CH420069A - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial

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CH420069A
CH420069A CH1043163A CH1043163A CH420069A CH 420069 A CH420069 A CH 420069A CH 1043163 A CH1043163 A CH 1043163A CH 1043163 A CH1043163 A CH 1043163A CH 420069 A CH420069 A CH 420069A
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zone melting
melting
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CH1043163A
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Siemens Ag
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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DE3107260A1 (de) * 1981-02-26 1982-09-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial, insbesondere silicium

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