BR112016020204B1 - Sistema e método para formar blocos de wafer - Google Patents

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Abstract

sistema e método para formar blocos de wafer. a presente invenção refere-se a um sistema e a um método para formar blocos de wafer (1), em que os referidos blocos de wafer (1) compreendem pelo menos três lâminas de wafer (2) e pelo menos duas camadas de creme (3) que consistem em dois cremes diferentes, em que as lâminas de wafer (2) e as camadas de creme (3) estão dispostas alternadamente e ficam paralelas na parte superior uma em relação à outra.

Description

[001] A invenção refere-se a um sistema e a um método para formar blocos de wafer, em que os blocos de wafer compreendem pelo menos três lâminas de wafer e pelo menos duas camadas de creme produzidas a partir de dois cremes diferentes, em que as lâminas de wafer e as camadas de creme estão dispostas alternadamente e se estendem uma em paralelo à outra.
[002] Em particular, a invenção refere-se a um sistema em que os blocos de wafer são produzidos como produtos intermediários para produzir produtos do tipo wafer tais como, por exemplo, fatias.
[003] Os aparelhos para formar blocos de wafer são conhecidos há muito tempo e publicados em várias modalidades.
[004] Por exemplo, são conhecidos os sistemas em que as lâminas de wafer que se estendem de borda a borda são revestidas com um creme de chocolate ao longo de uma superfície de transporte conduzida de modo retilíneo. Em uma etapa adicional a fim de formar um bloco de wafer, uma lâmina de wafer revestida com um creme é unida juntamente com uma lâmina de wafer não revestida de modo que um denominado sanduíche de wafer seja formado. Esse sanduíche de wafer compreende uma lâmina de base de wafer e uma lâmina de cobertura de wafer e uma camada interposta de um creme. Tal aparelho, também designado como formador de sanduíche, é conhecido, por exemplo, a partir do documento AT511406A1.
[005] A fim de formar um bloco de wafer de múltiplas camadas, agora de acordo com a técnica anterior, as lâminas de wafer adicionalmente revestidas são alimentadas para uma estação de empilhamento e colocadas em contato com o sanduíche de wafer de modo que um bloco de wafer que tem uma estrutura de múltiplas camadas seja formado, que sempre compreende uma lâmina de cobertura de wafer, uma lâmina de base de wafer, lâminas de wafer intermediárias e camadas de creme interpostas. Tal aparelho, também designado como aparelho de empilhamento, é conhecido, por exemplo, a partir do documento AT511407A1.
[006] Os sistemas convencionais são limitados, no entanto, em que apenas um único creme pode ser usado como material para as camadas de creme. A fim de introduzir uma pluralidade de diferentes camadas de creme de cremes diferentes em um bloco de wafer, de acordo com a técnica anterior, uma pluralidade de cabeças de revestimento pode ser fornecida ao longo da primeira superfície de transporte conduzida de modo retilíneo, em que as diferentes cabeças de revestimento podem revestir uma lâmina de wafer com diferentes cremes. Uma desvantagem dessa construção é que o processo de revestimentonão pode ser exatamente parado de modo que isso resulte em uma mistura de cremes na lâmina de wafer. Essa mistura pode ser vista no produto acabado, através disso esses produtos devem ser removidos do processo de produção como rejeições.
[007] Para o revestimento eficaz de lâminas de wafer, provou-se que o mesmo revestiu com sucesso uma tira contínua de lâminas de wafer dispostas borda a borda em uma fileira com uma cabeça de revestimento. Nesse caso, uma superfície revestível, sem espaçamento, contínua é formada pelas lâminas de wafer contínuas em formato de tira. Consequentemente, essas lâminas de wafer podem ser revestidas até a borda, o que aprimora adicionalmente a eficiência do método e do sistema. No entanto, na técnica anterior, o aparelho para produzir blocos de wafer dessa aplicação contínua sem parada de creme é apenas possível com um único creme.
[008] Agora é o objetivo da invenção superar as desvantagens da técnica anterior. Em particular, é o objetivo da invenção fornecer um sistema e um método para formar blocos de wafer com pelo menos duas camadas de creme de dois cremes diferentes, cuja eficiência é aprimorada, em que, ao mesmo tempo, a flexibilidade da escolha de sequência e do número de camadas é dada. Em particular, é o objetivo da invenção fornecer um sistema e um método em que os blocos de wafer podem ser produzidos de modo flexível com a estrutura diferente, que está eficazmente com um número selecionável e uma sequência selecionável de diferentes camadas de creme.
[009] O objetivo de acordo com a invenção é, em particular, solucionado pelos recursos das reivindicações de patente independentes.
[0010] Em particular, a invenção refere-se a um sistema para formar blocos de wafer em que os blocos de wafer compreendem pelo menos três lâminas de wafer e pelo menos duas camadas de creme de dois cremes diferentes, em que as lâminas de wafer e as camadas de creme estão dispostas alternadamente e se estendem em paralelo entre si, compreendendo: uma estação de entrada na qual as lâminas de wafer individuais, de preferência, provenientes de uma máquina para assar wafer, são transferidas sucessivamente para o sistema, uma primeira superfície de condução para transportar as primeiras lâminas de wafer, em que, no curso da primeira superfície de condução, uma primeira estação de revestimento é fornecida para aplicar uma primeira camada de creme de um primeiro creme às primeiras lâminas de wafer, uma segunda superfície de condução para transportar as segundas lâminas de wafer, em que, no curso da segunda superfície de condução, uma segunda estação de revestimento é fornecida para aplicar uma segunda camada de creme de um segundo creme às se-gundaslâminas de wafer, uma terceira superfície de condução para transportar as terceiras lâminas de wafer, uma estação de empilhamento na qual as primeiras lâminas de wafer com suas primeiras camadas de creme, as segundas lâminas de wafer com suas segundas camadas de creme e as terceiras lâminas de wafer são empilhadas para formar um ou mais blocos de wafer, uma disposição de comutação de entrada por meio da qual as lâminas de wafer da estação de entrada são transferidas conforme desejado para a primeira superfície de condução, para a segunda superfície de condução ou para a terceirasuperfície de condução, e uma disposição de comutação de saída por meio da qual as lâminas de wafer da primeira superfície de condução, a segunda superfície de condução ou a terceira superfície de condução são transferidas conforme desejado para a estação de empilhamento.
[0011] É opcionalmente fornecido que a primeira superfície de condução, a segunda superfície de condução e a terceira superfície de condução estejam dispostas em uma distância umas das outras, adjacentes entre si e/ou uma acima da outra e que a primeira superfície de condução, a segunda superfície de condução e a terceira superfície de condução possam ser conectadas entre si pela disposição de comutação de entrada e pela disposição de comutação de saída de modo que uma lâmina de wafer que é originada da estação de entrada possa ser transportada conforme desejado através da primeira superfície de condução, da segunda superfície de condução ou da terceira superfície de condução para a estação de empilhamento.
[0012] É opcionalmente fornecido que, no curso da primeira superfície de condução ao longo da primeira direção de condução, um primeiro dispositivo condutor de alimentação para transportar as primeiraslâminas de wafer para a primeira estação de revestimento esteja disposto a montante da primeira estação de revestimento, que, no curso da primeira superfície de condução ao longo da primeira direção de condução, um primeiro dispositivo condutor de revestimento para transportar as primeiras lâminas de wafer na primeira estação de revestimento esteja disposto na região da primeira estação de revestimento, que, no curso da primeira superfície de condução ao longo da primeira direção de condução, um primeiro dispositivo condutor de remoção para transportar as primeiras lâminas de wafer e a primeira camada de creme aplicada nas mesmas da primeira estação de revestimento para a estação de empilhamento esteja disposto a jusante da primeira estação de revestimento e/ou que a velocidade de transporte do primeiro dispositivo condutor de revestimento seja menor do que a velocidade de transporte do primeiro dispositivo condutor de alimentação e/ou seja menor do que a velocidade de transporte do primeiro dispositivo condutor de remoção, de modo que as primeiras lâminas de wafer transportadas consecutivamente na primeira superfície de condução tenham uma distância mais curta entre si na região da primeiraestação de revestimento do que no curso da primeira superfície de condução a montante e/ou a jusante da primeira estação de revestimento.
[0013] É opcionalmente fornecido que, no curso da segunda superfície de condução ao longo da segunda direção de condução, um segundo dispositivo condutor de alimentação para transportar as segundaslâminas de wafer para a segunda estação de revestimento esteja disposto a montante da segunda estação de revestimento, que, no curso da segunda superfície de condução ao longo da segunda direção de condução, um segundo dispositivo condutor de revestimento para transportar as segundas lâminas de wafer na segunda estação de revestimento esteja disposto na região da segunda estação de revestimento, que, no curso da segunda superfície de condução ao longo da segunda direção de condução, um segundo dispositivo condutor de remoção para transportar as segundas lâminas de wafer e a segunda camada de creme aplicada nas mesmas da segunda estação de revestimento para a estação de empilhamento esteja disposto a jusante da segunda estação de revestimento e/ou que a velocidade de transporte do segundo dispositivo condutor de revestimento seja menor do que a velocidade de transporte do segundo dispositivo condutor de alimentação e/ou seja menor do que a velocidade de transporte do segundo dispositivo condutor de remoção, de modo que as segundas lâminas de wafer transportadas consecutivamente na segunda superfície de condução tenham uma distância mais curta entre si na região da segunda estação de revestimento do que no curso da segunda superfície de condução a montante e/ou a jusante da segunda estação de revestimento.
[0014] É opcionalmente fornecido que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte do dispositivo condutor de alimentação e a velocidade de transporte do dispositivo condutor de revestimento corresponda substancialmente ao valor da dimensão da distância entre duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação, de modo que as lâminas de wafer na estação de revestimento se estendam substancialmente de borda à borda e formem uma superfície revestível sem espaçamento contínua.
[0015] É opcionalmente fornecido que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de remoção e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponda substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de remoção, de modo que as lâminas de wafer, que na estação de revestimento se estendem substancialmente de borda à borda e formam uma superfície revestível sem espaçamento contínua, tenham uma distância umas das outras na região do dispositivo condutor de remoção a fim de serem conduzidas em uma distância umas das outras na estação de empilhamento.
[0016] É opcionalmente fornecido que um dispositivo condutor de pilha seja fornecido na região da estação de empilhamento e que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de pilha e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponda substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de pilha e provenientes de uma superfície de condução.
[0017] É opcionalmente fornecido que a distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de remoção seja maior do que a dimensão de uma lâmina de wafer na direção de condução, de modo que uma segunda lâmina de wafer da segunda superfície de condução possa ser posicionada entre as duas primeiras lâminas de wafer da primeira superfície de condução por meio da disposição de comutação de saída e/ou de modo que uma primeira lâmina de wafer da primeira superfície de condução possa ser posicionada entre as duas segundas lâminas de wafer da segunda superfície de condução por meio da disposição de comutação de saída.
[0018] É opcionalmente fornecido que o transporte das lâminas de wafer na estação de entrada, na estação de empilhamento e nas estações de revestimento ocorra continuamente e que as lâminas de wafer revestidas sejam transportadas ao longo da respectiva superfície de condução disposta linearmente em uma fileira.
[0019] É opcionalmente fornecido que a velocidade de transporte do dispositivo condutor de pilha seja maior do que a velocidade de transporte do dispositivo condutor de revestimento e, em particular, seja maior do que ou igual a ou como a soma das velocidades de transporte médio da primeira superfície de condução mais as velocidades de transporte da segunda superfície de condução mais as velocidades de transporte da terceira superfície de condução de modo que as lâminas de wafer sejam conduzidas em uma distância umas das outras na estação de empilhamento.
[0020] É opcionalmente fornecido que o dispositivo condutor de alimentação, o dispositivo condutor de revestimento, o dispositivo condutor de remoção e/ou o dispositivo condutor de pilha compreenda ou compreendam um ou mais condutores de tira, uma ou mais correias transportadoras, uma ou mais correias transportadoras de sucção ou um dispositivo de condução similar.
[0021] É opcionalmente fornecido que a disposição de comutação de entrada e/ou a disposição de comutação de saída compreenda ou compreendam uma disposição de comutação tal como uma placa pivo- tante, um condutor de tira pivotante, uma correia transportadora pivo- tante, uma correia transportadora de sucção pivotante, superfícies de condução inclinadas entre si e que convergem em ou ao contrário da direção de condução, de um elevador e/ou de uma fonte de pressão positiva para alterar a direção de movimento e para elevar as lâminas de wafer.
[0022] É opcionalmente fornecido que a disposição de comutação de entrada e/ou a disposição de comutação de saída compreenda ou compreendam uma pluralidade de disposições de comutação.
[0023] É opcionalmente fornecido que uma primeira comutação de entrada seja fornecida, que tem uma primeira posição em que lâminas de wafer provenientes da estação de entrada são transferidas para a primeira superfície de condução e que tem uma segunda posição em que as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada são conduzidas para a segunda superfície de condução.
[0024] É opcionalmente fornecido que uma segunda comutação de entrada seja fornecida, que tem uma primeira posição em que as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada e/ou da primeira comutação de entrada são adicionalmente transportadas ao longo da segunda superfície de condução e que tem uma segunda posição em que as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada e/ou da primeira comutação de entrada são transferidas para a terceira super- fície de condução.
[0025] É opcionalmente fornecido que uma primeira comutação de saída seja fornecida, que tem uma primeira posição em que as primeiraslâminas de wafer provenientes da primeira estação de revestimentosão transferidas para o dispositivo condutor de pilha e que tem uma segunda posição em que segundas lâminas de wafer provenientes da segunda estação de revestimento são transferidas para o dispositivo condutor de pilha.
[0026] É opcionalmente fornecido que a estação de empilhamento compreenda um dispositivo de empilhamento espiral, um dispositivo de empilhamento de eixo de queda ou uma combinação de um dispositivo de ensanduichamento e um dispositivo de empilhamento.
[0027] É opcionalmente fornecido que a estação de empilhamento compreenda um dispositivo de ensanduichamento por meio da qual uma primeira lâmina de wafer revestida com um primeiro creme ou uma segunda lâmina de wafer revestida com um segundo creme é coberta com uma terceira lâmina de wafer não revestida de modo que um sanduíche de wafer que compreende uma lâmina de base de wafer, uma lâmina de cobertura de wafer e uma camada de creme interposta, seja formado.
[0028] É opcionalmente fornecido que uma segunda comutação de saída seja fornecida por meio da qual as terceiras lâminas de wafer provenientes da terceira superfície de condução são transferidas para o dispositivo condutor de pilha e, em particular, são transportadas diretamente em um dispositivo de ensanduichamento a fim de serem combinadas com uma primeira lâmina de wafer que compreende uma primeira camada de creme ou com uma segunda lâmina de wafer que compreende uma segunda camada de creme para formar um sanduíche de wafer.
[0029] É opcionalmente fornecido que a estação de empilhamento compreenda um dispositivo de empilhamento em que um sanduíche de wafer que compreende pelo menos uma primeira lâmina de wafer revestida e/ou que compreende pelo menos uma segunda lâmina de wafer revestida é empilhado de modo que um bloco de wafer de múltiplas camadas seja formado.
[0030] É opcionalmente fornecido que a estação de empilhamento compreenda um dispositivo de calibração ou um dispositivo de pressi- onamento em que os blocos de wafer e os componentes do mesmo são comprimidos a uma altura selecionável ou predeterminada.
[0031] Em particular, a invenção refere-se a um método para formar um bloco de wafer que compreende três lâminas de wafer e pelo menos duas camadas de creme de cremes diferentes, em que as lâminas de wafer e as camadas de creme estão dispostas alternadamente e se encontram em paralelo entre si, compreendendo as seguintes etapas: especificar um número desejado e uma sequência desejada de primeiras lâminas de wafer, cada uma com uma primeira camada de creme de um primeiro creme, e segundas lâminas de wa-fer, cada uma com uma segunda camada de creme de um segundo creme, conduzir lâminas de wafer da estação de entrada para a disposição de comutação de entrada, selecionar a posição da disposição de comutação de entrada, de modo que as lâminas de wafer sejam transferidas conforme desejado para a primeira superfície de condução, para a segunda superfície de condução ou para a terceira superfície de condução, aplicar a primeira camada de creme de um primeiro creme à primeira lâmina de wafer ou às primeiras lâminas de wafer no curso da primeira superfície de condução,- aplicar a segunda camada de creme de um segundo creme à segunda lâmina de wafer ou às segundaslâminas de wafer no curso da segunda superfície de condução, transportar uma terceira lâmina de wafer ao longo da terceira superfície de condução, transportar as primeiras lâminas de wafer com uma primeira camada de creme, as segundas lâminas de wafer com uma segunda camada de creme e as terceiras lâminas de wafer através da disposição de comutação de saída para a estação de empilhamento, de modo que as primeiras lâminas de wafer ou lâminas com sua primeira camada de creme, a segunda lâmina de wafer ou lâminas com sua segunda camada de creme e a terceira lâmina de wafer sejam transferidas consecutivamente e em um número e sequência que correspondemà sequência desejada específica e ao número desejado específico para a estação de empilhamento.
[0032] O método compreende opcionalmente as seguintes etapas: transportar lâminas de wafer ao longo do curso da primeira superfície de condução ou ao longo da segunda superfície de condução consecutivamenteatravés de: um dispositivo condutor de alimentação para um dispositivo condutor de revestimento e, além disso, para um dispositivo condutor de remoção, em que as lâminas de wafer na região do dispositivo condutor de revestimento têm uma velocidade de transporte menor do que na região do dispositivo condutor de alimentação e/ou na região do dispositivo condutor de remoção de modo que as lâminas de wafer em cada caso na região do dispositivo condutor de alimentação e/ou na região do dispositivo condutor de remoção tenham uma distância maior umas das outras do que na região do dispositivo condutor de revestimento.
[0033] É opcionalmente fornecido que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de alimentação e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponda substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação, de modo que as lâminas de wafer na estação de revestimento se estendam substancialmente de borda à borda e formem uma superfície revestível sem espaçamento contínua.
[0034] É opcionalmente fornecido que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de remoção e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponda substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação, de modo que as lâminas de wafer, que se encontram na estação de revestimento substancialmente de borda à borda e formam uma superfície revestível sem espaçamento contínua, tenham uma distância umas das outras na região do dispositivo condutor de remoção a fim de serem conduzidas separadas entre si na estação de empilhamento.
[0035] É opcionalmente fornecido que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de pilha e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponda substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação e provenientes de uma superfície de condução.
[0036] É opcionalmente fornecido que a distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de remoção seja maior do que a dimensão de uma lâmina de wafer na direção de condução de modo que uma segunda lâmina de wafer da segunda superfície de condução possa ser posicionada entre as duas primeiras lâminas de wafer da primeira superfície de condução por meio da disposição de comutação de saída ou de modo que uma primeira lâmina de wafer da primeira superfície de condução possa ser posicionada entre as duas lâminas de wafer da segunda superfície de condução.
[0037] É opcionalmente fornecido que a condução das lâminas de wafer na estação de entrada, na estação de empilhamento e nas estações de revestimento ocorra continuamente e que as lâminas de wafer revestidas sejam conduzidas ao longo da respectiva superfície de condução disposta linearmente em uma fileira.
[0038] É opcionalmente fornecido que um bloco de wafer que tem x primeiras lâminas de wafer e y segundas lâminas de wafer e uma terceira lâmina de wafer seja formado de modo que o bloco de wafer compreenda x + y + 1 lâminas de wafer e x + y camadas de creme.
[0039] O sistema de acordo com a invenção e o método de acordo com a invenção são adaptados para blocos de wafer produzidos. Em particular, os wafers planos que têm uma consistência quebradiça e crocante são designados como wafers. Esses wafers são assados em fornos com tenazes de cozimento em tenazes de cozimento trancáveis em alta pressão. Os produtos finais produzidos a partir dos blocos de wafer são conhecidos, por exemplo, como fatias ou fatias napolitanas.
[0040] De preferência, os blocos de wafer que têm uma pluralidade de camadas de creme são produzidos pelo método de acordo com a invenção no sistema de acordo com a invenção. Nesse caso, uma pluralidade de cremes diferentes pode ser usada. Por exemplo, as massas revestíveis que contêm açúcar e alto teor de gordura que podem ser aplicadas às lâminas de wafer individuais em uma estação de revestimento são designadas como cremes. Os exemplos de tais cremes são cremes de chocolate, em particular, cremes de chocolate que têm uma cor marrom, preta ou clara. Ademais, as massas tais como, por exemplo, cremes de limão, cremes de noz ou cremes ou pastas similares também são adequados para formar uma camada de creme do bloco de wafer. Os exemplos para os ingredientes de cremes adequadossão gordura, açúcar, caramelo ou também aditivos tais como queijo, ervas, aromatizantes etc.
[0041] Na estação de revestimento, respectivamente um creme é aplicado a uma lâmina de wafer. A aplicação pode ser feita, por exemplo, por cilindros canelados. O creme também pode ser aplicado à lâmina de wafer por um método de escoamento.
[0042] Ademais, o sistema de acordo com a invenção compreende uma pluralidade de dispositivos de condução. Esses dispositivos de condução podem, por exemplo, ser configurados como condutores sem fim, correias transportadoras, condutores de tira, correias transportadoras de sucção, condutores com correias de ligação em espiral e/ou como dispositivos de condução similares. Em particular, os dispositivos de condução são adequados e/ou adaptados para mover as lâminas de wafer, opcionalmente lâminas de wafer revestidas ao longo de uma direção de condução. Esse movimento é realizado em uma certa velocidade de transporte. Essa velocidade de transporte é, de preferência, controlável por um controlador e/ou ajustável por meio de um dispositivo de regulação.
[0043] O sistema de acordo com a invenção compreende uma estação de entrada. Na estação de entrada, as lâminas de wafer individuais que são fornecidas consecutivamente, por exemplo por uma máquina para assar wafer, são recebidas. A estação de entrada pode, por exemplo, ser configurada como um condutor sem fim, como uma correia transportadora, como um transportador de correia ou estrutura similar.
[0044] Ademais, o sistema de acordo com a invenção compreende uma disposição de comutação de entrada. A disposição de comutação de entrada corresponde a uma comutação mecânica no sentido técnico. Essa comutação torna possível dividir as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada sobre diferentes superfícies de condução. A disposição de comutação de entrada pode, por exemplo, conter uma ou mais estruturas pivotantes ou em formato plano tal como, por exemplo, um condutor de tira pivotante, uma correia transportadora pivotante, uma pluralidade de dedos de preensão, bocais de pressão positiva ou um tambor de remoção. Ademais, a disposição de comutação de entrada pode ser formada a partir de uma pluralidade de comutações. A disposição de comutação de entrada é, em particular, adaptada para dividir as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada sobre uma pluralidade de superfícies de condução.
[0045] O sistema, de preferência, compreende uma primeira superfície de condução. Uma primeira estação de revestimento está localizada no curso da primeira superfície de condução. Essa primeira estação de revestimento, de preferência, compreende um fornecimento de creme ou um reservatório de creme. Na estação de revestimento, o primeiro creme é aplicado a uma primeira lâmina de wafer que move na primeira superfície de condução.
[0046] Ademais, uma segunda superfície de condução é, de preferência, fornecida. Uma segunda estação de revestimento está localizada no curso da segunda superfície de condução. Essa segunda estação de revestimento, de preferência, compreende um fornecimento ou um reservatório para um segundo creme. O fornecimento ou o reservatório da segunda estação de revestimento é, de preferência, independente do fornecimento ou do reservatório da primeira estação de revestimento. Consequentemente, as duas estações de revestimento podem estar localizadas com cremes diferentes independentemente entre si. Como resultado, um segundo creme pode ser aplicado a uma segunda lâmina de wafer na segunda estação de revestimento.
[0047] Uma terceira superfície de condução é adicional e preferencialmente fornecida. Opcionalmente, nenhum dispositivo de revestimento ou nenhuma estação de revestimento é fornecida no curso da terceira superfície de condução. A terceira superfície de condução é, de preferência, adaptada para conduzir a lâmina de cobertura de wafer para formar um sanduíche de wafer. Opcionalmente, no entanto, uma terceira estação de revestimento também é fornecida no curso da ter-ceirasuperfície de condução. Essa terceira estação de revestimento pode conter um recipiente de armazenamento ou um fornecimento para um terceiro creme.
[0048] A disposição de comutação de entrada é, em particular, adaptada para guiar as lâminas de wafer que provenientes da máquina para assar wafer e/ou da estação de entrada conforme desejado para a primeira superfície de condução, a segunda superfície de condução ou a terceira superfície de condução.
[0049] Ademais, o sistema de acordo com a invenção, de preferência, compreende uma disposição de comutação de saída. Essa disposição de comutação de saída é adequada e/ou adaptada para guiar lâminas de wafer provenientes da primeira superfície de condução, da segunda superfície de condução ou da terceira superfície de condução para a estação de empilhamento.
[0050] A estação de empilhamento é, de preferência, um dispositivo ou uma disposição de diversos dispositivos que são adaptados para montar os componentes de bloco de wafer para formar um bloco de wafer. Em particular, a estação de empilhamento compreende um formador de sanduíche bem como um dispositivo de empilhamento. Na estação de empilhamento, todos aqueles componentes de bloco de wafer que são fornecidos para a estação de empilhamento ao longo do dispositivo condutor de pilha são empilhados um em cima do outro na estação de empilhamento. Portanto, dependendo da posição da disposição de comutação de saída conforme desejado, primeiras lâminas de wafer com uma primeira camada de creme, segundas lâminas de wafer com uma segunda camada de creme ou terceiras lâminas de wafer são fornecidas consecutivamente para a estação de empilhamento. Como resultado, uma estrutura arbitrária do bloco de wafer pode ser formada.
[0051] A fim de tornar o processo de produção tão eficaz quanto possível, é vantajoso maximizar o rendimento do sistema. Usualmente, o rendimento do sistema é limitado pelo rendimento da máquina para assar wafer. As máquinas para assar wafer modernas, por exemplo, têm uma capacidade de produção de cerca de 80 ou 60 a 100 lâminas de wafer por minuto. As lâminas de wafer têm usualmente um tamanho de cerca de 40 x 80 cm. Consequentemente, cerca de 60 a 100 lâminas de wafer por minuto são transferidas da máquina para assar wafer para a estação de entrada. Essas lâminas de wafer são divididas sobre as superfícies de condução individuais pela disposição de comutação de entrada. As lâminas de wafer, possivelmente revestidas, são combinadas novamente pela disposição de comutação de saída a fim de serem transferidas para a estação de empilhamento. Na estação de empilhamento, exige-se novamente que um rendimento que corresponde ao rendimento da máquina para assar wafer otimize o processo de produção. Esse rendimento, dividido pelo número de camadas de wafer por bloco de wafer, determina a capacidade de blocos de wafer que pode ser produzida pelos sistemas.
[0052] De acordo com a invenção, pode ser fornecido que os blocos de wafer têm um número e uma sequência selecionáveis de diferentes camadas de creme. A velocidade média por superfície de condução é adaptada dependendo da razão entre os diferentes componentes de bloco de wafer. Se, por exemplo, uma quantidade duas vezes maior de primeiras lâminas de wafer quanto de segundas lâminas de wafer por bloco de wafer precisar ser empilhada, a velocidade média da primeira superfície de condução será duas vezes mais alta que a velocidade da segunda superfície de condução.
[0053] As superfícies de condução têm dispositivos de condução que podem, de preferência, ser controlados ou regulados independentemente entre si, de modo que as velocidades de transporte ao longo dos dispositivos de condução possam ser ajustadas ou selecionadas de modo flexível.
[0054] Ademais, as superfícies de condução individuais compreendem dispositivos de condução individuais que podem ter diferentes velocidades e/ou que podem ser controladas ou reguladas independentemente entre si. Conforme mencionado inicialmente, a fim de aprimorar a eficiência, é vantajoso se na região da estação de revestimento, as lâminas de wafer forem revestidas se estendendo continuamente de borda a borda. Para essa finalidade, um dispositivo condutor de revestimento é fornecido. Nesse dispositivo condutor de revestimento, as lâminas de wafer são conduzidas através da estação de revestimento ou na região da estação de revestimento.
[0055] Na direção de condução a montante da estação de revestimento, um dispositivo condutor de alimentação é fornecido. De preferência, o dispositivo condutor de alimentação tem uma velocidade maior que a do dispositivo condutor de revestimento. As lâminas de wafer transferidas da estação de entrada para o dispositivo condutor de alimentação são transportadas em uma distância umas das outras. Isso significa que uma distância é fornecida entre as duas lâminas de wafer consecutivas. Agora, a fim de reduzir essa distância a fim de formar uma superfície revestível contínua, o dispositivo condutor de revestimento tem uma velocidade de transporte menor do que a do dispositivo condutor de alimentação. Como resultado, as lâminas de wafer são empurradas juntas e, de preferência, conduzidas borda a borda através da estação de revestimento.
[0056] De preferência, a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte do dispositivo condutor de alimentação e a velocidade de transporte do dispositivo condutor de revestimento é substancialmente igual ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas uma após a outra no dispositivo condutor de ali- mentação. Por exemplo, se duas lâminas de wafer forem movidas em uma velocidade de um m/s no dispositivo condutor de alimentação, em que as duas lâminas de wafer têm adicionalmente um espaçamento de 1/2 m uma da outra, o dispositivo condutor de revestimento pode ter uma velocidade de transporte de 1/2 m/s de modo que ambas as lâminas de wafer sejam conduzidas de borda a borda através da estação de revestimento. No cálculo supracitado, deve ser notado que a unidade de medição da distância e a unidade da trajetória por unidade de tempo para a velocidade de transporte devem ter a mesma unidade.
[0057] Ademais, o dispositivo condutor de remoção tem, de preferência, uma velocidade de transporte maior do que a do dispositivo condutor de revestimento. Como resultado, as lâminas de wafer individuais que se encontram de borda a borda são separadas novamente após a estação de revestimento no dispositivo condutor de remoção. Dependendo da velocidade, as lâminas de wafer revestidas individuais têm novamente um certo espaçamento entre si após a estação de revestimento. Em particular, as lâminas de wafer individuais na estação de empilhamento deveriam ter uma certa distância entre si de modo que um empilhamento limpo e simples dos componentes de bloco de wafer seja possível. Para essa finalidade, também seria fundamentalmentepossível aumentar a velocidade para o propósito de espaçamento das lâminas de wafer no dispositivo condutor de pilha.
[0058] Ademais, as frequências de relógio e as velocidades dos dispositivos condutores individuais também devem ser adaptadas de tal maneira que as lâminas de wafer de diferentes superfícies de condução possam ser combinadas para formar um bloco de wafer.
[0059] Para essa finalidade, de preferência, são fornecidas zonas de congestão em que as lâminas de wafer são transportadas de uma maneira retardada e zonas de aceleração em que as lâminas de wafer são transportadas mais rapidamente. Como resultado, zonas de tam- pão são formadas, as quais permitem a escolha flexível da disposição, do número e da sequência de componentes de bloco de wafer.
[0060] Essas zonas de congestão, zonas de tampão e zonas de aceleração podem ser formadas pelos dispositivos de condução individuais. Em particular, uma pluralidade de dispositivos de condução pode ser fornecida ao longo de diferentes superfícies de condução, as velocidades das quais podem ser controladas e/ou reguladas de modo flexível.
[0061] Um método exemplificativo para produzir um bloco de wafer poderia, por exemplo, compreender as seguintes etapas:
[0062] Em uma primeira etapa, por exemplo, o número e a sequência dos componentes de bloco de wafer individuais podem ser selecionados. Dependendo da escolha, em particular, dependendo da razão entre as primeiras lâminas de wafer que têm uma primeira camada de creme e as segundas lâminas de wafer que têm uma segunda camada de creme, as lâminas de wafer individuais são divididas entre as superfícies de condução individuais. A divisão das lâminas de wafer entre as superfícies de condução individuais é, de preferência, realizada em uma razão que corresponde aos diferentes componentes de bloco de wafer no bloco de wafer acabado. As velocidades de condução das superfícies de condução e dispositivos condutores individuaissão adaptadas de modo que os componentes de bloco de wafer individuais possam ser transferidos para a estação de empilhamento na razão desejada, em particular, na sequência desejada e no número desejado. Ademais, os componentes de bloco de wafer têm também diferentes velocidades em diferentes localizações no curso das superfícies de condução individuais. Por exemplo, as lâminas de wafer são inicialmente movidas lentamente a fim de terem um reservatório de tampão das lâminas de wafer. Opcionalmente, as lâminas de wafer são conduzidas lentamente na região das estações de revestimento de modo que essas, de preferência, se encontrem continuamente de borda a borda. Subsequentemente, as lâminas de wafer podem ser aceleradas no curso das superfícies de condução após a estação de revestimento de modo que as lâminas de wafer tenham novamente um espaçamento entre si. Esse espaçamento é necessário, por exemplo, a fim de permitir uma transferência alternada através da disposição de comutação de saída das diferentes superfícies de condução. Na estação de empilhamento, os componentes de bloco de wafer individuais devem também, de preferência, ter um espaçamento entre si a fim de ocasionar um aprimoramento na capacidade de empilhamento.
[0063] As velocidades de transporte dos dispositivos de condução individuais são, de preferência, controladas por uma unidade de controle. Em particular, as velocidades de transporte individuais são adaptadas dependendo da escolha do número e da sequência de componentes de bloco de wafer de um bloco de wafer.
[0064] O sistema de acordo com a invenção compreende, de preferência, disposições de comutação. Essas disposições de comutação são adequadas e/ou adaptadas para transferir uma lâmina de wafer que é originada de uma superfície de condução conforme desejado para várias superfícies de condução adicionais. Em uma modalidade simples, a disposição de comutação de entrada, por exemplo, é equipada com um elemento pivotante tal como, por exemplo, um condutor pivotante ou uma superfície de condução pivotante. Uma possibilidade adicional de uma disposição de comutação é que uma primeira superfície de condução é fornecida a partir da qual uma segunda superfície de condução ramifica. As duas superfícies de condução são, portanto, quando visualizadas na direção de condução, guiadas uma para a ou-tra. Abaixo da primeira superfície de condução ou na região da primei-rasuperfície de condução, uma fonte de pressão positiva é fornecida para entregar um fluxo de ar específico. Pela ativação do fluxo de ar, uma lâmina de wafer pode ser elevada a partir da primeira superfície de condução a fim de ser conduzida ainda para a segunda superfície de condução. Essa disposição de comutação pode, em particular, ser fornecida como uma disposição de comutação de entrada. Opcionalmente, uma superfície de condução adicional é fornecida acima da segundasuperfície de condução que impede que a lâmina de wafer movida para cima pelo fluxo de ar se eleve para muito longe das superfícies de condução. Em particular, essa superfície de condução adicional se projeta para além da segunda superfície de condução ao contrário da direção de condução e, de preferência, atua como uma superfície de guia ou bloqueio.
[0065] Tal construção também pode ser fornecida para transferir uma lâmina de wafer da segunda superfície de condução para a terceirasuperfície de condução.
[0066] As superfícies de combinação, por exemplo, na direção de condução tais como placas de combinação ou condutores de combinação podem ser fornecidas como disposição de comutação de saída.
[0067] Opcionalmente, uma disposição de comutação, em particular, uma disposição de comutação de entrada compreende um elevador. Esse elevador, descrito na Figura 2, por exemplo, corresponde a um condutor sem fim que tem uma direção principal vertical de extensão e em que uma pluralidade de lâminas de wafer pode ser conduzida para cima e para baixo na direção vertical. Esse elevador é usado, em particular, para resfriar as lâminas de wafer quentes conforme descarregado da máquina para assar. Na região da primeira superfície de condução ou na região da segunda superfície de condução, as lâminas de wafer no elevador são conduzidas para baixo e, de preferência, depositadas a partir de cima sobre uma das superfícies de condução. As mesmas são removidas dos dispositivos de condução e ainda conduzidas ao longo do dispositivo de condução. Opcionalmente, as se- ções da primeira superfície de condução ou da segunda superfície de condução que removem as lâminas de wafer do elevador são designadas como sendo móveis ou pivotantes. Como resultado, o tempo e a posição da remoção das lâminas de wafer podem ser regulados e/ou controlados.
[0068] Para empilhar os componentes de bloco de wafer, em particular, a primeira, a segunda e a terceira lâminas de wafer, uma estação de empilhamento é, de preferência, fornecida. Essa estação de empilhamento pode, por exemplo, ser configurada como uma combinação de um dispositivo de ensanduichamento com um dispositivo de pressionamento. Nesse projeto, um sanduíche de wafer é inicialmente formado no dispositivo de ensanduichamento. Isso é elevado pelo dispositivo de empilhamento e, em particular, por uma placa de sucção do dispositivo de empilhamento a partir do dispositivo condutor de pilha e, subsequentemente, colocado nas lâminas de wafer adicionalmente subsequentes dotadas de uma camada de creme. Quando o bloco de wafer acabado é formado, isso é colocado pelo dispositivo de empilhamento no dispositivo condutor de pilha e adicionalmente trans-portado.
[0069] Opcionalmente, a estação de empilhamento 10 é configurada como um dispositivo de empilhamento espiral. Com isso, inicialmente, uma lâmina de wafer não revestida, em particular, uma terceira lâmina de wafer, é elevada por dispositivos condutores espirais verticalmente a partir do dispositivo condutor de pilha. Então, as lâminas de wafer adicionais dotadas de uma camada de creme são colocadas a partir de baixo sobre a primeira lâmina de wafer não revestida. Quando o bloco de wafer acabado é formado, esse é removido e, de preferência, pressionado juntamente por um dispositivo de calibração, em particular, um cilindro de calibração e calibrado.
[0070] De acordo com uma modalidade adicional, a estação de empilhamento pode ser configurada como um eixo de queda. Com isso, as lâminas de wafer fornecidas com uma camada de creme são inicialmente conduzidas na estação de empilhamento. Então, as mesmassão empilhadas uma em cima da outra em um eixo de queda de modo que a sequência desejada de lâminas de wafer revestidas com creme seja obtida. Por fim, uma lâmina de wafer não revestida, em particular, uma terceira lâmina de wafer é colocada sobre as lâminas de wafer existentes a fim de formar o bloco de wafer acabado. Então, o bloco de wafer acabado é, de preferência, calibrado. Essa calibração é realizada novamente por meio de um cilindro de calibração ou uma placa de pressão.
[0071] A invenção é agora explicada adicionalmente com referênciaàs modalidades específicas.
[0072] A Figura 1 mostra uma vista lateral esquemática de um sistema, de acordo com a invenção em uma primeira modalidade.
[0073] A Figura 2 mostra uma vista lateral esquemática de um sistema, de acordo com a invenção em uma segunda modalidade.
[0074] As Figuras 1 e 2, cada uma, mostram um sistema de acordo com a invenção para produzir blocos de wafer. Esses sistemas compreendem uma estação de entrada 4 na qual as lâminas de wafer provenientes de uma máquina para assar wafer são transferidas para o sistema de acordo com a invenção. Uma disposição de comutação de entrada 11 está disposta na direção de transporte a jusante da estação de entrada 4 ou na estação de entrada 4. Na presente modalidade, a disposição de comutação de entrada 11 compreende uma pluralidade de comutações, em particular, uma primeira comutação de entrada 11a e uma segunda comutação de entrada 11b. A disposição de comutação de entrada 11 tem opcionalmente uma primeira posição 11a’. Nessa posição, as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada 4 são transportadas ao longo da primeira superfície de condu- ção 5 adicionalmente na direção da primeira estação de revestimento 6. Ademais, a disposição de comutação de entrada 11 pode ter uma posição 11a". Nessa posição, as lâminas de wafer 2 provenientesda estação de entrada 4 são transferidas para a segunda superfície de condução 7. Ademais, a disposição de comutação de entrada tem uma outra posição 11b’ em que as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada 4 e, em particular, provenientes da segunda superfície de condução 7 são conduzidas ao longo da segunda superfície de condução 7 adicionalmente na direção da segunda estação de revestimento 8. A disposição de comutação de entrada 11 tem também uma outra posição 11b" em que as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada e, em particular, da segunda superfície de condução 7 são transferidas para a terceira superfície de condução 9. Nas presentes modalidades da Figura 1 e Figura 2, uma primeira comutação de entrada 11a e uma segunda comutação de entrada 11b são fornecidas em cada caso. A comutação de entrada 11a tem duas posições que correspondem às posições 11a’ e 11a" da descrição anterior. A segundacomutação de entrada 11b tem também duas posições 11b’ e 11b" que correspondem à descrição anterior.
[0075] No entanto, também é consistente com a ideia inventiva que uma única comutação, por exemplo, uma comutação de três vias permita a divisão entre as três superfícies de condução. Ademais, também é consistente com a ideia inventiva que a disposição de comutação de entrada desvie as lâminas de wafer, por exemplo, por meio de um fluxo de ar ou outros meios de uma superfície de condução sobre uma outra superfície de condução.
[0076] Por exemplo, as comutações de entrada 11a e 11b podem ser projetadas como dispositivos de condução pivotantes. Por exemplo, um condutor sem fim pivotante pode ser fornecido. O eixo geométrico de pivô do nariz, nesse caso, corresponde substancialmente a um eixo geométrico horizontal que corre normalmente para a direção de condução e para a superfície de condução dos wafers. O nariz é, de preferência, direcionado para a direção de condução das lâminas de wafer e é deslocável.
[0077] Uma lâmina de wafer 2 que é transportada ao longo da pri-meirasuperfície de condução 5 passa um primeiro dispositivo condutor de alimentação 13a em uma primeira região. Esse dispositivo condutor de alimentação compreende um ou mais dispositivos condutores. Uma primeira lâmina de wafer é guiada pelo dispositivo condutor de alimentação para a primeira estação de revestimento 6. A primeira estação de revestimento 6 compreende um cabeça de revestimento por meio da qual o creme pode ser aplicado a uma lâmina de wafer. Ademais, a primeira estação de revestimento 6 compreende um dispositivo condutor de revestimento 14 e, em particular, um primeiro dispositivo condutor de revestimento 14a. Opcionalmente, uma pluralidade de dispositivos de revestimento é fornecida na região da estação de revestimento.
[0078] Após o primeiro dispositivo condutor de revestimento 14a, as lâminas de wafer 2 são adicionalmente conduzidas por meio de um dispositivo condutor de remoção 15. Esse dispositivo condutor de remoção também pode compreender uma pluralidade de dispositivos condutores. As lâminas de wafer são adicionalmente conduzidas para a estação de empilhamento 10 pelo dispositivo condutor de remoção 15. A estação de empilhamento 10, por exemplo, compreende um dispositivo de ensanduichamento 17 bem como um dispositivo de empilhamento 18. Um ou mais dispositivo(s) condutor(es) de pilha 16 é/são fornecido(s), por exemplo, na região da estação de empilhamento 10.
[0079] Quando uma lâmina de wafer 2 é movida ao longo da segundasuperfície de condução 7, em uma primeira etapa, a mesma passa o segundo dispositivo condutor de alimentação 13b. Como todos os dispositivos condutores, isso pode ser configurado como um único dispositivo condutor ou como uma disposição de diversos dispositivos condutores. O dispositivo condutor de alimentação 13 transporta a lâmina de wafer 2 ao longo da segunda superfície de condução 7 para a segunda estação de revestimento 8. A segunda estação de revestimento 8 compreende novamente uma cabeça de revestimento. A segunda estação de revestimento 8 compreende adicionalmente um segundo dispositivo condutor de revestimento 14b. Após passar a segundaestação de revestimento 8, as lâminas de wafer revestidas são adicionalmente transportadas por meio de um segundo dispositivo condutor de remoção 15b. Esse dispositivo condutor de remoção 15b transporta as lâminas de wafer adicionalmente na direção da estação de empilhamento 10.
[0080] Quando uma lâmina de wafer é conduzida ao longo da terceirasuperfície de condução 9, a terceira lâmina de wafer de acordo com a presente modalidade não é revestida, mas chega não revestida na estação de empilhamento 10. Na estação de empilhamento 10, a terceira lâmina de wafer é, por exemplo, colocada sobre uma primeira lâmina de wafer com uma primeira camada de creme ou sobre uma segunda lâmina de wafer com uma segunda camada de creme para formar um sanduíche de wafer.
[0081] Esse sanduíche de wafer pode, então, ser elevado, por exemplo, pelo dispositivo de empilhamento 18 a partir da superfície de condução e, em particular, pelo dispositivo condutor de pilha 16 a fim de ter capacidade para conduzir um componente de bloco de wafer adicional, em particular, uma primeira lâmina de wafer com uma primeira camada de creme ou uma segunda lâmina de wafer com uma segunda camada de creme no dispositivo de empilhamento 18. Em uma etapa adicional, o sanduíche de wafer elevado é colocado sobre a camada de creme da lâmina de wafer adicional e pressionado na mesma. Um empilhamento é, então, alcançado. Em uma etapa adicio- nal, a combinação de três lâminas de wafer e duas camadas de creme pode ser elevada mais uma vez a fim de ser pressionada subsequentemente sobre uma lâmina de wafer adicional com uma camada de creme adicional. Através do pressionamento para baixo dos componentes de bloco de wafer empilhados pelo dispositivo de empilhamento, uma calibração do bloco de wafer é alcançada. Como resultado, o bloco de wafer pode ser calibrado para uma altura constante e/ou se- lecionável. De preferência, o dispositivo condutor de pilha não está disposto como uma correia transportadora convencional substancialmenteelástica a não rígida. Para suportar a força de calibração e a força de pressão do dispositivo de empilhamento, uma correia transportadora de sucção com uma correia transportadora sustentada pode, por exemplo, ser fornecida. Ademais, um contrassuporte pode ser fornecido, os qual é imediatamente guiado abaixo da correia do dispositivo condutor de pilha 16.
[0082] De preferência, o sistema é configurado de tal maneira que a primeira superfície de condução e a segunda superfície de condução sejam conectadas ou possam ser conectadas a montante da estação de empilhamento por meio da disposição de comutação de saída e, em particular, por meio da primeira comutação de saída. Como resultado, as primeiras lâminas de wafer e as segundas lâminas de wafer podem ser fornecidas sucessivamente para a estação de empilhamento no número e na sequência desejados, em particular, por meio do dispositivo condutor de pilha.
[0083] Opcionalmente, o sistema é configurado de tal maneira que a terceira superfície de condução seja conectada ou possa ser conectada ao dispositivo de condução de pilha por meio da disposição de comutação de saída na estação de empilhamento. Como resultado, as terceiras lâminas de wafer podem ser unidas diretamente na estação de empilhamento e, em particular, no dispositivo de ensanduichamento a uma primeira lâmina de wafer ou a uma segunda lâmina de wafer para formar um sanduíche de wafer. Nesse caso, a disposição de comutação de saída se estende para uma parte da estação de empilhamento.
[0084] De acordo com a invenção, o sistema é adequado e/ou adaptado para formar blocos de wafer que têm um número e sequênciaarbitrários de diferentes componentes de bloco de wafer. Como um exemplo, a produção de um bloco de wafer que tem a estrutura de camada a seguir da parte superior à parte inferior é descrita:
[0085] - uma lâmina de wafer (lâmina de cobertura de wafer)
[0086] - uma camada de creme de um primeiro creme (creme de chocolate preto)
[0087] - uma lâmina de wafer
[0088] - uma camada de creme de um segundo creme (creme de chocolate light)
[0089] - uma lâmina de wafer
[0090] - uma camada de creme de um primeiro creme (creme de chocolate preto)
[0091] - uma lâmina de wafer (lâmina de base de wafer)
[0092] A fim de produzir essa estrutura de bloco de wafer, o méto do de acordo com a invenção ou o sistema de acordo com a invenção pode ser executado, por exemplo, conforme a seguir:
[0093] Em princípio, exige-se que as quatro lâminas de wafer formem esse bloco de wafer. Essas lâminas de wafer são transferidas sucessivamente pela máquina para assar wafer para a estação de entrada 4, em que a sequência da transferência não precisa necessariamente corresponder à sequência das camadas do bloco de wafer acabado. Uma lâmina de wafer é transferida por meio da disposição de comutação de entrada e, em particular, por meio da primeira comutação de entrada e da segunda comutação de entrada para a terceira superfície de condução 9.
[0094] A próxima lâmina de wafer que é originada da estação de entrada 4 é, por exemplo, transferida por meio da disposição de comutação de entrada para a primeira superfície de condução 5. No curso da primeira superfície de condução, a primeira lâmina de wafer 2a passa um dispositivo condutor de alimentação 13a e a primeira estação de revestimento 6. Na primeira estação de revestimento 6, a primeiralâmina de wafer 2a é dotada de uma primeira camada de creme 3a de um primeiro creme. O primeiro creme no caso presente é o creme de chocolate preto.
[0095] A próxima lâmina de wafer 2 que é originada da estação de entrada 4 é transferida como a segunda lâmina de wafer 2b para a segundasuperfície de condução 7. A segunda lâmina de wafer 2b é dotada de uma segunda camada de creme 3b. A segunda camada de creme 3b consiste em um segundo creme que, no caso presente, é um creme de chocolate light.
[0096] A próxima lâmina que é originada da estação de entrada 4 é novamente, por exemplo, fornecida para a primeira superfície de condução 5 a fim de ser revestida com uma primeira camada de creme 3a de um primeiro creme que compreende chocolate preto.
[0097] Os processos de revestimento das diferentes superfícies de condução podem ocorrer simultânea ou consecutivamente.
[0098] As lâminas de wafer com suas camadas de creme são adicionalmente conduzidas por meio da remoção de dispositivos de condução. Em primeiro lugar, uma primeira lâmina de wafer 2a com a primeira camada de creme 3a é conduzida para a estação de empilhamento 10 por meio do primeiro dispositivo condutor de remoção 15a. Ao mesmo tempo, a terceira lâmina de wafer 2c é transportada por meio da terceira superfície de condução 9 e sincronizada de tal maneira que a terceira lâmina de wafer 2c e a primeira lâmina de wafer 2a sejam posicionadas substancial e congruentemente uma acima da outra e unidas juntamente no dispositivo de ensanduichamento 17 da estação de empilhamento 10. O dispositivo condutor de pilha 16 conduz esse sanduíche de wafer adicionalmente para o dispositivo de empilhamento 18. O dispositivo de empilhamento 18 eleva o sanduíche de wafer já formado a partir do dispositivo condutor de pilha 16. Subsequente ou simultaneamente, a segunda lâmina de wafer 2b com uma segunda camada de creme 3b de um segundo creme que compreende o chocolate light é fornecida para a estação de empilhamento 10 pela segunda superfície de condução 7. Quando esse componente de bloco de wafer está localizado no dispositivo de empilhamento 18, o sanduíche de wafer é pressionado sobre a segunda lâmina de wafer 2b com sua segunda camada de creme 3b e pressionado na mesma. Ao mesmo tempo ou subsequentemente, a combinação do sanduíche de wafer e da segunda lâmina de wafer com a segunda camada de creme é novamente elevada a partir do dispositivo condutor de pilha. Uma primeira lâmina de wafer adicional 2a com uma primeira camada de creme adicional 3a é conduzida para o interior da estação de empilhamento 10. Aí a combinação elevada do sanduíche de wafer e da segunda lâmina de wafer é colocada na primeira lâmina de wafer adicional e, em particular, na primeira camada de creme 3a da primeira lâmina de wafer adicional e pressionada na mesma de modo que a estrutura de camada desejada seja formada. O bloco de wafer é opcionalmente calibrado mais uma vez e comprimido para uma dimensão padrão. Subsequentemente, o bloco de wafer acabado é conduzido a partir da estação de empilhamento 10 por meio do dispositivo condutor de pilha 16.
[0099] O fornecimento dos componentes de bloco de wafer da primeira superfície de condução 5, da segunda superfície de condução 7 e da terceira superfície de condução 9 é realizado por meio de uma disposição de comutação de saída 12. Essa disposição de comutação de saída 12 pode compreender uma pluralidade de comutações de saída, em particular, uma primeira comutação de saída 12a e uma segundacomutação de saída 12b. Essas opcionalmente têm diversas posições por meio das quais as lâminas de wafer que são opcionalmente revestidas com um creme podem ser fornecidas para a estação de empilhamento 10.
[00100] A disposição de comutação de saída pode, por exemplo, compreender dispositivos de condução pivotantes, placas pivotantes, dispositivos de condução rígidos, placas rígidas ou dispositivos similares. Opcionalmente, como na disposição de comutação de entrada, uma comutação de três vias também é fornecida.
[00101] De preferência, um elemento pivotante da disposição de comutação de saída compreende um nariz. Esse nariz é, de preferência, direcionado na direção de condução das lâminas de wafer. Opcionalmente, no entanto, a disposição de comutação de saída ou a comutação de saída também é configurada como sendo rígida. Nesse caso, as superfícies de condução podem se deslocar uma em relação a outra em uma inclinação de modo que seja possível transferir as lâminas de wafer. Os dispositivos guia tais como as placas guia também podem ser usados a fim de transportar as lâminas de wafer das três superfícies de condução para a estação de empilhamento e, em particular, sobre o dispositivo de condução de pilha.
[00102] A fim de ter capacidade para empilhar os componentes de bloco de wafer na estação de empilhamento 10 exatamente uma acima da outra, um controle temporal exato do fornecimento e da posição dos componentes de bloco de wafer individuais é de grande importância. Para a controlabilidade ou ajustabilidade do posicionamento dos componentes de bloco de wafer individuais, o sistema de acordo com a invenção compreende, de preferência, uma pluralidade de dispositi- vos de condução. Esses dispositivos de condução são configurados, por exemplo, como dispositivos de condução sem fim. De preferência, os dispositivos de condução individuais ou pelo menos parte do dispositivo de condução podem ser controlados ou regulados separadamente entre si, de modo que as velocidades, em particular, as velocidades de transporte das lâminas de wafer movidas nos dispositivos de condução possam ser individualmente controladas. Os sensores também podem ser fornecidos, por exemplo, a fim de terem capacidade para determinar as posições e/ou as velocidades dos componentes de bloco de wafer individuais. A fim de formar um sanduíche de wafer, um sensor pode ser fornecido, por exemplo, ao longo do dispositivo condutor de remoção da terceira superfície de condução 9. Isso detecta a posição de uma terceira lâmina de wafer. Opcionalmente, a terceira lâmina de wafer pode ser parada ou retardada apenas a fim de ser, então, guiada na direção da estação de empilhamento quando a lâmina de base de wafer com a camada de creme é movida para a posição fornecida. A posição da lâmina de base de wafer pode também ser determinada por um sensor tal como uma cortina de luz, por exemplo.
[00103] A fim de aprimorar a eficiência da estação de revestimento, as lâminas de wafer que são movidas consecutivamente ao longo da primeira superfície de condução 5 ou ao longo da segunda superfície de condução 7 para o interior da estação de revestimento, estão dispostas de borda a borda de modo que uma superfície revestível livre de interrupção substancialmente contínua seja formada. Após a estação de revestimento, as lâminas de wafer individuais podem ser novamente separadas entre si. Essa separação é realizada, por exemplo, por uma aceleração das lâminas de wafer revestidas. Como resultado da diferença de velocidade, as lâminas de wafer são adicionalmente conduzidas em uma distância umas das outras. Esse espaçamento é particularmente vantajoso quando, por exemplo, uma segunda lâmina de wafer deve ser inserida entre as duas primeiras lâminas de wafer a fim de ocasionar um empilhamento alternado na estação de empilhamento. Ademais, certa distância entre as lâminas de wafer também é vantajosa quando a estação de empilhamento é adaptada ou adequada para empilhar os componentes de bloco de wafer que são fornecidos de modo separado entre si.
[00104] Ademais, um controle individual dos dispositivos de condução individuais é vantajoso quando o atrito das primeiras lâminas de wafer no bloco de wafer acabado é diferente do atrito das segundas lâminas de wafer. Por exemplo, na modalidade exemplificativa anterior do bloco de wafer, apenas uma segunda lâmina de wafer é fornecida enquanto as duas primeiras lâminas de wafer são fornecidas. Consequentemente, a fim de formar uma pluralidade de blocos de wafer 1, mas também formar um único bloco de wafer 1, uma quantidade duas vezes maior de primeiras lâminas de wafer é revestida com uma primeira camada de creme do que as segundas lâminas de wafer com uma segunda camada de creme. Por essa razão, o rendimento ao longo da primeira superfície de condução nesse exemplo é duas vezes mais alto que o rendimento na segunda superfície de condução. Consequentemente, a velocidade média ao longo da primeira superfície de condução deve ser cerca de duas vezes mais alta que a velocidade de transporte da segunda superfície de condução. Consequentemente, a razão entre o rendimento da primeira superfície de condução e o rendimento da segunda superfície de condução corresponde substancialmenteà razão entre o número de primeiras lâminas de wafer e o número de segundas lâminas de wafer no bloco de wafer acabado.
[00105] Devido às diferentes velocidades de transporte de dispositivos de condução individuais, as zonas de tampão também podem ser formadas em que as lâminas de wafer já se encontram a fim de serem adicionalmente transportadas conforme exigido.
[00106] De acordo com uma modalidade preferencial da invenção, uma unidade de controle é fornecida. Essa unidade de controle é adaptada e/ou adequada para controlar ou regular parâmetros do sistema e para modificar os parâmetros como uma função dos parâmetros selecionados de entrada. Por exemplo, a estrutura de camada desejada do bloco de wafer acabado pode ser inserida através da unidade de controle ou para a unidade de controle. Nesse caso, tanto a sequência quanto também o número dos componentes de bloco de wafer individuais podem ser substancial e livremente selecionados. De acordo com a entrada, as velocidades de transporte e as velocidades de revestimento dos dispositivos de condução são adaptados de modo que a estrutura desejada do bloco de wafer possa ser formada na estação de empilhamento. De acordo com as modalidades preferenciais, o sistema é adequado para formar blocos de wafer com três, quatro, cinco, seis, sete, oito, nove e/ou dez lâminas de wafer empilhadas entre si. LISTA DE REFERÊNCIA 1 Bloco de wafer 2 Lâmina de wafer 2a Primeira lâmina de wafer 2b Segunda lâmina de wafer 2c Terceira lâmina de wafer 3 Camada de creme 3a Primeira camada de creme 3b Segunda camada de creme 4 Estação de entrada 5 Primeira superfície de condução 6 Primeira estação de revestimento 7 Segunda superfície de condução 8 Segunda estação de revestimento 9 Terceira superfície de condução 10 Estação de empilhamento 11 Disposição de comutação de entrada 11a’ Primeira posição 11a" Segunda posição 11b’ Primeira posição 11b" Segunda posição 12 Disposição de comutação de saída 12a’ Primeira posição 12a" Segunda posição 12b’ Primeira posição 12b" Segunda posição 13 Dispositivo condutor de alimentação 13a Primeiro dispositivo condutor de alimentação 13b Segundo dispositivo condutor de alimentação 14 Dispositivo condutor de revestimento 14a Primeiro dispositivo condutor de revestimento 14b Segundo dispositivo condutor de revestimento 15 Dispositivo condutor de remoção 15a Primeiro dispositivo condutor de remoção 15b Segundo dispositivo condutor de remoção 16 Dispositivo condutor de pilha 17 Dispositivo de ensanduichamento 18 Dispositivo de empilhamento

Claims (29)

1. Sistema para formar blocos de wafer (1), caracterizado pelo fato de que os blocos de wafer (1) compreendem pelo menos três lâminas de wafer (2) e pelo menos duas camadas de creme (3) de dois cremes diferentes, em que as lâminas de wafer (2) e as camadas de creme (3) estão dispostas alternadamente e se estendem em paralelo entre si, que compreendem: - uma estação de entrada (4) na qual as lâminas de wafer individuais (2) que, de preferência, são originadas de uma máquina para assar wafer, são transferidas sucessivamente para o sistema, - uma primeira superfície de condução (5) para transportar as primeiras lâminas de wafer (2a), em que no curso da primeira superfície de condução (5), uma primeira estação de revestimento (6) é fornecida para aplicar uma primeira camada de creme (3a) de um primeiro creme nas primeiras lâminas de wafer (2a), - uma segunda superfície de condução (7) para transportar as segundas lâminas de wafer (2b), em que no curso da segunda superfície de condução (7), uma segunda estação de revestimento (8) é fornecida para aplicar uma segunda camada de creme (3b) de um segundo creme nas segundas lâminas de wafer (2b), - uma terceira superfície de condução (9) para transportar terceiras lâminas de wafer (2c), - uma estação de empilhamento (10) na qual as primeiras lâminas de wafer (2a) com suas primeiras camadas de creme (3a), as segundas lâminas de wafer (2b) com suas segundas camadas de creme (3b) e as terceiras lâminas de wafer (2c) são empilhadas para formar um ou mais blocos de wafer (1), - uma disposição de comutação de entrada (11) por meio da qual as lâminas de wafer (2) da estação de entrada (4) são transferidas conforme desejado para a primeira superfície de condução (5), para a segunda superfície de condução (7) ou para a terceira superfície de condução (9), - e uma disposição de comutação de saída (12) por meio da qual as lâminas de wafer (2) da primeira superfície de condução (5), da segunda superfície de condução (7) ou da terceira superfície de condução (9) são transferidas conforme desejado para a estação de empilhamento (10).
2. Sistema, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira superfície de condução (5), a segunda superfície de condução (7) e a terceira superfície de condução (9) estão dispostas em uma distância umas das outras, adjacentes uma à outra e/ou uma acima da outra e que a primeira superfície de condução (5), a segunda superfície de condução (7) e a terceira superfície de condução (9) podem ser conectadas entre si pela disposição de comutação de entrada (11) e pela disposição de comutação de saída (12) de modo que uma lâmina de wafer (2) que é originada da estação de entrada (4) possa ser transportada conforme desejado através da primeira superfície de condução (5), da segunda superfície de condução (7) ou da terceira superfície de condução (9) para a estação de empilhamento (10).
3. Sistema, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que - no curso da primeira superfície de condução (5) ao longo da primeira direção de condução, um primeiro dispositivo condutor de alimentação (13a) para transportar as primeiras lâminas de wafer (2a) para a primeira estação de revestimento (6) está disposto a montante da primeira estação de revestimento (8), - no curso da primeira superfície de condução (5) ao longo da primeira direção de condução, um primeiro dispositivo condutor de revestimento (14a) para transportar as primeiras lâminas de wafer (2a) na primeira estação de revestimento (6) está disposto na região da primeira estação de revestimento (6), - no curso da primeira superfície de condução (5) ao longo da primeira direção de condução, um primeiro dispositivo condutor de remoção (15a) para transportar as primeiras lâminas de wafer (2a) e a primeira camada de creme (3a) aplicadas no mesmo a partir da primeiraestação de revestimento (6) para a estação de empilhamento (10) está disposto a jusante da primeira estação de revestimento (6) e de que a velocidade de transporte do primeiro dispositivo condutor de revestimento (14a) é menor do que a velocidade de transporte do primeiro dispositivo condutor de alimentação (13a) e/ou é menor do que a velocidade de transporte do primeiro dispositivo condutor de remoção (15a), de modo que as primeiras lâminas de wafer (2a) transportadas consecutivamente na primeira superfície de condução (5) tenham uma distância mais curta entre si na região da primeira estação de revestimento (6) do que no curso da primeira superfície de condução (5) a montante e/ou a jusante da primeira estação de revestimento (6).
4. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de que - no curso da segunda superfície de condução (7) ao longo da segunda direção de condução, um segundo dispositivo condutor de alimentação (13b) para transportar as segundas lâminas de wafer (2b) para a segunda estação de revestimento (8) está disposto a montante da segunda estação de revestimento (8), - no curso da segunda superfície de condução (7) ao longo da segunda direção de condução, um segundo dispositivo condutor de revestimento (14b) para transportar as segundas lâminas de wafer (2b) na segunda estação de revestimento (8) está disposto na região da segunda estação de revestimento (8), - no curso da segunda superfície de condução (7) ao longo da segunda direção de condução, um segundo dispositivo condutor de remoção (15b) para transportar as segundas lâminas de wafer (2b) e a segunda camada de creme (3b) aplicadas no mesmo da segunda estação de revestimento (8) para a estação de empilhamento (10) está disposto a jusante da segunda estação de revestimento (8) - e de que a velocidade de transporte do segundo dispositivo condutor de revestimento (14b) é menor do que a velocidade de transporte do segundo dispositivo condutor de alimentação (13b) e/ou é menor do que a velocidade de transporte do segundo dispositivo condutor de remoção (15b), de modo que as segundas lâminas de wafer (2b) transportadas consecutivamente na segunda superfície de condução (7) tenham uma distância mais curta entre si na região da segunda estação de revestimento (8) do que no curso da segunda superfície de condução (7) a montante e/ou a jusante da segunda estação de revestimento (8).
5. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizado pelo fato de que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte do dispositivo condutor de alimentação (13) e a velocidade de transporte do dispositivo condutor de revestimento (14) corresponde substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer (2) conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação (13), de modo que as lâminas de wafer (2) na estação de revestimento (6, 8) se estendam substancialmente de borda à borda e formem uma superfície revestível sem espaçamento contínua.
6. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 3 a 5, caracterizado pelo fato de que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de remoção (15) e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento (14) corresponde substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer (2) conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de remoção (15), de modo que as lâminas de wafer (2), que na estação de revestimento (6, 8) se estendem substancialmente de borda à borda e formam uma superfície revestível sem espaçamento contínua, tenham uma distância umas das outras na região do dispositivo condutor de remoção (15) a fim de serem conduzidas em uma distância umas das outras na estação de empilhamento (10).
7. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 3 a 6, caracterizado pelo fato de que um dispositivo condutor de pilha (16) é fornecido na região da estação de empilhamento (10) e de que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de pilha (16) e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento (14) corresponde substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer (2) conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de pilha (16) e provenientes da superfície de condução.
8. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 3 a 7, caracterizado pelo fato de que a distância entre as duas lâminas de wafer (2) conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de remoção (15) é maior do que a dimensão de uma lâmina de wafer (2) na direção de condução, de modo que uma segunda lâmina de wafer (2b) da segun-dasuperfície de condução (7) possa ser posicionada entre as duas primeiras lâminas de wafer (2a) da primeira superfície de condução (5) por meio da disposição de comutação de saída (12) ou de modo que uma primeira lâmina de wafer (2a) da pri-meirasuperfície de condução (5) possa ser posicionada entre duas segundas lâminas de wafer (2b) da segunda superfície de condução (7) por meio da disposição de comutação de saída (12).
9. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 8, caracterizado pelo fato de que o transporte das lâminas de wafer (2) na estação de entrada (4), na estação de empilhamento (10) e nas estações de revestimentos (6, 8) ocorre continuamente e de que as lâminas de wafer revestidas (2) são transportadas ao longo da respectiva superfície de condução (5, 7, 9) disposta linearmente em uma fileira.
10. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 9, caracterizado pelo fato de que a velocidade de transporte do dispositivo condutor de pilha (16) é maior do que a velocidade de transporte do dispositivo condutor de revestimento (14) e, em particular, é maior do que ou igual a ou como a soma das velocidades médias de transporte da primeira superfície de condução (5) mais as velocidades de transporte da segunda superfície de condução (7) mais as velocidades de transporte da terceira superfície de condução (9) de modo que as lâminas de wafer (2) sejam conduzidas em uma distância umas das outras na estação de empilhamento (10).
11. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 10, caracterizado pelo fato de que o dispositivo condutor de alimentação (13), o dispositivo condutor de revestimento (14), o dispositivo condutor de remoção (15) e/ou o dispositivo condutor de pilha (16) compreende ou compreendem um ou mais condutores de tira, uma ou mais correias transportadoras, uma ou mais correias transportadoras de sucção ou um dispositivo de condução similar.
12. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 11, caracterizado pelo fato de que a disposição de comutação de entrada (11) e/ou a disposição de comutação de saída (12) compreende ou compreendem uma disposição de comutação tal como uma placa pivotante, um condutor de tira pivotante, uma correia transportadora pivotante, uma correia transportadora de sucção pivotante, superfícies de condução inclinadas entre si e que convergem em ou contrariamente à direção de condução, um elevador e/ou uma fonte de pressão positiva para alterar a direção de movimento e para elevar as lâminas de wafer.
13. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 12, caracterizado pelo fato de que a disposição de comutação de entrada (11) e/ou a disposição de comutação de saída (12) compreende ou compreendem uma pluralidade de disposições de comutação.
14. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 13, caracterizado pelo fato de que uma primeira comutação de entrada (11a) é fornecida, a qual tem uma primeira posição (11a’) em que as lâminas de wafer (2) provenientes da estação de entrada (4) são transferidas para a primeira superfície de condução (5) e que tem uma segunda posição (11a") em que as lâminas de wafer provenientes da estação de entrada (4) são conduzidas para a segunda superfície de condução (7).
15. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 14, caracterizado pelo fato de que uma segunda comutação de entrada (11b) é fornecida, a qual tem uma primeira posição (11b’) em que as lâminas de wafer (2) provenientes da estação de entrada (4) e/ou da primeira comutação de entrada (11a) são transportadas ainda ao longo da segunda superfície de condução (7) e que tem uma segunda posição (11b") em que as lâminas de wafer (2) provenientes da estação de entrada (4) e/ou da primeira comutação de entrada (11a) são transferidas para a terceira superfície de condução (9).
16. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindica- ções 1 a 15, caracterizado pelo fato de que uma primeira comutação de saída (12a) é fornecida, a qual tem uma primeira posição (12a’) em que as primeiras lâminas de wafer (2a) provenientes da primeira estação de revestimento (6) são transferidas para o dispositivo condutor de pilha (16) e que tem uma segunda posição (12a") em que as segun-daslâminas de wafer (2b) provenientes da segunda estação de revestimento (8) são transferidas para o dispositivo condutor de pilha (16).
17. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 16, caracterizado pelo fato de que a estação de empilhamento compreende um dispositivo de empilhamento em espiral, um dispositivo de empilhamento de eixo de queda ou uma combinação de um dispositivo de ensanduichamento e de um dispositivo de empilhamento.
18. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 17, caracterizado pelo fato de que a estação de empilhamento (10) compreende um dispositivo de ensanduichamento (17) por meio do qual uma primeira lâmina de wafer (2a) revestida com um primeiro creme ou uma segunda lâmina de wafer (2b) revestida com um segundo creme é coberta com uma terceira lâmina de wafer não revestida (2c) de modo que um sanduíche de wafer que compreende uma lâmina de base de wafer, uma lâmina de cobertura de wafer e uma camada de creme interposta seja formado.
19. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 18, caracterizado pelo fato de que uma segunda comutação de saída (12b) é fornecida por meio da qual as terceiras lâminas de wafer (2c) provenientes da terceira superfície de condução (9) são transferidas para o dispositivo condutor de pilha (16) e, em particular, são transportadas diretamente em um dispositivo de ensanduichamen- to (17) a fim de serem combinadas com uma primeira lâmina de wafer (2a) que compreende uma primeira camada de creme (3a) ou com uma segunda lâmina de wafer (2b) que compreende uma segunda camada de creme (3b) para formar um sanduíche de wafer.
20. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 19, caracterizado pelo fato de que a estação de empilhamento (10) compreende um dispositivo de empilhamento (18) em que um sanduíche de wafer que compreende pelo menos uma primeira lâmina de wafer revestida (2a) e/ou que compreende pelo menos uma segundalâmina de wafer revestida (2b) é empilhado de modo que um bloco de wafer (1) de múltiplas camadas seja formado.
21. Sistema, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 20, caracterizado pelo fato de que a estação de empilhamento (10) compreende um dispositivo de calibração ou um dispositivo de pressionamento em que os blocos de wafer (1) e os componentes dos mesmos são comprimidos para uma altura selecionável ou predeterminada.
22. Método para formar um bloco de wafer que compreende três lâminas de wafer e pelo menos duas camadas de creme de cremes diferentes, em que as lâminas de wafer (2) e as camadas de creme (3) estão dispostas alternadamente e ficam paralelas entre si, caracterizado pelo fato de que compreende as seguintes etapas: - especificar um número desejado e uma sequência desejada das primeiras lâminas de wafer, cada uma com uma primeira camada de creme de um primeiro creme e segundas lâminas de wafer, cada uma com uma segunda camada de creme de um segundo creme, - conduzir as lâminas de wafer da estação de entrada para a disposição de comutação de entrada, - selecionar a posição da disposição de comutação de en- trada de modo que as lâminas de wafer sejam transferidas conforme desejado para a primeira superfície de condução, para a segunda superfície de condução ou para a terceira superfície de condução, - aplicar a primeira camada de creme de um primeiro creme à primeira lâmina de wafer ou às primeiras lâminas de wafer no curso da primeira superfície de condução, - aplicar a segunda camada de creme de um segundo creme à segunda lâmina de wafer ou às segundas lâminas de wafer no curso da segunda superfície de condução, - transportar uma terceira lâmina de wafer ao longo da ter-ceirasuperfície de condução, - transportar as primeiras lâminas de wafer com uma primeira camada de creme, as segundas lâminas de wafer com uma segunda camada de creme e as terceiras lâminas de wafer através da disposição de comutação de saída para a estação de empilhamento, - de modo que as primeiras lâminas de wafer ou lâminas com sua primeira camada de creme, a segunda lâmina de wafer ou lâminas com sua segunda camada de creme e a terceira lâmina de wafer sejam transferidas consecutivamente e em um número e sequência que correspondam à sequência desejada específica e ao número desejado específico para a estação de empilhamento.
23. Método, de acordo com a reivindicação 22, caracterizado pelo fato de que compreende as etapas a seguir: transportar lâminas de wafer ao longo do curso da primeira superfície de condução ou ao longo da segunda superfície de condução consecutivamente através de: - um dispositivo condutor de alimentação - para um dispositivo condutor de revestimento - e ainda para um dispositivo condutor de remoção, em que as lâminas de wafer na região do dispositivo condu- tor de revestimento têm uma velocidade de transporte menor do que na região do dispositivo condutor de alimentação e/ou na região do dispositivo condutor de remoção de modo que as lâminas de wafer em cada caso na região do dispositivo condutor de alimentação e/ou na região do dispositivo condutor de remoção tenham uma distância maior uma da outra do que na região do dispositivo condutor de revestimento.
24. Método, de acordo com a reivindicação 23, caracterizado pelo fato de que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de alimentação e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponde substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação, de modo que as lâminas de wafer na estação de revestimento se estendam substancialmente de borda à borda e formem uma superfície revestível sem espaçamento contínua.
25. Método, de acordo com a reivindicação 23 ou 24, caracterizado pelo fato de que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de remoção e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponde substancialmente ao valor da dimensão da distância entre duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação, de modo que as lâminas de wafer, que se estendem na estação de revestimento substancialmente de borda à borda e formam uma superfície revestível sem espaçamento contínua, tenham uma distância umas das outras na região do dispositivo condutor de remoção a fim de serem conduzidas separadas entre si para dentro da estação de empilhamento.
26. Método, de acordo com qualquer uma das reivindicações 23 a 25, caracterizado pelo fato de que a diferença de velocidade entre a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de pilha e a velocidade de transporte na região do dispositivo condutor de revestimento corresponde substancialmente ao valor da dimensão da distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de alimentação e que é originada de uma superfície de condução.
27. Método, de acordo com qualquer uma das reivindicações 23 a 26, caracterizado pelo fato de que a distância entre as duas lâminas de wafer conduzidas consecutivamente no dispositivo condutor de remoção é maior do que a dimensão de uma lâmina de wafer na direção de condução de modo que uma segunda lâmina de wafer da segunda superfície de condução possa ser posicionada entre as duas primeiras lâminas de wafer da primeira superfície de condução por meio da disposição de comutação de saída ou de modo que uma primeira lâmina de wafer da primeira superfície de condução possa ser posicionada entre as duas lâminas de wafer da segunda superfície de condução.
28. Método, de acordo com qualquer uma das reivindicações 22 a 27, caracterizado pelo fato de que a condução das lâminas de wafer na estação de entrada, na estação de empilhamento e nas estações de revestimento ocorre continuamente e que as lâminas de wafer revestidas são conduzidas ao longo da respectiva superfície de condução disposta linearmente em uma fileira.
29. Método, de acordo com qualquer uma das reivindicações 22 a 28, caracterizado pelo fato de que um bloco de wafer que tem x primeiras lâminas de wafer e y segundas lâminas de wafer e uma terceira lâmina de wafer é formado de modo que o bloco de wafer compreenda x + y +1 lâminas de wafer e x + y camadas de creme.
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