AT409959B - Verfahren zur herstellung einer hochreinen tantalverbindung - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer hochreinen tantalverbindung Download PDFInfo
- Publication number
- AT409959B AT409959B AT0153198A AT153198A AT409959B AT 409959 B AT409959 B AT 409959B AT 0153198 A AT0153198 A AT 0153198A AT 153198 A AT153198 A AT 153198A AT 409959 B AT409959 B AT 409959B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- sep
- tantalum
- compound
- potassium
- purity
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 5
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 22
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- AOEAUHOGSMIDEE-UHFFFAOYSA-M N.[O-2].[O-2].[OH-].[Ta+5] Chemical compound N.[O-2].[O-2].[OH-].[Ta+5] AOEAUHOGSMIDEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 12
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 7
- ZIRLXLUNCURZTP-UHFFFAOYSA-I tantalum(5+);pentahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Ta+5] ZIRLXLUNCURZTP-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 6
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical group [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 208000001848 dysentery Diseases 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001640 fractional crystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- -1 tantalum hydroxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003053 toxin Substances 0.000 description 1
- 231100000765 toxin Toxicity 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G35/00—Compounds of tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
- C22B34/24—Obtaining niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/89—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by mass-spectroscopy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Die Erfindung betrifft Verfahren zur Aufarbeitung und Reinigung von Tantal enthaltenden Erzen und Verbindungen. Sie betrifft insbesondere Verfahren zur Herstellung von hochreinen Tantalver- EMI1.1 und/oder Tantalhydroxid (Ta205.nH20) von technischer Standard-Qualität. Hochreines Tantalmetall und Tantalpentoxid erlangen eine zunehmende Bedeutung in der Elektronikindustrie bei der Herstellung moderner elektronischer Materialien, die bei der Herstellung von Einrichtungen, wie akustischen Oberflächenwellen-Filtern, pyroelektrischen Infrarot-Sensoren und optelektronischen Einrichtungen verwendet werden. Hochreines Tantalpentoxid ist auch erfor- derlich zur Herstellung von Tantalat-Röntgen-Leuchtstoffen für Röntgenverstärkungsschirme. Die Reinheit von Tantalmetall und Tantalpentoxid, die bei der Herstellung solcher Produkte verwendet werden, sollte sehr hoch sein, insbesondere in bezug auf bestimmte Übergangsmetalle wie Niob. Vor 1957 wurde Niob von Tantal getrennt durch Anwendung eines fraktionierten Kristallisati- ons-Verfahrens, bekannt als Marignac-Verfahren, bei dem die unterschiedliche Löslichkeit zwi- schen K2TaF7 und K2NbOF5.H20 ausgenutzt wird. Das bei diesem Verfahren erhaltene Tantalpen- toxid enthielt jedoch grosse Verunreinigungen an Nb (1000-3000 ppm) und anderen Elementen wie Si (bis zu 3000 ppm), Ti (bis zu 100 ppm) und Fe (bis zu 2000 ppm) In den späten Fünfziger Jahren ersetzten moderne Lösungsmittelextraktions- und lonenaus- tausch-Verfahren die Anwendung des Marignac-Verfahrens. Beispiele für Flüssig-Flüssig-Lösungs- mittelextraktions- und lonenaustausch-Verfahren sind in den US-Patenten 3 117 833,3 712 939, 4 673 554 und 4 446 115 beschrieben. In einem Lösungsmittel-Extraktionsverfahren werden Erz- konzentrate, die mindestens 25 Gew.-% Tantal- und Niobpentoxid enthalten, in Fluorwasserstoff- saure-Medien chemisch zersetzt und die gelösten Tantal- und Niob-Species werden von dem Rest durch Filtration abgetrennt. Das Filtrat, das Tantal (als TaF72-) und Niob (als NbOF52-) in einem HF/H2S04-Medium enthält, wird mit einer organischen Phase, in der Regel Methylisobutylketon (MIBK), in Kontakt gebracht, das die Tantal- und Niob-Species selektiv adsorbiert unter Zurücklas- sung von Verunreinigungen wie Titan, Eisen und Silicium in der wässrigen Phase. Das Niob wird von dem Tantal durch Rückextraktion mit Schwefelsäure abgetrennt. Schliesslich wird Tantal (TaF72- aus der organischen Phase (MIBK) mit einer Ammoniumfluorid-Losung eluiert und durch Ausfällung mit Ammoniumhydroxid in hydratisiertes Ammoniumtantaloxid überführt. Das hydrati- sierte Ammoniumtantaloxid ist amorph und enthält eine beträchtliche Menge an Ammoniak, Was- ser und Fluorid, die durch Calcinieren zwischen 750 und 1300 C entfernt werden, wodurch das amorphe Material in eine bei niedriger Temperatur kristalline Phase von Tantalpentoxid oder #- Ta205 umgewandelt wird. Das nach diesem Verfahren hergestellte Tantalpentoxid enthält normalerweise Verunreinigun- gen, wie AI, Si, F, C1. K, Na, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ti, Zr, Mo, Nb und W, mit einem Gesamtgewicht der Verunreinigungen von etwa 0,1 bis 1 %. Obgleich Ta205 (oder K2TaF7), das nach dem Lo- sungsmittelextraktions-Verfahren hergestellt worden ist, für die meisten Anwendungszwecke verwendet werden kann, ist dieses Material für die Herstellung von elektronischen Materialien nicht geeignet. Zur Herstellung von elektronischen Materialien, wie akustischen Oberflächenwellen- Filtern, pyroelektrischen Infrarot-Sensoren und optoelektronischen Einrichtungen und Röntgen- Leuchtstoffen ist normalerweise Tantalpentoxid von optischer Qualität mit einem niedrigeren Ge- halt an Übergangsmetallen und einigen anderen elementaren Verunreinigungen, je nach dem spezifischen Verwendungszweck, erforderlich. Beispielsweise sollte für Röntgen-Leuchtstoffe der Gesamtgehalt an Übergangsmetall-Verunreinigungen, bezogen auf das Gewicht, 10 bis 20 ppm nicht übersteigen Die Herstellung von Tantaloxid von optischer Qualität erfordert entweder ein kompliziertes Chlonerungsverfahren oder mehrere Extraktions/Rückextraktions-Cyclen durch Lösungsmittelex- traktion. Daher sind die Kosten für Tantaloxid von optischer Qualität bemerkenswert hoch, vergli- chen mit denjenigen von Tantalpentoxid von technischer Standard-Qualität. Darüber hinaus ist es nahezu unmöglich, Niob durch Chlorierung oder durch mehrfache Extraktions-Rückextraktions- Cyclen der Lösungsmittelextraktion vollständig zu entfernen. In dem US-Patent 5 635 146, auf das hier ausdrücklich Bezug genommen wird, ist ein anderes Verfahren zur Reinigung von Tantalpentoxid beschrieben. Zur Umwandlung des unreinen Tantal- pentoxids in ein lösliches Kaliumtantalat vor der Auflösung sind jedoch zusätzliche Stufen erforder- lich Dieses Verfahren erfordert daher im Vergleich zur vorliegenden Erfindung mehrere Reaktions- <Desc/Clms Page number 2> schritte, was das Verfahren kompliziert und aufwendig macht. Insbesondere ist eine Umwandlung in Kaliumtantalat vor der Auflösung notwendig. Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht dann, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden. Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, hochreine Tantal-Verbindungen aus unreinen, Tantal enthaltenden Verbindungen unter Anwendung eines direkten Auflösungsverfah- rens herzustellen. Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein hochreines Tantalpentoxid mit einem Gesamtgehalt an Übergangsmetallen von weniger als etwa 25 ppm herzustellen. Gemäss einem Aspekt betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer hochreinen Tantalverbindung. Aus einer unreinen Tantalverbindung und einer konzentrierten Schwefelsaure wird eine Aufschlämmung hergestellt, wobei die Tantal-Verbindung ausgewählt wird aus der Gruppe hydratisiertes Ammoniumtantaloxid und Tantalhydroxid. Die Aufschlämmung wird in einem konzentrierten Fluorwasserstoffsäure-Medium gelöst unter Bildung einer Lösung, die Tantalgehalte und Verunreinigungen enthält, und es wird eine lösliche Kalium-Verbindung der Lösung zugegeben zur Ausfällung von Kaliumfluorotantalat. Das Kaliumfluorotantalat wird von der die Verunreinigungen enthaltenden Lösung abgetrennt, wodurch ein hochreines Kaliumfluorotanta- lat erhalten wird. Gemäss einem anderen Aspekt der Erfindung wird das hochreine Kaliumfluorotantalat in Was- ser suspendiert und gegebenenfalls wird ein Chelatbildner zugegeben. Dann wird Ammonium- hydroxid zu der Suspension unter kontinuierlichem Rühren zugegeben, wobei ein Niederschlag aus hydratisiertem Ammoniumtantaloxid gebildet wird. Der Niederschlag wird abfiltriert, gewa- schen, getrocknet und calciniert unter Bildung eines hochreinen Tantalpentoxids Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung, die ein Blockdiagramm darstellt, das ein erfindungsgemässes Verfahren erläutert, näher beschrieben. Im Zusammenhang mit den obengenannten und anderen und weiteren Zielen, Vorteilen und Möglichkeiten der Erfindung und zur Verbesserung des Verständnisses der Erfindung wird auf die nachstehende Beschreibung und die nachfolgenden Patentansprüche in Verbindung mit der oben- genannten Zeichnung verwiesen. Es wurde gefunden, dass hydratisiertes Ammoniumtantaloxid (HATO) und verwandte Verbin- dungen wie Tantalhydroxid, die verhältnismässig hohe Gehalte an Verunreinigungen enthalten, zur Herstellung eines Tantalpentoxids von optischer Qualität oder elektronischer Qualität unter An- wendung eines direkten Auflösungsverfahrens verwendet werden können. Vorzugsweise weist das nach diesem Verfahren hergestellte hochreine Tantalpentoxid einen Gesamtgehalt an Übergangs- metallen (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Sn und Pb) von weniger als etwa 25 ppm und besonders bevorzugt von weniger als etwa 10 ppm auf. Insbesondere beträgt die Niobmenge in dem nach diesem Verfahren hergestellten hochreinen Tantalpentoxid weniger als etwa 10 % des Niobs (bezogen auf Ta205), das in dem unreinen Ausgangsmaterial enthalten ist. Im allgemeinen wird das HATO in konzentrierter Schwefelsäure aufgeschlämmt und dann in einer konzentrierten Fluorwasserstoffsäure direkt aufgelöst. Wenn es einmal aufgelöst ist, wird die konzentrierte Lösung mit Wasser verdünnt und es wird eine lösliche Kaliumverbindung wie Kalium- chlorid zugegeben, um Kaliumfluorotantalat (K2TaF7) auszufällen. Zu diesem Zeitpunkt kann der Kaliumfluorotantalat-Niederschlag gewaschen, filtriert und getrocknet werden, wobei man ein hochreines Material erhält, oder er kann in Wasser wieder suspendiert werden für eine zusätzliche Bearbeitung. Zur Herstellung eines hochreinen Tantalpentoxids (insbesondere in bezug auf die Übergangs- metall-Verunreinigungen), wird der resuspendierte K2TaF7-Niederschlag kontinuierlich gerührt, während Ammoniumhydroxid zugegeben wird, wodurch ein weisser Niederschlag aus hydratisier- tem Ammoniumtantaloxid gebildet wird. Vor der Zugabe des Ammoniumhydroxids kann ein Che- latbildner wie EDTA der Suspension zugegeben werden. Der weisse Niederschlag wird abfiltriert, gewaschen, getrocknet und bei 900 bis 1200 C calciniert unter Bildung eines hochreinen Tantal- pentoxids. Die Erfindung wird in den folgenden Beispielen näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Beispiel 1 <Desc/Clms Page number 3> Eine 125 g-Menge eines unreinen amorphen hydratisierten Ammoniumtantaloxids (HATO) (Tabelle 1) wurde in 225 ml konzentrierter Fluorwasserstoffsaure (HF) (29 M) gelost. Die konzent- nerte Lösung wurde mit 4,5 I entionisiertes Wasser (DI-Wasser) verdünnt und es wurden 100 g KCI zugegeben, um K2TaF7 auszufällen. Die überstehende Flüssigkeit wurde dekantiert, wobei etwa 1 1 Aufschlämmung zurückblieb. Es wurde ein 1 I-Volumen von DI-Wasser zu der Aufschlämmung zugegeben und der Feststoff wurde durch Filtrieren abgetrennt. Der Kuchen auf dem Filterpapier wurde mit 2 I DI-Wasser gewaschen Der gewaschene Niederschlag aus K2TaF7 wurde in 6 I DIWasser suspendiert. Die Suspension wurde mit einem Ruhrstab gut durchmischt und es wurde 1 g EDTA (Feststoff-Pulver) zugegeben Nach dem gründlichen Rühren, um die EDTA homogen zuzumischen, wurden 800 ml 15M Ammoniumhydroxid unter kontinuierlichem Rühren der Suspension zugegeben. Der weisse Niederschlag aus hydratisiertem Ammoniumtantaloxid, der sich gebildet hatte, wurde über Nacht in der Mutterlauge belassen. Der Niederschlag wurde abfiltriert, bis zu einem neutralen pH-Wert gewaschen und bei 110 C getrocknet. Das getrockenete hydratisierte Ammoniumtantaloxid wurde 15 bis 16 h lang bei 950 C in einem Siliziumdioxid-Schmelztiegel calciniert, um es in Tantaloxid umzuwandeln. Das calcinierte Ta2O5 wurde durch Röntgenbeugungs (XRD)-, Glimmentladungs-Massenspektrometrie(GDMS)-, spezifische BET-Oberflächengro- #en(BET)-Mess- und Infrarotspektroskopie (IR)-Verfahren charakterisiert. Beispiel 2 Das in Beispiel 1 angewendete Verfahren wurde wiederholt, jedoch mit der Ausnahme, dass das unreine HATO (125 g) in 125 ml konzentrierter Schwefelsäure (18M H2S04) aufgeschlammt wurde, bevor die Auflösung in 225 ml 29M HF erfolgte. Die Gehalte an Verunreinigungen in dem nach den Beispielen 1 und 2 hergestellten Tantalpentoxid sind in der Tabelle 1 angegeben und mit den Gehalten in dem HATO-Ausgangsmaterial verglichen. Die in der Tabelle 1 angegebenen Ergebnisse zeigen, dass durch Verwendung von H2S04 in dem Verfahren die Konzentration an Nb und anderen Elementen in dem verunreinigten Ta2O5 stark herabgesetzt wurde. Weitere Versuche haben bestätigt, dass das Ausgangsmaterial mit konzentrierter Schwefelsäure aufgeschlämmt werden muss, um eine hochreine Tantal-Verbindung herzustellen Insbesondere wurde die Konzentration der Niob-Verunreinigung in dem Produkt durch Variieren der Menge der 29M HF nicht beeinflusst, wenn keine konzentrierte Schwefelsäure verwendet wurde Im Hinblick auf Niob wurde in einer Reihe von speziellen Experimenten die Beziehung zwischen der Niob-Konzentration in dem Produkt und den in der Auflösungsstufe verwendeten Mengen an konzentrierter Schwefelsäure und Fluorwasserstoffsaure bestimmt, die durch die folgende Gleichung definiert ist: 1/Nb = 0,44 - 0,008 (XH2S04) + 0,00054 (XHF) + 0,000044 (XH2S04) (XHF) worin XH2S04 und XHF die Mengen (in ml) an 18M H2S04 bzw 29M HF darstellen Tabelle 1 EMI3.1 <tb> Element <SEP> Konzentrationen, <SEP> bezogen <SEP> auf <SEP> Ta205, <SEP> ppm <tb> <tb> <tb> <tb> HATO- <SEP> Ta205 <SEP> Ta205 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ausgangs- <SEP> gemäss <SEP> gemäss <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> material* <SEP> Beispiel <SEP> Beispiel <SEP> 2 <SEP> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> (nur <SEP> HF) <SEP> H2S04/HF <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ti <SEP> 3-4 <SEP> 4,4 <SEP> 0,9 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> V <SEP> #1 <SEP> < 0,1 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Cr <SEP> 6-32 <SEP> 3 <SEP> 0,3 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Mn <SEP> 2-11 <SEP> < 0,1 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Fe <SEP> 49-340 <SEP> 13 <SEP> 0, 5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Co <SEP> 1-3 <SEP> 0,3 <SEP> < 0,1 <tb> <Desc/Clms Page number 4> EMI4.1 <tb> Element <SEP> Konzentrationen, <SEP> bezogen <SEP> auf <SEP> Ta205, <SEP> ppm <tb> <tb> HATO- <SEP> Ta205 <SEP> Ta205 <tb> <tb> <tb> <tb> Ausgangs- <SEP> gemäss <SEP> gemäss <tb> <tb> <tb> material* <SEP> Beispiel <SEP> Beispiel <SEP> 2 <SEP> <tb> <tb> <tb> (nur <SEP> HF) <SEP> H2S04/HF <tb> <tb> <tb> Ni <SEP> 5-8 <SEP> 0,2 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> Cu <SEP> 5-10 <SEP> < 1 <SEP> < 1 <tb> <tb> <tb> Zn <SEP> 6-16 <SEP> 0,4 <SEP> 0,4 <tb> <tb> <tb> Zr <SEP> 1-4 <SEP> 4,6 <SEP> < 0,2 <tb> <tb> <tb> Nb <SEP> 140-900 <SEP> 130 <SEP> 10 <tb> <tb> <tb> Sn <SEP> < 1 <SEP> 0,7 <SEP> 0,2 <tb> <tb> Pb <SEP> 1-8 <SEP> 3,2 <SEP> 0,2 <tb> * eine Mischung von drei Proben, enthaltend variierende Mengen an Verunreinigungen Beispiel 3 Das Verfahren des Beispiels 1 wurde wiederholt, jedoch mit der Ausnahme, dass das unreine HATO (Tabelle 2) in 250 ml 18M H2S04 aufgeschlämmt wurde, bevor die Auflösung in 275 ml 29M HF durchgeführt wurde. In der Tabelle 2 sind die bei dem resultierenden Ta205 gemessenen Gehalte an Verunreinigungen denjenigen in dem HATO-Ausgangsmaterial gegenübergestellt. Tabelle 2 EMI4.2 <tb> Element <SEP> Konzentration, <SEP> bezogen <SEP> auf <SEP> Ta205, <SEP> ppm <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> HATO <SEP> Ta2O5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> gemäss <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Beispiel <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Li <SEP> 0,7 <SEP> #0l,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Na <SEP> 450 <SEP> 42 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Mg <SEP> 17 <SEP> 0,6 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> AI <SEP> 71 <SEP> 160 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Si <SEP> 14000 <SEP> 43 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> P <SEP> 120 <SEP> 1,6 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> S <SEP> 140 <SEP> 6,2 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> C1 <SEP> 0,6 <SEP> 0,2 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ca <SEP> 1900 <SEP> 10 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ti <SEP> 17 <SEP> 5,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> V <SEP> 0,27 <SEP> < 0, 1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Cr <SEP> 61 <SEP> 1,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Mn <SEP> 1,2 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Fe <SEP> 63 <SEP> 2,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Co <SEP> 1,0 <SEP> 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ni <SEP> 0,7 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Cu <SEP> 2,7 <SEP> < 0,5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Zn <SEP> 7,2 <SEP> 0,6 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Sr <SEP> 4,3 <SEP> #0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Y <SEP> 5,5 <SEP> 0,2 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Zr <SEP> 5,5 <SEP> 0,3 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Nb <SEP> 440 <SEP> 9,9 <tb> <Desc/Clms Page number 5> EMI5.1 <tb> Element <SEP> Konzentration, <SEP> bezogen <SEP> auf <SEP> Ta205, <SEP> ppm <tb> <tb> <tb> <tb> HATO <SEP> Ta2O5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> gemäss <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Beispiel <SEP> 3 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Mo <SEP> 0,8 <SEP> 0,3 <tb> <tb> <tb> <tb> Sn <SEP> 3,1 <SEP> 1,4 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> W <SEP> 95 <SEP> 2,7 <tb> <tb> <tb> <tb> Pb <SEP> 1,7 <SEP> 0,1 <tb> Beispiel 4 Das Verfahren des Beispiels 3 wurde wiederholt, jedoch mit der Ausnahme, dass ein amorphes Tantalhydroxid (TH) (Tabelle 3) anstelle von HATO für die Reinigung verwendet wurde. Das Verfahren wurde in einem um 50 % kleineren Massstab durchgeführt. Tabelle 3 EMI5.2 <tb> Element <SEP> Konzentrationen, <SEP> bezogen <SEP> auf <SEP> Ta205, <SEP> ppm <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> TH <SEP> Ta205 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> gemäss <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Beispiel <SEP> 4 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ti <SEP> 11 <SEP> 3,7 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> V <SEP> 0,3 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Cr <SEP> 6,5 <SEP> 0,5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Mn <SEP> 0,5 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Fe <SEP> 61 <SEP> 1,7 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Co <SEP> 1,2 <SEP> 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Ni <SEP> 2,1 <SEP> < 0,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Cu <SEP> 3,9 <SEP> < 0,5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Zn <SEP> 1,2 <SEP> < 0,5 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Zr <SEP> 4,2 <SEP> 0,8 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Nb <SEP> 2,1 <SEP> 0, 1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Sn <SEP> 1,8 <SEP> 1,1 <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> <tb> Pb <SEP> 0,6 <SEP> 0,2 <tb> Aus der Tabelle ist zu ersehen, dass hochreine Tantal-Verbindungen hergestellt werden können bei Verwendung von hydratisiertem Ammoniumtantaloxid (oder verwandten Verbindungen) als Ausgangsmaterial. Die Erfindung wurde zwar vorstehend unter Bezugnahme auf spezifische bevorzugte Ausfüh- rungsformen näher erläutert, es ist jedoch für den Fachmann selbstverständlich, dass sie darauf keineswegs beschränkt ist, sondern dass diese in vielfacher Hinsicht abgeändert und modifiziert werden können, ohne dass dadurch der Rahmen der vorliegenden Erfindung verlassen wird. **WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE : 1 Verfahren zur Herstellung einer hochreinen Tantal-Verbindung durch Bildung einer Aufschlämmung einer unreinen Tantalverbindung in konzentrierter Schwefelsäure, die Auflösung der Aufschlämmung in einem konzentrierten Fluorwasserstoffsäure-Medium unter Bildung einer Lösung, die Tantalgehalte und Verunreinigungen enthält; <Desc/Clms Page number 6> die Zugabe einer löslichen Kaliumverbindung zu der Lösung zur Ausfällung von Kaliumflu- orotantalat; und die Abtrennung des Kaliumfluorotantalats von der die Verunreinigungen enthaltenden Lo- sung durch Filtrieren unter Bildung eines hochreinen Kaliumfluorotantalats, dadurch gekennzeichnet, dass die um reine Tantalverbindung hydratisiertes Ammoniumtan- taloxid oder Tantalhydroxid; darstellt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es ausserdem umfasst die Bildung einer Suspension des Kaliumfluorotantalats in Wasser, gegebenenfalls die Zu- gabe eines Chelatbildners, wie z. B. EDTA (Ethylendiamintetraessigsäure), zu der Suspen- sion, die Zugabe von Ammoniumhydroxid zu der Suspension unter kontinuierlichem Ruh- ren unter Bildung eines hydratisierten Ammoniumtantaloxid-Niederschlags und das Filtrie- ren, Waschen, Trocknen und Calcinieren des hydratisierten Ammoniumtantaloxid-Nieder- schlags unter Bildung eines hochreinen Tantalpentoxids.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Niobmenge in dem hoch- reinen Tantalpentoxid weniger als etwa 10 % der Niobmenge in der unreinen Tantal-Ver- bindung, bezogen auf Tantalpentoxid, beträgt.
- 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das hochreine Tantalpentoxid einen Gesamt-Übergangsmetall-Gehalt von weniger als etwa 25 ppm aufweist.
- 5 Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Gesamt-Übergangsmetall- Gehalt weniger als etwa 10 ppm beträgt.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Kaliumverbin- dung um Kaliumchlorid handelt.
- 7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der hydratisierte Ammonium- tantaloxid-Niederschlag bei 900 bis 1200 C calciniert wird.HIEZU 1 BLATT ZEICHNUNGEN
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/928,369 US6010676A (en) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | Method for making a highly pure tantalum compound |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATA153198A ATA153198A (de) | 2002-05-15 |
| AT409959B true AT409959B (de) | 2002-12-27 |
Family
ID=25456152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT0153198A AT409959B (de) | 1997-09-12 | 1998-09-10 | Verfahren zur herstellung einer hochreinen tantalverbindung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6010676A (de) |
| AT (1) | AT409959B (de) |
| DE (1) | DE19841774B4 (de) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
| US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
| CN1213949C (zh) * | 1999-12-28 | 2005-08-10 | 三井金属矿业株式会社 | 氟化钽酸钾结晶的制造方法及氟化钽酸钾结晶 |
| KR100815034B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-03-18 | 캐보트 코포레이션 | 고순도 니오븀과 이를 함유하는 제품 및 이를 제조하는 방법 |
| US6383459B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-05-07 | Osram Sylvania Inc. | Method for purifying a tantalum compound using a fluoride compound and sulfuric acid |
| US7182925B2 (en) * | 2003-04-24 | 2007-02-27 | Osram Sylvania Inc. | Tantalum concentrates dissolution and purification method |
| CN101808770A (zh) * | 2007-10-15 | 2010-08-18 | 高温特殊金属公司 | 利用回收的废料作为源材料制备钽粉末的方法 |
| RU2623522C1 (ru) * | 2016-04-21 | 2017-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Русредмет" (ООО "НПК "Русредмет") | Способ получения фтортанталата калия из танталсодержащих растворов |
| WO2024227459A2 (zh) * | 2024-08-21 | 2024-11-07 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种五氧化二钽粉末及其制备方法和用途 |
| CN120028120B (zh) * | 2025-03-11 | 2025-12-12 | 国标(北京)检验认证有限公司 | 一种痕量元素分析用纯钽标准样品的制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4041138A (en) * | 1975-08-21 | 1977-08-09 | Hermann C. Starck | Process for the preparation of crystalline potassium tantalum fluoride |
| US4537750A (en) * | 1984-02-29 | 1985-08-27 | Gte Products Corporation | Process for producing high purity tantalum oxide |
| US4663130A (en) * | 1983-11-14 | 1987-05-05 | Cabot Corporation | Process for dissolving tantalum/columbium materials containing alkali metal impurities |
| US4673554A (en) * | 1984-12-18 | 1987-06-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of purifying tantalum |
| EP0241278A2 (de) * | 1986-04-10 | 1987-10-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Verfahren zur Abscheidung und Reinigung von Tantal und Niob enthaltenden Verbindungen |
| US4942024A (en) * | 1988-06-13 | 1990-07-17 | Central Glass Company, Limited | Method for refining hydroxides of niobium and tantalum containing transition metals |
| DE3904292A1 (de) * | 1989-02-14 | 1990-08-16 | Starck Hermann C Fa | Hochreines tantalpentoxid sowie verfahren zu dessen herstellung |
| US5635146A (en) * | 1995-11-30 | 1997-06-03 | Osram Sylvania Inc. | Method for the dissolution and purification of tantalum pentoxide |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1066188B (de) * | 1959-10-01 | Buss A.G., Basel (Schweiz) | Verfahren zur Herstellung von Fluoriden und Doppelfluoriden | |
| US3117833A (en) * | 1958-09-25 | 1964-01-14 | Fansteel Metallurgical Corp | Process of purifying and separating columbium and tantalum values from each other |
| US3712939A (en) * | 1971-03-29 | 1973-01-23 | Union Carbide Corp | Method for recovering tantalum and/or columbium |
| US3907976A (en) * | 1974-11-29 | 1975-09-23 | Mallinckrodt Inc | Continuous process for preparing potassium fluotantalate crystals |
| JPS56114831A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-09 | Toshiba Corp | Recovery of tantalum from scrap containing tantalum |
-
1997
- 1997-09-12 US US08/928,369 patent/US6010676A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-10 AT AT0153198A patent/AT409959B/de not_active IP Right Cessation
- 1998-09-11 DE DE19841774A patent/DE19841774B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4041138A (en) * | 1975-08-21 | 1977-08-09 | Hermann C. Starck | Process for the preparation of crystalline potassium tantalum fluoride |
| US4663130A (en) * | 1983-11-14 | 1987-05-05 | Cabot Corporation | Process for dissolving tantalum/columbium materials containing alkali metal impurities |
| US4537750A (en) * | 1984-02-29 | 1985-08-27 | Gte Products Corporation | Process for producing high purity tantalum oxide |
| US4673554A (en) * | 1984-12-18 | 1987-06-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of purifying tantalum |
| EP0241278A2 (de) * | 1986-04-10 | 1987-10-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Verfahren zur Abscheidung und Reinigung von Tantal und Niob enthaltenden Verbindungen |
| US4942024A (en) * | 1988-06-13 | 1990-07-17 | Central Glass Company, Limited | Method for refining hydroxides of niobium and tantalum containing transition metals |
| DE3904292A1 (de) * | 1989-02-14 | 1990-08-16 | Starck Hermann C Fa | Hochreines tantalpentoxid sowie verfahren zu dessen herstellung |
| US5635146A (en) * | 1995-11-30 | 1997-06-03 | Osram Sylvania Inc. | Method for the dissolution and purification of tantalum pentoxide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19841774B4 (de) | 2008-07-24 |
| DE19841774A1 (de) | 1999-03-18 |
| US6010676A (en) | 2000-01-04 |
| ATA153198A (de) | 2002-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19649669B4 (de) | Verfahren zur Auflösung und Reinigung von Tantalpentoxid | |
| DE2941335C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von grobem Aluminiumhydroxid | |
| DE2345673C3 (de) | Verfahren zur Herstellung vonreinem Molybdäntrioxid | |
| DE2304094A1 (de) | Verfahren zur herstellung von hochreinem molybdaenoxid und ammoniummolybdat | |
| DE10142692B4 (de) | Verfahren zum Reinigen einer Tantal-Verbindung | |
| DE3019404A1 (de) | Verfahren zur herstellung von schuppigem eisenoxid | |
| AT409959B (de) | Verfahren zur herstellung einer hochreinen tantalverbindung | |
| DE2743812B1 (de) | Verfahren zur Aufarbeitung von Buntmetallhydroxidschlamm-Abfaellen | |
| DE69219274T2 (de) | Verfahren zur Regenerierung von Schwefelsäure aus metallsulfatenthaltender Abfallschwefelsäure | |
| DE3490383C2 (de) | ||
| DE2536351A1 (de) | Verfahren zur gewinnung von tantal und/oder niob aus tantal- und niobhaltigen loesungen | |
| DE2335335A1 (de) | Neue ammoniumtetramolybdat-form und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2854200C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Zirkonoxid aus technischem Calciumzirkonat | |
| DD151924A5 (de) | Verfahren zur gewinnung von chromoxidhydrat (chrom(iii)-oxidhydrat)aus chromerz | |
| DE2633570A1 (de) | Verfahren zur ausnuetzung von abfaellen der chromsaeureanhydrid-herstellung | |
| DE2922235A1 (de) | Verfahren zum herstellen von kobaltmetallpulver in extrafeiner koernchengroesse | |
| DE4030707C2 (de) | ||
| DE2849082A1 (de) | Verfahren zur gewinnung von titanverbindungen | |
| DE2405271C3 (de) | Verfahren zur Gewinnung von Titandioxid aus Ilmeniterz | |
| DE2120580B2 (de) | Verfahren zum reinigen von rohem molybdaenoxyd | |
| DE69400984T2 (de) | Verfahren zur Entfernung von Eisen und Mangan aus Säure-Zinksalz-Lösungen | |
| EP0273244A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von hochwertigem Titandioxid nach dem Sulfatverfahren | |
| DE2621144A1 (de) | Verfahren zur aufarbeitung von buntmetallhydroxidschlamm-abfaellen | |
| DE3022874A1 (de) | Verfahren zur herstellung von tantal-konzentraten | |
| DE3636981A1 (de) | Verfahren zur herstellung von reinem kobaltmetallpulver |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ELJ | Ceased due to non-payment of the annual fee |