CH324866A - Verfahren zur Bildung eines P-N-Überganges in einem Halbleiter - Google Patents
Verfahren zur Bildung eines P-N-Überganges in einem HalbleiterInfo
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Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
GB8976/53A GB768022A (en) | 1953-03-31 | 1953-03-31 | Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in crystalline semi-conducting materials |
GB310353X | 1953-03-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=26242547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH324866D CH324866A (de) | 1953-03-31 | 1953-10-14 | Verfahren zur Bildung eines P-N-Überganges in einem Halbleiter |
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