CH324866A - Verfahren zur Bildung eines P-N-Überganges in einem Halbleiter - Google Patents
Verfahren zur Bildung eines P-N-Überganges in einem HalbleiterInfo
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB310353X | 1953-03-31 | ||
| GB8976/53A GB768022A (en) | 1953-03-31 | 1953-03-31 | Improvements in or relating to methods of forming p-n junctions in crystalline semi-conducting materials |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH324866A true CH324866A (de) | 1957-10-15 |
Family
ID=26242547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH324866D CH324866A (de) | 1953-03-31 | 1953-10-14 | Verfahren zur Bildung eines P-N-Überganges in einem Halbleiter |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH324866A (de) |
| FR (1) | FR1090746A (de) |
| GB (1) | GB768022A (de) |
| NL (1) | NL182045B (de) |
-
0
- NL NLAANVRAGE7508163,A patent/NL182045B/xx unknown
-
1953
- 1953-03-31 GB GB8976/53A patent/GB768022A/en not_active Expired
- 1953-10-12 FR FR1090746D patent/FR1090746A/fr not_active Expired
- 1953-10-14 CH CH324866D patent/CH324866A/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL182045B (nl) | |
| GB768022A (en) | 1957-02-13 |
| FR1090746A (fr) | 1955-04-04 |
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