DE2227957A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrolumineszierender elemente - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrolumineszierender elementeInfo
- Publication number
- DE2227957A1 DE2227957A1 DE2227957A DE2227957A DE2227957A1 DE 2227957 A1 DE2227957 A1 DE 2227957A1 DE 2227957 A DE2227957 A DE 2227957A DE 2227957 A DE2227957 A DE 2227957A DE 2227957 A1 DE2227957 A1 DE 2227957A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ions
- activator
- vapor
- deposited
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 34
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 230000003081 coactivator Effects 0.000 claims description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
Patentanwalt Patentanwälte
Dr. phil. Gerhard Henkel Dr. rer. nat. Wolf-Dieter Henkel
D-757 Baden-Baden Balg Dip I.-Ing. Ralf M. Kern
waidgasse20 Πγ rpr nat Lothar Feiler
Eduard-Sdimld-Str. 2 -j Tel.: (0811) 663197
τ·ΐβχ: χ
Ise Electronic Corporation
Ise City, Japan 9997QR7
ι ■ 8. JUNI 1372
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung elektrolumineszierender Elemente
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines elektrolumineszierenden Elements,
das unter dem Einfluß eines elektrischen Felds aufleuchtet.
Im Sinne der modernen Tendenz, elektronische Vorrichtungen als Halbleiterbauteile auszubilden, und im Hinblick auf
die neuere Entwicklung der Informationsindustrie wurden Brauchbarkeit und Anwendbarkeit von elektrolumineszierenden
Elementen zu bedeutsamen Faktoren. Herkömmliche elektrolumineszierende
Elemente können in zwei Arten unterteilt werden, nämlich einmal in solche vom Diffusionstyp, bei
welchem ein Leuchtstoff in einem organischen Dielektrikum, z.B. Harz, feinverteilt ist, und zum anderen in solche vom
Aufdampftyp, bei welchem der Leuchtstoff auf ein elektroleitfähiges
Glas, z.B. Nesa-Grlas, aufgedampft ist. Der zweiterwähnte Typ ist dem erstgenannten insofern Überlegen,
als er mit niedrigeren Spannungen zu arbeiten vermag und dennooh ein helleres Licht ausstrahlt, Jedoch in der Herstellung
schwieriger, weil eich während dee Aufdampfens
209881/0471
die Zusammensetzung des Leuchtstoffs verändert. Mit anderen
Worten zeigt der leuchtstoff vor und nach dem Aufdampfen unterschiedliche Eigenschaften. Beispielsweise nimmt bei
einem Leuchtstoff aus ZnSiGu, Gl das Verhältnis zwischen Cu und Gl als dem Aktivator bzw. Koaktivator nach dem Aufdampfen
ab, wodurch die Leuehtleistung des Elements verschlechtert wird. Zur Umgehung dieser Schwierigkeit wurde
üblicherweise ein zusätzlicher, als Einbettung bezeichneter Verfahrenssehritt angewandt, bei dem das aufgedampfte
elektrolumineszierende Element in einen Leuchtstoff mit einem höheren Verhältnis von Gu-Aktivator zu Cl-Koaktivator
eingebettet und dann wärmebehandelt wird, um Cu und 01
in den aufgedampften Leuchtstoffilm eindiffundieren zu
lassen. Bei diesem Wärmediffusionsverfahren reichen jedoch
die Mengen an diffundiertem Aktivator und Koaktivator nicht aus., um die Eigenschaften des fertigen elektrolumineszierenden
Elements im gewünschten Ausmaß zu verbessern. Neben dem Einbettungsverfahren gibt es zahlreiche andere
Verfahren zur Erhöhung des Gehalts an Aktivator und Koaktivator, doch ist keines von ihnen zufriedenstellend,
da sie alle ein durch die Wärmediffusion verursachtes Phänomen ausnutzen.
Infolge der neueren Entwicklungen auf dem Fachgebiet der Halbleiterelemente wurde es möglich, mittels Ioneninjektionstechnik,
d.h. durch Einbringen von verschiedenen Verunreinigungsatomen in die Halbleiterelemente, neue Typen
von reinen als auch unterschiedlich verunreinigten HaIbleiterelementen,
die nach dem Wärmediffusionsverfahren
nicht herstellbar waren, zu schaffen. So lassen sich z.B. im Falle/Siliziumkarbid Verunreinigungen mit dem Wärmediffusionsverfahren
nur äußerst schwierig, mit dem Ioneninjektionsverfahren jedoch leicht einbringen. Im letzteren
Fall· werden Atome der einzuverleibenden Verunreinigungen
- 3 · 209881/0471
zu aufgeladenen Teilchen ionisiert, denen dann durch Beschleunigung
in einem elektrischen Feld hohe kinetische Energie erteilt wird, worauf die beschleunigten Atome
zum Aufprall auf das Halbleiterelement gebracht und in ihm diffundiert werden. Auf diese Weise wird die gewünschte
Verunreinigung in den Halbleiter-Kristall eingebracht, dessen physikalische oder chemische Eigenschaften keine
Rolle spielen. Bei zunehmender Ionenenergie, ist die Bindringtiefe
der Verunreinigung in einen amorphen Halbleiterkörper praktisch proportional zur Besehleunigungsenergie,
während die Menge der eingebrachten Verunreinigungen der Stromstärke und der Zeitspanne bis zu einer Beschleunigungsspannung
von etwa 40 kV hinauf proportional ist. Wenn das Halbleiterelement mit einer so injizierten Verunreinigung
wärmebehandelt wird, wird die Verunreinigung in Ladungsträger umgewandelt, die als Leuehtzentren wirken, wodurch
ein gewöhnlicher Halbleiterkörper gebildet wird.
Aufgabe der Erfindung ist in erster Linie die Schaffung eines verbesserten elektroluniineszierenden Elements, das
mit hohem Wirkungsgrad zu arbeiten vermag, dursh Ausnutzung
der Vorteile sowohl des Aufdampfungs- als auch des Ioneninj
ektionsVerfahrens.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines elektrolumineszierenden Elements erfindungegemäß
dadurch gelöst, daß abwechselnd und wiederholt einerseits ein Leuchtstoffilm auf einen auf einer Unterlage ausgebildeten
Elektrodenfilm aufgedampft wird und andererseits Ionen eines Aktivators allein oder zusammen mit solchen
eines Koaktivators in den aufgedampften Leuchtstoffilm injiziert werden.
Gemäß einem anderen Merkmal schafft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines elektrolumineszierenden
209 88 1 /0471
Elements, dessen Besonderheit darin besteht, daß ein Leuohtstoffilm
auf einen auf einer Unterlage ausgebildeten Elektrodenfilm aufgedampft wird und gleichzeitig damit Ionen
eines Aktivators allein oder zusammen mit solchen eines Koaktivators in den aufgedampften Leuchtstoffilm injiziert
werden.
Das nach dem einen oder anderen, vorstehenden Verfahren hergestellte elektrolumineszierende Element wird dann wärmebehandelt,
um die eingebrachten Ionen in Leuchtzentren umzuwandeln.
In weiterer Ausgestaltung schafft die Erfindung auch eine Vorrichtung zur Herstellung eines elektrolumineszierenden
Elements, mit einem evakuierten Gefäß, einer Haltevorrichtung für eine mit einem Elektrodenfilm versehenen Unterlage
im Gefäß sowie Vorrichtungen zum Evakuieren und Aufdampfen eines Leuchtstoffilms auf den Elektrodenfilm, die dadurch
gekennzeichnet ist, daß im evakuierten Gefäß auch eine Quelle für die Ionen eines Aktivators angeordnet ist, die
ein Zylinderrohr, eine darin angeordnete, Elektronen emittierende Heizschlange, einen von letzterer erhitzbaren
Aktivator-Vorrat, eine perforierte Anode als Rohrverschluß sowie eine zylindrische Extraktionselektrode solcher Anordnung
aufweist, daß sie im Zusammenwirken mit der Anode dem Aktivator Ionen entzieht und diese in den aufgedampften
Leuchtstoffilm injiziert, und daß Vorrichtungen zum abwechselnden ocfer gleichzeitigen Betätigen von Verdampfer-.
Vorrichtung und Ionenquelle vorgesehen sind.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert, die einen
schematischen Längsschnitt duroh eine beispielhafte Vorrichtung zur Herstellung von elektrolumineezierenden Elementen
nach dem erfindungBgemäßen Verfahren darstellt.
- 5 -209881/0471 f
Die in der Zeichnung dargestellte Aufdampfvorrichtung weist
eine Glocke 1 auf, die mittels nicht dargestellter Vakuumpumpe auf Hochvakuum evakuierbar ist. Eine zu bedampfende
Unterlage 3, beispielsweise eine Scheibe aus elektrisch leifähigem Glas, ist an der Unterseite eines Trägers 2 montiert,
der mittels eines Ständers 4 im Glockenoberteil 1 gehaltert ist und gewünschtenfalls zwecks Erhitzung der
Unterlage auf 800 - 1000°0 mit einer nicht dargestellten elektrischen Heizeinrichtung versehen sein kann. Eine gewisse
Menge eines Leuchtstoffs 6 befindet sich in einem Yerdampfungsschiffchen 5, dem zwecks Erhitzens und Verdampf
ens des Leuchtstoffs eine nicht dargestellte, elektrische Heizvorrichtung zugeordnet ist, welche über einen
Sehalter S-. von einer Spannungsquelle 7 her gespeist wird.
Die Glocke 1 enthält außerdem einen Ionenquelle, welche
aus einem Quarzrohr 12 besteht, das eine Heizschlange 11 aus Tantal oder Molybdän und darunter ein Aufnahmerohr
für ein Metalloxid, z.B. ein Kupferoxid, umschließt und von einer perforierten Anode 13 abgedeckt ist, über der
koaxial eine zylindrische Extraktor-Elektrode 14 angeordnet
ist und Ionen eines Plasmas durch die Anojdenöffnungen
hindurch extrahiert. Das metalloxydhaltige Eohr 16 ist
über ein Ventil 18 mit einem OCl. enthaltenden Vorratsbehälter
17 verbunden. Eine Spannurigsquelle 20 dient zur Speisung der Heizschlange 11 sowie der Elektroden 13 und
14 der Ionenquelle über Schalter S, bzw. Sp. Glocke 1,
Träger 2 und Schale 5 werden von einer Plattform 21 getragen, während die Ionenquelle auf einer Grundplatte 19
ruht.
Zur Ausbildung eines elektrolumineszierenden Leuchtstofffilms
auf der oberseitig mit einem Elektrodenfilm, z.B. in Form einer Nesa-Glassohicht, bedeckten Unterlage 3 wird
diese auf der Trägerunterseite montiert, dieser in die
'·«, 2ü988t/047T ::
masse
Glocke 1 eingesetzt, das Schiffchen 5 mit leuchtstoff gefüllt und die Glocke auf Hochvalriaim evakuiert. Danach wird
durch Erhitzen des Schiffchens 5 der Leuchtstoff 6 in "bekannter Weise verdampft und auf dem erwähnten (nicht dargestellten)
Elektrodenfilm auf der Unterlage 3 abgelagert. Anschließend wird die Schiffehenheizung mittels Schalter
S- abgeschaltet und die Ionenquelle durch Betätigung der
Schalter S2 und S^ in Betrieb gesetzt, d.h. die Heizschlange
11 wird so hoch erhitzt, daß sie Elektronen emittiert. Wenn das Rohr 15 ausreichend heiß geworden ist,
wird dem erhitzten Kupferoxid durch Öffnen des Ventils 18 OGl. aus dem Behälter 17 zugeführt, welches sich mit dem
Kupferoxid zu einem Kupferchlorid umsetzt, das das Quarzrohr 12 ausfüllt und durch die von der Heizschlange 11
emittierten Ionen ionisiert wird. Da der Anode 13 und der Extraktionselektrode 14 von der Spannungsquelle 20 her
eine Teilchen- bzw. Elektronen-Besohleunigungsspannung
von -10 bis -40 kV aufgeprägt wird, werden die Ionen durch die Anodenöffnungen und die Zylinderelektrode 14
hinduroh aus der Röhre 12 herausgesaugt. Der gestreute Ionenstrahl prallt auf dem Leuchtstoffilm auf der Unterlage
3 auf, die dadurch mit Ionen gefüllt wird. Nach Abschluß des Ioneninjektionsschnittes wird die Unterlage 3
mit einem weiteren leuchtstoffilm bedeckt und erneut mit Ionen beschossen. Durch mehrfache, abwechselnde Wiederholung
dieser beiden Arbeitssohritte kann .ein gewünschter elektrolumineszierender Leuohtstoffilm hergestellt werden.
Aufdampfen und Ioneninjektion können statt abwechselnder Wiederholung auch gleichzeitig durchgeführt werden, indem
man dann alle drei Schalter S.., Sp und S, gleichzeitig
schließt.
Der so entstandene elektrolumineszierende Leuchtstoffilm
wird danach wärmebehandelt, um die eingebrachten Ionen in
- 7 -20 9 88 1 /OA7 1
LeuchtZentren umzuwandeln. Die Wärmebehandlungstemperatur
hängt vom jeweiligen leuchtstoff-, Aktivator- und/oder Koaktivator-Typ ab und beträgt im Fall von ZnS:Ou,Gl vorzugsweise
etwa 650 - 700°C. Anschließend wird auf den Leuchtstoffilm beispielsweise durch Vakuumabscheidung ein
Elektrodenfilm aufgetragen, und an ihn sowie an. den zuerst auf die Unterlage aufgebrachten Film werden Zuleitungen
angeschlossen.
Erfahrungsgemäß ist für die Durchführung des loneninjektionsschritte
das vorstehend beschriebene Verfahren der Metallionenerzeugung durch Ionisieren von Metallchlorid, das
durch chemische Umsetzung eines Metalloxids entstanden ist, wirksamer ist als das Verfahren der Direkt-Ionisierung
eines elementaren Metalls.
Wenn auch bei der vorstehenden Erfindungserläuterung Ou
als Aktivator und 01 als Koaktivator verwendet werden, können ersichtlicherweise auch andere Aktivatoren und Koaktivatoren
und in bestimmten Fällen nur der Aktivator allein verwendet werden.
Erfindungsgemäß ist es somit möglich, in einen elektrolumineszierenden
Leuchtstoffilm so reichlich Aktivator mit oder ohne Koaktivator zu injizieren, wie es nach dem
Wärmediffusionsverfahren nicht erreicht werden könnte, und auf diese Weise einen elektrolumineszierenden Leuchtstoffilm
oder -körper zu schaffen, der eine große Zahl von Leuchtzentren enthält und daher mit hohem Wirkungsgrad
zu arbeiten vermag. Außerdem ist es dabei ohne weiteres möglich, die Menge der eingebrachten Ionen oder die
Zahl der Leuchtzentren durch Einstellung des Heizstroms und der Betriebsdauer des Heizkörpers oder Elektroaenemitters
11 au kontrollieren.
2OMI1/0471
Obgleich die Erfindung vorstehend in Verbindung mit bevorzugten Ausführungsbeispielen dargestellt und beschrieben
ist, soll sie keinesfalls auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt sein, da dem Faohmann innerhalb des Rahmens
der Erfindung zahlreiche Änderungen und Abwandlungen möglich sind.
Zusammenfassend schafft die Erfindung mithin ein elektrolumineszierendes
Element sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung durch abwechselnde oder gleichzeitige Ablagerungen
eines Leuchtstoffilms auf einem auf einer Unterlage ausgebildeten Elektrodenfilm und durch Injizieren
von Ionen eines Aktivators allein oder zusammen mit solchen eines Koaktivators in den aufgedampften Leuchtstofffilm.
Eine Aufdampfvorrichtung und eine Ionenquelle sind in der gleichen evakuierten Verdampfungskammer angeordnet
und werden abwechselnd oder gleichzeitig betätigt.
— Q _
209881/0471
Claims (5)
- PatentansprücheVerfahren zur Herstellung eines elektrolumineszierenden Elements, dadurch gekennzeichnet, daß abwechselnd und wiederholt einerseits ein Leuchtstoffilm auf einen auf einer Unterlage ausgebildeten Elektrodenfilm aufgedampft wird und andererseits Ionen eines Aktivators allein oder zusammen mit solchen eines Koaktivators in den aufgedampften Leuchtstoffilm injiziert werden.
- 2. Verfahren zur Herstellung eines elektrolumineszierenden Elements, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leuohtstofffilm auf einen auf einer Unterlage ausgebildeten Elektrodenfilm aufgedampft wird und gleichzeitig damit Ionen eines Aktivators allein oder zusammen mit solchen eines Koaktivators in den aufgedampften Leuohtstoffilm injiziert werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das entstandene elektrolumineszierende Element zwecks Umwandlung der injizierten Ionen in Leuchtzentren wärmebehandelt wird und auf den Leuchtstoffilm ein zusätzlicher Elektrodenfilm aufgetragen wird.
- 4. Vorrichtung zur Herstellung eines elektrolumineszierenden Elements, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche, mit einem evakuierten Gefäß, einer Haltevorrichtung für eine mit einem Elektrodenfilm versehenen Unterlage im Gefäß sowie Vorrichtungen zum Evakuieren und Aufdampfen. eines Leuchtstoffilms auf den Elektrodenfilm, dadurch gekennzeichnet, daß im evakuierten Gefäß (1) auch eine Quelle für die Ionen eines Aktivators angeordnet ist, die ein Zylinderrohr (12), eine darin angeordnete,- 10 2 0 9 8 β 1/Φ47 I--.-.·Elektronen emittierende Heizschlange (11), einen von letzterer (11) erhitzbaren Aktivator-Vorrat (15), eine perforierte Anode (13) als Rohrverschluß sowie eine zylindrische Extraktions elektrode (H) solcher Anordnung aufweist, daß sie im Zusammenwirken mit der Anode dem Aktivator Ionen entzieht und diese in den aufgedampften Leuchtstoffilm injiziert, und daß Vorrichtungen zum abwechselnden oder gleichzeitigen Betätigen von Verdampfervorrichtung und Ionenquelle vorgesehen sind.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionenquelle die Aktivatorionen gleichzeitig mit solchen eines Koaktivators erzeugt.-2-u
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131771A JPS5343787B1 (de) | 1971-06-09 | 1971-06-09 | |
| JP5123871 | 1971-07-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2227957A1 true DE2227957A1 (de) | 1973-01-04 |
| DE2227957B2 DE2227957B2 (de) | 1974-10-17 |
Family
ID=26380904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2227957A Ceased DE2227957A1 (de) | 1971-06-09 | 1972-06-08 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrolumineszierender elemente |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3847114A (de) |
| DE (1) | DE2227957A1 (de) |
| FR (1) | FR2140569B1 (de) |
| GB (1) | GB1339684A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5372837A (en) * | 1990-05-30 | 1994-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin film EL device utilizing a shutter |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3962988A (en) * | 1973-03-05 | 1976-06-15 | Yoichi Murayama, Nippon Electric Varian Ltd. | Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region |
| GB1483966A (en) * | 1974-10-23 | 1977-08-24 | Sharp Kk | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition |
| US4217855A (en) * | 1974-10-23 | 1980-08-19 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device |
| FR2420270A1 (fr) * | 1978-03-17 | 1979-10-12 | Abdalla Mohamed | Procede pour la realisation de couches minces electroluminescentes et appareillage pour la mise en oeuvre de ce procede |
| JPS5691437A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Preparation of metallized element |
| US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
| US4526132A (en) * | 1982-11-24 | 1985-07-02 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Evaporator |
| US4717606A (en) * | 1986-05-21 | 1988-01-05 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating a thin film electroluminescent display panel |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3192892A (en) * | 1961-11-24 | 1965-07-06 | Sperry Rand Corp | Ion bombardment cleaning and coating apparatus |
| GB1039691A (en) * | 1964-03-17 | 1966-08-17 | Gen Precision Inc | Vacuum coating and ion bombardment apparatus |
| US3329601A (en) * | 1964-09-15 | 1967-07-04 | Donald M Mattox | Apparatus for coating a cathodically biased substrate from plasma of ionized coatingmaterial |
| CH436069A (fr) * | 1965-07-15 | 1967-05-15 | Reuge Sa | Fixation de ski de sécurité |
| US3434894A (en) * | 1965-10-06 | 1969-03-25 | Ion Physics Corp | Fabricating solid state devices by ion implantation |
| US3419487A (en) * | 1966-01-24 | 1968-12-31 | Dow Corning | Method of growing thin film semiconductors using an electron beam |
| US3695910A (en) * | 1969-01-21 | 1972-10-03 | Anthony W Louderback | Method of applying a multilayer antireflection coating to a substrate |
-
1972
- 1972-06-01 US US00258568A patent/US3847114A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-06-06 GB GB2628272A patent/GB1339684A/en not_active Expired
- 1972-06-08 DE DE2227957A patent/DE2227957A1/de not_active Ceased
- 1972-06-08 FR FR7220652A patent/FR2140569B1/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5372837A (en) * | 1990-05-30 | 1994-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin film EL device utilizing a shutter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3847114A (en) | 1974-11-12 |
| FR2140569B1 (de) | 1977-12-23 |
| GB1339684A (en) | 1973-12-05 |
| DE2227957B2 (de) | 1974-10-17 |
| FR2140569A1 (de) | 1973-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3340585C2 (de) | ||
| DE2046833C3 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrisch isolierter Halbleiterzonen | |
| DE3004546C2 (de) | Penning-Zerstäubungsquelle | |
| DE2412102A1 (de) | Verfahren zur ionenimplantierung | |
| DE2647396A1 (de) | Gasentladungspaneel | |
| DE2720424A1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung eines ionen- oder elektronenstrahls hoher intensitaet | |
| DE2012101A1 (de) | Kathoden mit hoher Feldemission und Verfahren zur Herstellung dieser Kathoden. A)im: Matsushita Electric Industrial Company, Ltd., Kadoma City, Osaka (Japan) | |
| DE2227957A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrolumineszierender elemente | |
| DE2135143A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrisch isolierenden schichten in halbleiterstoffen | |
| DE667942C (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxydkathoden, insbesondere Gluehkathoden fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
| DE1646193A1 (de) | Beschichtungsverfahren | |
| DE2231891C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer wannenartigen, amorphen Halbleiterschicht | |
| DE2357397C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Sekundärelektronenemission vermindernden Schicht auf dem metallisierten Leuchtschirm von Farbbildröhren | |
| DE2113375A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung eines duennen Grundmaterials mit einem duennen Film | |
| DE2251275A1 (de) | Verfahren zum abscheiden von glasschichten | |
| EP0022974A1 (de) | Plasma-Bildanzeigevorrichtung | |
| DE6609383U (de) | Zerstaeubungsvorrichtung zum niederschlagen einer schicht von halbleitermaterial, z.b. silicium. | |
| DE3329861A1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung von probenionen | |
| DE2305359C3 (de) | Vorrichtung zur reaktiven Aufdampfung dünner Schichten auf Unterlagen | |
| DE2333866A1 (de) | Felddesorptions-ionenquelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE803919C (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kathode einer elektrischen Entladungsroehre | |
| DE2037029C3 (de) | Thermische Ionenquelle | |
| DE680108C (de) | Photoelektrische Vorrichtung | |
| DE1195135B (de) | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfaehigkeit von auf Unterlagen, wie Glas und Kunststoffen, insbesondere durch Vakuum-bedampfen aufgebrachten duennen, licht-durchlaessigen oxydischen Schichten | |
| DE905762C (de) | Verfahren zur Herstellung von Sekundaeremissionsschichten |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BHV | Refusal |