CN112204894B - 一种射频前端电路及移动装置 - Google Patents

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Abstract

根据一个实施例，射频(RF)前端电路包括RF接收器、收发器(或发射/接收)开关、以及高阶电感负反馈匹配网络，高阶电感负反馈匹配网络耦接在收发器开关与RF接收器的输入端口之间，其中，高阶电感负反馈匹配网络对RF接收器和收发器开关进行阻抗匹配，并且高阶电感负反馈匹配网络将在多个预定谐振频率处谐振。

Description

一种射频前端电路及移动装置
交叉引用
本申请要求2018年5月15日提交的申请号为15/980,449的美国非临时申请的权益。
技术领域
本发明的实施例通常涉及无线通信装置。更具体地，本发明的实施例涉及用于通信装置的多频带镜像抑制接收器。
背景技术
对于下一代5G通信装置，诸如增强现实(AR)/虚拟现实(VR)以及5G多输入多输出(MIMO)等的许多应用要求更高的数据速率。向毫米波(mm波)频率的设计转变支持该更高的数据速率。另一方面，需要更宽的带宽以促进更高的数据速率。例如，更宽的带宽应覆盖包括24、28、37和39GHz频带的5G 频谱。
传统上，mm波接收器前端的低噪声放大器(low noise amplifier，LNA) 和发射/接收(T/R)开关是利用单个标准50Ω接口单独设计的。这种分割方法通常会减少接收器带宽、输入匹配和/或噪声系数。因此，需要协同设计LNA 和T/R开关以改善接收器的性能。
附图说明
在附图的图中，通过示例而非限制的方式示出本发明的实施例，在附图中，类似的附图标记指示相似的元素。
图1是示出根据一个实施例的无线通信装置的示例的框图。
图2是示出根据一个实施例的RF前端集成电路的示例的框图。
图3是示出根据一个实施例的RF收发器集成电路的框图。
图4是示出根据一个实施例的宽带接收器电路的示例的框图。
图5是示出根据一个实施例的宽带IQ生成电路的框图。
图6是示出根据一个实施例的宽频带IQ混频器的框图。
图7A示出根据一个实施例的针对协同设计的图5的mm波IQ生成电路和图6的宽频带IQ混频器的、转换增益相对于20至45GHz之间的本地振荡器 (LO)频率的仿真图。
图7B示出根据一个实施例的针对协同设计的图5的mm波IQ生成电路和图6的宽频带IQ混频器的、转换增益相对于0至8GHz之间的中频(intermediate frequency，IF)的仿真图。
图8示出根据一个实施例的差分电感器对的三维模型。
图9示出根据一个实施例的各自具有差分电感器对的双平衡混频器的布局模型。
图10是示出根据一个实施例的多相滤波器(poly-phase filter，PPF)电路的框图。
图11是示出根据一个实施例的针对图4的宽带接收器电路在3.5GHz的固定IF频率下的、镜像抑制比相对于22至39GHz的RF频率的仿真图。
图12是示出根据一个实施例的RF收发器集成电路的框图。
图13A至13B是示出根据一些实施例的收发器开关的示例的框图。
图14A是示出根据一个实施例的示例性宽带LNA电路的框图。
图14B是示出根据一个实施例的用于宽带LNA电路的S参数(S11)的图。
图15A是示出根据一个实施例的不具有协同设计匹配网络的示例性宽带 LNA电路的框图。
图15B是示出根据一个实施例的不具有协同设计匹配网络的宽带LNA电路的S参数(S11)的框图。
图16A是示出根据一个实施例的具有协同设计匹配网络的示例性宽带 LNA电路的框图。
图16B是示出根据一个实施例的具有协同设计匹配网络的宽带LNA电路的S参数(S11)的框图。
具体实施方式
将参考以下所讨论的详情描述本发明的各种实施例和方面，并且附图将示出各种实施例。以下的描述和附图是对本发明的说明并且不应被解释为限制本发明。描述了许多具体详情以提供对本发明的各种实施例的透彻理解。然而，在某些情况下，未描述总所周知的或常规的详情，以提供本发明的实施例的简明讨论。
说明书中对“一个实施例”或“实施例”的引用意指结合该实施例所描述的具体特征、结构或特性可以包括在本发明的至少一个实施例中。短语“在一个实施例中”在本说明书中的各个地方的出现不一定全部是指相同的实施例。
注意，在实施例的相应附图中，信号用线表示。一些线可以更粗，以指示更多的组成信号路径，以及/或者一些线在一个或多个端部具有箭头，以指示主要信息流方向。这样的指示并不旨在是限制性的。相反，这些线结合一个或多个典型实施例来使用以更容易地理解电路或逻辑单元。如由设计需求或偏好所指示的，任何所表示的信号可以实际上包括可在任一方向上行进且可用任何合适类型的信号方案实施的一个或多个信号。
贯穿本说明书，并且在权利要求书中，术语“连接(connect)”意指所连接的事物之间的在没有任何中间装置的情况下的直接电连接。术语“耦接 (couple)”意指所连接的事物之间的直接电连接，或者通过一个或多个无源或有源中间装置的间接连接。术语“电路”意指被布置成彼此协作以提供期望功能的一个或多个无源和/或有源组件。术语“信号”意指至少一个电流信号、电压信号或数据/时钟信号。“a”、“an”和“the”的含义包括复数引用。“在…中”的含义包括“在…中”和“在…上”。
如这里所使用的，除非另有规定，否则使用序数形容词“第一”、“第二”、和“第三”等来描述共同对象仅指示类似对象的不同实例被提及，并且不旨在暗示如此描述的对象在时间上、空间上、按排名或以任何其它方式必须处于给定序列中。这里的术语“基本上”是指在目标的10％内。
出于这里描述的实施例的目的，除非另有规定，否则这些晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其包括漏极端子、源极端子、栅极端子和体块端子。源极端子和漏极端子可以是相同的端子并且在这里可互换地使用。本领域技术人员将认识到在不背离本发明的范围的情况下，可以使用其它晶体管，例如，双极结型晶体管—BJT PNP/NPN、BiCMOS、CMOS等。
根据一些实施例，射频(RF)前端电路包括RF接收器、收发器(或发射/接收)开关、以及在收发器开关与RF接收器的输入端口之间耦接的高阶电感负反馈匹配网络(high-order inductive degeneration matching network)，其中，高阶电感负反馈匹配网络对RF接收器和收发器开关进行阻抗匹配，并且高阶电感负反馈匹配网络将在多个预定谐振频率处谐振。
在一个实施例中，高阶电感负反馈匹配网络包括与电感传输线串联的电容器以在第一预定谐振频率处谐振。在一个实施例中，匹配网络的电容器的第一端子耦接至匹配网络的输入端口，并且电容器的第二端子耦接至电感传输线的第一端，并且电感传输线的第二端耦接至匹配网络的输出端口。
在一个实施例中，电容器包括具有间隙的传输线。在一个实施例中，电感传输线是微带(microstrip)线。在另一实施例中，匹配网络还包括耦接在匹配网络的输入端口与接地面(ground plane)之间的第一电感器，并且第一电感器将与在收发器开关的输出端口处看到的关断开关寄生电容在第二预定谐振频率处谐振。在另一实施例中，匹配网络的第一电感器包括片上螺旋线。在另一实施例中，匹配网络还包括耦接在匹配网络的输出端口与RF接收器的输入端口之间的第二电感器，使得第二电感器与在RF接收器的输入端口处看到的寄生电容在第三预定谐振频率处谐振。在另一实施例中，匹配网络的第二电感器包括片上螺旋线。在一个实施例中，发射/接收开关是片上晶体管开关。
图1是示出根据本发明的一个实施例的无线通信装置的示例的框图。参考图1，无线通信装置100(也简称为无线装置)包括RF前端模块101和基带处理器102等。无线装置100可以是任何类型的无线通信装置，诸如例如移动电话、膝上型计算机、平板计算机、网络设备装置(例如，物联网或IOT设备装置)等。
在无线电接收器电路中，RF前端是天线直至并包括混频器级之间的所有电路的通用术语。RF前端由接收器中的、在将原始输入射频的信号转换成较低频率(例如，IF)之前处理该信号的所有组件构成。在微波和卫星接收器中， RF前端通常被称为低噪声块(low-noise block，LNB)或低噪声降频转换器 (low-noise downconverter，LND)，并且通常位于天线处，使得来自天线的信号可以以更容易处理的中频被传送到接收器的其余部分。基带处理器是网络接口中的管理所有无线电功能(需要天线的所有功能)的装置(芯片或芯片的一部分)。
在一个实施例中，RF前端模块101包括一个或多个RF收发器，其中，各 RF收发器经由多个RF天线中的一个RF天线发射和接收特定频带(例如，诸如非重叠频率范围等的特定频率范围)内的RF信号。RF前端IC芯片还包括耦接至RF收发器的IQ生成器和/或频率合成器。IQ生成器或生成电路生成LO信号并将其提供给各RF收发器以使RF收发器能够混频、调制和/或解调相应频带内的RF信号。RF收发器和IQ生成电路可以集成在单个IC芯片内作为单个RF 前端IC芯片或封装件。
图2是示出根据本发明一个实施例的RF前端集成电路的示例的框图。参考图2，RF前端101包括耦接至多频带RF收发器211的IQ生成器和/或频率合成器200等。收发器211被配置为经由RF天线221发射和接收一个或多个频带或者宽范围的RF频率内的RF信号。在一个实施例中，收发器211被配置为从IQ 生成器和/或频率合成器200接收一个或多个LO信号。针对一个或多个相应频带生成LO信号。LO信号被收发器用来混合、调制、解调，以发射和接收相应频带内的RF信号。尽管只示出一个收发器和天线，但是可以实现多对收发器和天线，各频带各一个。
图3是示出根据一个实施例的RF收发器集成电路(IC)的框图。RF收发器 300可以表示图2的RF收发器211。参考图3，频率合成器200可以表示如上所述的频率合成器200。在一个实施例中，RF收发器300可以包括频率合成器200、发射器301和接收器302。频率合成器200通信地耦接至发射器301和接收器 302以提供LO信号。发射器301可以发射多个频带的RF信号。接收器302可以接收多个频带的RF信号。
接收器302包括低噪声放大器(LNA)306、混频器307和滤波器308。LNA 306用于经由天线221接收来自远程发射器的RF信号并放大所接收到的RF信号。然后，由混频器307(也称为降频转换混频器)基于由IQ生成器317提供的 LO信号来解调经放大的RF信号。IQ生成器317可以表示如上所述的IQ生成器 /合成器200的IQ生成器。在一个实施例中，IQ生成器317集成到宽频带接收器302中作为单个集成电路。然后解调后的信号由滤波器308处理，该滤波器 308可以为低通滤波器。在一个实施例中，发射器301和接收器302经由发射和接收(T/R)开关309共用天线221。T/R开关309被配置为在发射器301与接收器302之间切换，以在特定时间点将天线221耦接至发射器301或接收器302。尽管示出一对发射器和接收器，但是可以实现多对发射器和接收器以及/或者独立的接收器。
图4是示出宽带LNA 306、宽带IQ混频器307和滤波器308的示例的框图。滤波器308可以是两级电阻器电容器(例如，RC-CR)多相滤波器。滤波器308 可以包括用于附加功率增益的一个或多个可变增益中频(IF)放大器。注意，宽带IQ混频器307可以与宽带IQ生成电路317协同设计作为单个单元。宽带IQ 混频器307还可以包括匹配网络318，用于LNA 306和混频器307之间的阻抗匹配。
图5是示出根据一个实施例的mm波宽带IQ生成电路的框图。参考图5，宽带IQ生成电路317可以基于宽频率范围上的差分LO信号(例如，LO_Ip和 LO_In)来生成IQ信号(例如，LO_Ip、LO_Qp、LO_In和LO_Qn)。IQ生成电路317将90度相移引入到LO信号以生成四个相位象限中的信号。然后IQ信号可以被IQ混频器用于将具有IQ数据的RF信号调制成较低频率信号(例如，IF信号)。
图6是示出根据一个实施例的宽频带IQ混频器的框图。混频器是能够进行信号的转换或调制的三端口装置。对于接收器，混频器使用LO信号降频转换(或解调)RF信号以生成IF信号。参考图6，混频器307包括两个(或双)平衡的吉尔伯特(Gilbert)混频器620-621。双平衡混频器620-621使用差分LO信号对差分RF信号进行降频转换(或解调)以生成差分IF信号。例如，混频器620 接收由mm波宽带IQ生成电路(诸如图5的IQ生成器317等)生成的RF_inp、 RF_inn和差分同相信号(例如，LO_Ip和LO_In)，以生成IF_Ip和IF_In。类似地，混频器621接收由mm波宽带IQ生成电路(诸如图5的IQ生成器317等)生成的RF_inp、RF_inn和差分正交信号(例如，LO_Qp和LO_Qn)，以生成IF_Qp 和IF_Qn。在一些实施例中，混频器620-621各自可以包括一个或多个差分放大器级。
参考图6，对于两级差分放大器，该放大器可以包括作为第一级的共源差分放大器和作为第二级的栅极耦接差分放大器。混频器620-621的共源差分放大器级各自可以接收差分信号RF_inp和RF_inn。混频器620的栅极耦接差分放大器级接收差分信号LO_In和LO_Ip。混频器621的栅极耦接差分放大器级接收差分信号LO_Qn和LO_Qp。然后RF信号被LO信号降频转换以生成 IF信号。第二级可以包括低通滤波器，该低通滤波器可以是一阶低通滤波器以最小化向混频器620-621中的高频噪声注入。在一个实施例中，低通滤波器包括具有与电容器(例如，电容器630)并联的负载电阻器的无源低通滤波器。在一个实施例中，第一级差分放大器经由差分电感器(例如，差分电感器633) 耦接至第二级差分放大器。在一个实施例中，混频器620-621在单个单片集成电路上与mm波IQ生成电路(诸如图5的mm波IQ生成电路317等)协同设计。
图7A示出根据一个实施例的针对协同设计的图5的mm波IQ生成电路和图6的宽频带IQ混频器的、转换增益相对于20至45GHz之间的本地振荡器(LO)频率的仿真图。参考图7A，在IQ生成电路的输入处具有中等差分功率(诸如具有约-2dBm的差分功率的LO信号等)的情况下，IQ混频器307可以在23 至43GHz的LO频率范围上产生大约>7dB的降频转换增益和大约＜0.7dB的振幅失配。
图7B示出根据一个实施例的针对协同设计的图5的mm波IQ生成电路和图6的宽频带IQ混频器的、转换增益相对于0至8GHz之间的中频(IF)的仿真图。参考图6，混频器620/621的输出负载电阻器可以与输入电容器630并联协同设计以形成一阶低通滤波器，该输入电容器630可以是在下一IF放大器级(例如，图4的IF可变增益放大器级308)处看到的寄生电容。参考图7B，基于协同设计的mm波IQ生成电路和IQ混频器，针对以约3.5GHz设计的IF频率，转换增益衰减可以从约7.6dB的峰值增益减少到约0.5dB。
参考图6，差分电感器对633被用于在两个差分放大器级之间选择电流增益。包括四个电感器以获得良好的性能，例如，两个差分电感器对用于双IQ 混频器中的各IQ混频器。然而，四个电感器包括大的占用面积。图8示出根据一个实施例的差分电感器对的三维模型。差分电感器对800可以是图6的差分电感器对633。在一个实施例中，可将差分电感器对减少到单个电感器的占用面积(footprint)，诸如图8的差分电感器对800。参考图8，差分电感器对 800包括两个螺旋电感器，这两个螺旋电感器由于在电感器对之间存在虚拟接地(virtual ground)的事实而折叠在一起到单个电感器的占用面积，因此，接地面(例如，围绕电感器的接地面)可以重复用于电感器对以减小电感器对的占用面积。在一个实施例中，差分电感器对800可以各自具有约200pH的电感。在一个实施例中，电感器对具有约165μm乘85μm的占用面积。
图9示出根据一个实施例的各自具有图8的差分电感器对的双平衡混频器的布局模型。参考图9，双平衡混频器900可以是图6的IQ混频器620-621。如图9所示，两个电感器对(例如，总共4个电感器)各自耦接在第一级放大器与第二级放大器之间。电感器对在两级之间施加电感以增强mm波频率范围上的电流增益。差分电感器对的电感器共用虚拟接地且具有单个电感器的占用面积。在一个实施例中，混频器占用面积约为185μm乘252μm。图10是示出根据一个实施例的多相滤波器(PPF)电路的框图。PPF 308可以滤除较高频率噪声且可以将四个同相和正交信号重新组合回IF信号的差分对，例如IF_Ip 和IF_In。在一个实施例中，PPF 308包括一个或多个放大器级以进一步放大 IF信号。参考图10，在一个实施例中，PPF 308包括三个级。第一级包括差分放大器1001以增加IQ IF信号(例如，IF_Ip、IF_In、IF_Qp和IF_Qn)的功率。第二级包括阻容容阻(RC_CR)PPF 1003。PPF 1003可以滤除不期望的信号噪声(例如，IF频率范围之外的高频噪声)，并且可以将四个同相和正交信号(例如，IF_Ip、IF_In、IF_Qp和IF_Qn)组合成IF信号的差分对(例如，IF_Ip和IF_In)。最后，第三级包括放大器1005以进一步放大差分IF信号IF_Ip和IF_In来生成 IF_out+和IF_out-。放大器1001和放大器1005可以是可变增益放大器，以允许 PPF电路308的增益调整。
图11是示出根据一个实施例的针对图4的宽频带接收器电路(例如，接收器302)在约3.5GHz的IF频率下的、镜像抑制比相对于从22至39GHz的RF频率的仿真图。仿真设置包括具有范围为从-2至+3dBm的驱动功率的差分LO 作为输入。在约3.5GHz的IF频率下，对于约22至39GHz的频率范围，宽频带镜像抑制比(IRR)大约>23dB。根据一个实施例，宽频带接收器302占据约 1.36mm乘0.65mm。
图12是示出根据一个实施例的RF收发器集成电路的框图。RF收发器 1200可以是图3的收发器300。在一个实施例中，RF收发器1200包括协同设计的匹配网络304，其耦接在T/R开关309与接收器302的LNA 306之间。与T/R 开关309和LNA 306协同设计的匹配网络304可以改善接收器302的性能。
图13A至13B是示出根据一些实施例的收发器T/R开关的示例的框图。参考图13A，LNA 306直接耦接至T/R开关309。这里，LNA 306的输入阻抗被设计成匹配开关309的输出阻抗。然而，开关309和PA 303的关断开关(例如， Coff)的负载电容可以直接加载到LNA的输入上，从而使接收器302的性能下降。图13B示出经由协同设计的匹配网络304耦接至T/R开关309的LNA 306。网络304可以包括与耦接在LNA 306与T/R开关309之间的电感传输线(T线)串联的电感器(例如，Lmatching)。电感器可以与由匹配网络看到的负载和/或寄生电容谐振，以在一个或多个谐振频率处谐振。
图14A是示出根据一个实施例的示例性宽带LNA电路的框图。LNA是可以放大低功率RF信号而不显著降低其信噪比的放大器。参考图14A，LNA 306 包括第一级1401和第二级1402。第一级1401可以在源电感负反馈拓扑中实施以实现具有高线性度的宽带输入匹配，例如，晶体管M1的源极端子耦接至电感器L2。基于电感负反馈的共源级的LNA可以实现低噪声系数。电感负反馈拓扑包括由电感器L3分开的M1和M2晶体管。选择电感器L3以消除在电感器L3处看到的M1和M2晶体管的寄生电容。此外，第一级1401可以包括用于调整第一级的增益以调整LNA 306的输入线性度的可变增益控制。
对于第二级1402，信号1404由M3和M4晶体管放大。L6插入在M3和M4 晶体管之间以消除在电感器L6处看到的M3和M4的寄生电容。然后经放大的信号由基于变压器的平衡-不平衡变换器1405从单端变换成差分(例如，平衡) 分量(例如，端口Outp和Outn)。平衡-不平衡变换器是用于将不平衡信号转换为平衡信号或反之亦然的变压器的类型。平衡信号包括携载大小相等但相位相反的信号的两个信号。不平衡信号包括相对于接地信号工作的单个信号。平衡信号允许下一级(例如，混频器307)的平衡配置以防止RF-LO、LO-IF和 RF-IF信号泄漏。在一个实施例中，第二级1402中的基于变压器的平衡-不平衡变换器1405的无源损耗通过将基于变压器的平衡-不平衡变换器1405置于 LNA 306的输出端口(例如，Outp和Outn)附近来保持在最小化，以获得低LNA 噪声系数。
图14B是示出根据一个实施例的示例性宽带LNA电路的S参数(S11)的图。图表1450可以是图14A的LNA 306的S11绘图。如S11绘图所示，LNA 306在26 GHz和34GHz处具有双谐振，这可以通过调谐图14A的LNA 306的电感器L1 和L2来实现。S11在这两个谐振频率处是约＜-16dB且针对约25至40GHz的频率范围是约＜-10dB。
图15A是示出根据一个实施例的不具有协同设计的匹配网络的示例性宽带LNA电路的框图。图15B是示出根据一个实施例的不具有协同设计的匹配网络的宽带LNA电路(例如，图15A)的输入匹配的S参数(S11)的框图。在这种情况下，一旦LNA 306如图15A所示加载有T/R开关309和关断状态功率放大器(PA)303，如图15B所示，T/R开关309的关断开关和关断状态PA 303的加载和/或寄生电容就使总体接收器性能下降。对于T/R开关309，Ron模拟开关晶体管的导通电阻，并且Coff模拟开关晶体管的关断电容。在约20至49GHz的频率范围(例如，5G MIMO通信关注的整个频带)上，总体接收器输入匹配 S11>-10dB。换言之，大多数接收到的信号被反射而不是由接收器接收，从而导致在mm波频率处的次优性能(例如，接收器带宽、转换增益、灵敏度、和噪声系数等)。
图16A是示出根据一个实施例的具有协同设计的匹配网络的示例性宽带 LNA电路的框图。图16B是示出根据一个实施例的具有协同设计的匹配网络的宽带LNA电路(例如，图16A)的输入匹配的S参数(S11)的框图。参考图16A，匹配网络304包括将T/R开关309桥接到LNA 306的传输线(T线)。
在一个实施例中，匹配网络304包括Lmatching以与T/R开关309的电容(例如， Coff)和关断状态PA 303的电容谐振。参考图15A，电容C1(约1pF)通常耦接至LNA的输入以阻止由接收器接收到的DC信号，然而，C1可能由于C1与在晶体管M1的栅极节点处看到的寄生电容器之间的电容分压而导致信号损耗。参考图16A，在一个实施例中，匹配网络304包括耦接至T线的电容C2。这里，相比之下，电容C2(约270fF)可以(1)与T线和串联栅极电感器L1产生高阶谐振，以及(2)在没有由于电容分压而导致的信号损耗的情况下阻止接收器前端的DC信号。
在一个实施例中，匹配网络304包括多个谐振LC对，包括(1)来自T/R开关的Coff和PA的负载电容器与Lmatching谐振的第一LC对，(2)来自C2与T线和 L1的第二LC对，以及(3)来自M1的栅极到源极寄生电容器与电感器L2的第三 LC对。由于具有多个谐振LC对，因而匹配网络304类似于可以以mm波实现宽频带输入匹配的高阶切比雪夫滤波器。例如，参考图16B，在一个实施例中，对于约22.5GHz至42GHz的频率范围，观看图16A的前端开关的输入匹配(S11)可以是约＜-10dB。这里，与图15B相比，图16B的S11包括多个谐振频率，从而利用T/R开关来扩展接收器的有用带宽。
在前述说明书中，已经参考其具体典型实施例描述了本发明的实施例。显然，在不脱离所附权利要求书中阐述的本发明的更宽泛的精神和范围的情况下，可以对其进行不同修改。因此，说明书和附图应被视为说明性意义而非限制性意义。

Claims (9)

1.一种射频前端电路，即RF前端电路，包括：
RF接收器；
收发器开关；以及
高阶电感负反馈匹配网络，其耦接在所述RF接收器的输入端口和所述收发器开关之间，其中所述高阶电感负反馈匹配网络对所述RF接收器和所述收发器开关进行阻抗匹配，并且所述高阶电感负反馈匹配网络将在多个预定谐振频率处谐振，
其中，所述高阶电感负反馈匹配网络包括将所述收发器开关桥接到所述RF接收器的电感传输线、以及与所述电感传输线串联的电容器，以在第一预定谐振频率处谐振。
2.根据权利要求1所述的RF前端电路，其中，所述高阶电感负反馈匹配网络的所述电容器的第一端子耦接至所述高阶电感负反馈匹配网络的输入端口，并且所述电容器的第二端子耦接至所述电感传输线的第一端，并且所述电感传输线的第二端耦接至所述高阶电感负反馈匹配网络的输出端口。
3.根据权利要求1所述的RF前端电路，其中，串联的所述电容器包括具有间隙的传输线。
4.根据权利要求1所述的RF前端电路，其中，所述电感传输线是微带线。
5.根据权利要求2所述的RF前端电路，其中，所述高阶电感负反馈匹配网络还包括第一电感器，所述第一电感器耦接在所述高阶电感负反馈匹配网络的输入端口和接地面之间，并且所述第一电感器将在第二预定谐振频率处与在所述收发器开关的输出端口处看到的关断开关寄生电容谐振。
6.根据权利要求5所述的RF前端电路，其中，所述高阶电感负反馈匹配网络的所述第一电感器包括片上螺旋线。
7.根据权利要求6所述的RF前端电路，其中，所述高阶电感负反馈匹配网络还包括第二电感器，所述第二电感器耦接在所述高阶电感负反馈匹配网络的输出端口和所述RF接收器的输入端口之间，使得所述第二电感器与在所述RF接收器的输入端口处看到的寄生电容在第三预定谐振频率处谐振。
8.根据权利要求7所述的RF前端电路，其中，所述高阶电感负反馈匹配网络的所述第二电感器包括片上螺旋线。
9.一种移动装置，包括：
天线；
根据权利要求1至8中任一项所述的射频前端电路即RF前端电路，其中，所述RF前端电路耦接至所述天线；以及
基带处理器，其耦接至所述RF前端电路。
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