DE1957786C3 - Mefigleichrichterschaltung mit wenigstens einem Transistor - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Meßgleichrichterschaltung mit wenigstens einem Transistor, dessen Emitter-Kollektoi-Strecke als Diode geschaltet ist und dessen Basiselektrode über einen Widerstand mit einer Ausgangsklemme der Gleichrichterschaltung 111 Verbindung steht.

Mit Transistoren arbeitende Gleichnchterschaltun-_Ken mit obigen Merkmalen zur Steuerung der einem Gleichstromverbraucher, insbesondere einem Elektromotor zugeführten elektrischen Leistung, sind aus den US-PS 29 28 036 und 30 83 328 bekannt. Weiterhin ist aus der Zeitschrift »automatik«, August 1961, S 305 eine als Verstärker dienende stabilisierte Emitter-Schaltung bekannt, bei der zur Temperaturstabilisierung der Basiselektrode ein Gcgei:kopplungswiderstand vorgeschaltet ist.

Während es bei einer Steuerschaltung, beispielsweise zum Antrieb eines Gleichstrommotors aus einem Wechselspannungsnetz, in erster Linie auf einen hohen Wirkungsgrad ankommt, ist bei einer Meßgleichrichterschaltung in erster Linie die Erzielung einer möglichst temperaturunabhängigen linearen Abhängigkeit der Gleichspannung an den Ausgangsklemmen der Gleichrichterschaltung von der Wechselspannung an ihren Eingangsklemmen von Bedeutung. Der Wirkungsgrad spielt hierbei eine untergeordnete Rolle. Bei Transistor-Glcichrichterschaltungen, z. B. Emitterschaltungen, sind insbesondere die Temperaturabhängigkeit des Basiseingangswiderstandes R_Di, der Stromverstärkung β und des

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Kollektorreststromes/„₀ nachteilig. Weiterhin ändert Um das Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 noch

sich bei solchen Gleichnchterschaltungen wegen der weiter zu vereinfachen, denke man sich zunächst die

sinusförmigen Ansteuerung der Basiselektroden der Batterie Bl mit einem Kurzschlußbügel überbrückt,

zwischen Emitter und Kollektor hegende Innenwider- _und die Zuleitungen zu den Kondensatoren Cl und

stand der Transistoren verzerrt sinusförmig. Nimmt 5 C2 aufgetrennt. In dem jetzt vereinfachten Ausfüh-

man noch hinzu, daß auch die Eingangsspannung rungsbeispiel hat man eine Basisschaltung, welche im

sinusförmig ist, so erhält man an den Ausgangsklem- Sättigungsbereich arbeitet. Die Basis des Transi-

men eine pulsierende Spannung, die nicht ;_;ur in stors Q ist über den relativ hochonmigen Widerstand

mathematisch recht komplizierter Weise von der Al mit dem Minuspol der Gleichspannungsquelle

Eingangssrrannung abhängt, sondern auch noch io und dem Lastwiderstand R 7 verbunden,

gegenüber ihrem Mittelwert relativ hoch liegende Zur leichteren Verständlichkeit der Wirkunesweise

Spitzenwerte aufweist. Zur Gläitung solcher impuls- sind symbolisch die DiodenDl (Basis-Emitter-Diode),

förmigen Spitzenwerte ist ein erheblicher Aufwand Dl (ßasis-Kollektor-Diode) und D 3 als Ersatzdiode

notwendig. fü_r ^e Kollektor-Emitter-Strecke eingezeichnet. Der

Aufgabe der Erfindung ist es, eine für Meß- und 15 Easiswiderstand R1 wird entsprechend der Spannung Regelzwecke geeignete Meßgleichrichterschaltung an- Ul, dem Lastwiderstand Rl und der Stromverstärzi'geben, bei der die Abhängigkeit zwischen der kung β so dimensioniert, daß der Transistor Q sich Gleichspannung an ihren Ausgangsklemmen und der in der Sättigung befindet und kleine Änderungen des Wechselspannung an ihren Eingangsklemmen nicht Basisstroms nur äußerst aeringe Änderungen des von der Temperatur beeinflußt wird und bei der sich 10 Kollektorstroms hervorruftrGegenüber einer in Reiber Innenwiderstand der Transistoren zwischen deren henschaltung mit einem Widerstand an eine Gleich-Kollektor- und Emitter-Elektroden nicht ändert. Spannungsquelle in Durchlaßrichtung angeschlosse-

Diese Aufgabe wird gelöst durch die im An- nen Diode, weist das vereinfachte Ausführungsbeitpruch 1 gekennzeichneten Merkmale. Sie zeichnet spiel nadi Fig. 1 folgende Vorteile auf: Die bei dem fich nicht nur durch eine besonders geringe Tempe- 25 in der Sättigung betriebenen Transistor zwischen desraturabhängigkeit, sondern auch durch die Erzielung sen Emitter- und dessen Kollektorelektrode abfallende einer linearen Kennlinie bis zu sehr niedrigen Span- Restspannung (< 0,1 V) ist etwa nur ein Zehntel so nungswerten hin aus. Die Erfindung ist bei Einweg-, groß wie die an der in Durchlaßrichtung betriebenen Doppelweg-, Brücken- und Verdopplerschallungen Diode abfallende Spannung (ungefähr 1 V). Weitergleichermaßen vorteilhaft einsetzbar. 30 hin machen sich im Gegensatz zur Diode Exemplar-Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben Streuungen kaum bemerkbar, weil die Transistoren Sich aus den Unteransprüchen. Die Erfindung wird in der Sättigung betrieben werden. Dazu kommt, daß nachfolgend an Hand in der Zeichnung dargestellter die Abhängigkeit der den Sättigungsbereich der Tran-Ausführungsbeispiele erläutert. Hierbei zeigt sistoren begrenzenden Rest- oder Kniespannung von

Fig. 1 zur Erläuterung der prinzipiellen Arbeits- 35 der Temperatur etwa 20mal kleiner ist als die

weise der Gleichrichterschaltung ein vereinfachtes Temperaturabhängigkeit der Schleusenspannung von

Ausführungsbeispiel, Dioden.

Fig. 2 den tatsächlichen Aufbau eines zur Ein- Das vereinfachte erste Ausführungsbeispiel besitzt,

Weggleichrichtung dienenden zweiten Ausführungs- ebenso wie die nachfolgend beschriebenen weiteren

beispiels, 40 Ausführungsbeispiele, nicht nur ein sehr günstiges

Fig. 3 den tatsächlichen Aufbau eines zur Doppel- Temperaturverhalten, sondern zusätzlich noch die

Weggleichrichtung dienenden dritten Ausführungs- Möglichkeit, die Temperatureinflüsse vollkommen zu

beispiels, kompensieren. Wie bereits gesagt, handelt es sich um

Fig. 4 den tatsächlichen Aufbau eines als Brük- eine in Sättigung betriebene Basisschaltung. Das be-

lcenschaltung arbeitenden vierten Ausführungsbei- 45 deutet, daß sowohl die Basis-Emitter-Diode D 1 als

Spielsund auch die Basis-Kollektor-Diode D2 in Durchlaß-

Fig. 5 den tatsächlichen Aufbau eines als Ver- richtung arbeiten und der über den Widerstand Rl

dopplerschaltung arbeitenden fünften Ausführungs- fließende Strom sich auf beide Dioden verteilt. Der

beispiels. über D 2 fließende Strom kann nicht Null werden.

In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 ist der 5° weil D2 in der Durchlaßspannung immer niedriger Emitter eines Transistors Q mit der Eingangs- liegen muß als Dl und weil die Kollektor-Emitter-Iklemme 2 und die Basis dieses Transistors über eine Spannung U_cr nie Null oder kleiner als Null werden Reihenschaltung aus einem hochohmigen Widerstand kann. Durch ihre Struktur hat die Basis-Kollektor- Rl und einer Batterie Bl sowie über einen Parallel- Diode D2 eine größere Temperaturabhängigkeit al? kondensator C2 mit der Eingangsklemme 1 der Meß- 55 Dl. Wird nun der Transistor Q erwärmt, so nimmi gleichrichterschaltung verbunden. Die Ausgangs- der Innenwiderstand der beiden Dioden D1 und D 2 Klemme 3 ist an die Eingangsklemme 1 und die Aus- ab und die Stromverstärkung β zu. Der Innenwidergangsklemme 4 ist an den Kollektor des Transi- stand von D2 nimmt aber stärker ab als der von Dl. stors Q geführt. Die beiden Ausgangsklemmen 3 :o daß bei richtiger Diinensionicrung des Basisvor- und 4 sind über einen Kondensator Cl und einen 60 Widerstandes Rl der Strom über Dl nicht nur kon· Lastwiderstand Rl miteinander verbunden. Zur bes- stant bleibt, sondern sogar abnimmt und damit aucl· seren Verständlichkeit der Arbeitsweise des Aus- die Zunahme der Stromverstärkung β kompensiert führungsbeispiels nach F i g. 1 soll anstatt einer Die Kollektor-Emitter-Spannung U_cr. bleibt konstant Wechselspannung an den Eingangsklemmen eine Wird Al im Widerstandswert zu hoch gewählt. Gleichspannung Ul liegen, wobei der negative Pol 65 nimmt der Strom über D 2 zu wenig zu, der Einfluß dieser Gleichspannung an die Eingangsklemme 1 und von D 2 ist zu gering, und die Schaltung ist unterder positive Pol dieser Gleichspannung an die Ein- kompensiert (positiver Temperaturgang der Ausgangsklemme 2 angeschlossen sein soll, gangsspannung Ul). Wird Rl zu niedrig gewählt.

nimmt der Strom über D 2 zu stark zu, der Einfluß spannungswert der Batterie B1 nach oben begrenzt, von Dl wird zu groß, und die Schaltung ist über- da der Widerstand Rl aus den schon oben erläuterkompensiert (negativer Temperaturgang), ten Gründen nicht beliebig groß gemacht werden Denkt man sich in dem vereinfachten ersten Aus- kann. Bei der Verwendung der Batterie B1 ist die führungsbeispiel die Gleichspannung Ul an den 5 Abhängigkeit zwischen Eingangsspannung und Aus-Eingangsklemmen 1 und 2 immer mehr verkleinert, gangsspannung bei sinkenden Eingangsspannungsso unterschreitet die Emitter-Basis-Spannung schließ- werten linear bis zur Kollektor-Restspannung von lieh den Wert der Durchlaßspannung der Emitter- etwa 0,1 V.

Basis-Diode (etwa 0,7 V), wodurch kein Strom mehl Sollten mit Hilfe der erfindungsgemäßen Gleichvom Emitter zur Basis fließt und wegen des fehlen- io richterschaltung Wechselspannungen unterschiedden Basisstroms auch die Emitter-Kollektor-Strecke licher Frequenz gleichgerichtet werden, so läßt sich des Transistors Q gesperrt wird. Denkt man sich dazu das Frequenzverhalten der Schaltung dadurch vernoch in dem vereinfachten Ausführungsbeispiel den bessern, daß man den Kondensator Cl abschaltet. Kondensator C1 wieder eingeschaltet (wie in F i g. 1 Eine weitere Verbesserung des Frequenzverhaltens gezeigt), so lädt sich dieser Kondensator mit der 15 bekommt man dadurch, daß man die Transistor-Polarität der Ausgangsklemmen auf. Nimmt man an, kapazität durch einen parallel zum Widerstand R1 daß die Eingangsspannung t/l statt einer Gleich- und der Batterie Bl geschalteten Kondensator C2 spannung eine Wechselspannung ist, so mißt man kompensiert. Bei einem derartigen Aufbau der ertrotz gleichbleibender Eingangswechselspannung bei findungsgemäben Gleichrichterschaltung beträgt die eingeschaltetem Kondensator Cl eine größere Aus- 20 Temperaturabhängigkeit etwa 10"V⁰C und die Fregangsgleichspannung als bei angeschaltetem Konden- quenzlinearität reicht (je nach der Transistortype) bis sator. Das kann man sich so erklären, daß der Lade- weit in den Megahertzbereich hinein, kondensator, abgesehen von seiner Tendenz, sich auf Das in F i g. 2 dargestellte zweite Ausführungsbeiden Spitzenwert der Wechselspannung aufzuladen, spiel entspricht dem in F i g. 1 gezeigten ersten Ausden Widerstandswert des Lastwiderstandes durch 25 führungsbeispiel, nur daß die Eingangsklemmen 21 seine Aufladung verkleinert. Dadurch vermindert sich und 22 anstatt an eine Gleichspannungsquelle U1 an der Potentialunterschied zwischen Kollektor und eine Wechselspannungsquelle U 21 angeschlossen Basis wegen des vergrößerten Kollektorstroms. Als sind. Als Wcchselspannungsquelle Uli kann bei-Folge davon fließt ein kleinerer Strom vom Kollektor spielsweise eine Transformatorwicklung oder ein zur Basis, der nicht nur den Wirkungsgrad der Schal- 30 Wechselspannungsgenerator dienen. Unabhängig vom tung verbessert, sondern auch den Spannungsabfall Innenwiderstand der Eingangsspannungsquelle an über den hochohmigen Widerstand Rl vermindert den Eingangsklemmen 21 und 22 wird der Transistor und damit das Potential an der Basis gegenüber dem Q 20 stets angesteuert, da der über eine Batterie B 20 Emitter erhöht. Daraus ergibt sich, daß bei Ver- die Eingangsklemme 21 mit der Basis des Transistors Wendung eines Ladekondensators Cl der Transi- 35 verbindende Widerstand RIl sehr hochohmig im ] stör Q erst bei niedrigeren Eingangsspannungen gc- Vergleich zum Innenwidei stand der Spannungsquelle · sperrt wird. Ein weiterer Vorteil des Ladekondensa- ist. Der Emitter des Transistors Q 20 ist an die Ein- \ tors C1 ist der, daß er die Ausgleichspannung glät- gangsklemme 22 angeschlossen, während der Kollek- ; tet. Die Entladung des Kondensators Cl während tor über einen zwischen den Ausgangsklemmen 23 > der zweiten Halbwelle der Wechselspannung, in der 40 und 24 liegenden Kondensator C 20 und den Last- ι die Eingangsklemme 1 positiv gegenüber der Ein- widerstand R 27 zur Eingangsklemme 21 geführt ist. ] gangsklemme 2 ist, kann vernachlässigt werden, da Wie im ersten Ausführungsbeispiel schon beschrie- > sowohl der Lastwiderstand Rl als auch der mit dem ben, wird der Kondensator C20 während der ersten j Kondensator über die Kollektor-Basis-Diode ver- Halbwelle, in der die Spannung an der Eingangsbundene Widerstand R1 relativ hohe Widerstands- 45 klemme 22 positiv gegenüber der Spannung an der werte haben. Eingangsklemme 21 ist, aufgeladen, während in der Auch die Verwendung des Ladekondensators Cl zweiten Halbwelle der Eingangswechselspanung der c kann nicht verhindern, daß bei einer Wechselspan- Transistor Q 20 gesperrt ist. j nung an den Eingangsklemmen 1 und 2 der Transi- Die Arbeitsweise des in F i g. 3 gezeigten dritten stör Q während der ersten Halbwelle, in der die 50 Ausführurssbeispiels entspricht der des zweiten Aus- c Eingangsklemme 2 positiv gegenüber der Eingangs- führungsbeispiels, nur daß die Schaltung nach F i g. 3 ι klemme 1 ist, gesperrt wird, sobald die Basis-Emitter- als Doppelweggleichrichter arbeitet, wodurch der s Spannung einen Wert von 0,7 V unterschreitet. Zur Kondensator C 30 sowohl während der ersten als j Erzielung einer linearen Abhängigkeit zwischen der auch während der zweiten Halbwelle aufgeladen Eingangswechselspannung und der Ausgangsgleich- 55 wird. An den Eingangsklemmen 31 und 32 der Pri- j spannung auch bei kleinen Wechselspannungswerten märwicklung eines Transformators Tr liegt eine ] empfiehlt sich daher, in den Emitter-Basis-Kreis eine Wechselspannungsquelle t/3i. Die Sekundärwickkonstante Gleichspannungsquelle einzufügen, die den lung des Transformators besteht aus zwei gleichsinnig I Transistor auch bei gegen Null gehender Wechsel- gewickelten Wicklungshälften. Das Wicklungsende ι spannung geöffnet hält. Eine in diesem Sinne wir- 60 der einen Wicklungshälfte ist mit dem Wicklungskende Gleichspannungsquelle ist in dem Ausfüh- anfang der zweiten Wicklungshälfte verbunden und rungsbeispiel nach Fig. 1 als Batterie Bl dargestellt. bildet die Mittel anzapfung der Sekundärwicklung des ι Die Dimensionierung der Batterie Bl ist wichtig. Transformators. Diese Mittelanzapfung ist zur Aus- ^ Einerseits muß ihr Glcichspannungswert groß genug gangsklemme 33 geführt. Die beiden restlichen Wick- λ sein, um die Emittcr-Basis-Strcckc bei einer Ein- 65 lungsenden sind an die Emitterelektrode des Transigangswcchselspannung von 0 Volt geöffnet zu halten. stors Q 31 bzw. Q 32 angeschlossen, deren mitein- ( so daß über diese Diode in ihrer Durchlaßrichtung ander verbundene Kollcktorelektroden zur zweiten I ein Basisstrom fließt, andererseits ist der Gleich- Auscancskicmmc 34 der Schaltunc neführt sind. Zwi-

•chen den Ausgangsklemmen 33 und 34 liegt der der Transistor β 52 den Kondensator C 51 auf. Die Ladekondensator C 30, dem der Lastwiderstand R 37 Spannungen an den Kondensatoren C 50 und C 51 parallel geschaltet ist. Die Mittelanzapfung der Se- addieren sich am Lastwiderstand R 57, so daß die kundärwicklung des Transformators ist über eine Ausgangsspannung U 52 doppelt so hoch ist wie die Batterie B 30 und einen Widerstand R 33 mit einem 5 einer Doppelweggleichrichtung bei gleicher Eingangs-Teilerpunkt 38 verbunden, der über einen Wider- spannung. Die Funktionen der Widerstände RSl, stand Ä31 bzw. R 32 an die Basiselektroden der R 52 und der Batterien B 51, B 52 entsprechen den Transistoren β31 und β32 angeschlossen ist. Der Schaltungen nach den Fig. 1 bis 4. Die Schaltung ist Widerstand R 33 dient nur zum einfacheren Einstel- besonders vorteilhaft, weil sie auch ohne Transformalen des Arbeitspunktes und der Temperaturkompen- io tor im Eingang einen hohen Wirkungsgrad bei kleisation, indem man die Widerstände Ä31 und Λ 32 nem Aufwand besitzt. Dagegen ist sie durch die gleich aber zu niedrig im Widerstandswert dimensio- Kondensatoren C 50, C 51 frequenzabhängig. Ersetzt niert, so daß sie nicht mehr geändert werden müssen, man diese durch Widerstände, so entsteht eine Dopwenn mit R 33 die endgültige, genaue Kompensa- pelwegschaltung ohne Transformator, allerdings ist tion erfolgt. Ist dies nicht erforderlich, kann R 33 15 deren Wirkungsgrad gering.

entfallen. Die Wirkung der Batterie B 30 und des Spannungsänderungen der Batterien B 51 und B 52

Kondensators C30 sowie die Möglichkeiten einer sowie auch der Batterien Bl, B 20, B30 und B 41,

Verbesserung des Frequenzverhaltens der Schaltung B 42 in den oben beschriebenen Ausführungsbeispie-

wurden schon an Hand des ersten und zweiten Aus- len haben einen vernachlässigbar kleinen Einfluß auf

führungsbeispiels besprochen. ao die Ausgangsspannung. So bewirkt eine Änderung

Das in Fig. 4 dargestellte vierte Ausführungsbei- der Batteriespannung von 0,1 V eine Änderung der spiel stellt eine Anwendung des Erfindungsgedankens Ausgangsgleichspannung von etwa 1 mV. auf eine Gleichrichterbrückenschaltung dar. Zwischen Die oben erläuterten Ausführungsbeispiele können den beiden Eingangsklemmen 41 und 42 liegt eine weitgehend abgewandelt werden, ohne den Rahmen Wechselspannungsquelle 1/41. Die Eingangsklemmen 25 der Erfindung zu verlassen. So können beispielsweise 41 und 42 sind zu den Emitterelektroden der Transi- die Transistoren bei entsprechender Polung der zustoren Q 41, β 43 bzw. β 42, β 44 geführt, deren geordneten Batterien durch Transistoren entgegenpaarweise miteinander verbundene Kollektorelektro- gesetzten Leitfähigkeitstyps ersetzt werden. Auch den an die Ausgangsklemmen 43 bzw. 44 angeschlos- kann es bei einer sich ändernden Frequenz der Einsen sind. Zwischen den Ausgangsklemmen 43 und 44 30 gangswechselspannung wünschenswert sein, die Ausliegt ein Kondensator C 40, dem ein Lastwiderstand führungsbeispiele ohne die Kondensatoren C 20, C 30 /?47 parallel geschaltet ist. Die Ausgangsklemme 43 und C 40 aufzubauen, da hierdurch ein besseres Freist über eine Batterie B 41 und einen Widerstand quenzverhalten erzielt wird.

Λ 46 zu einem Teilerpunkt 45 geführt, der über je- Ebenfalls ist es möglich, das Frequenzverhalten

weils einen Widerstand R 43 bzw. R 44 mit den 35 mit parallel zu den die Basiselektroden versorgenden

Basiselektroden der beiden pnp-Transistoren 043 Batterien und Widerständen geschalteten Kondensa-

bzw. Q 44 verbunden ist. Die Ausgangsklemme 44 ist toren zu verbessern. Im Ausführungsbeispiel nach

über eine Batterie B42 und einen Widerstand J?45 Fig. 5 kann die Versorgung der Basiselektroden der

zu einem Teilerpunkt 46 geführt, der über einen Transistoren β 51 und Q 52 folgendermaßen variiert

Widerstand RAl bzw. R 42 mit den Basiselektroden 40 werden: Der Minuspol von B 51 wird von der

der npn-Transistoren β 41 bzw. β 42 verbunden ist. Klemme 54 und der Pluspol von B 52 von der

Für die Wirkungsweise der Batterien B 41, B 42, der Klemme 53 abgetrennt. Beide genannten Pole werden

Widerstände jR45, R 46 und des Kondensators C 40 miteinander verbunden und über einen Widerstand

gilt das zu den vorhergehenden Ausführungsbeispie- oder direkt an Klemme 51 gelegt. Oder die Basen

len Gesagte. 45 von QSl und Q 52 werden über R 51 und R 52 mit

Das in F i g. 5 dargestellte fünfte Ausfühnmgsbei- dem Pluspol und dem Minuspol einer Batterie verspiel stellt eine Verdopplerschaltung unter Benutzung bunden. Parallel zur Batterie liegt ein Spannungsdes Erfindungsgedankens dar. Zwischen den Ein- teiler aus zwei Widerständen, dessen Mittelpunkt gangsklemmen 51 und 52 liegt eine Wechselspan- direkt oder über einen weiteren Widerstand an dei nungsquelle USl. Die Eingangsklemme 52 liegt an 50 Eingangsklemme 51 liegt. Hierbei wird eine Batterie den Emittern der Komplementärtransistoren β 51 eingespart.

und Q 52, die Klemme 51 an der Verbindung zwi- Weiterhin können die Schaltungen entsprechend

sehen den Kondensatoren C50, C51. An den Aus- den Fig. 2 bis 5 im Ausgang eines Verstärkers mil

gangsklemmen 53 und 54 liegt der Lastwiderstand hoher Verstärkung angeordnet werden. Die Rück

R 57. An der Ausgangsklemme 53 liegt der andere 55 führung (Gegenkopplung) zum Verstärkereinganj

Anschluß des Kondensators C 50, der Pluspol der wird bei einer Einweggleichrichtung entsprechenc

BatterieB 52 und der Kollektor des Transistors ß51. Fig. 2 dem Gleichspannungsausgang, bei Schaltun

An der Klemme 54 liegt der andere Anschluß des gen entsprechend den F i g. 3 bis 5 über eine fü:

Kondensators C 51, der Minuspol der Batterie B 51 Wechselstrom durchlässige Schaltung entsprechen

und der Kollektor des Transistors β 52. 60 dem Erfindungsprinzip dem Verstärkerausgang ent

Die Basis des Transistors β51 ist über den nommen.

Widerstand RSl mit dem Pluspol der Batterie BSI, Diese Anordnungen ermöglichen ein völlig lineare

und die Basis des Transistors Q 52 ist über den Verhältnis zwischen Eingangs-Wechselspannung im<

Widerstand R 52 mit dem Minuspol der Batterie B 52 Ausgangs-Gleichspannung, da die Rückführung di

verbunden. 65 gleiche Nichtlinearität im Bereich unter 0,1 V besitz!

Die Schaltung arbeitet folgendermaßen: Während wie die Gleichrichterschaltung. Da außerdem beid

der negativen Halbwelle lädt der Transistor β51 den Anordnungen (Gleichrichtung und Rückführung

Kondensator C 50, während der positiven Halbwelle gleiches oder sehr ähnliches Temperaturverhalten be

sitzen, sind diese Anordnungen äußerst temperaturstabil. Ist der Verstärker ein Gleichspannungsverstärker, so kann man ohne Umschalten Gleich- und Wechselspannungen oder -ströme mit diesen Anordnungen messen bzw. verstärken, ohne die Polarität zu beachten. Will man bei Anordnungen mit Schaltungen entsprechend den F i g. 3 bis 5 die Polarität von Gleichspannungen oder -strömen feststellen, kann

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man vermittels eines Schalters od. dgl. eine Hälfte bzw. einen Brückenzweig der Gleichrichterschaltung öffnen. Ist die an den Eingangsklemmen angegebene Polarität richtig, bleibt ein Ausgangswert bestehen. Ist die Polarität umgekehrt, sinkt der Ausgangswert auf Null ab. Solche, wie zuletzt beschriebene Anordnungen, eignen sich insbesondere für Universalmeßgeräte mit geringem Eigenverbrauch.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Meßgleichrichterschahung mit wenigstens einem Transistor, dessen Emitter-Kollektor-Strecke als Diode geschaltet ist und dessen Basiselektrode über einen Widerstand mit einer Ausgangsklemme der Gleichrichterschaltung in Verbindung steht, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (Rl) hochohmig im Vergleich zum Basiseingangswiderstand des Transistors (Q) gewählt und zwischen den Widerstand und die mit ihm in Verbindung stehende Ausgangsklemme (3) eine Gleichspannungsquelle (Sl) mit solcher Polarität eingescnaltet ist, daß is ihr an dieser Ausgangsklemme liegender Pol die entgegengesetzte Polarität hat wie diese Ausgangsklemme (3).

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Ausgangsklemmen (3, 4) ein Kondensator (Cl) eingeschaltet ist (Fig. 1).

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß den in die Basiszuleitung des Transistors (Q) eingeschalteten Schaltelementen (Rl, Bl) ein Kompensationskondensator (C 2) parallel geschaltet ist.

4. Als Doppelweg-Gleichrichterschaltung ausgebildete, aus der mit einer Mittenanzapfung versehenen Sekundärwicklung eines Transforma- 3a tors gespeiste Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektroden zweier mit ihren Emitterelektroden an die Wicklungsenden der Sekundärwicklung angeschlossener Transistoren (Q 31, Q32) über je einen im Vergleich zum Basiseingangswiderstand der Transistoren hochohmigen Widerstand {R 31,

R 32) an den einen Pol der Gleichspannungsquelle (B30), der andere Pol der Gleichspannungsquelle sowie die Mittenanzapfung der Sekundärwicklung an die eine Ausgangsklemme (33) und die zusammengeschalteten Kollektorelektroden der beiden Transistoren an die andere Ausgangsklemme (34) angeschlossen sind (F i g. 3).

5. Als Gleichrichter-Brückenschaltung ausgebildete Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei die miteinander verbundenen Kollektorelektroden eines ersten Transistorpaares (Q 41,

Q 42) an die eine Ausgangsklemme (43) und die Kollektorelektroden eines zweiten Transistorpaares (Q 43, Q 44) an die andere Ausgangsklemme (44) angeschlossen sind, während die Emitterelektrode des jeweils ersten Transistors (Q 41, Q 43) des ersten und des zweiten Transistorpaares an die eine Eingangsklemme (41) und die Emitterelektrode des jeweils zweiten Transistors (Q 42, Q 44) beider Transistorpaare an die andere Eingangsklemme (42) geführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektroden des ersten Transistorpaares (Q 41, Q 42) über je einen im Vergleich zum Basiseingangswiderstand der Transistoren hochohmigen Widerstand {R 41, R 42) an den einen Pol einer ersten Gleichspanpungsquelle (ß42) angeschlossen sind, deren anderer Pol an der anderen Ausgangsklemme (44) liegt, während die Basiselektroden des zweiten Transistorpaares (Q43, Q 44) über je einen im Vergleich zum Basiseingangswiderstand des Transistors hochohmigen Widerstand (R 43, R 44) an den einen Pol einer zweiten Gleichspannungsquelle (541) entgegengesetzter Polarität angeschlossen sind, deren anderer Pol an der einen Ausgangsklemme (43) liegt (F i g. 4).

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die beiden Basiswiderstände (R31/R32; R41, R42/R43 R44) und den einen Pol der Gleichspannungsquelle (B 30; B 4VB 42) ein Abgleichwiderstand (R 33; R 45/R 46) eingeschaltet ist.

7 Als Verdopplerschaltung ausgebildete Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die eine Eingangsklemme (51) an den Verbindungspunkt der an die Ausgangsklemme (53, 54) angeschlossenen Reihenschaltung zweier Kondensatoren (C50, C51) und die andere Eingangsklemme (52) an den Verbindungspunkt der in Reihe geschalteten Gleichrichterstrecken zweier Transistoren (Q 51, Q 42) geführt ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des einen Transistors (Q51) über die Reihenschaltung eines im Vergleich zum Basiseingangswiderstand hochohmigen ersten Widerstandes (RSl) und einer ersten Gleichspannungsquelle (BSI) mit der einen Ausgangsklemme (54) und die Basiselektrode des anderen Transistors (Q 52) über die Reihenschaltung eines im Vergleich zum Basiseingangswiderstand hochohmigen zweiten Widerstandes (R 52) und einer zweiten Gleichspannungsquelle (Zi 52) mit der anderen Ausgangsklemme (53) in Verbindung steht (Fig. 5).