CN110350930B - 多波段毫米波5g通信的宽带镜像抑制rf接收器和前端电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多波段毫米波5G通信的宽带镜像抑制RF接收器和前端电路。根据一个实施例，射频(RF)接收器电路包括低噪声放大器、多相滤波器、以及耦合在低噪声放大器和多相滤波器之间的同相正交(IQ)混合器电路。IQ混合器电路包括：IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口、以及差分正交输出端口；第一混频器，其具有差分本地振荡器(LO)输入端口，其中第一混频器的差分LO输入端口耦合至IQ发生器的差分同相输出端口以驱动第一混频器；以及第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中第二混频器的差分LO输入端口耦合至IQ发生器的差分正交输出端口以驱动第二混频器。

Description

多波段毫米波5G通信的宽带镜像抑制RF接收器和前端电路
技术领域
本发明的实施例一般涉及无线通信装置。更特别地，本发明的实施例涉及通信装置所用的多波段镜像抑制接收器。
背景技术
对于下一代5G通信装置，诸如增强现实(AR)/虚拟现实(VR)、以及5G多输入多输出(MIMO)等的许多应用需要更高的数据速率。朝向毫米波(mm-Wave)频率的设计转变支持这种更高的数据速率。同时，需要更宽的带宽来促进更高的数据速率。例如，更宽的带宽应覆盖5G频谱，包括24GHz、28GHz、37GHz和39GHz频带。
低中频(IF)接收器架构对于通信装置可能是流行的，以避免来自零IF下变频接收器的诸如闪烁噪声和直流偏移等的缺点。然而，低IF接收器的毫米波宽带同相正交(IQ)本地振荡器(LO)生成可能损耗非常大，降低接收器的下变频混合器的性能。存在对于具有毫米波频率处的宽带镜像抑制的片上接收器的需要。
发明内容
一种射频接收器电路即RF接收器电路，所述RF接收器电路包括：低噪声放大器；多相滤波器；以及同相正交混合器电路即IQ混合器电路，其耦合在所述低噪声放大器和所述多相滤波器之间，其中所述IQ混合器电路包括：IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口、以及差分正交输出端口；第一混频器，其具有差分本地振荡器输入端口即差分LO输入端口，其中所述第一混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分同相输出端口以驱动所述第一混频器；以及第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中所述第二混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分正交输出端口以驱动所述第二混频器。
一种射频前端电路即RF前端电路，其包括用以放大接收到的信号的RF接收器，所述RF接收器包括：低噪声放大器；多相滤波器；以及同相正交混合器电路即IQ混合器电路，其耦合在所述低噪声放大器和所述多相滤波器之间，其中所述IQ混合器电路包括：IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口、以及差分正交输出端口；第一混频器，其具有差分本地振荡器输入端口即差分LO输入端口，其中所述第一混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分同相输出端口以驱动所述第一混频器；以及第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中所述第二混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分正交输出端口以驱动所述第二混频器。
附图说明
在附图中通过示例的方式并且非限制性地示出本发明的实施例，其中在附图中，相同的附图标记表示相同的元件。
图1是示出根据一个实施例的无线通信装置的示例的框图。
图2是示出根据一个实施例的RF前端集成电路的示例的框图。
图3是示出根据一个实施例的RF收发器集成电路的框图。
图4是示出根据一个实施例的宽带接收器电路的示例的框图。
图5是示出根据一个实施例的宽带IQ生成电路的框图。
图6是示出根据一个实施例的宽带IQ混合器的框图。
图7A示出根据一个实施例的、针对共同设计的图5的毫米波IQ生成电路和图6的宽带IQ混合器的变频增益相对于20至45GHz的本地振荡器(LO)频率的仿真图。
图7B示出根据一个实施例的、针对共同设计的图5的毫米波IQ生成电路和图6的宽带IQ混合器的变频增益相对于0至8GHz的中频(IF)的仿真图。
图8示出根据一个实施例的差分电感器对的三维模型。
图9示出根据一个实施例的双平衡混合器的布局模型，其中双平衡混合器各自具有差分电感器对。
图10是示出根据一个实施例的多相滤波器(PPF)电路的框图。
图11是示出根据一个实施例的针对图4的宽带接收器电路的、在3.5GHz的固定IF频率下镜像抑制比相对于22至39GHz的RF频率的仿真图。
具体实施方式
将参考以下所讨论的详情来描述本发明的各个实施例和方面，并且附图将示出各个实施例。以下描述和附图将说明本发明，并且不应被解释为限制本发明。描述了许多具体细节以提供对本发明的各个实施例的透彻理解。然而，在某些情况下，没有描述众所周知或常规的详情以提供对本发明的实施例的简洁讨论。
在本说明书中引用“一个实施例”或“实施例”意味着结合该实施例所描述的特定特征、结构或特点可以包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处出现的短语“在一个实施例中”无需都指代同一实施例。
注意，在实施例的相应附图中，信号用线表示。一些线可能较粗以指示更多的组成信号路径，以及/或者一些线在一个或多个端具有箭头以指示主要信息流动方向。这种指示不旨在是限制性的。相反，这些线可以与一个或多个典型实施例结合使用，以便于更容易地理解电路或逻辑单元。如设计需要或偏好所指示的任何所表示的信号实际上可以包括可沿任意方向行进、并且能够以任何合适类型的信号方案实现的一个或多个信号。
在整个说明书以及权利要求书中，术语“连接”意味着在没有任何中间装置的情况下被连接物体之间的直接电气连接。术语“耦合”意味着被连接物体之间的直接电气连接、或通过一个或多个无源或有源中间装置的间接连接。术语“电路”意味着被布置成彼此协作以提供期望的功能的一个或多个被动和/或主动组件。术语“信号”意味着至少一个电流信号、电压信号或数据/时钟信号。“一个”、“一种”和“该”的含义包括复数引用。“在…之中”的含义包括“在…之中”和“在…之上”。
如这里所使用的，除非另有规定，否则用以描述共同对象的序数形容词“第一”、“第二”和“第三”等的使用仅仅指示正被引用的相同对象的不同实例，并且不旨在暗示所描述的对象必须在时间上、在空间上、在排序中、或者按任何其它方式处于给定序列中。术语“基本上”这里是指在目标的10％内。
为了这里所述的实施例的目的，除非另有规定，晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其包括漏极端子、源极端子、栅极端子和块体(bulk)端子。源极端子和漏极端子可以是相同的端子，并且这里可互换使用。本领域技术人员将理解，可以在不偏离本发明的范围的情况下使用其它晶体管，例如，双极结型晶体管——BJT PNP/NPN、BiCMOS、CMOS等。
根据一些实施例，射频(RF)接收器电路包括低噪声放大器、多相滤波器、以及耦合在低噪声放大器和多相滤波器之间的IQ混合器电路。IQ混合器电路包括：IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口和差分正交输出端口；第一混频器，其具有差分本地振荡器(LO)输入端口，其中第一混频器的差分LO输入端口耦合至IQ发生器的差分同相输出端口以驱动第一混频器；以及第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中第二混频器的差分LO输入端口耦合至IQ发生器的差分正交输出端口以驱动第二混频器。
在一个实施例中，第一混频器和第二混频器各自包括：第一级放大器，其中第一级放大器包括具有第一晶体管和第二晶体管的第一差分晶体管对，其中第一晶体管的第一栅极端子和第二晶体管的第二栅极端子一起形成差分RF输入端口以接收要混合的差分RF输入信号；以及第二级放大器，其耦合至第一级放大器，其中第二级放大器包括第二差分晶体管对和第三差分晶体管对，第二差分晶体管对具有包含第三栅极端子的第三晶体管和包含第四栅极端子的第四晶体管，第三差分晶体管对具有包含第五栅极端子的第五晶体管和包含第六栅极端子的第六晶体管，其中第三栅极端子耦合至第五栅极端子并且第四栅极端子耦合至第六栅极端子，第三栅极端子和第五栅极端子形成差分LO输入端口以接收用以驱动该混频器的差分LO驱动信号。
在另一实施例中，第一差分晶体管对中的第一晶体管的第一漏极端子经由第一电感器而耦合至第二差分晶体管对中的第三晶体管和第四晶体管的源极端子，以及第一差分晶体管对中的第二晶体管的第二漏极端子经由第二电感器而耦合至第三差分晶体管对中的第五晶体管和第六晶体管的源极端子，其中第一电感器和第二电感器形成差分电感器对。在另一实施例中，第三晶体管的漏极端子耦合至第五晶体管的漏极端子作为第一输出部，第四晶体管的漏极端子耦合至第六晶体管的漏极端子作为第二输出部，其中第一输出部和第二输出部形成差分输出端口以输出差分混合信号。
根据另一方面，RF前端电路包括用以放大接收到的信号的RF接收器，该RF接收器包括低噪声放大器、多相滤波器、以及耦合在低噪声放大器和多相滤波器之间的IQ混合器电路。IQ混合器电路包括：IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口和差分正交输出端口；第一混频器，其具有差分LO输入端口，其中第一混频器的差分LO输入端口耦合至IQ发生器的差分同相输出端口以驱动第一混频器；以及第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中第二混频器的差分LO输入端口耦合至IQ发生器的差分正交输出端口以驱动第二混频器。
图1是示出根据本发明的一个实施例的无线通信装置的示例的框图。参考图1，无线通信装置100(也简称为无线装置)包括RF前端模块101和基带处理器102等。无线装置100可以是任何种类的无线通信装置，例如移动电话、膝上型计算机、平板计算机、网络应用装置(例如，物联网或IoT应用装置)等。
在无线电接收器电路中，RF前端是天线直到混合器级之间并包括混合器级的所有电路的通用术语。RF前端包含接收器中的用于在将原始传入的射频的信号转换为低频(例如IF)之前对该信号进行处理的所有组件。在微波接收器和卫星接收器中，RF前端通常被称为低噪声块(LNB)或低噪声下变频器(LND)，并且通常位于天线处，使得来自天线的信号能够以更容易处理的中频被传送至接收器的其余部分。基带处理器是网络接口中用于管理所有无线电功能(例如，需要天线的所有功能)的装置(芯片或芯片的一部分)。
在一个实施例中，RF前端模块101包括一个或多个RF收发器，其中各RF收发器经由多个RF天线其中之一来在特定频带(例如，诸如非重叠频率范围等的特定频率范围)内发射和接收RF信号。RF前端IC芯片还包括耦合至RF收发器的IQ发生器和/或频率合成器。IQ发生器或发生电路生成LO信号并将该LO信号提供至各RF收发器以使得RF收发器能够在相应频带内对RF信号进行混合、调制和/或解调。RF收发器和IQ发生电路可以集成在单个IC芯片内作为单个RF前端IC芯片或封装。
图2是示出根据本发明的一个实施例的RF前端集成电路的示例的框图。参考图2，RF前端101还包括耦合至多频带RF收发器211的IQ发生器和/或频率合成器200。收发器211被配置为经由RF天线221在一个或多个频带或宽的RF频率范围内发射和接收RF信号。在一个实施例中，收发器211被配置为从IQ发生器和/或频率合成器200接收一个或多个LO信号。针对一个或多个相应频带生成LO信号。为了在相应频带内发射和接收RF信号的目的，LO信号被用于由收发器进行混合、调制、解调。尽管仅示出一个收发器和天线，但是可以实现多对收发器和天线，每个频带对应于一对收发器和天线。
图3是示出根据一个实施例的RF收发器集成电路(IC)的框图。RF收发器300可以表示图2的RF收发器211。参考图3，频率合成器300可以表示如上所述的频率合成器200。在一个实施例中，RF收发器300可以包括频率合成器300、发射器301和接收器302。频率合成器300通信耦合至发射器301和接收器302以提供LO信号。发射器301可以针对多个频带发射RF信号。接收器302可以针对多个频带接收RF信号。
接收器302包括低噪声放大器(LNA)306、混合器307和滤波器308。LNA306要经由天线310从远程发射器接收RF信号并且放大接收到的RF信号。然后，混合器307(也称为下变频混合器)基于IQ发生器317所提供的LO信号来对放大后的RF信号进行解调。IQ发生器317可以表示如上所述的IQ发生器200。在一个实施例中，IQ发生器317集成到宽带接收器302中作为单个集成电路。然后，由滤波器308处理解调信号，其中滤波器308可以是低通滤波器。在一个实施例中，发射器301和接收器302经由发射和接收(T/R)开关309来共享天线310。T/R开关309被配置为在发射器301和接收器302之间切换以使天线310在特定时间点耦合至发射器301或接收器302。尽管示出了一对发射器和接收器，但是可以实现多对发射器和接收器和/或单独接收器。
图4是示出宽带LNA 306、宽带IQ混合器307和滤波器308的示例的框图。滤波器308可以是两级电阻器电容器(例如，RC-CR)多相滤波器。滤波器308可以包括用于附加功率增益的一个或多个可变增益中频(IF)放大器。注意，宽带IQ混合器307可以与宽带IQ发生电路317共同设计为单个单元。宽带IQ混合器307还可以包括用于LNA 306和混合器307之间的阻抗匹配的匹配网络318。
图5是示出根据一个实施例的毫米波宽带IQ发生电路的框图。参考图5，宽带IQ发生电路317可以基于宽频率范围上的差分LO信号(例如，LO_Ip和LO_In)来生成IQ信号(例如，LO_Ip、LO_Qp、LO_In和LO_Qn)。IQ发生电路317向LO信号引入90度相移以生成四个相位象限中的信号。然后，IQ混合器可以使用IQ信号来将具有IQ数据的RF信号调制为低频信号(例如，IF信号)。
图6是示出根据一个实施例的宽带IQ混合器的框图。混合器是可以对信号进行频率变换或调制的三端口装置。对于接收器，混合器使用LO信号来对RF信号进行下变频(或解调)以生成IF信号。参考图6，混合器307包括两个(或者双)平衡吉尔伯特混合器620～621。双平衡混合器620～621使用差分LO信号来对差分RF信号进行下变频(或解调)以生成差分IF信号。例如，混合器620接收RF_inp、RF_inn和毫米波宽带IQ发生电路(诸如图5的IQ发生器317等)所生成的差分同相信号(例如，LO_Ip和LO_In等)，以生成IF_Ip和IF_In。类似地，混合器621接收RF_inp、RF_inn和毫米波宽带IQ发生电路(诸如图5的IQ生成器317等)所生成的差分正交信号(例如，LO_Qp和LO_Qn等)，以生成IF_Qp和IF_Qn。在一些实施例中，混合器620～621各自可以包括一个或多个差分放大器级。
参考图6，对于两级差分放大器，放大器可以包括作为第一级的共源极差分放大器以及作为第二级的栅极耦合差分放大器。混合器620～621的共源极差分放大器级各自可以接收差分信号RF_inp和RF_inn。混合器620的栅极耦合差分放大器级接收差分信号LO_In和LO_Ip。混合器621的栅极耦合差分放大器级接收差分信号LO_Qn和LO_Qp。然后利用LO信号对RF信号进行下变频以生成IF信号。第二级可以包括低通滤波器，其可以是用以使混合器620～621的高频噪声注入最小化的一阶低通滤波器。在一个实施例中，低通滤波器包括无源低通滤波器，其具有与电容器(例如，电容器630)并联的负载电阻器。在一个实施例中，第一级的不同放大器经由差分电感器(例如，差分电感器633)而耦合至第二级差分放大器。在一个实施例中，混合器620～621与毫米波IQ发生电路(诸如图5的毫米波IQ发生电路317等)共同设计在单个单片集成电路上。
图7A示出根据一个实施例的、针对共同设计的图5的毫米波IQ发生电路和图6的宽带IQ混合器的变频增益相对于20至45GHz的本地振荡器(LO)频率的仿真图。参考图7A，利用在IQ发生电路的输入处具有约-2dBm的差分功率的中等差分功率(诸如LO信号等)，IQ混合器307可以在23至43GHz的LO频率范围内产生约>7dB的下变频增益以及约<0.7dB的幅度失配。
图7B示出根据一个实施例的\针对共同设计的图5的毫米波IQ发生电路和图6的宽带IQ混合器的变频增益相对于0至8GHz的中频(IF)的仿真图。参考图6，混合器620/621的输出负载电阻器可以与输入电容器630(其可以是在对例如图4的IF可变增益放大器级308等的下一IF放大器级而言的寄生电容)共同设计为并联以形成一阶低通滤波器。参考图7B，基于共同设计的毫米波IQ发生电路和IQ混合器，对于设计在约3.5GHz处的IF频率，变换增益劣化可以从约7.6dB的峰值增益降低至约0.5dB。
参考图6，使用差分电感器对633来拾取两个差分放大器级之间的电流增益。包括四个电感器以获得良好性能，例如，针对双IQ混合器中的各IQ混合器使用两个差分电感器对。然而，四个电感器包括大的支脚(foot)。图8示出根据一个实施例的差分电感器对的三维模型。差分电感器对800可以是图6的差分电感器对633。在一个实施例中，差分电感器对可以减少至单个电感器的覆盖区(footprint)，例如图8的差分电感器对800。参考图8，差分电感器对800由于电感器对之间存在虚拟接地的事实因此包括一起折叠到单个电感器的覆盖区中的两个螺旋电感器，因此接地面(例如，围绕电感器的接地面)可以重复用于该电感器对以减少电感器对的覆盖区。在一个实施例中，差分电感器对800可以各自具有约200pH的电感。在一个实施例中，电感器对具有约165μm×85μm的覆盖区。
图9示出根据一个实施例的双平衡混合器的布局模型，其中该双平衡混合器各自具有图8的差分电感器对。参考图9，双平衡混合器900可以是图6的IQ混合器620～621。如图9所示，两个电感器对(例如，总共4个电感器)各自耦合在第一级放大器和第二级放大器之间。电感器对在两级之间施加电感，以增强毫米波频率范围内的电流增益。差分电感器对中的电感器共享虚拟接地并且具有单个电感器的覆盖区。在一个实施例中，混合器的覆盖区约为185μm×252μm。图10是示出根据一个实施例的多相滤波器(PPF)电路的框图。PPF 308可以滤除较高频率的噪声，并且可以将四个同相和正交信号重新组合为差分IF信号对，例如IF_Ip和IF_In。在一个实施例中，PPF 308包括一个或多个放大器级以进一步放大IF信号。参考图10，在一个实施例中，PPF 308包括三级。第一级包括差分放大器1001以增加IQIF信号(例如IF_Ip，IF_In，IF_Qp和IF_Qn)的功率。第二级包括电阻电容-电容电阻(RC_CR)PPF 1003。PPF 1003可以滤除不期望的信号噪声(例如IF频率范围之外的高频噪声)，并且可以将四个同相和正交信号(例如，IF_Ip，IF_In，IF_Qp和IF_Qn)组合为差分IF信号对，例如IF_Ip和IF_In。最后，第三级包括用以进一步放大差分IF信号IF_Ip和IF_In的放大器1005，以生成IF_out+和IF_out-。放大器1001和放大器1005可以是可变增益放大器，以允许PPF电路308的增益调整。
图11是示出根据一个实施例的、针对图4的宽带接收器电路(例如，接收器302等)的、在约3.5GHz的IF频率下的镜像抑制比相对于22至39GHz的RF频率的仿真图。仿真设置包括具有-2至+3dBm的驱动功率的差分LO作为输入。在约3.5GHz的IF频率下，对于约22至39GHz的频率范围，宽带镜像抑制比(IRR)约>23dB。根据一个实施例，宽带接收器302占据约1.36mm×0.65mm。根据一个实施例，表1中示出RF接收器电路302的整体性能。
表I.宽带接收器电路302的性能概要
Figure BDA0002018203220000101
Figure BDA0002018203220000111
在前述说明书中，已经参考本发明的特定典型实施例描述了本发明的实施例。明显的是，在不偏离所附权利要求书中所阐述的本发明的更宽的精神和范围的情况下，可以对实施例进行各种修改。因此，说明书和附图应被视为说明性的而非限制性的。

Claims (14)

1.一种射频接收器电路即RF接收器电路，所述RF接收器电路包括：
低噪声放大器；
多相滤波器；以及
同相正交混合器电路即IQ混合器电路，其耦合在所述低噪声放大器和所述多相滤波器之间，其中所述IQ混合器电路包括：
IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口、以及差分正交输出端口；
第一混频器，其具有差分本地振荡器输入端口即差分LO输入端口，其中所述第一混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分同相输出端口以驱动所述第一混频器；以及
第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中所述第二混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分正交输出端口以驱动所述第二混频器，
其中，所述第一混频器和所述第二混频器各自包括第一级放大器和第二级放大器，所述第一级放大器通过差分电感器对而耦合至所述第二级放大器，所述差分电感器对包括第一电感器和第二电感器，以及所述差分电感器对具有单个电感器的覆盖区，该覆盖区共享共同的虚拟接地。
2.根据权利要求1所述的RF接收器电路，其中，
所述第一级放大器包括具有第一晶体管和第二晶体管的第一差分晶体管对，所述第一晶体管的第一栅极端子和所述第二晶体管的第二栅极端子一起形成差分RF输入端口以接收要混合的差分RF输入信号；以及
所述第二级放大器包括第二差分晶体管对和第三差分晶体管对，所述第二差分晶体管对具有包含第三栅极端子的第三晶体管和包含第四栅极端子的第四晶体管，所述第三差分晶体管对具有包含第五栅极端子的第五晶体管和包含第六栅极端子的第六晶体管，所述第三栅极端子耦合至所述第五栅极端子并且所述第四栅极端子耦合至所述第六栅极端子，所述第三栅极端子和所述第五栅极端子形成差分LO输入端口以接收用以驱动该混频器的差分LO驱动信号。
3.根据权利要求2所述的RF接收器电路，其中，所述第一差分晶体管对中的所述第一晶体管的第一漏极端子经由所述第一电感器而耦合至所述第二差分晶体管对中的所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极端子，以及所述第一差分晶体管对中的所述第二晶体管的第二漏极端子经由所述第二电感器而耦合至所述第三差分晶体管对中的所述第五晶体管和所述第六晶体管的源极端子。
4.根据权利要求2所述的RF接收器电路，其中，所述第三晶体管的漏极端子耦合至所述第五晶体管的漏极端子作为第一输出部，所述第四晶体管的漏极端子耦合至所述第六晶体管的漏极端子作为第二输出部，其中所述第一输出部和所述第二输出部形成差分输出端口以输出差分混合信号。
5.根据权利要求4所述的RF接收器电路，其中，所述第二差分晶体管对中的所述第三晶体管和所述第四晶体管各自耦合至低通滤波器。
6.根据权利要求5所述的RF接收器电路，其中，所述低通滤波器包括与电容器并联耦合的负载电阻器。
7.根据权利要求6所述的RF接收器电路，其中，所述电容器对于所述第二差分晶体管对而言是下一放大器级的寄生电容。
8.一种射频前端电路即RF前端电路，其包括用以放大所接收到的信号的RF接收器，所述RF接收器包括：
低噪声放大器；
多相滤波器；以及
同相正交混合器电路即IQ混合器电路，其耦合在所述低噪声放大器和所述多相滤波器之间，其中所述IQ混合器电路包括：
IQ发生器，其具有差分同相输入端口、差分同相输出端口、以及差分正交输出端口；
第一混频器，其具有差分本地振荡器输入端口即差分LO输入端口，其中所述第一混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分同相输出端口以驱动所述第一混频器；以及
第二混频器，其具有差分LO输入端口，其中所述第二混频器的差分LO输入端口耦合至所述IQ发生器的差分正交输出端口以驱动所述第二混频器，
其中，所述第一混频器和所述第二混频器各自包括第一级放大器和第二级放大器，所述第一级放大器通过差分电感器对而耦合至所述第二级放大器，所述差分电感器对包括第一电感器和第二电感器，以及所述差分电感器对具有单个电感器的覆盖区，该覆盖区共享共同的虚拟接地。
9.根据权利要求8所述的RF前端电路，其中，
所述第一级放大器包括具有第一晶体管和第二晶体管的第一差分晶体管对，所述第一晶体管的第一栅极端子和所述第二晶体管的第二栅极端子一起形成差分RF输入端口以接收要混合的差分RF输入信号；以及
所述第二级放大器包括第二差分晶体管对和第三差分晶体管对，所述第二差分晶体管对具有包含第三栅极端子的第三晶体管和包含第四栅极端子的第四晶体管，所述第三差分晶体管对具有包含第五栅极端子的第五晶体管和包含第六栅极端子的第六晶体管，所述第三栅极端子耦合至所述第五栅极端子并且所述第四栅极端子耦合至所述第六栅极端子，所述第三栅极端子和所述第五栅极端子形成差分LO输入端口以接收用以驱动该混频器的差分LO驱动信号。
10.根据权利要求9所述的RF前端电路，其中，所述第一差分晶体管对中的所述第一晶体管的第一漏极端子经由所述第一电感器而耦合至所述第二差分晶体管对中的所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极端子，以及所述第一差分晶体管对中的所述第二晶体管的第二漏极端子经由所述第二电感器而耦合至所述第三差分晶体管对中的所述第五晶体管和所述第六晶体管的源极端子。
11.根据权利要求9所述的RF前端电路，其中，所述第三晶体管的漏极端子耦合至所述第五晶体管的漏极端子作为第一输出部，所述第四晶体管的漏极端子耦合至所述第六晶体管的漏极端子作为第二输出部，其中所述第一输出部和所述第二输出部形成差分输出端口以输出差分混合信号。
12.根据权利要求11所述的RF前端电路，其中，所述第二差分晶体管对中的所述第三晶体管和所述第四晶体管各自耦合至低通滤波器。
13.根据权利要求12所述的RF前端电路，其中，所述低通滤波器包括与电容器并联耦合的负载电阻器。
14.根据权利要求13所述的RF前端电路，其中，所述电容器对于所述第二差分晶体管对而言是下一放大器级的寄生电容。
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