BR102021024062A2

BR102021024062A2 - Oscilador de clock e método de produção de oscilador de clock

Info

Publication number: BR102021024062A2
Application number: BR102021024062-8A
Authority: BR
Inventors: Wei Wu; Jinhui Wang; Hao Li; Yong Yang; Xinhua Huang
Original assignee: Huawei Technologies Co., Ltd.
Priority date: 2020-11-30
Filing date: 2021-11-29
Publication date: 2023-04-18
Also published as: US20220171424A1; EP4007167A2; JP2022087063A; JP7284242B2; JP2023104971A; US11960318B2; EP4007167A3

Abstract

Um oscilador de clock, um método de produção e método de uso de oscilador de clock e um chip incluindo o oscilador de clock são fornecidos. O oscilador de clock inclui um ressonador, uma camada de material de absorção de choque, e uma base, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o ressonador e a base. No oscilador de clock, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o ressonador e a base, e a camada de material de absorção de choque pode efetivamente impedir que uma onda mecânica seja conduzida entre a base e o ressonador, de modo que o ressonador seja protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do ressonador não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

Description

OSCILADOR DE CLOCK E MÉTODO DE PRODUÇÃO DE OSCILADOR DE CLOCK

CAMPO TÉCNICO

[0001] Este pedido se refere ao campo da informática, e em particular, a um oscilador de clock com capacidade de absorção de choque, um método de uso e método de produção de oscilador de clock, e um chip incluindo o oscilador de clock.

ANTECEDENTES

[0002] Um oscilador de clock é um componente importante em um sistema eletrônico e fornece uma frequência de relógio (clock frequency) necessária para o sistema eletrônico, de modo que o sistema eletrônico possa realizar várias operações na frequência de relógio para implementar a operação normal. O oscilador de clock geralmente inclui módulos como um ressonador elétrico/mecânico, uma rede de feedback, uma rede de amplificação, e uma rede de saída. Uma característica de ressonância do circuito/ressonador mecânico é usada para selecionar uma frequência, para gerar um sinal de frequência de oscilação periódica, ou seja, um sinal de clock.

[0003] Quando a vibração de um ambiente externo é transferida para o ressonador, pode ocorrer o salto de uma frequência de saída do ressonador. Consequentemente, devido à instabilidade do sinal de clock, o desempenho de todo o sistema eletrônico é deteriorado, e ocorre um erro de bit. Portanto, o desempenho de absorção de choque é um importante indicador de desempenho do oscilador de clock, e como melhorar o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock é um problema técnico que precisa ser resolvido com urgência.

SUMÁRIO

[0004] Um oscilador de clock é fornecido para resolver um problema técnico de baixo desempenho de absorção de choque de um oscilador de clock.

[0005] De acordo com um primeiro aspecto, um oscilador de clock é fornecido. O oscilador de clock inclui um ressonador, uma camada de material de absorção de choque, e uma base, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o ressonador e a base.

[0006] No oscilador de clock, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o ressonador e a base, e a camada de material de absorção de choque pode efetivamente impedir que uma onda mecânica seja conduzida entre a base e o ressonador, de modo que o ressonador seja protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do ressonador não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

[0007] Em uma implementação possível, a camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada de nível de mícron, uma estrutura de malha tridimensional de nível de nanômetro, ou um material de polímero.

[0008] Em uma possível implementação, a estrutura de malha tridimensional de nível nanométrico inclui nanofibras.

[0009] Em uma possível implementação, as nanofibras incluem nanofibras de carbono e/ou nanofibras de cerâmica.

[0010] Os materiais dessas estruturas podem formar uma camada de material de absorção de choque com uma espessura de dezenas de micra a centenas de micra, para alcançar um alto desempenho de absorção de choque com uma espessura bastante pequena e garantir encapsulamento de tamanho pequeno. Além disso, os materiais dessas estruturas têm alta resistência e alta tenacidade, e portanto, uma dificuldade que um material de uma estrutura convencional dificilmente pode ter alta resistência e alta tenacidade é superada, e a confiabilidade é garantida. Além disso, os materiais dessas estruturas podem ser produzidos usando um método de síntese de material biológico em larga escala. Isso é econômico e oferece suporte à fabricação em grande escala.

[0011] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada plana, o ressonador está localizado em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque, a base está localizada em um segundo lado do material de absorção de choque camada, e o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.

[0012] Em uma implementação possível, a estrutura de camada plana inclui uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano.

[0013] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada curva, e a camada de material de absorção de choque envolve totalmente ou parcialmente o ressonador.

[0014] Em uma implementação possível, a estrutura de camada curva inclui uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.

[0015] Em uma possível implementação, as superfícies do ressonador e a camada de material de absorção de choque são unidas para implementar uma conexão próxima entre o ressonador e a camada de material de absorção de choque.

[0016] Em uma implementação possível, o oscilador de clock inclui adicionalmente um circuito integrado (IC); e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o IC e o ressonador, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC; ou a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície da base, o IC está em contato com a primeira superfície da base e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque.

[0017] Em uma implementação possível, o ressonador é um ressonador de cristal ou um ressonador de semicondutor.

[0018] Em uma implementação possível, o ressonador de cristal é um ressonador de cristal no qual o encapsulamento de cerâmica de dispositivo montado na superfície (SMD) é realizado.

[0019] Em uma implementação possível, o ressonador de semicondutor é um ressonador de semicondutor no qual o encapsulamento em nível de wafer é realizado.

[0020] O ressonador é encapsulado com antecedência, de modo que a camada de material de absorção de choque possa ser disposta entre o ressonador e a base.

[0021] Em uma implementação possível, o encapsulamento geral é realizado no ressonador e na camada de material de absorção de choque por meio de encapsulamento a vácuo ou encapsulamento de plástico.

[0022] De acordo com um segundo aspecto, um método de produção de oscilador de clock é fornecido. O método inclui: dispor pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base; e realizar o encapsulamento geral no ressonador e na camada de material de absorção de choque para obter um oscilador de clock.

[0023] No método, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o ressonador e a base, e a camada de material de absorção de choque pode efetivamente impedir que uma onda mecânica seja conduzida entre a base e o ressonador, de modo que o ressonador seja protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do ressonador não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

[0024] Em uma implementação possível, a camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada de nível de mícron, uma estrutura de malha tridimensional de nível de nanômetro, ou um material de polímero.

[0025] Em uma possível implementação, a estrutura de malha tridimensional de nível nanométrico inclui nanofibras.

[0026] Em uma possível implementação, as nanofibras incluem nanofibras de carbono e/ou nanofibras de cerâmica.

[0027] Os materiais dessas estruturas podem formar uma camada de material de absorção de choque com uma espessura de dezenas de micra a centenas de micra, para alcançar um alto desempenho de absorção de choque com uma espessura bastante pequena e garantir encapsulamento de tamanho pequeno. Além disso, os materiais dessas estruturas têm alta resistência e alta tenacidade, e portanto, uma dificuldade que um material de uma estrutura convencional dificilmente pode ter alta resistência e alta tenacidade é superada, e a confiabilidade é garantida. Além disso, os materiais dessas estruturas podem ser produzidos usando um método de síntese de material biológico em larga escala. Isso é econômico e oferece suporte à fabricação em grande escala.

[0028] Em uma possível implementação, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada plana, e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base inclui: colocar o ressonador em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque; e colocar a base em um segundo lado da camada de material de absorção de choque, em que o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.

[0029] Em uma implementação possível, a estrutura de camada plana inclui uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano.

[0030] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque é uma estrutura de camada curva, e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base inclui: usar a camada de material de absorção de choque para envolver totalmente ou pela metade o ressonador.

[0031] Em uma implementação possível, a estrutura de camada curva inclui uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.

[0032] Em uma possível implementação, a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base inclui: ligar superfícies do ressonador e a camada de material de absorção de choque para implementar uma conexão próxima entre o ressonador e a camada de material de absorção de choque.

[0033] Em uma implementação possível, o oscilador de clock inclui adicionalmente um circuito integrado (IC), e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base inclui: a disposição de pelo menos uma parte do material de absorção de choque camada entre o ressonador e o IC, em que a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC.

[0034] Em uma implementação possível, o oscilador de clock inclui adicionalmente um circuito integrado (IC), e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base inclui: colocar o ressonador, a camada de material de absorção de choque, e o IC em uma primeira superfície da base, onde o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque.

[0035] Em uma implementação possível, uma maneira de encapsulamento da encapsulamento geral inclui encapsulamento a vácuo ou encapsulamento de plástico.

[0036] Em uma implementação possível, antes de dispor pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um ressonador e uma base, o método inclui adicionalmente: realizar o encapsulamento a vácuo no ressonador.

[0037] Em uma implementação possível, quando o ressonador é um ressonador de cristal, a realização do encapsulamento a vácuo no ressonador inclui: realizar encapsulamento de cerâmica de dispositivo montado em superfície (SMD) no ressonador de cristal; ou quando o ressonador é um ressonador de semicondutor, a realização do encapsulamento de vácuo no ressonador inclui: realizar encapsulamento de nível de wafer no ressonador de semicondutor. O ressonador é encapsulado com antecedência, de modo que a camada de material de absorção de choque possa ser disposta entre o ressonador e a base.

[0038] De acordo com um terceiro aspecto, um método para obter uma frequência de relógio é fornecido, para obter a frequência de relógio usando o oscilador de clock em qualquer um do primeiro aspecto e das possíveis implementações do primeiro aspecto.

[0039] De acordo com um quarto aspecto, um chip é fornecido. O chip inclui o oscilador de clock em qualquer um do primeiro aspecto e das possíveis implementações do primeiro aspecto.

[0040] De acordo com um quinto aspecto, um dispositivo eletrônico é fornecido. O dispositivo eletrônico inclui o oscilador de clock em qualquer um do primeiro aspecto e das possíveis implementações do primeiro aspecto.

[0041] Em uma implementação possível, o dispositivo eletrônico é um dispositivo de comunicação ou um dispositivo de rede.

[0042] De acordo com um sexto aspecto, um aparelho para obter uma frequência de relógio é fornecido. O aparelho inclui um oscilador de clock, uma camada de material de absorção de choque e um substrato, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato.

[0043] No aparelho, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato, e a camada de material de absorção de choque pode efetivamente impedir que uma onda mecânica seja conduzida entre o substrato e o oscilador de clock, assim que o oscilador de clock está protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do oscilador de clock não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

[0044] Em uma implementação possível, a camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada de nível de mícron, uma estrutura de malha tridimensional de nível de nanômetro, ou um material de polímero.

[0045] Em uma possível implementação, a estrutura de malha tridimensional de nível nanométrico inclui nanofibras.

[0046] Em uma possível implementação, as nanofibras incluem nanofibras de carbono e/ou nanofibras de cerâmica.

[0047] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada plana, o oscilador de clock está localizado em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque, pelo menos uma parte do substrato está localizada em um segundo lado do material de absorção de choque camada, e o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.

[0048] Em uma implementação possível, o substrato é um circuito impresso flexível (FPC), o FPC é em forma de U, uma primeira parte do FPC está localizada no primeiro lado da camada de material de absorção de choque, uma segunda parte do FPC está localizada no segundo lado da camada de material de absorção de choque, e a primeira parte do FPC está localizada entre o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque.

[0049] Em uma implementação possível, a estrutura de camada plana inclui uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano.

[0050] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada curva, e a camada de material de absorção de choque envolve totalmente ou parcialmente o oscilador de clock.

[0051] Em uma implementação possível, a estrutura de camada curva inclui uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.

[0052] Em uma implementação possível, o oscilador de clock inclui um ressonador e um circuito integrado (IC), e o ressonador é um ressonador de cristal ou um ressonador de semicondutor.

[0053] Em uma implementação possível, o aparelho inclui adicionalmente uma placa de cobertura ou um material de encapsulamento de plástico, e a placa de cobertura ou o material de encapsulamento de plástico é usado para encapsular a vácuo o oscilador de clock.

[0054] Em uma implementação possível, o aparelho inclui adicionalmente um fio de ligação (bonding), e o fio de ligação é configurado para conectar eletricamente o oscilador de clock e o substrato.

[0055] De acordo com um sétimo aspecto, é fornecido um método de produção para um aparelho para obter uma frequência de relógio. O método inclui: dispor pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um oscilador de clock e pelo menos uma parte de um substrato; e encapsular totalmente o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque para obter o aparelho.

[0056] No método, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato, e a camada de material de absorção de choque pode efetivamente impedir que uma onda mecânica seja conduzida entre o substrato e o oscilador de clock, assim que o oscilador de clock está protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do oscilador de clock não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

[0057] Em uma implementação possível, a camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada de nível de mícron, uma estrutura de malha tridimensional de nível de nanômetro, ou um material de polímero.

[0058] Em uma possível implementação, a estrutura de malha tridimensional de nível nanométrico inclui nanofibras.

[0059] Em uma possível implementação, as nanofibras incluem nanofibras de carbono e/ou nanofibras de cerâmica.

[0060] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada plana, e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um oscilador de clock e pelo menos uma parte de um substrato inclui: dispor o oscilador de clock em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque; e dispor pelo menos uma parte do substrato em um segundo lado da camada de material de absorção de choque, onde o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.

[0061] Em uma implementação possível, o substrato é um circuito impresso flexível (FPC), o FPC é em forma de U, e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um oscilador de clock e pelo menos uma parte de um substrato inclui: dispor uma primeira parte do FPC no primeiro lado da camada de material de absorção de choque; dispor uma segunda parte do FPC no segundo lado da camada de material de absorção de choque; e dispor a primeira parte do FPC entre o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque.

[0062] Em uma implementação possível, a estrutura de camada plana inclui uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano.

[0063] Em uma implementação possível, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada curva, e a disposição de pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um oscilador de clock e pelo menos uma parte de um substrato inclui: usar a camada de material de absorção de choque para envolver totalmente ou parcialmente o oscilador de clock.

[0064] Em uma implementação possível, a estrutura de camada curva inclui uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.

[0065] Em uma implementação possível, o oscilador de clock inclui um ressonador e um circuito integrado (IC), e o ressonador é um ressonador de cristal ou um ressonador de semicondutor.

[0066] Em uma implementação possível, o encapsulamento total do oscilador de clock e da camada de material de absorção de choque inclui: encapsular a vácuo o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque usando uma placa de cobertura ou um material de encapsulamento de plástico.

[0067] Em uma implementação possível, o método inclui adicionalmente: conectar eletricamente o oscilador de clock e o substrato usando um fio de ligação (bonding).

[0068] De acordo com um oitavo aspecto, um método para obter uma frequência de relógio é fornecido, para obter a frequência de relógio usando o aparelho em qualquer um do sexto aspecto e das possíveis implementações do sexto aspecto.

[0069] De acordo com um nono aspecto, um chip é fornecido. O chip inclui o aparelho em qualquer um do sexto aspecto e das possíveis implementações do sexto aspecto.

[0070] De acordo com um décimo aspecto, um dispositivo eletrônico é fornecido. O dispositivo eletrônico inclui o aparelho em qualquer uma das possíveis implementações do sexto aspecto.

[0071] Em uma implementação possível, o dispositivo eletrônico é um dispositivo de comunicação ou um dispositivo de rede.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

[0072] Para descrever as soluções técnicas deste pedido de forma mais clara, o seguinte descreve resumidamente os desenhos anexos usados nas modalidades. É claro que os desenhos anexos na descrição a seguir mostram apenas algumas modalidades deste pedido, e um técnico no assunto pode derivar outras soluções técnicas e desenhos anexos a partir desses desenhos anexos sem esforços criativos.

[0073] A FIG. 1 é um diagrama esquemático dos princípios básicos de um oscilador de clock de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 2 é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 3a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 3b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 3c é um diagrama estrutural esquemático de um PCB carregando um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 4a é um diagrama esquemático da composição de um ressonador semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 4b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 5a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 5b é um diagrama estrutural esquemático de um ressonador de cristal no qual o encapsulamento de cerâmica SMD é realizado de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 5c é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 5d é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 5e é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 5f é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 6 é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 7a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 7b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 8a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 8b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 9a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 9b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 10a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 10b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 11 é um fluxograma de um método de produção de oscilador de clock de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 12a é um diagrama esquemático da composição de um aparelho para obter uma frequência de relógio de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 12b é um diagrama esquemático da composição de um aparelho para obter uma frequência de relógio de acordo com uma modalidade da presente invenção; A FIG. 12c é um diagrama esquemático da composição de um aparelho para obter uma frequência de relógio de acordo com uma modalidade da presente invenção; e A FIG. 13 é um fluxograma de um método de produção para um aparelho para obter uma frequência de relógio de acordo com uma modalidade da presente invenção.

DESCRIÇÃO DAS MODALIDADES

[0074] O seguinte descreve modalidades deste pedido com referência aos desenhos anexos.

[0075] A FIG. 1 é um diagrama esquemático dos princípios básicos de um oscilador de clock. Conforme mostrado no lado esquerdo da FIG. 1, o oscilador de clock inclui um ressonador, uma rede de feedback, uma rede de seleção de frequência, uma rede de amplificação, e uma rede de saída. Com referência a um modelo de loop de amplificação, feedback, e redes de seleção de frequência em um lado direito da FIG. 1, a rede de amplificação tem um ganho de potência. Quando o ressonador é iniciado, a rede de amplificação opera em uma área linear para amplificar um sinal de ruído ou um sinal de entrada. Uma vez que o ressonador oscila regularmente, a rede de amplificação entra em um estado não linear e o ganho do loop diminui, para estabilizar a amplitude e a frequência. A rede de seleção de frequência realiza a seleção dos sinais de frequência emitidos pela rede de amplificação, de modo que um sinal de frequência de uma frequência selecionada seja emitido, e os sinais de outras frequências sejam suprimidos. A rede de feedback realimenta, para uma extremidade de entrada da rede de amplificação, o sinal de frequência que passa pela rede de seleção de frequência, de modo que uma rede de feedback positivo de malha fechada é formada. A rede de saída molda e conduz um sinal de frequência estável amplificado para saída para outro componente.

[0076] Dependendo dos diferentes tipos de ressonador, pode haver diferentes tipos de osciladores de clock. Um oscilador de cristal e um oscilador de semicondutor são dois osciladores mecânicos típicos.

[0077] A FIG. 2 é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal. Como mostrado na FIG. 2, o oscilador de cristal inclui um ressonador de cristal, e o ressonador de cristal é geralmente uma fatia fina cortada de um cristal de quartzo em um ângulo de azimute específico, e também é referido como um wafer de cristal. O wafer de cristal tem uma estrutura semi-suspensa no oscilador de cristal. O oscilador de cristal seleciona uma frequência usando uma característica de ressonância do wafer de cristal, para produzir um sinal de frequência específico. Além do ressonador de cristal, o oscilador de cristal inclui um circuito integrado (IC), um adesivo de prata condutivo, uma base, e uma placa de cobertura.

[0078] No oscilador de cristal, uma espessura do wafer de cristal está relacionada a uma frequência fundamental (fundamental frequency) do wafer de cristal, e a frequência fundamental também pode ser referida como uma frequência de base ou uma frequência de saída. Geralmente, um wafer de cristal com uma frequência fundamental mais alta é mais fino. Por exemplo, a espessura de um wafer de cristal cuja frequência fundamental é 156,25 MHz é de aproximadamente 11 μm, a espessura de um wafer de cristal cuja frequência fundamental é 285 MHz é de aproximadamente 7 μm, e a espessura de um wafer de cristal cuja frequência fundamental é 500 MHz é de aproximadamente 3 μm.

[0079] Em uma aplicação real do produto, um oscilador de clock com desempenho de alta frequência e baixa instabilidade (jitter) é necessário em um conversor analógico-digital (analog-to-digital converter, ADC)/conversor digital-analógico (digital-to-analog converter, DAC) de alta velocidade. Atualmente, um oscilador de cristal com uma alta frequência fundamental é uma solução de clock principal do ADC/DAC de alta velocidade, e, portanto, os wafers de cristal de nível de mícron anteriores são amplamente aplicados a esses componentes.

[0080] No entanto, um wafer de cristal com uma espessura menor também tem um desempenho de absorção de choque inferior. Geralmente, há uma relação teórica entre uma tensão externa e uma frequência fundamental de um wafer de cristal, conforme representado pela seguinte fórmula (1):

KF é um fator constante, f é a frequência fundamental do wafer de cristal, Δf é um erro de frequência causado pela vibração, Força é uma força externa atuando no wafer de cristal, Constante de frequência é uma constante, Diâmetro é um diâmetro equivalente do wafer de cristal, e Espessura é a espessura do wafer de cristal. Pode-se aprender com a fórmula (1) que, sob impacto de uma mesma tensão externa, quando a espessura do wafer de cristal é menor, o erro de frequência causado pela vibração é maior, ou seja, o desempenho de absorção de choque do wafer de cristal é mais pobre. Portanto, ao ser afetado por vibração externa, o wafer de cristal anterior com uma espessura de nível de mícron é mais propenso a causar um erro de frequência. Portanto, o desempenho é deteriorado ou até mesmo o wafer de cristal é quebrado, causando a falha de todo um oscilador de cristal.

[0081] No entanto, durante a operação do oscilador de cristal, o impacto da vibração externa é inevitável. Por exemplo, uma mudança de temperatura ambiente faz com que uma tensão de uma placa de circuito impresso (PCB) em um módulo óptico de um dispositivo de comunicação seja liberada para gerar emissão acústica (acoustic emission). Um cenário típico é o seguinte: Quando uma mudança de temperatura, uma rachadura é gerada em um fluxo residual em uma pasta de solda no PCB durante um ciclo de temperatura. Um processo de geração e extensão de fissuras é acompanhado por emissão acústica, e a emissão acústica é geralmente vibração mecânica de alta frequência com uma frequência de aproximadamente 200 kHz. Como mostrado na FIG. 2, o wafer de cristal é geralmente rigidamente conectado à base, e a vibração mecânica de alta frequência na emissão acústica pode ser transferida para o wafer de cristal. Além disso, como o wafer de cristal tem uma estrutura semi-suspensa, a vibração mecânica de alta frequência faz com que o wafer de cristal seja dobrado e deformado. A dobra e a deformação do wafer de cristal causam o salto de uma frequência de saída do wafer de cristal, levando adicionalmente à deterioração do desempenho de sistema e a um erro de bit de serviço. Em um processo de produção real, o salto de frequência de ressonador de cristal e os problemas de erro de bit de serviço causados pela mudança de temperatura afetam seriamente a pesquisa, o desenvolvimento e a eficiência de produção e a competitividade do produto.

[0082] A FIG. 3a é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal. No oscilador de cristal, a quantidade de vezes de aplicação de cola de um adesivo de prata condutor entre um wafer de cristal e uma base aumenta, para absorver a vibração externa e melhorar o desempenho de absorção de choque do oscilador de cristal. Porém, como a vibração externa é uma onda mecânica e se propaga em função de um corpo rígido, somente aumentando a quantidade de tempos de aplicação da cola, não se pode alterar a essência de uma conexão rígida entre um ressonador de cristal e a base, a onda mecânica de alta frequência externa não pode ser impedida de ser propagada para o ressonador de cristal, e o impacto no oscilador de cristal que é causado pela vibração externa não pode ser efetivamente reduzido.

[0083] A FIG. 3b é um diagrama esquemático da composição de um oscilador de cristal. No oscilador de cristal, um tipo de adesivo de prata condutivo entre um wafer de cristal e uma base é substituído, para melhorar o desempenho de absorção de choque do oscilador de cristal, garantindo ao mesmo tempo uma conexão confiável entre a base e o wafer de cristal. No entanto, semelhante ao oscilador de cristal mostrado na FIG. 3a, porque a vibração externa é uma onda mecânica e se propaga em função de um corpo rígido, apenas substituindo o tipo de adesivo condutivo de prata, uma essência de uma conexão rígida entre um ressonador de cristal e a base, a onda mecânica de alta frequência externa não pode ser impedida de ser propagada para o ressonador de cristal, e o impacto no oscilador de cristal que é causado pela vibração externa não pode ser efetivamente reduzido.

[0084] A FIG. 3c é um diagrama estrutural esquemático de um PCB com um oscilador de cristal. Como mostrado na FIG. 3c, as almofadas de oscilador para soldar e prender o oscilador de cristal são dispostas no PCB, e uma ranhura de isolamento de tensão é disposta em torno dessas almofadas de oscilador (oscillator pads), de modo que uma tensão gerada pela expansão e contração térmica da PCB pode ser amortecida até certo ponto. No entanto, tal ranhura de isolamento de tensão não pode isolar todas as vibrações externas, por exemplo, vibração de alta frequência gerada por uma rachadura de fluxo na lata de solda da almofada do oscilador de cristal durante um ciclo de temperatura.

[0085] Um oscilador de semicondutor é outro tipo importante de oscilador de clock. Comparado com o oscilador de cristal, um ressonador no oscilador de semicondutor é uma estrutura micron-nanométrica produzida com base em um processo semicondutor, e portanto, também é referido como um ressonador de semicondutor. Um ressonador de semicondutor em uma faixa de micra geralmente também pertence a um ressonador de sistemas microeletromecânicos (micro-electromechanical systems, MEMS). A FIG. 4a é um diagrama esquemático da composição de um ressonador de semicondutor. A FIG. 4b mostra um oscilador de semicondutor incluindo o ressonador de semicondutor. Como mostrado na FIG. 4a, o ressonador de semicondutor é um ressonador de onda acústica volumétrica (bulk acoustic wave, BAW) e inclui um eletrodo superior, um eletrodo inferior, uma camada de material piezoelétrico, e um substrato. A camada de material piezoelétrico é ensanduichada entre o eletrodo superior e o eletrodo inferior, e um todo dos três é colocado no substrato. Opcionalmente, um espelho acústico (acoustic mirror) pode adicionalmente ser disposto entre o eletrodo inferior e o substrato. Como mostrado na FIG. 4b, o ressonador de BAW é conectado a um circuito de IC e um substrato para formar um oscilador de BAW. O oscilador de BAW é um tipo de oscilador de semicondutor. Os princípios básicos do oscilador de BAW são os seguintes: Um sinal elétrico é convertido em uma onda acústica usando um transdutor eletroacústico (não mostrado na FIG. 4a) para transferência na camada de material piezoelétrico. A onda acústica é refletida e ressonada no material piezoelétrico, e finalmente, a onda acústica é convertida em um sinal elétrico com alta frequência para formar um sinal oscilante.

[0086] Deve-se notar que o oscilador de semicondutor nas modalidades da presente invenção pode ser vários tipos de osciladores semicondutores, incluindo, mas não se limitando ao oscilador de BAW mostrado na FIG. 4b. Outro tipo de oscilador de semicondutor, por exemplo, um oscilador de MEMS de silício, também é aplicável às modalidades da presente invenção.

[0087] O oscilador de semicondutor é menos afetado pela vibração externa do que o oscilador de cristal. No entanto, quando a vibração externa é transferida para o ressonador de semicondutor, o ressonador de semicondutor ainda pode ser dobrado e deformado, e o salto de uma frequência de saída do ressonador de semicondutor pode ser causado, causando deterioração do desempenho de sistema e um erro de bit de serviço. No entanto, atualmente, não há solução eficaz e confiável na indústria sem introduzir custos de desempenho e tornar o processo de produção mais complexo.

[0088] Portanto, como melhorar o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock é um problema técnico que precisa ser resolvido com urgência.

[0089] As modalidades da presente invenção fornecem um oscilador de clock. O oscilador de clock inclui um ressonador, uma camada de material de absorção de choque, e uma base, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o ressonador e a base. No oscilador de clock, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o ressonador e a base, e a camada de material de absorção de choque, pode converter a energia da onda mecânica em energia térmica através da deformação da camada de material de absorção de choque, para impedir efetivamente que uma onda mecânica seja conduzida entre a base e o ressonador, de modo que o ressonador seja protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do ressonador não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

[0090] O oscilador de clock fornecido nas modalidades da presente invenção pode ser um oscilador de cristal, ou pode ser um oscilador de semicondutor.

[0091] A FIG. 5a mostra um oscilador de cristal de acordo com uma modalidade da presente invenção. O oscilador de cristal inclui um ressonador de cristal, uma camada de material de absorção de choque e uma base, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o ressonador de cristal e a base. Uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal pode ser implementado entre o ressonador de cristal e a base. Além disso, o oscilador de cristal pode incluir adicionalmente uma almofada configurada para implementar uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal com um componente externo. A quantidade de almofadas não é limitada. A camada de material de absorção de choque pode melhorar efetivamente o desempenho de absorção de choque de um oscilador de clock, e também garantir a confiabilidade e o encapsulamento de tamanho pequeno de todo o oscilador. Por exemplo, um material absorvedor de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque tem uma ou mais das seguintes características: (1) ser capaz de formar uma estrutura de camada ultrafina de um nível de micron-nanômetro, para minimizar um aumento em uma espessura de componente; (2) ser superelástico para alcançar alta eficiência de absorção de ondas; (3) ser resistente à fadiga, capaz de se deformar repetidamente sem causar deformação irreversível; (4) ser resistente ao calor, para evitar a deterioração das características durante a operação de longo prazo em alta temperatura; e (5) com alta resistência para não ser propenso a rasgar e ser resistente ao impacto.

[0092] O impacto na espessura geral do componente causado pela adição da camada de material de absorção de choque é uma consideração importante. Atualmente, uma altura de um oscilador de cristal com alta frequência fundamental é de aproximadamente 1,05 mm. Para evitar afetar seriamente a espessura de componente, uma espessura de uma camada de material de absorção de choque finalmente obtida está, de preferência, em um nível de mícron, por exemplo, inferior a centenas de micra. Nanotubos de carbono e grafeno são usados como exemplos. Embora os dois materiais tenham um atributo superelástico e estabilidade termomecânica, os dispositivos envolvidos e os processos de produção são complexos, apenas materiais com um tamanho de um nível de milímetro podem ser obtidos atualmente, e uma espessura geral do oscilador de clock é muito aumentada quando os materiais são aplicados à camada de material de absorção de choque nesta modalidade da presente invenção.

[0093] Opcionalmente, o material de absorção de choque pode ser um material polimérico. O material polimérico pode ser um material polimérico altamente elástico com material polimérico de deformação reversível que é altamente elástico com deformação reversível, por exemplo, gel de sílica ou borracha. Os materiais poliméricos são fáceis de processar, podem ser fabricados em grande escala, e são econômicos.

[0094] Opcionalmente, nesta modalidade da presente invenção, o material de absorção de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque pode ter uma estrutura de camada de nível de mícron, ou pode ter uma estrutura de malha tridimensional de nível de nanômetro. Os materiais das duas estruturas podem formar uma camada de material de absorção de choque com uma espessura de dezenas de micra a centenas de micra, para alcançar um alto desempenho de absorção de choque com uma espessura bastante pequena e garantir encapsulamento de tamanho pequeno. Além disso, os materiais das duas estruturas têm alta resistência e alta tenacidade, e portanto, uma dificuldade que um material de uma estrutura convencional dificilmente pode ter alta resistência e alta tenacidade é superada, e a confiabilidade é garantida. Além disso, os materiais das duas estruturas podem ser produzidos usando um método de síntese de material biológico em larga escala. Isso é econômico e oferece suporte à fabricação em grande escala.

[0095] Opcionalmente, o material absorvedor de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque pode ser um material de nanofibra de carbono, ou pode ser um material de nanofibra de cerâmica. Esses materiais de nanofibra podem garantir confiabilidade e encapsulamento de tamanho pequeno, melhorando a capacidade de absorção de choque do oscilador de clock.

[0096] Opcionalmente, no oscilador de cristal, o encapsulamento a vácuo pode ser realizado no ressonador de cristal com antecedência, de modo que a camada de material de absorção de choque possa ser adicionada. Uma maneira do encapsulamento a vácuo pode ser encapsulamento de cerâmica de dispositivo montado em superfície (surface mounted device, SMD). A FIG. 5b é um diagrama estrutural esquemático de um ressonador de cristal no qual o encapsulamento de cerâmica SMD é realizado. O ressonador de cristal tem uma estrutura semissuspensa, e é colado a um alojamento de encapsulamento de cerâmica SMD usando um adesivo de prata condutor. Opcionalmente, o ressonador de cristal no qual o encapsulamento a vácuo de cerâmica SMD é realizado pode atender às especificações gerais de tamanho de vários ressonadores de cristal existentes. Por exemplo, um tamanho de encapsulamento do ressonador de cristal no qual o encapsulamento a vácuo de cerâmica SMD pode ser SMD3225 diferencial ou SMD2520 de extremidade única.

[0097] Opcionalmente, as superfícies que são do ressonador de cristal e da camada de material de absorção de choque e que estão em contato uma com a outra são ligadas, para implementar uma conexão próxima entre o ressonador de cristal e a camada de material de absorção de choque.

[0098] Opcionalmente, o oscilador de cristal inclui adicionalmente um circuito integrado (IC). Uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal pode ser implementado entre o IC e a base.

[0099] Opcionalmente, pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o IC e o ressonador, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC. Em outras palavras, o ressonador de cristal e o IC estão empilhados. Neste caso, uma vista lateral do oscilador de cristal é mostrada na FIG. 5a, e uma vista superior do oscilador de cristal é mostrada na FIG. 5c.

[00100] Opcionalmente, a camada de material de absorção de choque e o IC estão em contato com uma primeira superfície da base, e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque. Em outras palavras, o ressonador de cristal é colocado em paralelo com o IC. Neste caso, uma vista lateral do oscilador de cristal é mostrada na FIG. 5d, e uma vista superior do oscilador de cristal é mostrada na FIG. 5e.

[00101] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque pode ser uma estrutura de camada.

[00102] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque pode ser uma estrutura de camada plana. Neste caso, como mostrado na FIG. 5a e FIG. 5d, o ressonador de cristal está localizado em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque, a base está localizada em um segundo lado do material de absorção de choque camada, e o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque. A estrutura de camada plana inclui, mas não está limitada a, uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano. Como mostrado na FIG. 5f, quando a estrutura da camada de material de absorção de choque é uma estrutura de camada de grade plana ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano, a camada de material de absorção de choque ainda pode impedir efetivamente que uma onda mecânica seja conduzida entre a base e o ressonador, para que o ressonador seja protegido de vibração externa.

[00103] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque pode ser uma estrutura de camada curva. Neste caso, como mostrado na FIG. 6, a camada de material de absorção de choque envolve totalmente ou parcialmente o ressonador de cristal. A estrutura de camada curva inclui, mas não está limitada a, uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.

[00104] Opcionalmente, o encapsulamento geral é realizado no ressonador de cristal e na camada de material de absorção de choque para obter o oscilador de cristal. Uma maneira de encapsulamento geral pode ser encapsulamento a vácuo ou encapsulamento de plástico. Por exemplo, cada uma das FIG. 5a, FIG. 5d, FIG. 5f e FIG. 6 mostra uma maneira de encapsulamento a vácuo. Nesta maneira de encapsulamento a vácuo, o ressonador de cristal, a camada de material de absorção de choque e o IC são colocados na base de cerâmica, e são cobertos por uma placa de cobertura de metal. Para outro exemplo, a FIG. 7a mostra outra maneira de encapsulamento a vácuo. Nesta maneira de encapsulamento a vácuo, pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o IC e o ressonador, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC, e a primeira superfície da base é coberta por uma placa de cobertura em forma de arco e é adicionalmente embalada usando um material de resina. Deve-se notar que na maneira de encapsulamento a vácuo mostrada na FIG. 7a, alternativamente, a camada de material de absorção de choque pode estar em contato com uma primeira superfície da base, o IC pode estar em contato com a primeira superfície da base, e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque. Um diagrama específico não é fornecido aqui. Para outro exemplo, a FIG. 7b mostra uma maneira de encapsulamento de plástico. Nesta maneira de encapsulamento de plástico, a camada de material de absorção de choque envolve totalmente o ressonador de cristal, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC. Em outras palavras, a camada de material de absorção de choque e o ressonador de cristal se sobrepõem ao IC, e em seguida, os três são colocados na base. A primeira superfície da base é adicionalmente embalada usando um material de encapsulamento de plástico. Deve-se notar que na maneira de encapsulamento a vácuo mostrada na FIG. 7b, alternativamente, a camada de material de absorção de choque pode estar em contato com uma primeira superfície da base, o IC pode estar em contato com a primeira superfície da base, e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque. Um diagrama específico não é fornecido aqui.

[00105] A FIG. 8a mostra um oscilador de semicondutor de acordo com uma modalidade da presente invenção. O oscilador de semicondutor inclui um ressonador de semicondutor, uma camada de material de absorção de choque, e uma base, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o ressonador de semicondutor e a base. Uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal pode ser implementado entre o ressonador de semicondutor e a base. Além disso, o oscilador de semicondutor pode incluir adicionalmente uma almofada, configurada para implementar uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal com um componente externo. Uma quantidade de almofadas não é limitada. Um requisito de desempenho e um tipo específico de um material absorvedor de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque são os mesmos do oscilador de cristal anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente.

[00106] Opcionalmente, o ressonador de semicondutor pode ser um ressonador de BAW, um ressonador MEMS, ou outro tipo de ressonador de semicondutor.

[00107] Opcionalmente, no oscilador de semicondutor, o encapsulamento de nível de wafer pode ser realizado no ressonador de semicondutor antecipadamente.

[00108] Opcionalmente, as superfícies que são do ressonador de semicondutor e da camada de material de absorção de choque e que estão em contato uma com a outra são ligadas, para implementar uma conexão próxima entre o ressonador de semicondutor e a camada de material de absorção de choque.

[00109] Opcionalmente, o oscilador de semicondutor inclui adicionalmente um IC. Uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal pode ser implementado entre o IC e a base.

[00110] Opcionalmente, pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o IC e o ressonador, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC. Em outras palavras, o ressonador de semicondutor e o IC estão empilhados. Neste caso, o oscilador de semicondutor é mostrado na FIG. 8a.

[00111] Opcionalmente, a camada de material de absorção de choque e o IC estão em contato com uma primeira superfície da base, e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque. Em outras palavras, o ressonador de semicondutor é colocado em paralelo com o IC. Neste caso, o oscilador de semicondutor é mostrado na FIG. 8b.

[00112] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque no oscilador de semicondutor é a mesma que no oscilador de cristal anterior, e pode ser uma estrutura de camada. Além disso, a estrutura de camada pode ser uma estrutura de camada plana ou uma estrutura de camada curva. Detalhes não são descritos novamente. A FIG. 8a e FIG. 8b mostram osciladores semicondutores usando uma camada de material de absorção de choque de uma estrutura de camada plana contínua. A FIG. 9a mostra um oscilador de semicondutor usando uma camada de material de absorção de choque de uma estrutura de camada de malha plana ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano. A FIG. 9b mostra um oscilador de semicondutor usando uma camada de material de absorção de choque de uma estrutura de camada curva.

[00113] Opcionalmente, o encapsulamento geral é realizado no ressonador de semicondutor e na camada de material de absorção de choque para obter o oscilador de semicondutor. Uma maneira de encapsulamento geral pode ser encapsulamento a vácuo ou encapsulamento de plástico. Por exemplo, cada uma das FIG. 8a, FIG. 8b, FIG. 9a e FIG. 9b mostra uma maneira de encapsulamento a vácuo. Nesta maneira de encapsulamento a vácuo, o ressonador de semicondutor, a camada de material de absorção de choque e o IC são colocados na base de cerâmica, e são cobertos por uma placa de cobertura de metal. Para outro exemplo, a FIG. 10a mostra outra maneira de encapsulamento a vácuo. Nesta maneira de encapsulamento a vácuo, pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o IC e o ressonador, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC, e a primeira superfície da base é coberta por uma placa de cobertura em forma de arco e é adicionalmente embalada usando um material de resina. Devese notar que na maneira de encapsulamento a vácuo mostrada na FIG. 10a, alternativamente, a camada de material de absorção de choque pode estar em contato com uma primeira superfície da base, o IC pode estar em contato com a primeira superfície da base, e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque. Um diagrama específico não é fornecido aqui. Para outro exemplo, a FIG. 10b mostra uma maneira de encapsulamento de plástico. Nesta maneira de encapsulamento de plástico, a camada de material de absorção de choque envolve totalmente o ressonador de semicondutor, a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC. Em outras palavras, a camada de material de absorção de choque e o ressonador de semicondutor se sobrepõem ao IC, e em seguida, os três são colocados na base. A primeira superfície da base é adicionalmente embalada usando um material de encapsulamento de plástico. Deve-se notar que na maneira de encapsulamento a vácuo mostrada na FIG. 10b, alternativamente, a camada de material de absorção de choque pode estar em contato com uma primeira superfície da base, o IC pode estar em contato com a primeira superfície da base, e o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque. Um diagrama específico não é fornecido aqui.

[00114] Opcionalmente, no oscilador de cristal anterior e oscilador de semicondutor, um eletrodo no ressonador de cristal obtido após o encapsulamento a vácuo pode ser conduzido para fora através da fiação, ou um eletrodo no ressonador de semicondutor obtido após o encapsulamento de nível de wafer pode ser conduzido para fora através da fiação.

[00115] Um oscilador de cristal em um módulo óptico de um dispositivo de comunicação é usado como exemplo. Por meio de um teste on-board real, pode ser descoberto que uma taxa de erro de bit do módulo óptico é superior a 10% quando nenhuma camada de material de absorção de choque é adicionada, e pode haver quase nenhum erro de bit após uma camada de material de absorção de choque ser adicionada. Portanto, o uso do oscilador de clock fornecido nas modalidades da presente invenção pode melhorar muito a capacidade de absorção de choque do oscilador de clock, melhorar um processo de produção de produto, e melhorar a competitividade do produto. Além disso, a confiabilidade e o encapsulamento de tamanho pequeno podem ser garantidos, enquanto a capacidade de absorção de choque do oscilador de clock é aprimorada.

[00116] Uma modalidade da presente invenção fornece um método de produção de oscilador de clock. No método, uma camada de material de absorção de choque é adicionada entre um ressonador e uma base, e a camada de material de absorção de choque, pode converter a energia da onda mecânica em energia térmica através da deformação da camada de material de absorção de choque, para impedir efetivamente que uma onda mecânica seja conduzida entre a base e o ressonador, de modo que o ressonador seja protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do ressonador não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque de um oscilador de clock. Como mostrado na FIG. 11, o método inclui as etapas S110 e S120.

[00117] S110. Dispor pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base.

[00118] S120. Realizar o encapsulamento geral no oscilador e na camada de material de absorção de choque para obter o oscilador de clock.

[00119] O oscilador de clock pode ser um oscilador de cristal, ou pode ser um oscilador de semicondutor.

[00120] Um requisito de desempenho, um tipo específico, e uma estrutura de um material absorvedor de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque são os mesmos que aqueles na modalidade anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente.

[00121] Uma maneira de encapsulamento do encapsulamento geral é a mesma que na modalidade anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente.

[00122] Opcionalmente, quando uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada plana, a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base inclui: colocar o ressonador em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque; e colocar a base em um segundo lado da camada de material de absorção de choque, onde o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.

[00123] Opcionalmente, quando uma estrutura da camada de material de absorção de choque é uma estrutura de camada curva, a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base inclui: usar a camada de material de absorção de choque para envolver totalmente ou pela metade o ressonador.

[00124] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque é uma estrutura de camada curva, e a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base inclui: usar a camada de material de absorção de choque para envolver totalmente ou pela metade o ressonador.

[00125] Opcionalmente, a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base inclui: superfícies de ligação do ressonador e a camada de material de absorção de choque.

[00126] Opcionalmente, o oscilador de clock inclui adicionalmente um circuito integrado (IC), e a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base inclui: a disposição de pelo menos uma parte do material de absorção de choque camada entre o ressonador e o IC, onde a camada de material de absorção de choque está em contato com uma primeira superfície do IC, uma segunda superfície do IC está em contato com uma primeira superfície da base, e a primeira superfície do IC é oposta à segunda superfície do IC.

[00127] Opcionalmente, o oscilador de clock inclui adicionalmente um circuito integrado (IC), e a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base inclui: colocar o ressonador, a camada de material de absorção de choque, e o IC em uma primeira superfície da base, onde o IC não se sobrepõe à camada de material de absorção de choque.

[00128] Opcionalmente, antes de dispor pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o ressonador e a base, o método inclui adicionalmente: realizar o encapsulamento a vácuo no ressonador.

[00129] As maneiras de realizar o encapsulamento a vácuo no ressonador de cristal e no ressonador de semicondutor são as mesmas da modalidade anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente.

[00130] Uma modalidade da presente invenção fornece um método para obter uma frequência de relógio. No método, uma frequência de relógio estável e de alto desempenho é obtida usando o oscilador de clock na modalidade anterior.

[00131] Uma modalidade da presente invenção fornece um chip. O chip inclui o oscilador de clock na modalidade anterior.

[00132] Uma modalidade da presente invenção fornece um dispositivo eletrônico. O dispositivo eletrônico inclui o oscilador de clock na modalidade anterior. Especificamente, o dispositivo eletrônico pode ser um dispositivo de comunicação ou um dispositivo de rede, como um roteador, um comutador, ou outro dispositivo de encaminhamento, ou o dispositivo eletrônico pode ser um dispositivo de computador, como um computador pessoal, ou um servidor, ou o dispositivo eletrônico pode ser um dispositivo terminal de comunicação, como um telefone celular, ou um dispositivo inteligente vestível.

[00133] Além disso, uma modalidade da presente invenção fornece um aparelho para obter uma frequência de relógio. O aparelho inclui um oscilador de clock, uma camada de material de absorção de choque e um substrato, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato. No aparelho, a camada de material de absorção de choque é adicionada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato, e a camada de material de absorção de choque pode efetivamente impedir que uma onda mecânica seja conduzida entre o substrato e o oscilador de clock, de modo que o oscilador de clock está protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do oscilador de clock não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock.

[00134] As FIG. 12a à FIG. 12c mostram um aparelho para obter uma frequência de relógio de acordo com uma modalidade da presente invenção. O aparelho inclui um oscilador de clock, uma camada de material de absorção de choque e um substrato, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato. Uma conexão elétrica ou interfuncionamento de sinal pode ser implementada entre o oscilador de clock e o substrato. Por exemplo, o oscilador de clock pode ser conectado eletricamente ao substrato usando um fio de ligação (não mostrado na figura). Opcionalmente, uma almofada pode ser disposta no substrato, e uma quantidade de almofadas não é limitada.

[00135] Opcionalmente, o aparelho inclui adicionalmente uma placa de cobertura (mostrada na FIG. 12a) ou um material de encapsulamento de plástico (mostrado na FIG. 12c), e a placa de cobertura ou o material de encapsulamento de plástico é usado para encapsular a vácuo o oscilador de clock.

[00136] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque pode ser uma estrutura de camada plana. Neste caso, como mostrado na FIG. 12a, o oscilador de clock está localizado em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque, o substrato está localizado em um segundo lado da camada de material de absorção de choque, e o segundo lado da camada de material de absorção de choque está oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque. A estrutura de camada plana inclui, mas não está limitada a, uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano.

[00137] Opcionalmente, o substrato pode ser um circuito impresso flexível (flexible printed circuit, FPC). O FPC pode ter a forma de U. Como mostrado na FIG. 12b, uma primeira parte do FPC está localizada no primeiro lado da camada de material de absorção de choque, uma segunda parte do FPC está localizada no segundo lado da camada de material de absorção de choque, e a primeira parte do FPC está localizada entre o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque. Em outras palavras, a camada de material de absorção de choque é preenchida entre uma superfície superior e uma superfície inferior do FPC em forma de U que são paralelas. Neste caso, quando há vibração externa, a camada de material de absorção de choque ensanduichada entre a superfície superior e a superfície inferior do FPC que são paralelas pode converter a energia da onda mecânica em energia térmica através da deformação da camada de material de absorção de choque, para evitar efetivamente que uma onda mecânica seja conduzida entre o substrato e o oscilador de clock, de modo que o oscilador de clock seja protegido da vibração externa.

[00138] Opcionalmente, o oscilador de clock e o FPC podem ser ligados usando um adesivo de prata condutor ou soldados usando uma pasta de solda.

[00139] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque pode ser uma estrutura de camada curva. Neste caso, como mostrado na FIG. 12c, a camada de material de absorção de choque envolve totalmente ou parcialmente o oscilador de clock. A estrutura de camada curva inclui, mas não está limitada a, uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.

[00140] Para a estrutura da camada de material de absorção de choque, consulte a estrutura na modalidade anterior. Por exemplo, a estrutura de camada plana inclui uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano, e a estrutura de camada curva inclui uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva. Detalhes não são descritos novamente.

[00141] Um material absorvedor de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque pode ser o material absorvedor de choque fornecido na modalidade anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente.

[00142] O oscilador de clock pode ser o oscilador de clock fornecido na modalidade anterior. O oscilador de clock inclui um ressonador e um circuito integrado (IC). O ressonador é um ressonador de cristal ou um ressonador de semicondutor, por exemplo, o oscilador de clock mostrado na FIG. 2, FIG. 3a, FIG. 3b, FIG. 5a, FIG. 5d, FIG. 5d, FIG. 6, FIG. 7a, FIG. 7b, FIG. 8a, FIG. 8b, FIG. 9a, FIG. 9b, FIG. 10a ou FIG. 10b. Detalhes não são descritos novamente.

[00143] Uma modalidade da presente invenção fornece um método de produção para um aparelho para obter uma frequência de relógio. No método, uma camada de material de absorção de choque é adicionada entre um oscilador de clock e um substrato, e a camada de material de absorção de choque pode converter a energia da onda mecânica em energia térmica através da deformação da camada de material de absorção de choque, para prevenir eficazmente uma onda seja conduzida entre o oscilador de clock e o substrato, de modo que o oscilador de clock seja protegido de vibração externa. Isso pode garantir, quando houver vibração externa, que uma frequência de saída do oscilador de clock não seja deteriorada e melhore o desempenho de absorção de choque do oscilador de clock. Como mostrado na FIG. 13, o método inclui as etapas S210 e S220.

[00144] S210. Dispor pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato.

[00145] S220. Encapsular totalmente o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque para obter o aparelho.

[00146] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada plana, e a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato inclui: dispor o oscilador de clock em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque; e dispor pelo menos uma parte do substrato em um segundo lado da camada de material de absorção de choque, onde o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.

[00147] Opcionalmente, o substrato é um circuito impresso flexível (FPC), o FPC é em forma de U, e a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato inclui: dispor uma primeira parte do FPC no primeiro lado da camada de material de absorção de choque; dispor uma segunda parte do FPC no segundo lado da camada de material de absorção de choque; e dispor a primeira parte do FPC entre o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque.

[00148] Opcionalmente, uma estrutura da camada de material de absorção de choque inclui uma estrutura de camada curva, e a disposição de pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato inclui: usar a camada de material de absorção de choque para envolver totalmente ou parcialmente o oscilador de clock.

[00149] Opcionalmente, o método inclui adicionalmente: conectar eletricamente o oscilador de clock e o substrato usando um fio de ligação (bonding).

[00150] Um material absorvedor de choque selecionado para a camada de material de absorção de choque pode ser o material absorvedor de choque fornecido na modalidade anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente.

[00151] O oscilador de clock pode ser o oscilador de clock fornecido na modalidade anterior, por exemplo, o oscilador de clock mostrado na FIG. 2, FIG. 3a, FIG. 3b, FIG. 5a, FIG. 5d, FIG. 5d, FIG. 6, FIG. 7a, FIG. 7b, FIG. 8a, FIG. 8b, FIG. 9a, FIG. 9b, FIG. 10a ou FIG. 10b. Detalhes não são descritos novamente.

[00152] Uma maneira de encapsular totalmente é a mesma que na modalidade anterior, e os detalhes não são descritos aqui novamente. Por exemplo, o encapsulamento total do oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque inclui: encapsular a vácuo o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque usando uma placa de cobertura ou um material de encapsulamento de plástico.

[00153] Uma modalidade da presente invenção fornece um método para obter uma frequência de relógio. No método, uma frequência de relógio estável e de alto desempenho é obtida usando o aparelho na modalidade anterior.

[00154] Uma modalidade da presente invenção fornece um chip. O chip inclui o aparelho para obter uma frequência de relógio na modalidade anterior.

[00155] Uma modalidade da presente invenção fornece um dispositivo eletrônico. O dispositivo eletrônico inclui o aparelho para obter uma frequência de relógio na modalidade anterior. Especificamente, o dispositivo eletrônico pode ser um dispositivo de comunicação ou um dispositivo de rede, como um roteador, um comutador, ou outro dispositivo de encaminhamento, ou o dispositivo eletrônico pode ser um dispositivo de computador, como um computador pessoal, ou um servidor, ou o dispositivo eletrônico pode ser um dispositivo terminal de comunicação, como um telefone celular, ou um dispositivo inteligente vestível.

[00156] Neste pedido, os termos "primeiro", "segundo" e semelhantes são usados para distinguir entre itens iguais ou semelhantes cujos efeitos e funções são basicamente os mesmos. Deve ser entendido que não há dependência lógica ou de sequência de tempo entre "primeiro", "segundo" e "enésimo", e uma quantidade e uma sequência de execução também não são limitadas. Também deve ser entendido que, embora termos como primeiro e segundo sejam usados na descrição a seguir para descrever vários elementos, esses elementos não devem ser limitados pelos termos. Esses termos são usados apenas para distinguir um elemento de outro elemento. Por exemplo, sem se afastar do escopo dos vários exemplos, uma primeira imagem também pode ser referida como uma segunda imagem, e da mesma forma, uma segunda imagem pode ser referida como uma primeira imagem. Tanto a primeira como a segunda imagem podem ser imagens, e em alguns casos, podem ser imagens separadas e diferentes.

[00157] Deve adicionalmente ser entendido que os números de sequência dos processos anteriores não significam sequências de execução em várias modalidades deste pedido. As sequências de execução dos processos devem ser determinadas com base nas funções e na lógica interna dos processos, e não devem ser interpretadas como nenhuma limitação nos processos de implementação das modalidades deste pedido.

[00158] Deve ser entendido que os termos usados nas descrições dos vários exemplos no relatório descritivo se destinam apenas a descrever exemplos específicos, mas não se destinam a constituir uma limitação. Os termos "um" ("um" e "uma") e "o/a" de formas singulares usadas nas descrições dos vários exemplos e nas reivindicações anexas também se destinam a incluir formas plurais, a menos que especificado de outra forma claramente no contexto.

[00159] Deve ser entendido que, o termo "e/ou" utilizado neste relatório descritivo indica e inclui qualquer ou todas as combinações possíveis de um ou mais itens nos itens listados associados. O termo "e/ou" neste relatório descritivo descreve um relacionamento de associação para descrever objetos associados e representa que três relacionamentos podem existir. Por exemplo, A e/ou B podem representar os três casos a seguir: Apenas A existe, A e B existem, e somente B existe. Além disso, o caractere "/" neste pedido geralmente indica um relacionamento "ou" entre os objetos associados.

[00160] Deve adicionalmente ser entendido que o termo "inclui" (também referido como "inclui", "incluindo", "compreende" e/ou "compreendendo") usado neste relatório descritivo especifica a presença das características declaradas, números inteiros, etapas, operações, elementos e/ou componentes, com presença ou adição de um ou mais outros recursos, números inteiros, etapas, operações, elementos, componentes e/ou seus componentes não excluídos.

[00161] Deve ser adicionalmente compreendido que o termo "se" pode ser interpretado como um significado "quando" ("quando" ou "após"), "em resposta à determinação" ou "em resposta à detecção". Da mesma forma, de acordo com o contexto, a frase "se for determinado que" ou "se (uma condição ou evento declarado) for detectado" pode ser interpretada como um significado de "quando for determinado que" ou "em resposta à determinação" ou "quando (uma condição ou evento declarado) é detectado" ou "em resposta à detecção (uma condição ou evento declarado)".

[00162] Deve adicionalmente ser entendido que "uma modalidade", "uma modalidade" ou "uma possível implementação" mencionada ao longo deste relatório descritivo significa que recursos, estruturas ou características particulares relacionadas às modalidades ou implementações estão incluídas em pelo menos uma modalidade deste pedido. Portanto, "em uma modalidade", "em uma modalidade" ou "em uma possível implementação" que aparece ao longo deste relatório descritivo não se refere necessariamente a uma mesma modalidade. Além disso, esses recursos, estruturas ou características particulares podem ser combinados em uma ou mais modalidades de qualquer maneira apropriada.

[00163] As descrições anteriores são implementações meramente opcionais deste pedido, mas não se destinam a limitar o escopo de proteção deste pedido. Qualquer modificação ou substituição prontamente percebida por um técnico no assunto dentro do escopo técnico divulgado neste pedido deve cair dentro do escopo de proteção deste pedido. Portanto, o escopo de proteção deste pedido estará sujeito ao escopo de proteção das reivindicações.

Claims

Aparelho para obter uma frequência de relógio, caracterizado pelo fato de que o aparelho compreende um oscilador de clock, uma camada de material de absorção de choque, e um substrato, e pelo menos uma parte da camada de material de absorção de choque está localizada entre o oscilador de clock e pelo menos uma parte do substrato.
Aparelho, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a camada de material de absorção de choque compreende uma estrutura de camada de nível de mícron, uma estrutura de malha tridimensional de nível de nanômetro, ou um material de polímero.
Aparelho, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelo fato de que a estrutura de malha tridimensional de nível nanométrico compreende nanofibras.
Aparelho, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo fato de que as nanofibras compreendem nanofibras de carbono e/ou nanofibras de cerâmica.
Aparelho, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizado pelo fato de que uma estrutura da camada de material de absorção de choque compreende uma estrutura de camada plana, o oscilador de clock está localizado em um primeiro lado da camada de material de absorção de choque, pelo menos uma parte do substrato está localizada em um segundo lado do material de absorção de choque camada, e o segundo lado da camada de material de absorção de choque é oposto ao primeiro lado da camada de material de absorção de choque.
Aparelho, de acordo com a reivindicação 5, caracterizado pelo fato de que o substrato é um circuito impresso flexível, FPC, o FPC é em forma de U, uma primeira parte do FPC está localizada no primeiro lado da camada de material de absorção de choque, uma segunda parte do FPC está localizada no segundo lado da camada de material de absorção de choque, e a primeira parte do FPC está localizada entre o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque.
Aparelho, de acordo com a reivindicação 5 ou 6, caracterizado pelo fato de que a estrutura de camada plana compreende uma estrutura de camada plana contínua, uma estrutura de camada de grade plana, ou uma pluralidade de estruturas pontilhadas em um mesmo plano.
Aparelho, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizado pelo fato de que uma estrutura da camada de material de absorção de choque compreende uma estrutura de camada curva, e a camada de material de absorção de choque envolve totalmente ou parcialmente o oscilador de clock.
Aparelho, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo fato de que a estrutura de camada curva compreende uma estrutura de camada curva contínua ou uma estrutura de camada de grade curva.
Aparelho, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 9, caracterizado pelo fato de que o oscilador de clock compreende um ressonador e um circuito integrado, IC, e o ressonador é um ressonador de cristal ou um ressonador de semicondutor.
Aparelho, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 10, caracterizado pelo fato de que o aparelho compreende adicionalmente uma placa de cobertura ou um material de encapsulamento de plástico, e a placa de cobertura ou o material de encapsulamento de plástico é usado para encapsular a vácuo o oscilador de clock.
Aparelho, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 11, caracterizado pelo fato de que o aparelho compreende adicionalmente um fio de ligação, e o fio de ligação é configurado para conectar eletricamente o oscilador de clock e o substrato.
Método de produção para um aparelho para obter uma frequência de relógio, caracterizado pelo fato de que o método compreende: dispor pelo menos uma parte de uma camada de material de absorção de choque entre um oscilador de clock e pelo menos uma parte de um substrato; e encapsular totalmente o oscilador de clock e a camada de material de absorção de choque para obter o aparelho.
Método para obter uma frequência de relógio, caracterizado pelo fato de que a frequência de relógio é obtida usando o aparelho conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 12.
Chip, caracterizado pelo fato de que o chip compreende o aparelho conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 12.
Dispositivo eletrônico, caracterizado pelo fato de que o dispositivo eletrônico compreende o aparelho conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 12.
Dispositivo eletrônico, de acordo com a reivindicação 16, caracterizado pelo fato de que o dispositivo eletrônico é um dispositivo de comunicação ou um dispositivo de rede.