BE438184A - - Google Patents
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Description
à Système7conductibilité électrique non-symétrique, en particulier redresseur sec à plaques. La présente invention concerne un système à conductibilité électrique non-symétrique du type au sélénium, en particulier un redresseur sec, un détecteur ou une photocellule à couche d'arrêt, qui est formé essentiellement d'une électrode porteuse, d'une couche semi-conductrice fixée à celle-ci et d'une contre-électrode, et dont la <EMI ID=1.1> et la contre-électrode. Dans les éléments connus de ce genre, la contre-électrode est faite en un métal facilement fusible, comme le cadmium ou un alliage métallique approprié. Pour l'obtention de conditions définies, la couche d'arrêt est fréquemment:. appliquée sur la surface libre du semi-conducteur en une opération particulière et est pourvue ensuite du revêtement métallique formant la contre-électrode. Le système à conductibilité non-symétrique suivant la présente invention se distingue des systèmes connus par le fait que, sans que cela nuise à la conductibilité dans le sens du passage, l'effet d'arrêt est notablement augmenté et qu'il ne nécessite pas la production d'une couche d'arrêt en une opération séparée. Suivant la présente invention il y a sur la surface libre du semi-conducteur opposée à l'électrode porteuse une couche d'un métal tel que le thallium, le gallium, l'indium ou un alliage de ceux-ci. Cette couche peut servir directement de contre-électrode; il est à recommander de prévoir, uniquement en vue de la protection, une couche métallique supplémentaire. On obtient des valeurs particulièrement bonnes au point de vue de l'effet d'arrêt en employant le procédé de fabrication suivantl Sur le semi-conducteur se trouvant sur l'électrode porteuse dans la modification efficace, comme par exemple le sélé- <EMI ID=2.1> condensation de vapeurs en un temps aussi court que possible (une seconde) jusqu'à ce qu'une épaisseur de couche de l'ordre <EMI ID=3.1> de grandeur de 10 à 10 cm. soit atteinte. Pour la protection de cette couche on applique en outre une couche consistant en un alliage fondant environ à 100[deg.], d'étain, de cadmium, et <EMI ID=4.1> du local également avec l'indium. Dans le cas du revêtement au moyen du gallium par conden- <EMI ID=5.1> protectrice peut être appliquée par condensation de vapeurs de bismuth par exemple. Il n'est pas à recommander de produire cette couche métallique par projection, parce qu'alors elle se détache facilement. Des systèmes fabriqués au moyen du gallium ont l'avantage particulier que par suite de la capacité extrêmement minime, ils sont utilisables également dans le cas de fréquences qui valent environ quatre fois la fréquence pour laquelle jusqu'à présent les redresseurs de mesure connus pouvaient être employés. On observe en outre qu'avec de semblables systèmes au gallium, au thallium et à l'indium on obtient des propriétés de la couche d'arrêt qui sont extrêmement insensibles aux influences atmosphériques. Il est toutefois particulièrement important que de semblables redresseurs secs sont par exemple utilisables également pour de hautes tensions d'arrêt. On obtient ainsi avec <EMI ID=6.1> dans le sens de l'arrêt, pour -40 volts effectifs un courant en retour qui n'est pas plus grand que dans le cas des redresseurs secs connus jusqu'à présent pour -18 volts. <EMI ID=7.1> fortement agrandie un système à conductibilité non-symétrique suivant la présente invention. Sur l'électrode d'aluminium 1, éventuellement, traitée au préalable par de la vapeur de bismuth, se trouve la couche cristalline de semi-conducteur 2, en particulier en sélénium. La surface libre du semiconducteur est pourvue d'un revêtement 3, de 10 -3 à 10 -4 cm. d'épaisseur, en l'un des métaux thallium, gallium, indium ou en un alliage de ceux-ci et est recouverte, en vue de laprotection, d'une couche supplémentaire 4 en un alliage à bas/' point de fusion, d'étain, de cadmium et de bismuth. <EMI ID=8.1> I/ Système à conductibilité électrique non-symétrique, en particulier redresseur sec à plaques, sans couche d'arrêt spéciale entre l'électrode porteuse et le semi-conducteur, caractérisé par une couche appliquée sur la surface libre du semi-conducteur et fuite en un des métaux thallium, gallium, indium ou en un alliage de ceux-ci. 2/ Procédé pour la production d'un système à conductibilité
Claims (1)
- électrique non-symétrique suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche consistant en thallium est appliquée par condensation de vapeurs pendant un temps court sur la couche de semi-conducteur se trouvant à la température du local.3/ Procédé suivant les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche de gallium est appliquée par condensation de vapeurs en un temps court sur la couche de semi-conducteur se trouvant à au moins -I00[deg.]C.4/ Procédé suivant les revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche d'indium est appliquée par condensation de vapeurs en un temps court sur la couche de semi-conducteur se trouvant au maximum à la température du local. <EMI ID=9.1>
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