BR112018071277B1 - amplificador, circuito receptor, e, aparelho de comunicação - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 claims description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
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- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0067—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
- H04B1/0082—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands with a common local oscillator for more than one band
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/1638—Special circuits to enhance selectivity of receivers not otherwise provided for
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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- H03F2203/45024—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are cascode coupled transistors
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- H03F2203/45236—Two dif amps realised in MOS or JFET technology, one of them being of the p-channel type and the other one of the n-channel type, are coupled in parallel with their gates
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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- H03F2203/45512—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more capacitors, not being switched capacitors, and being coupled between the LC and the IC
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- H03F2203/45524—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more active resistors and being coupled between the LC and the IC
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
É descrito um amplificador (30) para um circuito receptor (15). O amplificador tem um nó de entrada (Vin) e um nó de saída (Vout). Ele compreende um circuito tanque sintonizável (100) conectado ao nó de saída (Vout), um trajeto de circuito de realimentação (200) conectado entre o nó de saída (Vout) e o nó de entrada (Vin), e um capacitor sintonizável (210) conectado entre um nó interno do trajeto de circuito de realimentação (200) e um nó de tensão de referência. Um circuito receptor e um aparelho de comunicação também são descritos.
Description
[001] A presente invenção refere-se a um circuito amplificador.
[002] Os circuitos receptores de rádio são usados em muitas diferentes aplicações, tais como comunicações celulares. Os sinais recebidos por um circuito receptor de rádio podem ser relativamente fracos e precisar ser amplificados. Portanto, um amplificador é tipicamente incluído no circuito receptor de rádio. Um amplificador como este não deve adicionar muito ruído no sinal recebido. Portanto, um assim denominado amplificador de baixo- ruído (LNA) é frequentemente usado para este propósito.
[003] Em alguns sistemas de comunicações por rádio existentes, tais como os sistemas de comunicações celulares de quarta geração (4G) e de quinta geração (5G), a largura de banda do sinal usada é, frequentemente, relativamente grande, tais como dezenas ou centenas de MHz. Além do mais, deve ser possível sintonizar uma frequência central do receptor em uma faixa de frequência relativamente grande. Uma tarefa desafiadora no projeto de amplificadores do receptor, tais como LNAs, é alcançar uma correspondência de impedância de entrada com largura de banda de frequência suficiente. Tal correspondência de impedância de entrada de banda relativamente larga deve ser preferivelmente obtida, ao mesmo tempo em que alcança desempenho suficientemente alto em termos de outros parâmetros do LNA, tais como ganho e seletividade de frequência.
[004] As modalidades da presente invenção referem-se a um amplificador, tal como um LNA, para um circuito receptor, tendo um circuito tanque sintonizável, tal como um circuito LC, conectado em um nó de saída do amplificador. Um circuito tanque como este pode prover um grau de seletividade de frequência desejado. As modalidades do amplificador compreendem adicionalmente uma rede de realimentação entre o nó de saída e um nó de entrada. Uma rede de realimentação como esta pode facilitar na provisão da correspondência de impedância de entrada. O inventor percebeu que a fase da tensão de saída, gerada no circuito tanque, muda de forma relativamente abrupta ao redor da frequência de ressonância do circuito tanque. A fase mudada de forma relativamente abrupta tem um impacto na realimentação, e torna desafiador satisfazer as exigências da correspondência de impedância de entrada. Por exemplo, o máximo ganho do amplificador e a melhor correspondência de impedância de entrada podem ocorrer em diferentes frequências, o que é indesejado. Portanto, algum tipo de sintonia é necessário. O inventor percebeu que uma sintonia relativamente eficiente pode ser obtida pela conexão de um trajeto de circuito de realimentação da rede de realimentação entre o nó de saída e o nó de entrada, e pela conexão de um capacitor sintonizável entre um nó interno do trajeto de circuito de realimentação e um nó de tensão de referência, tais como aterramento ou aterramento do sinal. Uma vantagem desta abordagem é que a capacidade de sintonia pode ser obtida com os componentes, tal como o capacitor sintonizável, com valor Q relativamente baixo. Tais componentes são, normalmente, mais fáceis e mais econômicos para fabricar do que os componentes com valor de Q mais alto.
[005] De acordo com um primeiro aspecto, é provido um amplificador para um circuito receptor. O amplificador tem um nó de entrada e um nó de saída. O amplificador compreende um circuito tanque sintonizável conectado ao nó de saída. Além do mais, o amplificador compreende um trajeto de circuito de realimentação conectado entre o nó de saída e o nó de entrada. Além do mais, o amplificador compreende um capacitor sintonizável conectado entre um nó interno do trajeto de circuito de realimentação e um nó de tensão de referência.
[006] Em algumas modalidades, o trajeto de circuito de realimentação é um circuito passivo.
[007] O trajeto de circuito de realimentação pode compreender uma conexão em série de pelo menos um resistor e pelo menos um capacitor.
[008] Em algumas modalidades, o pelo menos um resistor é sintonizável. Isto facilita um grau ainda adicional de sintonia fina da impedância de entrada.
[009] Em algumas modalidades, o dito pelo menos um capacitor compreende um primeiro capacitor, e o dito pelo menos um resistor compreende um primeiro resistor conectado entre o nó de saída e o primeiro capacitor e um segundo resistor conectado entre o primeiro capacitor e o nó de entrada. O dito nó interno pode ser um nó entre o primeiro capacitor e o segundo resistor.
[0010] O amplificador pode compreender um primeiro transistor em configuração de fonte comum. Além do mais, o amplificador pode compreender um segundo transistor conectado em uma configuração de cascode entre o primeiro transistor e o nó de saída.
[0011] De acordo com um segundo aspecto, é provido um amplificador diferencial para um circuito receptor, que compreende um primeiro e um segundo amplificadores de acordo com qualquer reivindicação anterior. O primeiro e o segundo amplificadores podem compartilhar alguns componentes, tal como o circuito tanque.
[0012] De acordo com um terceiro aspecto, é provido um circuito receptor que compreende um amplificador de acordo com o primeiro aspecto ou um amplificador diferencial de acordo com o segundo aspecto.
[0013] De acordo com um quarto aspecto, é provido um aparelho de comunicação que compreende o circuito receptor de acordo com o terceiro aspecto.
[0014] O aparelho de comunicação pode ser um dispositivo de comunicação sem fio para uma rede de comunicação celular. O aparelho de comunicação pode ser uma estação base de rádio para uma rede de comunicação celular.
[0015] As modalidades adicionais são definidas nas reivindicações dependentes. Deve ser enfatizado que o termo “compreende/compreendendo”, quando usado neste relatório descritivo, é tomado como especificando a presença de características, números inteiros, etapas ou componentes declarados, mas não impede a presença ou a adição de uma ou mais outras características, números inteiros, etapas, componentes ou grupos dos mesmos. Breve Descrição dos Desenhos
[0016] Objetivos, características e vantagens adicionais de modalidades da invenção irão aparecer a partir da seguinte descrição detalhada, referência sendo feita aos desenhos anexos, nos quais: a figura 1 ilustra um ambiente de comunicação.
[0017] A figura 2 ilustra um circuito transceptor.
[0018] As figuras 3-7 mostram os diagramas de circuito dos circuitos amplificadores.
[0019] A figura 8 ilustra a implementação de um resistor sintonizável.
[0020] A figura 9 ilustra a implementação de um capacitor sintonizável.
[0021] A figura 10 mostra os resultados de simulação.
[0022] A figura 1 ilustra um ambiente no qual as modalidades da presente invenção podem ser empregadas. Na figura 1, um dispositivo de comunicação sem fio 1 fica em comunicação sem fio com uma estação base 2 de um sistema de comunicação celular. Na figura 1, o dispositivo de comunicação sem fio 1 é ilustrado como um telefone celular. Entretanto, este é apenas um exemplo. O dispositivo de comunicação sem fio pode ser qualquer tipo de dispositivo equipado com capacidades de comunicação celular, tais como um computador de mesa, um computador tipo laptop, um modem celular ou um dispositivo de comunicação tipo máquina (MTC). O dispositivo de comunicação sem fio 1 e a estação base 2 são exemplos do que, nesta descrição, são referidos como aparelhos de comunicação. Deve-se notar que aparelhos de comunicação diferentes de aparelhos de comunicação celular, tais como terminais e pontos de acesso para redes de área local sem fio (WLANs), também são possíveis no escopo da presente descrição.
[0023] De acordo com as modalidades da presente descrição, um aparelho de comunicação, tal como aquele supradescrito, compreende um circuito receptor. O circuito receptor pode ser, por exemplo, parte de um circuito transceptor. A figura 2 ilustra um exemplo de um circuito transceptor 10 como este. Na figura 2, o circuito transceptor 10 compreende um circuito receptor 15, arranjado para ser conectado em uma antena 20. Na figura 2, o circuito receptor 15 compreende um filtro de radiofrequência (RF) 25 arranjado para ser conectado na antena 20. Em algumas modalidades, o filtro RF 25 é um filtro passa faixa. Além do mais, na figura 2, o circuito receptor 15 compreende um amplificador 30. As modalidades do amplificador 30 são descritas com mais detalhes a seguir. O amplificador 30 pode ser, por exemplo, o que é comumente referido como um LNA. Na figura 2, o circuito receptor compreende um mixador de conversão descendente 35, acionado por um sinal oscilador local (LO), conectado em um nó de saída do amplificador 30. O mixador de conversão descendente 35 é configurado para realizar conversão descendente do sinal RF transmitido a partir do amplificador 30 para uma frequência de banda base ou uma frequência intermediária. Além do mais, na figura 2, o circuito receptor 15 compreende um filtro 40 arranjado para eliminar por filtragem os componentes de sinal indesejados do sinal que sofreu conversão descendente transmitido a partir do mixador 35. Em algumas modalidades, o filtro 40 é um filtro passa baixo. Além do mais, na figura 2, o circuito receptor 15 compreende um conversor analógico para digital (ADC) 45 configurado para converter o sinal filtrado que sofreu conversão descendente transmitido a partir do filtro 40 para o domínio digital.
[0024] Como ilustrado na figura 2, o circuito transceptor 10 pode compreender um processador de sinal digital (DSP) 50, tal como um processador de banda base, configurado para processar o sinal de saída digital proveniente do ADC 45, por exemplo, para recuperar os dados recebidos.
[0025] Como também ilustrado na figura 2, o circuito transceptor 10 pode compreender um circuito transmissor 55, arranjado para ser conectado em uma antena 60 para transmitir os sinais RF. O DSP 50 pode ser configurado para gerar os dados de entrada para o circuito transmissor 55.
[0026] O diagrama do circuito receptor 15 é, meramente, um exemplo usado para colocar as modalidades do amplificador 30 em um contexto. As modalidades do amplificador 30 também podem ser usadas em outras arquiteturas de receptor. Deve ser mencionado que as modalidades do amplificador 30 podem ser integradas em um circuito integrado, por exemplo, juntamente com alguns ou todos os outros componentes do circuito receptor 15.
[0027] A figura 3 ilustra uma modalidade do amplificador 30. Na figura 3, o amplificador 30 tem um nó de entrada Vin e um nó de saída Vout. Além do mais, ele compreende um circuito tanque sintonizável 100 conectado no nó de saída Vout. Além do mais, ele compreende uma rede de realimentação 110 entre o nó de saída Vout e o nó de entrada Vin. A fim de prover a amplificação, um elemento ativo, tal como um transistor, é no geral usado em um amplificador. A modalidade do amplificador 30 ilustrada na figura 3 compreende um transistor de MOS (semicondutor de óxido de metal) 120 em configuração de fonte comum. Na figura 3, o terminal tipo porta do transistor 120 é conectado no nó de entrada Vin. Outros tipos de transistores, tais como transistores de junção bipolar (BJTs), também são possíveis. Além do mais, na figura 3, o amplificador 30 compreende um transistor MOS 130 conectado em uma configuração de cascode entre o transistor 120 e o nó de saída Vout. O terminal tipo porta do transistor 130 é conectado em um nó de tensão de polarização Vb2. Em algumas modalidades, o transistor cascode 120 pode ser omitido. Outras modalidades podem incluir mais do que um transistor cascode.
[0028] Como ilustrado na figura 3, o amplificador 30 pode compreender um indutor de degeneração de fonte 140, conectado entre a fonte de transistor 120. Ele também pode compreender um resistor de polarização 150 conectado entre o nó de entrada Vin e um nó de tensão de polarização Vb1. A figura 3 também ilustra alguns componentes reativos, tais como um indutor 160 e um capacitor 170, conectados em série com o indutor 160 entre o nó de entrada Vin e os componentes precedentes, tal como o filtro 25 (figura 2). Tais componentes reativos 160, 170 facilitam a correspondência de impedância de entrada para o amplificador 30.
[0029] O inventor percebeu que a fase de tensão de saída, gerada no circuito tanque, muda de forma relativamente abrupta ao redor da frequência de ressonância do circuito tanque. A fase mudada de forma relativamente abrupta tem um impacto na realimentação, e torna desafiador satisfazer as exigências da correspondência de impedância de entrada. Pode ser particularmente desafiador em aplicações com largura de banda relativamente alta, tal como na faixa de GHz, e com frequências portadoras relativamente altas, tais como diversas dezenas de GHz, por exemplo, como será provavelmente usado para sistemas 5G no futuro. Por exemplo, o máximo ganho do amplificador e a melhor correspondência de impedância de entrada podem ocorrer em diferentes frequências, o que é indesejado. Portanto, algum tipo de sintonia é necessário. A figura 4 ilustra uma implementação vantajosa da rede de realimentação 110 provida pelo inventor. Ela compreende um trajeto de circuito de realimentação 200 conectado entre o nó de saída Vout e o nó de entrada Vin. Além do mais, ela compreende um capacitor sintonizável 210 conectado entre um nó interno do trajeto de circuito de realimentação 200 e um nó de tensão de referência, tais como aterramento ou aterramento do sinal.
[0030] O capacitor sintonizável 210 facilita a compensação da fase mudada de forma relativamente abrupta da tensão de saída ao redor da frequência de ressonância do circuito tanque 100. Ele habilita a sintonia do amplificador 30 de maneira tal que, por exemplo, o máximo ganho do amplificador 30 e a melhor correspondência de impedância de entrada do amplificador 30 possam ser sintonizados, na frequência, para ocorrer substancialmente na mesma frequência. Além do mais, as simulações mostraram que o capacitor 210 pode ser implementado com um valor Q relativamente baixo, ao mesmo tempo em que ainda provê esta capacidade de sintonia desejada. Isto é vantajoso, já que a capacidade de sintonia pode ser obtida em um custo relativamente baixo com componentes relativamente pequenos.
[0031] O inventor percebeu adicionalmente que o trajeto de circuito de realimentação 200 pode ser implementado como um circuito passivo. Usar um trajeto de circuito de realimentação passivo torna relativamente fácil obter uma combinação de ganho relativamente alto e estabilidade, o que pode ser um objetivo de projeto muito desafiador se um trajeto de circuito de realimentação ativo for usado. Além do mais, um circuito passivo de realimentação tipicamente não exige nenhum circuito de polarização complexo. Contudo, uma correspondência de impedância de entrada desejada pode ser obtida, também, nas modalidades com componentes ativos no trajeto de circuito de realimentação.
[0032] Por exemplo, o trajeto de circuito de realimentação pode ser implementado usando uma conexão em série de pelo menos um resistor e pelo menos um capacitor. Isto é ilustrado na figura 5 com uma modalidade em que o dito pelo menos um capacitor compreende um primeiro capacitor 240, e o dito pelo menos um resistor compreende um primeiro resistor 220 conectado entre o nó de saída Vout e o primeiro capacitor 240 e um segundo resistor 230 conectado entre o primeiro capacitor 240 e o nó de entrada Vin. Além do mais, na figura 5, o nó interno, no qual o capacitor 210 é conectado, é um nó entre o primeiro capacitor 240 e o segundo resistor 230.
[0033] Como ilustrado na figura 5, o pelo menos um resistor (por exemplo, 220, 230) também pode ser sintonizável. Isto provê um grau de capacidade de sintonia adicional para facilitar a sintonia da impedância de entrada implementada com componentes relativamente econômicos e pequenos.
[0034] A figura 6 ilustra uma modalidade do circuito tanque sintonizável 100. Como se pode ver a partir da figura 6, o circuito tanque sintonizável 100 pode compreender um circuito LC paralelo, compreendendo um capacitor 250 conectado em paralelo com um indutor 260. Como é adicionalmente ilustrado na figura 6, a capacidade de sintonia do circuito tanque 100 pode ser provida tornando o capacitor 250 sintonizável, de modo que a frequência de ressonância do circuito tanque 100 possa ser sintonizada. Preferivelmente, a frequência de ressonância do circuito tanque é sintonizada ao redor da frequência central de uma banda de frequência do sinal desejada.
[0035] Como é adicionalmente ilustrado na figura 6, o circuito tanque 100 pode compreender um outro indutor 270 magneticamente acoplado no indutor 260 com uma indutância mútua M. Uma solução como esta pode prover uma indutância geral desejada do circuito tanque com menores bobinas indutoras, se comparado com as modalidades em que o indutor 260 é usado individualmente, sem o indutor adicional 270. Os indutores 260 e 270 formam um enrolamento primário e secundário, respectivamente, de um transformador. Em uma modalidade de exemplo, os nós S1 e S2 do indutor 270 são usados para acionar os subsequentes estágios no circuito receptor 15, enquanto que o nó S0 é conectado em um nó de tensão de polarização.
[0036] De acordo com algumas modalidades, dois dos amplificadores 30 são combinados em um amplificador diferencial. Um amplificador diferencial como este pode, certamente, ser usado em um circuito receptor, por exemplo, como um LNA diferencial. Um exemplo de uma modalidade como esta é ilustrado na figura 7. A modalidade do amplificador diferencial ilustrado na figura 7 pode ser vista como uma versão diferencial da modalidade do amplificador 30 ilustrado na figura 6. Os componentes 110a, 120a, 130a, 140a, 150a, 160a, 170a, 200a, e 210a, correspondem aos componentes 110, 120, 130, 140, 150,160, 170, 200, e 210 (figura 6) de um primeiro dos dois amplificadores que constituem o amplificador diferencial. Similarmente, os componentes 110b, 120b, 130b, 140b, 150b, 160b, 170b, 200b, e 210b, correspondem aos componentes 110, 120, 130, 140, 150,160, 170, 200, e 210 (figura 6) de um segundo dos dois amplificadores que constituem o amplificador diferencial. Na figura 7, o amplificador diferencial compreende um circuito tanque compartilhado 100. Entretanto, em outras modalidades, pode haver circuitos tanque separados para os dois amplificadores que constituem o amplificador diferencial. Os nós Vina e Vinb constituem uma porta de entrada diferencial. Similarmente, os nós de saída Vouta e Voutb constituem uma porta de saída diferencial.
[0037] A figura 8 ilustra uma possível implementação de um resistor sintonizável 400. Ela ilustra que um resistor sintonizável 400 pode ser implementado com inúmeros resistores comutáveis conectados em paralelo, cada qual compreendendo um resistor 410-i em série com um comutador 420- i. Pela seleção de quais dos comutadores 420-i são fechados e quais são abertos, a resistência total do resistor sintonizável 400 pode ser sintonizada em um valor desejado, como seria prontamente entendido pelos versados na técnica de projeto de circuito eletrônico. Os comutadores 420-i podem, por exemplo, ser controlados com uma palavra de controle digital, em que cada bit da palavra de controle controla um comutador exclusivo dos comutadores 420-i. Qualquer um dos resistores sintonizáveis discutidos nesta descrição pode ser projetado desta maneira.
[0038] De uma maneira similar, a figura 9 ilustra uma possível implementação de um capacitor sintonizável. Ela ilustra que um capacitor sintonizável 500 pode ser implementado com inúmeros capacitores comutáveis conectados em paralelo, cada qual compreendendo um capacitor 510-i em série com um comutador 520-i. Pela seleção de quais dos comutadores 520-i são fechados e quais são abertos, a capacitância total do capacitor sintonizável 500 pode ser sintonizada em um valor desejado, como seria prontamente entendido por versados na técnica do projeto de circuito eletrônico. Os comutadores 520-i podem, por exemplo, ser controlados com uma palavra de controle digital, em que cada bit da palavra de controle controla um comutador exclusivo dos comutadores 520-i. Qualquer um dos capacitores sintonizáveis discutidos nesta descrição pode ser projetado desta maneira.
[0039] A figura 10 ilustra como a fase da corrente de realimentação, proveniente da rede de realimentação 110, no nó de entrada Vin varia com a frequência e a capacitância C do capacitor 210 de acordo com um exemplo de simulação. No exemplo de simulação, a topologia do circuito da figura 5 foi usada, e uma fonte de tensão RF CA com uma resistência de saída de 50 Q foi usada para alimentar o nó esquerdo do capacitor 170. O comportamento quantitativo da curva depende naturalmente dos valores de parâmetro componentes para os componentes do circuito. A seleção de tais valores de parâmetro componentes para uma dada especificação de exigência, por exemplo, com base na simulação de circuito, é considerada uma tarefa de rotina para versados na técnica do projeto de circuito RF analógico e não é aqui discutido com nenhum detalhe adicional. Uma observação interessante, no contexto desta descrição, que pode ser feita a partir da figura 10 é o comportamento qualitativo das curvas. Uma das curvas é rotulada em C = 0. Este caso, em que a capacitância C do capacitor 210 é 0, corresponde a um caso em que o capacitor 210 está ausente. Pode ser observado que há uma variação de fase relativamente abrupta ao redor da frequência de ressonância até o circuito tanque 100, que, nesta simulação, é de cerca de 30 GHz. Esta variação de fase relativamente abrupta torna difícil alcançar uma boa correspondência de impedância de entrada durante mais do que uma faixa de frequência relativamente estreita. Além do mais, a melhor correspondência de impedância de entrada pode ocorrer em uma frequência diferente da frequência de ressonância do circuito tanque 100, em particular, nas aplicações em que o circuito receptor 15 é sintonizável em diferentes bandas de frequência e, portanto, o circuito tanque 100 é sintonizável em diferentes frequências de ressonância. À medida que o valor de C aumenta, pode ser observado que a variação de fase é reduzida, o que habilita a correspondência de impedância de entrada em uma faixa de frequência mais larga. Além do mais, é possível sintonizar o valor de C de maneira tal que a melhor, ou pelo menos uma adequadamente boa, correspondência de impedância de entrada seja provida na frequência central do circuito tanque 100. Como mencionado acima, tal sintonia pode ser obtida usando os componentes sintonizáveis com o valor Q relativamente baixo.
[0040] A presente invenção foi supradescrita em relação a modalidades específicas. Entretanto, modalidades diferentes daquelas supradescritas são possíveis no escopo da descrição. As diferentes características das modalidades podem ser combinadas em combinações diferentes daquelas descritas.
Claims (13)
1. Amplificador (30) para um circuito receptor (15), o amplificador tendo um nó de entrada (Vin) e um nó de saída (Vout), compreendendo: um circuito tanque sintonizável (100) conectado no nó de saída (Vout); um trajeto de circuito de realimentação (200) conectado entre o nó de saída (Vout) e o nó de entrada (Vin); caracterizadopelo fato de que compreende adicionalmente: um capacitor sintonizável (210) conectado entre um nó interno do trajeto de circuito de realimentação (200) e um nó de tensão de referência.
2. Amplificador (30) de acordo com a reivindicação 1, caracterizadopelo fato de que o trajeto de circuito de realimentação (200) é um circuito passivo.
3. Amplificador (30) de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizadopelo fato de que o trajeto de circuito de realimentação (200) compreende uma conexão em série de pelo menos um resistor (220, 230) e pelo menos um capacitor (240).
4. Amplificador (30) de acordo com a reivindicação 3, caracterizadopelo fato de que o pelo menos um resistor (220, 230) é sintonizável.
5. Amplificador (30) de acordo com a reivindicação 3 ou 4, caracterizadopelo fato de que o pelo menos um capacitor (240) compreende um primeiro capacitor (240), o pelo menos um resistor compreende um primeiro resistor (220) conectado entre o nó de saída (Vout) e o primeiro capacitor (240) e um segundo resistor (230) conectado entre o primeiro capacitor (240) e o nó de entrada (Vin).
6. Amplificador (30) de acordo com a reivindicação 5, caracterizadopelo fato de que o nó interno é um nó entre o primeiro capacitor (240) e o segundo resistor (230).
7. Amplificador (30) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, caracterizado pelo fato de que compreende um primeiro transistor (120) em configuração de fonte comum.
8. Amplificador (30) de acordo com a reivindicação 7, caracterizado pelo fato de que compreende um segundo transistor (130) conectado em uma configuração de cascode entre o primeiro transistor (120) e o nó de saída (Vout).
9. Amplificador diferencial para um circuito receptor (15), caracterizado pelo fato de que compreende um primeiro e um segundo amplificadores (30) como definidos em qualquer uma das reivindicações 1 a 8.
10. Circuito receptor (15), caracterizado pelo fato de que compreende um amplificador (30) como definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 8 ou um amplificador diferencial como definido na reivindicação 9.
11. Aparelho de comunicação (1, 2), caracterizado pelo fato de que compreende o circuito receptor (15) como definido na reivindicação 10.
12. Aparelho de comunicação (1) de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que o aparelho de comunicação (1) é um dispositivo de comunicação sem fio (1) para uma rede de comunicação celular.
13. Aparelho de comunicação (2) de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que o aparelho de comunicação (2) é uma estação base de rádio (2) para uma rede de comunicação celular.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2016/059791 WO2017190764A1 (en) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BR112018071277A2 BR112018071277A2 (pt) | 2019-02-12 |
BR112018071277B1 true BR112018071277B1 (pt) | 2021-01-26 |
Family
ID=55860875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BR112018071277-9A BR112018071277B1 (pt) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | amplificador, circuito receptor, e, aparelho de comunicação |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10320341B2 (pt) |
EP (2) | EP3453111B1 (pt) |
JP (1) | JP7002468B2 (pt) |
KR (1) | KR102136020B1 (pt) |
CN (2) | CN109075747B (pt) |
AR (1) | AR108261A1 (pt) |
AU (1) | AU2016405599B2 (pt) |
BR (1) | BR112018071277B1 (pt) |
CA (1) | CA3022783C (pt) |
DK (2) | DK3453111T3 (pt) |
ES (2) | ES2895672T3 (pt) |
MX (1) | MX2018012644A (pt) |
MY (1) | MY188631A (pt) |
PL (1) | PL3678293T3 (pt) |
RU (1) | RU2726828C1 (pt) |
SG (1) | SG11201811284YA (pt) |
WO (1) | WO2017190764A1 (pt) |
ZA (1) | ZA201806723B (pt) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019221175A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路 |
US10707817B2 (en) * | 2018-05-30 | 2020-07-07 | Speedlink Technology Inc. | Wideband low noise amplifier (LNA) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5G communication |
US11245372B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-02-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable-gain amplifier with degeneration circuit |
US11942912B2 (en) * | 2019-09-18 | 2024-03-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier with tunable impedance circuit |
RU2759317C1 (ru) * | 2021-02-08 | 2021-11-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный институт кино и телевидения" (СПбГИКиТ) | Универсальный электрический эквивалент громкоговорителя |
US20240178798A1 (en) * | 2022-11-29 | 2024-05-30 | Psemi Corporation | Amplifier with Improved Power Supply Rejection in Feedback Circuits |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3701034A (en) * | 1971-03-23 | 1972-10-24 | Collins Radio Co | Equalizer circuit for multistage feedback amplifier |
JPS5536067A (en) | 1978-09-08 | 1980-03-13 | Nippon Oil Co Ltd | Addition for casting material |
JPS595709B2 (ja) | 1981-09-02 | 1984-02-06 | 丸山工業株式会社 | 導電性床材とその製造方法 |
CA1187949A (en) * | 1982-06-18 | 1985-05-28 | Stephen G. Harman | Negative feedback amplifiers including directional couplers |
JPS6035811A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体式放射線測定装置用前置増幅器 |
JPS6327104A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Sharp Corp | 並列帰還型増幅器 |
US6809581B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-10-26 | Broadcom Corp. | Integrated circuit low noise amplifier and applications thereof |
JP2005124175A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅装置および周波数変換装置 |
JP2005175819A (ja) | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sony Corp | 増幅器並びに通信装置 |
US7786806B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-08-31 | Nxp B.V. | Tunable cascode LNA with flat gain response over a wide frequency range |
DE102005007876B4 (de) | 2005-02-21 | 2013-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verstärkerschaltung mit reduzierter Temperaturabhängingkeit der Verstärkung |
CN101253682A (zh) * | 2005-08-30 | 2008-08-27 | 松下电器产业株式会社 | 低噪声放大电路和接收系统 |
US7949322B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-05-24 | Qualcomm, Incorporated | Frequency selective amplifier with wide-band impedance and noise matching |
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JP2009207031A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Hitachi Ltd | 増幅回路 |
CN101594124B (zh) * | 2008-05-26 | 2012-05-16 | 财团法人工业技术研究院 | 协调性可调式滤波装置及其无线通信前端电路 |
US8306494B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-11-06 | Broadcom Corporation | Method and system for a single-ended input low noise amplifier with differential output |
JP4903834B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2012-03-28 | 株式会社日立製作所 | 利得可変増幅回路及びそれを用いた無線通信機器用の集積回路 |
JP5375521B2 (ja) | 2009-10-27 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 高周波増幅器および無線通信装置 |
US8217723B2 (en) * | 2009-11-05 | 2012-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Low noise amplifier circuit |
CN101789760A (zh) * | 2009-12-30 | 2010-07-28 | 复旦大学 | 采用并联反馈式结构的窄带低噪声放大器 |
JP5228017B2 (ja) | 2010-09-16 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 高周波差動増幅回路 |
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US8493154B1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-07-23 | Berex Corporation | Linearity enhancement on cascode gain block amplifier |
EP2947769B1 (en) * | 2012-02-01 | 2017-04-05 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Low-noise amplifier |
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JP6327104B2 (ja) | 2014-10-16 | 2018-05-23 | 株式会社デンソー | カーブ路減速支援装置 |
CN104579196B (zh) * | 2015-01-28 | 2018-06-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种射频信号放大器 |
WO2016133896A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Northeastern University | Linearity enhancement method for low-power low-noise amplifiers biased in the subthreshold region |
-
2016
- 2016-05-02 EP EP16719433.1A patent/EP3453111B1/en active Active
- 2016-05-02 EP EP20159736.6A patent/EP3678293B1/en active Active
- 2016-05-02 KR KR1020187033907A patent/KR102136020B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-02 US US15/316,562 patent/US10320341B2/en active Active
- 2016-05-02 CN CN201680085263.4A patent/CN109075747B/zh active Active
- 2016-05-02 WO PCT/EP2016/059791 patent/WO2017190764A1/en unknown
- 2016-05-02 JP JP2018554548A patent/JP7002468B2/ja active Active
- 2016-05-02 MY MYPI2018703785A patent/MY188631A/en unknown
- 2016-05-02 SG SG11201811284YA patent/SG11201811284YA/en unknown
- 2016-05-02 MX MX2018012644A patent/MX2018012644A/es unknown
- 2016-05-02 CN CN202210723190.4A patent/CN115208333A/zh active Pending
- 2016-05-02 ES ES20159736T patent/ES2895672T3/es active Active
- 2016-05-02 AU AU2016405599A patent/AU2016405599B2/en not_active Ceased
- 2016-05-02 RU RU2018142123A patent/RU2726828C1/ru active
- 2016-05-02 PL PL20159736T patent/PL3678293T3/pl unknown
- 2016-05-02 DK DK16719433.1T patent/DK3453111T3/da active
- 2016-05-02 ES ES16719433T patent/ES2794774T3/es active Active
- 2016-05-02 CA CA3022783A patent/CA3022783C/en active Active
- 2016-05-02 DK DK20159736.6T patent/DK3678293T3/da active
- 2016-05-02 BR BR112018071277-9A patent/BR112018071277B1/pt active IP Right Grant
-
2017
- 2017-04-28 AR ARP170101108A patent/AR108261A1/es active IP Right Grant
-
2018
- 2018-10-09 ZA ZA2018/06723A patent/ZA201806723B/en unknown
-
2019
- 2019-05-29 US US16/425,691 patent/US10673393B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-28 US US16/861,132 patent/US11290064B2/en active Active
Also Published As
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
B06U | Preliminary requirement: requests with searches performed by other patent offices: procedure suspended [chapter 6.21 patent gazette] | ||
B09A | Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette] | ||
B16A | Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette] |
Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 20 (VINTE) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 02/05/2016, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS. |