BR112014033108B1 - componente optoeletrônico em um substrato compreendendo um primeiro eletrodo e um segundo eletrodo - Google Patents
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Abstract
resumo patente de invenção: "eletrodo transparente para componentes optoeletrônicos". a presente invenção refere-se a um componente optoeletrônico em um substrato, compreendendo um primeiro e um segundo eletrodo, sendo que o primeiro eletrodo é disposto no substrato e o segundo eletrodo constitui um contra-eletrodo, sendo que entre estes eletrodos é disposto pelo menos um sistema de camadas fotoativas que compreende pelo menos um sistema de doador aceptor com materiais orgânicos.
Description
[001] A presente invenção refere-se a um eletrodo transparente para componentes optoeletrônicos.
[002] Componentes optoeletrônicos, tais como, por exemplo, células solares ou LEDs, TFTs, etc., são amplamente usados hoje em dia na vida diária e na indústria. No caso, especialmente interessantes são aqueles componentes que em virtude da sua configuração permitem uma disposição em superfícies curvadas ou abauladas.
[003] Por exemplo, conhecem-se células solares de camada fina que apresentam uma configuração flexível, assim permitindo uma disposição em superfícies curvadas. Tais células solares, de preferência, apresentam camadas ativas de silício amorfo (α-Si) ou CIGS (Cu(ln, Ga) (S, Se)2).
[004] A desvantagem dessas células solares de camada fina são os altos custos de produção, sobretudo causados pelos materiais.
[005] Também são conhecidos diodos emissores de luz orgânicos (OLEDs) que podem ser executados de modo muito fina e assim também flexíveis devido a não necessidade de uma iluminação de fundo.
[006] Também são conhecidas células solares com camadas ativas orgânicas que são flexíveis (Konarka - Power Plastic Series). Nisso, as camadas ativas orgânicas podem ser construídas de polímeros (por exemplo, documento US 7 825 326 B2) ou de moléculas pequenas (por exemplo, documento EP 2385 556). Ao passo que os polímeros são caracterizados pelo fato de que não são evaporáveis, portanto, somente podem ser aplicados de soluções, moléculas pequenas são evaporáveis.
[007] A vantagem desses componentes em base orgânica, em comparação com base inorgânica (semicondutores como silício, arseneto de gálio) são os coeficientes de absorção parcialmente extremamente altos (até 2x105 cm-1), de modo que se abre a possibilidade de produzir células solares muito finas com um dispêndio de material e energia pequeno. Outros aspectos tecnológicos são os custos baixos, a possibilidade de produzir componentes flexíveis de grandes superfícies em folhas plásticas, e as possibilidades de variação quase que ilimitadas e a disponibilidade ilimitada da química inorgânica.
[008] Uma célula solar converte energia de luz em energia elétrica. O termo fotoativo, no caso, também significa a conversão de energia de luz em energia elétrica. Ao contrário de células solares inorgânicas, em células solares orgânicas, a luz não gera diretamente partículas portadoras de carga livres, mas primeiro se formam éxcitons, isto é, estados de excitação eletricamente neutrais (pares de elétron - bureaco ligados). Somente em um segundo passo, estes éxcitons são separados em partículas portadoras de carga livres que então contribuem para o fluxo de corrente elétrica.
[009] Uma possibilidade de realização já sugerida na literatura de uma célula solar orgânica é um diodo PIN [Martin Pfeiffer, "controlled doping of organic vacuum deposited dye layers: basics and aplications", tese de doutorado na Universidade Técnica Dresden, 1999.1, com a seguinte construção de camadas:
- 0. Suporte, substrato,
- 1. Contato básico, na maioria das vezes transparente
- 2. Camada(s) tipo P,
- 3. Camada(s) tipo I
- 4. Camada(s) tipo N
- 5. Contato de cobertura.
[0010] Nisso, tipo N ou tipo P significa uma dopagem de carga N ou de carga tipo P que produz um aumento da densidade de elétrons ou buracos livres no estado de equilíbrio térmico. Porém, também é possível que as camada(s) tipo N ou as camada(s) tipo P, pelo menos parcialmente, sejam não dopadas nominalmente, e somente possuem preferencialmente propriedades que conduzem carga tipo N ou preferencialmente carga tipo P, somente em virtude das propriedades do material (por exemplo, mobilidades diferentes), em virtude de impurezas desconhecidas (por exemplo, resíduos remanescentes da síntese, produtos de decomposição ou de reação durante a produção das camadas) ou em virtude de influências do meio ambiente (por exemplo, camadas adjacentes, difusão de metais ou outros materiais orgânicos, dopagem de gás da atmosfera ambiente). Neste sentido, tais camadas devem em primeiro lugar ser entendidas como camadas de transporte. A denominação de camada tipo I, em contrapartida, significa uma camada não dopada nominalmente (camada intrínseca). Uma ou várias camadas tipo I podem consistir em camadas tanto de um material como também uma mistura de dois materiais (as chamadas redes inter-penetrantes ou bulk-heterojunction; M. Hiramoto et al. Mol. Cryst. Liq Cryst., 2006, 444, páginas 33-40). A luz que incide através do contato básico transparente gera na camada tipo I ou na camada tipo N / P éxcitons (pares ligados de elétrons - buracos). Estes éxcitons somente podem ser separados por meio de campos elétricos muito altos ou em superfícies de deposição apropriadas. Em células solares orgânicas não são disponíveis campos suficientemente altos, de modo que todos os conceitos promissores para células solares orgânicas se baseiam na deposição de éxcitons em superfícies de deposição fotoativas. Os éxcitons chegam através de difusão até tal superfície de deposição ativa onde elétrons e buracos são separados um do outro. O material que aloja os elétrons é denominado de aceptor, e o material que aloja o buraco é denominado de doador. A superfície de deposição pode estar situada entre a camada tipo P (N) e a camada tipo I ou entre duas camadas tipo I. No campo elétrico montado da célula solar, os elétrons são agora transportados até a área tipo N e os buracos, até a área tipo P. De preferência, também as camadas de transporte são materiais transparentes ou amplamente transparentes com grande banda proibida (wide gap) como são descritos, por exemplo, no documento WO 2004 083 958. Materiais de banda proibida, no caso, são materiais cujo máximo de absorção encontra-se na faixa de comprimento de onda <450 nm, preferencialmente, em <400 nm.
[0011] Uma vez que a luz sempre gera primeiro éxcitons e nenhum portador de carga livre, a difusão pobre de recombinações de éxcitons para a superfície de deposição ativa desempenha um papel crítico em células solares orgânicas. Portanto, a fim de contribuir para o fluxo fotoelétrico, em uma boa célula solar orgânica, o comprimento de difusão de éxcitons precisa superar claramente a profundidade de penetração típica da luz, para que a maior parte da luz possa ser aproveitada. A célula solar orgânica, estruturalmente e no que se refere à pureza química perfeita ou camadas finas, cumprem muito bem este critério. Para as aplicações em grandes superfícies, porém, o uso de materiais orgânicos monocristalinas não é possível e a produção de camadas múltiplas com perfeição estrutural suficiente até agora é muito difícil.
[0012] Caso a camada tipo I é uma camada mista, então a tarefa da absorção de luz é assumida somente por um dos componentes ou por ambos. A vantagem das camadas mistas é que os éxcitons gerados somente precisam percorrer um caminho muito curto até que chegam a uma fronteira de domínio onde são separados. A retirada dos elétrons ou dos buracos ocorre separadamente nos respectivos materiais. Uma vez que na camada mista os materiais estão em contato entre si em todo lugar, é decisivo neste conceito que as cargas separadas possuam uma longa vida útil no respectivo material e que em todo lugar haja caminhos de percolação fechados para ambos os tipos de portadores de carga em direção ao respectivo contato.
[0013] Do documento US 5 093 698 é conhecida a dopagem de materiais orgânicos. Através da adição por meio de mistura de uma substância de dopagem tipo aceptor ou doador, a concentração do portador de carga de equilíbrio na camada é aumentada e a condutibilidade aumenta. De acordo com o documento US 5 093 698, as camadas dopadas são usadas como camadas de injeção na superfície de deposição aos materiais de contato em componentes eletroluminescentes. Conceitos de dopagem semelhantes também são apropriados analogamente para células solares.
[0014] Da literatura são conhecidas diversas possibilidades de realização para a camada tipo I fotoativa. No caso, pode ser uma camada dupla (EP 0000 829) ou uma camada mista (Hiramoto, Appl. Phys. Lett. 58, 1062 (1991)). Também é conhecida uma combinação de camadas duplas e camadas mistas (Hiramoto, Appl. Phys. Lett. 58, 1062 (1991); US 6 559 375). Também é conhecido que a proporção de mistura é diferente em diversas regiões da camada mista (US 2005 0110 005), ou que a proporção da mistura apresente um gradiente.
[0015] Também são conhecidas da literatura células solares tipo tandem ou múltiplas (Hiramoto, Chem. Lett., 1990, 327 (1990); DE 1020 0401 4046).
[0016] Também são conhecidas da literatura há muito tempo células solares orgânicas múltiplas (Hiramoto, Chem. Lett., 1990, 327 (1990). Na célula múltipla de Hiramoto et al. existe uma camada de ouro de 2 nm de espessura entre as duas células individuais. A tarefa dessa camada de ouro é providenciar uma boa ligação elétrica entre as duas células individuais: A camada de ouro produz uma recombinação eficiente dos buracos de uma das células parciais com os elétrons da outra célula parcial, e com isso faz com que as duas células parciais estão eletricamente conectadas em série. Além disso, a camada de ouro absorve, como qualquer camada de metal fina (ou agregados de metal [cluster]) uma parte da luz incidente. Esta absorção, na célula múltipla de Hiramoto, é um mecanismo de perda, uma vez que através disso menos luz é disponível para as camadas fotoativas (H2Pc (ftalocianina livre de metal) / Me-PTc (N,N'-dimetilperileno-3,4,9,10-bis (dicarboxiimida) nas duas células individuais da célula tipo tandem. Portanto, nesta estrutura múltipla a tarefa da camada de ouro é puramente elétrica. Dentro deste conceito, a camada de ouro deveria ser a mais fina possível, ou, no melhor dos casos, ser eliminada completamente.
[0017] Também são conhecidas da literatura células múltiplas orgânicas PIN (DE 1020 0401 4046): a estrutura de tal célula múltipla consiste de duas células individuais PIN, sendo que a sequência de camadas "PIN" descreve a sequência de um sistema de camada dopado tipo P, um sistema de camada fotoativa não dopada, e um sistema de camada dopada tipo N. Os sistemas de camada dopados, de preferência, consistem em materiais transparentes, os chamados materiais / camadas wide-gap, e nisso, podem também ser não dopados parcialmente ou totalmente, ou também, em dependência do local, apresentar diferentes concentrações de dopagem ou dispor de um gradiente contínuo na concentração de dopagem. Em especial também são possíveis áreas muito pouco dopadas ou muito dopadas na área limítrofe nos eletrodos, na área limítrofe com uma outra camada de transporte dopada ou não dopada, na área limítrofe com as camadas ativas, ou em células tipo tandem ou múltiplas na área limítrofe da célula parcial adjacente PIN ou NIP, isto é, na área da zona de recombinação. Também é possível qualquer combinação de todas estas características. É lógico que em tal célula múltipla também pode existir uma assim chamada estrutura invertida (por exemplo, célula múltipla NIP). A seguir, todas estas possíveis formas de realização de células múltiplas são denominadas com o termo de células múltiplas PIN. Uma vantagem de tal célula múltipla PIN é que através do uso de camadas de transporte dopadas é possível uma possibilidade de realização muito simples e ao mesmo tempo muito eficiente para a zona de recombinação entre as duas células parciais. A célula múltipla apresenta, por exemplo, uma estrutura PINPIN (ou, por exemplo, também possível NIPNIP). Na área limítrofe entre as duas células parciais PIN encontram-se respectivamente uma camada dopada tipo N e uma camada dopada tipo P que constituem um sistema PN (ou um sistema NP). Em tal sistema dopado tipo PN ocorre uma recombinação muito eficiente dos elétrons e buracos. O empilhamento de duas células individuais PIN resulta, portanto, diretamente em uma célula múltipla PIN completa, sem que sejam necessárias mais camadas. Neste caso é especialmente vantajoso que não são mais necessárias camadas de metal finas, como é o caso em Hiramoto, a fim de garantir a recombinação eficiente. Dessa forma, a absorção de perda de tais camadas de metal finas pode ser evitada completamente.
[0018] Os contatos de topo até agora descritos na literatura não são suficientes para a realização de componentes optoeletrônicos com alta transparência, e apresentam reflexões altas demais. Continua havendo um grande interesse na realização de contatos de topo em substratos opacos.
[0019] Para a realização de contatos de topo transparentes em componentes orgânicos, conhecem-se da literatura camadas de metal finas, depositadas termicamente, com camadas intermediárias e camadas de ITO dispostas por meio de sputtering.
[0020] Bailey-Salzmann et al. mostram na sua publicação de 2006 (Applied Physics Letters 88, 233502 2006) o uso de camadas finas de Ag (25 nm) para a realização de células solares orgânicas semitransparentes.
[0021] Meiss et al. mostram 2009 na sua publicação (Applied Physics Letters 95, 213306 2009) o uso de camadas de transporte dopadas e de camadas finas de Ag (14 nm) para a realização de células solares orgânicas. Além disso, é usada nesta publicação uma camada intermediária fina de Al abaixo da camada Ag, para o alisamento da mesma. Também o uso de camadas orgânicas na camada fina de Ag para aumentar a transparência do contato de topo é mostrado aqui.
[0022] Na sua publicação de 2011, Meiss et. Al. (Applied Physics Letters 99, 193307, 2011) mostram como alternativa para a camada intermediária fina de Al descrita acima o uso de uma camada fina de Ca,
[0023] Da literatura também é conhecida a realização de componentes orgânicos com contato de topo transparente em um contato de base opaco. Hoffmann et. al mostram, por exemplo, na sua publicação de 2012 (Applied Physics Letters 97, 253308, 2010) um diodo emissor de luz orgânico (OLED) sob o uso de camadas de transporte dopadas, uma camada fina de metal de Ag (13 nm) e uma camada orgânica na camada de Ag para aumentar a transparência do contato de topo.
[0024] Em substratos opacos, as soluções conhecidas produzem uma absorção parasitária e perdas de reflexão mais forte e, em consequência disso, uma diminuição da eficiência em comparação com substratos transparentes, como, por exemplo, contatos básicos de ITO.
[0025] A tarefa da presente invenção é, portanto, superar as desvantagens acima mencionadas do estado da técnica e indicar um contato de topo transparente para componentes optoeletrônicos.
[0026] A tarefa é solucionada com um componente de acordo com a presente invenção. As formas de execução vantajosas são indicadas nas concretizações.
[0027] A presente invenção revela um componente optoeletrônico em um substrato compreendendo um primeiro eletrodo e um segundo eletrodo, sendo que o primeiro eletrodo é disposto no substrato e o segundo eletrodo constitui um contra-eletrodo, sendo que entre estes eletrodos é disposto pelo menos um sistema de camadas fotoativas que compreende pelo menos um sistema de doador-aceptor com materiais orgânicos, sendo que o contra-eletrodo apresenta pelo menos uma primeira camada compreendendo metal ou uma liga de metal. Além disso, o contra-eletrodo compreende uma primeira camada intermediária de um metal alcalino ou metal alcalino terroso, um óxido de metal, sendo que a primeira camada intermediária é disposta entre a primeira camada e o sistema de camadas fotoativas do componente. O contra-eletrodo compreende também uma segunda camada disposta na primeira camada, e uma espessura de camada entre 10 até 100 nm.
[0028] Em uma forma de execução, o metal da primeira camada é selecionado de um grupo consistindo em Ag, Au, Pt, Cr, Ti, Al, Zr, Cu, Zn, Sn, Sr, La, In, Sc, Hf.
[0029] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a primeira camada compreende um metal alcalino ou alcalino terroso, um óxido de metal.
[0030] Em uma forma de execução da presente invenção, a primeira camada contém Ag.
[0031] Em uma forma de execução da presente invenção, a primeira camada contém uma liga de Ag e Ca ou Ag e Mg.
[0032] Em uma forma de execução da presente invenção, a camada contém uma liga de Ag e Ca ou Ag e Mg, sendo que a proporção de Ag ou Ca ou Mg é de pelo menos 30%.
[0033] Em uma outra forma de execução, a primeira camada intermediária apresenta uma espessura de camada de 0,05 até 30 nm.
[0034] Em uma outra forma de execução, e primeira camada intermediária contém Ca ou MoOx.
[0035] Em uma outra forma de execução, a primeira camada intermediária compreende um haloide de metal alcalino ou de metal alcalino terroso.
[0036] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a segunda camada compreende um metal alcalino ou um metal alcalino terroso, um óxido de metal ou um material orgânico.
[0037] Em uma outra forma de execução da presente invenção, uma camada de proteção é disposta na segunda camada que compreende um óxido de metal e apresenta uma espessura de camada > 100 nm. A camada de proteção, no caso, serve, por exemplo, como proteção contra arranhões.
[0038] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o substrato é opaco ou transparente.
[0039] O termo opaco, no sentido da presente invenção, significa não transparente.
[0040] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o substrato é flexível.
[0041] Um substrato flexível, no contexto da presente invenção, é um substrato que garante uma deformabilidade em consequência de uma ação de força externa. Em virtude disso, tais substratos flexíveis são apropriados para a disposição em superfícies curvadas. Substratos flexíveis são, por exemplo, folhas ou fitas metálicas.
[0042] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o substrato é flexível.
[0043] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o eletrodo que é disposto no substrato é opaco ou transparente.
[0044] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o eletrodo disposto no substrato compreende um metal, um óxido de metal, um sistema de camadas de metal - óxido de metal, partículas de metal, nanofios de metal, gráficos, semicondutores orgânicos.
[0045] Em uma primeira forma de execução da presente invenção, a primeira camada intermediária do contra-eletrodo apresenta uma espessura de camada entre 0,1 até 100 nm, e é depositado por meio de evaporação térmica. Isto é vantajoso especialmente quando a intenção é separar camadas metálicas ou camadas de óxido de metal em camadas orgânicas ou camadas contendo materiais orgânicos.
[0046] Evaporação térmica, no sentido da presente invenção, é o aquecimento do material a ser evaporado em um dispositivo de evaporação, sendo que o material é aquecido e, em consequência, evaporado, de modo que se forma um vapor de metal, sendo que este vapor de metal se deposita como camada em um substrato que é disposto na proximidade do dispositivo de evaporação.
[0047] Em uma forma de execução da presente invenção, a primeira camada apresenta uma espessura de camada entre 0,5 e 30 nm.
[0048] Em uma forma de execução da presente invenção, a primeira camada é depositada por meio de evaporação térmica, e apresenta uma espessura de camada entre 0,5 até 20 nm.
[0049] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a primeira camada intermediária contém um óxido de molibdênio, selecionado do grupo MoO, MoO2 e MoO3.
[0050] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a primeira camada do contra-eletrodo apresenta uma espessura de camada entre 3 e 20 nm, de preferência, de 5 até 10 nm e não é depositada por meio de evaporação térmica. Métodos de deposição alternativos, se comparados à evaporação térmica, em seguida técnicas de deposição, podem ser, por exemplo, evaporação por feixe de elétrons (inglês: electron beam evaporation), evaporação por raio laser (inglês: pulsed laser deposition, pulsed laser ablation), evaporação por arco voltaico (inglês: arc evaporation, Arc-PVD), epitaxia por feixe molecular (inglês: molecular beam epitaxy), sputtering (deposição por meio de sputtering, pulverização de catodo), deposição apoiada por feixe iônico (inglês: ion beam assisted deposition, IBAD), chapeamento de íons, técnica ICB (inglês: ionized cluster beam deposition, ICBD). k
[0051] A deposição da primeira camada por meio de métodos de deposição alternativos em comparação com a evaporação térmica reúne várias vantagens:
- 1) Em comparação com a evaporação térmica, com a ajuda de métodos de deposição alternativos podem ser criadas camadas mais lisas, de modo que já em camadas muito finas pode ser obtida uma camada fechada com alta condutibilidade no plano do substrato. Devido à espessura menor das camadas podem ser obtidas transmissões altas da camada, apresentando ao mesmo tempo uma condutibilidade suficiente (no plano).
- 2) Em comparação com a evaporação térmica, com a ajuda das técnicas de deposição acima mencionadas, pode ser gerado um alto grau de homogeneidade da espessura da camada no substrato. Isto é especialmente importante em camadas finas de contato de topo, uma vez que oscilações na espessura de camada da segunda camada exercem um efeito direto sobre a potência do componente, produzindo uma alteração visível da impressão óptica do componente, o que em geral não é desejado.
- 3) Em virtude do uso de métodos alternativos de deposição, em comparação com a evaporação térmica, é possível usar um número maior de materiais diferentes com grande variação dos parâmetros de processo (por exemplo, sputtering reativo).
[0052] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a segunda camada apresenta uma espessura de camada entre 10 até 100 nm e é depositada por meio de evaporação térmica ou métodos alternativos de deposição. A segunda camada serve, em primeiro lugar, para reduzir a reflexão da camada fina do contato de topo, e deveria apresentar um índice de refração maior do que o meio adjacente que segue a segunda camada na faixa de comprimento de onda utilizável para a célula solar.
[0053] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a segunda camada apresenta um índice de refração > 2, preferencialmente 2,2. Isto é vantajoso especialmente para garantir um índice de refração maior na faixa de comprimento de onda utilizável pela célula solar, em comparação com camadas de cola seguintes. Compostos exemplares com um índice de refração > 2 são, por exemplo, selenetos, sulfetos, teluretos, nitretos, polímeros, tais como, por exemplo, ZnS, ZnSe, ZnTe.
[0054] Em uma outra forma de execução da presente invenção, uma camada de proteção é disposta na segunda camada que compreende um óxido de metal e que apresenta uma espessura de camada de > 100 nm. Esta camada de proteção fornece ao componente uma proteção mecânica, de modo que o toque no lado ativo é possível, e/ou providencia uma proteção mais forte do componente orgânico contra água e oxigênio.
[0055] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma segunda camada intermediária de um metal ou oxido de metal é inserida entre a primeira camada intermediária e a primeira camada do contra-eletrodo, segunda camada intermediária esta que apresenta uma espessura de camada entre 0,02 até 40 nm. Esta segunda camada intermediária pode agir como camada de alisamento ou como camada umidificante (wetting layer) ou camada de germinação (seedlayer).
[0056] Em uma execução da segunda camada intermediária como camada de alisamento é compensada a rugosidade de camadas abaixo dela, de modo que a primeira camada condutiva cresce através da primeira camada intermediária alisada pela segunda camada intermediária, sendo que é obtida uma condutibilidade suficiente da primeira camada com espessuras de camada já menores.
[0057] Em uma execução da segunda camada intermediária como camada de umidificação, esta impede ou diminui o crescimento de ilha da primeira camada, de modo que já com espessuras de camada pequenas da primeira camada é gerada uma condutividade suficiente no plano do substrato. Em uma realização da segunda camada intermediária como camada de germinação, o crescimento de ilha, na verdade, não pode ser impedido, mas na deposição da primeira camada formamse ilhas nos germes de camada de germinação, que ficam muito perto lado a lado, de modo que com espessuras de camadas pequenas da primeira camada é gerada uma condutibilidade suficiente no plano do substrato.
[0058] A segunda camada intermediária pode ser depositada, por exemplo, por meio das técnicas de deposição acima mencionadas.
[0059] Em uma realização da forma de execução, a segunda camada intermediária é feita de várias camadas com composição de material diferente. A segunda camada intermediária também pode ser feita de um material condutor ou de uma mistura de materiais. Também é imaginável que esta camada contribui para a redução do estresse entre as camadas do componente. Tal estresse entre as camadas pode ocorrer, por exemplo, em virtude de diferentes coeficientes de dilatação térmica (coeficientes de dilatação ou algo semelhante), o que no pior dos casos pode causar uma deposição parcial ou total das camadas.
[0060] Em uma outra forma de execução da presente invenção, uma terceira camada intermediária com uma espessura de camada entre 0,02 nm e 40 nm de um metal ou oxido de metal é inserida entre a primeira e a segunda camada do contra-eletrodo. Esta terceira camada intermediária pode agir como camada de alisamento, camada de umidificação ou camada de germinação. A terceira camada intermediária pode ser depositada por meio de uma das técnicas de deposição ou evaporação térmica acima mencionadas. Em uma realização da forma de execução, a terceira camada intermediária é executada de várias camadas com composição de materiais diferentes. Além disso, a terceira camada intermediária pode ser executada de um material condutor ou de uma mistura de materiais. Além disso, é imaginável que esta terceira camada intermediária contribui para a redução do estresse.
[0061] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a segunda camada compreende um metal alcalino ou um metal alcalino terroso, um óxido de metal ou um material orgânico.
[0062] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a segunda camada compreende um nitreto, seleneto, sulfeto, óxido, telureto ou polímero.
[0063] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a segunda camada compreende Ag, Au, Pt, Cr, Ti, Al, Zr, Cu, Zn, Sn, Sr, La, In, Sc, Hf ou uma liga contendo pelo menos um dos elementos acima mencionados.
[0064] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o componente é uma célula PIN individual, uma célula múltipla PIN, uma célula individual NIP, ou uma célula múltipla NIP.
[0065] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o componente é executado de uma combinação de estruturas NIP, NI, IP, PNIP, PNI, PIP, NIPN, NIN, IPN, PNIPN, PNIN ou PIPN, onde várias combinações independentes que abrangem pelo menos uma camada tipo I são empilhadas uma sobre a outra.
[0066] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a camada ativa abrange pelo menos uma camada mista com pelo menos dois materiais principais, sendo que estes constituem um sistema de doador-aceptor fotoativo.
[0067] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos um material principal é um material orgânico.
[0068] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o material orgânico são pequenas moléculas. O termo pequenas moléculas, no contexto da presente invenção, são monômeros que podem ser evaporadas e depositadas no substrato.
[0069] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o material orgânico, pelo menos em parte, são polímeros.
[0070] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma das camadas mistas ativas contém como aceptor um material do grupo dos fulerenos ou derivados de fulereno.
[0071] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma camada de transporte dopada, parcialmente dopada ou não dopada é disposta entre o eletrodo e o contra-eletrodo.
[0072] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma camada de transporte dopada, parcialmente dopada ou não dopada é disposta entre o contra-eletrodo e o sistema de camadas fotoativas.
[0073] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o componente optoeletrônico é uma célula solar orgânica.
[0074] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o componente optoeletrônico é um diodo emissor de luz orgânico.
[0075] O objeto da presente invenção é também um dispositivo de eletrodo de um sistema de camadas compreendendo pelo menos uma primeira camada de um metal ou liga de metal, e uma primeira camada intermediária que é disposta entre uma camada fotoativa e a primeira camada, sendo que o sistema de camadas apresenta uma transparência de 40 até 95%.
[0076] Também é objeto da presente invenção o uso de um dispositivo de eletrodos em um componente optoeletrônico.
[0077] Também é objeto da presente invenção um processo para a produção de um dispositivo de eletrodos para um componente optoeletrônico, compreendendo as etapas:
- - Deposição de uma primeira camada intermediária de um metal alcalino ou alcalino terroso ou óxido de metal em um sistema de camadas fotoativas do componente, sendo que a deposição ocorre por meio de evaporação térmica.
- - Deposição de uma primeira camada na primeira camada intermediária, sendo que a deposição da primeira camada ocorre por meio de uma deposição, selecionada do grupo consistindo de evaporação por feixe de elétrons, evaporação por raio laser, evaporação por arco voltaico, epitaxia por feixe molecular, sputtering, deposição apoiada por feixe de íons, chapeamento de íons, técnica ICB.
- - Deposição de uma segunda camada sobre a primeira camada.
[0078] Em uma outra forma de execução da presente invenção, o componente optoeletrônico apresenta mais do que uma camada fotoativa entre o eletrodo e o contra-eletrodo.
[0079] Em uma outra forma de execução da presente invenção, as camadas mistas preferencialmente consistem em dois materiais principais.
[0080] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pode haver nas diversas camadas de mistura um gradiente da proporção da mistura.
[0081] Em uma outra forma de execução da presente invenção, uma ou várias das outras camadas orgânicas são camadas dopadas de wide -gap, sendo que o máximo da absorção se encontra em < 450 nm.
[0082] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos dois materiais principais das camadas mistas apresentam diferentes espectros de absorção óptica.
[0083] Em uma outra forma de execução da presente invenção, os materiais principais das camadas mistas apresentam diferentes espectros de absorção óptica que se complementam mutuamente a fim de cobrir uma faixa espectral mais ampla possível.
[0084] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a faixa de absorção de pelo menos um dos materiais principais das camadas mistas estende-se para dentro da faixa infravermelha.
[0085] Em uma outra forma de execução da presente invenção, a faixa de absorção de pelo menos um dos materiais principais das camadas mistas estende-se para dentro da faixa infravermelha na faixa de comprimento de ondas de > 700 nm até 1500 nm.
[0086] Em uma outra forma de execução da presente invenção, os níveis HOMO e LUMO dos materiais principais são adaptados de tal modo que o sistema possibilita uma tensão máxima de circuito aberto, uma corrente máxima de curto-circuito e um fator de concentração máximo.
[0087] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma das camadas mistas fotoativa contém como aceptor um material do grupo dos fulerenos ou derivados de fulerenos (C60, C70, etc.).
[0088] Em uma outra forma de execução da presente invenção, todas as camadas mistas fotoativas contêm como aceptor um material do grupo dos fulerenos ou derivados de fulerenos (C60, C70, etc.).
[0089] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma das camadas mistas fotoativas contém como doador um material da classe dos ftalocianinas, derivados de perileno, derivados TPD, oligotiofenos ou um material como é descrito no documento WO 2006 092 134.
[0090] Em uma outra forma de execução da presente invenção, pelo menos uma das camadas mistas fotoativas contém como aceptor o material fulereno C60, e como coador, o material 4P-TPD.
[0091] O escopo da presente invenção compreende também células solares de polímero que contêm duas ou mais camadas mistas fotoativas, sendo que as camadas mistas são diretamente adjacentes. Em células solares de polímero, porém, há o problema de que os materiais são aplicados de solução e assim, mais uma camada aplicada facilmente faz com que as camadas em baixo sejam dissolvidas ou alteradas na sua morfologia. No caso de células solares de polímero, somente com muitas restrições podem ser produzidas camadas mistas múltiplas e isto também apenas pelo fato de que são usados diferentes sistemas de materiais e solventes que durante a produção não exercem nenhuma ou uma influência mutua pequena. Neste caso, células solares de moléculas pequenas apresentam uma vantagem clara, uma vez que através do processo de evaporação no vácuo quaisquer sistemas e camadas podem ser dispostos uns sobre os outros, e assim a vantagem da estrutura de camadas mistas múltiplas pode ser aproveitada muito amplamente, e ser realizada com quaisquer combinações de material.
[0092] Em uma outra forma de execução da presente invenção, há entre a primeira camada que conduz elétrons (camada tipo N) e o eletrodo que se encontra sobre o substrato, ainda uma camada dopada tipo P, de modo que se trata de uma estrutura PNIP ou PNI, sendo que preferencialmente a dopagem é selecionada tão alta que o contato direto PN não apresenta nenhum efeito bloqueador, mas que ocorre uma recombinação sem perdas, preferencial mente por meio de um processo de túnel.
[0093] Em uma outra forma de execução da presente invenção, há no componente entre a camada ativa e o eletrodo que se encontra no substrato ainda uma camada dopada tipo P, de modo que se trata de uma estrutura PIP ou PI, sendo que a camada dopada tipo P adicional tem uma posição de nível de Fermi que se encontra no máximo 0,4 eV, de preferência, menos do que 0,3 eV abaixo do nível de transporte de elétrons da camada tipo I, de modo que pode ocorrer uma extração de elétrons com pouca perda da camada tipo I para esta camada tipo P.
[0094] Em uma outra forma de execução da presente invenção, existe ainda um sistema de camadas tipo N entre a camada dopada tipo P e o contra-eletrodo, de modo que se trata de uma estrutura NIPN ou IPN, sendo que preferencialmente a dopagem é selecionada tão alta que o contato direto P-N não exerce nenhum efeito bloqueador, mas que ocorre uma recombinação com pouca perda, de preferência, por meio de um processo de túnel.
[0095] Em uma outra forma de execução pode existir no componente ainda um sistema de camadas tipo N entre a camada fotoativa intrínseca e o contra-eletrodo, de modo que se trata de uma estrutura NIN ou IN, sendo que a camada adicional dopada tipo N tem uma posição de nível de Fermi que se encontra no máximo 0,4 eV, preferencialmente menos do que 0,3 eV acima do nível de transporte de buracos da camada tipo I, de modo que pode ocorrer uma extração de buracos com poucas perdas da camada tipo I para esta camada tipo N.
[0096] Em uma outra forma de execução, o material de aceptor dispõe de um máximo de absorção na faixa de comprimento de onda > 450 nm.
[0097] Em uma outra forma de execução, o material de doador dispõe de um máximo de absorção na faixa de comprimento de onda > 450 nm.
[0098] Em uma outra forma de execução, o sistema de camadas ativa contém adicionalmente à camada mista mencionada também outras camadas individuais ou mistas fotoativas.
[0099] Em uma outra forma de execução, o sistema de material tipo N compreende uma ou várias camadas dopadas de wide-gap. O termo camadas wide-gap define camadas com um máximo de absorção na faixa de comprimento de onda < 450 nm.
[00100] Em uma outra forma de execução, o sistema de material tipo P compreende uma ou várias camadas wide-gap dopadas.
[00101] Em uma outra forma de execução, o material de aceptor é um material do grupo dos fulerenos ou derivados dos fulerenos (preferencialmente, C60 ou C70) ou um derivado de PTCDI (derivado de perileno-3, 4, 9, 10-bis(dicarboximida).
[00102] Em uma outra forma de execução, o material de doador é um oligômero, especialmente um oligômero de acordo com o documento WO 2006 092 134, um derivado de porfirina, um derivado de pentaceno ou um derivado de perileno, como DIP (Di-indeno-perileno), DBP (Di- benzo-perileno).
[00103] Em uma outra forma de execução, o sistema de material tipo P contém um derivado TPD (dímero de trifenilamina), um composto espiro, tais como espiropiranos, espiroxazines, MeO-TPD (N,N,N’,N’-tetra- cis(4-metoxifenil)- benzidina), Di-NPB (N,N’ difenil-N,N’-bis (N,N’-di (1- naftil)-N,N’-difenil -(1,1’-bifenil) 4,4’diamina), MTDATA (4,4’, 4”-tris-(N- 3-metilfenil -N-fenil-amino)-trifenilamina), TNATA (4,4’, 4”-tris[N-(1-naf- til)-N-fenil-amino] - trifenilamina), BPAPF (9,9-bis (4-[di- (p-bifenil) aminofenil] } fluorenos), NPAPF (9,9-bis [4-N,N’-bis-naftaleno-2-il-amino)fenil]-9H-fluoreno), espiro-TAD (2,2’, 7,7’-tetracis=(difenilamino)-9,9’- espirobifluoreno), PV-TPD (N,N’-di 4-2,2-difenil-eteno-1-il-fenil-N,N-di 4- metilfenilfenilbenzidinas), 4P-TPD (4,4’-bis- (N, N-difenilamina)-tetrafenila) ou um material tipo P descrito no documento DE 1020 0401 4046.
[00104] Em uma outra forma de execução, o sistema de material tipo N contém fulerenos, tais como, por exemplo, C60, C70; NTCDA (1,4,5,8- naftaleno-dianidrido tetracarboxílico), NTCDI (naftalenotetra carboxílico di-imidas) ou PTCDI (perileno-3, 4, 9, 10-bis (dicarboximida).
[00105] Em uma outra forma de execução, o sistema de material tipo P contém um doador P, sendo que este doador P F4-TCNQ é um doador P, como nos documentos DE 103 38 406, DE 103 47 856, DE 1035 7044, DE 10200401 0954, DE 1020 0605 3320, DE 1020 0605 4524, e DE 1020 0805 1737, ou um óxido de metal de transição (VO, WO, MoO, etc.).
[00106] Em uma outra forma de execução, o sistema de material tipo N compreende um doador N, sendo que este doador N é um derivado TTF (derivado de tetratiafulvaleno) ou um derivado de DTT (didian tiofeno), um doador tipo N como descrito nos documentos DE 1033 8406, DE 1034 7856, DE 1035 7044, DE 102 0401 0954, DE 1020 0605 3320, DE 1020 0605 4524 e DE 1020 0805 1737, ou Cs, Li ou Mg.
[00107] Em uma outra forma de execução, um eletrodo é transparente com uma transmissão > 80% e o outro eletrodo reflete com uma reflexão > 50%.
[00108] Em uma outra forma de execução, o componente é semitransparente com uma transmissão de 10 - 80%.
[00109] Em uma outra forma de execução, os materiais orgânicos usados apresentem um ponto de fusão baixo, preferencialmente < 100 °C.
[00110] Em uma outra forma de execução, os materiais orgânicos usados apresentam uma temperatura baixa de transição vítrea, preferencialmente < 150 °C.
[00111] Em uma outra forma de execução, os componentes optoeletrônicos de acordo com a presente invenção são usados junto com compensadores de energia ou meio de acumulação de energia, tais como, por exemplo, acumuladores, capacitores, etc., para a conexão a consumidores ou equipamentos.
[00112] Em uma outra forma de execução, os componentes optoeletrônicos de acordo com a presente invenção são usados em combinação com baterias de camada fina.
[00113] Em uma outra forma de execução, os componentes optoeletrônicos de acordo com a presente invenção são usados em superfícies curvadas, tais como, por exemplo, vidro, concreto, telhas, argila, vidro para veículos automotores etc. Nisso é vantajoso que as células solares orgânicas de acordo com a presente invenção podem ser dispostas em suportes flexíveis, tais como, folhas, tecidos etc., em comparação com células solares orgânicas convencionais.
[00114] Para a execução da presente invenção, também podem ser combinadas entre si as formas de execução acima descritas.
[00115] A seguir, a presente invenção será explicada detalhadamente com a ajuda de alguns exemplos de execução e figuras. Nisso, os exemplos de execução destinam-se a descrever a presente invenção, sem restringi-la.
[00116] A figura 1 mostra uma representação esquemática de uma primeira execução de acordo com a presente invenção de uma disposição de eletrodos.
[00117] A figura 2 mostra uma representação esquemática de uma segunda execução de acordo com a presente invenção de uma disposição de eletrodos.
[00118] A figura 3 mostra uma representação esquemática de uma terceira execução de acordo com a presente invenção de uma disposição de eletrodos.
[00119] A figura 4 mostra uma representação esquemática de uma quarta execução de acordo com a presente invenção de uma disposição de eletrodos.
[00120] Em um exemplo de execução da presente invenção, a figura 1 mostra uma disposição de eletrodos 1 de acordo com a presente invenção que compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. A primeira camada intermediária 3, no caso, é depositada por meio de evaporação térmica sobre uma camada orgânica do componente. Em cima dela é depositada uma primeira camada 2 compreendendo um metal, tal como, por exemplo, Ag. A deposição, no caso, ocorre por meio de sputtering. Nesta primeira camada 2 é disposta uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, N, N’-bis( naftaleno-1-il)-N, N’-bis(fenilo) - benzidina.
[00121] Em um outro exemplo de execução não apresentado detalhadamente da presente invenção, a disposição de eletrodos 1 de acordo com a presente invenção compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. A primeira camada intermediária 3, no caso, é depositada por meio de evaporação térmica em uma camada orgânica do componente. Em cima é disposta uma primeira camada 2 compreendendo uma liga de metal, tal como, por exemplo, Ag:Ca. A deposição, no caso é feita por meio de sputtering. Sobre esta primeira camada 2 é colocada uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão, que compreende, por exemplo, N, N’-bis(naftaleno-1-il)-N, N’-bis(fenil) - benzidina.
[00122] Em um outro exemplo de execução não mostrado detalhadamente da presente invenção, a disposição de eletrodos 1 de acordo com a presente invenção compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal alcalino ou alcalinoterroso, por exemplo, de Ca. A primeira camada intermediária 3, no caso, é depositada por meio de evaporação térmica em uma camada orgânica do componente. Em cima é depositada uma primeira camada 2 compreendendo uma liga de metal, tal como, por exemplo, Ag:Ca. Nisso, a deposição ocorre por meio de sputtering. Nesta primeira camada 2 é disposta uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, ZnS, ZnSe ou ZnTe.
[00123] Em um outro exemplo de execução não mostrado detalhadamente da presente invenção, a disposição de eletrodos 1 de acordo com a presente invenção compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal alcalino ou alcalinoterroso, por exemplo, de Mg. No caso, a primeira camada intermediária 3 é depositada em uma camada orgânica do componente por meio de evaporação térmica. Em cima dela é depositada uma primeira camada 2 compreendendo uma liga de metal, tal como, por exemplo, Ag:Mg. A deposição e feita por meio de sputtering. Nesta primeira camada 2 é depositada uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, ZnS, ZnSe ou ZnTe.
[00124] Um outro exemplo de execução mostra na figura 2 uma outra execução de uma disposição de eletrodos 1 que apresenta a mesma construção como a do exemplo de execução anterior, sendo que na segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e ter uma espessura de camada de 150 nm.
[00125] Em um outro exemplo de execução, a figura 3 mostra uma representação esquemática de uma disposição de eletrodos 1 que compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima dela é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Nb2O5 que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Sobre esta segunda camada intermediária 6 é depositada a primeira camada intermediária 3 de um metal, tal como, por exemplo, Ag, sendo que a deposição é feita por meio se sputtering. Nesta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada 4 como uma camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, N, N’-bis( naftaleno-1-il)-N, N’-bis(fenil) - benzidina. Nesta segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00126] Em um outro exemplo de execução não mostrado detalhadamente, a disposição de eletrodos 1 compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima dela é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Mg que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Sobre esta segunda camada intermediária 6 é depositada a primeira camada intermediária 3 de uma liga de metal, tal como, por exemplo, Ag:Mg, sendo que a deposição é feita por meio de sputtering. Em cima desta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, ZnS. Sobre esta segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00127] Em um outro exemplo de execução não mostrado detalhadamente, a disposição de eletrodos 1 compreende uma primeira camada intermediária 3 de metal ou óxido de metal, por exemplo, MoO3. Em cima dela é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Ca que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Nesta segunda camada intermediária 6 é depositada a primeira camada intermediária 3 de uma liga de metal, tal como, por exemplo, Ag:Ca, sendo que a deposição é feita por meio de sputtering. Nesta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que contém, por exemplo, ZnSe. Nesta segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00128] Em uma outra realização não mostrada detalhadamente do exemplo de execução acima descrito, a segunda camada intermediária 6 é feita de óxido de zinco (AZO) dopado com alumínio. No caso, a espessura de camada pode situar-se entre 5 até 40 nm.
[00129] Em uma outra realização não mostrada detalhadamente do exemplo de execução acima descrito, a segunda camada intermediária 6 é de Al. A espessura de camada pode ser, no caso, entre 0,2 até 3 nm.
[00130] Em uma outra forma de execução não mostrada detalhadamente do exemplo de execução acima descrito, a disposição de eletrodos 1 apresenta uma primeira camada intermediária 3 que compreende um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima dela é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Nb2O5 que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Nesta segunda camada intermediária 6 é depositada uma primeira camada intermediária 3 de um metal, tal como, por exemplo, Ag, sendo que a deposição é feita por meio de sputtering. Sobre esta primeira camada intermediária 3 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00131] Em uma outra forma de execução, a figura 4 mostra uma representação esquemática de uma disposição de eletrodos 1 que compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima desta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Nb2O5 que possui uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Sobre está é disposta uma primeira camada 2 de um metal, tal como, por exemplo, Ag, sendo que a deposição da primeira camada 2 é feita por meio de sputtering. Nesta primeira camada 2 é depositada uma terceira camada intermediária 7, por exemplo, de ITO. A espessura de camada desta terceira camada intermediária 7 de ITO situa-se entre 5 até 40 nm. Nesta terceira camada intermediária 7 é depositada uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, N, N’-bis( naftaleno-1-il)-N, N’-bis(fenilo) - benzidina. Nesta segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e ter uma espessura de camada de 150 nm.
[00132] Em uma outra forma de execução acima descrito, a terceira camada intermediária 7 é feita de óxido de zinco AZO dopado com alumínio, sendo que esta camada intermediária apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm.
[00133] Em uma outra forma de execução não mostrada detalhadamente do exemplo de execução acima descrito, a disposição de eletrodos 1 apresenta uma primeira camada intermediária 3 que compreende um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima desta primeira camada intermediária 3 encontra-se uma segunda camada intermediária 6 de Nb2O5 que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Sobre esta é disposta uma primeira camada intermediária 3 de um metal, tal como Ag, sendo que a deposição da primeira camada 2 é feita por meio de sputtering. Em cima desta primeira camada 2 é disposta uma terceira camada intermediária 7, por exemplo, de ITO. A espessura de camada desta terceira camada intermediária 7 de ITO situa-se entre 5 até 40 nm. Sobre esta terceira camada intermediária 7 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00134] Em uma outra forma de execução não mostrado detalhadamente, a disposição de eletrodos 1 compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Nesta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Nb2O5 que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Nesta segunda camada intermediária 6 é disposta uma primeira camada intermediária 2 de um metal como, por exemplo, Ag, sendo que a deposição da primeira camada 2 é feita por meio de sputtering. Nesta primeira camada 2 é disposta uma terceira camada intermediária 7, por exemplo, de ITO. A espessura de camada dessa terceira camada intermediária 7 de ITO situa-se entre 5 até 40 nm. Em cima desta terceira camada intermediária 7 é disposta uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, N, N’-bis( naftaleno-1-il)-N, N’-bis(fenilo) - benzidina. Sobre esta segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00135] Em uma outra forma de execução não mostrado detalhadamente, a disposição de eletrodos 1 compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima desta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Mg que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Em cima desta segunda camada intermediária 6 é disposta uma primeira camada 2 de uma liga de metal como, por exemplo, Ag:Mg, sendo que a deposição da primeira camada 2 é feita por meio de sputtering. Em cima desta primeira camada 2 é disposta uma terceira camada intermediária 7, por exemplo, de Mg. A espessura de camada dessa terceira camada intermediária 7 de Mg situa-se entre 5 até 40 nm. Nesta terceira camada intermediária 7 é disposta uma segunda camada 4 como camada de redução de reflexão que compreende, por exemplo, ZnS, ZnDe ou ZnTe. Nesta segunda camada 4 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
[00136] Em uma outra forma de execução não mostrado detalhadamente, a disposição de eletrodos 1 compreende uma primeira camada intermediária 3 de um metal ou óxido de metal, por exemplo, de MoO3. Em cima desta primeira camada intermediária 3 é disposta uma segunda camada intermediária 6 de Nb2O5 que apresenta uma espessura de camada entre 5 até 40 nm. Nesta segunda camada intermediária 6 é disposta uma primeira camada 2 de um metal, tal como, por exemplo, Ag, sendo que a deposição da primeira camada 2 é feita por meio de sputtering. Nesta primeira camada 2 é disposta uma terceira camada intermediária 7, por exemplo, de ITO. A espessura de camada desta terceira camada intermediária 7 de ITO é de entre 5 até 40 nm. Nesta terceira camada intermediária 7 é disposta uma camada de proteção contra arranhões 5. Esta camada de proteção contra arranhões 5 pode ser feita, por exemplo, de TiO2 e apresentar uma espessura de camada de 150 nm.
Lista de Referências:
Lista de Referências:
- 1 Disposição de eletrodos
- 2 Primeira camada
- 3 Primeira camada intermediária
- 4 Segunda camada
- 5 Camada de proteção contra arranhões
- 6 Segunda camada intermediária
- 7 Terceira camada intermediária
Claims (17)
- Componente optoeletrônico em um substrato compreendendo um primeiro eletrodo e um segundo eletrodo, sendo que o primeiro eletrodo é disposto no substrato e o segundo eletrodo forma um contra-eletrodo (1), sendo que entre estes eletrodos é disposto pelo menos um sistema de camadas fotoativas, que compreende pelo menos um sistema fotoativo de doador-aceptor com materiais orgânicos e uma camada de transporte dopada, parcialmente dopada ou não dopada, isto é, uma camada n ou p, sendo que o contra-eletrodo (1) apresenta pelo menos uma primeira camada (2), o contra-eletrodo (1) compreende ainda uma primeira camada intermediária (3) de um metal alcalino ou alcalinoterroso ou MoOx, sendo que a primeira camada intermediária (3) é disposta entre a primeira camada (2) e o sistema de camadas fotoativas do componente e o contra-eletrodo (1) compreende uma segunda camada (4), que é disposta sobre a primeira camada (2) e apresenta uma espessura de camada entre 10 nm até 100 nm, e a camada de transporte é disposta entre o sistema de camadas fotoativas e o contraeletrodo (1), caracterizado pelo fato de que a primeira camada (2) compreende uma liga de metal que contém Ag e a segunda camada (4) apresenta um índice de refração n > 2.
- Componente, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira camada (2) contém uma liga de Ag e Ca ou Ag e Mg.
- Componente, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a primeira camada (2) contém uma liga de Ag e Ca ou Ag e Mg, sendo que a proporção do Ag ou Ca ou Mg é de pelo menos 30%.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que a primeira camada intermediária (3) do contra-eletrodo (1) apresenta uma espessura de camada entre 0,1 nm até 100 nm.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que a primeira camada (2) do contra-eletrodo (1) apresenta uma espessura de camada entre 3 nm e 20 nm, preferencialmente entre 5 nm até 10 nm.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que a primeira camada intermediária (3) contém Ca, Mg ou MoOx.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que a segunda camada (4) compreende um metal alcalino ou alcalinoterroso, um óxido de metal ou um material orgânico.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que a segunda camada (4) compreende um nitreto, seleneto, sulfeto, óxido, telureto ou polímero.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que a segunda camada (4) apresenta um índice de refração > 2,2.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que na segunda camada (4) é disposta uma camada de proteção (5), que compreende um óxido de metal e apresenta uma espessura de camada > 100 nm.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que entre a primeira camada intermediária (3) e a primeira camada (2) do contra-eletrodo (1) é inserida uma segunda camada intermediária (6) de um metal ou óxido de metal, sendo que a segunda camada intermediária (6) apresenta uma espessura de camada entre 0,02 nm até 40 nm, de preferência entre 0,05 nm até 30 nm.
- Componente, de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que a segunda camada intermediária (6) consiste em óxido de zinco dopado com alumínio, magnésio, cálcio ou alumínio.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que entre a primeira camada (2) e a segunda camada (4) do contra-eletrodo (1) é inserida uma outra camada intermediária (7) de um metal ou óxido de metal.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que o substrato é executado opaco ou transparente.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que o substrato é executado flexível.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que o componente optoeletrônico é uma célula solar orgânica.
- Componente, de acordo com qualquer uma das reivindicações anteriores, caracterizado pelo fato de que o componente é uma célula individual, uma célula tandem ou uma célula múltipla, sendo que o sistema de camadas fotoativas é executado de uma combinação de estruturas nip, ni, ip, pnip, pni, pip, nipn, nin, ipn, pnipn, pnin ou pipn, sendo que várias combinações independentes, que contêm pelo menos uma camada tipo I, são empilhadas uma sobre a outra.
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| JP2004119129A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Tokai Rubber Ind Ltd | 色素増感型太陽電池の製法およびそれによって得られた色素増感型太陽電池 |
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| US8212269B2 (en) | 2004-11-16 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting device, method for producing thereof and array of organic light emitting devices |
| US7259405B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-08-21 | Au Optronics Corporation | Organic photoelectric device with improved electron transport efficiency |
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| JP4927423B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-05-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2007035893A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発電素子 |
| WO2007029750A1 (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Kyoto University | 有機薄膜光電変換素子及びその製造方法 |
| JP4970443B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-07-04 | パイオニア株式会社 | 有機太陽電池 |
| DE102006053320B4 (de) | 2006-11-13 | 2012-01-19 | Novaled Ag | Verwendung einer Koordinationsverbindung zur Dotierung organischer Halbleiter |
| DE102006054524B4 (de) | 2006-11-20 | 2022-12-22 | Novaled Gmbh | Verwendung von Dithiolenübergangsmetallkomplexen und Selen- analoger Verbindungen als Dotand |
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| FR2922886B1 (fr) | 2007-10-25 | 2010-10-29 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu de couches a resistivite amelioree. |
| DE102008011444A1 (de) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermochrom beschichtete Substrate und Verfahren zu deren Herstellung |
| EP2298032A4 (en) * | 2008-05-06 | 2012-06-20 | Agency Science Tech & Res | ELECTRICALLY CONDUCTIVE STRUCTURE FOR A TRANSLUCENT DEVICE |
| JP2012507169A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機太陽電池用および有機光検出器用の光活性層を形成するためのメロシアニン |
| US8541680B2 (en) * | 2008-12-03 | 2013-09-24 | Applied Materials, Inc. | Photovoltaic cells including peaks and methods of manufacture |
| WO2010107795A1 (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Konarka Technologies, Inc. | Metal substrate for a dye sensitized photovoltaic cell |
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| EP2485289B1 (en) * | 2009-09-30 | 2021-03-03 | Sumitomo Chemical Co., Ltd | Laminated structure, polymer, electroluminescent element, and photoelectric conversion element |
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| US8664518B2 (en) * | 2009-12-11 | 2014-03-04 | Konica Minolta Holdngs, Inc. | Organic photoelectric conversion element and producing method of the same |
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