgeschlossen wird. 2.Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator nach Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und :der zweite Transformator eine dmim mit der ersten und zweiten Wicklung induktiv gekoppelte Wicklung aufweist,wobei die dritten Wicklungen der Transformatoren miteinander in Serie geschaltet sind; dass das erste Kle.mmenpaar ,für den Empfang :eines Ein- gangssignals mit den dritten Wicklungen gekoppelt ist;und dass ein drittes Klemmenpaar für den Empfang eines Trägersignals vorgesehen ist, wobei eine Klemme direkt mit der Basis des ersten Transistors und über einen Widerstand mit der Mittelanzapfung :der mit dem zwei ten Transistor verbundenen ersten Wicklung gekoppelt ist, und die andere Klemme direkt mit der Basis des zweiten Transistors und über einen Widerstand mit der Mittelanzapfung der mit dem ersten Transistor verbun denen -ersten Wicklung gekoppelt ist, wobei das Träger signal abwechslungsweise einen der Transistoren in den leitenden Zustand versetzt. 3.Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator nach Untemnrpruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der reiste und der zweite Transformator mindestens eine erste Wicklung mit einer Mitielanzapfunig und eine zweite Wicklung aufweist, wobei :die Mittelanzapfung an einem gemeinr,a,men Punkt direkt verbunden sind; dass das erste Klemmenpaar für den Empfang eines Ein- gangssignals mit den ersten Wicklungen direkt verbun den ist;und dass ein drittes Klemmenpaar für den Emp- farlg eines Trägersignals vorhanden ist,woben eine Klemme des dritten Klemmenpaares direkt mit denn. ge- mannten gemeinsamen Punkt und die andere Klemme Über Widerstände mit :den Bariselektroden der Tranm- stomen verbunden ist, dais Trägersignal abwechslungs weise einen der Transistoren in den leitenden Zustand versetzt. 4.Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator nach Unbemanspmuch 3, ,gekennzeichnet durch einen *itten Transformator für den Empfang eines Trä- ,gemsignals, welcher eine erste Wicklung und eine zweite Wicklung aufweist,welch letztere mit einer Mit telanzapfung versehen ist, -die mit dem genannten ge meinsamen Punkt verbunden ist, und eine Klemme der zweiten Wicklung mit der Basis des ersten Transistors und :die andere Klemme mit der Basis des zweiten Tran sistors verbunden ist, und das Trägersignal abwechs lungsweise einen der Transistoren in den leitenden Zu stand versetzt. 5.Doppelt ;symmetrischer Transistor-Modulator coach Patentanspruch, gekennzeichnet durch einen erstem Transformator mit einer Eingangswicklung für den Emp- üang enmes Eingangssignals und mindestens einer weiteren Wicklung;einen zweiten Transformator mit einer Aus- ,gangswicklung und mindestens zwei werteren Wicklun gen;zwei Signalwege zwischen denRTI ID="0004.0239" WI="13" HE="4" LX="1663" LY="1048"> weiteren Wicklungen der beiden Transformatoren, welche Signalwege so ge schaltet sind, dass bei Übertragung von Signalen über den ersten bzw. zweiten Signalweg Signale unterschied licher Polarität in der Ausgangswicklung induziert wer- den;weitere dadurch ,gekennzeichnet, dass der erste und zweite Transistor mit ihren Em@itter-Kollektor-@Strek- ken je in einen oder Signalwege geschaltet sind;und dass ein K.lemmenpaa>r für den Empfang eines Träger signals vorgesehen ist, wobei ,das Trägersignal abwechs lungsweise einen :der Transistoren in den leitenden Zu stand versetzt, so dass Strom durch den mit dem leiten den Transistor verbundenen Signalweg fliesst. 6.Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator nach Unteranspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Transformator eine erste und eine zweite wei tere Wicklung mit je einer Mittelanzapfung aufweist;dass der zweite Transformator eine erste und eine zweite weitere Wicklung aufweist in der Form je eines Wick lungspaares; dass zwischen den äusseren Klemmen der ersten bzw. zweiten Wicklung des ersten, Transformators und den äusseren Klemmen des ersten bzw. zweiten Wicklungspaares des zweiten Transformators je ein Si gnalweg vorhanden ist;:dass die Emitter-Kollektor-Strek- ken je eines der genannten Transistoren die inneren Klemmen je eines Wicklungspaares des zweiten Tnanssform,ators verbinden;.und dass eine Klemme Beis genannten Klemmenpaares für den Empfang eines Trägersignales direkt- mit der Basis des ersten Transistors und über einen Widerstand mit der Mittel- anzapfung dien zweiten Wicklung des ersten Transforma- tors:verbunden ist, und dass die andere Klemme direkt mit der Basis des zweiten Transistors und über einen Widerstand mit der Mittelanzapfung der ersten Wick- Pung .des ersten Transformators verbunden ist. 7.Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator nach Unmeewanspruch 6, dadurch gek enxzeichnet, dass ider erste Transformator eine weitere Wicklung mit einer Mittelanzapfung aufweist;dass der zweite Transformator eine erste und eine zweite weitere Wick lung aufweist in ;der Form je eines Wicklungspaares, wo bei die nebeneinanderliegenden äusseren Klemmen bei- ,der Wicklungspaare miteinander verbunden sind und eine Mittelanzapfung bilden;dass eine äussere Klemme der weiteren Wicklung des ersten Transformators mit der genannten Verbindung der Wicklungspaare des zweiten Transformators verbunden ist und dass die an- dere äussere Klemme dieser Wicklung mit beiden ver bleibenden der äusseren Klemmen der Wicklungspaare verbunden ist,so dass zwei Signalwege vorhanden sind; dass die Emitter-Kollektor-Strecken je eines der genarm. ten Transistoren die inneren Klemmen je eines Wick- lungspaares des zweiten Transformators verbinden;und dass eine Klemme des genannten Klemmenpaares für den Empfang eines Trägersignales direkt mit der Mittel anzapfung der weiteren Wicklung des ersten Transfor- mators verbunden ist, und dass die andere Klemme über Widerstände mit den Basiselektroden der Transistoren verbunden ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB3411756A GB808396A (en) | 1956-11-08 | 1956-11-08 | Improvements in or relating to carrier wave modulators and demodulators |
NL276980 | 1962-04-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH446451A true CH446451A (de) | 1967-11-15 |
Family
ID=26262161
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH358127D CH358127A (de) | 1956-11-08 | 1957-10-09 | Trägerwellen-Frequenzumsetzer |
CH1143561A CH417673A (de) | 1956-11-08 | 1961-10-02 | Telegraphenanlage mit Phasensprung-Modulation |
CH446563A CH446451A (de) | 1956-11-08 | 1963-04-08 | Doppelt symmetrischer Transistor-Modulator |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH358127D CH358127A (de) | 1956-11-08 | 1957-10-09 | Trägerwellen-Frequenzumsetzer |
CH1143561A CH417673A (de) | 1956-11-08 | 1961-10-02 | Telegraphenanlage mit Phasensprung-Modulation |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US2943271A (de) |
BE (2) | BE562224A (de) |
CH (3) | CH358127A (de) |
DE (2) | DE1268688B (de) |
FR (5) | FR1196922A (de) |
GB (1) | GB978252A (de) |
NL (2) | NL269883A (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3034074A (en) * | 1957-10-30 | 1962-05-08 | Gen Electric | Full-wave modulator circuits |
US3027522A (en) * | 1958-06-23 | 1962-03-27 | Lenkurt Electric Co Inc | Double balanced transistor modulator |
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-
0
- NL NL276980D patent/NL276980A/xx unknown
- BE BE630765D patent/BE630765A/xx unknown
- DE DENDAT1066631D patent/DE1066631B/de active Pending
- NL NL269883D patent/NL269883A/xx unknown
- BE BE562224D patent/BE562224A/xx unknown
-
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- 1957-10-28 US US692805A patent/US2943271A/en not_active Expired - Lifetime
- 1957-11-08 FR FR1196922D patent/FR1196922A/fr not_active Expired
- 1957-11-27 FR FR752548A patent/FR73366E/fr not_active Expired
-
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- 1960-10-04 US US60514A patent/US3141066A/en not_active Expired - Lifetime
- 1960-10-14 FR FR841214A patent/FR78527E/fr not_active Expired
-
1961
- 1961-10-02 CH CH1143561A patent/CH417673A/de unknown
- 1961-10-04 FR FR875012A patent/FR80474E/fr not_active Expired
-
1963
- 1963-03-30 DE DEP1268688A patent/DE1268688B/de active Pending
- 1963-04-04 US US270746A patent/US3248673A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-04-05 GB GB13692/63A patent/GB978252A/en not_active Expired
- 1963-04-08 CH CH446563A patent/CH446451A/de unknown
- 1963-04-09 FR FR930945A patent/FR83440E/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE630765A (de) | |
US3248673A (en) | 1966-04-26 |
CH358127A (de) | 1961-11-15 |
NL269883A (de) | |
FR73366E (fr) | 1960-06-27 |
FR1196922A (fr) | 1959-11-26 |
CH417673A (de) | 1966-07-31 |
GB978252A (en) | 1964-12-23 |
FR83440E (fr) | 1964-08-07 |
US2943271A (en) | 1960-06-28 |
FR80474E (fr) | 1963-05-03 |
FR78527E (fr) | 1962-08-03 |
DE1268688B (de) | 1968-05-22 |
US3141066A (en) | 1964-07-14 |
NL276980A (de) | |
BE562224A (de) | |
DE1066631B (de) |
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