CN217063680U - 一种时钟振荡器、芯片、电子设备及装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种时钟振荡器，以及包括该时钟振荡器的芯片。该时钟振荡器包括谐振器、避震材料层和基座，避震材料层的至少一部分位于谐振器与基座之间。该时钟振荡器在谐振器和基座之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证谐振器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

Description

一种时钟振荡器、芯片、电子设备及装置

本申请要求于2021年1月26日提交的申请号为202120216355.X、发明名称为“一种时钟振荡器及其制备方法”的中国专利申请以及于2020年11月30日提交的申请号为202011386388.5、发明名称为“一种提高时钟振荡器抗震能力的方法”的中国专利申请的优先权，它们的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请涉及计算机领域，尤其涉及一种具有抗震能力的时钟振荡器及该时钟振荡器的制备方法、使用方法，以及包括该时钟振荡器的芯片。

背景技术

时钟振荡器，是电子系统中的重要器件，为电子系统提供必需的时钟频率，从而电子系统能够在该时钟频率下执行各种操作，实现正常工作。时钟振荡器通常由电学/机械谐振器、反馈网络、放大网络以及输出网络等模块构成，利用电路/机械谐振器的谐振特性实现频率选择，产生周期性振荡的频率信号，也即时钟信号。

当外界环境震动传递至谐振器时，可能导致谐振器的输出频率发生跳变，进而由于时钟信号的不稳定，导致整个电子系统性能劣化，产生误码。因而，抗震性能是时钟振荡器的重要性能指标，提高时钟振荡器的抗震性能是亟待解决的技术问题。

实用新型内容

提供了一种时钟振荡器，用于解决时钟振荡器抗震性能差的技术问题。

第一方面，提供了一种时钟振荡器，所述时钟振荡器包括谐振器、避震材料层和基座，所述避震材料层的至少一部分位于所述谐振器与所述基座之间。

该时钟振荡器在谐振器和基座之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证谐振器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层包括微米级层状结构或纳米级三维网状结构。

在一种可能的实现方式中，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。

在一种可能的实现方式中，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。

这些结构的材料能够形成厚度为几十微米至几百微米的避震材料层，从而以很薄的厚度实现高避震性能，确保小尺寸封装；并且这些结构的材料同时具备高强度和高韧性，克服了传统结构的材料难以兼具高强度与高韧性的问题，保证了可靠性；并且这些结构的材料能够通过大规模生物材料合成方法进行制备，经济便宜，支持大规模制造。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述谐振器位于所述避震材料层的第一侧，所述基座位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

在一种可能的实现方式中，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。

在一种可能的实现方式中，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。

在一种可能的实现方式中，所述谐振器与所述避震材料层的表面粘合，以实现二者之间的紧密连接。

在一种可能的实现方式中，所述时钟振荡器还包括集成电路IC；其中，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC 的第二表面相对；或者，所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠。

在一种可能的实现方式中，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器。

在一种可能的实现方式中，所述晶体谐振器为表面贴装器件SMD陶瓷封装的晶体谐振器。

在一种可能的实现方式中，所述半导体谐振器为圆片封装的半导体谐振器。

对谐振器进行预封装，以便于在谐振器与基座之间设置避震材料层。

在一种可能的实现方式中，所述谐振器和所述避震材料层通过真空封装或塑封的方式进行整体封装。

第二方面，提供了一种制备时钟振荡器的方法，所述方法包括：将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间；对所述谐振器和所述避震材料层进行整体封装，以获得所述时钟振荡器。

该方法在谐振器和基座之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证谐振器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层包括微米级层状结构或纳米级三维网状结构。

在一种可能的实现方式中，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。

在一种可能的实现方式中，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。

这些结构的材料能够形成厚度为几十微米至几百微米的避震材料层，从而以很薄的厚度实现高避震性能，确保小尺寸封装；并且这些结构的材料同时具备高强度和高韧性，克服了传统结构的材料难以兼具高强度与高韧性的问题，保证了可靠性；并且这些结构的材料能够通过大规模生物材料合成方法进行制备，经济便宜，支持大规模制造。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器放置在所述避震材料层的第一侧；将基座放置在所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

在一种可能的实现方式中，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构为曲面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：利用所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。

在一种可能的实现方式中，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。

在一种可能的实现方式中，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器与所述避震材料层的表面粘合，以实现二者之间的紧密连接。

在一种可能的实现方式中，所述时钟振荡器还包括集成电路IC，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述避震材料层的至少一部分设置在谐振器与所述IC之间，所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对。

在一种可能的实现方式中，所述时钟振荡器还包括集成电路IC，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器、所述避震材料层和所述IC放置在所述基座的第一表面上，且所述IC与所述避震材料层不重叠。

在一种可能的实现方式中，所述整体封装的封装方式包括真空封装或塑封。

在一种可能的实现方式中，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间之前，所述方法还包括：对所述谐振器进行真空封装。

在一种可能的实现方式中，当所述谐振器为晶体谐振器时，对所述谐振器进行真空封装，包括：对所述晶体谐振器进行表面贴装器件SMD陶瓷封装；当所述谐振器为半导体谐振器时，对所述谐振器进行真空封装，包括：对所述半导体谐振器进行圆片封装。对谐振器进行预封装，以便于在谐振器与基座之间设置避震材料层。

第三方面，提供了一种获得时钟频率的方法，通过上述第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中的时钟振荡器获得时钟频率。

第四方面，提供了一种芯片，所述芯片包括如上述第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中的时钟振荡器。

第五方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括如上述第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中的时钟振荡器。

在一种可能的实现方式中，所述电子设备为通信设备或网络设备。

第六方面，提供了一种获得时钟频率的装置，所述装置包括时钟振荡器、避震材料层和基板，所述避震材料层的至少一部分位于所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间。

该装置在所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基板与时钟振荡器之间有效地阻止机械波传导，使得时钟振荡器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证时钟振荡器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层包括微米级层状结构、纳米级三维网状结构或高分子聚合材料。

在一种可能的实现方式中，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。

在一种可能的实现方式中，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述时钟振荡器位于所述避震材料层的第一侧，所述基板的至少一部分位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

在一种可能的实现方式中，所述基板为柔性线路板FPC，所述FPC呈U形，所述FPC的第一部分位于所述避震材料层的第一侧，所述FPC的第二部分位于所述避震材料层的第二侧，且所述FPC的第一部分位于所述时钟振荡器与所述避震材料层之间。

在一种可能的实现方式中，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述避震材料层全包围或半包围所述时钟振荡器。

在一种可能的实现方式中，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。

在一种可能的实现方式中，所述时钟振荡器包括谐振器和集成电路IC，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器。

在一种可能的实现方式中，所述装置还包括盖板或塑封材料，所述盖板或所述塑封材料用于对所述时钟振荡器进行真空封装。

在一种可能的实现方式中，所述装置还包括接合bonding线，所述bonding线用于电连接所述时钟振荡器和所述基板。

第七方面，提供了一种获得时钟频率的装置的制备方法，所述方法包括：将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间；对所述时钟振荡器和所述避震材料层进行整体封装，以获得所述装置。

该方法在所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基板与时钟振荡器之间有效地阻止机械波传导，使得时钟振荡器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证时钟振荡器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层包括微米级层状结构、纳米级三维网状结构或高分子聚合材料。

在一种可能的实现方式中，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。

在一种可能的实现方式中，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间，包括：将所述时钟振荡器设置在所述避震材料层的第一侧，将所述基板的至少一部分设置在所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

在一种可能的实现方式中，所述基板为柔性线路板FPC，所述FPC呈U形，所述将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间，包括：将所述FPC 的第一部分设置在所述避震材料层的第一侧，将所述FPC的第二部分设置在所述避震材料层的第二侧，将所述FPC的第一部分设置在所述时钟振荡器与所述避震材料层之间。

在一种可能的实现方式中，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

在一种可能的实现方式中，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间，包括：利用所述避震材料层全包围或半包围所述时钟振荡器。

在一种可能的实现方式中，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。

在一种可能的实现方式中，所述时钟振荡器包括谐振器和集成电路IC，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器。

在一种可能的实现方式中，所述对所述时钟振荡器和所述避震材料层进行整体封装，包括：利用盖板或塑封材料对所述时钟振荡器和所述避震材料层进行真空封装。

在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：利用接合bonding线电连接所述时钟振荡器和所述基板。

第八方面，提供了一种获得时钟频率的方法，通过如第六方面或第六方面的任意一种可能的实现方式中的装置获得所述时钟频率。

第九方面，提供了一种芯片，所述芯片包括如第六方面或第六方面的任意一种可能的实现方式中的装置。

第十方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第六方面的任意一种可能的实现方式中的装置。

在一种可能的实现方式中，所述电子设备为通信设备或网络设备。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面附图只是本申请的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得同样能实现本申请的其他技术方案和附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种时钟振荡器的基本原理示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图3a为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图3b为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图3c为本实用新型实施例提供的一种承载晶体振荡器的PCB板的结构示意图；

图4a为本实用新型实施例提供的一种半导体谐振器的构造示意图；

图4b为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图5a为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图5b为本实用新型实施例提供的一种SMD陶瓷封装的晶体谐振器的结构示意图；

图5c为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图5d为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图5e为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图5f为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图7a为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图7b为本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器的构造示意图；

图8a为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图8b为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图9a为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图9b为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图10a为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图10b为本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器的构造示意图；

图11为本实用新型实施例提供的一种制备时钟振荡器的方法流程图；

图12a为本实用新型实施例提供的一种获得时钟频率的装置的构造示意图；

图12b为本实用新型实施例提供的一种获得时钟频率的装置的构造示意图；

图12c为本实用新型实施例提供的一种获得时钟频率的装置的构造示意图；

图13为本实用新型实施例提供的一种获得时钟频率的装置的制备方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图，对本申请的实施例进行描述。

图1示出了一种时钟振荡器的基本原理示意图。如图1左侧所示，时钟振荡器包括谐振器、反馈网络、选频网络、放大网络以及输出网络。结合图1右侧的放大、反馈及选频网络环路模型，放大网络具有功率增益，当谐振器起振时，放大网络工作在线性区，将噪声信号或输入信号进行放大，一旦谐振器的振荡已经建立，放大网络进入非线性状态，环路增益下降，达到稳幅和频率稳定的目的；选频网络对放大网络输出的各个频率信号进行选择，使选定频点的频率信号输出，其他频率的信号被抑制；反馈网络将通过选频网络的频率信号反馈回放大网络的输入端，形成一个闭环的正反馈网络；而输出网络将被放大的稳定频率信号进行整形与驱动，输出到其他器件。

根据谐振器类型的区别，时钟振荡器可以分为不同种类，其中，晶体振荡器和半导体振荡器是两种典型的机械振荡器。

图2示出了一种晶体振荡器的构造示意图。如图2所示，晶体振荡器包括晶体谐振器，通常为从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片，也称晶片或晶振。晶片在晶体振荡器中呈半悬空结构，晶体振荡器利用晶片的谐振特性实现频率选择，输出特定频率信号。除了晶体谐振器以外，晶体振荡器还包括集成电路IC、导电银胶、基座和盖板。

在晶体振荡器中，晶片的厚度与晶片基本频率(fundamental frequency)相关，该基本频率又可以称为基频或输出频率。通常来说，基频越高晶片厚度越薄。例如，基频为156.25MHz的晶片厚度约为11μm，基频为285MHz的晶片厚度约为7μm，而基频为 500MHz的晶片厚度约为3μm。

在实际产品应用中，高速模拟数字转换器(analog-to-digital converter,ADC)/数字模拟转换器(digital-to-analog converter,DAC)中均需要高频率低抖动性能的时钟振荡器，目前高基频晶体振荡器是高速ADC/DAC的主流时钟方案，因而，上述微米级晶片在这些器件中存在广泛应用。

然而厚度越薄的晶片，其抗震性能也越差。通常来说，外界应力与晶片基频之间存在理论上的关系，如以下式(1)表示。

其中，K_F为常数因子，f是晶片基频，Δf是震动引起的频率误差，Force是外界对晶片作用力，Frequency constant是常数，Diameter是晶片等效直径，Thickness是晶片厚度。由式(1)可以看出，在相同的外界应力影响下，当晶片厚度越薄时，震动引起的频率误差越大，也即晶片抗震性能越差。因而，上述微米级别厚度的晶片在受到外界震动影响时，更容易引起频率误差，由此发生性能劣化，甚至发生断裂导致整个晶体振荡器失效。

然而，在晶体振荡器工作过程中，外界震动影响在所难免。例如，环境温度变化将引起通信设备光模块中的印刷电路板PCB应力释放产生声发射(acoustic emission)，其中比较典型的场景是，在温度变化时，PCB板上锡膏中的残余助焊剂在温度循环时会产生裂纹，裂纹产生及扩展的过程中都会伴随有声发射，声发射通常为频率约200kHz的高频机械震动。如图2所示，晶片与基座间通常为刚性连接，声发射中的高频机械震动能够传递至晶片，而且晶片为半悬空结构，上述高频机械震动将导致晶片弯曲变形，晶片弯曲变形将引起晶片输出频率的跳变，进而导致系统性能劣化，引发业务误码。在实际生产过程中，由于温度变化引起的晶振跳频、业务误码问题已经严重影响产品研发生产效率及产品竞争力。

图3a示出了一种晶体振荡器的构造示意图。在该晶体振荡器中，晶片和基座之间导电银胶的点胶数量增加了，以吸收外界震动，提高晶体振荡器的抗震性能。然而，由于外界震动属于机械波，依靠刚体传播，仅增加点胶数量无法改变晶体谐振器与基座之间刚性连接的本质，无法阻止外界高频机械波向晶体谐振器的传播，因而也无法有效改善外界震动对晶体振荡器的影响。

图3b示出了一种晶体振荡器的构造示意图。在该晶体振荡器中，对晶片和基座之间导电银胶的类别进行了置换，在确保基座与晶片之间连接可靠性的同时，提高晶体振荡器的抗震性能。然而，与图3a所示的晶体振荡器类似，由于外界震动属于机械波，依靠刚体传播，仅置换导电银胶类别无法改变晶体谐振器与基座之间刚性连接的本质，无法阻止外界高频机械波向晶体谐振器的传播，因而也无法有效改善外界震动对晶体振荡器的影响。

图3c示出了一种承载晶体振荡器的PCB板的结构示意图。如图3c所示，该PCB板上设置有用于焊接固定晶体振荡器的振荡器焊盘，围绕这些振荡器焊盘设置有应力隔离槽，从而能够对PCB本身热胀冷缩产生的应力有一定的阻尼作用。然而，这种应力隔离槽无法隔离所有外界震动，例如，无法隔离温度循环时晶体振荡器焊盘焊焊锡中助焊剂裂纹产生的高频震动。

半导体振荡器是另一种重要的时钟振荡器类型，与晶体振荡器相比，半导体振荡器中的谐振器为基于半导体工艺制备而成的微纳米结构，因而又称为半导体谐振器。在微米范围内的半导体谐振器通常也属于微机电系统(Microelectromechanical Systems,MEMS)谐振器。图4a示出了一种半导体谐振器的构造示意图，图4b示出了包括该半导体谐振器的半导体振荡器。如图4a所示，该半导体谐振器为体声波(bulk acoustic wave,BAW)谐振器，由上电极、下电极、压电材料层以及基板构成。其中，压电材料层夹在上电极和下电极之间，三者构成的整体放置在基板上。可选的，在下电极与基板之间还可以设置声波反射器(acoustic mirror)。如图4b所示，上述BAW谐振器与IC电路及基板连接，共同组成BAW振荡器。BAW振荡器为半导体振荡器的一种，其基本原理是，通过电声换能器 (图4a中未示出)，将电信号转换成声波在压电材料层中传递，声波在压电材料中进行反射和谐振，最终再将声波转换成较高频的电信号，形成振荡信号。

需要说明是，本实用新型实施例涉及的半导体振荡器可以是各种类型的半导体振荡器，包括但不限于图4b所示的BAW振荡器。其他类型的半导体振荡器，例如硅MEMS 振荡器，也适用于本实用新型实施例。

与晶体振荡器相比，半导体振荡器受外界震动影响较小。然而，当外界震动传递至半导体谐振器时，仍然有可能引起半导体谐振器的弯曲形变，导致半导体谐振器输出频率跳变，进而导致系统性能劣化，引发业务误码。然而，目前业内尚无有效、可靠、不引入性能代价、不增加生产流程复杂度的解决方案。

因而，提升时钟振荡器的抗震性能是亟待解决的技术问题。

本实用新型实施例提供了一种时钟振荡器，该时钟振荡器包括谐振器、避震材料层和基座，所述避震材料层的至少一部分位于所述谐振器与所述基座之间。该时钟振荡器在谐振器和基座之间增设避震材料层，该避震材料层能够通过自身形变，将机械波能量转化为热能，从而在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证谐振器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

本实用新型实施例提供的时钟振荡器可以是晶体振荡器，也可以是半导体振荡器。

图5a示出了本实用新型实施例提供的一种晶体振荡器。该晶体振荡器包括晶体谐振器、避震材料层和基座，避震材料层的至少一部分位于晶体谐振器与基座之间。该避震材料层能够有效提升时钟振荡器的抗震性能，同时保证整个振荡器元件的可靠性和小尺寸封装。举例来说，该避震材料层所选用的避震材料具有如下特性中的一种或多种：1)能够形成微纳米级超薄层状结构，以尽量减少器件厚度的增加；2)超弹性，以实现高吸波效率； 3)抗疲劳，能够反复形变而不会产生不可逆形变；4)耐热，长期工作在高温下不会发生性状退化；5)高强度，不易撕裂，抗冲击。

其中，增设避震材料层对器件整体厚度的影响是重要考虑因素，当前高基频晶体振荡器的高度为1.05mm左右，为了避免对器件厚度造成严重影响，最终获得的避震材料层的厚度优选在微米量级，例如几百微米以下。以碳纳米管和石墨烯为例，虽然这两种材料具有超弹性和热机械稳定性，但涉及的设备和制备过程复杂，目前仅能获得毫米级尺寸的材料，适用于本实用新型实施例中的避震材料层时将大幅增加时钟振荡器的整体厚度。

可选的，避震材料也可以是高分子聚合材料。该高分子聚合材料可以是逆形变的高弹性高分子聚合物材料，如硅胶、橡胶等。高分子聚合材料具备加工简便的优点，且材料能够大规模制备，经济便宜。

可选的，本实用新型实施例中所述避震材料层所选用的避震材料，可以是微米级层状结构，或者可以是纳米级三维网络结构。这两种结构的材料能够形成厚度为几十微米至几百微米的避震材料层，从而以很薄的厚度实现高避震性能，确保小尺寸封装；并且这两种结构的材料同时具备高强度和高韧性，克服了传统结构的材料难以兼具高强度与高韧性的问题，保证了可靠性；并且这两种结构的材料能够通过大规模生物材料合成方法进行制备，经济便宜，支持大规模制造。

可选的，所述避震材料层所选用的避震材料，可以是碳纳米纤维材料，或者可以是陶瓷纳米纤维材料。这些纳米纤维材料能够在提高时钟振荡器抗震能力的基础上，保证可靠性和小尺寸封装。

可选的，在该晶体振荡器中，晶体谐振器可以预先进行真空封装，以便于增设避震材料层。所述真空封装的方式可以是表面贴装器件(surface mounted devices,SMD)陶瓷封装。图5b示出了SMD陶瓷封装的晶体谐振器的结构示意图，其中，晶体谐振器呈半悬空结构，通过导电银胶粘接在SMD陶瓷封装壳体上。可选的，所述SMD陶瓷真空封装的晶体谐振器能够满足现有的各种晶体谐振器通用尺寸规格，例如，所述SMD陶瓷真空封装的晶体谐振器的封装尺寸可以是差分SMD3225或者单端SMD2520。

可选的，所述晶体谐振器与所述避震材料层之间相互接触的表面进行粘合，以实现二者之间的紧密连接。

可选的，该晶体振荡器还包括集成电路IC。

可选的，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对；也就是说，所述晶体谐振器与所述IC堆叠放置，此时该晶体振荡器的侧视图如图5a所示，俯视图如图5c所示。

可选的，所述避震材料层及所述IC均与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠；也就是说，所述晶体谐振器与所述IC并行放置，此时该晶体振荡器的侧视图如图5d所示，俯视图如图5e所示。

可选的，所述避震材料层的结构可以是层状结构。

可选的，所述避震材料层的结构可以是平面式层状结构。此时如图5a及图5d所示，所述晶体谐振器位于所述避震材料层的第一侧，所述基座位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。所述平面式层状结构包括但不限于连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。如图5f 所示，当所述避震材料层的结构为平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构时，该避震材料层仍然能够在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响。

可选的，所述避震材料层的结构也可以是曲面式层状结构。此时，如图6所示，所述避震材料层全包围或半包围所述晶体谐振器。所述曲面式层状结构包括但不限于连续曲面式层状结构或曲面网络式层状结构。

可选的，晶体谐振器和避震材料层将进行整体封装，以获得晶体振荡器。该整体封装的方式可以是真空封装或塑封。例如，上述图5a、图5d、图5f及图6均示出了一种真空封装方式，在这种真空封装方式中，晶体谐振器、避震材料层及IC放置在陶瓷基座上，其上用金属盖板覆盖。又例如，图7a示出了另一种真空封装方式，在这种真空封装方式中，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对，基座的第一表面用弧形盖板覆盖，进一步用树脂材料进行封装。需要说明的是，在图7a所示的真空封装方式中，也可以是所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠，在此不再给出具体图示。又例如，图7b示出了一种塑封方式，在这种塑封方式中，避震材料层全包围晶体谐振器，所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对，即两者与IC重叠后进一步放置在基座上，基座的第一表面用塑封材料封装。需要说明的是，在图7b所示的真空封装方式中，也可以是所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠，在此不再给出具体图示。

图8a示出了本实用新型实施例提供的一种半导体振荡器。该半导体振荡器包括半导体谐振器、避震材料层和基座，避震材料层的至少一部分位于半导体谐振器与基座之间。其中，避震材料层所选用的避震材料的性能要求和具体类型与上述晶体振荡器相同，在此不再赘述。

可选的，所述半导体谐振器可以是BAW谐振器、MEMS谐振器、或者其他类型的半导体谐振器。

可选的，在该半导体振荡器中，半导体谐振器可以预先进行圆片封装。

可选的，所述半导体谐振器与所述避震材料层之间相互接触的表面进行粘合，以实现二者之间的紧密连接。

可选的，该半导体振荡器还包括IC。

可选的，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对；也就是说，所述半导体谐振器与所述IC堆叠放置，此时该半导体振荡器如图8a所示。

可选的，所述避震材料层及所述IC均与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠；也就是说，所述半导体谐振器与所述IC并行放置，此时该半导体振荡器如图8b所示。

可选的，半导体振荡器中的避震材料层的结构与上述晶体振荡器相同，可以是层状结构，进一步的，该层状结构可以是平面式层状结构或曲面式层状结构，在此不再赘述。如上述图8a及图8b示出了采用连续平面式层状结构的避震材料层的半导体振荡器，如图9a示出了采用平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构的避震材料层的半导体振荡器，如图9b示出了采用曲面式层状结构的避震材料层的半导体振荡器。

可选的，半导体谐振器和避震材料层将进行整体封装，以获得半导体振荡器。该整体封装的方式可以是真空封装或塑封。例如，上述图8a、图8b、图9a及图9b均示出了一种真空封装方式，在这种真空封装方式中，半导体谐振器、避震材料层及IC放置在陶瓷基座上，其上用金属盖板覆盖。又例如，图10a示出了另一种真空封装方式，在这种真空封装方式中，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对，基座的第一表面用弧形盖板覆盖，进一步用树脂材料进行封装。需要说明的是，在图10a所示的真空封装方式中，也可以是所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠，在此不再给出具体图示。又例如，图10b示出了一种塑封方式，在这种塑封方式中，避震材料层全包围半导体谐振器，所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC 的第二表面相对，即两者与IC重叠后进一步放置在基座上，基座的第一表面用塑封材料封装。需要说明的是，在图10b所示的真空封装方式中，也可以是所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠，在此不再给出具体图示。

可选的，在上述晶体振荡器和半导体振荡器中，可以通过打线方式将真空封装后的晶体谐振器中的电极引出，或者通过打线方式将圆片封装后的半导体谐振器中的电极引出。

以通信设备光模块中的晶体振荡器为例，通过实际在板测试可以发现，在未增设避震材料层的情况下，光模块误码率为10％以上，在增设避震材料层后，可实现基本无误码。因而，采用本实用新型实施例提供的时钟振荡器，能够显著提高时钟振荡器的抗震能力，改善产品生产过程，提高产品竞争力。并且，可以在提高时钟振荡器抗震能力的基础上，保证可靠性和小尺寸封装。

本实用新型实施例提供了一种制备时钟振荡器的方法。该方法在谐振器和基座之间增设避震材料层，该避震材料层能够通过自身形变，将机械波能量转化为热能，从而在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证谐振器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。如图11所示，该方法包括步骤S110和S120。

S110,将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间；

S120,对所述振荡器和所述避震材料层进行整体封装，以获得所述时钟振荡器。

其中，时钟振荡器可以是晶体振荡器，也可以是半导体振荡器。

其中，避震材料层所选用的避震材料的性能要求、具体类型及结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

其中，整体封装的封装方式与上述实施例相同，在此不再赘述。

可选的，当所述避震材料层的结构包括平面式层状结构时，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器放置在所述避震材料层的第一侧；将基座放置在所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

可选的，当所述避震材料层的结构为曲面式层状结构时，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：利用所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。

可选的，所述避震材料层的结构为曲面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：利用所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。

可选的，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器与所述避震材料层的表面粘合。

可选的，所述时钟振荡器还包括集成电路IC，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述避震材料层的至少一部分设置在谐振器与所述IC之间，所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对。

可选的，所述时钟振荡器还包括集成电路IC，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器、所述避震材料层和所述IC放置在所述基座的第一表面上，且所述IC与所述避震材料层不重叠。

可选的，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间之前，所述方法还包括：

对所述谐振器进行真空封装。

其中，所述晶体谐振器及所述半导体谐振器的真空封装方式与上述实施例相同，在此不再赘述。

本实用新型实施例提供了一种获得时钟频率的方法。该方法通过上述实施例中的时钟振荡器获得稳定、高性能的时钟频率。

本实用新型实施例提供了一种芯片，该芯片包括上述实施例中的时钟振荡器。

本实用新型实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括上述实施例中的时钟振荡器。具体的，该电子设备可以是通信设备或网络设备，例如路由器、交换机或其他转发设备，或者，该电子设备也可以是计算机设备，例如个人电脑或服务器等，或者，该电子设备也可以是通信终端设备，例如移动电话或可穿戴智能设备等。

此外，本实用新型实施例提供了一种获得时钟频率的装置，所述装置包括时钟振荡器、避震材料层和基板，所述避震材料层的至少一部分位于所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间。该装置在所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基板与时钟振荡器之间有效地阻止机械波传导，使得时钟振荡器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证时钟振荡器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。

图12a到图12c示出了本实用新型实施例提供的一种获得时钟频率的装置。该装置包括时钟振荡器、避震材料层和基板，所述避震材料层的至少一部分位于所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间。所述时钟振荡器与基板之间能够实现电连接或信号互通。例如，所述时钟振荡器与基板之间可以通过接合bonding线(图中未示出)实现电连接。可选的，所述基板上可以设置有焊盘，焊盘数量不限。

可选的，所述装置还包括盖板(如图12a所示)或塑封材料(如图12c)，所述盖板或所述塑封材料用于对所述时钟振荡器进行真空封装。

可选的，所述避震材料层的结构可以是平面式层状结构。此时如图12a所示，所述时钟振荡器位于所述避震材料层的第一侧，所述基板位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。所述平面式层状结构包括但不限于连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

可选的，所述基板可以是柔性线路板(Flexible Printed Circuit Board,FPC)。所述FPC 可以呈U形。如图12b所示，所述FPC的第一部分位于所述避震材料层的第一侧，所述 FPC的第二部分位于所述避震材料层的第二侧，且所述FPC的第一部分位于所述时钟振荡器与所述避震材料层之间。即所述避震材料层填充在U形FPC的上下两个平行面之间。此时，当外界震动传来时，夹在FPC上下两个平行面之间的避震材料层能够通过自身形变，将机械波能量转化为热能，从而在基板与时钟振荡器之间有效地阻止机械波传导，使得时钟振荡器免于外界震动的影响。

可选的，所述时钟振荡器与所述FPC之间可以使用导电银胶粘接或锡膏焊接。

可选的，所述避震材料层的结构也可以是曲面式层状结构。此时，如图12c所示，所述避震材料层全包围。或者，所述避震材料层也可以半包围所述时钟振荡器。所述曲面式层状结构包括但不限于连续曲面式层状结构或曲面网络式层状结构。

该避震材料层的结构可以参见上述实施例的结构，例如，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构，在此不再赘述。

其中，所述避震材料层所选用的避震材料可以为上述实施例中所提供的避震材料，在此不再赘述。

其中，所述时钟振荡器可以为上述实施例中所提供的时钟振荡器，所述时钟振荡器包括谐振器和集成电路IC，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器，例如，如图2、图3a、图3b、图5a、图5d、图5d、图6、图7a、图7b、图8a、图8b、图9a、图9b、图10a 或图10b所示的时钟振荡器，在此不再赘述。

本实用新型实施例提供了一种获得时钟频率的装置的制备方法。该方法在时钟振荡器和基板之间增设避震材料层，该避震材料层能够通过自身形变，将机械波能量转化为热能，从而在时钟振荡器和基板之间之间有效地阻止机械波传导，使得时钟振荡器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证时钟振荡器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。如图13所示，该方法包括步骤S210和S220。

S210,将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间；

S220,对所述时钟振荡器和所述避震材料层进行整体封装，以获得所述装置。

可选的，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间，包括：

将所述时钟振荡器设置在所述避震材料层的第一侧，

将所述基板的至少一部分设置在所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

可选的，所述基板为柔性线路板FPC，所述FPC呈U形，所述将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间，包括：

将所述FPC的第一部分设置在所述避震材料层的第一侧，

将所述FPC的第二部分设置在所述避震材料层的第二侧，

将所述FPC的第一部分设置在所述时钟振荡器与所述避震材料层之间。

可选的，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在时钟振荡器与基板的至少一部分之间，包括：

利用所述避震材料层全包围或半包围所述时钟振荡器。

可选的，所述方法还包括：

利用接合bonding线电连接所述时钟振荡器和所述基板。

其中，所述避震材料层所选用的避震材料可以为上述实施例中所提供的避震材料，在此不再赘述。

其中，所述时钟振荡器可以为上述实施例中所提供的时钟振荡器，例如，如图2、图3a、图3b、图5a、图5d、图5d、图6、图7a、图7b、图8a、图8b、图9a、图9b、图10a 或图10b所示的时钟振荡器，在此不再赘述。

其中，整体封装的封装方式与上述实施例相同，在此不再赘述。例如，所述对所述时钟振荡器和所述避震材料层进行整体封装，包括：

利用盖板或塑封材料对所述时钟振荡器和所述避震材料层进行真空封装。

本实用新型实施例提供了一种获得时钟频率的方法。该方法通过上述实施例中的装置获得稳定、高性能的时钟频率。

本实用新型实施例提供了一种芯片，该芯片包括上述实施例中的获得时钟频率的装置。

本实用新型实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括上述实施例中的获得时钟频率的装置。具体的，该电子设备可以是通信设备或网络设备，例如路由器、交换机或其他转发设备，或者，该电子设备也可以是计算机设备，例如个人电脑或服务器等，或者，该电子设备也可以是通信终端设备，例如移动电话或可穿戴智能设备等。

本申请中术语“第一”“第二”等字样用于对作用和功能基本相同的相同项或相似项进行区分，应理解，“第一”、“第二”、“第n”之间不具有逻辑或时序上的依赖关系，也不对数量和执行顺序进行限定。还应理解，尽管以下描述使用术语第一、第二等来描述各种元素，但这些元素不应受术语的限制。这些术语只是用于将一元素与另一元素区别分开。例如，在不脱离各种所述示例的范围的情况下，第一图像可以被称为第二图像，并且类似地，第二图像可以被称为第一图像。第一图像和第二图像都可以是图像，并且在某些情况下，可以是单独且不同的图像。

还应理解，在本申请的各个实施例中，各个过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

应理解，在本文中对各种所述示例的描述中所使用的术语只是为了描述特定示例，而并非旨在进行限制。如在对各种所述示例的描述和所附权利要求书中所使用的那样，单数形式“一个(“a”“，an”)”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确地指示。

还应理解，本文中所使用的术语“和/或”是指并且涵盖相关联的所列出的项目中的一个或多个项目的任何和全部可能的组合。术语“和/或”，是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本申请中的字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

还应理解，术语“包括”(也称“includes”、“including”、“comprises”和/或“comprising”) 当在本说明书中使用时指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或部件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、部件、和/或其分组。

还应理解，术语“若”和“如果”可被解释为意指“当...时”(“when”或“upon”) 或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“若确定...”或“若检测到[所陈述的条件或事件]”可被解释为意指“在确定...时”或“响应于确定...”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。

还应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”、“一实施例”、“一种可能的实现方式”意味着与实施例或实现方式有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”、“一种可能的实现方式”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。

以上所述，仅为本申请的可选实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (32)

1.一种时钟振荡器，其特征在于，

所述时钟振荡器包括谐振器、避震材料层和基座，所述避震材料层的至少一部分位于所述谐振器与所述基座之间。

2.根据权利要求1所述的时钟振荡器，其特征在于，所述避震材料层包括微米级层状结构、纳米级三维网状结构或高分子聚合材料。

3.根据权利要求2所述的时钟振荡器，其特征在于，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。

4.根据权利要求3所述的时钟振荡器，其特征在于，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。

5.根据权利要求1-4任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述谐振器位于所述避震材料层的第一侧，所述基座位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

6.根据权利要求5所述的时钟振荡器，其特征在于，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

7.根据权利要求1-4任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。

8.根据权利要求7所述的时钟振荡器，其特征在于，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。

9.根据权利要求1-8任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述谐振器与所述避震材料层的表面粘合。

10.根据权利要求1-9任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述时钟振荡器还包括集成电路IC；

其中，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对；或者，

所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠。

11.根据权利要求1-10任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器。

12.根据权利要求11所述的时钟振荡器，其特征在于，所述晶体谐振器为表面贴装器件SMD陶瓷封装的晶体谐振器。

13.根据权利要求11所述的时钟振荡器，其特征在于，所述半导体谐振器为圆片封装的半导体谐振器。

14.根据权利要求1-13任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述谐振器和所述避震材料层通过真空封装或塑封的方式进行整体封装。

15.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-14任一项所述的时钟振荡器。

16.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-14任一项所述的时钟振荡器。

17.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为通信设备或网络设备。

18.一种获得时钟频率的装置，其特征在于，所述装置包括时钟振荡器、避震材料层和基板，所述避震材料层的至少一部分位于所述时钟振荡器与所述基板的至少一部分之间。

19.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，所述避震材料层包括微米级层状结构、纳米级三维网状结构或高分子聚合材料。

20.根据权利要求19所述的装置，其特征在于，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。

21.根据权利要求20所述的装置，其特征在于，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。

22.根据权利要求18-21任一项所述的装置，其特征在于，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述时钟振荡器位于所述避震材料层的第一侧，所述基板的至少一部分位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。

23.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，所述基板为柔性线路板FPC，所述FPC呈U形，所述FPC的第一部分位于所述避震材料层的第一侧，所述FPC的第二部分位于所述避震材料层的第二侧，且所述FPC的第一部分位于所述时钟振荡器与所述避震材料层之间。

24.根据权利要求22或23所述的装置，其特征在于，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。

25.根据权利要求18-21任一项所述的装置，其特征在于，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述避震材料层全包围或半包围所述时钟振荡器。

26.根据权利要求25所述的装置，其特征在于，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。

27.根据权利要求18-26任一项所述的装置，其特征在于，所述时钟振荡器包括谐振器和集成电路IC，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器。

28.根据权利要求18-27任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括盖板或塑封材料，所述盖板或所述塑封材料用于对所述时钟振荡器进行真空封装。

29.根据权利要求18-28任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括接合bonding线，所述bonding线用于电连接所述时钟振荡器和所述基板。

30.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求18-29任一项所述的装置。

31.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求18-29任一项所述的装置。

32.根据权利要求31所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为通信设备或网络设备。

Images