CH378546A - Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere Siliziumstäben - Google Patents

Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere Siliziumstäben

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CH378546A
CH378546A CH502160A CH502160A CH378546A CH 378546 A CH378546 A CH 378546A CH 502160 A CH502160 A CH 502160A CH 502160 A CH502160 A CH 502160A CH 378546 A CH378546 A CH 378546A
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CH
Switzerland
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rods
crucible
free zone
zone melting
particular silicon
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CH502160A
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Wolfgang Dr Keller
Reimer Dipl Phys Emeis
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Siemens Ag
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique

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