JP7441240B2 - マルチバンド・ミリ波無線通信用広帯域受信機 - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H—ELECTRICITY
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
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- H03D7/16—Multiple-frequency-changing
- H03D7/165—Multiple-frequency-changing at least two frequency changers being located in different paths, e.g. in two paths with carriers in quadrature
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1441—Balanced arrangements with transistors using field-effect transistors
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1458—Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1483—Balanced arrangements with transistors comprising components for selecting a particular frequency component of the output
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
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- H03D7/18—Modifications of frequency-changers for eliminating image frequencies
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0019—Gilbert multipliers
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- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0043—Bias and operating point
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H—ELECTRICITY
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Description
本出願は、2019年4月19日に出願された米国仮特許出願第62/836,295号及び2019年5月16日に出願された米国非仮特許出願第16/414,480号の利益を主張する。上記出願の開示内容は、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本発明の実施形態は、一般に、無線通信装置に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、通信装置のマルチバンドイメージ除去受信機に関する。
306 低雑音増幅器(LNA)
307 ミキサ
308 フィルタ
309 T/Rスイッチ
311 ローパスフィルタ
312A,312B IF増幅器
313 多相フィルタ
314 IF増幅器
315 局部発振器
317 トランスベースのIQジェネレータ
Claims (14)
- 無線周波数(RF)受信機回路であって、
RF信号を受け取って増幅する低雑音増幅器(LNA)と、
局部発振器から受け取った局部発振器(LO)信号に基づいて、差動同相局部発振器(LOI)信号及び差動直交局部発信器(LOQ)信号を生成するトランスベースの同相直交(IQ)ジェネレータと、
前記トランスベースのIQジェネレータの出力に結合された複数の負荷抵抗器であって、前記複数の負荷抵抗器の各々が前記差動LOI及び前記差動LOQ信号のうちの1つを所定のバイアス電圧に結合する、複数の負荷抵抗器と、
前記LNA及び前記トランスベースのIQジェネレータに結合された1又は2以上のミキサを有し、前記増幅されたRF信号を受け取って前記差動LOI及び前記差動LOQ信号と混合して、前記増幅されたRF信号を中間周波数(IF)信号にダウンコンバートするダウンコンバータであって、前記IF信号は信号処理モジュールによって処理される、ダウンコンバータと、
を含む、無線周波数(RF)受信機回路。 - 前記トランスベースのIQジェネレータは、
前記LO信号に基づいてLOI+信号を生成する正のLOI(LOI+)ポートと、
前記LO信号に基づいてLOI-信号を生成する負のLOI(LOI-)ポートであって、前記LOI+及びLOI-信号は前記差動LOI信号を表す、負のLOI(LOI-)ポートと、
前記LO信号に基づいてLOQ+信号を生成する正のLOQ(LOQ+)ポートと、
前記LO信号に基づいてLOQ-信号を生成する負のLOQ(LOQ-)ポートであって、前記LOQ+及びLOQ-信号は前記差動LOQ信号を表す、負のLOQ(LOQ-)ポートと、
を含む、請求項1に記載のRF受信機回路。 - 前記1又は2以上のミキサは、第1のミキサ及び第2のミキサを含み、
前記ダウンコンバータは更に、
前記第1のミキサに結合され、前記RF信号をLOI+信号と混合して正の同相IF(IFI+)信号を生成する第1のローパスフィルタと、
前記第2のミキサに結合され、前記RF信号をLOI-信号と混合して負の同相IF(IFI-)信号を生成する第2ローパスフィルタと、
前記第1及び第2のローパスフィルタに結合され、前記IFI+及びIFI-信号を増幅して第1の差動IF信号を生成する第1のIF増幅器と、
を含む、請求項2に記載のRF受信機回路。 - 前記1又は2以上のミキサは、第3のミキサ及び第4のミキサを更に含み、
前記ダウンコンバータは更に、
前記第3のミキサに結合され、前記RF信号をLOQ+信号と混合して正の直交IF(IFQ+)信号を生成する第3のローパスフィルタと、
前記第4のミキサに結合され、前記RF信号をLOQ-信号と混合して負の直交IF(IFQ-)信号を生成する第4のローパスフィルタと、
前記第3及び第4のローパスフィルタに結合され、前記IFQ+及びIFQ-信号を増幅して第2の差動IF信号を生成する第2のIF増幅器と、
を含む、請求項3に記載のRF受信機回路。 - 前記ダウンコンバータは更に、
前記第1のIF増幅器及び前記第2のIF増幅器に結合され、前記第1及び第2の差動IF信号に基づいて第3の差動IF信号を生成する多相フィルタ(PPF)と、
前記PPFに結合され、前記第3の差動IF信号を増幅して第4の差動IF信号を生成する第3のIF増幅器であって、前記第4の差動IF信号は前記信号処理モジュールによって処理される、第3のIF増幅器と、
を含む、請求項4に記載のRF受信機回路。 - 前記複数の負荷抵抗器は、
前記LOI+ポートと所定のバイアス電圧の間に結合された第1の負荷抵抗器と、
前記LOI-ポートと所定のバイアス電圧の間に結合された第2の負荷抵抗器と、
前記LOQ+ポートと所定のバイアス電圧の間に結合された第3の負荷抵抗器と、
前記LOQ-ポートと所定のバイアス電圧の間に結合された第4の負荷抵抗器と、
を含む、請求項2に記載のRF受信機回路。 - 前記複数の負荷抵抗器の各々は、50~500Ωの範囲である、請求項1に記載のRF受信機回路。
- 前記差動LOI及び前記差動LOQ信号は、25~50ギガヘルツ(GHz)の範囲である、請求項1に記載のRF受信機回路。
- 前記1又は2以上のミキサの各々は、
第1の及び第2のトランジスタを有する第1の差動トランジスタペアを有する第1段増幅器であって、前記第1のトランジスタの第1のゲート端子と前記第2のトランジスタの第2のゲート端子とが共に、混合される差動RF入力信号を受け取る差動RF入力ポートを形成する、第1段増幅器と、
第3のゲート端子を備えた第3のトランジスタ及び第4のゲート端子を備えた第4のトランジスタを有する第2の差動トランジスタペアと、第5のゲート端子を備えた第5のトランジスタ及び第6のゲート端子を備えた第6のトランジスタを有する第3の差動トランジスタペアと、を有する第2段増幅器と、
を含み、
前記第3のゲート端子は前記第5のゲート端子に結合され、前記第4のゲート端子は前記第6のゲート端子に結合され、前記第3のゲート端子及び前記第5のゲート端子は、差動LO入力ポートを形成して、前記ミキサを駆動する差動LO駆動信号を受け取る、
請求項1に記載のRF受信機回路。 - 前記第1の差動トランジスタペアの前記第1のトランジスタの第1のドレイン端子は、第1のインダクタを介して前記第2の差動トランジスタペアの前記第3の及び前記第4のトランジスタのソース端子に結合され、前記第1の差動トランジスタペアの前記第2のトランジスタの第2のドレイン端子は、第2のインダクタを介して前記第3の差動トランジスタペアの前記第5の及び前記第6のトランジスタのソース端子に結合されている、請求項9に記載のRF受信機回路。
- 前記第1のインダクタと前記第2のインダクタは、差動インダクタペアを形成する、請求項10に記載のRF受信機回路。
- 前記第3のトランジスタのドレイン端子は、第1の出力として前記第5のトランジスタのドレイン端子に結合され、前記第4のトランジスタのドレイン端子は、第2の出力として前記第6のトランジスタのドレイン端子に結合され、前記第1の及び前記第2の出力は、差動出力ポートを形成して差動混合信号を出力する、請求項9に記載のRF受信機回路。
- 無線周波数(RF)フロントエンド回路であって、
アンテナに結合される送受信(T/R)スイッチと、
前記T/Rスイッチに結合され、前記アンテナを介してRF信号を送信するRF送信機と、
請求項1から12のいずれかに記載されるRF受信機回路であって、前記RF受信機回路は、前記T/Rスイッチに結合されて前記アンテナを介してRF信号を受信し、前記T/Rスイッチは、特定の時点で前記RF送信機又は前記RF受信機回路を前記アンテナに結合する、RF受信機回路と、
を含む、無線周波数(RF)フロントエンド回路。 - モバイルデバイスであって、
アンテナと、
無線周波数(RF)フロントエンド回路と、
を含み、前記無線周波数(RF)フロントエンド回路は、
前記アンテナに結合される送受信(T/R)スイッチと、
前記T/Rスイッチに結合され、前記アンテナを介してRF信号を送信するRF送信機と、
請求項1から12のいずれかに記載されるRF受信機回路であって、前記RF受信機回路は、前記T/Rスイッチに結合されて前記アンテナを介してRF信号を受信し、前記T/Rスイッチは、特定の時点で前記RF送信機又は前記RF受信機回路を前記アンテナに結合する、RF受信機回路と、を含み、
前記モバイルデバイスは、前記IF信号を処理する信号プロセッサを含む、
モバイルデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962836295P | 2019-04-19 | 2019-04-19 | |
US62/836,295 | 2019-04-19 | ||
US16/414,480 | 2019-05-16 | ||
US16/414,480 US10855317B2 (en) | 2018-04-05 | 2019-05-16 | Broadband receiver for multi-band millimeter-wave wireless communication |
PCT/US2020/028361 WO2020214733A1 (en) | 2019-04-19 | 2020-04-15 | Broadband receiver for multi-band millimeter-wave wireless communication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022529195A JP2022529195A (ja) | 2022-06-17 |
JP7441240B2 true JP7441240B2 (ja) | 2024-02-29 |
Family
ID=72836924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021562321A Active JP7441240B2 (ja) | 2019-04-19 | 2020-04-15 | マルチバンド・ミリ波無線通信用広帯域受信機 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3956981A4 (ja) |
JP (1) | JP7441240B2 (ja) |
KR (1) | KR20210148351A (ja) |
CN (1) | CN113491066A (ja) |
CA (1) | CA3137133A1 (ja) |
WO (1) | WO2020214733A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2020
- 2020-04-15 CN CN202080014809.3A patent/CN113491066A/zh active Pending
- 2020-04-15 CA CA3137133A patent/CA3137133A1/en active Pending
- 2020-04-15 JP JP2021562321A patent/JP7441240B2/ja active Active
- 2020-04-15 KR KR1020217037243A patent/KR20210148351A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-04-15 EP EP20791902.8A patent/EP3956981A4/en active Pending
- 2020-04-15 WO PCT/US2020/028361 patent/WO2020214733A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210148351A (ko) | 2021-12-07 |
EP3956981A1 (en) | 2022-02-23 |
CA3137133A1 (en) | 2020-10-22 |
CN113491066A (zh) | 2021-10-08 |
JP2022529195A (ja) | 2022-06-17 |
EP3956981A4 (en) | 2023-01-18 |
WO2020214733A1 (en) | 2020-10-22 |
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