CH270975A - Verfahren zum Herstellen von Elektronenentladungsvorrichtungen. - Google Patents

Description

  Verfahren zum Herstellen von     Elektronenentladungsvorrichtungen.       Die     Erfindung    betrifft ein Verfahren       zuni    Herstellen von     I:lektronenentladungsvor-          richtungen,    insbesondere von solchen mit  einer Elektrode, welche photoelektrisch  wirksam ist. oder Sekundärelektronen emit  tiert. Derartige Vorrichtungen sind z. B.

         photoelektriselie    Zellen und     Elektronenver-          vielfacher    sowie     Fernsehsenderöhren    mit  lichtempfindlichen Kathoden oder     licht-          ernpfindlielieri        llosaiksehirrnen.     



  Bei einem bekannten Verfahren zum Her  stellen lichtempfindlicher Elektroden wird,  nachdem die Hülle der Vorrichtung evakuiert  und die Elektrode erhitzt worden ist, eine Ab  lagerung eines geeigneten     Metalles,    z. B.  Antimon, auf die Elektrode aufgebracht,  worauf man auf das Metall eine     aktivierende     Substanz, z. B.     Zäsium,    zur Einwirkung  bringt. Es wurde gefunden, dass erheblich       ;;eringere        Empfindlichkeit    erhalten wird,  wenn eine     Antimonablagerung    vor dein Akti  vieren der Atmosphäre ausgesetzt wird, im  Vergleich mit denjenigen Fällen, in welchen  die Atmosphäre nicht zur Einwirkung ge  langt.  



  Beispielsweise ist, wenn die Kathode einer  photoelektrischen Zelle durch Ablagerung  einer     Antimonschicht    nach der endgültigen  Evakuierung der Hülle hergestellt. wird, und  man     erst    dann     Zäsium    auf das Antimon  einwirken lässt, die Empfindlichkeit der  Kathode     l@ewöhnlieli    zwischen 50 und 100         Mikroampere    pro Lumen einfallendes Licht.       Werra    jedoch die     Antimonablagerung    vor der  Aktivierung- durch     Iäsium    der Atmosphäre  ausgesetzt wird, werden erheblich geringere  Empfindlichkeiten erhalten.

   Durch eine Reihe  von Versuchen wurde festgestellt, dass, wenn  die Ablagerung vor der Aktivierung wäh  rend etwa 15 Minuten der Atmosphäre     aus-          -esetzt    worden war, die endgültige Empfind  lichkeit weniger als 20 Mikroampere pro Lu  men     betrug.    -Man darf annehmen, dass diese  schädliche Wirkung von einer     Oberflächen-          oxpdat.ion    der     -,%,ntimonabla#.;erung    herrührt.  



  Es ist. jedoch oft     erwünscht,    bei der Her  stellung solcher Vorrichtungen die Ablage  rung der Atmosphäre auszusetzen, und die Er  findung ermöglicht es, die Ablagerung der  Atmosphäre auszusetzen, ohne dass hierdurch  die     schliessliche    photoelektrische Empfind  lichkeit oder der     Sekundäremissionskoeffi-          ziept,    der Elektrode erheblich     beeiiiträehtigt     wird.  



  Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur       Herstellung    von     Elektronenentladungsvor-          richtungen    mit     einer    Elektrode, die eine     Me-          iallablagerung    aufweist, welche der     Atmo-          ,*äre    ausgesetzt wurde.     C1emM    der Erfin  dung wird die schädliche Wirkung, welche  sonst durch dieses Aussetzen der Atmosphäre  auftreten würde, dadurch zum mindesten  verringert, dass man die Ablagerung einer       Entladunb-    in Wasserstoff unterwirft und sie      dann, ohne sie nochmals der Atmosphäre aus  zusetzen, im Vakuum aktiviert.  



       Zweckmässig    enthält die Metallablagerung  Antimon und die zum Aktivieren des     Me-          talles    verwendete Substanz     Zäsium.    Die  besten Resultate werden erhalten, wenn die  Vorrichtung nach der Entladung in Wasser  stoff keiner Erhitzung     -unterworfen    wird.  



  Beispielsweise kann bei der Herstellung  einer photoelektrischen Zelle eine Antimon  schicht auf einem Träger abgelagert werden,  welcher darauf in die Hülle der Zelle einge  schmolzen wird, um eine photoelektrische  Kathode zu bilden,     während    welcher Mass  nahme die     Antimonschicht    natürlich der  Atmosphäre ausgesetzt ist. Die die Antimon  schicht enthaltende Hülle wird im Vakuum  auf eine Temperatur zwischen 250 und  300  C     erhitzt.,    und nach dem Abkühlen wird  Wasserstoff in die Hülle der Zelle bis zum  Erreichen eines geeigneten Druckes, z. B. in  der Grössenordnung von     11"o    mm     IIg,    einge  bracht.

   Die     Antimonscbicht    wird dann mit  der negativen Klemme einer Spannungs  quelle verbunden     Lind    eine zweite Elektrode  in der Hülle an ein     positives    Potential an  gelegt, so     .dass    eine     Entladung    in dem Was  serstoff auftritt. Die Spannung, welche zwi  schen den genannten Elektroden erforderlich  ist, hängt von verschiedenen Faktoren, z. B.  von dem in der Hülle herrschenden Druck, ab,  sie kann     beispielsweise    500 Volt betragen.  Diese Entladung wird während kurzer Zeit,  z. B. einer Minute oder weniger, aufrecht  erhalten, und der Wasserstoff wird dann  durch Evakuieren aus der Hülle entfernt.

    Während das Vakuum aufrechterhalten  wird, wird die     Aktivierung    dadurch vorge  nommen, dass man     Zäsium    auf das Antimon  einwirken lässt, ohne dass vorher eine weitere       Erhitzung    erfolgt.  



  Es wurde gefunden, dass nach diesem  Verfahren hergestellte photoelektrische Zellen  eine Empfindlichkeit von über 50 Mikro  ampere pro Lumen besitzen, so dass schäd  liche     Wirkungen    durch die Einwirkung der  Atmosphäre     auf    .das Antimon weitgehend       vermieden        wurden.       Anstatt eine Spannungsdifferenz zwischen  der Kathode und einer     zweiten    Elektrode  anzulegen, um die Entladung in Wasserstoff  erfolgen zu lassen,

   kann diese Entladung  auch dadurch eingeleitet     werden"dass    man die       Vorrichtung    in ein mittels eines     Hochfre-          quenzoszillators    erzeugtes     Hochfrequenzfeld     einbringt.  



  Während das erfindungsgemässe Verfah  ren für die Herstellung von photoelektrischen  Zellen näher beschrieben wurde, kann es  auch für die Herstellung von     Elektronen-          vervielfachern,    deren Elektroden derart akti  viert sind,     .dass    sie zur     Sekundärelektronen-          emission    geeignet sind, sowie auf die     Herstel-          1tmg    von     Fernsehsenderöhr    en mit Photo  kathoden oder lichtempfindlichen Mosaik  schirmen angewendet werden.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH I: Verfahren zum Herstellen von Elektro- nenentladungsvorrichtungen mit einer Elek trode, die eine Metallablagerung aufweist, welche der Atmosphäre ausgesetzt wurde, da durch gekennzeichnet, dass die schädliche Wirkung, welche sonst durch dieses Aus setzen der Atmosphäre auftreten würde, da durch zum mindesten verringert wird, dass man die Ablagerung einer Entladung in Wasserstoff unterwirft und sie dann, ohne sie nochmals der Atmosphäre auszusetzen, im Vakuum aktiviert. UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Metallablage rung Antimon enthält. 2.

   Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, @dass man die Meta11- ablagexning mittels Zäsium aktiviert. 3. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass man die Entla dung in Wasserstoff dadurch herbeiführt, dass man eine Spannungsdifferenz zwischen der Ablagerung und einer Elektrode anlegt, wobei diese letztgenannte Elektrode an dein höheren Potential liegt. 4.

   Verfahren naeh Patentanspruch I, da dureh gekennzeiehnet, dass man die Entla- dun- in Wasserstoff da.dureh erfoläen lässt, dass man die Vorriehtung einem Hoehfre- quenzfeld aussetzt. <B>PATENTANSPRUCH</B> II: Nach dem Verfahren gemäss Patentan spruch I hergestellte Tlektronenentlaclungs- corriehtung.